JP2003112999A5 - - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 2
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307452A JP4031628B2 (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 半導体多層膜結晶、およびそれを用いた発光素子、ならびに当該半導体多層膜結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307452A JP4031628B2 (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 半導体多層膜結晶、およびそれを用いた発光素子、ならびに当該半導体多層膜結晶の成長方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003112999A JP2003112999A (ja) | 2003-04-18 |
| JP2003112999A5 true JP2003112999A5 (https=) | 2005-06-23 |
| JP4031628B2 JP4031628B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=19126913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001307452A Expired - Fee Related JP4031628B2 (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 半導体多層膜結晶、およびそれを用いた発光素子、ならびに当該半導体多層膜結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4031628B2 (https=) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005104742A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Kyocera Corp | 単結晶育成用基板および半導体装置 |
| US7846757B2 (en) * | 2005-06-01 | 2010-12-07 | The Regents Of The University Of California | Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,A1,In,B)N thin films, heterostructures, and devices |
| JP2006052123A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | n型AlN結晶、n型AlGaN固溶体及びそれらの製造方法 |
| KR101145755B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2012-05-16 | 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 | 평면의 반극성 갈륨 질화물의 성장을 위한 기술 |
| JP4518209B1 (ja) * | 2009-09-07 | 2010-08-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶基板、エピ層付iii族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP4277826B2 (ja) | 2005-06-23 | 2009-06-10 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法 |
| US9708735B2 (en) | 2005-06-23 | 2017-07-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride crystal substrate, epilayer-containing group III nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8771552B2 (en) | 2005-06-23 | 2014-07-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride crystal substrate, epilayer-containing group III nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR101347848B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2014-01-06 | 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 | 유기금속 화학기상증착법을 통한 반극성(Al,In,Ga,B)N의 성장강화방법 |
| TWI490918B (zh) * | 2006-01-20 | 2015-07-01 | 美國加利福尼亞大學董事會 | 半極性氮化(鋁,銦,鎵,硼)之改良成長方法 |
| EP2175480A4 (en) * | 2007-07-19 | 2012-12-19 | Mitsubishi Chem Corp | GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR CLEANING THE SAME |
| JP2010539732A (ja) * | 2007-09-19 | 2010-12-16 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 無極性および半極性の窒化物基板の面積を増加させる方法 |
| JP4390007B2 (ja) | 2008-04-07 | 2009-12-24 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体素子及びエピタキシャルウエハ |
| JP2010027924A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物発光ダイオード |
| JP4730422B2 (ja) | 2008-10-24 | 2011-07-20 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体電子デバイス、iii族窒化物半導体電子デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体エピタキシャルウエハ |
| JP4375497B1 (ja) * | 2009-03-11 | 2009-12-02 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びiii族窒化物半導体素子を作製する方法 |
| JP5120350B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-16 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体素子及びエピタキシャルウエハ |
-
2001
- 2001-10-03 JP JP2001307452A patent/JP4031628B2/ja not_active Expired - Fee Related
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