JP2003110034A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特定ユーザの性能要求に応じてフラッシュメ
モリの設計を行うと他のユーザの要求には応えられず、
多品種開発が必要となり、開発効率を落とし、各ユーザ
の要望時期に要望個数作製することが困難になる。 【解決手段】 フラッシュメモリ４２と、フラッシュメ
モリ４２の主要な性能を調整する第１のトリミング回路
４３と、フラッシュメモリ４２の性能の基準値からのず
れを微調整する第２のトリミング回路４４と、レジスタ
４５と、トリミング調整情報格納用のフラッシュメモリ
４６とを備え、外部より第１および第２のトリミング調
整情報がフラッシュメモリ４６に格納され、レジスタ４
５を介し第１，第２のトリミング回路４３，４４へ転送
され、第１，第２のトリミングが実施される。第１のト
リミングの実施によりフラッシュメモリ４２の性能を大
きく変化させ、多ユーザの性能要求に応じることが容易
になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラッシュメモリ
などの不揮発性メモリを内蔵したマイクロコンピュータ
などの半導体集積回路装置およびその製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体技術の進展に伴い不揮発性
メモリの分野においては、高書換回数、高速書換読み出
し、高耐久性、低電圧動作、大容量化など性能要求が年
々強まってきている。特にフラッシュメモリを搭載した
マイクロコンピュータの分野では、ＲＯＭに格納するソ
フトの書換えを実施できることからＤＶＤ等に象徴され
る光ディスクの分野を中心に、高速書換読み出し、低電
圧動作、大容量化などの性能要求が多岐にわたってきて
いる。

【０００３】これに伴い、多ユーザからの性能要求に応
えるため、微細化・仕様の多用化・多品種生産といった
方法で対応をしている。多ユーザからの、要望されてい
る適正な時期に効率よく提供できる少量多品種に適した
製品が求められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、特定ユーザの性能要求に合わせてフラッシュメ
モリ等の不揮発性メモリの設計を行うと、異なる他ユー
ザの要求には応えられない性能となってしまい、多品種
開発が必要となり、開発効率を落としてしまい、各ユー
ザの要望時期に要望個数を満足するように作製すること
が困難になるという課題がある。

【０００５】本発明の目的は、多ユーザから要望される
異なる性能の不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路
装置を、各ユーザの要望時期および要望個数を満足する
ように作製することが容易になる、少量多品種に適した
半導体集積回路装置およびその製造方法を提供すること
である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体集積回路装置は、電気的に消去および書き込み可
能な不揮発性メモリと、不揮発性メモリの主要な性能を
決定する第１のトリミングを実施するための第１のトリ
ミング調整情報を格納するレジスタと、レジスタに格納
される第１のトリミング調整情報が反映された第１のト
リミング回路とを備えている。

【０００７】この請求項１記載の構成によれば、第１の
トリミング回路に第１のトリミングを実施することによ
り不揮発性メモリの主要な性能を決定することができる
ため、同等の不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路
装置（未完成品）を複数作製し、それぞれのレジスタに
格納されるトリミング調整情報の内容を変えて第１のト
リミングを実施することにより、設計変更を行うことな
く、それぞれの半導体集積回路装置に搭載された不揮発
性メモリの性能を異ならせることができる。したがっ
て、多ユーザから要望される異なる性能の不揮発性メモ
リを搭載した半導体集積回路装置（完成品）を、各ユー
ザの要望時期および要望個数を満足するように作製する
ことが容易になる。

【０００８】本発明の請求項２記載の半導体集積回路装
置は、請求項１記載の半導体集積回路装置において、レ
ジスタに第１のトリミングの実施された不揮発性メモリ
の性能の基準値からのずれを微調整する第２のトリミン
グ調整情報をも格納するようにし、レジスタに格納され
る第２のトリミング調整情報が反映された第２のトリミ
ング回路を設けたことを特徴とする。

【０００９】この請求項２記載の構成によれば、不揮発
性メモリの性能の微調整を行うことができる。

【００１０】本発明の請求項３記載の半導体集積回路装
置は、請求項１または２記載の半導体集積回路装置にお
いて、第１のトリミング回路がヒューズ回路ブロックで
構成され、外部から第１のトリミング調整情報をレジス
タに格納することでヒューズが切断されることにより第
１のトリミングが実施されたことを特徴とする。

【００１１】この請求項３記載の構成によれば、第１の
トリミング回路をヒューズ回路で構成し、そのヒューズ
の切断という容易な方法により第１のトリミングを実施
することができる。

【００１２】本発明の請求項４記載の半導体集積回路装
置の製造方法は、電気的に消去および書き込み可能な不
揮発性メモリと、不揮発性メモリの主要な性能を決定す
る第１のトリミングを実施するための第１のトリミング
調整情報を格納するレジスタと、レジスタに格納される
第１のトリミング調整情報に基づいて第１のトリミング
が実施される第１のトリミング回路とを内蔵した半導体
集積回路装置が複数形成されたウエハを複数枚作製し、
複数のウエハからなるロット単位またはウエハ単位で不
揮発性メモリの性能が確定されるように第１のトリミン
グを実施することを特徴とする。

【００１３】この請求項４記載の方法によれば、第１の
トリミング回路に第１のトリミングを実施することによ
り不揮発性メモリの主要な性能を決定することができる
ため、同等の不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路
装置（未完成品）が複数形成されたウエハを複数枚作製
し、ウエハ毎に不揮発性メモリの性能が確定されるよう
に第１のトリミングを実施する、すなわち、ウエハ毎に
レジスタに格納されるトリミング調整情報の内容を変え
て第１のトリミングを実施することにより、設計変更を
行うことなく、半導体集積回路装置に搭載された不揮発
性メモリの性能をウエハ毎に異ならせることができる。
したがって、多ユーザから要望される異なる性能の不揮
発性メモリを搭載した半導体集積回路装置を、各ユーザ
の要望時期および要望個数を満足するように作製するこ
とが容易になる。

【００１４】本発明の請求項５記載の半導体集積回路装
置は、電気的に消去および書き込み可能な第１の不揮発
性メモリと、第１の不揮発性メモリの主要な性能を決定
する第１のトリミングを実施するための第１のトリミン
グ調整情報を外部から入力して記憶する電気的に消去お
よび書き込み可能な第２の不揮発性メモリと、第２の不
揮発性メモリから転送される第１のトリミング調整情報
を格納するレジスタと、レジスタに格納される第１のト
リミング調整情報が反映された第１のトリミング回路と
を備えている。

【００１５】この請求項５記載の構成によれば、第２の
不揮発性メモリへ第１のトリミング調整情報を書き込ん
で第１のトリミング回路に第１のトリミングを実施する
ことにより不揮発性メモリの主要な性能を決定すること
ができるため、同等の不揮発性メモリを搭載した半導体
集積回路装置（未完成品）を複数作製し、それぞれのレ
ジスタに格納されるトリミング調整情報の内容を変えて
第１のトリミングを実施することにより、設計変更を行
うことなく、それぞれの半導体集積回路装置に搭載され
た第１の不揮発性メモリの性能を異ならせることができ
る。したがって、多ユーザから要望される異なる性能の
第１の不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路装置
（完成品）を、各ユーザの要望時期および要望個数を満
足するように作製することが容易になる。また、検査工
程中、あるいは製品として出荷後ユーザ先にて、第２の
不揮発性メモリのトリミング調整情報を書き換えること
により、第１の不揮発性メモリの性能の変更を行うこと
が可能となる。

【００１６】本発明の請求項６記載の半導体集積回路装
置は、請求項５記載の半導体集積回路装置において、第
２の不揮発性メモリに第１のトリミングの実施された第
１の不揮発性メモリの性能の基準値からのずれを微調整
する第２のトリミング調整情報をも入力してレジスタに
格納するようにし、レジスタに格納される第２のトリミ
ング調整情報が反映された第２のトリミング回路を設け
たことを特徴とする。

【００１７】この請求項６記載の構成によれば、第１の
不揮発性メモリの性能の微調整を行うことができる。

【００１８】本発明の請求項７記載の半導体集積回路装
置の製造方法は、電気的に消去および書き込み可能な第
１の不揮発性メモリと、第１の不揮発性メモリの主要な
性能を決定する第１のトリミングを実施するための第１
のトリミング調整情報を外部から入力して記憶する電気
的に消去および書き込み可能な第２の不揮発性メモリ
と、第２の不揮発性メモリから転送される第１のトリミ
ング調整情報を格納するレジスタと、レジスタに格納さ
れる第１のトリミング調整情報に基づいて第１のトリミ
ングが実施される第１のトリミング回路とを内蔵した半
導体集積回路装置が複数形成されたウエハを作製し、半
導体集積回路装置毎に第２の不揮発性メモリへ入力する
第１のトリミング調整情報を決定し、半導体集積回路装
置単位で第１の不揮発性メモリの性能が確定されるよう
に第１のトリミングを実施することを特徴とする。

【００１９】この請求項７記載の方法によれば、第２の
不揮発性メモリへ第１のトリミング調整情報を書き込ん
で第１のトリミング回路に第１のトリミングを実施する
ことにより第１の不揮発性メモリの主要な性能を決定す
ることができるため、同等の第１の不揮発性メモリを搭
載した半導体集積回路装置（未完成品）が複数形成され
たウエハを作製し、半導体集積回路装置毎に不揮発性メ
モリの性能が確定されるように第１のトリミングを実施
する、すなわち、半導体集積回路装置毎にレジスタに格
納されるトリミング調整情報の内容を変えて第１のトリ
ミングを実施することにより、設計変更を行うことな
く、半導体集積回路装置に搭載された第１の不揮発性メ
モリの性能を半導体集積回路装置毎に異ならせることが
できる。したがって、多ユーザから要望される異なる性
能の第１の不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路装
置を、各ユーザの要望時期および要望個数を満足するよ
うに作製することが容易になる。

【００２０】本発明の請求項８記載の半導体集積回路装
置の製造方法は、請求項７記載の半導体集積回路装置の
製造方法において、第１のトリミングを実施した後、組
立工程の前工程の検査で、第２の不揮発性メモリに書き
込まれた第１のトリミング調整情報を参照することで第
１の不揮発性メモリの性能を識別し、識別した性能に応
じた性能検査を行うことを特徴とする。

【００２１】この請求項８記載の方法によれば、組立工
程の前工程の検査中に、第２の不揮発性メモリに書き込
まれた第１のトリミング調整情報を参照することで第１
の不揮発性メモリの性能に応じた性能検査を行うことが
可能となる。

【００２２】本発明の請求項９記載の半導体集積回路装
置の製造方法は、請求項７記載の半導体集積回路装置の
製造方法において、第１のトリミングを実施した後、組
立工程を行い、その後工程の検査で、第２の不揮発性メ
モリに書き込まれた第１のトリミング調整情報を参照す
ることで第１の不揮発性メモリの性能を識別し、識別し
た性能に応じた性能検査を行うことを特徴とする。

【００２３】この請求項９記載の方法によれば、組立工
程の後工程の検査中に、第２の不揮発性メモリに書き込
まれた第１のトリミング調整情報を参照することで第１
の不揮発性メモリの性能に応じた性能検査を行うことが
可能となる。

【００２４】本発明の請求項１０記載の半導体集積回路
装置の製造方法は、請求項８または９記載の半導体集積
回路装置の製造方法において、識別した性能に応じた性
能検査を行った結果、第１の不揮発性メモリが性能不良
であるとき、第２の不揮発性メモリに書き込まれている
第１のトリミング調整情報の内容を、性能の異なるトリ
ミング調整情報に書きかえることにより第１の不揮発性
メモリを有する半導体集積回路装置の救済を行うことを
特徴とする。

【００２５】この請求項１０記載の方法によれば、第１
の不揮発性メモリがある性能について不良であっても、
第２の不揮発性メモリのトリミング調整情報を書きかえ
ることにより第１の不揮発性メモリを異なる性能のもの
として救済することができる。

【００２６】本発明の請求項１１記載の半導体集積回路
装置の製造方法は、請求項７記載の半導体集積回路装置
の製造方法において、第１の不揮発性メモリに設定可能
な複数の性能のうち各性能についてその性能を確定する
第１のトリミングを半導体集積回路装置単位で実施し、
各性能に応じた性能検査を行い、全ての性能についての
検査結果が良好である半導体集積回路装置を良品とす
る。

【００２７】この請求項１１記載の方法によれば、良品
の半導体集積回路装置を出荷後、ユーザ先にて、第２の
不揮発性メモリのトリミング調整情報を書き換えること
により、第１の不揮発性メモリの性能の変更を行うこと
ができ、多目的に使用可能となる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明は、従来のように基準値に
対する微調整を目的として行うトリミング（第２のトリ
ミング）とは別に、高書換回数、高速書換読み出し、高
耐久性、低電圧動作といった、ある性能に特化し顕著に
効くパラメータをトリミング（第１のトリミング）する
ことにより、異なる性能の不揮発性メモリを作りこむこ
とを可能とするものであり、以下の実施の形態で詳細に
説明する。

【００２９】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態における半導体集積回路装置のブロック図
である。

【００３０】本実施の形態の半導体集積回路装置１１
は、同一半導体基板上に、フラッシュメモリ１２と、フ
ラッシュメモリ１２の主要な性能を調整する第１のトリ
ミング回路１３と、第１のトリミングの実施されたフラ
ッシュメモリ１２の性能の基準値からのずれを微調整す
る、例えばフラッシュメモリ１２内の周辺回路のプロセ
スばらつき等の基準値に対するトランジスタ等の特性ず
れを微調整する第２のトリミング回路１４と、フリップ
フロップ回路で構成されたレジスタ１５とを備えてお
り、例えば外部からレジスタ１５に格納された第１，第
２のトリミング調整情報が、半導体集積回路装置１１の
本来の動作前に第１のトリミング回路１３、第２のトリ
ミング回路１４に転送（１６、１７）され、トリミング
が実施され、フラッシュメモリ１２の性能が決定され
る。ここで、第１のトリミングが第２のトリミングに先
行して実施される。なお、トリミング調整情報には、第
１のトリミングを実施するための第１のトリミング調整
情報と第２のトリミングを実施するための第２のトリミ
ング調整情報とがある。

【００３１】第１，第２のトリミング回路１３，１４
は、レジスタ１５に格納されたトリミング調整情報によ
り、動作モードが決定され、そのモードにより、自動的
に各動作前に調整が行われる回路構造である。例えば、
第１のトリミング回路１３は、レジスタ１５に格納され
た第１のトリミング調整情報により電圧が発生させら
れ、その電圧により、その部分の配線が導通するように
なる構造（アンチヒューズ）であり、保証動作電圧帯に
応じたセンスアンプの判定用トランジスタの選択回路な
どである。また、第２のトリミング回路１４は、例え
ば、発生させられた基準電圧をＣＭＯＳの抵抗分割によ
り微調整を実施する回路（基準電圧調整回路）であり、
その例を図１０に示す。図１０において、Ｄ，Ｅ，Ｆ，
Ｇは第２のトリミング調整情報である。また、スイッチ
を用いたトリミング回路の例は、特開平１１−２９７０
８６号公報の図５等に開示されている。

【００３２】この第１の実施の形態によれば、第１のト
リミング回路１３に第１のトリミングを実施することに
よりフラッシュメモリ１２の性能を大きく変化させるこ
とができるため、同等のフラッシュメモリ１２を搭載し
た半導体集積回路装置（未完成品）を複数作製し、それ
ぞれのレジスタ２５に格納されるトリミング調整情報の
内容を変えて第１および第２のトリミングを実施するこ
とにより、設計変更を行うことなく、それぞれの半導体
集積回路装置１１に搭載されたフラッシュメモリ１２の
性能を異ならせることができる。したがって、多ユーザ
から要望される異なる性能のフラッシュメモリ１２を搭
載した半導体集積回路装置１１（完成品）を、各ユーザ
の要望時期および要望個数を満足するように作製するこ
とが容易になる。

【００３３】なお、第１および第２のトリミングは、半
導体基板（ウエハ）上に素子や配線を作り込む工程（以
下、素子形成工程という）が完了した状態、すなわち、
複数の半導体集積回路装置１１（未完成品）が形成され
たウエハ状態で行うことができる。したがって、素子形
成工程完了後に性能の異なるフラッシュメモリ１２を作
り出すことが可能となる。

【００３４】（第２の実施の形態）図２は本発明の第２
の実施の形態における半導体集積回路装置のブロック図
である。本実施の形態の半導体集積回路装置２１は、第
１のトリミング回路２３がヒューズで構成されている場
合であり、他の構成は、図１とほぼ同様であり、その説
明を省略する。また、第１の実施の形態と同様の効果が
得られることは言うまでもない。

【００３５】本実施の形態の半導体集積回路装置２１
は、外部よりレジスタ２５に第１，第２のトリミング調
整情報を転送（２６）することにより、レジスタ２５に
格納された第１，第２のトリミング調整情報が、半導体
集積回路装置２１の本来の動作前に第１のトリミング回
路２３、第２のトリミング回路２４に転送（２７、２
８）され、トリミングが実施され、フラッシュメモリ２
２の性能が決定される。ここで、第１のトリミングが第
２のトリミングに先行して実施される。第１のトリミン
グは、外部よりレジスタ２５に第１のトリミング調整情
報を格納することで、各製品（半導体集積回路装置２
１）の性能に応じて第１のトリミング回路２３のヒュー
ズを切断することにより実施される。

【００３６】続いて、図３を参照することにより、本実
施の形態の半導体集積回路装置を作製する際において、
ユーザからの要望数に応じて、製品を振り分ける効率的
なフローを説明する。例えば、フラッシュ混載マイコン
のような製品は、使われる用途が多岐にわたり、少量多
品種の対応が必須であるため、ここではユーザからの要
望数に応じて、フラッシュメモリの性能を決定する。な
お、使われる用途の多様性は、書き換え回数、高耐久性
や低電圧動作／低消費電力など多岐にわたる。

【００３７】図３（ａ）に示すように、素子形成工程
（３１）の完了後に、ユーザからの要望数に応じて、フ
ラッシュメモリ２２の性能を決定する（３２）。このフ
ラッシュメモリ２２の性能については特に第１のトリミ
ング調整情報が重要であり、ここで第１のトリミング調
整情報を決定し、さらに微調整のための第２のトリミン
グ調整情報も決定する。前工程検査(３４)実施前に、上
記決定したトリミング調整情報を外部よりレジスタ２５
へ転送し、第１のトリミングの実施によりロット単位で
ヒューズを全数切断し（３３）、さらに第２のトリミン
グを実施した後、前工程検査(３４)を実施する。組み立
て(３５)、後工程検査（３６）を経て、検査終了(３７)
となり出荷される。

【００３８】このフローにより、図３（ｂ）に示すよう
に、例えば連続で素子形成工程を終了した２ロットに対
して、製品Ａの半導体集積回路装置が複数形成されたウ
エハ３８と、製品Ｂの半導体集積回路装置が複数形成さ
れたウエハ３９とに振り分け、効率的な生産および出荷
ができる。なお、図３の（３３）の処理では、製品Ａも
製品Ｂも全てヒューズが切断されるが、それぞれ切断箇
所が異なる。

【００３９】なお、図３の説明では、複数のウエハから
なるロット単位で、フラッシュメモリ２２の性能を異な
らせるようにトリミングを実施したが、ロット単位でな
くても、各ウエハ単位で実施してもよい。

【００４０】（第３の実施の形態）図４は本発明の第３
の実施の形態における半導体集積回路装置のブロック図
である。

【００４１】本実施の形態の半導体集積回路装置４１
は、同一半導体基板上に、フラッシュメモリ４２と、フ
ラッシュメモリ４２の主要な性能を調整する第１のトリ
ミング回路４３と、第１のトリミングの実施されたフラ
ッシュメモリ４２の性能の基準値からのずれを微調整す
る、例えばフラッシュメモリ４２内の周辺回路のプロセ
スばらつき等の基準値に対するトランジスタ等の特性ず
れを微調整する第２のトリミング回路４４と、フリップ
フロップ回路で構成されたレジスタ４５と、フラッシュ
メモリ４２とは異なるトリミング調整情報格納用のフラ
ッシュメモリ４６とを備えており、外部より第１および
第２のトリミング調整情報がフラッシュメモリ４６に格
納され（４７）、半導体集積回路装置４１の本来の動作
前にフラッシュメモリ４６から第１，第２のトリミング
調整情報がレジスタ４５へ転送（４８）され、さらにレ
ジスタ４５から第１，第２のトリミング調整情報が、第
１のトリミング回路４３、第２のトリミング回路４４へ
転送（４９，５０）され、第１，第２のトリミングが実
施され、フラッシュメモリ４２の性能が決定される。こ
こで、第１のトリミングが第２のトリミングに先行して
実施される。

【００４２】第１，第２のトリミングは、各動作モード
の起動時に、トリミング調整情報格納用のフラッシュメ
モリ４６からレジスタ４５にトリミング調整情報が転送
され、第１のトリミング回路４３はそのトリミング調整
情報により、保証動作電圧帯に応じたセンスアンプの判
定用トランジスタの選択回路などであり、第２のトリミ
ング回路１４は、例えば図１０に示された基準電圧の調
整を行う回路である。

【００４３】本実施の形態では、図１の構成にトリミン
グ調整情報格納用フラッシュメモリ４７が付加された構
成であり、第１の実施の形態と同様の効果を得ることが
できる。さらに本実施の形態では、第１，第２のトリミ
ング調整情報をフラッシュメモリ４７に記憶させておく
ことができる。

【００４４】続いて、図５を参照することにより、本実
施の形態の半導体集積回路装置を作製する際において、
ユーザからの要望数に応じて、チップ単位で性能を変更
することが可能なフローを説明する。

【００４５】図５（ａ）に示すように、素子形成工程
（５１）の完了後に、ユーザからの要望数に応じて、フ
ラッシュメモリ４２の性能を決定する（５２）。このフ
ラッシュメモリ４２の性能については特に第１のトリミ
ング調整情報が重要であり、ここで第１のトリミング調
整情報を決定し、さらに微調整のための第２のトリミン
グ調整情報も決定する。ここで決定したチップ（半導体
集積回路装置）ごとに異なる第１のトリミング調整情報
および第２のトリミング調整情報を外部よりそれぞれの
トリミング調整情報格納用フラッシュメモリ４６に書込
み、フラッシュメモリ４６からトリミング調整情報がレ
ジスタ４５へ転送され、第１のトリミングおよび第２の
トリミングが実施される（５３）。その後、検査・組立
工程（前工程検査、組立工程、後工程検査）（５４）を
経て、出荷される。

【００４６】このフローにより、スライス内にチップ単
位で異なる製品を作りこむことが可能となり、効率的な
生産および出荷できる。例えば、図５（ｂ）に示すよう
に、連続で素子形成工程を終了した２ロットに対して、
製品Ａ、製品Ｂ、製品Ｃの各半導体集積回路装置が形成
されたウエハ５５と、ウエハ５５とは異なる配置ないし
個数で製品Ａ、製品Ｂ、製品Ｃの各半導体集積回路装置
が形成されたウエハ５６とに振り分けることができ、よ
り出荷数を調整でき、ロット異常時等の発生する影響を
回避することが可能となる。

【００４７】次に、トリミング調整情報格納用フラッシ
ュメモリ４６に記憶されている第１のトリミング調整情
報を活用することにより、前工程検査にて検査フローを
変更する例を図６を参照しながら説明する。

【００４８】図６の６２，６３，６４の処理は、図５
（ａ）の５１，５２，５３の処理と同様であり、６４の
処理により、チップごとに異なる第１のトリミング調整
情報および第２のトリミング調整情報がフラッシュメモ
リ４６に書き込まれ、第１および第２のトリミングが実
施されている。次に、前工程の検査(６１)へと進む。ま
ず性能によらず共通である項目の検査が実施された後、
フラッシュメモリ４６から第１のトリミング調整情報を
読み出し(６５)、あらかじめ用意されている性能ごとの
検査フローをソフトにて判定、切り換えることにより同
一ソフトにて検査を実現する。例えば第１のトリミング
調整情報を読み出し(６５)、製品Ａであるかを判定(６
６)する。製品Ａと判定されれば、製品Ａ用の検査フロ
ー(６７)を実施する。読み出されたトリミング調整情報
が、製品Ａと判定されなければ、製品Ｂであるかを判定
(６８)する。製品Ｂと判定されれば、製品Ｂ用の検査フ
ロー(６９)を実施する。読み出されたトリミング調整情
報が、製品Ｂと判定されなければ、製品Ｃであるかを判
定(６１０)する。製品Ｃと判定されれば、製品Ｃ用の検
査フロー(６１１)を実施する。読み出されたトリミング
調整情報が、製品Ｃと判定されなければ、何らかの異常
が発生しているということで異常終了(６１２)とする。

【００４９】前工程検査（６１）の後は、組立工程、後
工程検査を経て出荷される。

【００５０】このフローにより、第１のトリミング調整
情報を活用することにより、前工程検査（６１）にて同
一ソフトで検査フローを切り換えることが可能となり、
異なる製品用のソフトに切り換える必要がなくなる。す
なわち、複数の製品を作りこんだことになるウエハの検
査において、製品を見分けることが可能なトリミング調
整情報を事前に読出し、１つのソフトに反映することに
より、検査フローの変更が可能となり、従来の検査のよ
うな製品ごとにソフトを用意することを不要とする。

【００５１】次に、トリミング調整情報格納用フラッシ
ュメモリ４６に記憶されている第１のトリミング調整情
報を活用することにより、後工程検査にて検査フローを
変更する例を図７を参照しながら説明する。

【００５２】図７の７２，７３，７４の処理は、図５
（ａ）の５１，５２，５３の処理と同様であり、７４の
処理により、チップごとに異なる第１のトリミング調整
情報および第２のトリミング調整情報がフラッシュメモ
リ４６に書き込まれ、第１および第２のトリミングが実
施されている。次に、性能によらず共通である項目の検
査を前工程検査（７５）において実施し、そのあと組立
工程(７６)を経て後工程検査(７１)へと進む。

【００５３】後工程検査(７１)では、まず性能によらず
共通である項目の検査が実施された後、フラッシュメモ
リ４６から第１のトリミング調整情報を読み出し(７
８)、あらかじめ用意されている性能ごとの検査フロー
をソフトにて判定、切り換えることにより同一ソフトに
て検査を実現する。例えば第１のトリミング調整情報を
読み出し(７８)、製品Ａであるかを判定(７９)する。製
品Ａと判定されれば、製品Ａ用の検査フロー(７１０)を
実施する。読み出されたトリミング調整情報が、製品Ａ
と判定されなければ、製品Ｂであるかを判定(７１１)す
る。製品Ｂと判定されれば、製品Ｂ用の検査フロー(７
１２)を実施する。読み出されたトリミング調整情報
が、製品Ｂと判定されなければ、製品Ｃであるかを判定
(７１３)する。製品Ｃと判定されれば、製品Ｃ用の検査
フロー(７１４)を実施する。読み出されたトリミング調
整情報が、製品Ｃと判定されなければ、何らかの異常が
発生しているということで異常終了(７１５)とする。

【００５４】このフローにより、第１のトリミング調整
情報を活用することにより、後工程検査（７１）にて同
一ソフトで検査フローを切り換えることが可能となり、
異なる製品用のソフトに切り換える必要がなくなる。

【００５５】次に、図８を参照することにより、検査工
程において性能不良品が発生した場合における、別製品
への救済を実現する方法について説明する。なお、図８
における製品Ａとしての検査(８１)は、図６の前工程検
査６１における製品Ａとしての検査(６７)に相当する場
合と、図７の後工程検査７１における製品Ａとしての検
査(７１０)に相当する場合とがある。

【００５６】製品Ａとしての検査(８１)の最終段階にお
いて、製品Ａとして良品か否かを判定(８２)し、良品で
あれば終了(８３)する。良品でなければ、製品Ｂとして
救済可能かを検査する。まずトリミング調整情報格納用
フラッシュメモリ４６内の第１，第２のトリミング調整
情報を製品Ｂ用に書き換えて第１，第２のトリミングを
実施する(８４)。製品Ｂ用の検査フローにて検査を実施
(８５)し、製品Ｂとしての検査(８５)の最終段階におい
て、製品Ｂとして良品か否かを判定(８６)し、良品であ
れば終了する(８７)。良品でなければ、製品Ｃとして救
済可能かを検査する。まずトリミング調整情報格納用フ
ラッシュメモリ４６内の第１，第２のトリミング調整情
報を製品Ｃ用に書き換えて第１，第２のトリミングを実
施する(８８)。製品Ｃ用の検査フローにて検査を実施
(８９)し、製品Ｃとしての検査(８９)の最終段階におい
て、製品Ｃとして良品か否かを判定(８１０)し、良品で
あれば終了(８１１)する。良品でなければ、救済不可能
と判定し、不良品として処理(８１２)する。

【００５７】なお、図８では、図６における製品Ａとし
ての検査(６７)や、図７における製品Ａとしての検査
(７１０)の後に、ひき続いて行う救済方法について説明
したが、図６における製品Ｂ、製品Ｃとしての検査(６
９、６１１)や、図７における製品Ｂ、製品Ｃとしての
検査(７１２、７１４)の後に、同様にひき続いて他の製
品として救済を行うようにしてもよい。

【００５８】最後に図９を参照することにより、検査工
程において全ての性能を第２のトリミングまで含めて検
査し、ユーザ先にて、性能を選択することを可能とする
検査フローを説明する。

【００５９】検査工程(９１８)において、検査開始(９
１)後、製品Ａ用の第１のトリミング(９２)を実施し、
製品Ａ用の第１のトリミングにおける性能の微調整を第
２のトリミング(９３)において実施する。製品Ａ用の検
査フロー(９４)を実施し、不良品と判定(９５)されれば
終了(９６)する。良品と判断されれば、製品Ｂ用の第１
のトリミング(９７)を実施し、製品Ｂ用の第１のトリミ
ング(９７)における性能の微調整を第２のトリミング
(９８)において実施する。製品Ｂ用の検査フロー(９９)
を実施し、不良品と判定(９１０)されれば終了(９１１)
する。良品と判断されれば、製品Ｃ用の第１のトリミン
グ(９１２)を実施し、製品Ｃ用の第１のトリミング(９
１２)における性能の微調整を第２のトリミング(９１
３)において実施する。製品Ｃ用の検査フロー(９１４)
を実施し、不良品と判定(９１５)されれば終了(９１６)
する。良品と判断されれば、良品として出荷(９１７)す
る。

【００６０】この出荷（９１７）時の製品は、ウエハ状
態や、ＳＩＰ，ＭＣＭ，ＣＯＣなどの場合がある。

【００６１】なお、検査開始（９１）後、製品Ａ用の第
１のトリミング（９２）、第２のトリミング（９３）の
実施の前に、フラッシュメモリ４６に製品Ａ用の第１，
第２のトリミング調整情報がフラッシュメモリ４６に書
き込まれる。また、製品Ｂ用の第１のトリミング（９
７）、第２のトリミング（９８）の実施の前に、フラッ
シュメモリ４６に製品Ｂ用の第１，第２のトリミング調
整情報がフラッシュメモリ４６に書き込まれる。また、
製品Ｃ用の第１のトリミング（９１２）、第２のトリミ
ング（９１３）の実施の前に、フラッシュメモリ４６に
製品Ｃ用の第１，第２のトリミング調整情報がフラッシ
ュメモリ４６に書き込まれる。

【００６２】ユーザ先(９１９)においては、製品の選択
(９２０)を実施し、例えば製品Ｃ用のトリミング調整情
報をフラッシュメモリ４６に書込み(９２１)、製品Ｃと
して使用(９２２)する。ここでは、製品Ｃとして使用す
ることにしたが、製品Ａまたは製品Ｂ用のトリミング調
整情報をフラッシュメモリ４６に書込み、製品Ａまたは
製品Ｂとして使用することもできる。

【００６３】この図９の方法にて、ユーザ先にてフラッ
シュメモリ４６に対する性能を変更可能とし、多目的に
使用可能となる。なお、図９では、３つの製品Ａ，Ｂ，
Ｃを選択できるようにしたが、３つに限らず、２つ以上
の製品を選択できるようにすることで、同様の効果が得
られる。

【００６４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、多ユーザ
から要望される異なる性能の不揮発性メモリを内蔵した
マイクロコンピュータなどの半導体集積回路装置を、多
ユーザからの要望時期および要望個数に応じて効率よく
作製でき、多ユーザからの不揮発性メモリへの多岐にわ
たる性能要求に対して、総合的に少量多品種生産に適し
た半導体集積回路装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体集積回路装
置のブロック図。

【図２】本発明の第２の実施の形態の半導体集積回路装
置のブロック図。

【図３】本発明の第２の実施の形態における製造方法を
示すフロー図および説明図。

【図４】本発明の第３の実施の形態の半導体集積回路装
置のブロック図。

【図５】本発明の第３の実施の形態における製造方法の
一例を示すフロー図および説明図。

【図６】本発明の第３の実施の形態における製造方法の
一例を示すフロー図。

【図７】本発明の第３の実施の形態における製造方法の
一例を示すフロー図。

【図８】本発明の第３の実施の形態における製造方法の
一例を示すフロー図。

【図９】本発明の第３の実施の形態における製造方法の
一例を示すフロー図。

【図１０】本発明の実施の形態における第２のトリミン
グ回路の一例を示す図。

【符号の説明】

１１，２１，４１ 半導体集積回路装置 １２，２２，４２ フラッシュメモリ １３，２３，４３ 第１のトリミング回路 １４，２４，４４ 第２のトリミング回路 １５，２５，４５ レジスタ ４６ トリミング調整情報格納用フラッシュメモリ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/822 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｔ ５Ｆ１０１ 27/04 21/82 Ｓ 27/10 ４８１ Ｇ１１Ｃ 17/00 ６０１Ｚ 27/115 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１ 29/788 29/792 Ｆターム(参考） 5B003 AA05 AB05 AC01 AD02 AE00 AE04 5B025 AD00 AD16 AE00 AE09 5F038 AV10 AV15 DF01 DF04 DF05 DT11 DT17 EZ20 5F064 AA07 BB09 BB15 BB31 FF04 FF27 FF28 5F083 CR12 EP00 ER22 GA30 ZA20 5F101 BG08 BH26 BH30

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的に消去および書き込み可能な不揮
   発性メモリと、前記不揮発性メモリの主要な性能を決定
   する第１のトリミングを実施するための第１のトリミン
   グ調整情報を格納するレジスタと、前記レジスタに格納
   される前記第１のトリミング調整情報が反映された第１
   のトリミング回路とを備えた半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】 前記レジスタに前記第１のトリミングの
   実施された前記不揮発性メモリの性能の基準値からのず
   れを微調整する第２のトリミング調整情報をも格納する
   ようにし、前記レジスタに格納される前記第２のトリミ
   ング調整情報が反映された第２のトリミング回路を設け
   たことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
   置。
3. 【請求項３】 前記第１のトリミング回路がヒューズ回
   路ブロックで構成され、外部から前記第１のトリミング
   調整情報を前記レジスタに格納することで前記ヒューズ
   が切断されることにより前記第１のトリミングが実施さ
   れたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体集
   積回路装置。
4. 【請求項４】 電気的に消去および書き込み可能な不揮
   発性メモリと、前記不揮発性メモリの主要な性能を決定
   する第１のトリミングを実施するための第１のトリミン
   グ調整情報を格納するレジスタと、前記レジスタに格納
   される前記第１のトリミング調整情報に基づいて前記第
   １のトリミングが実施される第１のトリミング回路とを
   内蔵した半導体集積回路装置が複数形成されたウエハを
   複数枚作製し、 複数の前記ウエハからなるロット単位または前記ウエハ
   単位で前記不揮発性メモリの性能が確定されるように前
   記第１のトリミングを実施することを特徴とする半導体
   集積回路装置の製造方法。
5. 【請求項５】 電気的に消去および書き込み可能な第１
   の不揮発性メモリと、前記第１の不揮発性メモリの主要
   な性能を決定する第１のトリミングを実施するための第
   １のトリミング調整情報を外部から入力して記憶する電
   気的に消去および書き込み可能な第２の不揮発性メモリ
   と、前記第２の不揮発性メモリから転送される前記第１
   のトリミング調整情報を格納するレジスタと、前記レジ
   スタに格納される前記第１のトリミング調整情報が反映
   された第１のトリミング回路とを備えた半導体集積回路
   装置。
6. 【請求項６】 前記第２の不揮発性メモリに前記第１の
   トリミングの実施された前記第１の不揮発性メモリの性
   能の基準値からのずれを微調整する第２のトリミング調
   整情報をも入力して前記レジスタに格納するようにし、
   前記レジスタに格納される前記第２のトリミング調整情
   報が反映された第２のトリミング回路を設けたことを特
   徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置。
7. 【請求項７】 電気的に消去および書き込み可能な第１
   の不揮発性メモリと、前記第１の不揮発性メモリの主要
   な性能を決定する第１のトリミングを実施するための第
   １のトリミング調整情報を外部から入力して記憶する電
   気的に消去および書き込み可能な第２の不揮発性メモリ
   と、前記第２の不揮発性メモリから転送される前記第１
   のトリミング調整情報を格納するレジスタと、前記レジ
   スタに格納される前記第１のトリミング調整情報に基づ
   いて前記第１のトリミングが実施される第１のトリミン
   グ回路とを内蔵した半導体集積回路装置が複数形成され
   たウエハを作製し、 前記半導体集積回路装置毎に前記第２の不揮発性メモリ
   へ入力する前記第１のトリミング調整情報を決定し、前
   記半導体集積回路装置単位で前記第１の不揮発性メモリ
   の性能が確定されるように前記第１のトリミングを実施
   することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１のトリミングを実施した後、組
   立工程の前工程の検査で、前記第２の不揮発性メモリに
   書き込まれた前記第１のトリミング調整情報を参照する
   ことで前記第１の不揮発性メモリの性能を識別し、識別
   した性能に応じた性能検査を行うことを特徴とする請求
   項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１のトリミングを実施した後、組
   立工程を行い、その後工程の検査で、前記第２の不揮発
   性メモリに書き込まれた前記第１のトリミング調整情報
   を参照することで前記第１の不揮発性メモリの性能を識
   別し、識別した性能に応じた性能検査を行うことを特徴
   とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記識別した性能に応じた性能検査を
    行った結果、前記第１の不揮発性メモリが性能不良であ
    るとき、前記第２の不揮発性メモリに書き込まれている
    前記第１のトリミング調整情報の内容を、性能の異なる
    トリミング調整情報に書きかえることにより前記第１の
    不揮発性メモリを有する半導体集積回路装置の救済を行
    うことを特徴とする請求項８または９記載の半導体集積
    回路装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第１の不揮発性メモリに設定可能
    な複数の性能のうち各性能についてその性能を確定する
    第１のトリミングを前記半導体集積回路装置単位で実施
    し、各性能に応じた性能検査を行い、全ての性能につい
    ての検査結果が良好である前記半導体集積回路装置を良
    品とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方
    法。