JP2003109932A - 遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法及び装置 - Google Patents

遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法及び装置

Info

Publication number
JP2003109932A
JP2003109932A JP2002188647A JP2002188647A JP2003109932A JP 2003109932 A JP2003109932 A JP 2003109932A JP 2002188647 A JP2002188647 A JP 2002188647A JP 2002188647 A JP2002188647 A JP 2002188647A JP 2003109932 A JP2003109932 A JP 2003109932A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
centrifugal force
microstructure
cleaning solution
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002188647A
Other languages
English (en)
Inventor
Jin-Woo Cho
鎭佑 趙
Moon-Chul Lee
文▲チュル▼ 李
Ginsei Ri
銀聖 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2003109932A publication Critical patent/JP2003109932A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0092For avoiding stiction during the manufacturing process of the device, e.g. during wet etching
    • B81C1/00928Eliminating or avoiding remaining moisture after the wet etch release of the movable structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法及
びその装置を提供する。 【解決手段】 ウェーハ上に形成されたマイクロ構造物
の乾燥方法において、(a)前記ウェーハ及び前記マイ
クロ構造物間に積層された犠牲層をエッチング溶液によ
り除去する段階と、(b)前記ウェーハを回転軸に連結
された装着部に装着する段階と、(c)エッチングされ
たマイクロ構造物及びウェーハを所定時間洗浄溶液によ
り洗浄し、前記マイクロ構造物及びウェーハ間の前記エ
ッチング溶液を前記洗浄溶液に代替する段階と、(d)
前記回転軸の遠心力により前記ウェーハ及び前記マイク
ロ構造物間に残留している前記洗浄溶液を除去する段階
とを備え、前記マイクロ構造物が前記回転軸から外側に
向かうように前記ウェーハが前記装着部に垂直に装着さ
れることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子及びマイ
クロ・エレクトロ・メカニカル・システム(MEMS)技
術による素子製造時に用いられるウェーハの乾燥方法及
び装置に係り、より詳細には、遠心力を用いたウェーハ
の非粘着乾燥方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】MEMS技術を用いた無線周波数(R
F)素子のうち、現在最も汎用されているものはRFス
イッチである。このRFスイッチは、マイクロ波若しく
はミリメートル波を用いる無線通信システム、特に、信
号伝送もしくはインピーダンス整合回路などにおいて信
号の選別に多用される素子である。
【0003】この種のRF素子にはスイッチングを可能
ならしめるマイクロ構造物が組み込まれている。また、
かかるマイクロ構造物を製作するに際しては、犠牲層を
除去して犠牲層上に積層されているマイクロ構造物を基
板上に浮かすリリース工程が必ず伴われる。
【0004】図1Aないし図1Cは、リリース工程によ
り犠牲層を除去した後のマイクロ構造物の各種の形態を
示している。すなわち、図1Aは、粘着現象が起こって
いないMEMS構造物を示し、図1Bは、部分的に粘着
現象が起こったMEMS構造物を示し、そして図1C
は、全体的に粘着現象が起こったMEMS構造物を示
す。
【0005】かかるリリース工程は、乾式エッチング工
程と湿式エッチング工程とに大別できる。乾式エッチン
グ工程は、プラズマを用いて犠牲層を固相のものから気
相のものへと直接的に変えて除去することにより、後述
する湿式エッチング工程中に現れる表面張力による構造
物の粘着を根本的に防ぐ長所はあるものの、工程中に多
くの熱が生じるがゆえに、熱によるマイクロ構造物の変
形を引き起こす恐れがある。
【0006】これに対し、湿式エッチング工程は熱を生
じないことから、熱によるマイクロ構造物の変形を防げ
る長所はあるものの、犠牲層を除去してからウェーハ乾
燥中に生じる表面張力により基板及びマイクロ構造物間
に粘着が起こり、精度良いRFスイッチの製作が困難に
なる。これは、RFスイッチの誤動作を来す原因とな
る。
【0007】図2Aないし図2Cは、湿式エッチングの
リリース工程時に粘着現象が起こる過程を示すものであ
り、ウェーハ乾燥中に洗浄溶液が蒸発されるにつれて構
造物が粘着されていく過程を示している。
【0008】湿式エッチング過程により犠牲層が除去さ
れた後、基板とMEMS工程により製作されたマイクロ
構造物との間の空間、すなわち犠牲層が除去されてでき
た空間にエッチング溶液を満たす(図2A参照)。次
に、エッチング溶液により満たされた構造物を洗浄溶液
により洗浄すれば、エッチング溶液がこの洗浄溶液によ
り代替される(図2B参照)。次に、洗浄溶液により満
たされた構造物を乾燥すれば、洗浄溶液の量が減りつつ
洗浄溶液の表面張力によって構造物そのものが基板側に
移動され、このような過程が続いて結局マイクロ構造物
は基板に粘着される(図2C参照)。
【0009】上記した如き粘着現象を防ぐためにマイク
ロ構造物の剛性を強くすれば、乾燥過程中に洗浄溶液が
蒸発しても、マイクロ構造物と基板との間の間隔を保つ
ことはできる。しかし、これはRFスイッチの駆動時に
極めて高い駆動電圧を必要とする等の問題があり、採択
し難い。
【0010】前記問題を解決するために、湿式エッチン
グ工程をやや変えた各種の方法が提案されている。すな
わち、冷凍乾燥方法は洗浄溶液を冷凍させた後にこれを
昇華させて除去する方法である。しかし、洗浄溶液の冷
凍中に起こる体積の変化がマイクロ構造物の僅かな変形
を引き起こすがゆえに、RF MEMSスイッチなどの
構造物の製作に多くの困難さがある。
【0011】また、米国特許第6,067,728号公
報には、臨界乾燥方法が開示されている。これは、高圧
のチャンバ洗浄溶液を液状のCOに取り替えた後、C
の臨界点で液状のCOを除去する方法である。こ
の方法によれば、粘着現象のないマイクロ構造物は製作
可能であるものの、約72気圧の高圧を要するがゆえに
安全性に問題があり、しかも高価の装備を要するがゆえ
にRFスイッチの実用化には無理がある。
【0012】さらに他の方法として、イソプロピルアル
コール(IPA)沸騰液を用いる方法がある。これは、
沸騰しているIPAにウェーハを入れて加熱した後、そ
こからウェーハを取り出して大気中もしくは約100〜
300℃に保たれるオーブンに入れてIPAを素早く蒸
発させることにより構造物の粘着を防ぐ方法である。し
かしながら、IPAからウェーハを取り出す時にウェー
ハに付いてくるIPAの量が毎回異なり、しかもIPA
の分布もウェーハの位置に応じて異なってくるがゆえ
に、ウェーハの位置別に一様でない収率が得られる問題
がある。このため、リリース工程毎に一様な収率を得る
ことが期待し難く、これもまたRFスイッチの実用化に
は無理がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであり、その目的は、湿式エッチング
工程に際し、犠牲層を除去してからウェーハ乾燥中に起
こる粘着問題を防ぐために、遠心力を用いたウェーハの
非粘着乾燥方法及び装置を提供するところにある。
【0014】前記目的を達成するために、本発明に係る
遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法は、ウェーハ
上に形成されたマイクロ構造物の乾燥方法において、
(a)前記ウェーハ及び前記マイクロ構造物間に積層さ
れた犠牲層をエッチング溶液により除去する段階と、
(b)前記ウェーハを回転軸に連結された装着部に装着
する段階と、(c)エッチングされたマイクロ構造物及
びウェーハを所定時間洗浄溶液により洗浄し、前記マイ
クロ構造物及びウェーハ間の前記エッチング溶液を前記
洗浄溶液に代替する段階と、(d)前記回転軸の遠心力
により前記ウェーハ及び前記マイクロ構造物間に残留し
ている前記洗浄溶液を除去する段階とを備え、前記マイ
クロ構造物が前記回転軸から外側に向かうように前記ウ
ェーハが前記装着部に垂直に装着されることを特徴とす
る。
【0015】好適には、前記洗浄溶液は脱イオン水又は
IPAである。さらに、好適には、前記回転軸による遠
心力を前記マイクロ構造物及び前記ウェーハ間に働く表
面張力と少なくとも同じくするか、あるいは大きくす
る。
【0016】本発明の他の目的を達成するために、本発
明に係る遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥装置は、
マイクロ構造物を形成したウェーハを支持する多数の装
着部と、前記装着部に連結された回転軸を所定の回転速
度で駆動する回転手段とを備え、前記マイクロ構造物が
前記回転軸から外側に向かうように前記ウェーハが前記
装着部に垂直に装着されることを特徴とする。
【0017】さらに、好適には、前記装置は、洗浄溶液
が入れられる容器と、前記容器の上部を包み、前記回転
軸を支持するベアリングが形成されたカバーとをさらに
備え、前記容器には、前記容器に洗浄溶液を満たす洗浄
溶液引込管及び前記容器から前記洗浄溶液を送り出す洗
浄溶液排出管が形成されている。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の好適な実施形態を説明する。図3は、本発明の好
適な実施形態による遠心力を用いたウェーハの非粘着乾
燥装置の概略的な断面図であり、図4は、図3の装着部
にマイクロ構造物が装着されたことを示す一部平面図で
ある。図中には、単一のウェーハ上に単一のマイクロ構
造物が形成されていると示されているが、実際にはウェ
ーハ上に多数のマイクロ構造物が形成されている。
【0019】図面を参照すれば、乾燥装置10は、その
内部に洗浄溶液が入れられる容器12と、前記容器12
の上部を包むカバー14とを備える。カバー14の中央
にはベアリング16が設けられ、このベアリング16の
中央は回転軸18により支持されている。前記回転軸1
8の下部には連結部22が連結され、連結部22にはM
EMSスイッチ付きマイクロ構造物50が装着される装
着部24が連結されている。
【0020】図4は、一つの装着部24及びそこに装着
されるマイクロ構造物50を示す平面図である。これを
参照すれば、マイクロ構造物50は、ウェーハ52上に
おいてアンカー54により支持されるスプリング56
と、スプリング56により支持されるメンブレン(memb
rane)58とを含んでなる。
【0021】前記マイクロ構造物50は、前記MEMS
スイッチとなるメンブレン58が前記回転軸18から外
側に位置するようにウェーハ52が前記装着部24に垂
直に装着される。
【0022】前記装着部24は前記連結部に装着された
ウェーハ52が回転時に抜け出ることを防ぐために両側
に形成された支持顎26と、装着されたウェーハ52が
下方に落ちることを防ぐために形成された底部28とを
備える。
【0023】容器12の側面には外部から容器12内に
洗浄溶液を満たすための洗浄溶液引込管32と、容器1
2から洗浄溶液を排出する洗浄溶液排出管34とが設け
られており、各々の管32,34には洗浄溶液の流れを
制御する弁32a,34aが設けられている。さらに、
容器12内の洗浄溶液を加熱するための加熱コイル30
が容器12に設けられている。
【0024】前記回転軸18はモータ20により所定速
度で回転する。前記容器12の上部には空気排出管35
aが形成されており、この空気排出管35aには真空ポ
ンプ35が連結されている。前記カバー14は空圧シリ
ンダ36のロッド36aに連結されて前記容器12から
の取り外し及び前記容器12への取り付けが可能に構成
されている。
【0025】以下、図面を参照し、上述した如き構造の
乾燥装置の作用について詳述する。図3及び図4を参照
すれば、まず、空圧シリンダ36によりカバー14を容
器12から上方に離隔させる。次に、エッチング溶液に
より犠牲層が除去されたマイクロ構造物50を装着部2
4に装着する。この時、ウェーハ52は回転軸18に向
かい、メンブレン58は外側に向かう。
【0026】次に、弁34aが閉じた状態で弁32aを
開き、洗浄溶液引込管32を介して容器12内に洗浄溶
液を所定高さまで満たす。この時、洗浄溶液としては、
脱イオン水もしくはIPAを用いる。必要に応じて加熱
コイル30を用い、洗浄溶液の温度を所定温度まで上げ
る。
【0027】次に、空圧シリンダ36を働かせてカバー
14を容器12の上部に固定する。この時、回転軸18
に連結された装着部24を下方に移動させて装着部24
及びマイクロ構造物50を洗浄溶液に浸漬させる。所定
時間が経った後、洗浄溶液排出管34の弁34aを開
き、洗浄溶液を容器12から排出させる。もし、構造物
20が回転する空気との摩擦や圧力によって変形される
可能性があれば、空気排出管35aに結ばれた真空ポン
プ35を働かせて容器12の内部を真空状態に近くにも
できる。
【0028】前記回転軸18を回転させれば、マイクロ
構造物50は装着部24により固定された状態で遠心力
を受け、ほとんどの洗浄溶液は遠心力によりマイクロ構
造物50から分離されて除去される。残留している溶液
が蒸発し始めれば、マイクロ構造物50にはマイクロ構
造物50とウェーハ52との間の表面張力が回転軸24
に向かう第1方向に働き、第1方向とは反対方向である
第2方向に遠心力が同時に働くことになるため、製作さ
れた構造物の剛性及び質量に応じて適当な遠心力が加え
られる必要がある。回転軸18が角速度ωで回転してい
る時、回転軸18の中心から距離rだけ離れている質量
m、剛性kの構造物は、下記式1の如き遠心力Fを受
ける。 F=mrω (1) ウェーハ52とマイクロ構造物50との間に表面張力F
が働いているならば、重力を無視する場合、マイクロ
構造物の変位dは下記式2の通りである。 d=(F−F)/k (2)
【0029】従って、マイクロ構造物の質量及び剛性に
よって適切な角速度を計算して回転軸18を回転させれ
ば、マイクロ構造物50とウェーハ52との間の距離が
近づくことを防ぎつつ、洗浄溶液をもれなく蒸発させる
ことができる。この時、遠心力が働く方向はマイクロ構
造物が粘着される方向とは反対にし、且つ表面張力と遠
心力との和はマイクロ構造物の弾性限界を超えない範囲
内にする。遠心力が表面張力よりも強い場合には、マイ
クロ構造物が粘着されようとする方向と反対方向に変形
されてウェーハとの距離が一層遠ざかるので、粘着を防
ぐことができる。また、遠心力と表面張力とが平衡をな
す場合にはマイクロ構造物はウェーハと一定の距離を保
つので、粘着が防止される。さらに、遠心力が表面張力
よりも弱い場合にはマイクロ構造物は粘着されようとす
る方向に引っ張られるものの、マイクロ構造物は変形量
に比例する復元力(構造物の剛性による力)を有するの
で、表面張力がマイクロ構造物の復元力と遠心力の和よ
りも強くなければ、粘着は防がれる
【0030】実験例 RF MEMSスイッチの製作に際し、犠牲層を除去し
た状態で常温に保たれる脱イオン水により10分間洗浄
を行った後に常温に保たれるIPAに5分間沈浸し、回
転軸から10cm離れている装着部にウェーハを装着
し、2,000RPMにて6分間回転させて乾燥を行っ
た。このマイクロ構造物の場合、RPMは下記式の如き
値を使って計算された。 重量=2.893e−9kg、 剛性(k)=1.18 =11.8e−9(10μmの構造物変形を得るための
遠心力)N/m、 r=0.1m、 RPM=1930≒2,000 その結果、乾燥後に粘着現象が起こっていなかった。
【0031】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、乾
燥過程中に生じるマイクロ構造物とウェーハとの間の表
面張力とは反対方向に所定の遠心力を加えることによ
り、ほとんどの洗浄溶液は蒸発ではない液状のまま除去
され、マイクロ構造物の変形を弾性限界内に保ってME
MS工程により製作されるマイクロ構造物とウェーハと
の間の粘着現象を防ぐことができる。また、別途の特殊
な設備無しに安価にシステムを構成でき、特にウェーハ
レベルでの作業が可能であることから、量産が可能にな
る。
【0032】本発明は図面を参照し、且つ、実施形態を
参考として説明されたが、これは単なる例示的なものに
過ぎず、当業者による各種の変形及び均等な実施形態が
可能であるということは言うまでもない。よって、本発
明の真の技術的な保護範囲は特許請求の範囲内において
定まるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 リリース工程により犠牲層を除去した後の
マイクロ構造物の各種の粘着状態を示す写真である。
【図1B】 リリース工程により犠牲層を除去した後の
マイクロ構造物の各種の粘着状態を示す写真である。
【図1C】 リリース工程により犠牲層を除去した後の
マイクロ構造物の各種の粘着状態を示す写真である。
【図2A】 湿式エッチング工程中に粘着現象が起こる
工程を概略的に示す図である。
【図2B】 湿式エッチング工程中に粘着現象が起こる
工程を概略的に示す図である。
【図2C】 湿式エッチング工程中に粘着現象が起こる
工程を概略的に示す図である。
【図3】 本発明の好適な実施形態による遠心力を用い
たウェーハの非粘着乾燥装置を示す概略的断面図であ
る。
【図4】 図3の一部平面図であり、単一の装着部にマ
イクロ構造物が装着される状態を示す図である。
【符号の説明】
10 乾燥装置 12 容器 14 カバー 18 回転軸 22 連結部 24 装着部 30 加熱コイル 32 洗浄溶液引込管 34 洗浄溶液排出管 36 空圧シリンダ 50 MEMS構造物 52 ウェーハ
フロントページの続き (72)発明者 李 銀聖 大韓民国大田広域市中区五柳洞175−1番 地 三星アパート28棟409号 Fターム(参考) 3L113 AA04 AB08 AC68 BA34 DA24

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハ上に形成されたマイクロ構造物
    の乾燥方法において、(a)前記ウェーハ及び前記マイ
    クロ構造物間に積層された犠牲層をエッチング溶液によ
    り除去する段階と、(b)前記ウェーハを回転軸に連結
    された装着部に装着する段階と、(c)エッチングされ
    たマイクロ構造物及びウェーハを所定時間洗浄溶液によ
    り洗浄し、前記マイクロ構造物及びウェーハ間の前記エ
    ッチング溶液を前記洗浄溶液に代替する段階と、(d)
    前記回転軸の遠心力により前記ウェーハ及び前記マイク
    ロ構造物間に残留している前記洗浄溶液を除去する段階
    とを備え、前記マイクロ構造物が前記回転軸から外側に
    向かうように前記ウェーハが前記装着部に垂直に装着さ
    れることを特徴とするウェーハの非粘着乾燥方法。
  2. 【請求項2】 前記洗浄溶液は脱イオン水又はイソプロ
    ピルアルコールであることを特徴とする請求項1に記載
    の遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法。
  3. 【請求項3】 前記回転軸による遠心力を前記マイクロ
    構造物及び前記ウェーハ間に働く表面張力に少なくとも
    同じくするか、あるいは大きくすることを特徴をする請
    求項1に記載の遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方
    法。
  4. 【請求項4】 マイクロ構造物を形成したウェーハを支
    持する多数の装着部と、 前記装着部に連結された回転軸を所定の回転速度で駆動
    する回転手段とを備え、 前記マイクロ構造物が前記回転軸から外側に向かうよう
    に前記ウェーハが前記装着部に垂直に装着されることを
    特徴とする遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥装置。
  5. 【請求項5】 洗浄溶液が入れられる容器と、 前記容器の上部を包み、前記回転軸を支持するベアリン
    グが形成されたカバーとをさらに備え、 前記容器には、前記容器に洗浄溶液を満たす洗浄溶液引
    込管及び前記容器から前記洗浄溶液を送り出す洗浄溶液
    排出管が形成されていることを特徴とする請求項4に記
    載の遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥装置。
  6. 【請求項6】 前記容器の内部を加熱するヒータをさら
    に備えることを特徴とする請求項5に記載の遠心力を用
    いたウェーハの非粘着乾燥装置。
  7. 【請求項7】 前記回転軸を上下に昇降させる手段をさ
    らに備えることを特徴とする請求項5に記載の遠心力を
    用いたウェーハの非粘着乾燥装置。
  8. 【請求項8】 前記昇降手段は前記カバーを昇降させる
    空圧シリンダであることを特徴とする請求項7に記載の
    遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥装置。
  9. 【請求項9】 前記容器内部の空気を排出する真空ポン
    プをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の遠
    心力を用いたウェーハの非粘着乾燥装置。
JP2002188647A 2001-06-30 2002-06-27 遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法及び装置 Pending JP2003109932A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2001-038806 2001-06-30
KR1020010038806A KR20030002070A (ko) 2001-06-30 2001-06-30 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003109932A true JP2003109932A (ja) 2003-04-11

Family

ID=19711627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002188647A Pending JP2003109932A (ja) 2001-06-30 2002-06-27 遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法及び装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20030008506A1 (ja)
EP (1) EP1270505A3 (ja)
JP (1) JP2003109932A (ja)
KR (1) KR20030002070A (ja)
CN (1) CN1193407C (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103816700A (zh) * 2014-02-18 2014-05-28 连云港海蓝研磨材料有限公司 一种溢流微粉节能快速去水除湿方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964970B1 (ko) * 2007-08-17 2010-06-21 한국전자통신연구원 3 차원 멤즈 미세구조체의 고착방지를 위한 부양 장치
US8817942B2 (en) * 2007-09-26 2014-08-26 Del Nova Vis S.R.L. Nuclear reactor, in particular pool-type nuclear reactor, with new-concept fuel elements
KR101504288B1 (ko) * 2013-10-25 2015-03-20 주식회사 루멘스 원심력을 이용한 반도체 기판 오븐 장치
CN108266972A (zh) * 2017-12-26 2018-07-10 德淮半导体有限公司 晶圆干燥方法
CN112355784B (zh) * 2020-11-09 2021-08-27 湖南维单光电实业有限公司 一种车载摄像头镜头处理设备

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1345226A (en) * 1919-08-20 1920-06-29 Ezekiel N Paris Dish-washer
US4579080A (en) * 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
US4858557A (en) * 1984-07-19 1989-08-22 L.P.E. Spa Epitaxial reactors
US4612207A (en) * 1985-01-14 1986-09-16 Xerox Corporation Apparatus and process for the fabrication of large area thin film multilayers
GB8513879D0 (en) * 1985-06-01 1985-07-03 British Aerospace Circuit board cleaning apparatus
JPS6245125A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 乾燥装置
US4700729A (en) * 1985-11-12 1987-10-20 Windmere Corporation Lens cleaning device
JPS63144513A (ja) * 1986-12-09 1988-06-16 Nkk Corp バレル型エピタキシヤル成長装置
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
US5025280A (en) * 1987-12-17 1991-06-18 Texas Instruments Incorporated Immersion development and rinse machine and process
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5160545A (en) * 1989-02-03 1992-11-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for epitaxial deposition
US5053247A (en) * 1989-02-28 1991-10-01 Moore Epitaxial, Inc. Method for increasing the batch size of a barrel epitaxial reactor and reactor produced thereby
JPH0818902B2 (ja) * 1989-11-02 1996-02-28 シャープ株式会社 気相成長装置
US5298107A (en) * 1992-02-27 1994-03-29 Applied Materials, Inc. Processing method for growing thick films
KR940023552U (ko) * 1993-03-18 1994-10-22 스핀드라이어의 구조
JPH07283126A (ja) * 1994-04-06 1995-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の回転式乾燥処理方法及び装置
KR0171943B1 (ko) * 1995-06-26 1999-03-30 김주용 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
US5766369A (en) * 1995-10-05 1998-06-16 Texas Instruments Incorporated Method to reduce particulates in device manufacture
US5746834A (en) * 1996-01-04 1998-05-05 Memc Electronics Materials, Inc. Method and apparatus for purging barrel reactors
US6110289A (en) * 1997-02-25 2000-08-29 Moore Epitaxial, Inc. Rapid thermal processing barrel reactor for processing substrates
US6122837A (en) * 1997-06-25 2000-09-26 Verteq, Inc. Centrifugal wafer processor and method
JP2928210B1 (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 九州日本電気株式会社 半導体基板の不純物拡散処理方法および半導体製造装置
US6129048A (en) * 1998-06-30 2000-10-10 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for barrel reactor
KR100511928B1 (ko) * 1998-11-26 2005-10-26 주식회사 하이닉스반도체 세정액 제거방법
US6475284B1 (en) * 1999-09-20 2002-11-05 Moore Epitaxial, Inc. Gas dispersion head
US6485616B1 (en) * 1999-12-29 2002-11-26 Deposition Sciences, Inc. System and method for coating substrates with improved capacity and uniformity

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103816700A (zh) * 2014-02-18 2014-05-28 连云港海蓝研磨材料有限公司 一种溢流微粉节能快速去水除湿方法
CN103816700B (zh) * 2014-02-18 2016-05-04 连云港海蓝研磨材料有限公司 一种溢流微粉节能快速去水除湿方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1270505A3 (en) 2004-02-11
KR20030002070A (ko) 2003-01-08
CN1405847A (zh) 2003-03-26
US20030008506A1 (en) 2003-01-09
CN1193407C (zh) 2005-03-16
EP1270505A2 (en) 2003-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9922848B2 (en) Apparatus for and method of processing substrate
JP6304592B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6022829B2 (ja) 基板乾燥方法および基板乾燥装置
JP3616055B2 (ja) 粘着防止微細構造物の製造方法
JP4833753B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010199261A (ja) 基板乾燥装置および基板乾燥方法
WO2008085779A1 (en) Methods and systems for wafer level packaging of mems structures
JP6270268B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6945314B2 (ja) 基板処理装置
JP2000240570A (ja) クライオポンプ再生中にクライオポンプの活性炭のアレーを脱粒から保護するシールド
JP5173502B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2003109932A (ja) 遠心力を用いたウェーハの非粘着乾燥方法及び装置
Monajemi et al. Wafer-level MEMS packaging via thermally released metal-organic membranes
JP2007531396A (ja) 電気機械デバイス、およびその生産方法
TWI542531B (zh) 微機電結構釋放的方法與裝置
JP2009200193A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
Makihata et al. Adhesive wafer bonding using a molded thick benzocyclobutene layer for wafer-level integration of MEMS and LSI
JP2000150394A (ja) 基板処理装置及び基板位置合わせ装置
CN105836697A (zh) 一种mems悬臂梁结构及其制备方法
JP7217778B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
TWI794927B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JPH10154820A (ja) 振動素子の製造方法
Lin et al. Encapsulation of film bulk acoustic resonator filters using a wafer-level microcap array
Kim et al. A novel low-temperature microcap packaging using SU-8 bonding
WO2024071209A1 (ja) 振動体、および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040513

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060110

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060905