JP2000240570A - クライオポンプ再生中にクライオポンプの活性炭のアレーを脱粒から保護するシールド - Google Patents

クライオポンプ再生中にクライオポンプの活性炭のアレーを脱粒から保護するシールド

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JP2000240570A
JP2000240570A JP2000008577A JP2000008577A JP2000240570A JP 2000240570 A JP2000240570 A JP 2000240570A JP 2000008577 A JP2000008577 A JP 2000008577A JP 2000008577 A JP2000008577 A JP 2000008577A JP 2000240570 A JP2000240570 A JP 2000240570A
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Burezotsuekii Thomas
ブレゾツェキー トーマス
Narashimuhan Murali
ナラシムハン ムラリー
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    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
    • F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アレーからの活性炭の移動防止。 【解決手段】 一般に集積回路の処理に使用される真空
システム用の再生シールド22を提供する。再生シールド
は、真空ポンプ4中の活性炭等の移動可能な材料16を有
する壊れやすいアレー13を、揮発性の再生ガスから保護
する。この再生ガスは、アレー上の壊れやすい材料に衝
突し、その材料を移動させ、その結果、ポンプ引きの効
率を低下させ、破壊する。シールドは、平面でも、凹状
でも、凸状でも良く、多くの側面を有しても良い。シー
ルドは又、内向きと外向きに延びるフランジを有しても
良い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に真空システ
ムを保護する装置と方法に関する。特に、本発明は、高
真空低温システムの再生中に移動可能な材料の少なくと
も一部をシールドする即ち含有する装置と方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】処理システムは、特に半導体工業ではま
すます複雑になってきている。商業的に使用できる部品
を生産するのに高度の清浄性が必要なので、装置に過度
の要求がかせられている。微小なものでも含まれると、
集積回路に大きい損害を及ぼす場合があるからである。
この高度の清浄性を保持するため、高性能真空システム
の大きな改善が行われた。性能は、この分野でさらに発
展しているので、真空技術の小さい変化でも、重要な進
歩性があると考えられた。10-7から10-9のベース圧力範
囲の減圧圧力は、チャンバの容積の任意の立方センチの
部分にガス又は汚染物質が数分子しか存在しない状態を
示す。
【０００３】背景技術として、図１のフローチャート
は、高性能真空システムを使用した低温基板処理手順
と、その使用又は実行に伴う問題を記述する。一般的な
システムは、処理室と、弁システムと、少なくとも１つ
の真空ポンプとを備える。初め、処理室は環境に対して
開いていて、環境ガスがチャンバ内に導入される。チャ
ンバは閉じられ、環境圧力又はそれより低い圧力の固定
された容積を生じ、一般に「粗引きポンプ」といわれる
低真空ポンプが、初期のポンプ引き段階でｍＴｏｒｒ
（ミリトール）範囲まで減少させる。
【０００４】清浄性の要求のため、一般にチャンバを10
-5から10-9トールの所望の真空レベルまでポンプ引きす
るため、高真空ポンプも必要である。高真空ポンプの1
つの種類は、低温ポンプである。低温ポンプは、低温ポ
ンプ内側の低温表面上のガスを捕捉することにより、処
理室からガスを除去するという原理による。一般に、ポ
ンプに入るガスは、ポンプ内の低温表面で凍結する即ち
吸収され、処理室の残りの環境から除去され、そのため
チャンバの圧力が低下する。低温凝結と低温吸着とが、
低温ポンプの作動に伴う主な機構である。低温凝結で
は、ガス分子は冷却された表面で凝結する。分子がポン
プの低温表面を通過するとき、分子の運動エネルギーを
失い、その点で「固着係数」が作用するようになり、分
子は低温表面に固着する。従って、分子はガス状態から
除去されて、環境中により少ない分子が残り、そのため
ポンプ及び/又はチャンバ内の圧力が減少する。しか
し、あるガスは、低温ポンプの低温凝結による通常の作
動温度では凝結させるのが困難で、低温吸着が使用され
る。低温吸着では、活性炭又はゼオライト等の吸着剤材
料が、クライオポンプの最も低温の表面に付けられる。
ガス粒子と吸収性表面との間の結合エネルギーは、ガス
粒子自体の間の結合エネルギーより大きいので、凝結で
きないガス粒子は、吸着剤材料に固着することにより、
真空システムから除去される。低温ポンプは、米国特許
第5,513,499号、米国特許第5,517,823号、米国特許第5,
111,667号、米国特許第5,400,604号に記述されていて、
その内容をここに参照する。
【０００５】低温ポンプを作動する準備として、それは
最初に粗引きポンプにより開始真空レベルまでポンプ引
きされる。一般に、低温ポンプは、同様に粗引きポンプ
により所望のレベルまで引かれたチャンバの容積に開か
れる。粗引きポンプは、チャンバのポンプ引きと同時
に、又は順に作動させてもよく、低温ポンプと処理室の
圧力はそれぞれｍＴｏｒｒの範囲まで低下される。低温
ポンプが粗引きポンプにより真空引きされたとき、低温
ポンプが作動され、温度が作動範囲まで低下する。粗引
き段階では、分離弁を使用して低温ポンプを処理室から
分離する場合は、それが開かれて、低温ポンプが処理室
の真空引きプロセスを継続できるようにする。
【０００６】低温ポンプは、一般に２つのステージで作
動し、各ステージはアレーを使用する。第１ステージの
アレーは、通常約-223℃（50°Ｋ）から-133℃（100°
Ｋ）の間、一般には-208℃（65°Ｋ）のより高い温度で
作動し、水と二酸化炭素等のガスを凝結することによ
り、チャンバ内に真空を作るのに使用される。第１ステ
ージのアレーは、一般に１つ又はそれ以上のプレート又
は他の表面で出来ていて、放射率を高めて性能を上げる
ためコーティングしてある場合がある。低温ポンプの第
２ステージは、通常約-253℃（20°Ｋ）より低い温度で
作動し、１つ又はそれ以上の冷却したプレートの第２ス
テージのアレーを使用して、窒素、酸素、アルゴン等の
残りのガスを「真空引き」する。あるガスはこの低温で
も凝結せず、上述した低温吸着プロセスで収集する必要
がある。例えば、水素は約-265℃（8°Ｋ）まで凝結せ
ず、これは低温ポンプの能力を超えている。従って、水
素を収集する炭素等の吸着剤材料を第２ステージのアレ
ーに付けてもよい。この吸着剤材料は、いくらか壊れや
すく、乱流のガス又は液体により移動させられる場合が
ある。これらの要因の結果として、低温ポンプは「捕
獲」ポンプといわれる。
【０００７】先駆物質ガス等の処理ガスがチャンバに入
るとき、流れはアレー上に凍結したガスの「氷」の蓄積
を生じる。処理を継続すると、「氷」の蓄積はアレーに
重なり、ポンプを制限し、その有効に作用する能力を妨
げ始める。プロセスのこのポイントで、捕獲したガスを
解放しポンプから排出する必要がある。従って、「再
生」サイクルが必要であり、ここで捕獲したガスが蒸発
するまで、低温ポンプが一時的に暖められる。加温する
と、ポンプが一時的に不活性化し、システムはより高い
温度に上げられ、凍結したガスが液化し及び/又はガス
化し、ポンプから除去され、動作が再開される。しばし
ば窒素を使用して、この段階の間システムのパージを助
け、解放されたガスが第２ステージの吸着剤材料上にで
きるだけ再吸収されないようにする。
【０００８】「氷」が再生サイクルで蒸発するので、凍
結したガスは、ここで「液化ガス」といわれる液体に変
化するが、これは通常は環境条件ではガス状態である
が、与えられた温度及び/又は圧力では液化状態であ
る。再生サイクルにより出来る液化ガス及びガス状態に
変化する他のガスは、ここで集合的に「再生ガス」とい
う。凍結したガスが液体に変化しさらにガスに変化する
とき、再生ガスは、激しく急速に気化し、チャンバ内に
ガス状のジェットを形成し、高い剪断力のガスと液体の
流れを生じ、アレー上にはねかけられる。この乱流によ
り、第２ステージのアレーから活性炭が機械的に取り除
かれ即ち移動させられ、そのため基板処理サイクル中に
粒子と不純物を形成する。
【０００９】図２は、上述したチャンバ内の「氷」を概
略的に示す部分的断面図である。詳細に後述するチャン
バは、外側ハウジング8を備え、その中に第１ステージ
のアレー6がハウジング8に隣接している。第１ステージ
のアレー6は、水と二酸化炭素を凝結し、第１ステージ
の「氷」17の比較的薄い層を形成する。第２ステージの
アレー13は、一連のアレープレート（全体を14で示し、
個々のプレートを14a〜14ｆで示す）を備え、エキスパ
ンダーモジュール21で冷却される。移動可能な材料16
（それぞれアレープレート14a〜14ｆに付いた個々のセ
グメント16a〜16ｆを備える）は、第２アレープレート1
4には凝結しない水素等のガスを吸収する。凍結したガ
スが第２アレー上で凝結し「凍結」すると、アレープレ
ート14a〜14ｆ上にそれぞれ「氷」の層15a〜15ｆが形成
される。「氷」15は、特にプレート14a等の導入ガスに
最も近いアレープレート上に蓄積し、「氷」15aの大き
い蓄積を生じる場合がある。この蓄積により、残りのア
レープレートへのガスの流れが制限され、ポンプ引き能
力が低下するので、このポイントで上述した再生サイク
ルが必要である。再生サイクルが進むと、「氷」が融解
して、低温ポンプの下部に液体と固体が収集される。幾
つかの氷の片が、アレープレートから落下して液体中に
浮かぶ場合もある。再生中に、液体と固体が、チャンバ
の比較的暖かい表面に接触し、ガス状態（ここでは集合
的に「再生ガス」という）に戻り、液体と固体は揮発性
になり、高い流速で移動可能な材料16に衝突し、それが
移動可能な材料に剪断力を作用させ、材料の一部を移動
させ、材料の移動した部分19a〜19ｆになると考えられ
る。
【００１０】チャンバが再度作動状態になると、活性炭
の移動した粒子が、少なくとも２つの場所に止まる場合
があり、その何れも好ましくなく、両方ともシステムの
性能に有害である。第１の場所は、圧力逃がし弁シール
等のチャンバの周りのシールである。このように所望の
低い圧力レベルでは、微細な粒子でもシールが適正に機
能する能力に影響する場合がある。シーリングの如何な
る漏れも、システムを真空にするのにより長い時間がか
かり、「氷」がより速く成長し、より頻繁に再生するこ
とになる。第２に、粒子はチャンバに流入するかもしれ
ない。チャンバ内の不純物は、集積回路又は他の製品に
悪影響を及ぼし、部品を廃棄することになるかもしれ
ず、それは回路にかなりの追加の出費をした後に、発見
されるかもしれない。
【００１１】いったんシーリング効率が悪影響を受け、
又は廃棄割合が許容不能なレベルに達すると、処理室
は、生産プロセスから外され、メンテナンスが始まる。
一般に、メンテナンスは、分解し、問題を探し、清浄
し、再組立し、上述したステップを使用してシステムを
高真空まで真空引きする。全体のプロセスを行うのに、
生産時間で10〜15時間かかり、一時的な損失が大きい。
従って、アレーから、材料特に第２アレー上の活性炭が
移動するのを防止する必要がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題の
１つ又はそれ以上を解決することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
【００１４】本発明は、高真空ポンプが再生するとき、
高真空ポンプのアレーと形成された再生ガスとの間に再
生シールドを有する方法と装置を提供することにより、
上述した移動(dislocation)、即ち脱粒の問題を改善す
る。一般に、高真空ポンプ内に形成された凍結ガスが溶
融し、液体が急速に気化して揮発状態になるときに、再
生ガスが形成される。再生シールドの配置は、アレーに
付いた材料、特に低温ポンプの第２アレーに付いた活性
炭の移動を防止するのを助ける。このシステムの好適な
実施例では、本発明は、処理室と、処理室に接続し少な
くとも１つのアレーを備え内部容積を有する真空ポンプ
と、アレーに付いた移動可能な材料と、アレーとポンプ
の内部容積の少なくとも一部との間に挟まれた機械的再
生シールドとを備え、該再生シールドは、移動可能な材
料を内部容積の少なくとも一部からシールドする。シー
ルドは、内向きに配置されて、第２アレーの一部をおお
うように形作られてもよく、又は外向きに配置されて、
任意の液体又は固体を外側に流すように形作られていて
もよい。本発明の好適な方法では、移動可能な材料を有
する少なくとも１つのアレーを有する高真空ポンプを使
用して、処理室を少なくとも部分的に真空にし、高真空
ポンプ中に処理ガスを流し、高真空ポンプ中に制限物を
作り、高真空ポンプを再生し、アレー上の移動可能な材
料を、高真空ポンプの再生中に生じた再生ガスの一部か
らシールドする。
【００１５】
【発明の実施の形態及び実施例】本発明の上述した態
様、利点、目的を詳細に理解できるように、添付図面に
示した実施例を参照して、本発明のより詳しい記述を行
う。しかし、添付図面は本発明の典型的な実施例を例示
するのみであり、本発明には他の同様に有効な実施例も
あるので、本発明の範囲を制限するものではない。
【００１６】図３〜５は、本発明の１実施例の部分的概
略図であり、図３と５は、シールドを有するチャンバ
（室）の側面図で、図４は端面図である。処理室2は、
高真空ポンプ4に取付けられ、ポンプ入口でそこに流体
接続されている。スロットル弁、スリット弁、その他の
弁等の分離弁3が、処理室とポンプの間に配置され、各
々の真空レベルを別々に制御することが出来る。処理室
は、物理蒸着（ＰＶＤ）室が好ましいが、化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）室及び色々の他の処理室も使用することが出来
る。処理される材料を取扱うためのロボット器具、プラ
ズマ発生器等の処理器具、ターゲット、関連する器具等
の色々の処理器具（図示せず）をチャンバ内に設けるこ
とが出来る。
【００１７】上述したように、処理室は粗引きポンプ
（図示せず）により、ｍＴｏｒｒ範囲の初期の真空にさ
れる。処理室が高真空段階を始める準備が出来ると、分
離弁3が開かれて、処理室と高真空ポンプの間の流通が
出来るようにする。このとき、高真空ポンプは、別に粗
引きポンプによりｍＴｏｒｒ範囲まで真空引きされてい
る。処理室の圧力は変えることができ、約10-5Ｔｏｒｒ
又はそれ以下の高真空/低圧チャンバと考えられる。好
適な実施例の高真空ポンプ4は、低温ポンプを備える
が、例えばゲッターポンプ等の他のポンプを同様に設置
することも出来る。
【００１８】好ましくは低温ポンプである高真空ポンプ
4は、ハウジング8を備え、該ハウジングは、チャンバに
開く第１ステージアレー開口部7を除いて、広く第１、
第２ステージ用の2つのアレーを収容する。「ステー
ジ」は、同時に作動しても順番に作動してもよい。第１
ステージアレー6は、形状を変えてもよいが、一般的な
外形は円筒形である。第１ステージアレーは、「ケト
ル」形で、第１ステージアレー側面10と、第１ステージ
アレー底部12と、第１ステージアレー開口部7とを有
し、また、一連の環状羽根9を備え、ガスの流れを変え
追加の表面積を与えるようにすることも出来る。環状羽
根は、第１ステージアレーコネクター11により、側面10
に接続される。このコネクターは、1つ又はそれ以上の
ロッドが羽根に取り付けられ、ロッドの端部が側面10に
取り付けられるものでもよい。第１ステージアレー開口
部7は、分離弁3と処理室2とに面し、ガスが真空引きの
ため第１、第２アレーに入れるようにする。第１ステー
ジアレー側面10は、第１ステージアレー底部12を取り囲
む円筒形の壁である。他の形状、大きさ、方向とするこ
とも出来る。第１ステージアレーは、陽極酸化処理で黒
くし、放射率を上げることも出来る。
【００１９】この実施例では、第２ステージアレー13
は、第１ステージアレー6の外囲容器内に受入れられて
いる。第２ステージアレーは、定常モードで約-261℃
（12°Ｋ）の温度に保持され、ここで殆どのガス分子は
捕獲される。低温ポンプを作動させる1つの要因は、個
々のプレート14a〜14f等の冷却された表面が、一般にチ
ャンバからのガスの流れに面し、分子が吸着剤材料によ
り吸収され、早期に吸着剤材料を飽和させる前に、分子
を捕獲することである。プレート14は、一般に銅等の導
電性材料で出来ていて、円形でもよい。エキスパンダー
空洞5が、ハウジング8に密閉して取付けられ、エキスパ
ンダーモジュールロッド23に取付けられたエキスパンダ
ーモジュール21を取り囲み、該エキスパンダーモジュー
ルは、第２ステージアレーを冷却するのに使用される。
エキスパンダーモジュールロッドは、一般にニッケルめ
っきした銅で出来ていて、第２ステージアレープレート
14a〜14fの各々に取り付けられる。
【００２０】水素等のあるガスは、冷却されたアレー表
面では凝結しないので、活性炭等の吸着剤材料が、一般
に個々のプレート14a〜14f上に組込まれ、それが水素及
び他のガスを収集する。この吸着剤材料は、一般に壊れ
やすいので、乱流ガス又は液体により移動され、ここで
は「移動可能な材料」16といわれ、プレート14a〜14fに
対応する個々のセグメントは16a〜16fとする。ゼオライ
ト等の他の移動可能な材料を使用することも出来る。
【００２１】いったん、真空レベルが所望の範囲に到達
すると、処理室2は基板の処理の準備が出来る。先駆物
質ガス等の処理ガスが、ガス源（図示せず）に流体接続
されたガス入口18を通ってチャンバ2に入る。入口を通
るガスの流速は、約5〜200ｓｃｃｍであってもよく、ま
たもちろん流速はこれより速くても遅くてもよい。処理
が所望の圧力、ＰＶＤでは約10-3Ｔｏｒｒで行われるよ
うに、流速が設定される。あるガスは低温ポンプ内に移
動し、そこでガスは凝結され、アレー表面上に蓄積し、
アレーへのガスの流れを制限する。ポンプ引き効率を元
に戻すため、上述した再生が使用される。しかし、図２
に示すように、「氷」のが急速な気化によるガスが又は
液体が、第２アレー上の壊れやすい材料を移動させる場
合がある。移動された材料は、逃がし弁ポペット35を逃
がし弁31にシールする密閉ポイント33に位置するＯリン
グ等のシールの能力を損なう場合がある。
【００２２】この問題を解決するため、再生シールド22
を使用することが出来る。これは一般に機械的シールド
であるが、例えば電磁界を含む他の種類のシールドを使
用することも出来る。シールドはシールド底部24を有し
てもよく、図３に示すように平面でも、内向きに彎曲し
ていていもよい。「内向き」という言葉は、ポンプの中
央部分へ向かう方向を含み、この例ではチャンバの底部
から離れる方向を含み、「外向き」は、ポンプの外面即
ち外辺部に向かう方向を含む。シールド22は又、再生ガ
スの急速な気化をシールドするのを助けるシールド側面
26又は複数の側面と、アレーに開いているシールド頂部
28を有してもよい。この実施例では、シールド側面は、
シールド底部24から内向きに配置されている。シールド
材料は、ニッケルめっきした銅等の金属、又は高真空で
使用する他の適当な材料でもよく、熱伝導性がよく、約
0.03インチ又はそれ以下で比較的薄いことが好ましい。
第１ステージアレー上のコーティングのように、高放射
率を有する表面コーティングを使用することも出来る。
シールドは、シールドの少なくとも一部が、溶融したと
きの「氷」の高さより高くなるように配置してもよく、
こうすると、液体が突然現れたときシールドの有効性を
助ける。
【００２３】図５は、再生サイクル中のシールドを有す
るチャンバを示す。氷の層15aは、部分的に溶融し、他
の部分は第２ステージアレーから落ちている。チャンバ
内の他の氷の層は溶融し、チャンバ内で、氷と液体を有
する液体高さ20が確立されている。過酷な場合は、液体
が弁3の高さを超え、ガス入り口18から排出されるかも
しれない。氷が溶融し続けると、液体はチャンバの比較
的暖かい表面に接触し、再生ガスが揮発して、急速に気
化し、その結果のエネルギーは、シールド表面を衝撃す
ることにより消散し、ポンプ領域を通って拡散する。従
って、移動可能な材料16は、フラッシュ（急速な気化）
又は再生ガスの他の高剪断流れからシールドされる。シ
ールドは色々の位置に置くことが出来、色々の形状とす
ることが出来る。経験的に、本発明者は、一般的な低温
ポンプの取付けと構成では、上述した形状が好適な態様
であると考える。もし例えば、ポンプが水平面でなく垂
直面に位置するのなら、シールドはより適当な位置に配
置し直すことが出来る。また、シールド底部24は、平面
で内向きに延びる側面を有することも出来る。
【００２４】図６に示す他の実施例では、外向きに配置
されたシールド30を備え、シールド側面34が外向きに配
置され、シールド底部32は側面の内側にある。シールド
の形状は、方形、彎曲、円形等色々の形状とすることが
出来る。羽根9と第１ステージコネクター11は、明確に
するため図６と７には示さない。また、側面と底部が融
合するように、連続曲線形状とすることも出来る。この
実施例には、図３に示すようなアレーの一部を取り囲む
内向きに延びる側面がないが、この実施例は、再生中に
液化ガスが、シールド底部32を容易に流れ落ちるという
利点がある。
【００２５】図７と８に示す他の実施例では、シールド
36は、図４の彎曲した配置を有し、いくらか内向きに延
びる側面即ちフランジ38が、アレー上の移動可能な材料
を少なくとも部分的に取り囲み、さらにシールドを提供
する。フランジは、間に空間があるように示されている
が、フランジはシールドの外辺部の周りに実質的に連続
にすることが出来、又は他の適当な位置とすることが出
来る。フランジはまた、第２ステージアレーの外辺部の
周りにバンドを形成することも出来る。ただし、この場
合、ポンプ引き速度に影響する場合もある。フランジ
は、分子がアレーに付着し、さらに上述したように、再
生ガスの突然の急速な気化から、移動可能な材料を少な
くとも部分的に保護する。
【００２６】好適な実施例について上述したが、本発明
の基本的範囲から離れることなく、本発明の他の又別の
実施例が可能であり、本発明の範囲は、特許請求の範囲
により、決められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 現在のシステムの問題を示す再生プロセスを
含む一般的な高真空プロセスのフローチャート。
【図２】 アレー上に氷が蓄積し、再生サイクル中に
「氷」が急速に気化し、アレー上の材料を移動させるこ
と示す部分概略図。
【図３】 内向きに配置されたシールドの配置を有する
本発明の１実施例を示す部分概略図。
【図４】 図３の概略端面断面図。
【図５】 「氷」が融解し低温ポンプの下部に液体と氷
の層を形成することを示す図３の概略断面図。
【図６】 外向きに配置されたシールドの配置を有する
シールドの他の実施例の概略図。
【図７】 周辺に延びるフランジを有する図４の他の実
施例の概略図。
【図８】 図７の概略側面図。
【符号の説明】
2 処理室 3 分離弁 4 高真空ポンプ 6 第１ステージアレー 7 第１ステージアレー開口部 8 外側ハウジング 9 環状羽根 10 第１ステージアレー側面 12 第１ステージアレー底部 13 第２ステージアレー 14 アレープレート 15 氷 16 移動可能な材料 18 ガス入口 21 エキスパンダーモジュール 22 シールド 23 エキスパンダーモジュールロッド 24 シールド底部 26 シールド側面 28 シールド頂部 31 逃がし弁 35 逃がし弁ポペット 36 シールド 38 フランジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ブレゾツェキー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サン ホセ コール アベニュー 532 (72)発明者 ムラリー ナラシムハン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95132 サン ホセ ヴァルハーラ コー ト 1771

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 再生シールドを有する真空システムにお
    いて、 a) 処理室、 b) 前記処理室に接続し、少なくとも１つのアレーを備
    え、内部容積を有する真空ポンプ、 c) 前記アレーに付いた移動可能な材料、及び、 d) 前記アレーと、ガスが液体又は固体の形で収集され
    る前記真空ポンプの前記内部容積の少なくとも一部との
    間に挟まれた機械的再生シールドを備えることを特徴と
    するシステム。
  2. 【請求項２】 前記真空ポンプは、第１、第２ステージ
    を有する低温ポンプである請求項１に記載したシステ
    ム。
  3. 【請求項３】 前記移動可能な材料は、活性炭である請
    求項１に記載したシステム。
  4. 【請求項４】 前記移動可能な材料は、活性炭である請
    求項２に記載したシステム。
  5. 【請求項５】 前記再生シールドは、前記真空ポンプの
    前記内部容積の少なくとも一部から、前記移動可能な材
    料をシールドする請求項１に記載したシステム。
  6. 【請求項６】 前記再生シールドは、前記真空ポンプの
    前記内部容積の少なくとも一部から、前記移動可能な材
    料をシールドする請求項３に記載したシステム。
  7. 【請求項７】 前記シールドは、前記アレーに向かって
    内向きに配置された実質的に開いた頂部を備える請求項
    １に記載したシステム。
  8. 【請求項８】 前記シールドは、前記ポンプの外辺部に
    向かって外向きに配置された実質的に開いた頂部を備え
    る請求項１に記載したシステム。
  9. 【請求項９】 前記シールドは、内向きに延びるフラン
    ジを備える請求項７に記載したシステム。
  10. 【請求項１０】 前記シールドは、外向きに延びる側面
    を備える請求項８に記載したシステム。
  11. 【請求項１１】 前記シールドの少なくとも一部は、処
    理中に前記ポンプ内に収集された再生ガスの液面高さよ
    り上の高さにある請求項１に記載したシステム。
  12. 【請求項１２】前記シールドの少なくとも一部は、処理
    中に前記ポンプ内に収集された再生ガスの液面高さより
    上の高さにある請求項２に記載したシステム。
  13. 【請求項１３】 前記処理室は、物理蒸着（ＰＶＤ）室
    である請求項１に記載したシステム。
  14. 【請求項１４】 処理室を移転可能な材料から保護する
    方法において、 a) 移動可能な材料を有する少なくとも１つのアレーを
    有する真空ポンプを使用して、前記処理室を少なくとも
    部分的に真空にし、 b) 前記真空ポンプ中に処理ガスを流し、 c) 前記真空ポンプ中に制限物を作り、 d) 前記真空ポンプを再生し、 e) 前記アレー上の前記移動可能な材料を、前記真空ポ
    ンプの再生中に生じた再生ガスからシールドによりシー
    ルドすることを特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 前記シールドを使用して、前記移動可
    能な材料が前記処理室に入る量を減らす請求項１４に記
    載した方法。
  16. 【請求項１６】 前記移動可能な材料の一部が、前記ア
    レーから移動できるようにし、前記移動可能な材料の移
    動した部分をシールド内に収集する請求項１４に記載し
    た方法。
  17. 【請求項１７】 前記真空ポンプの再生は、前記アレー
    を除氷することを含む請求項１４に記載した方法。
  18. 【請求項１８】 前記真空ポンプの再生中に生じた液化
    ガスを流すように、前記シールドを方向付けることを備
    える請求項１４に記載した方法。
  19. 【請求項１９】 前記シールドの少なくとも一部を、処
    理中に前記ポンプ内に収集された再生ガスの液面高さよ
    り高くする請求項１４に記載した方法。
  20. 【請求項２０】 真空ポンプと再生シールドを有する処
    理システムにおいて、 a) 処理室、 b) 前記処理室に接続し、第１、第２アレーを備え、内
    部容積を有する低温ポンプ、 c) 前記第２アレーに付いた移動可能な材料、及び、 d) 前記アレーと、前記処理室の前記内部容積の少なく
    とも一部との間に挟まれた機械的再生シールドを備え、
    前記再生シールドは、前記移動可能な材料を前記内部容
    積の少なくとも一部からシールドすることを特徴とする
    システム。
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