JP2003101245A - 積層回路の形成方法および形成装置 - Google Patents
積層回路の形成方法および形成装置Info
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- JP2003101245A JP2003101245A JP2001291152A JP2001291152A JP2003101245A JP 2003101245 A JP2003101245 A JP 2003101245A JP 2001291152 A JP2001291152 A JP 2001291152A JP 2001291152 A JP2001291152 A JP 2001291152A JP 2003101245 A JP2003101245 A JP 2003101245A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路板の製造過程を簡略化し、製造コストを
低減することができる積層回路の形成方法および形成装
置を提供する。 【解決手段】 先ずコンピュータで積層回路30を設計
し、その積層回路30の素子の配置を所定書式の情報フ
ァイルに記録し、更に形成装置の主制御ユニットに入力
して時間順序形式の制御信号に転換し、それによって絶
縁材料噴出装置、金属導体噴出装置、またはインピーダ
ンス材料噴出装置を平台上の所定位置へ相対移動させて
対応する物質を噴出させ、積層回路30が完成するまで
回路中の絶縁体21、導電線路22および被動素子23
を逐次積層形成する。
低減することができる積層回路の形成方法および形成装
置を提供する。 【解決手段】 先ずコンピュータで積層回路30を設計
し、その積層回路30の素子の配置を所定書式の情報フ
ァイルに記録し、更に形成装置の主制御ユニットに入力
して時間順序形式の制御信号に転換し、それによって絶
縁材料噴出装置、金属導体噴出装置、またはインピーダ
ンス材料噴出装置を平台上の所定位置へ相対移動させて
対応する物質を噴出させ、積層回路30が完成するまで
回路中の絶縁体21、導電線路22および被動素子23
を逐次積層形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子回路に関するも
ので、特に被動素子が配置されている積層回路の形成方
法および形成装置に関するものである。
ので、特に被動素子が配置されている積層回路の形成方
法および形成装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、電子製品に応用される(既に電子
素子が敷設された)回路板の一般的な製造法は次のよう
なものである。先ずコンピュータで必要とする回路配置
を設計し、それをGerberファイル(現在の回路板製作の
分野において常用されているファイル書式)に転換して
フィルムに作成し、更に表面に銅箔が貼り付けられてい
るグラスファイバーシート上に現像、エッチング、押し
付け、孔開け、膜貼り付け、メッキ、差し込みおよび錫
浸け等の作業を実施して前述の回路板を完成させるが、
このような過程はあまりにも複雑であり、生産コストは
割高である。
素子が敷設された)回路板の一般的な製造法は次のよう
なものである。先ずコンピュータで必要とする回路配置
を設計し、それをGerberファイル(現在の回路板製作の
分野において常用されているファイル書式)に転換して
フィルムに作成し、更に表面に銅箔が貼り付けられてい
るグラスファイバーシート上に現像、エッチング、押し
付け、孔開け、膜貼り付け、メッキ、差し込みおよび錫
浸け等の作業を実施して前述の回路板を完成させるが、
このような過程はあまりにも複雑であり、生産コストは
割高である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、回路
板の製造過程を簡略化し、製造コストを低減することが
できる積層回路の形成方法および形成装置を提供するこ
とにある。
板の製造過程を簡略化し、製造コストを低減することが
できる積層回路の形成方法および形成装置を提供するこ
とにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明が提供する積層回路の形成方法には次の手順
が含まれる。A.コンピュータにおいて前述の積層回路
の設計をソフトで補助し、その積層回路が絶縁体、導電
線路および被動素子から構成されるように設計する。
B.その積層回路の配置形態を所定書式の情報ファイル
に記録する。C.その情報ファイルを形成装置の主制御
ユニットに入力する。その形成装置は他に平台、絶縁材
料噴出装置、金属導体噴出装置、インピーダンス材料噴
出装置および駆動装置を有する。D.主制御ユニットは
情報ファイルを時間順序形式の制御信号に転換し、それ
によって駆動装置は特定の時点において所定の噴出装置
と平台とに所定の関係に相対移動するよう命令し、その
所定の噴出装置に平台上に対応する物質を噴出するよう
命令し、それによって積層回路が完成するまで回路中の
絶縁体、導電線路および被動素子を逐次積層および形成
する。
めの本発明が提供する積層回路の形成方法には次の手順
が含まれる。A.コンピュータにおいて前述の積層回路
の設計をソフトで補助し、その積層回路が絶縁体、導電
線路および被動素子から構成されるように設計する。
B.その積層回路の配置形態を所定書式の情報ファイル
に記録する。C.その情報ファイルを形成装置の主制御
ユニットに入力する。その形成装置は他に平台、絶縁材
料噴出装置、金属導体噴出装置、インピーダンス材料噴
出装置および駆動装置を有する。D.主制御ユニットは
情報ファイルを時間順序形式の制御信号に転換し、それ
によって駆動装置は特定の時点において所定の噴出装置
と平台とに所定の関係に相対移動するよう命令し、その
所定の噴出装置に平台上に対応する物質を噴出するよう
命令し、それによって積層回路が完成するまで回路中の
絶縁体、導電線路および被動素子を逐次積層および形成
する。
【0005】
【発明の実施の形態】次に本考案の好ましい実施例を挙
げ、図面と合わせて詳しく説明する。本発明の好ましい
第一実施例による積層回路の形成方法を次に説明する。
先ずコンピュータにおいて、製作したい回路を特定ソフ
トによって設計する。その回路の製品外観および断面形
態は図1および図2に示すように、若干の回路層20を
積み重ねて構成される。各回路層20の構成は従来の回
路板に類似しており、主体は絶縁体21であり、それの
内部には金属の導電線路22が設けられ、導電線路22
上の所定位置に抵抗、インダクタンスまたはキャパシタ
ンスなどの被動素子23が跨って接続されている(その
形成法は後で述べる)。従来の回路板との比較的大きな
違いは、それら導電線路および電子素子が絶縁板の面に
設けられておらず、回路板の内部底面に埋設されている
ことである。導電線路22上の予定節点、例えば導通箇
所24は回路層20の頂面に突き出して上の回路層20
の導電線路22と導通し(最上層の回路層20aの頂面
に突出している導通箇所24はその他主動被動素子との
接続または外部との連通の出入力端子に使われる)、そ
れにより、すべての回路層20の回路は設計の要求なら
びに各素子の関係によって連通し、立体形態の積層回路
になる。
げ、図面と合わせて詳しく説明する。本発明の好ましい
第一実施例による積層回路の形成方法を次に説明する。
先ずコンピュータにおいて、製作したい回路を特定ソフ
トによって設計する。その回路の製品外観および断面形
態は図1および図2に示すように、若干の回路層20を
積み重ねて構成される。各回路層20の構成は従来の回
路板に類似しており、主体は絶縁体21であり、それの
内部には金属の導電線路22が設けられ、導電線路22
上の所定位置に抵抗、インダクタンスまたはキャパシタ
ンスなどの被動素子23が跨って接続されている(その
形成法は後で述べる)。従来の回路板との比較的大きな
違いは、それら導電線路および電子素子が絶縁板の面に
設けられておらず、回路板の内部底面に埋設されている
ことである。導電線路22上の予定節点、例えば導通箇
所24は回路層20の頂面に突き出して上の回路層20
の導電線路22と導通し(最上層の回路層20aの頂面
に突出している導通箇所24はその他主動被動素子との
接続または外部との連通の出入力端子に使われる)、そ
れにより、すべての回路層20の回路は設計の要求なら
びに各素子の関係によって連通し、立体形態の積層回路
になる。
【0006】回路の設計が完成したら、その回路の配置
形態を所定書式の情報ファイル(例えば前述のGerberフ
ァイル)に記録する。前述の回路の配置をデジタル情報
に転換する場合は次の方式を採用する。仮に積層回路3
0の最上層の回路層20aの配置が図3(図2中の3−
3断面)に示すような配置であれば、平面の回路配置は
多くの小さな四方形塊が行列形式に配列されて構成さ
れ、回路層20aは図4に示すとおりであり(図面に示
すのはその左上角のみである)、回路層20aの絶縁体
21、導電線路22または被動素子23に対応して各四
方形塊25は絶縁物質(例えば絶縁材料26の箇所)、
金属導体27、または特定インピーダンスのあるインピ
ーダンス材料28である。このような規則により、積層
回路30の各回路層20の配置形態をそれぞれX行×Y
列の情報行列に転換し(行列数は回路の密度によって決
められる)、各情報行列には回路層20の各X−Y座標
の性質(例えば絶縁体であるか、または導体であるか、
上層に導通されているか)およびパラメータ(例えばイ
ンピーダンス、誘導性リアクタンス、またはコンデンサ
ーリアクタンス値)が記録され、総合してその積層回路
30を代表する情報ファイルになる。以上は概念的な解
説であり、実際のプログラムの演繹法ではない。
形態を所定書式の情報ファイル(例えば前述のGerberフ
ァイル)に記録する。前述の回路の配置をデジタル情報
に転換する場合は次の方式を採用する。仮に積層回路3
0の最上層の回路層20aの配置が図3(図2中の3−
3断面)に示すような配置であれば、平面の回路配置は
多くの小さな四方形塊が行列形式に配列されて構成さ
れ、回路層20aは図4に示すとおりであり(図面に示
すのはその左上角のみである)、回路層20aの絶縁体
21、導電線路22または被動素子23に対応して各四
方形塊25は絶縁物質(例えば絶縁材料26の箇所)、
金属導体27、または特定インピーダンスのあるインピ
ーダンス材料28である。このような規則により、積層
回路30の各回路層20の配置形態をそれぞれX行×Y
列の情報行列に転換し(行列数は回路の密度によって決
められる)、各情報行列には回路層20の各X−Y座標
の性質(例えば絶縁体であるか、または導体であるか、
上層に導通されているか)およびパラメータ(例えばイ
ンピーダンス、誘導性リアクタンス、またはコンデンサ
ーリアクタンス値)が記録され、総合してその積層回路
30を代表する情報ファイルになる。以上は概念的な解
説であり、実際のプログラムの演繹法ではない。
【0007】次に、その情報ファイルを、実際にその積
層回路30を形成することができる装置に入力する。図
5に示すように、その形成装置は平台40と、絶縁材料
噴出装置50と、金属導体噴出装置60と、インピーダ
ンス材料噴出装置70と、駆動装置80と、主制御ユニ
ット90とを含む。平台40は、その上に積層回路30
を形成することに供されるX、Yの平台で、制御されて
快速に前後左右移動することができる。絶縁材料噴出装
置50、金属導体噴出装置60およびインピーダンス材
料噴出装置70にはそれぞれ特定材料の貯蔵に使われる
貯蔵タンク51、61、71があり、本実施例におい
て、絶縁材料噴出装置50は液体の工程プラスチックを
貯蔵し、金属導体噴出装置60は液体の錫銀合金を貯蔵
し、インピーダンス材料噴出装置70は液体のグラファ
イトを貯蔵している。ちなみに、それら物質はすべて持
続的に加熱されて液体を保っている。それら噴出装置に
は他に貯蔵タンクと連通するノズル52、62、72が
あり、それらノズルはすべて平台40上にあって、貯蔵
タンク内の積層材料を下へ噴出することができる。その
機構は極めて精密であり、一瞬にして微小な点面積部分
に噴出するよう(インクジェット式プリンターのプリン
トヘッドのように)正確に制御される。駆動装置80
は、ノズル52、62、72を快速かつ正確に制御して
平台40との相対移動が予定された三次元空間の関係を
なすよう移動させる。本実施例ではノズルを上下(Z
軸)に移動するよう制御し、平台40を前後左右(X,
Y軸)に移動するよう制御し、それによって所定のノズ
ルが平台40上の予定位置の予定高さに相対移動され
る。主制御ユニット90は、前述の情報ファイルを受け
入れてそれを時間順序形式の制御信号(後に述べる)に
転換し、かつ順番にその制御信号を駆動装置80および
噴出装置50、60、70へ伝送する。それによって駆
動装置80は特定時点において予定されたノズルが予定
された位置まで相対移動するようにし、同時にそのノズ
ルから平台40の上に向かって対応する積層材料を噴出
するよう命令する。
層回路30を形成することができる装置に入力する。図
5に示すように、その形成装置は平台40と、絶縁材料
噴出装置50と、金属導体噴出装置60と、インピーダ
ンス材料噴出装置70と、駆動装置80と、主制御ユニ
ット90とを含む。平台40は、その上に積層回路30
を形成することに供されるX、Yの平台で、制御されて
快速に前後左右移動することができる。絶縁材料噴出装
置50、金属導体噴出装置60およびインピーダンス材
料噴出装置70にはそれぞれ特定材料の貯蔵に使われる
貯蔵タンク51、61、71があり、本実施例におい
て、絶縁材料噴出装置50は液体の工程プラスチックを
貯蔵し、金属導体噴出装置60は液体の錫銀合金を貯蔵
し、インピーダンス材料噴出装置70は液体のグラファ
イトを貯蔵している。ちなみに、それら物質はすべて持
続的に加熱されて液体を保っている。それら噴出装置に
は他に貯蔵タンクと連通するノズル52、62、72が
あり、それらノズルはすべて平台40上にあって、貯蔵
タンク内の積層材料を下へ噴出することができる。その
機構は極めて精密であり、一瞬にして微小な点面積部分
に噴出するよう(インクジェット式プリンターのプリン
トヘッドのように)正確に制御される。駆動装置80
は、ノズル52、62、72を快速かつ正確に制御して
平台40との相対移動が予定された三次元空間の関係を
なすよう移動させる。本実施例ではノズルを上下(Z
軸)に移動するよう制御し、平台40を前後左右(X,
Y軸)に移動するよう制御し、それによって所定のノズ
ルが平台40上の予定位置の予定高さに相対移動され
る。主制御ユニット90は、前述の情報ファイルを受け
入れてそれを時間順序形式の制御信号(後に述べる)に
転換し、かつ順番にその制御信号を駆動装置80および
噴出装置50、60、70へ伝送する。それによって駆
動装置80は特定時点において予定されたノズルが予定
された位置まで相対移動するようにし、同時にそのノズ
ルから平台40の上に向かって対応する積層材料を噴出
するよう命令する。
【0008】更に、主制御ユニット90は情報ファイル
に記録された回路配置により、プログラムで噴出装置5
0、60、70が平台40上の予定位置に絶縁材料、金
属導体およびインピーダンス材料を噴出するよう制御
し、積層回路30を実際に形成する。形成時、平台40
上において一層ずつ下から上へその積層回路30が完成
するまで回路層20を形成する。各回路層20を形成す
る場合、原則として先ずすべての導電線路22および被
動素子23を形成し、それから残った箇所すべてを絶縁
体21に形成する。詳しく説明すれば、主制御ユニット
90がX−Y座標は金属導体であるべきと読み取った場
合、駆動装置80を通じて平台40の対応する位置を金
属導体噴出装置60のノズル61の真下に移動させ、そ
のノズル61により下へ少量の錫銀合金を噴出させる。
その錫銀合金は噴出後は凝結する。もしその座標が更に
上層の回路と導通する線路節点(すなわち前述の導通箇
所24)であれば、ノズル60の噴出時間は少し長くな
ってその座標上の金属導体はその他材料より突き出す。
同じく、もし座標が絶縁物質であるべきであれば、平台
40は対応する位置を絶縁材料噴出装置50のノズル5
1の真下に移動し、そのノズル51が噴出する工程プラ
スチックを受ける。抵抗、インダクタンス、キャパシタ
ンス等の被動素子23の形成法はそれぞれ異なり、例え
ば抵抗はインピーダンス材料噴出装置70から噴出され
るグラファイトから形成され、かつグラファイトの濃度
を制御することによって異なるインピーダンスが得ら
れ、インダクタンスおよびキャパシタンスは導体、非導
体またはインピーダンス材料を組み合わせることによっ
て予定された誘導性リアクタンス、またはコンデンサー
リアクタンスが得られる。回路層20上のすべての導電
線路22および被動素子23が形成されたら、更にその
回路層20上の各座標(やや突出する導通箇所24は除
外する)に工程プラスチックを噴出し、かつその頂面の
高さを導通箇所24の頂上と同じにして絶縁体21を形
成する。回路層20が完成すれと、ノズルは少々上へ移
り、ひきつづきその回路層20の頂上に積層回路30が
完成するまで新しい回路層を形成する。
に記録された回路配置により、プログラムで噴出装置5
0、60、70が平台40上の予定位置に絶縁材料、金
属導体およびインピーダンス材料を噴出するよう制御
し、積層回路30を実際に形成する。形成時、平台40
上において一層ずつ下から上へその積層回路30が完成
するまで回路層20を形成する。各回路層20を形成す
る場合、原則として先ずすべての導電線路22および被
動素子23を形成し、それから残った箇所すべてを絶縁
体21に形成する。詳しく説明すれば、主制御ユニット
90がX−Y座標は金属導体であるべきと読み取った場
合、駆動装置80を通じて平台40の対応する位置を金
属導体噴出装置60のノズル61の真下に移動させ、そ
のノズル61により下へ少量の錫銀合金を噴出させる。
その錫銀合金は噴出後は凝結する。もしその座標が更に
上層の回路と導通する線路節点(すなわち前述の導通箇
所24)であれば、ノズル60の噴出時間は少し長くな
ってその座標上の金属導体はその他材料より突き出す。
同じく、もし座標が絶縁物質であるべきであれば、平台
40は対応する位置を絶縁材料噴出装置50のノズル5
1の真下に移動し、そのノズル51が噴出する工程プラ
スチックを受ける。抵抗、インダクタンス、キャパシタ
ンス等の被動素子23の形成法はそれぞれ異なり、例え
ば抵抗はインピーダンス材料噴出装置70から噴出され
るグラファイトから形成され、かつグラファイトの濃度
を制御することによって異なるインピーダンスが得ら
れ、インダクタンスおよびキャパシタンスは導体、非導
体またはインピーダンス材料を組み合わせることによっ
て予定された誘導性リアクタンス、またはコンデンサー
リアクタンスが得られる。回路層20上のすべての導電
線路22および被動素子23が形成されたら、更にその
回路層20上の各座標(やや突出する導通箇所24は除
外する)に工程プラスチックを噴出し、かつその頂面の
高さを導通箇所24の頂上と同じにして絶縁体21を形
成する。回路層20が完成すれと、ノズルは少々上へ移
り、ひきつづきその回路層20の頂上に積層回路30が
完成するまで新しい回路層を形成する。
【0009】補足説明すると、本発明で使われる各噴出
装置に複数の貯蔵タンクを組み付け、かつ各貯蔵タンク
内に異なる濃度の積層材料を貯蔵し、そして主制御ユニ
ットによって貯蔵タンクに連通されているノズルを制御
すれば、適時に予定された貯蔵タンク内の材料を噴出さ
せることができ、例えばインピーダンス材料噴出装置に
は異なる濃度の液体グラファイトが貯蔵されているの
で、異なるインピーダンスのある抵抗、または導体、非
導体と組み合わせて異なる誘導性リアクタンスまたはコ
ンデンサーリアクタンスのあるインダクタンスまたはキ
ャパシタンスを簡単に形成することができる。この他、
噴出装置は上述の実施例の工程プラスチック、錫銀合金
およびグラファイトを噴出することに限らず、例えば絶
縁材料は他にセラミックを採用することができ、金属導
体は銅を採用することができる。
装置に複数の貯蔵タンクを組み付け、かつ各貯蔵タンク
内に異なる濃度の積層材料を貯蔵し、そして主制御ユニ
ットによって貯蔵タンクに連通されているノズルを制御
すれば、適時に予定された貯蔵タンク内の材料を噴出さ
せることができ、例えばインピーダンス材料噴出装置に
は異なる濃度の液体グラファイトが貯蔵されているの
で、異なるインピーダンスのある抵抗、または導体、非
導体と組み合わせて異なる誘導性リアクタンスまたはコ
ンデンサーリアクタンスのあるインダクタンスまたはキ
ャパシタンスを簡単に形成することができる。この他、
噴出装置は上述の実施例の工程プラスチック、錫銀合金
およびグラファイトを噴出することに限らず、例えば絶
縁材料は他にセラミックを採用することができ、金属導
体は銅を採用することができる。
【0010】更に、上述の実施例で設計および形成され
る積層回路30は複数層の回路層20を積み重ねて構成
されているが、本発明は三次元の立体構造形態または単
一の回路層で完全な電子回路を構成することもできる。
つづいて図6の本発明の第二実施例による積層回路を参
照する。それは同じく複数層の回路層20’を積み重ね
て構成されているが、図2の積層回路30との違いは、
この積層回路30’中の各回路層20’上の導電線路2
2’および被動素子23’の厚さが回路層と同じであり
(すなわち図2の節点である導通箇所24がない)、互
いに貼り付けられた二枚の回路層20’上の各導電線路
22’および各被動素子23’は概して互いに交差しな
いが、予定座標が同じく導電線路22’であることによ
って上下に導通し(図面中の導通箇所24’のよう
に)、同じく立体形態の回路配置を表わすことができる
店である。形成装置によって実際に形成する場合、上述
の実施例のように導電線路22’上に突起した導通箇所
を形成しなくてもよく、かつ絶縁体21’を形成する場
合は導電線路22’でなく、被動素子23’でもない各
座標に絶縁材料を噴出する。
る積層回路30は複数層の回路層20を積み重ねて構成
されているが、本発明は三次元の立体構造形態または単
一の回路層で完全な電子回路を構成することもできる。
つづいて図6の本発明の第二実施例による積層回路を参
照する。それは同じく複数層の回路層20’を積み重ね
て構成されているが、図2の積層回路30との違いは、
この積層回路30’中の各回路層20’上の導電線路2
2’および被動素子23’の厚さが回路層と同じであり
(すなわち図2の節点である導通箇所24がない)、互
いに貼り付けられた二枚の回路層20’上の各導電線路
22’および各被動素子23’は概して互いに交差しな
いが、予定座標が同じく導電線路22’であることによ
って上下に導通し(図面中の導通箇所24’のよう
に)、同じく立体形態の回路配置を表わすことができる
店である。形成装置によって実際に形成する場合、上述
の実施例のように導電線路22’上に突起した導通箇所
を形成しなくてもよく、かつ絶縁体21’を形成する場
合は導電線路22’でなく、被動素子23’でもない各
座標に絶縁材料を噴出する。
【0011】図7に示すのは本発明の第三実施例による
積層回路であり、それの基本構造は概して前述の実施例
と同じであるが、特徴は最上層の回路層20a’’上の
導電線路22’’および被動素子23’’であり、一部
の節点(導通箇所29のように)は回路層の頂面から突
き出すように形成され、それは外部との連通の出入力端
子、または主動素子(IC、トランジスター等)との接
続に使われる。
積層回路であり、それの基本構造は概して前述の実施例
と同じであるが、特徴は最上層の回路層20a’’上の
導電線路22’’および被動素子23’’であり、一部
の節点(導通箇所29のように)は回路層の頂面から突
き出すように形成され、それは外部との連通の出入力端
子、または主動素子(IC、トランジスター等)との接
続に使われる。
【0012】上述をまとめると、本発明が提供する積層
回路の形成方法および形成装置は回路板の製造過程を簡
略化し、生産速度を高め、生産コストを低減することが
でき、産業的利用価値がある。また、上述の実施例は本
発明の好ましい実施例の一部にすぎず、特許請求の範囲
に述べた内容と同等効果の実施例はすべて本発明の創意
精神に属すると見なすべきであり、本発明の特許請求の
範囲に含まれるものとする。
回路の形成方法および形成装置は回路板の製造過程を簡
略化し、生産速度を高め、生産コストを低減することが
でき、産業的利用価値がある。また、上述の実施例は本
発明の好ましい実施例の一部にすぎず、特許請求の範囲
に述べた内容と同等効果の実施例はすべて本発明の創意
精神に属すると見なすべきであり、本発明の特許請求の
範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例による積層回路の形成方法
によって設計および形成される積層回路を示す斜視図で
ある。
によって設計および形成される積層回路を示す斜視図で
ある。
【図2】図1中の2−2線に沿った断面図である。
【図3】図2中の3−3線に沿った断面図である。
【図4】本発明の第一実施例による回路層を行列形式に
転換した後の左上角部分を示す拡大図である。
転換した後の左上角部分を示す拡大図である。
【図5】本発明の第一実施例中による積層回路の形成方
法に使用される形成装置を示す模式図である。
法に使用される形成装置を示す模式図である。
【図6】本発明の第二実施例による積層回路を示す縦断
面図である。
面図である。
【図7】本発明の第三実施例による積層回路を示す縦断
面図である。
面図である。
21 絶縁体
22 導電線路
23 被動素子
30 積層回路
40 平台
50 絶縁材料噴出装置
60 金属導体噴出装置
70 インピーダンス材料噴出装置
80 駆動装置
90 主制御ユニット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H05K 3/00 H05K 3/00 D
(72)発明者 陳 昌銘
台湾新竹市東山街39巷10号4樓
Fターム(参考) 5E346 AA12 AA14 AA15 AA35 AA38
AA43 BB01 BB20 CC01 CC31
DD01 DD07 DD09 DD31 EE50
FF21 FF45 GG01 HH33
Claims (16)
- 【請求項1】 コンピュータにおいて積層回路の設計を
ソフトで補助し、前記積層回路が絶縁体、導電線路およ
び被動素子を有するように設計するステップと、 前記積層回路の配置形態を所定の書式の情報ファイルに
記録するステップと、 主制御ユニット、平台、絶縁材料噴出装置、金属導体噴
出装置、インピーダンス材料噴出装置および駆動装置を
有する形成装置を準備し、前記情報ファイルを前記形成
装置の主制御ユニットに入力するステップと、 前記主制御ユニットが前記情報ファイルを時間順序形式
の制御信号に転換し、前記駆動装置が所定の時点におい
て所定物質の噴出装置、ならびに前記平台を所定の関係
になるよう相対移動させ、対応する物質を前記平台の上
に噴出するよう前記所定物質の噴出装置に命令し、前記
積層回路が完成するまで前記積層回路の前記絶縁体、前
記導電線路および前記被動素子を逐次形成するステップ
と、 を含むことを特徴とする積層回路の形成方法。 - 【請求項2】 前記積層回路は、少なくとも二枚の回路
層を有し、前記回路層は各々平板状に形成され、主体が
前記絶縁体であり、前記導電線路および前記被動素子は
前記絶縁体に被覆されて前記回路層の底側に設けられ、
前記導電線路の予定節点は前記回路層の頂面に突出し上
側の前記回路層の前記導電線路と導通し、 前記形成装置で前記積層回路を形成する場合は最下層の
前記回路層から一層毎に上へ形成し、前記回路層を各々
形成する場合は先に前記導電線路および前記被動素子を
形成した後前記絶縁体を形成することを特徴とする請求
項1記載の積層回路の形成方法。 - 【請求項3】 前記積層回路は、少なくとも二枚の回路
層を有し、前記回路層は各々平板状に形成され、主体が
前記絶縁体であり、前記導電線路および前記被動素子の
厚みは前記絶縁体と同じであり、互いに貼り付けられて
いる二枚の前記回路層の各導電線路および各被動素子は
概して互いに交錯せず、予定座標が同じく前記導電線路
であることによって上下に導通し、 前記形成装置で前記積層回路を形成する場合は最下層の
前記回路層から上へ一層毎に形成することを特徴とする
請求項1記載の積層回路の形成方法。 - 【請求項4】 前記積層回路の頂部に前記導電線路また
は前記被動素子が頂面から突出するように形成されるこ
とを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の
積層回路の形成方法。 - 【請求項5】 前記絶縁材料噴出装置は、工程プラスチ
ックを噴出することを特徴とする請求項1記載の積層回
路の形成方法。 - 【請求項6】 前記金属導体噴出装置は、錫銀合金を噴
出することを特徴とする請求項1記載の積層回路の形成
方法。 - 【請求項7】 前記インピーダンス材料噴出装置は、グ
ラファイトを噴出することを特徴とする請求項1記載の
積層回路の形成方法。 - 【請求項8】 前記インピーダンス材料噴出装置により
噴出されるインピーダンス材料の濃度を変えて異なるイ
ンピーダンス値の抵抗が形成され、前記抵抗は前記被動
素子の1つとして形成されることを特徴とする請求項1
または7に記載の積層回路の形成方法。 - 【請求項9】 前記インピーダンス材料噴出装置により
噴出されるインピーダンス材料の濃度と、前記絶縁材料
噴出装置および前記金属導体噴出装置から噴出される絶
縁材料および金属導体との組み合せによって異なる誘導
性リアクタンス値のインダクタンスが形成され、前記イ
ンダクタンスは前記被動素子の1つとして形成されるこ
とを特徴とする請求項1または7に記載の積層回路の形
成方法。 - 【請求項10】 前記インピーダンス材料噴出装置によ
り噴出されるインピーダンス材料の濃度と、前記絶縁材
料噴出装置および前記金属導体噴出装置から噴出される
絶縁材料および金属導体との組み合せによって異なるコ
ンデンサーリアクタンス値のキャパシタンスが形成さ
れ、前記キャパシタンスは前記被動素子の1つとして形
成されることを特徴とする請求項1または7に記載の積
層回路の形成方法。 - 【請求項11】 絶縁体、導電線路および被動素子を有
する積層回路の形成装置であって、 平台と、 前記平台の上側に配置されて下方へ絶縁材料を噴出する
ノズルを有する絶縁材料噴出装置と、 前記平台の上側に配置されて下方へ金属導体を噴出する
ノズルを有する金属導体噴出装置と、 前記平台の上側に配置されて下方へインピーダンス材料
を噴出するノズルを有するインピーダンス材料噴出装置
と、 前記絶縁材料噴出装置、前記金属導体噴出装置、前記イ
ンピーダンス材料噴出装置および前記平台の所定の三次
元相対関係を駆動制御する駆動装置と、 所定の情報書式をもって記録された前記積層回路の配置
形態を時間順序形式の制御信号に転換し、前記制御信号
により前記駆動装置が所定の時点において所定物質の噴
出装置と前記平台とを所定の関係になるよう相対移動さ
せ、対応する物質を前記平台の上に噴出するよう前記所
定物質の噴出装置に命令し、前記積層回路が完成するま
で前記積層回路の配置に対応する絶縁体、導電線路およ
び被動素子が逐次形成される主制御ユニットと、 を備えることを特徴とする積層回路の形成装置。 - 【請求項12】 前記絶縁材料噴出装置は、工程プラス
チックを噴出することを特徴とする請求項11記載の積
層回路の形成装置。 - 【請求項13】 前記金属導体噴出装置は、錫銀合金を
噴出することを特徴とする請求項11記載の積層回路の
形成装置。 - 【請求項14】 前記インピーダンス材料噴出装置は、
グラファイトを噴出することを特徴とする請求項11記
載の積層回路の形成装置。 - 【請求項15】 前記インピーダンス材料噴出装置は、
噴出するインピーダンス材料の濃度を制御可能であるこ
とを特徴とする請求項11または14に記載の積層回路
の形成装置。 - 【請求項16】 前記絶縁材料噴出装置、前記金属導体
噴出装置および前記インピーダンス材料噴出装置には複
数の貯蔵タンクが配置されて異なる濃度の積層材料を貯
蔵していることを特徴とする請求項11記載の積層回路
の形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001291152A JP2003101245A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 積層回路の形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001291152A JP2003101245A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 積層回路の形成方法および形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003101245A true JP2003101245A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19113345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001291152A Pending JP2003101245A (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 積層回路の形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2003101245A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2001-09-25 JP JP2001291152A patent/JP2003101245A/ja active Pending
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