JP2015213167A - 無金属、モノリシックかつエピタキシャルなグラフェン・オン・ダイヤモンドｐｗｂ - Google Patents

Abstract

【課題】無金属、モノリシックかつエピタキシャルなグラフェン・オン・ダイヤモンドＰＷＢ。【解決手段】いくつかの実施形態によれば、装置は、多結晶ダイヤモンドで作られた回路基板を含む。回路基板は、ポリ（ヒドリドカルビン）の層の堆積によって形成される。各層は、回路基板の断面の形状を有する。回路基板は更に、摂氏１００度以上かつ摂氏８００度以下の温度でのポリ（ヒドリドカルビン）の層の熱分解によって形成される。加えて、装置は、回路基板内に形成される複数の管を含む。管は、回路基板の一つ以上の表面に複数の終端を有する。各管はグラフェンの層を有し、そのグラフェンの層は各管が電流を伝導することを可能にするように機能する。グラフェンの各層は、摂氏９００度以上の温度での多結晶ダイヤモンド回路基板の加熱分解によって形成される。各管は、実質的に中空であり、グラフェンの各層は、それぞれの管の外表面を形成する。【選択図】 図１

Description

本発明は、概して三次元（３−Ｄ）印刷に関し、具体的にはダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマーを使用したプリント配線板（ＰＷＢ）の３−Ｄ印刷に関する。

三次元（３−Ｄ）印刷は、物体の“積み上げ”による物体の製造を可能にする、積層造形プロセスである。物体の形状を形成するためにバルク材料から材料が取り除かれる、機械加工のようなサブトラクティブな技術とは対照的に、３−Ｄ印刷は、物体の形状を形成するために材料の連続する層を下ろしていく。３−Ｄ印刷に使用される典型的な材料は、プラスチック、セラミック及び金属を含み得る。

プリント配線板（ＰＷＢｓ）又は回路基板は、コンピュータチップのような電子デバイスを接続するために一般的に使用される。ＰＷＢｓは、典型的にプラスチックの層及び銅のような金属の層で構成される。

いくつかの実施形態によれば、装置は、多結晶ダイヤモンド（polycrystalline diamond）で作られた回路基板を含む。回路基板は、ポリ（ヒドリドカルビン）（poly(hydridocarbyne)）の層の堆積（デポジション，deposition）によって形成される。各層は、回路基板の断面の形状（geometry）を有する。回路基板は更に、摂氏１００度（degrees Celsius）以上かつ摂氏８００度以下の温度でのポリ（ヒドリドカルビン）の層の熱分解（pyrolysis）によって形成される。加えて、装置は、回路基板内に形成される複数の管を含む。管は、回路基板の一つ以上の表面に複数の終端（terminations）を有する。各管はグラフェンの層を有し、そのグラフェンの層は各管が電流を伝導することを可能にするように機能する。グラフェンの各層は、摂氏９００度以上の温度での多結晶ダイヤモンド回路基板の加熱分解（thermolysis）によって形成される。各管は、実質的に中空（hollow）であり、グラフェンの各層は、それぞれの管の外表面を形成する。

ある複数の実施形態の技術的な利点は、ダイヤモンド物体を形成するために、ダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマーを３−Ｄプリンタで使用することを含み得る。いくつかの実施形態は、複数種類のセラミック前駆体ポリマーの層を堆積させる（depositing）ことによって物体を形成する方法を提供し得る。いくつかの実施形態の追加的な技術的な利点は、主に多結晶ダイヤモンドで構成された回路基板の形成を含み得る。複数の他の技術的な利点が、以下の図面、詳細な説明及び請求の範囲から、当業者にとって容易に明らかになるであろう。その上に、複数の特定の利点が上に列挙されたが、様々な実施形態が、列挙された複数の利点のうちの全て若しくはいくつかを含んでもよく、又は全く含まなくてもよい。

本発明並びにその特徴及び利点のより完全な理解を提供するために、添付の図面と併せられる以下の説明への言及がなされる。
ある実施形態による、３−Ｄプリンタの実施例を示す。 ある実施形態による、図１の３−Ｄプリンタによってセラミック粉末内に印刷された物体を示す。 ある実施形態による、図２に示された、３−Ｄ印刷された物体の鉛直断面を示す。 ある実施形態による、図２に示された、３−Ｄ印刷された物体の水平断面を示す。 ある実施形態による、図２に示された、３−Ｄ印刷された物体の水平断面を示す。 セラミック前駆体ポリマーのポリ（ヒドリドカルビン）（poly(hydridocarbyne)）の化学構造を示す。 セラミック前駆体ポリマーのポリ（メチルシリン）（poly(methylsilyne)）の化学構造を示す。 ある実施形態による、セラミック前駆体ポリマーを使用する、セラミック粉末内の３−Ｄ物体の印刷の方法を示す。 ある実施形態による、３−Ｄプリンタを使用して印刷され得る多結晶ダイヤモンドプリント配線板（ＰＷＢ）の例示的な実施形態を示す。 ある実施形態による、図７の多結晶ダイヤモンドＰＷＢの例示的な断面を示す。 ある実施形態による、図７のＰＷＢの、電気伝導性の相互接続部の複数の例示的な形状を示す。 ある実施形態による、図７のＰＷＢを印刷するための例示的な方法１０００を示す。 ある実施形態による、光導波路の例示的な断面を示す。 ある実施形態による、光導波路の例示的な断面を示す。 ある実施形態による、光導波路の例示的な断面を示す。 ある実施形態による、多結晶ダイヤモンドＰＷＢ内で光導波路を印刷するための、例示的な方法を示す。 ある実施形態による、多結晶ダイヤモンドＰＷＢ内で光導波路を印刷するための、例示的な方法を示す。 ある実施形態による、図１の３−Ｄプリンタを制御するために使用され得る、例示的なコンピュータシステムを示す。

本発明の実施形態及びその利点は、図面中の図１乃至図１３を参照することによって最もよく理解される。同様な数字が、様々な図面の同様な部分及び対応する部分に関して使用される。

ダイヤモンドは、多くの特有の性質を有する、炭素元素の一つの形である。ダイヤモンドは、既知の最も硬い物質のうちの一つであり、高い融点及び沸点を有し、電気絶縁体であると共に素晴らしい熱伝導体である。ダイヤモンドから作り出された物体は、これらの性質を利用することができるかも知れない。例えば、ダイヤモンドから作り出されたドリルビット、鋸又はナイフのような工具は、ダイヤモンドの硬度のために、従来の材料で作られた工具よりも耐久性が高いかも知れない。ダイヤモンドは、様々な方法で生産されることができ、方法は、ダイヤモンドナノ粒子の形の粉末としての生産、及びセラミック前駆体ポリマーの熱分解（pyrolysis）からの生産、を含む。

本開示の教示は、セラミック前駆体ポリマー及びナノ粒子粉末と共に三次元（３−Ｄ）印刷技術を使用することは、様々なセラミックで作られかつ様々な有用な形状の物体を作り出すことを可能にし得ることを認める。具体的には、ダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマー及びダイヤモンドナノ粒子粉末と共に３−Ｄ印刷技術を使用することは、様々な形状のダイヤモンド物体を作り出すことを可能にし得る。例えば、ダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマー及びダイヤモンドナノ粒子粉末と共に３−Ｄ印刷技術を使用することによって、ほとんど如何なる形状を有するダイヤモンドドリルビットでも印刷され得る。他の実施例として、ダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマー及びダイヤモンドナノ粒子粉末を使った３−Ｄ印刷は、ブレーキパッドインサード、航空電子機器の箱（avionics boxes）、軽量な装甲、ダイヤモンド透析フィルタ、真空マイクロ電子機器（micro-electronics）又は如何なる他の適切な物体の印刷に使用され得る。さらに、異なるセラミック前駆体ポリマー及びナノ粒子粉末を、ダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマー及びダイヤモンドナノ粒子粉末とは別々に、又はダイヤモンド形成セラミック前駆体ポリマー及びダイヤモンドナノ粒子粉末に加えて使用することによって、印刷される物体の性質は、様々な設計目標を満たすように変更されることができる。さらに、本開示の教示は、３−Ｄ印刷プロセスの間に物体を支持するために焼結しないナノ粒子粉末が使用され得ることを認める。以下は、ナノ粒子フィルタと共にセラミック前駆体ポリマーを使用する３−Ｄ印刷の方法及びシステムを記述する。

本開示の教示は、セラミック前駆体ポリマーを使った３−Ｄ印刷技術の使用は、ダイヤモンドプリント配線板（ＰＷＢ）を作り出すことを可能にし得ることを更に認める。ダイヤモンドＰＷＢは、ＰＷＢｓにおいて一般的に使用される金属と比較した場合のダイヤモンドの高い熱伝導性及び低い密度のために、多数の技術的な利点を有し得る。加えて、ダイヤモンドの広い可視光透過性及び赤外透過性は、ＰＷＢ内の可視光線及び赤外線データ経路（すなわち、導波路（waveguide））を可能にするために使用され得る。

図１は、３−Ｄプリンタ１００の一つの例示的な実施形態を示す。３−Ｄプリンタ１００は、プリントヘッド１１０及びローラ１２０を有する。ローラ１２０は、コンテナ１６０内にセラミック粉末１２５の層を堆積させる（deposits）。プリントヘッド１１０は、セラミック粉末１２５の層の上に、溶媒中に溶解させられたセラミック前駆体ポリマー１１５を堆積させる。いくつかの実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、３−Ｄプリンタ１００に命令を与えることによって物体の印刷を制御するコンピュータシステム１５０を有してもよい。コンピュータシステム１５０は、３−Ｄプリンタ１００の外部であるか又は３−Ｄプリンタ１００に搭載される（incorporated）かのいずれでもよい。コンピュータシステムのある複数の実施形態は、図７に関連して以下でより詳細に説明される。

概して、３−Ｄプリンタ１００のある実施形態は、ローラ１２０及びプリントヘッド１１０を使用して３−Ｄダイヤモンド物体を印刷する。例えば、３−Ｄプリンタ１００は、プリントヘッド１１０を使い、ローラ１２０によってコンテナ１６０内に堆積させられたセラミック粉末１２５の層の上にセラミック前駆体ポリマー１１５の連続する層を堆積させることによって、図２に示される３−Ｄ物体２００を印刷することができる。つまり、ローラ１２０は、最初にセラミック粉末１２５の第一の層をコンテナ１６０内に堆積させてもよい。次いでプリントヘッド１１０は、セラミック前駆体ポリマー１１５の第一の層を、セラミック粉末１２５の第一の層の上に、望ましい３−Ｄ物体の第一の断面又は“スライス”の形状に堆積させてもよい。ある程度の時間の後に、次いでローラ１２０は、セラミック粉末１２５の第二の層を、セラミック粉末１２５の第一の層及びセラミック前駆体ポリマー１１５の第一の層の上面の上に堆積させてもよい。いくつかの実施形態において、前記のある程度の時間は、溶剤が蒸発することを可能にするために十分であり得る。次いでプリントヘッド１１０は、セラミック前駆体ポリマー１１５の第二の層を、セラミック粉末１２５の第二の層の上に、第一の断面に隣接しかつ第一の断面の上側の、前記の物体の断面の形状に堆積させてもよい。それに続くセラミック粉末１２５の複数の層及びセラミック前駆体ポリマー１１５の複数の層が、セラミック前駆体ポリマー１１５の複数の層が望ましい３−Ｄ物体の形状を形成するまで、交互に堆積させられてもよい。

ひとたびセラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５の全ての層がコンテナ１６０内に堆積させられ、セラミック粉末１２５内に望ましい３−Ｄ物体の形状を形成すると、コンテナ１６０は、次いでベーキング（baking）のために加熱炉（furnace）の中に置かれてもよい。いくつかの実施形態において、ベーキングは、不活性雰囲気内で行われてもよい。ベーキングの前に過剰な粉末が取り除かれ得る他の方法と異なり、過剰なセラミック粉末１２５（すなわち、セラミック前駆体ポリマー１１５と共に噴霧されなかったセラミック粉末１２５）は、ベーキングの前に取り除かれず、代わりにベーキングプロセス中にコンテナ１６０内に残る。これは、ベーキング中に３−Ｄ物体のために支持を提供することによって、従来のプロセスに対する追加的な利点を提供することができる。ひとたびベーキングが完了すると、冷却の後、望ましい３−Ｄダイヤモンド物体を現すために、過剰なセラミック粉末１２５は取り除かれる。過剰なセラミック粉末１２５は、その後リサイクル及び再使用されてもよく、又は処分されてもよい。

プリントヘッド１１０は、如何なる市販のプリントヘッドであってもよく、例えば如何なるインクジェットのプリントヘッド又は如何なるエアロゾルジェットのプリントヘッドであってもよい。使用されるプリントヘッド１１０の種類に応じて、物体に関して異なる寸法の特徴が印刷され得る。例えば、エアロゾルジェットのプリントヘッド１１０は、１０ミクロンもの小ささの特徴が印刷されることを可能にし得る。プリントヘッド１１０は、堆積させられるセラミック前駆体ポリマー１１５の体積を正確に制御することができてもよい。その制御は、セラミック前駆体ポリマー１１５が最も新しいセラミック粉末１２５の層に“浸み込み”、先に堆積させられたセラミック粉末１２５の層に達することがないことを確かにする。プリントヘッド１１０の特定の実施形態が記述されたが、セラミック前駆体ポリマー１１５をセラミック粉末１２５上に堆積させる如何なる適切なシステム又は方法であっても、利用され得る。例えば、３−Ｄプリンタ１００のある実施形態は、如何なる形のプリントヘッド１１０も伴わない、セラミック前駆体ポリマー１１５をセラミック粉末１２５上に堆積させるための技術を利用してもよい。

ローラ１２０は、セラミック粉末１２５の層を堆積させるように機能する如何なる装置であってもよい。例えば、ローラ１２０は、セラミック粉末１２５のホッパーによる供給を受けるローラであってもよい。代替的な実施形態において、ローラ１２０は、セラミック粉末１２５の層を均一に堆積させることが可能なノズルであってもよい。セラミック粉末１２５を堆積させる特定のシステムが記述されたが、セラミック粉末１２５の層を堆積させる如何なる適切なシステム又は方法であっても、利用され得る。例えば、３−Ｄプリンタ１００のある実施形態は、如何なる形のローラ１２０も伴わない、セラミック粉末１２５の層を堆積させるための技術を利用してもよい。

いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマー１１５は、ポリ（ヒドリドカルビン）（“ＰＨＣ”）、ポリ（メチルシリン）（“ＰＭＳ”）又は如何なるｓｐ３−ハイブリッド化ポリマーであってもよい。セラミック前駆体ポリマー１１５は、セラミック前駆体ポリマー１１５の分解（decomposition）温度又は熱分解（pyrolysis）温度として知られるある程度の温度以上で、それ自体と反応（例えば、熱分解（pyrolyze）、加熱分解（thermolyze）又は分解（decompose））して、セラミックを形成することができる。いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマー１１５は、例えばアセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、アセトニトリル、非プロトン性溶媒又はこれらの溶媒の二つ以上の混合物等のような溶媒中に溶解させられてもよい。

いくつかの実施形態において、溶媒中に溶解させられたセラミック前駆体ポリマー１１５の層を堆積させた後に、３−Ｄプリンタ１００は、セラミック粉末１２５の他の層を堆積させる前に溶媒が蒸発する時間を与えるために、所定の時間の間、休止してもよい。ある実施形態においてセラミック前駆体ポリマー１１５の層は比較的薄くてもよいため、数秒間又はそれ以下の休止が、溶媒が蒸発する時間を与えるために十分であり得る。セラミック前駆体ポリマー１１５の各層が堆積させられた後に溶媒が蒸発する時間を与えることは、それに続くセラミック粉末１２５及びセラミック前駆体ポリマー１１５の層が堆積させられる際に、溶媒がセラミック粉末１２５内に取り込まれることを防止し得る。これは、３−Ｄ印刷された物体内に黒鉛の不純物が生じることを防止し得る。

セラミック粉末１２５は、如何なる適切なナノ粒子充填剤であってもよい。いくつかの実施形態において、セラミック粉末１２５は、以下のうちの任意の一つ又は混合物であってもよい：デトネーション・ナノダイヤモンド（“ＤＮＤ”）粉末、シリコンカーバイド粉末、グラフェン・ナノプレートレット（nano-platelet）粉末、グラフェン酸化物（oxide）・ナノプレートレット粉末、カーボンナノチューブ粉末、様々なフラーレン（例えばバックミンスターフラーレン）、窒化ホウ素・ナノプレートレット粉末、カーバイド形成金属粉末、又はセラミック前駆体ポリマー１１５の分解温度で焼結することがない如何なる他の粉末。カーバイド形成金属の例は、チタニウム、ハフニウム及びタングステンを含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、セラミック粉末１２５の平均粒径は、セラミック前駆体ポリマー１１５のコロイド粒径より小さくてもよい。いくつかの実施形態において、セラミック粉末１２５の平均粒径は、３０ナノメートルよりも小さくてもよい。可能性のあるセラミック粉末１２５の一つの例であるＤＮＤは、不活性雰囲気内の、密閉チャンバ内での爆発物のデトネーション（detonation）によって形成されることができる。結果として生じるナノダイヤモンドは、２ナノメートルから２０ナノメートルの間の直径を有し得る。処理を通じて、４から５ナノメートルの直径を有するナノダイヤモンドの粉末が作り出されることができる。デトネーション・ナノダイヤモンドは、大部分の自然に生じているダイヤモンドの構造と同様に、立方結晶構造を有する。

いくつかの実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、コンピュータシステム１５０によって制御されてもよい。コンピュータシステム１５０は、如何なる適当な物理的な形の如何なる適当なコンピュータシステムであってもよい。概して、コンピュータシステム１５０は、３−Ｄ物体のデジタル表現を記憶し、３−Ｄプリンタ１００に３−Ｄ物体を印刷するための情報を提供することができる。例えば、コンピュータシステム１５０は、ある物体の３−Ｄのコンピュータ支援設計（ＣＡＤ）モデルを記憶し、その物体を印刷するときに、そのモデルを３−Ｄプリンタ１００に提供することができる。

コンピュータシステム１５０は、３−Ｄプリンタ１００内に統合されてもよく、３−Ｄプリンタ１００に接続されてもよく、又は３−Ｄプリンタ１００内に統合され、３−Ｄプリンタ１００から離れた両方の複合コンピュータシステムであってもよい。一つの実施例としてかつ限定の目的としてではなく、コンピュータシステム１５０は、仮想機械（ＶＭ）、埋め込み型コンピュータシステム、システムオンチップ（ＳＯＣ）、シングルボードコンピュータシステム（ＳＢＣ）（例えば、コンピュータオンモジュール（ＣＯＭ）又はシステムオンモジュール（ＳＯＭ））、デスクトップコンピュータシステム、ラップトップ若しくはノートブックコンピュータシステム、メインフレーム、コンピュータシステムのメッシュ、サーバ、アプリケーションサーバ、又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせであってもよい。適切な場合には、コンピュータシステム１５０は、単一の又は分散型の、複数の位置に広がり、複数の機械を結ぶ、又はクラウドに存在する、一つ以上のコンピュータシステム１５０を含んでもよい。クラウドは、一つ以上のネットワークに一つ以上のクラウドコンポーネントを含んでもよい。適切な場合には、一つ以上のコンピュータシステム１５０は、実質的な空間的又は時間的制限なく、本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。一つの実施例としてかつ限定の目的としてではなく、一つ以上のコンピュータシステム１５０は、リアルタイムで又は一括方式（バッチモード）で本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。適切な場合には、一つ以上のコンピュータシステム１５０は、異なる時間又は異なる位置で本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。コンピュータシステム１５０の一つの具体的な実施形態は、図７を参照して以下により詳細に記述される。

図２は、過剰なセラミック粉末１２５内で３−Ｄプリンタ１００によって印刷された、３−Ｄ印刷された物体２００の一つの例を示す。セラミック粉末１２５及びセラミック前駆体ポリマー１１５の全ての層が堆積させられた場合に、上にセラミック前駆体ポリマー１１５が堆積させられたセラミック粉末１２５の塊（volume）は、セラミック粉末１２５の中の物体２００の形状となる。セラミック前駆体ポリマー１１５は、結合剤（binder）として働き、プリントヘッド１１０がセラミック前駆体ポリマー１１５を堆積させた領域のセラミック粉末１２５を結び付けてまとめてもよい。残っている過剰なセラミック粉末１２５は、物体のための支持物として機能してもよい。例えば、過剰なセラミック粉末１２５は、物体２００の薄い部位が壊れないようにしてもよい。

図３は、図２に示される３−Ｄ印刷された物体２００の鉛直断面の一つの例を示す。鉛直断面３００は、続くセラミック粉末１２５の層の上に堆積させられたときに、どのようにセラミック前駆体ポリマー１１５のパターンが物体２００の形状を形成するかを示す。図３はまた、図４Ａ及び図４Ｂに示される複数の水平断面３１０及び３２０を含む。水平断面３１０は、図２に示される物体２００の底の近傍に堆積させられ得るセラミック前駆体ポリマー１１５の水平断面に対応する。水平断面３２０は、図２に示される物体２００の上端の近傍に堆積させられ得るセラミック前駆体ポリマー１１５の水平断面に対応する。

図５Ａは、いくつかの実施形態においてセラミック前駆体ポリマー１１５用に使用され得る、ポリ（ヒドリドカルビン）の化学構造を示す。ポリ（ヒドリドカルビン）は、不活性雰囲気内で分解温度、例えば約摂氏１００度と摂氏８００度の間に加熱された場合に、熱分解してダイヤモンド状炭素又は多結晶ダイヤモンドを形成することができる。所定の時間（例えば、１２から２４時間）の間、分解温度以上で維持された加熱によって、ダイヤモンド状炭素がアニール処理され（annealed）、多結晶ダイヤモンドを形成し得る。ポリ（ヒドリドカルビン）の熱分解によって形成されたダイヤモンドは、六方晶構造（hexagonal crystal structure）を有し得る。六方晶構造を有するダイヤモンドは、ロンスダレイトとしても知られている。その熱分解温度で、ポリ（ヒドリドカルビン）は、セラミック粉末１２５の表面と反応し、それに結合し得る。例えば、セラミック粉末１２５がＤＮＤからなる場合は、ポリ（ヒドリドカルビン）は、反応してＤＮＤに結合した多結晶ダイヤモンドを形成し得る。結果として、加熱後に、３−Ｄ印刷された物体は、多結晶ダイヤモンドで構成されるであろう。より具体的には、物体は、多結晶六方晶ダイヤモンド内に結合した立方結晶構造ＤＮＤで構成されてもよい。ＤＮＤ及びポリ（ヒドリドカルビン）を使用した３−Ｄ印刷によって、全体が固体ダイヤモンドからなる物体は、ほとんど如何なる形状でも印刷され得る。例えば、例えば、石油産業で使用される複雑な形状を備えたドリルヘッドのような、地面をボーリングするために使用されるドリルヘッドは、ＤＮＤ及びポリ（ヒドリドカルビン）を使用して印刷され、多結晶ダイヤモンドドリルヘッドを形成することができる。

セラミック粉末１２５としてカーバイド形成金属粉末が使用される場合は、ポリ（ヒドリドカルビン）は、金属粒子の表面と反応し、金属カーバイド結合を形成し得る。例えば、セラミック粉末１２５としてタングステン粉末が使用される場合は、加熱後の３−Ｄ印刷された物体は、多結晶ダイヤモンドマトリックス中に懸濁されたタングステン粒子を含むことができ、多結晶ダイヤモンドは、タングステンカーバイド結合によってタングステン粒子の表面に結合される。具体的な実施形態において、金属粒子は、ポリ（ヒドリドカルビン）と完全に反応して、均質な（homogenous）金属カーバイドを形成し得る。

図５Ｂは、いくつかの実施形態においてセラミック前駆体ポリマー１１５用に使用され得る、ポリ（メチルシリン）（poly(methylsilyne)）の化学構造を示す。ポリ（メチルシリン）は、分解温度、例えば約摂氏１００度と摂氏８００度の間に加熱された場合に、熱分解してシリコンカーバイドを形成することができる。その熱分解温度で、ポリ（メチルシリン）は、セラミック粉末１２５の表面と反応し、それに結合し得る。例えば、セラミック粉末１２５がＤＮＤからなる場合は、ポリ（メチルシリン）は、反応してＤＮＤに結合したシリコンカーバイドを形成し得る。結果として、加熱後に、３−Ｄ印刷された物体は、シリコンカーバイドマトリックス内の立方結晶構造デトネーション・ナノダイヤモンドで構成されることができ、シリコンカーバイドは、デトネーション・ナノダイヤモンドの表面に結合される。セラミック粉末がシリコンカーバイド粉末を含む場合は、ポリ（メチルシリン）は、反応してシリコンカーバイド粉末に結合したシリコンカーバイドを形成し、多結晶シリコンカーバイドの３−Ｄ物体を形成することができる。

例示的な実施形態の動作において、３−Ｄプリンタ１００は、セラミック粉末１２５及びセラミック前駆体ポリマー１１５の層を交互に堆積させることによって、物体２００を印刷することができる。３−Ｄプリンタ１００は、セラミック前駆体ポリマー１１５を、印刷されている物体の断面の形状、例えば図４Ａ及び図４Ｂに示される形状に、堆積させてもよい。いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５を使用した物体２００の３−Ｄ印刷は、不活性雰囲気内で行われてもよい。不活性気体の例は、アルゴン、窒素、ネオン、キセノン等を含むが、これらに限定されない。不活性雰囲気内でセラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５の層を堆積させることは、物体２００内、及びプリントヘッド１１０がセラミック前駆体ポリマー１１５を堆積させていない過剰なセラミック粉末１２５内に酸素が取り込まれることを防止し、また、セラミック前駆体ポリマー１１５の酸化を防止することができる。

３−Ｄプリンタ１００がセラミック粉末１２５及びセラミック前駆体ポリマー１１５の全ての層を堆積させた後に、物体２００及び過剰なセラミック粉末１２５は、セラミック前駆体ポリマー１１５の分解温度以上かつセラミック粉末１２５の焼結温度よりも低い温度で焼かれて（baked）もよい。いくつかの実施形態において、この温度範囲は、約摂氏１００度と摂氏８００度との間であり得る。ある実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、セラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５の印刷された層を焼くためのヒータ又はオーブンを搭載してもよい。一つの代替的な実施形態において、セラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５の印刷された層は、印刷の後にベーキングのためにオーブンへ移動させられてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５の層はコンテナ１６０内で堆積させられてもよく、コンテナ１６０は印刷の後にベーキングのためにオーブンへ移動させられてもよい。一つの代替的な実施形態において、光学的な光熱分解（photo-pyrolysis）もまた、セラミック前駆体ポリマー１１５の各々の全ての印刷された層を“曝露する（expose）”又は熱分解するために使用され得る。上記の実施形態においては、各々の光熱分解曝露の間に、最終製品が層ごとにダイヤモンド状炭素及び／又はダイヤモンドに変換されるため、最終製品を焼く（ベークする）必要はないかも知れない。

いくつかの実施形態において、ベーキングは、セラミック粉末１２５が粉末のまま残ることができかつセラミック前駆体ポリマー１１５が分解する如何なる温度でも行われる。例えば、ベーキングは、約摂氏１００度と約摂氏８００度との間である、分解温度で行われてもよい。例えば、ベーキングは、少なくとも摂氏１００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％であるが、摂氏８００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％よりも低い温度で、行われてもよい。特定のベーキング温度が開示されたが、セラミック粉末１２５が粉末のまま残り（すなわち、セラミック粉末１２５がそれ自体に焼結しない任意の温度）、一方でセラミック前駆体ポリマー１１５が分解する、如何なる適切な温度であっても利用され得ることが留意されるべきである。

いくつかの実施形態において、ベーキングは、窒素、アルゴン、キセノン、ネオン等の不活性雰囲気内で行われてもよい。不活性雰囲気内でのベーキングは、印刷されたセラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５が空気中の酸素と反応することを防止し得る。いくつかの実施形態において、３−Ｄプリンタ１００が酸素の存在下で物体を印刷した場合は、ベーキングの前に、酸素は、印刷されたセラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５から追加的又は代替的に除去されてもよい。取り込まれた酸素をベーキングの前に取り除くために、印刷されたセラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５は、酸素が外に拡散させるために、真空又は不活性雰囲気中に置かれてもよい。取り込まれた酸素の除去は、長い期間（例えば、最大２４時間）を要し得る。印刷されたセラミック前駆体ポリマー１１５及びセラミック粉末１２５から酸素を除去するために必要な時間を所与として、不活性雰囲気内での３−Ｄ印刷は、３−Ｄ印刷プロセスを迅速に処理するために、望ましいかも知れない。

上述したように、分解温度は、約摂氏１００度と約摂氏８００度との間であり得る。セラミック前駆体ポリマー１１５は、この温度で、それ自体と及びセラミック粉末１２５の粒子の表面と反応し得る。この温度範囲においてセラミック粉末１２５の粒子が焼結することはなく、それらがセラミック粉末１２５の他の粒子と反応又は結合しないことを意味する。したがって、セラミック粉末１２５は、セラミック前駆体ポリマー１１５が分解する温度で粉末のまま残ることができる。セラミック前駆体ポリマー１１５に接触していない過剰なセラミック粉末１２５は、加熱の間、印刷された物体のための支持物として機能し得る。

セラミック前駆体ポリマー１１５を含むセラミック粉末１２５を加熱した後に、過剰なセラミック粉末は、物体から取り除かれてもよい。過剰なセラミック粉末は、リサイクルされ、他の３−Ｄ物体を印刷するために使用されてもよい。３−Ｄプリンタ１００は、ブラシ、真空、圧縮空気又は任意の他の適切な道具を使用して、３−Ｄダイヤモンド物体から過剰なセラミック粉末１２５を取り除いてもよい。過剰なセラミック粉末１２５はまた、加熱後に手で取り除かれてもよい。

いくつかの実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、セラミック粉末１２５の層とセラミック前駆体ポリマー１１５の層を連続的に印刷することが可能であってもよい。上記の実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、複数の層を連続的に印刷するために、複数のローラ１２０及び複数のプリントヘッド１１０を有してもよい。複数のローラ１２０及び複数のプリントヘッド１１０は、動くライン上に順々に配列されてもよく、その動くラインは、印刷された層をヒータ又はオーブンの中へ直接に供給する。上記の実施形態において、印刷された物体は、例えば、オーブンからの出口で巻き取られる印刷された生地のような、薄い連続的な物体であってもよい。

いくつかの実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、複数のセラミック粉末１２５及びセラミック前駆体ポリマー１１５を使用して物体２００を印刷してもよい。異なる複数のセラミック粉末１２５の使用は、異なる複数の性質を有する物体を提供することができる。セラミック粉末１２５の選択に依存し得る性質は、印刷された物体の靭性、硬度、耐力、密度、摩擦、電気伝導率、熱伝導率、熱膨張係数、光学的透明性、屈折率又は物理的な性質を含む。例えば、カーボンナノチューブ粉末を使用した物体の印刷は、ＤＮＤを使用して印刷された物体よりも靱性が高い物体を結果として生じる。一方で、ＤＮＤを使用して印刷された物体は、カーボンナノチューブ粉末を使用して印刷された物体よりも硬度が高いかもしれない。

いくつかの実施形態において、ある特定のセラミック粉末１２５もまた、物体２００の望ましい性質を調整するために、混合されてもよい。例えば、カーボンナノチューブとＤＮＤの混合物は、所望のレベルの靱性及び硬度を有する物体２００を作り出すために、セラミック粉末１２５として使用されてもよい。加えて、ローラ１２０は、異なるセラミック粉末１２５の層を堆積させてもよい。例えば、ローラ１２０は、ＤＮＤの第一の層を堆積させてもよく、バックミンスターフラーレンの層が続いてもよい。異なるセラミック粉末１２５の層を堆積させることは、所望の性質を備えた物体の印刷を可能にする。例えば、高硬度であることと高靱性であることとを繰り返す複数の層を備えた物体の印刷は、装甲として望ましい性質を備えた物体の創出を可能にするかも知れない。一つの例として、ダイヤモンドと金属カーバイドとの繰り返しの複数の層を有する装甲が印刷され得る。

いくつかの実施形態において、プリントヘッド１１０は、物体２００を印刷するために、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の両方を堆積させてもよい。例えば、ポリ（ヒドリドカルビン）がある物体のいくつかの層を印刷するために使用されてもよく、ポリ（メチルシリン）がその物体の他の層を印刷するために使用されてもよい。同様に、ポリ（ヒドリドカルビン）がある物体のある部位を印刷するために使用されてもよく、ポリ（メチルシリン）がその物体の他の部位を印刷するために使用されてもよい。例えば、ポリ（ヒドリドカルビン）は、図２に示される物体２００の取手部分を印刷するために使用されてもよく、ポリ（メチルシリン）は、物体２００のコップ部分を印刷するために使用されてもよい。いくつかの実施形態において、ポリ（ヒドリドカルビン）は、セラミック粉末１２５の第一の種類の層の上に印刷されてもよく、ポリ（メチルシリン）は、セラミック粉末１２５の第二の種類の層の上に印刷されてもよい。複数の種類のセラミック粉末１２５並びにポリ（メチルシリン）及びポリ（ヒドリドカルビン）の両方を使用して物体２００を印刷することは、別の方法では製造することが難しい物体の創出を可能にし得る。例えば、構造的な要素と統合された（integral）電子的要素の両方を有する物体が印刷されることができる。例えば、高温でのダイヤモンドの酸化を防止するためのシリコンカーバイド外面被覆を備えたミサイル用レドームが、ダイヤモンドから印刷されることができる。上記のレドームは、図７に示されるような、プリント配線板（ＰＷＢ）の要素を搭載してもよい。例えば、レドームは相互接続部（interconnects）を有してもよい。相互接続部は、例えば、統合無線周波数アンテナとして働く内部グラフェン被覆（internal graphene-coated）管及び内部レドーム表面の上に直接的に配置されたデータ処理チップを備えた他の内部グラフェン管である。上記の物体は、レドームの構造を形成するためにＤＮＤ及びポリ（ヒドリドカルビン）の層を使用し、レドームの外表面を形成するためにシリコンカーバイド粉末及びポリ（メチルシリン）を使用することによって、印刷されることができる。

図６は、物体２００のような３−Ｄ物体をセラミック粉末内で印刷するための、セラミック前駆体ポリマーを使用した方法６００を示す。方法６００は、３−Ｄプリンタ１００によって実行され得る。方法６００はステップ６０５で開始し、ステップ６０５では、セラミック粉末の層が堆積させられる。いくつかの実施形態において、セラミック粉末の層は、ローラ１２０のような装置によって、又はその他の適当な方法によって堆積させられる。いくつかの実施形態において、ステップ６０５において堆積させられるセラミック粉末は、先に説明されたセラミック粉末１２５であってもよい。いくつかの実施形態において、セラミック粉末は、上記のコンテナ１６０のようなコンテナ内に堆積させられてもよい。ステップ６１０において、セラミック前駆体ポリマーの層が、ステップ６０５において堆積させられたセラミック粉末の層の上に、所望の物体の断面の形状に、堆積させられる。いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマーは、ステップ６１０において、プリントヘッド１１０又はその他の適切な装置によって堆積させられる。いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマーは、上記のセラミック前駆体ポリマー１１５である。ステップ６１０においてセラミック前駆体ポリマーを堆積させた後に、方法６００のいくつかの実施形態は、セラミック前駆体ポリマー内の溶媒を蒸発させるために、休止してもよい。

ステップ６２０において、物体を形成するために必要なセラミック前駆体ポリマーの全ての層が堆積させられていなければ、３−Ｄプリンタ１００は、印刷されるべき次の断面を選択し、ステップ６０５に戻る。ステップ６０５において、セラミック粉末の新たな層が堆積させられる。ステップ６１０において、セラミック前駆体ポリマー１１５は、物体の次の断面の形状に堆積させられる。全ての断面が印刷された場合に、方法６００はステップ６４０に進む。

ステップ６４０において、印刷されたセラミック粉末及びセラミック前駆体ポリマーは、セラミック前駆体ポリマーの分解温度又はそれ以上で加熱される。この温度において、セラミック前駆体ポリマーは、反応してセラミックを形成することができ、セラミック粉末に結合することができる。いくつかの実施形態において、ステップ６４０は、上述されたように不活性雰囲気内で行われる。具体的な実施形態において、光学的な光熱分解もまた、セラミック前駆体ポリマーの各々の全ての印刷された層を“曝露する”又は熱分解するために使用され得る。上記の実施形態においては、各々の光熱分解曝露の間に、最終製品が層ごとにダイヤモンド状炭素及び／又はダイヤモンドに変換されるため、最終製品を焼く（ベークする）必要はないかも知れない。

ステップ６４０における加熱の後に、方法６００のいくつかの実施形態は、ステップ６５０に進む。ステップ６５０において、セラミック前駆体ポリマーに接触していない過剰なセラミック粉末が取り除かれる。いくつかの実施形態において、過剰な粉末は、機械的に（例えば、３−Ｄプリンタ１００によって）取り除かれてもよく、又は手で取り除かれてもよい。いくつかの実施形態において、過剰なセラミック粉末は、リサイクルされるか又は処分される。

印刷、加熱及び過剰なセラミック粉末の除去の後に、物体は、使用のために物体を準備するための追加的な処理ステップを受けてもよい。印刷後の処理の例は、物体を塗装すること、物体を磨くこと、表面を化学的に不活性にするため又は表面を化学的に活性にするために物体の表面を処理すること、及び複数の印刷された物体からの他の物体又は装置の組立て、を含んでもよい。

図７は、ある実施形態による回路基板７００の一つの例示的な実施形態を示し、その回路基板はプリント配線板（ＰＷＢ）とも呼ばれ、３−Ｄプリンタ１００を使用して印刷され得る。回路基板７００は、付着パッド（attachment pad）７２０、複数の相互接続部７２１（“管（tubes）”）、複数の相互接続部終端７２２、複数の管開口部７３１、複数のフィン７４０及びキャパシタ７５１を含む。付着パッド７２０は、一つ以上の相互接続部終端７２２のパターンを含んでもよく、電子デバイス、例えばキャパシタ、抵抗、コンピュータチップ、プロセッサ、メモリチップ、又は回路基板７００に結合する他の適切なデバイスのための付着点としての機能を果たしてもよい。

相互接続部７２１は、相互接続部終端７２２に取り付けられた複数の電子デバイスの間で信号を伝えることができる。具体的な実施形態において、相互接続部７２１は、電気信号又は電力を伝えることができる。他の実施形態において、相互接続部７２１は、図１１Ａ−図１１Ｃを参照して以下により詳細に説明されるように、光源によって（by light）送られた信号を伝える可視光線導波路又は赤外線導波路であってもよい。相互接続部終端７２２は、回路基板７００にマウントされ得るコンピュータチップの接点のための付着点を与えてもよい。管開口部７３１は、相互接続部７２１内の圧力を周囲の環境と等しくさせるように、大気に対して開いていてもよい。いくつかの実施形態において、いくつかの相互接続部７２１は管開口部７３１を有してもよく、いくつかの相互接続部７２１は管開口部７３１を有しなくてもよい。フィン７４０は、回路基板７００から熱を奪うように熱を伝導し、回路基板７００又は回路基板７００に取り付けられた部品によって生成された熱を周囲の環境へ運ぶように機能する。キャパシタ７５１は、回路基板７００の生産中に回路基板７００内に形成されたキャパシタであってもよい。キャパシタ７５１は、７，０００Ｖ／ミクロンのダイヤモンドの高い誘電率を利用することができる。

概して、回路基板７００は、コンピュータチップのような電子デバイスが取り付けられるコンピュータ回路基板である。回路基板７００は、多結晶ダイヤモンドで実質的に構成されてもよい。いくつかの実施形態において、多結晶ダイヤモンドは、六方晶多結晶ダイヤモンドであってもよい。回路基板７００は、図６に関して上述した方法に従い、３−Ｄプリンタ１００によって印刷されてもよい。ある実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、ナノ粒子充填剤の使用をせずに、セラミック前駆体ポリマー１１５の複数の層を堆積させることによって、回路基板７００を印刷してもよい。

図８は、ある実施形態による、回路基板７００の一つの例示的な断面８００を示す。断面８００は、回路基板７００の印刷において３−Ｄプリンタ１００によって印刷される層の代表であり得る。

具体的な実施形態において、相互接続部７２１は、電気を通すことが可能であってもよい。電気を通す相互接続部７２１は、例えば図９に示される形状のような、如何なる形状の管であってもよい。これらの管は、実質的に中空であってもよく、また、内部支持構造（internal support structures）を含む様々な内側の形状を有してもよい。電気を通す相互接続部７２１の内側の表面（inner surface）は、グラフェンの層で構成されてもよい。いくつかの実施形態において、電気を通す相互接続部７２１の内側の表面は、グラフェンの層が二つの多結晶ダイヤモンド層の間で“挟まれる（sandwiched）”ように、グラフェンの層を覆う多結晶ダイヤモンドの層で構成されてもよい。グラフェン層は、相互接続部７２１を通して電気を通すことができる。ある実施形態において、グラフェンは、それが二つの多結晶ダイヤモンド層の間で“挟まれる”場合に、より効率的に電気を通すことができる。多結晶ダイヤモンド層は、フォノン（phonons）をグラフェン層内に拘束するように機能してもよい。

具体的な実施形態において、相互接続部７２１は、一つ以上の管開口部７３１を有してもよい。管開口部７３１は、大気又は回路基板７００が使用されるその他の環境（例えば、宇宙空間内又は水中）に対して開いていてもよい。管開口部７３１は、相互接続部７２１内の圧力を外側の環境と等しくさせることができる。圧力の同等化は、圧力が変化し得る環境下で回路基板が使用されたとしても、回路基板７００への損傷を防ぎ得る。例えば、回路基板７００が航空機に搭載されて使用されたとしても、管開口部７３１は、相互接続部７２１の内側の圧力をその航空機の硬度の圧力に等しくさせることができる。具体的な実施形態において、相互接続部７２１は、如何なる電気的なデバイスにも接続しなくてもよく、代わりに冷却液が循環させられ得る冷却通路としての機能を果たしてもよい。これらの実施形態において、管開口部７３１は、冷却液が回路基板７００を出入りし得る点を提供してもよい。

相互接続部７２１は、終端７２２において回路基板７００の表面に終端を有してもよい。終端７２２は、付着パッド７２０内に配列されてもよい。付着パッド７２０は、電子デバイスのための回路基板７００への付着点としての機能を果たしてもよい。具体的な実施形態において、例えば、付着パッド７２０は、ボール・グリッド・アレイの形状であってもよい。その付着パッドの形状は、標準的なボール・グリッド・アレイ接点を使用した電子デバイスの取り付けを可能にする。他の実施形態において、付着パッド７２０は、グラフェン接続点（例えば、電気伝導性のとげ状部（setae））を有する電子デバイスからの接続を受けることが可能な相互接続部終端７２２で作られてもよい。グラフェン接続点（graphene connection points）は、相互接続部終端７２２と直接的に相互作用（interface）することが可能である。

いくつかの実施形態において、付着パッド７２０は、付着パッド７２０に取り付けられる電子デバイスが回路基板７００の表面に対して同一平面にマウントされることができるように、回路基板７００の表面内に埋め込まれ（countersunk）てもよい。埋め込まれた付着パッド７２０は、複数の回路基板７００が互いに隣接して積み重ねられることを可能にし得る。隣接して積み重ねられた回路基板７００は相互接続部７２１によって接続されてもよく、相互接続部７２１は、回路基板７００を鉛直方向に通過するように設けられてもよい。

いくつかの実施形態において、相互接続部７２１は、一つ以上のキャパシタ７５１を含んでもよい。そのキャパシタ７５１は、二つの隣接する相互接続部７２１によって形成されてもよい。その二つの隣接する相互接続部７２１は、回路基板７００内に終端を有し、多結晶ダイヤモンドの層によって隔てられる。その多結晶ダイヤモンドの層は、管７２１の内側の表面を形成するグラフェンの層の間の誘電層として働いてもよい。相互接続部７２１は、様々な形状で回路基板７００内に終端を有し、それにより、複数の相互接続部７２１の間の多結晶ダイヤモンドの領域に影響を有してもよい。複数のグラフェンの層の間において誘電性（dielectric）の多結晶ダイヤモンドの領域は、キャパシタ７５１の電気容量（capacitance）を少なくとも部分的に決定し得る。

ある実施形態において、フィン７４０は、回路基板７００の表面上に形成されてもよい。具体的な実施形態において、フィン７４０は、回路基板７００の多結晶ダイヤモンド構造の一部であってもよい。フィン７４０は、回路基板７００から熱を奪うように、回路基板７００によって又は回路基板７００上に取り付けられた電子デバイスによって生成された熱を伝導することができる。フィン７４０は、回路基板７００からの所望の熱伝達を達成するために適切であるように、様々な形状で、回路基板７００の如何なる面の上に配列されてもよい。

図９は、ある実施形態による、相互接続部７２１の複数の例示的な形状（geometry）を示す。相互接続部７２１の可能性のある形状は、円形の形状９１０（例えば、円又は楕円）、多角形の形状９２０（例えば、三角形、四角形、長方形、五角形、六角形、七角形、八角形等のような任意のｎ個の面を有する（n-sided）多角形）、星形の形状９３０、フラクタル形状（図示なし）、又は内部支持構造９４５を有する形状９４０を含み得る。支持構造９４５は、相互接続部７２１の如何なる形状においても利用されることができ、相互接続部７２１を支持するように働き得る多結晶ダイヤモンドを含んでもよい。支持構造９４５はまた、相互接続部７２１の内側の表面積を増大させ得る。支持構造９４５は、３−Ｄプリンタ１００による回路基板７００の印刷の間にポリ（ヒドリドカルビン）から印刷されることでき、印刷プロセスの間、相互接続部７２１を支持することができる。相互接続部７２１の表面は、グラフェンの層９１２で構成されてもよい。ある実施形態において、グラフェンの層９１２は、支持構造９４５の表面上にも存在してもよい。図９は相互接続部７２１及び支持構造９４５の例示的な形状を示すが、如何なる適切な形状であっても使用され得る。

図１０は、ある実施形態による、回路基板７００を印刷するための例示的な方法１０００を示す。方法１０００はステップ１０１０で開始し、ステップ１０１０では、セラミック前駆体ポリマーの層が回路基板７００の形状を有して堆積させられる。いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマーは、図６に示される方法によって堆積させられてもよい。しかしながら、具体的な実施形態において、セラミック前駆体ポリマーは、セラミック粉末の使用をせずに堆積させられてもよい。電気伝導性の相互接続部として又は冷媒管として機能し得る管を形成するために、堆積させられるセラミック前駆体ポリマーの各層は、その層における管の形状に対応して、セラミック前駆体ポリマーが堆積させられない領域を有してもよい。多結晶ダイヤモンドで構成される回路基板を印刷するために、ポリ（ヒドリドカルビン）がセラミック前駆体ポリマーとして使用されてもよい。

ステップ１０２０において、回路基板７００の形状に印刷されたセラミック前駆体ポリマーは、セラミック前駆体ポリマーの分解温度に加熱されてもよい。例えば、加熱は、約摂氏１００度と約摂氏８００度との間である、分解温度で行われてもよい。例えば、加熱は、少なくとも摂氏１００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％であるが、摂氏８００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％よりも低い温度で、行われてもよい。セラミック粉末の使用をせずに回路基板７００が印刷される一つの実施形態において、回路基板７００の損傷を防止するために、回路基板７００の加熱はゆっくりとした温度勾配を使用して達成されてもよい。例えば、温度は、１時間当たり摂氏０．１度から摂氏１．０度の間で上昇させられてもよい。いくつかの実施形態において、セラミック前駆体ポリマーの加熱は、不活性雰囲気内で行われてもよい。加熱は、セラミック前駆体ポリマーを分解させる。ポリ（ヒドリドカルビン）は、分解して、六方晶多結晶ダイヤモンドを形成し得る。また、ポリ（メチルシリン）は、分解して、シリコンカーバイドを形成し得る。具体的な実施形態において、光学的な光熱分解もまた、セラミック前駆体ポリマーの各々の全ての印刷された層を“曝露する”又は熱分解するために使用され得る。上記の実施形態においては、各々の光熱分解曝露の間に、最終製品が層ごとにダイヤモンド状炭素及び／又はダイヤモンドに変換されるため、最終製品を焼く（ベークする）必要はないかも知れない。

ステップ１０３０において、回路基板７００は、セラミック前駆体ポリマーの分解温度よりも高い第二の温度に加熱されてもよい。例えば、加熱は、約摂氏９００度の温度で行われてもよい。例えば、加熱は、少なくとも摂氏９００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％の温度で行われてもよい。この温度において、多結晶ダイヤモンドは加熱分解（thermolyze）することがき、また、ステップ１０２０において形成された回路基板７００の多結晶ダイヤモンド又はシリコンカーバイド部分の表面上に、グラフェンがエピタキシャルに（epitaxially）生じることができる。例えば、グラフェンは、回路基板７００内に印刷された如何なる相互接続部７２１の内側の表面上にも生じ得る。グラフェン層は、相互接続部７２１が電気を通すことを可能にし得る。

いくつかの実施形態において、グラフェンは、ステップ１０３０において、形成された回路基板７００の外側の表面上に生じ得る。上記の実施形態において、回路基板７００の外側の表面上のグラフェンは、ステップ１０３０の後に磨いて取り去られ（polished away）てもよい。他の実施形態において、ステップ１０３０における加熱の前に、回路基板７００の外側の表面がカーバイド形成金属に覆われてもよい。カーバイド形成金属被覆（coating）は、金属炭化物層を形成することができ、その金属炭化物層は、回路基板７００の表面上のグラフェンの形成を阻害する。

ステップ１０３０において形成されたグラフェン層を多結晶ダイヤモンドで覆うことが望まれる場合は、次いで、ステップ１０４０において、回路基板７００内に印刷された相互接続部７２１は、例えばポリ（ヒドリドカルビン）のような、適切な物質でフラッシングされ（flushed）でもよい。グラフェン層を多結晶ダイヤモンドで覆うことは、フォノン閉じ込め（confinement）をもたらし、グラフェン層の電気伝導率を向上させ得る。グラフェン層を多結晶ダイヤモンドの層で覆うことが望まれない場合は、そのとき、方法１０００は終了してもよい。ステップ１０４０において回路基板７００内の相互接続部７２１をポリ（ヒドリドカルビン）でフラッシングすることは、相互接続部７２１の内側の表面をポリ（ヒドリドカルビン）で被覆することに結果し得る。ステップ１０５０において、ステップ１０２０で使用された温度とおおよそ等しい温度に回路基板７００を加熱することによって、ポリ（ヒドリドカルビン）は、多結晶ダイヤモンドに変換され得る。例えば、加熱は、少なくとも摂氏１００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％であるが、摂氏８００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％よりも低い温度で、行われてもよい。いくつかの実施形態において、ステップ１０５０における加熱は、不活性雰囲気内で行われてもよい。ステップ１０５０における加熱は、ポリ（ヒドリドカルビン）を分解させ、それにより、回路基板７００内に形成された相互接続部７２１の内側の表面上のグラフェン層を覆う多結晶ダイヤモンドを形成することができる。

図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、ある実施形態による、光導波路（optical wave guide）１１００の例示的な断面を示す。光導波路１１００は、一つ以上の相互接続部７２１を含んでもよく、回路基板７００上の複数の終端７２２の間で光を伝える。光導波路１１００は、シリコンカーバイド１１６０によって囲まれた多結晶ダイヤモンドの中心部（core）１１５０を有してもよい。多結晶ダイヤモンドの中心部１１５０は、光導波路１１００の長さ方向に沿って光を伝え得る。いくつかの実施形態において、多結晶ダイヤモンドの中心部１１５０は、およそ２．４１９の屈折率を有してもよく、シリコンカーバイドは、およそ２．６９の屈折率を有してもよい。

図１１Ａは、光導波路１１００が光を伝える方向を横断する、加熱の前及び後の、光導波路１１００の一つの例示的な断面を示す。３−Ｄプリンタ１００は、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）を堆積させて、ポリ（メチルシリン）５６０によって囲まれたポリ（ヒドリドカルビン）５５０の中心部を備える構造を形成することによって、光導波路１１００を印刷することができる。いくつかの実施形態において、３−Ｄプリンタ１００は、ポリ（メチルシリン）５６０の層を堆積させ、続いてポリ（ヒドリドカルビン）５５０に隣接しかつポリ（ヒドリドカルビン）５５０の両側に配置されたポリ（メチルシリン）５６０の層を堆積させ、そして続いて印刷されたポリ（ヒドリドカルビン）５５０の長さを密閉するようにポリ（メチルシリン）５６０の層を堆積させてもよい。光導波路１１００を含む回路基板７００は、ポリ（ヒドリドカルビン）５５０を多結晶ダイヤモンド（すなわち、多結晶ダイヤモンドの中心部１１５０）に変換し、ポリ（メチルシリン）５６０をシリコンカーバイド（すなわち、シリコンカーバイド１１６０）に変換するために、ポリ（ヒドリドカルビン）５５０及びポリ（メチルシリン）５６０の分解温度に加熱されてもよい。例えば、例えば、加熱は、約摂氏１００度と約摂氏８００度との間である、分解温度で行われてもよい。例えば、加熱は、少なくとも摂氏１００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％であるが、摂氏８００度、プラス若しくはマイナス０％−１％、１％−５％、５％−１０％又は１０％−２０％よりも低い温度で、行われてもよい。いくつかの実施形態において、加熱は、不活性雰囲気内で行われてもよい。

図１１Ｂは、光導波路１１００が光を伝える方向を横断する、多結晶ダイヤモンド１１５０で構成された回路基板７００内の、光導波路１１００の一つの例示的な断面を示す。光導波路１１００は、回路基板７００を形成する多結晶ダイヤモンドによって囲まれてもよい。図１１Ｂは、多結晶ダイヤモンド１１５０の層及びシリコンカーバイド１１６０の層を示す。これらの層は、ポリ（ヒドリドカルビン）の印刷された層及びポリ（メチルシリン）の印刷された層にそれぞれ対応してもよい。いくつかの実施形態において、ポリ（ヒドリドカルビン）の印刷された層及びポリ（メチルシリン）の印刷された層は、多結晶ダイヤモンド１１５０及びシリコンカーバイド１１６０への変換の後に、印刷された複数の層の間に明らかな境界を有しない多結晶ダイヤモンド１１５０とシリコンカーバイド１１６０との連続構造を形成して、区別不可能になり得る。いくつかの実施形態において、多結晶ダイヤモンドの中心部１１５０及びシリコンカーバイドの断面は、例えば、円形の形状（例えば、円又は楕円）、多角形の形状（例えば、三角形、四角形、長方形、五角形、六角形、七角形、八角形等のような任意のｎ個の面を有する多角形）、星形の形状又はフラクタル形状のような、如何なる適切な形状を有してもよい。

図１１Ｃは、光導波路１１００が光を伝える方向に沿った、多結晶ダイヤモンド１１５０で構成された回路基板７００内の、光導波路１１００の一つの例示的な断面を示す。光導波路１１００は、相互接続部終端７２２を含んでもよい。いくつかの実施形態において、相互接続部終端７２２は、多結晶ダイヤモンド又はシリコンカーバイドで形成されたレンズ（気のフォーム又は回折レンズ）であってもよい。終端７２２は、光導波路１１００を通り抜けて伝えられた光を、コンピュータチップのような回路基板７００にマウントされた電子デバイスに伝えるように又は回路基板７００から他のＰＷＢに伝えるように機能してもよい。具体的な実施形態において、終端７２２は、積み重ねられた複数のＰＷＢ（ＰＷＢｓ）のアレイを通して回路基板７００から他のＰＷＢに光を伝え、ＰＷＢｓ間の光データバスを形成することができる。具体的な実施形態において、複数の光導波路１１００及び複数の電気伝導性の相互接続部が、回路基板７００のあらゆる場所に配列されてもよい。

図１２Ａ及び図１２Ｂは、ある実施形態による、回路基板７００のような多結晶ダイヤモンドＰＷＢ内で光導波路を印刷するための、例示的な方法１２００及び１２１０を示す。方法１２００はステップ１２１０で開始し、ステップ１２１０では、ポリ（メチルシリン）によって囲まれたポリ（ヒドリドカルビン）の中心部の形状を形成するように、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の層が堆積させられてもよい。ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の層は、光導波路を形成するポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の層が、回路基板を形成するポリ（ヒドリドカルビン）の層内で“ケースに入れられ（encased）”得るように、印刷中に回路基板の残りの部分を形成するポリ（ヒドリドカルビン）の層に沿って堆積させられてもよい。

図１２Ｂは、回路基板内で光導波路の水平方向の長さを印刷するための、方法１２００のうちのステップ１２１０の一つの実施例を示す。図１２Ｂによって示される複数のステップは、光導波路の他の形状、例えば鉛直方向の長さ、屈曲した長さ又は湾曲した長さを印刷することに適応するために、適切に変更されてもよい。光導波路の水平方向の長さを印刷するためのステップ１２１０はステップ１２１１で開始し、ステップ１２１１では、ポリ（メチルシリン）の層が、光導波路の水平方向の長さに沿って堆積させられてもよい。次にステップ１２１２において、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の層が、ステップ１２１１で堆積させられたポリ（メチルシリン）の層の上面の上に印刷される。ステップ１２１２において、ポリ（メチルシリン）が、堆積させられるポリ（ヒドリドカルビン）に隣接してかつポリ（ヒドリドカルビン）の両側に堆積させられるように、堆積させられるポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の層は配列されてもよい。ステップ１２１３において、ポリ（メチルシリン）の層は、ステップ１２１２において堆積させられたポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の層の上面の上に堆積させられてもよい。ステップ１２１３の後に、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の追加的な層が、堆積させられてもよい。例えば、追加的な層は、回路基板の表面に光導波路の終端を設けるために必要とされ得る。印刷された回路基板内に光導波路を形成するために必要な全ての層を堆積させた後に、方法１２００はステップ１２２０に続いてもよい。

ステップ１２２０において、ポリ（ヒドリドカルビン）の層は、光導波路の終端において回路基板の表面上に堆積させられてもよい。具体的な実施形態において、ポリ（ヒドリドカルビン）の層は、レンズの形状に堆積させられてもよい。ステップ１２３０において、回路基板は、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）を多結晶ダイヤモンド及びシリコンカーバイドにそれぞれ変換するために、ポリ（ヒドリドカルビン）及びポリ（メチルシリン）の分解温度に加熱されてもよい。具体的な実施形態において、光学的な光熱分解もまた、セラミック前駆体ポリマーの各々の全ての印刷された層を“曝露する”又は熱分解するために使用され得る。上記の実施形態においては、各々の光熱分解曝露の間に、最終製品が層ごとにダイヤモンド状炭素及び／又はダイヤモンドに変換されるため、最終製品を焼く（ベークする）必要はないかも知れない。

図１３は、一つの例示的なコンピュータシステム１３００を示す。コンピュータシステム１３００は、図１のコンピュータシステム１５０によって利用され得る。具体的な実施形態において、一つ以上のコンピュータシステム１３００は、本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。具体的な実施形態において、一つ以上のコンピュータシステム１３００は、本明細書において記述及び説明される機能性を提供する。具体的な実施形態において、一つ以上のコンピュータシステム１３００上で作動（run）するソフトウェアが、本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行するか、又は本明細書において記述及び説明される機能性を提供する。具体的な実施形態は、一つ以上のコンピュータシステム１３００の一つ以上の部分を含む。本明細書において、適切な場合は、コンピュータシステムへの参照はコンピューティングデバイスを包含してもよく、その逆も同様である。

本開示は、如何なる適切な数のコンピュータシステム１３００であっても予期する。本開示は、コンピュータシステム１３００が如何なる適切な物理的な形をとることも予期する。例としてまた限定のためではなく、コンピュータシステム１３００は、埋め込み型コンピュータシステム、システムオンチップ（ＳＯＣ）、シングルボードコンピュータシステム（ＳＢＣ）（例えば、コンピュータオンモジュール（ＣＯＭ）又はシステムオンモジュール（ＳＯＭ））、デスクトップコンピュータシステム、ラップトップ若しくはノートブックコンピュータシステム、インタラクティブキオスク（interactive kiosk）、メインフレーム、コンピュータシステムのメッシュ、携帯電話、携帯情報端末（personal digital assistant）（ＰＤＡ）、サーバ、タブレット型コンピュータシステム又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせであってもよい。適切な場合には、コンピュータシステム１３００は、単一の又は分散型の、複数の位置に広がり、複数の機械を結ぶ、複数のデータセンタを結ぶ、又はクラウドに存在する、一つ以上のコンピュータシステム１３００を含んでもよい。クラウドは、一つ以上のネットワークに一つ以上のクラウドコンポーネントを含んでもよい。適切な場合には、一つ以上のコンピュータシステム１３００は、実質的な空間的又は時間的制限なく、本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。一つの実施例としてかつ限定の目的としてではなく、一つ以上のコンピュータシステム７００は、リアルタイムで又は一括方式（バッチモード）で本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。適切な場合には、一つ以上のコンピュータシステム１３００は、異なる時間又は異なる位置で本明細書において記述及び説明される一つ以上の方法の一つ以上のステップを実行してもよい。

具体的な実施形態において、コンピュータシステム１３００は、プロセッサ１３０２、記憶装置（memory）１３０４、補助記憶装置（storage）１３０６、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェイス１３０８、通信インターフェイス１３１０及びバス１３１２を含む。本開示は、特定の配列で特定の数の特定の構成要素を有する、特定のコンピュータシステムを記述し説明するが、本開示は、如何なる配列で如何なる数の如何なる適切な構成要素を有する、如何なる適切なコンピュータシステムであっても予期する。

具体的な実施形態において、プロセッサ１３０２は、コンピュータプログラムを作り上げる命令のような、命令（instructions）を実行するためのハードウェアを含む。一つの実施例としてまた限定のためではなく、命令を実行するために、プロセッサ１３０２は、内部レジスタ、内部キャッシュ、記憶装置１３０４又は補助記憶装置１３０６から命令を取り出し（retrieve）（又はフェッチ（fetch）し）、それらを復号（デコード）及び実行し、次いで一つ以上の結果を内部レジスタ、内部キャッシュ、記憶装置１３０４又は補助記憶装置１３０６に書き込んでもよい。具体的な実施形態において、プロセッサ１３０２は、データ、命令又はアドレスのための一つ以上の内部キャッシュを含んでもよい。本開示は、適切な場合には、如何なる適切な数の如何なる適切な内部キャッシュを含むプロセッサ１３０２であっても予期する。一つの実施例としてまた限定のためではなく、プロセッサ１３０２は、一つ以上の命令キャッシュ、一つ以上のデータキャッシュ及び一つ以上の変換索引バッファ（ＴＬＢｓ）を含んでもよい。命令キャッシュ内の命令は記憶装置１３０４又は補助記憶装置１３０６内の命令のコピーであってもよく、命令キャッシュはプロセッサ１３０２によるそれらの命令の取り出しを速めることができる。データキャッシュ内のデータは、影響を与えるための、プロセッサ１３０２で実行している命令に関する、記憶装置１３０４又は補助記憶装置１３０６内のデータのコピーであってもよく、プロセッサ１３０２での引き続く命令実行によってアクセスされるための、プロセッサ１３０２で実行された以前の命令の結果であってもよい。データキャッシュは、プロセッサ１３０２による読み込み及び書き込み動作を速めることができる。ＴＬＢｓは、プロセッサ１３０２についての仮想アドレス変換を速めることができる。具体的な実施形態において、プロセッサ１３０２は、データ、命令又はアドレスのための一つ以上の内部レジスタを含んでもよい。本開示は、適切な場合には、如何なる適切な数の如何なる適切な内部レジスタを含むプロセッサ１３０２であっても予期する。適切な場合には、プロセッサ１３０２は、一つ以上の演算論理ユニット（ＡＬＵｓ）を含んでもよく、マルチコアプロセッサであるか又は一つ以上のプロセッサ１３０２を含んでもよい。本開示は特定のプロセッサを記述及び説明したが、本開示は如何なる適切なプロセッサであっても予期する。

具体的な実施形態において、記憶装置１３０４は、プロセッサ１３０２で実行するため又はプロセッサ１３０２が影響を与える（operate on）ための命令を保存するための主記憶装置を含む。一つの実施例としてまた限定のためではなく、コンピュータシステム１３００は、補助記憶装置１３０６又は他のソース（例えば、他のコンピュータシステム１３００）から記憶装置１３０４へ命令をロードしてもよい。プロセッサ１３０２は、次いで、命令を記憶装置１３０３から内部レジスタ又は内部キャッシュへロードしてもよい。命令を実行するために、プロセッサ１３０２は、内部レジスタ又は内部キャッシュから命令を取り出し、それらをデコードする。命令の実行中又は実行後に、プロセッサ１３０２は、一つ以上の結果（それらは中間結果又は最終結果であり得る）を内部レジスタ又は内部キャッシュに書き込んでもよい。プロセッサ１３０２は、次いで、それらの結果のうちの一つ以上を記憶装置１３０４に書き込んでもよい。具体的な実施形態において、プロセッサ１３０２は、（補助記憶装置１３０６又は他の場所とは対照的に）一つ以上の内部レジスタ又は内部キャッシュ内又は記憶装置１３０４内の命令のみを実行し、（補助記憶装置１３０６又は他の場所とは対照的に）一つ以上の内部レジスタ又は内部キャッシュ内又は記憶装置１３０４内のデータにのみ影響を及ぼす。一つ以上の記憶装置バス（各々がアドレスバス及びデータバスを含み得る）は、プロセッサ１３０２を記憶装置１３０４に結合させることができる。バス１３１２は、後述するような、一つ以上の記憶装置バスを含んでもよい。具体的な実施形態において、一つ以上の記憶装置管理ユニット（ＭＭＵｓ）が、プロセッサ１３０２と記憶装置１３０４との間に存在し、プロセッサ１３０２によって要求される（requested）記憶装置１３０４へのアクセスを容易にする。具体的な実施形態において、記憶装置１３０４は、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）を含む。このＲＡＭは、適切な場合には、揮発性メモリであってもよい。適切な場合には、このＲＡＭは、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）又はスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）であってもよい。その上に、適切な場合には、このＲＡＭは、シングルポートＲＡＭ又はマルチポートＲＡＭであってもよい。本開示は、如何なる適切なＲＡＭであっても予期する。記憶装置１３０４は、一つ以上の記憶装置１３０４を含んでもよい。本開示は特定の記憶装置を記述及び説明したが、本開示は如何なる適切なＲＡＭであっても予期する。

具体的な実施形態において、補助記憶装置１３０６は、データ又は命令のための大容量記憶装置を含む。一つの実施例としてまた限定のためではなく、補助記憶装置１３０６は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、フロッピー（登録商標）ディスクドライブ、フラッシュメモリ、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ又はユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）ドライブ又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせを含んでもよい。適切な場合には、補助記憶装置１３０６は、取り外し可能な媒体又は取り外し可能な（若しくは固定された）媒体を含んでもよい。適切な場合には、補助記憶装置１３０６は、コンピュータシステム１３００の内部又は外部にあってもよい。具体的な実施形態において、補助記憶装置１３０６は、不揮発性の固体メモリであってもよい。具体的な実施形態において、補助記憶装置１３０６は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含んでもよい。適切な場合には、このＲＯＭは、マスクプログラムドＲＯＭ、プログラム可能型ＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、消去可能型ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能型ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、電気的可変ＲＯＭ（ＥＡＲＯＭ）又はフラッシュメモリ又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせであってもよい。本開示は、如何なる適切な物理的な形をとる大容量記憶装置１３０６であっても予期する。適切な場合には、補助記憶装置１３０６は、一つ以上の補助記憶装置制御ユニットを含んで、プロセッサ１３０２と補助記憶装置１３０６との間の通信を容易にしてもよい。適切な場合には、補助記憶装置１３０６は、一つ以上の補助記憶装置１３０６を含んでもよい。本開示は特定の補助記憶装置を記述し説明したが、本開示は如何なる適切な補助記憶装置であっても予期する。

具体的な実施形態において、Ｉ／Ｏインターフェイス１３０８は、ハードウェア、ソフトウェア又は両方を含み、コンピュータシステム１３００と一つ以上のＩ／Ｏ装置（device）との間の一つ以上のインターフェイスを提供する。適切な場合には、コンピュータシステム１３００は、これらのＩ／Ｏ装置のうちの一つ以上を含んでもよい。これらのＩ／Ｏ装置のうちの一つ以上は、人とコンピュータシステム１３００との間の通信を可能にし得る。

一つの実施例としてまた限定のためではなく、Ｉ／Ｏ装置は、キーボード、キーパッド、マイクロホン、モニタ、マウス、プリンタ、スキャナ、スピーカー、静止カメラ（スチルカメラ）、スタイラス、タブレット、タッチスクリーン、トラックボール、ビデオカメラ、その他の適切なＩ／Ｏ装置又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせを含んでもよい。Ｉ／Ｏ装置は、一つ以上のセンサを含んでもよい。本開示は、如何なる適切なＩ／Ｏ装置及びそれらのための如何なる適切なＩ／Ｏインターフェイス１３０８であっても予期する。適切な場合には、Ｉ／Ｏインターフェイス１３０８は、プロセッサ１３０２がこれらのＩ／Ｏ装置のうちの一つ以上を駆動できるようにする、一つ以上の装置又はソフトウェアドライバを含んでもよい。適切な場合には、Ｉ／Ｏインターフェイス１３０８は、一つ以上のＩ／Ｏインターフェイス１３０８を含んでもよい。本開示は特定のＩ／Ｏインターフェイスを記述及び説明したが、本開示は、如何なる適切なＩ／Ｏインターフェイスであっても予期する。

具体的な実施形態において、通信インターフェイス１３１０は、ハードウェア、ソフトウェア又は両方を含み、コンピュータシステム１３００と一つ以上の他のコンピュータシステム１３００又は一つ以上のネットワークとの間の通信（例えば、パケットに基づく通信）のための一つ以上のインターフェイスを提供する。一つの実施例としてまた限定のためではなく、通信インターフェイス１３１０は、イーサネット（登録商標）（Ethernet（登録商標））若しくは他の有線ネットワークと通信するためのネットワークインターフェイスコントローラ（ＮＩＣ）若しくはネットワークアダプタ、又は、ＷＩ−ＦＩネットワークのような無線ネットワークと通信するための無線ＮＩＣ（ＷＮＩＣ）若しくは無線アダプタを含んでもよい。本開示は、如何なる適切なネットワーク及びそのための如何なる適切な通信インターフェイスであっても予期する。一つの実施例としてまた限定のためではなく、コンピュータシステム１３００は、アドホックネットワーク、パーソナル・エリア・ネットワーク（ＰＡＮ）、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）、メトロポリタン・エリア・ネットワーク（ＭＡＮ）又はインターネットの一以上の部分又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせと通信してもよい。これらのネットワークのうちの一つ以上の一つ以上の部分は、有線でも無線でもよい。一つの実施例として、コンピュータシステム１３００は、無線ＰＡＮ（ＷＰＡＮ）（例えば、ブルートゥース（ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標））ＷＰＡＮ、ＷＩ−ＦＩネットワーク、ＷＩ−ＭＡＸネットワーク、携帯電話ネットワーク（例えば、グローバル・システム・フォー・モバイル・コミュニケーションズ（ＧＳＭ（登録商標））ネットワーク）又は他の適切な無線ネットワーク又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせ）と通信してもよい。適切な場合には、コンピュータシステム１３００は、これらのネットワークのいずれかのための、如何なる適切な通信インターフェイス１３１０を含んでもよい。適切な場合には、通信インターフェイス１３１０は、一つ以上の通信インターフェイス１３１０を含んでもよい。本開示は特定の通信インターフェイスを記述及び説明したが、本開示は、如何なる適切な通信インターフェイスであっても予期する。

具体的な実施形態において、バス１３１２は、コンピュータシステム１３００の複数の構成要素を互いに結合する、ハードウェア、ソフトウェア又は両方を含む。一つの実施例としてまた限定のためではなく、バス１３１２は、アクセラレイティッド・グラフィックス・ポート（ＡＧＰ）若しくは他のグラフィクスバス、エンハンスト・インダストリ・スタンダード・アーキテクチャ（ＥＩＳＡ）バス、フロントサイドバス（ＦＳＢ）、ハイパートランスポート（ＨＴ）相互接続、インダストリ・スタンダード・アーキテクチャ（ＩＳＡ）バス、インフィニバンド（ＩＮＦＩＮＩＢＡＮＤ）相互接続、ロー・ピン・カウント（ＬＰＣ）バス、メモリバス、マイクロ・チャネル・アーキテクチャ（ＭＣＡ）バス、周辺コンポーネント相互接続（ＰＣＩ）バス、ＰＣＩ−エクスプレス（ＰＣＩｅ）バス、シリアル・アドバンスト・テクノロジー・アタッチメント（ＳＡＴＡ）バス、ビデオ・エレクトロニクス・スタンダーズ・アソシエーション・ローカル（ＶＬＢ）バス又は他の適切なバス又はこれらのうちの二つ以上の組み合わせを含んでもよい。適切な場合には、バス１３１２は、一つ以上のバス１３１２を含んでもよい。本開示は特定のバスを記述及び説明したが、本開示は、如何なる適切なバス又は相互接続であっても予期する。

コンピュータシステム１３００の構成要素は、統合されていても、分離していてもよい。いくつかの実施形態において、コンピュータシステム１３００の構成要素は、それぞれ単一の筐体内に収容されてもよい。コンピュータシステム１３００の動作は、より多く、より少ない又は他の構成要素によって実行されてもよい。加えて、コンピュータシステム１３００の動作は、如何なる適切な論理回路（logic）を使用して実行されてもよく、論理回路は、ソフトウェア、ハードウェア、他のロジック又は前述のものの如何なる適切な組み合わせであってもよい。

本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において記述された方法に変更、追加又は省略がなされ得る。例えば、適切な場合には、複数のステップは、同時に行われ、変更され又は削除されてもよく、追加的なステップが加えられてもよい。加えて、複数のステップは、本発明の範囲から逸脱することなく、如何なる適切な順序でも実行され得る。

本発明はいくつかの実施形態と共に記述されたが、無数の変更、変形、修正、変換及び改良が当業者に対して示唆され得る。そして、本発明が、添付の請求項の範囲内に入る上記の変更、変形、修正、変換及び改良を包含することが、意図されている。

Claims (20)

1. 装置であって、当該装置は、
   多結晶ダイヤモンドで作られた回路基板であり、前記回路基板は、
   各層が前記回路基板の断面の形状を有する、ポリ（ヒドリドカルビン）の層の堆積、及び
   摂氏１００度以上かつ摂氏８００度以下の温度でのポリ（ヒドリドカルビン）の層の熱分解、
   によって形成された、回路基板、及び
   前記回路基板内に形成され、前記回路基板の一つ以上の表面に複数の終端を有する複数の管であり、各管はグラフェンの層を有し、前記グラフェンの層は各管が電流を伝導することを可能にするように機能し、グラフェンの各層は、摂氏９００度以上の温度での前記の多結晶ダイヤモンド回路基板の加熱分解によって形成されており、
   各管は、実質的に中空であり、かつ
   グラフェンの各層は、それぞれの管の外表面を形成する、管、
   を有する、装置。
2. 前記複数の終端のうちの少なくともいくつかは、前記回路基板の特定の面上のパターンに配置され、前記回路基板にマウントされる部品の接続を受ける、請求項１に記載の装置。
3. 前記複数の終端のうちの少なくともいくつかは、前記複数の管のうちの一つ以上と大気の間の圧力を等しくするために、大気に対して開いているように構成される、請求項１に記載の装置。
4. 各管は、前記管の外表面を形成する多結晶ダイヤモンドの層を更に有し、前記多結晶ダイヤモンドの層は前記グラフェンの層の上に堆積させられる、請求項１に記載の装置。
5. 前記回路基板の表面上に形成された複数のヒートシンクフィンを更に有し、前記複数のヒートシンクフィンは多結晶ダイヤモンドで作られ、前記複数のフィンは、熱を伝導して前記回路基板から熱を奪うように機能する、請求項１に記載の装置。
6. 前記回路基板内に形成されたキャパシタを更に有し、前記キャパシタは、
   第一のグラフェンの層、
   第二のグラフェンの層、及び
   前記第一のグラフェンの層と前記第二のグラフェンの層との間に位置する多結晶ダイヤモンドの層、
   を有する、請求項１に記載の装置。
7. 前記回路基板内に形成された一つ以上の冷却管を更に有し、前記冷却管は、前記回路基板から熱を奪うために、前記回路基板の少なくとも一部分を通して液体を送るように構成される、請求項１に記載の装置。
8. 装置であって、当該装置は、
   多結晶ダイヤモンドで作られた回路基板、及び
   前記回路基板内に形成された管であり、当該管は、前記回路基板の一つ以上の表面に終端を有し、当該管はグラフェンの層を有し、前記グラフェンの層は当該管が電流を伝導することを可能にするように機能する、管、
   を有する、装置。
9. 前記グラフェンの層は前記管の外表面を形成する、請求項８に記載の装置。
10. 前記管は多結晶ダイヤモンドの層を更に有し、前記多結晶ダイヤモンドの層は前記管の外表面を形成し、前記多結晶ダイヤモンドの層は前記グラフェンの層の上に堆積させられる、請求項８に記載の装置。
11. 前記管は、一つ以上の内部支持構造を更に有する、請求項８に記載の装置。
12. 前記管は、実質的に中空である、請求項８に記載の装置。
13. 方法であって、当該方法は、
    三次元（３Ｄ）プリンタを利用して、セラミック前駆体ポリマーをプリント配線板（ＰＷＢ）のパターンに堆積させるステップであり、前記ＰＷＢは、前記ＰＷＢ内に配列された複数の管を有する、ステップ、
    前記の堆積させられたセラミック前駆体ポリマーのパターンの複数の層を、前記ＰＷＢを形成するための第一の温度に加熱するステップであり、前記ＰＷＢは、前記の堆積させられたセラミック前駆体ポリマーのパターンの複数の層の前記第一の温度への加熱の後に、多結晶ダイヤモンドで形成される、ステップ、及び
    前記ＰＷＢを、前記ＰＷＢ内の前記複数の管の表面上にグラフェンが生じるまで、第二の温度に加熱する、ステップ、
    を含む、方法。
14. 前記第一の温度は、摂氏１００度以上でありかつ摂氏８００度以下の温度を含み、
    前記第二の温度は、摂氏９００度以上の温度を含む、
    請求項１３に記載の方法。
15. 前記の堆積させられたセラミック前駆体ポリマーのパターンの前記複数の層は、不活性雰囲気内で前記第一の温度に加熱される、請求項１３に記載の方法。
16. 前記セラミック前駆体ポリマーは、ナノ粒子粉末の層の上に堆積させられ、かつ
    前記ナノ粒子粉末は、デトネーション・ナノダイヤモンド（ＤＮＤ）粉末を含む、
    請求項１３に記載の方法。
17. 前記セラミック前駆体ポリマーは、ポリ（ヒドリドカルビン）を含む、請求項１３に記載の方法。
18. 前記ＰＷＢの外表面上にグラフェンが生じることを防止するために、前記ＰＷＢを前記第二の温度に加熱する前に、前記ＰＷＢの外表面をカーバイド形成金属で覆うステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
19. 前記ＰＷＢの外表面上に形成されたグラフェンを取り除くために、前記ＰＷＢの外表面を磨くステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
20. 前記ＰＷＢが前記第二の温度に加熱された後に、前記複数の管を、ポリ（ヒドリドカルビン）溶液でフラッシングするステップ、及び
    前記複数の管をポリ（ヒドリドカルビン）溶液でフラッシングするステップの後に、前記ＰＷＢを第三の温度に加熱するステップであり、前記第三の温度は摂氏１００度以上かつ摂氏８００度以下の温度を含む、ステップ、
    を更に含む、請求項１３に記載の方法。
    

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