JP2003101091A - マイクロアクチュエータおよびその製造方法 - Google Patents
マイクロアクチュエータおよびその製造方法Info
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- JP2003101091A JP2003101091A JP2001289833A JP2001289833A JP2003101091A JP 2003101091 A JP2003101091 A JP 2003101091A JP 2001289833 A JP2001289833 A JP 2001289833A JP 2001289833 A JP2001289833 A JP 2001289833A JP 2003101091 A JP2003101091 A JP 2003101091A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化物薄膜の圧電定数が大きく、低電圧で大
きな変位を得ることが可能なマイクロアクチュエータを
提供することを課題とし、また、Ｐ−Ｅヒステリシス特
性にも優れたマイクロアクチュエータを提供することを
課題とする。 【解決手段】 ウエットな方法又はドライな方法のいず
れか一方により形成された酸化物薄膜と、前記ウエット
な方法又はドライな方法の他方により前記酸化物薄膜の
上に形成された酸化物薄膜とからなることを特徴とする
マイクロアクチュエータを解決手段とする。
きな変位を得ることが可能なマイクロアクチュエータを
提供することを課題とし、また、Ｐ−Ｅヒステリシス特
性にも優れたマイクロアクチュエータを提供することを
課題とする。 【解決手段】 ウエットな方法又はドライな方法のいず
れか一方により形成された酸化物薄膜と、前記ウエット
な方法又はドライな方法の他方により前記酸化物薄膜の
上に形成された酸化物薄膜とからなることを特徴とする
マイクロアクチュエータを解決手段とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は機械分野、電気電子
分野、光学分野等において広く用いられ、特にハードデ
ィスクや光ディスクなどの高密度情報記憶機器や、光ス
イッチ機構を利用した光通信機器などにおいて用いられ
るマイクロアクチュエータに関する。
分野、光学分野等において広く用いられ、特にハードデ
ィスクや光ディスクなどの高密度情報記憶機器や、光ス
イッチ機構を利用した光通信機器などにおいて用いられ
るマイクロアクチュエータに関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロアクチュエータは、ＨＤＤなど
の情報機器や、マイクロマシン、その他広範囲の分野に
おいて使用されるものであり、圧電効果を有する酸化物
薄膜を備えて構成されている。従来、該マイクロアクチ
ュエータを構成する酸化物薄膜は、スパッタ法、ゾルゲ
ル法あるいは水熱法などのいずれか一の方法によって作
製された単一構造の薄膜であり、該薄膜の高性能化は、
各方法における種々のプロセスを改良することによって
図られている。
の情報機器や、マイクロマシン、その他広範囲の分野に
おいて使用されるものであり、圧電効果を有する酸化物
薄膜を備えて構成されている。従来、該マイクロアクチ
ュエータを構成する酸化物薄膜は、スパッタ法、ゾルゲ
ル法あるいは水熱法などのいずれか一の方法によって作
製された単一構造の薄膜であり、該薄膜の高性能化は、
各方法における種々のプロセスを改良することによって
図られている。
【０００３】ところで、このマイクロアクチュエータの
性能を決める特性として、該酸化物薄膜の圧電定数、お
よび抗電界と残留分極との関係におけるヒステリシス特
性（以下、「Ｐ−Ｅヒステリシス特性」という）が挙げ
られる。圧電定数とは、圧電効果によって生じる誘電分
極と応力との関係を表す比例定数であり、該圧電定数が
大きい程、該マイクロアクチュエータが高性能であると
言える。また、Ｐ−Ｅヒステリシス特性とは、抗電界を
変化させた場合の残留分極の程度を示したものであり、
該Ｐ−Ｅヒステリシス特性が大きく、即ちヒステリシス
曲線によって囲まれる面積が広いほど、該マイクロアク
チュエータは高性能であると言える。
性能を決める特性として、該酸化物薄膜の圧電定数、お
よび抗電界と残留分極との関係におけるヒステリシス特
性（以下、「Ｐ−Ｅヒステリシス特性」という）が挙げ
られる。圧電定数とは、圧電効果によって生じる誘電分
極と応力との関係を表す比例定数であり、該圧電定数が
大きい程、該マイクロアクチュエータが高性能であると
言える。また、Ｐ−Ｅヒステリシス特性とは、抗電界を
変化させた場合の残留分極の程度を示したものであり、
該Ｐ−Ｅヒステリシス特性が大きく、即ちヒステリシス
曲線によって囲まれる面積が広いほど、該マイクロアク
チュエータは高性能であると言える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来技術による単一構造の酸化物薄膜を備えた
マイクロアクチュエータは、圧電定数が比較的小さいも
のであり、該マイクロアクチュエータを十分に変形させ
るためには、大きな電圧を印加しなければならないとい
う問題がある。また、従来技術による単一構造の酸化物
薄膜を備えたマイクロアクチュエータは、前記Ｐ−Ｅヒ
ステリシス特性も小さく、マイクロアクチュエータの特
性を支配する残留分極値が小さいという問題がある。
たような従来技術による単一構造の酸化物薄膜を備えた
マイクロアクチュエータは、圧電定数が比較的小さいも
のであり、該マイクロアクチュエータを十分に変形させ
るためには、大きな電圧を印加しなければならないとい
う問題がある。また、従来技術による単一構造の酸化物
薄膜を備えたマイクロアクチュエータは、前記Ｐ−Ｅヒ
ステリシス特性も小さく、マイクロアクチュエータの特
性を支配する残留分極値が小さいという問題がある。
【０００５】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たものであり、酸化物薄膜の圧電定数が大きく、低電圧
で大きな変位を得ることが可能なマイクロアクチュエー
タを提供することを課題とし、また、Ｐ−Ｅヒステリシ
ス特性にも優れたマイクロアクチュエータを提供するこ
とを課題とする。
たものであり、酸化物薄膜の圧電定数が大きく、低電圧
で大きな変位を得ることが可能なマイクロアクチュエー
タを提供することを課題とし、また、Ｐ−Ｅヒステリシ
ス特性にも優れたマイクロアクチュエータを提供するこ
とを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するためになされたものであり、その解決手段
は、ウエットな方法又はドライな方法のいずれか一方に
より形成された酸化物薄膜と、前記ウエットな方法又は
ドライな方法の他方により前記酸化物薄膜の上に形成さ
れた酸化物薄膜とからなることを特徴とするマイクロア
クチュエータにある。
題を解決するためになされたものであり、その解決手段
は、ウエットな方法又はドライな方法のいずれか一方に
より形成された酸化物薄膜と、前記ウエットな方法又は
ドライな方法の他方により前記酸化物薄膜の上に形成さ
れた酸化物薄膜とからなることを特徴とするマイクロア
クチュエータにある。
【０００７】斯かる構成のマイクロアクチュエータは、
従来のように、いずれか一の方法によって構成された単
一の酸化物薄膜と比較すると、酸化物薄膜全体としての
結晶配向性やＰ−Ｅヒステリシス特性が良好となり、圧
電定数も顕著に増大したものとなる。
従来のように、いずれか一の方法によって構成された単
一の酸化物薄膜と比較すると、酸化物薄膜全体としての
結晶配向性やＰ−Ｅヒステリシス特性が良好となり、圧
電定数も顕著に増大したものとなる。
【０００８】また、本発明は、前記ウエットな方法が、
ゾルゲル法であることを特徴とするマイクロアクチュエ
ータにあり、又、前記ドライな方法が、スパッタ法であ
ることを特徴とするマイクロアクチュエータにある。
ゾルゲル法であることを特徴とするマイクロアクチュエ
ータにあり、又、前記ドライな方法が、スパッタ法であ
ることを特徴とするマイクロアクチュエータにある。
【０００９】また、本発明は、前記ウエットな方法によ
り形成された酸化物薄膜と、前記ドライな方法により形
成された酸化物薄膜との厚みの比率が、１：２〜２：１
であることを特徴とするマイクロアクチュエータにあ
る。
り形成された酸化物薄膜と、前記ドライな方法により形
成された酸化物薄膜との厚みの比率が、１：２〜２：１
であることを特徴とするマイクロアクチュエータにあ
る。
【００１０】さらに、本発明は、ウエットな方法又はド
ライな方法のいずれか一方により酸化物薄膜を形成し、
該酸化物薄膜の上に前記ウエットな方法又はドライな方
法の他方により酸化物薄膜を形成することを特徴とする
マイクロアクチュエータの製造方法にある。
ライな方法のいずれか一方により酸化物薄膜を形成し、
該酸化物薄膜の上に前記ウエットな方法又はドライな方
法の他方により酸化物薄膜を形成することを特徴とする
マイクロアクチュエータの製造方法にある。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係るマイクロアクチュエ
ータは、ウエットな方法とドライな方法とを行うことに
より、２種類の酸化物薄膜を積層させて形成したもので
ある。そして、このような２種類の方法を組み合わせて
形成された酸化物薄膜は、従来、ウエットな方法あるい
はドライな方法のいずれか一方のみによって形成された
酸化物薄膜と比較すると、圧電定数やＰ−Ｅヒステリシ
ス特性などといったマイクロアクチュエータとしての特
性が優れたものとなる。
ータは、ウエットな方法とドライな方法とを行うことに
より、２種類の酸化物薄膜を積層させて形成したもので
ある。そして、このような２種類の方法を組み合わせて
形成された酸化物薄膜は、従来、ウエットな方法あるい
はドライな方法のいずれか一方のみによって形成された
酸化物薄膜と比較すると、圧電定数やＰ−Ｅヒステリシ
ス特性などといったマイクロアクチュエータとしての特
性が優れたものとなる。
【００１２】このように、上記２種類の製法によって形
成した酸化物薄膜が、従来の酸化物薄膜と異なる特性を
有する理由については定かではないが、その結晶構造の
結晶配向性が変化するとともに、結晶粒のサイズなども
変化し、上記特徴を有する新規な酸化物薄膜が創製され
るからであると推測される。
成した酸化物薄膜が、従来の酸化物薄膜と異なる特性を
有する理由については定かではないが、その結晶構造の
結晶配向性が変化するとともに、結晶粒のサイズなども
変化し、上記特徴を有する新規な酸化物薄膜が創製され
るからであると推測される。
【００１３】また、ウエットな方法にる酸化物薄膜とド
ライな方法による酸化物薄膜とは、いずれを先に形成し
てもよく、要はこれら２つの方法によって連続して酸化
物薄膜を形成すればよい。さらに、これら２つの方法を
交互に複数回行うことにより、各酸化物薄膜を２以上形
成しても良い。
ライな方法による酸化物薄膜とは、いずれを先に形成し
てもよく、要はこれら２つの方法によって連続して酸化
物薄膜を形成すればよい。さらに、これら２つの方法を
交互に複数回行うことにより、各酸化物薄膜を２以上形
成しても良い。
【００１４】本発明において、ウエットな方法とは、各
種溶液を使用して概ね大気圧中で化学的な方法により薄
膜形成やエッチングを行うものであり、例えば、ゾルゲ
ル法、有機金属分解（ＭＯＤ）法、水熱法、スクリーン
印刷法等を挙げることができる。また、高価な真空装置
を使用せず大気中で作製できること、組成の制御が容易
であること、成膜の再現性が比較的良いこと等の利点を
考慮すれば、ゾルゲル法によって行うことが特に好まし
い。
種溶液を使用して概ね大気圧中で化学的な方法により薄
膜形成やエッチングを行うものであり、例えば、ゾルゲ
ル法、有機金属分解（ＭＯＤ）法、水熱法、スクリーン
印刷法等を挙げることができる。また、高価な真空装置
を使用せず大気中で作製できること、組成の制御が容易
であること、成膜の再現性が比較的良いこと等の利点を
考慮すれば、ゾルゲル法によって行うことが特に好まし
い。
【００１５】また、ドライな方法とは、真空プロセスを
使用し、従来の半導体作製プロセス等に基づき、イオン
を物理的に衝突させたり或いは試料に付着させることに
より、薄膜形成やエッチングを行うものであり、例え
ば、各種スパッタ法、ＭＯＣＶＤ法等を挙げることがで
きる。また、異物の混入が少ないこと、安定した薄膜形
成が可能であること、メタルターゲットを使用すること
により組成比制御が容易であること等の利点を考慮すれ
ば、スパッタ法によって行うことが特に好ましい。
使用し、従来の半導体作製プロセス等に基づき、イオン
を物理的に衝突させたり或いは試料に付着させることに
より、薄膜形成やエッチングを行うものであり、例え
ば、各種スパッタ法、ＭＯＣＶＤ法等を挙げることがで
きる。また、異物の混入が少ないこと、安定した薄膜形
成が可能であること、メタルターゲットを使用すること
により組成比制御が容易であること等の利点を考慮すれ
ば、スパッタ法によって行うことが特に好ましい。
【００１６】さらに、酸化物薄膜を構成する材料として
は、ペロブスカイト構造を形成する酸化物であれば種々
のものを使用することができ、最も好ましくはチタン酸
ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜を例示することができる。
また、これ以外にも、ＰＺＬＴ薄膜、チタン酸バリウム
薄膜、チタン酸ストロンチウム薄膜、チタン酸鉛薄膜、
チタン酸ビスマス薄膜等の強誘電体薄膜等を挙げること
ができる。
は、ペロブスカイト構造を形成する酸化物であれば種々
のものを使用することができ、最も好ましくはチタン酸
ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜を例示することができる。
また、これ以外にも、ＰＺＬＴ薄膜、チタン酸バリウム
薄膜、チタン酸ストロンチウム薄膜、チタン酸鉛薄膜、
チタン酸ビスマス薄膜等の強誘電体薄膜等を挙げること
ができる。
【００１７】そして、ウエットな方法およびドライな方
法による酸化物薄膜の厚みの比率は、１：２〜２：１の
範囲で形成することが望ましい。このような膜厚比によ
って構成することにより、酸化物薄膜全体として得られ
る本発明の効果がより一層顕著なものとなり、優れた性
能を有するマイクロアクチュエータを得ることができ
る。
法による酸化物薄膜の厚みの比率は、１：２〜２：１の
範囲で形成することが望ましい。このような膜厚比によ
って構成することにより、酸化物薄膜全体として得られ
る本発明の効果がより一層顕著なものとなり、優れた性
能を有するマイクロアクチュエータを得ることができ
る。
【００１８】また、各酸化物薄膜の厚みは制限されない
が、マイクロアクチュエータにおいて本発明の効果をよ
り顕著に発現させるためには、酸化物薄膜の全厚みを
０．５〜２μｍ程度とすることが好ましい。
が、マイクロアクチュエータにおいて本発明の効果をよ
り顕著に発現させるためには、酸化物薄膜の全厚みを
０．５〜２μｍ程度とすることが好ましい。
【００１９】
【実施例】以下、本発明に係るマイクロアクチュエータ
の一実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明す
る。
の一実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明す
る。
【００２０】（実施例１）図１に示すように、実施例１
として、上下にＳｉＯ2膜３を備えたＳｉ基板２と、該
Ｓｉ基板２上に形成された下部電極４と、該下部電極４
上に形成したＰＺＴ薄膜５と、該ＰＺＴ薄膜５上に形成
した上部電極６とを備えたマイクロアクチュエータ１を
作製した。より具体的に説明すると、前記下部電極４
は、Ｓｉ基板上にスパッタ法により形成された厚み５０
ｎｍのＴｉ薄膜４ａおよび該Ｔｉ薄膜４ａ上にスパッタ
法により形成された厚み１００ｎｍのＰｔ薄膜４ｂとか
らなり、また、前記上部電極６は、ＰＺＴ薄膜上にスパ
ッタ法により形成された厚み１００ｎｍのＰｔ薄膜から
構成されてなるものである。
として、上下にＳｉＯ2膜３を備えたＳｉ基板２と、該
Ｓｉ基板２上に形成された下部電極４と、該下部電極４
上に形成したＰＺＴ薄膜５と、該ＰＺＴ薄膜５上に形成
した上部電極６とを備えたマイクロアクチュエータ１を
作製した。より具体的に説明すると、前記下部電極４
は、Ｓｉ基板上にスパッタ法により形成された厚み５０
ｎｍのＴｉ薄膜４ａおよび該Ｔｉ薄膜４ａ上にスパッタ
法により形成された厚み１００ｎｍのＰｔ薄膜４ｂとか
らなり、また、前記上部電極６は、ＰＺＴ薄膜上にスパ
ッタ法により形成された厚み１００ｎｍのＰｔ薄膜から
構成されてなるものである。
【００２１】そして、該マイクロアクチュエータの中心
部をなす前記ＰＺＴ薄膜５は、前記下部電極（即ち、Ｐ
ｔ薄膜４ｂ）上にスパッタ法により形成された厚み５４
０ｎｍのＰＺＴ薄膜５ａと、該ＰＺＴ薄膜５ａの上にゾ
ルゲル法により形成された厚み５４０ｎｍのＰＺＴ薄膜
５ｂとから構成されてなるものである。
部をなす前記ＰＺＴ薄膜５は、前記下部電極（即ち、Ｐ
ｔ薄膜４ｂ）上にスパッタ法により形成された厚み５４
０ｎｍのＰＺＴ薄膜５ａと、該ＰＺＴ薄膜５ａの上にゾ
ルゲル法により形成された厚み５４０ｎｍのＰＺＴ薄膜
５ｂとから構成されてなるものである。
【００２２】（実施例２）図２は、実施例２のマイクロ
アクチュエータ１’を示したものである。実施例２のマ
イクロアクチュエータは、前記実施例１とは逆にゾルゲ
ル法により形成された厚み５４０ｎｍのＰＺＴ薄膜５ｂ
と、該ＰＺＴ薄膜５ｂの上にスパッタ法により形成され
た厚み５４０ｎｍのＰＺＴ薄膜５ａとから構成されたこ
とを除き、他は実施例１と同様にして構成されたもので
ある。
アクチュエータ１’を示したものである。実施例２のマ
イクロアクチュエータは、前記実施例１とは逆にゾルゲ
ル法により形成された厚み５４０ｎｍのＰＺＴ薄膜５ｂ
と、該ＰＺＴ薄膜５ｂの上にスパッタ法により形成され
た厚み５４０ｎｍのＰＺＴ薄膜５ａとから構成されたこ
とを除き、他は実施例１と同様にして構成されたもので
ある。
【００２３】（比較例）一方、２回のゾルゲル法によっ
て同一厚み（１０８０ｎｍ）のＰＺＴ薄膜を形成し、他
は実施例１と同様にして比較例１のマイクロアクチュエ
ータ（図示せず）を作製した。さらに、２回のスパッタ
法によって実施例１と同一厚み（１０８０ｎｍ）のＰＺ
Ｔ薄膜を形成し、他は実施例１と同様にして比較例２の
マイクロアクチュエータ（図示せず）を作製した。
て同一厚み（１０８０ｎｍ）のＰＺＴ薄膜を形成し、他
は実施例１と同様にして比較例１のマイクロアクチュエ
ータ（図示せず）を作製した。さらに、２回のスパッタ
法によって実施例１と同一厚み（１０８０ｎｍ）のＰＺ
Ｔ薄膜を形成し、他は実施例１と同様にして比較例２の
マイクロアクチュエータ（図示せず）を作製した。
【００２４】（試験および評価）前記実施例１、２およ
び比較例１、２のマイクロアクチュエータについて、Ｐ
−Ｅヒステリシス特性を測定したところ、それぞれ図３
〜６に示す結果を得た。
び比較例１、２のマイクロアクチュエータについて、Ｐ
−Ｅヒステリシス特性を測定したところ、それぞれ図３
〜６に示す結果を得た。
【００２５】実施例１に対するＰ−Ｅヒステリシス曲線
（図３）は、比較例１および２のヒステリシス曲線と比
べて、３〜４倍の面積を有しており、実施例１のマイク
ロアクチュエータが優れたＰ−Ｅヒステリシス特性を備
えていることが判る。また、実施例２に対するＰ−Ｅヒ
ステリシス曲線（図４）は、実施例１のＰ−Ｅヒステリ
シス曲線の約２．５倍の残留分極値を示しており、マイ
クロアクチュエータのＰ−Ｅヒステリシス特性が、より
顕著に改善されていることが判る。
（図３）は、比較例１および２のヒステリシス曲線と比
べて、３〜４倍の面積を有しており、実施例１のマイク
ロアクチュエータが優れたＰ−Ｅヒステリシス特性を備
えていることが判る。また、実施例２に対するＰ−Ｅヒ
ステリシス曲線（図４）は、実施例１のＰ−Ｅヒステリ
シス曲線の約２．５倍の残留分極値を示しており、マイ
クロアクチュエータのＰ−Ｅヒステリシス特性が、より
顕著に改善されていることが判る。
【００２６】また、実施例１と比較例１のマイクロアク
チュエータに約１０Ｖの電圧を印加してダイアフラム中
心の変位量を、顕微鏡下で作動するレーザードップラー
振動計（グラフテック社製、ＡＴ７２１２）を用いて測
定したところ、それぞれ図７および図８に示す結果を得
た。尚、図７，８において、一点鎖線は印加電圧を示
し、実線はＰＺＴ薄膜の変位量を示す。
チュエータに約１０Ｖの電圧を印加してダイアフラム中
心の変位量を、顕微鏡下で作動するレーザードップラー
振動計（グラフテック社製、ＡＴ７２１２）を用いて測
定したところ、それぞれ図７および図８に示す結果を得
た。尚、図７，８において、一点鎖線は印加電圧を示
し、実線はＰＺＴ薄膜の変位量を示す。
【００２７】図７と図８とを比較すると、実施例１のマ
イクロアクチュエータの変位量（図７）は、比較例１の
変位量（図８）の約２倍となっており、即ち圧電定数が
約２倍となっていることが判る。従って、該実施例１の
マイクロアクチュエータは、約２分の１の電圧で従来と
同等の性能が得られるものとなる。
イクロアクチュエータの変位量（図７）は、比較例１の
変位量（図８）の約２倍となっており、即ち圧電定数が
約２倍となっていることが判る。従って、該実施例１の
マイクロアクチュエータは、約２分の１の電圧で従来と
同等の性能が得られるものとなる。
【００２８】さらに、実施例１および比較例１，２のマ
イクロアクチュエータについて、それぞれのＰＺＴ薄膜
をＸ線回折分析して結晶配向性を調べたところ、図９に
示すような結果を得た。尚、図９は、グラフ手前より順
に比較例１、実施例１、比較例２のＰＺＴ薄膜のＸ線回
折結果を示したものである。
イクロアクチュエータについて、それぞれのＰＺＴ薄膜
をＸ線回折分析して結晶配向性を調べたところ、図９に
示すような結果を得た。尚、図９は、グラフ手前より順
に比較例１、実施例１、比較例２のＰＺＴ薄膜のＸ線回
折結果を示したものである。
【００２９】図９において、各々の結晶方位をみると、
実施例１のＰＺＴ薄膜が最大分極方位である（１１１）
方位の配向性に優れていることが判る。また、このよう
な（１１１）方位の配向性は比較例１や比較例２には見
られず、単にこれらの和でないことからも、実施例１に
おいて新規な酸化物薄膜が創製されていることが推察さ
れる。
実施例１のＰＺＴ薄膜が最大分極方位である（１１１）
方位の配向性に優れていることが判る。また、このよう
な（１１１）方位の配向性は比較例１や比較例２には見
られず、単にこれらの和でないことからも、実施例１に
おいて新規な酸化物薄膜が創製されていることが推察さ
れる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るマイクロア
クチュエータによれば、酸化物薄膜の圧電定数が大き
く、低電圧で大きな変位を得ることが可能となり、ま
た、Ｐ−Ｅヒステリシス特性の優れたマイクロアクチュ
エータとなる。
クチュエータによれば、酸化物薄膜の圧電定数が大き
く、低電圧で大きな変位を得ることが可能となり、ま
た、Ｐ−Ｅヒステリシス特性の優れたマイクロアクチュ
エータとなる。
【図１】本発明に係るマイクロアクチュエータの実施例
１を示した断面図。
１を示した断面図。
【図２】本発明に係るマイクロアクチュエータの実施例
２を示した断面図。
２を示した断面図。
【図３】実施例１に係るＰＺＴ薄膜のＰ−Ｅヒステリシ
ス特性を示したグラフ。
ス特性を示したグラフ。
【図４】実施例２に係るＰＺＴ薄膜のＰ−Ｅヒステリシ
ス特性を示したグラフ。
ス特性を示したグラフ。
【図５】比較例１に係るＰＺＴ薄膜のＰ−Ｅヒステリシ
ス特性を示したグラフ。
ス特性を示したグラフ。
【図６】比較例２に係るＰＺＴ薄膜のＰ−Ｅヒステリシ
ス特性を示したグラフ。
ス特性を示したグラフ。
【図７】実施例１に係るＰＺＴ薄膜に電圧約１０Ｖを印
加した時のダイアフラム中心変位量を示したグラフ。
加した時のダイアフラム中心変位量を示したグラフ。
【図８】比較例１に係るＰＺＴ薄膜に電圧約１０Ｖを印
加した時のダイアフラム中心変位量を示したグラフ。
加した時のダイアフラム中心変位量を示したグラフ。
【図９】実施例１、比較例１，２のマイクロアクチュエ
ータについて、Ｘ線回折分析によってＰＺＴ薄膜の結晶
配向性を調べたグラフ。
ータについて、Ｘ線回折分析によってＰＺＴ薄膜の結晶
配向性を調べたグラフ。
１…マイクロアクチュエータ、５…ＰＺＴ薄膜、
５ａ…スパッタ法により形成したＰＺＴ薄膜、
５ｂ…ゾルゲル法により形成したＰＺＴ薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｂ
１０１Ｃ
Claims (6)
- 【請求項１】 ウエットな方法又はドライな方法のいず
れか一方により形成された酸化物薄膜と、前記ウエット
な方法又はドライな方法の他方により前記酸化物薄膜の
上に形成された酸化物薄膜とからなることを特徴とする
マイクロアクチュエータ。 - 【請求項２】 前記ウエットな方法が、ゾルゲル法であ
ることを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエ
ータ。 - 【請求項３】 前記ドライな方法が、スパッタ法である
ことを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロアクチ
ュエータ。 - 【請求項４】 前記ウエットな方法により形成された酸
化物薄膜と、前記ドライな方法により形成された酸化物
薄膜との厚みの比率が、１：２〜２：１であることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロアク
チュエータ。 - 【請求項５】 前記酸化物薄膜が、いずれもＰＺＴ薄膜
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項６】 ウエットな方法又はドライな方法のいず
れか一方により酸化物薄膜を形成し、該酸化物薄膜の上
に前記ウエットな方法又はドライな方法の他方により酸
化物薄膜を形成することを特徴とするマイクロアクチュ
エータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289833A JP2003101091A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001289833A JP2003101091A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003101091A true JP2003101091A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19112272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001289833A Withdrawn JP2003101091A (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003101091A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085718A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 強誘電体膜 |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001289833A patent/JP2003101091A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085718A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 強誘電体膜 |
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