JP2003100462A - 電子輸送材料および該電子輸送材料を用いた有機発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高発光効率、高輝度で耐久性のある有機ＥＬ素
子（エレクトロルミネッセンス）素子を提供しうるＮ型
で安定であり、かつ電子輸送能が高い電子輸送材料を提
供すること。 【解決手段】キノキサリン構造を有する高分子からなる
有機発光素子用電子輸送材料を有機ＥＬ素子の電子輸送
層に用いる。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平面表示パネルや
これに用いられるバックライト用の有機発光素子（ＯＬ
ＥＤ）用電子輸送材料及びその製造方法及び該電子輸送
材料を用いたＯＬＥＤ及びその製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】有機発光素子は、１９８７年にコダック
社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらにより高輝度の発光が示されて
（特開昭６３−２６４６９２、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年）以来、材料
開発、素子構造の改良が急速に進み、最近になってカー
オーディオや携帯電話用のディスプレイなどから実用化
が始まった。この有機ＥＬの用途を更に拡大するため
に、発光効率向上、耐久性向上のための材料開発、フル
カラー表示の開発などが現在活発に行われている。特
に、中型パネルや大型パネル、あるいは照明用途への展
開を考える上では発光効率の向上による更なる高輝度化
が必要である。

【０００３】これらの発光材料としては従来からアルミ
キノリニウム錯体（ＡｌＱ3）等の金属錯体が、発光効
率がよい為、発光強度が高く、よく用いられてきた。ま
た、Ｔａｎｇらは発光材料の発光効率を上げる為に、発
光層とは別にトリフェニルアミン誘導体等のホール輸送
層やオキサジアゾ−ル誘導体等の電子輸送層等の電荷輸
送層を設けた多層構造素子を提案している。しかしなが
ら、これらに用いられてきた材料はいずれも低分子化合
物で、これら低分子化合物を発光層に形成するには真空
蒸着等の手法が用いられ、大面積化や素子の生産工程で
デメリットとなっていた。

【０００４】一方、Ｒ．Ｈ．Ｆｒｉｅｎｄらはポリパラ
フェニレンビニレン(ＰＰＶ)やこの誘導体のようなπ電
子共役系高分子が発光材料となることを見出し（Ｎａｔ
ｕｒｅ，２４７巻，５３９頁，１９９０年）、時計のバ
ックライト等に一部用いられ始めている。これら高分子
材料はキャスティング法での成膜ができるため生産工程
上のメリットとなるだけでなく、低分子に比べて耐久性
が良好であるというメリットを有する。しかしながらこ
れらは低分子系に比べ、発光効率が低いというデメリッ
トを有する。また、発光効率を改善するための多層構造
素子に用いる電荷輸送層の材料も限られていた。高分子
ホール輸送材料としては、ポリアニリン誘導体、ポリチ
オフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール等、いくつか
の材料が検討されてきたが、高分子電子輸送材料はほと
んど検討されていない。特開平７−０５３９５４号公報
には低分子キノキサリン誘導体を発光層に用いた有機発
光素子が提案されている。

【０００５】また、これらで検討された発光材料で利用
されているのは低分子、高分子に限らず、励起一重項状
態からの発光、すなわち蛍光であり、月刊ディスプレ
イ，１９９８年１０月号別冊「有機ＥＬディスプレ
イ」，５８頁によれば、電気的励起における励起一重項
状態と励起三重項状態の励起子の生成比が１：３である
ことから、有機ＥＬにおける発光の内部量子効率は２５
％が上限とされてきた。これに対し、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄ
ｏらは励起三重項状態から燐光発光するイリジウム錯体
や白金錯体等を用いることにより外部量子効率７．５％
（外部取り出し効率を２０％と仮定すると内部量子効率
は３７．５％）を得、従来上限値とされてきた２５％と
いう値を上回ることが可能なことを示した（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５巻，４頁，１９９９年、Ｗ
Ｏ００／７０６５５、ＷＯ００／５７６７６）。しか
し、ここで用いられているイリジウム錯体のように常温
で安定に燐光を発する材料は極めて稀であるため材料選
択の自由度が狭く、また実際の使用に当たっては特定の
ホスト化合物にドープして使用する必要があるなど、デ
ィスプレイの仕様を満たすための材料選定が極めて困難
であるという欠点を有していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、有
機発光素子の安定性向上、生産性向上に効果のある高分
子系材料を用いた高輝度有機発光素子はまだ存在しな
い。

【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決し、高輝度、高耐久性、生産性の優れた有機発光素
子、及びこれに用いられる高分子系電子輸送材料、及び
これらの製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく種々検討した結果、キノキサリン構造を
含む重合体がＮ型で安定で、電子輸送能が高く、また高
分子量で耐熱性、耐酸化還元性等の耐久性に優れ、溶媒
可溶性で加工性に優れる為、有機発光素子の高分子電子
輸送材料として好適であり、これを電子輸送層に用いた
有機発光素子は高輝度大面積化が可能で、耐久性、生産
性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明は、以下の［１］〜［２
６］に示した電子輸送材料、その製造方法、有機発光素
子、およびその製造方法に関する。

【００１０】［１］ 一般式（１）で表されるキノキサ
リン構造を含む重合体を含有することを特徴とする電子
輸送材料。

【００１１】

【化１７】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
基を表す。）

【００１２】［２］ 一般式（１）で表されるキノキサ
リン構造を側鎖に含む重合体を含有することを特徴とす
る電子輸送材料。

【化１８】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
基を表す。）

【００１３】［３］ 一般式（２）で表されるキノキサ
リン構造を繰り返し単位の一部として含む重合体を含有
することを特徴とする電子輸送材料。

【化１９】 （式中、Ｒ₇〜Ｒ₁₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基置換基を有してもよいアリー
ル基または置換基を有してもよい複素環を有する基を表
す。）

【００１４】［４］ 一般式（１）で表されるキノキサ
リン構造を側鎖に含み、且つ一般式（２）で表されるキ
ノキサリン構造を繰り返し単位の一部として含む重合体
を含有することを特徴とする電子輸送材料。

【化２０】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
基を表す。）

【化２１】 （式中、Ｒ₇〜Ｒ₁₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
表す。）

【００１５】［５］ 一般式（２）で表されるキノキサ
リン構造が、一般式（３）で表されるキノキサリン構造
であることを特徴とする［３］又は［４］のいずれか一
つに記載の電子輸送材料。

【化２２】 （式中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
表す。）

【００１６】［６］ 一般式（４）で表されるキノキサ
リン構造を繰り返し単位の一部として含む重合体を含有
することを特徴とする電子輸送材料。

【化２３】 （式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリー
レン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、炭
素数が６以上２０以下のアリーレン基または炭素数が２
以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０〜
５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在しな
いことを意味する。）

【００１７】［７］ 一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₃₀
が水素原子、Ｘがフェニレン基、ｎ＝０である［６］に
記載の電子輸送材料。 ［８］ 一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₃₀が水素原子、
Ｘがフェニレン基、Ｙが酸素原子、ｎ＝１である［６］
に記載の電子輸送材料。 ［９］ 一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₁₉、Ｒ₂₁〜
Ｒ₂₄、Ｒ₂₆〜Ｒ₃₀が水素原子、Ｒ₂₀およびＲ₂₅がメトキ
シ基、Ｘがフェニレン基、ｎ＝０である［６］に記載の
電子輸送材料。

【００１８】［１０］ 一般式（５）で表されるビスベ
ンジル誘導体と一般式（６）で表されるテトラミン誘導
体とを脱水重縮合することを特徴とする［１］〜［６］
のいずれか一つに記載の電子輸送材料の製造方法。

【化２４】

【化２５】 （両式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸
エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ア
ルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２
０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素
数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２
〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリ
ーレン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、
炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは
０ 〜 ５ の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹ
は存在せず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合して
いることを意味する。）

【００１９】［１１］ モノマーの一種類として一般式
（７）で表される重合性官能基を有するキノキサリン系
化合物を重合することを特徴とする［１］〜［５］のい
ずれか一つに記載の電子輸送材料の製造方法。

【化２６】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
１〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
−）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
基を有してもよい複素環を有する基を表す。）

【００２０】［１２］ ［１］〜［９］のいずれか一つ
に記載の電子輸送材料を用いることを特徴とする有機発
光素子。 ［１３］ 発光層、電子輸送層の少なくとも２層構造か
らなる有機発光素子において、［１］〜［９］のいずれ
か一つに記載の電子輸送材料が厚み１００Å以上５００
０Å以下で形成された電子輸送層を用いることを特徴と
する有機発光素子。 ［１４］ 発光材料と電子輸送材料が混合された発光層
を有する有機発光素子において、電子輸送材料に［１］
〜［９］のいずれか一つに記載の電子輸送材料を用いる
ことを特徴とする有機発光素子。 ［１５］ ［１］〜［９］のいずれか一つに記載の電子
輸送材料を溶かした溶液を下地層上に塗布成膜後、溶媒
を除去することを特徴とする有機発光素子の製造方法。

【００２１】［１６］一般式（５）で表されるビスベン
ジル誘導体と一般式（６）で表されるテトラミン誘導体
とを下地層上に塗布成膜後、脱水重縮合することを特徴
とする有機発光素子の製造方法。

【化２７】

【化２８】 （両式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸
エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ア
ルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２
０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素
数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２
〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリ
ーレン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、
炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０
〜５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在せ
ず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合していること
を意味する。）

【００２２】［１７］ 一般式（７）で表される重合性
官能基を有するキノキサリン系化合物を下地層上に塗布
成膜後、重合することを特徴とする有機発光素子の製造
方法。

【化２９】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
１〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
−）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
基を有してもよい複素環を有する基を表す。）

【００２３】［１８］ 下地層が発光層である［１５］
〜［１７］のいずれか一つに記載の有機発光素子の製造
方法。 ［１９］ 発光材料と電子輸送材料が混合された発光層
を有する有機発光素子において、［１］〜［９］のいず
れか一つに記載の電子輸送材料と発光材料を溶かした溶
液を下地層上に塗布成膜後、溶媒を除去することを特徴
とする有機発光素子の製造方法。

【００２４】［２０］ 一般式（５）で表されるビスベ
ンジル誘導体と一般式（６）で表されるテトラミン誘導
体と発光材料を溶かした溶液を下地層上に塗布成膜後、
ビスベンジル誘導体とテトラミン誘導体とを脱水重縮合
することを特徴とする有機発光素子の製造方法。

【化３０】

【化３１】 （両式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸
エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ア
ルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２
０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素
数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２
〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリ
ーレン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、
炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０
〜５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在せ
ず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合していること
を意味する。）

【００２５】［２１］ 一般式（７）で表される重合性
官能基を有するキノキサリン系化合物と発光材料を溶か
した溶液を下地層上に塗布成膜後、キノキサリン系化合
物を重合することを特徴とする［９］に記載の有機発光
素子の製造方法。

【化３２】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
１〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
−）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
基を有してもよい複素環を有する基を表す。）

【００２６】［２２］ 下地層が電極またはホール輸送
層である［１９］〜［２１］のいずれか一つに記載の有
機発光素子の製造方法。 ［２３］ 発光材料の発光部位が励起三重項状態からの
発光あるいは励起三重項状態を経由する発光であること
を特徴とする［１２］〜［１４］のいずれか一つに記載
の有機発光素子。 ［２４］発光材料の発光部位が金属錯体であることを特
徴とする［１２］〜［１４］、［２３］のいずれか一つ
に記載の有機発光素子。 ［２５］ 発光材料が高分子発光材料であることを特徴
とする［１２］〜［１４］、［２３］、［２４］のいず
れか一つに記載の有機発光素子。 ［２６］ 発光材料が重合性発光材料を重合することに
より得られる高分子発光材料であることを特徴とする
［１２］〜［１４］、［２３］〜［２５］のいずれか一
つに記載の有機発光素子。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明についてより詳細に
説明する。

【００２８】１．キノキサリン構造を含む重合体 本発明（Ｉ）はキノキサリン構造を含む重合体を含有す
ることを特徴とする電子輸送材料である。本発明（Ｉ）
の「キノキサリン構造を含む重合体」とは、重合体の少
なくとも一部にキノキサリン構造を含むものであれば、
いかなる構造の物でも使用することができる。例えば、
重合体の主鎖を形成する構造に直接キノキサリン構造が
含まれるのではなく、キノキサリン構造の一部が主鎖に
結合した例えば一般式（１）で表される構造を有する物
であっても良く、また、重合体の主鎖を形成する構造の
一部としてキノキサリン構造を有する一般式（２）、よ
り好ましくは一般式（３）で表される構造を繰り返し単
位として有する物でも良い。

【化３３】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
基を表す。）

【化３４】 （式中、Ｒ₇〜Ｒ₁₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基置換基を有してもよいアリー
ル基または置換基を有してもよい複素環を有する基を表
す。）

【化３５】 （式中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
表す。）

【００２９】また、キノキサリン構造の一部が主鎖に結
合した一般式（１）で表される構造を有する部分と、一
般式（２）で表される構造を有する部分との両方を分子
内に含む重合体であっても良く、さらに、キノキサリン
構造とは異なる繰り返し単位を含む物であっても良い。
さらにはこれらの混合物であっても良い。

【００３０】本発明（Ｉ）の「キノキサリン構造を含む
重合体」での一般式（１）における「式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の
内、少なくとも一つは重合体の主鎖に結合する基であ
り」における主鎖とは当該重合体の主たる構造部分を意
味する。即ち、直鎖状重合体のいわゆる主鎖のみではな
く、網目状重合体（架橋体）における主構造をも意味す
る。

【００３１】ここで主鎖とキノキサリン構造は、一般式
（１）に示したように直接結合する物だけでなく、間に
他の官能基を有していても良い。例えば、構造式（２）
に示すようなキノキサリン構造を有するアルコールのア
クリル酸エステルの重合体の場合は、主鎖とキノキサリ
ン構造との間にエステル構造を有する構造式（３）に示
す繰り返し単位を有する重合体となる。

【００３２】一般式（１）における「式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の
内、少なくとも一つは重合体の主鎖に結合する基であ
り」とは、ここで一例としてあげたエステル結合はもち
ろんのこと、どの様な形態でも主鎖とキノキサリン構造
が結合していれば良いということはいうまでもない。

【００３３】また、本発明（Ｉ）における、「一般式
（２）で表されるキノキサリン構造を繰り返し単位の一
部として含む重合体」とは、重合体の主鎖の少なくとも
一部にキノキサリン構造を有する物であればいかなる物
であっても良い。

【００３４】ここでいう「キノキサリン構造を繰り返し
単位の一部として含む重合体」とは、キノキサリン構造
のみからなる重合体であっても、キノキサリン構造に加
えて他の一種以上の異なる構造を繰り返し単位として含
む物であっても良い。この場合、キノキサリン構造と他
の構造とが交互に繰り返されていてもよく、ランダムで
あってもよい。また、キノキサリン構造のみを繰り返し
た後に他の構造が繰り返すブロック構造であっても良
い。

【００３５】さらにまた、キノキサリン構造が直接に繰
り返す構造であってもなくても良く、例えばキノキサリ
ン構造に他の構造が結合した構造を繰り返し単位の基本
構造とするような、一般式（４）で表されるような物も
含む。

【化３６】 （式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリー
レン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、炭
素数が６以上２０以下のアリーレン基または炭素数が２
以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０〜
５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在しな
いことを意味する。）

【００３６】また、「一般式（１）で表されるキノキサ
リン構造を側鎖に含み、且つ一般式（２）で表されるキ
ノキサリン構造を繰り返し単位の一部として含む重合
体」とは、その一部分がキノキサリン構造の一部が主鎖
に結合した例えば一般式（１）で表される構造を有し、
且つ他の部分では重合体の主鎖の一部にキノキサリン構
造を有する物であればいかなる物であっても良い。

【００３７】この場合、キノキサリン構造を側鎖に含む
部分と、キノキサリン構造を主鎖の構造として含む部分
とは、それぞれ交互に存在しても、また、キノキサリン
構造を側鎖に含む部分を繰り返した後に、キノキサリン
構造を主鎖の構造として含む部分を繰り返した物であっ
ても良い。さらに、キノキサリン構造とは異なる繰り返
し単位を有する物であっても良く、その場合は各構造が
それぞれ任意の順に結合していてもかまわない。

【００３８】本発明（Ｉ）の一般式（１）〜一般式
（６）でのＲ₁〜Ｒ₃₀は、それぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エス
テル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アルコ
キシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０の
アルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２
０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリー
ル基または置換基を有してもよい複素環を有する基を表
す。

【００３９】ここでいう「それぞれ独立に」とは、Ｒ₁
〜Ｒ₃₀のいずれもが独立であると言うことのみならず、
重合体のそれぞれのキノキサリン構造においても独立で
あることを示している。すなわち、例えばキノキサリン
構造の任意のＲ_α（αは１〜３０）がメチル基である場
合、他のキノキサリン構造の相似の位置であるＲ_αでは
メチル基でも良いしメチル基以外の他の官能基であって
も良いことを示している。従って、一つの重合体にｎ個
のキノキサリン構造が存在する場合、任意のＲはｎ個の
キノキサリン構造において各々独立の官能基であること
を示している。

【００４０】一般式（１）〜一般式（６）におけるＲ₁
〜Ｒ₃₀として具体的には、水素原子、メチル基、トリフ
ルオロメチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基等のアルコキシ基、エテニル基、２−プ
ロペニル基、１，３−ブタジエニル基、４−メトキシー
２−ブテニル基等のアルケニル基、エチニル基、２−プ
ロピニル基等のアルキニル基、フェニル基、４−メトキ
シフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、ナ
フチル基等のアリール基、フッ素原子、塩素等のハロゲ
ン基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、ニトロ
基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、チエニル
基、ピロリル基、、３―メチルチエニル基等の複素環を
有する基等を挙げることができる。

【００４１】これらの中で好ましくは水素原子、メチル
基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、
３−トリフリオロメチルフェニル基、ナフチル基、フッ
素、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、ニトロ基、
スルホン酸基、スルホン酸エステル基であり、より好ま
しくは水素原子、メチル基、メトキシ基、トリフルオロ
メチル基、フェニル基、ナフチル基、フッ素、ニトロ
基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基である。

【００４２】本発明（Ｉ）の「一般式（１）で表される
キノキサリン構造を含む重合体」として、好ましくは一
般式（２）で表されるキノキサリン構造を繰り返し単位
の一部として含む重合体である。

【００４３】より好ましくは一般式（３）で表されるキ
ノキサリン構造を繰り返し単位の一部として含む重合
体、又は一般式（４）で表されるキノキサリン構造を繰
り返し単位の一部として含む重合体である。

【００４４】一般式（３）におけるＲ₁₁〜Ｒ₁₄として好
ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基、トリフルオ
ロメチル基、フェニル基、３−トリフリオロメチルフェ
ニル基、ナフチル基、フッ素、カルボン酸基、カルボン
酸エステル基、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エ
ステル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、
メトキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ナフ
チル基、フッ素、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸
エステル基である。

【００４５】一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₃₀として好
ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基、トリフルオ
ロメチル基、フェニル基、３−トリフリオロメチルフェ
ニル基、ナフチル基、フッ素、カルボン酸基、カルボン
酸エステル基、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エ
ステル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、
メトキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ナフ
チル基、フッ素、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸
エステル基である。

【００４６】一般式（４）におけるＸはそれぞれ独立に
置換基を有しても良いアリーレン基を表し、Ｙはそれぞ
れ独立にヘテロ原子単独、ヘテロ原子を有しても良い炭
素数が６以上２０以下のアリーレン基または炭素数が２
以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎはそれ
ぞれ独立に０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合
はＹは存在しないことを意味する。ここで言うＸ、Ｙ及
びｎの「それぞれ独立に」とは、各繰り返し単位におい
てすべてが同じでも良く、また、すべてが異なっても良
いと言うことを意味する。すなわち、例えば一般式
（４）で示される繰り返し単位をｍ個有する重合体の場
合、ｍ個のＸ、Ｙ或いはｎすべて同じでも良いし、すべ
て異なっても良いし、一部が同じで一部が違っていても
かまわないことを意味する。

【００４７】一般式（４）におけるＸとしては、具体的
には例えばフェニレン基、４−メチルフェニレン基、３
−ニトロフェニレン基、３−トリフリオロメチルフェニ
レン基、ナフチレン基、５−メチルナフチレン基、４―
ニトロナフチレン基等を挙げることができる。好ましく
はフェニレン基、３−ニトロ−フェニレン基、３−トリ
フリオロメチルフェニレン基、ナフチレン基、４−ニト
ロナフチレン基であり、より好ましくはフェニレン基、
３−トリフリオロメチルフェニレン基、ナフチレン基で
ある。

【００４８】一般式（４）におけるＹとしては、具体的
には酸素原子、イオウ、セレン、＞Ｎ−Ｒ（ＲはＨまた
は炭素数１０以下のアルキル基）、フェニレン基、３−
ニトロフェニレン基、２，５−ジメトキシフェニレン
基、ナフチレン基等を挙げることができる。好ましくは
酸素原子、フェニレン基、３−ニトロフェニレン基、ナ
フチレン基であり、より好ましくは酸素原子、フェニレ
ン基である。

【００４９】また、ｎは０〜５の整数を表すが、好まし
い範囲はＹにより異なる。

【００５０】本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるキ
ノキサリン構造を含む重合体の具体例としては、ポリフ
ェニルキノキサリン（以下、「ＰＰＱ」と略す）、ポリ
-２,２’−（ｐ、ｐ’−オキシジフェニレン)−６，
６’-オキシジ（３−フェニルキノキサリン)（ＰＯＰ
Ｑ）、ポリ−２，２’−（ｐ，ｐ’−オキシジフェニレ
ン)-６，６’−オキシジ（３−フェニルキノキサリン)
（ＰＯＰＱ）等を挙げることができるが、これに限定さ
れるわけではない。詳しくは「Ｊ．ＰｏｌｙｍｅｒＳｃ
ｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔ Ａ１、第５巻、１４５３頁、１
９６７年」に記載がある。

【００５１】本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるキ
ノキサリン構造を含む重合体のキノキサリン構造は、核
磁気共鳴スペクトル（以下、ＮＭＲと略す。）、赤外ス
ペクトル（以下、ＩＲと略す。）、元素分析、質量分析
法（以下、ＭＳと略す。）等の方法で分析、同定するこ
とが可能である。具体的には洗浄等の方法により本発明
の有機発光素子から一般式（１）で表されるキノキサリ
ン構造を含む重合体を分離し、さらに熱重量分析−質量
分析法（以下、ＴＧ−ＭＳと略す）で分解物の構造から
キノキサリン骨格を同定、元素分析で元素の組成比を定
量、ＮＭＲ、ＩＲで結合状態を同定等の方法でキノキサ
リン構造を同定することが可能である。詳しくは「Ｊ．
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔＡ１、第５
巻、１４５３頁、１９６７年」に記載がある。

【００５２】本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるキ
ノキサリン構造を含む重合体の分子量は、例えばゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略
す。）等の液体クロマトグラフィーにより測定すること
ができる。具体的にはヘキサイソプロパノール等の溶媒
に溶解し、ＧＰＣにより測定することが一般的であり、
「Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔＢ：
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ、第３８巻、１３４８
頁、２０００年」、「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ、１０４９頁、１９９９年」にその記載がある。

【００５３】本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるキ
ノキサリン構造を含む重合体の分子量としては、特に制
限はない。一般的には有機発光素子の塗膜としての耐久
性、耐熱性、強度の点から高い方が好ましい。具体的に
はＧＰＣによる絶対分子量測定での重量平均分子量で５
０００以上が好ましく、１００００以上がより好まし
い。

【００５４】本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるキ
ノキサリン構造を含む重合体では、低分子量体の存在量
が少ない方が好ましい。具体的には前述のＧＰＣによる
絶対分子量測定での重量平均分子量における１０００未
満の分子量を有する低分子量体が重合体全体に対して５
質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１質
量％以下である。

【００５５】２.キノキサリン構造を有する重合体の合
成法、及びその原料 ２−１．合成法 本発明の一般式（１）で表されるキノキサリン構造を有
する重合体の合成法は特に限定されない。例えば、合成
法としては、一般式（１）で表されるキノキサリン骨
格を有する化合物のＲ¹からＲ⁶の少なくともいずれかひ
とつがビニル基等の重合性官能基である化合物をラジカ
ル重合、カチオン重合、アニオン重合等で重合すること
により得られる。

【００５６】この方法で一般式（１）で表されるキノキ
サリン骨格を有する化合物に重合性官能基を付与するこ
とが可能であれば、その官能基を重合すればよいので、
材料設計が容易で、重合体も比較的容易に得ることがで
きる。このような重合性官能基が付与されたキノキサリ
ン骨格を有する化合物としては、例えば一般式（７）で
表される。

【化３７】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
１〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
−）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
基を有してもよい複素環を有する基を表す。）

【００５７】一般式（７）のＲ₃₁としては、水素原子、
メチル基の場合が二重結合の重合性が優れており、好ま
しい。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ基
（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
−）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）の残基を有する２価の有機基
（上記の２価の残基そのものであってもよく、２価の有
機基のなかに上記の基が残基として含まれていてもよ
い。例えばＲ₃₂が−ＣＨ₃ＣＯＯ−や−ＯＣＯＮＨＣＨ₂
ＣＨ₂ＯＣＯ−であってもよいことを意味する。）、置
換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
残基またはイソシアネート基を含む基を表す。これらの
うち、Ｒ₃₂が酸素原子、カルボニルオキシ基、カルボニ
ル基、カーボネート基、ウレタン基、アミド基を有する
２価の有機基およびアリーレン基、２価の複素環残基が
二重結合の重合性が優れており、好ましい。Ｒ₃₃〜Ｒ₃₇
としては水素原子、フッ素原子、ニトロ基、酢酸メチル
基、メトキシ基、エトキシ基、メチル基、エチル基、ト
リフルオロメチル基、ヘキサフルオロエチル基、フェニ
ル基、ナフチル基、チエニル基が好ましい。

【００５８】これらの例としては、Ｐｈｏｔｏｃｈｅ
ｍ．Ｐｈｏｔｏｂｉｏｌ．、第５４巻、１号、７頁、１
９９１年、および第５４巻、４号、５１４頁、１９９１
年、およびＭａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．第１７６巻、
３号、５９３頁等に記載のスチリルキノキサリンおよび
これらの置換基誘導体、ビニルキノキサリン及びこれら
の置換基誘導体、（メタ）アクリロイルキノキサリン及
びこれらの置換基誘導体が挙げられる。これらの合成法
も上記文献に記載がある。

【００５９】このような重合性官能基が付与されたキノ
キサリン骨格を有する化合物を重合する方法は、二重結
合の反応性を利用した一般的なラジカル重合、イオン重
合等の方法を利用できる。即ち、ベンゾイルパーオキサ
イド等の過酸化物熱重合開始剤を添加し、加熱によりラ
ジカル重合する方法や、ベンゾフェノン等の光重合開始
剤を添加し、紫外線照射でラジカル重合する方法、また
はルイス酸／塩基の様な触媒を用いてカチオン重合また
はアニオン重合する方法が挙げられる。

【００６０】合成法としては、一般式（１）で表され
るキノキサリン骨格を有する化合物のＲ₁からＲ₆の少な
くともいずれか２つがブロム基等のハロゲン基である化
合物をＣｕやＮｉ等の金属触媒で脱ハロゲン重合する方
法も挙げられる。このようなハロゲン置換キノキサリン
化合物としては、２，６−ジブロモ−キノキサリン、
２，５−ジブロモ−キノキサリン及びこれらの他置換誘
導体が挙げられる。

【００６１】また、合成法のとしては、一般式（１）
で表されるキノキサリン骨格を有する重合体は、例えば
テトラミン誘導体とビスベンジル及びまたはこの誘導体
とを脱水重縮合することにより得られる。本発明の一般
式（１）で表されるキノキサリン骨格を有する重合体を
製造する方法としては、この方法が重合工程的に簡易
で、高収率で、高分子量のものが得られ好ましい。但
し、モノマーの多様性がこれまでのの方法よりやや
劣る。

【００６２】以下、このの脱水重縮合法について詳細
に説明する。

【００６３】２−２．テトラミン誘導体 本発明のキノキサリン構造を有する重合体を合成する好
ましい方法であるの脱水重縮合法で用いるモノマーの
ひとつであるテトラミン誘導体は、一般式（６）で表さ
れる。

【化３８】 (式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₁₇、Ｒ₂₈〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水
素原子、ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、
カルボン酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エス
テル基、アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１
〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素
数２〜炭素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよ
い炭素数２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有し
てもよいアリール基または置換基を有してもよい複素環
を有する基を表す。Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単
独、炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素
数が２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎ
は０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存
在せず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合している
ことを意味する。)

【００６４】この具体例としては３，３’―ジアミノベ
ンジジン

【化３９】 及びこの置換体、３，３’，４，４’−テトラアミノジ
フェニルエーテル

【化４０】 及びこの置換体が挙げられる。

【００６５】２−３．ビスベンジル及び／またはビスベ
ンジル誘導体 本発明のキノキサリン構造を有する重合体を合成する好
ましい方法であるの脱水重縮合法で用いるのモノマー
のひとつであるビスベンジル及び／またはビスベンジル
誘導体は一般式（５）で表される。

【化４１】 （式中、Ｒ₁₈〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリー
レン基を表す。

【００６６】この具体例としては１，４−ビスベンジル
(パラ体、メタ体；次式はパラ体)

【化４２】 及びこれらの置換体（次式はパラ体のメトキシ誘導体）

【化４３】 が挙げられる。

【００６７】２−４．脱水重縮合 本発明の一般式(１)で表されるキノキサリン骨格を有す
る重合体を合成する好ましい方法であるの方法、即ち
各種テトラミンとビスベンジル及びまたはビスベンジル
誘導体とを脱水重縮合する条件は以下の通りである。

【００６８】反応温度は使用するモノマーの種類や溶媒
によって一概に限定できないが一般的には使用する溶媒
の環流温度付近で行う。

【００６９】反応時間は使用するモノマーの種類や溶媒
によって一概に限定できないが、脱水重縮合であり、高
分子化するには少なくとも１０時間は要する。好ましい
範囲は２５時間以上１００時間以内であり、３０時間以
上７０時間以下が特に好ましい。使用する溶媒として
は、使用するモノマーが溶解しやすく、また反応しない
ものなら特に限定されない。例えばＮ,Ｎ―ジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）等が挙げられる。

【００７０】重合時の溶媒中のモノマー濃度は、ビスベ
ンジル及びまたはビスベンジル誘導体とテトラミンの重
量の総計が反応溶液の５質量％以上４０質量％以下が好
ましく、８質量％以上３０質量％以下が特に好ましい。
モノマー濃度が低すぎると重合が進みにくく分子量が増
加しにくくなる。モノマー濃度が高すぎると重合溶液の
粘度が上がり、混合しづらくなって、重合体の析出が早
期に起こり分子量が増加しにくい。

【００７１】３．有機発光素子 次に、本発明（ＩＩ）の上記キノキサリン構造を含む重
合体を用いた有機発光素子について説明する。

【００７２】図１は本発明の有機発光素子構成の一例を
示す断面図であり、透明基板上に設けた陽極と陰極の間
にホール輸送層、発光層、電子輸送層を順次設けたもの
である。また、本発明の有機発光素子構成は図１の例の
みに限定されず、陽極と陰極の間に順次、１）ホール輸
送層／発光層、２）発光層／電子輸送層、のいずれかを
設けたものでもよく、更には３）ホール輸送材料、発光
材料、電子輸送材料を含む層、４）ホール輸送材料、発
光材料を含む層、５）発光材料、電子輸送材料を含む
層、６）発光材料の単独層、のいずれかの層を一層設け
るだけでもよい。また、図１に示した発光層は１層であ
るが、２つ以上の層が積層されていてもよい。

【００７３】３−１．電子輸送材料 本発明の有機発光素子においては、上記電子輸送材料に
キノキサリン構造を含む重合体を用いることを特徴とす
る。キノキサリン構造を含む重合体は成膜されて有機発
光素子の一部を構成するが、その成膜する方法は特に限
定されない。例えば、（Ａ）発光体層の上にキノキサリ
ン構造を含む重合体溶液を塗布し溶媒を揮発除去する方
法や、（Ｂ）発光層の上にキノキサリン構造を含む重合
体モノマーを塗布、成膜後に、モノマーを重合する方法
が挙げられる。これらの方法は多層構造素子を作成する
場合に好適である。また、発光材料や電子輸送材料、ホ
ール輸送材料の混合単層素子を作成する方法もプロセス
上有利である。例えば、（Ｃ）キノキサリン構造を含む
重合体からなる電子輸送材料と発光材料やホール輸送材
料を混合した溶液を調製し、電極上に塗布後、溶媒を揮
発除去する方法や、（Ｄ）キノキサリン構造を含む重合
体モノマーと発光材料やホール輸送材料を混合した溶液
を調製し、電極上に塗布後、重合体モノマーを重合し、
溶媒を揮発除去する方法が挙げられる。上記、重合体溶
液やモノマー溶液を塗布する方法も特に限定されない。
例えば、印刷法やインクジェット、スピンコート等、種
々の方法が挙げられる。電子輸送層の厚さは、電子輸送
層の導電率にもよるので一概に限定はできないが、１０
ｎｍ〜１０μmが好ましく、１０ｎｍ〜１μmが更に好ま
しい。

【００７４】本発明では上記キノキサリン構造を含む重
合体に他の電子輸送材料を混合及び／または積層して用
いても良い。用いることのできる他の電子輸送材料とし
ては、Ａｌｑ₃（トリスアルミニウムキノリノール）な
どのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘
導体、トリアゾール誘導体などの既知の電子輸送材料が
使用できるが、特にこれらに限定されることはない。

【００７５】上記の電子輸送材料はそれぞれ単独で電子
輸送層を形成するほかに、高分子材料をバインダとして
各層を形成することもできる。これに使用される高分子
材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレン
オキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定され
るものではない。

【００７６】３−２．発光材料 発光材料としてはスチルベン構造等の共役系構造を有す
る化合物、アルミニウムキノリウム錯体等の軽金属錯体
や遷移金属錯体構造等があげられるが、安定性、設計自
由性等の面で金属錯体構造が好ましい。

【００７７】本発明の有機発光素子に用いられる発光材
料においては、さらに励起三重項状態からの発光あるい
は励起三重項状態を経由する発光、いわゆる燐光発光物
質を発光部位に有する化合物が好ましい。燐光発光物質
は、励起三重項状態の量子効率の値として０．１以上が
好ましく、更に好ましくは０．３以上であり、より一層
好ましくは０．５以上である。尚、これらの励起三重項
状態の量子効率が高い化合物は、例えば“Ｈａｎｄｂｏ
ｏｋ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｓｅｃｏ
ｎｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ（Ｓｔｅｖｅｎ Ｌ． Ｍｕｒｏ
ｖほか著，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ Ｉｎｃ．，１
９９３）などから選ぶことができる。本発明の好ましい
発光材料の励起三重項状態からの発光あるいは励起三重
項状態を経由する燐光発光部位としてはイリジウムや白
金等の金属錯体構造及びこれらの誘導体があげられる。
燐光性金属錯体構造は励起三重項状態が高温でも比較的
安定であり好ましい。

【００７８】上記の燐光性金属錯体構造に使用される遷
移金属としては、周期表において第１遷移元素系列は原
子番号２１のＳｃから原子番号３０のＺｎまでを、第２
遷移元素系列は原子番号３９のＹから原子番号４８のＣ
ｄまでを、第３遷移元素系列は原子番号７２のＨｆから
原子番号８０のＨｇまでを含める。また上記の励起三重
項状態を経由して発光する燐光性金属錯体構造の他の具
体的な例としては希土類金属錯体構造を例示することが
できるが、何らこれに限定されるものではない。この希
土類金属錯体構造に使用される希土類金属としては、周
期表において原子番号５７のＬａから原子番号７１のＬ
ｕまでを含める。

【００７９】上述した金属錯体構造に使用される配位子
の構造としては、アセチルアセトナート、２，２’−ビ
ピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジ
ン、１，１０−フェナントロリン、２−フェニルピリジ
ン、ポルフィリン、フタロシアニン、ピリミジン、キノ
リン及び／またはこれらの誘導体などを例示することが
できるが、何らこれらに限定されるものではない。これ
らの配位子は、１つの錯体について１種類または複数種
類が配位される。また、上記の錯体化合物として二核錯
体構造あるいは多核錯体構造や、２種類以上の錯体の複
錯体構造を使用することもできる。

【００８０】本発明の好ましい発光材料である燐光性金
属錯体構造における発光のメカニズムは以下のようにな
る。すなわち、電気的励起により最低励起一重項状態が
２５％、最低励起三重項状態が７５％の割合で生成する
が、遷移金属錯体や希土類金属錯体の場合には重原子効
果により最低励起一重項状態から最低励起三重項状態へ
の項間交差が起こりやすくなるため、最低三重項状態の
比率が７５％以上に増加する。この最低励起三重項状態
から燐光を発光する遷移金属錯体のような場合には、燐
光を発光する放射遷移と共に無輻射遷移が存在する。ま
た、希土類金属錯体の場合には配位子の最低励起三重項
状態の励起エネルギーが中心金属イオンへエネルギー移
動し、中心金属イオンの励起準位から発光するが、この
場合にも発光の放射遷移と共に無輻射遷移が存在する。
これらの無輻射遷移は極低温にしない限りこれを抑える
ことができず、通常上記のような化合物の常温における
発光は極めて微弱である。しかし、本発明の好ましい燐
光性金属錯体構造を有する発光材料では、発光部位を分
子レベルで高分子に固定することにより分子の振動が抑
えられるため、励起エネルギーが分子の振動となって失
われることがなくなる。また、励起三重項状態は酸素に
より失活するが、本発明の好ましい燐光性金属錯体構造
を有する発光材料では、発光部位を高分子内に閉じ込め
ることにより、酸素の進入を抑えることが可能である。

【００８１】上記の発光体層に用いられる発光材料はそ
れぞれ単独で各層を形成するほかに、高分子材料をバイ
ンダとして各層を形成することもできる。これに使用さ
れる高分子材料としては、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ
フェニレンオキサイドなどを例示できるが、特にこれら
に限定されるものではない。

【００８２】発光体層の厚さは一概に限定はできない
が、１０ｎｍ〜１０μmが好ましく、１０ｎｍ〜１μmが
更に好ましい。

【００８３】上記の発光層に用いられる発光材料の成膜
方法は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ
リング法、コーティング法などを用いることが可能で、
これらに特に限定されることはないが、低分子化合物に
場合は主として抵抗加熱蒸着および電子ビーム蒸着が用
いられ、高分子材料の場合は主にコーティング法が用い
られる。

【００８４】３−３．ホール輸送材料 本発明の有機発光素子にホール輸送材料も用いることも
できる。発光材料にホール輸送機能がない場合は特にホ
ール輸送材料を用いることにより、発光効率の向上、駆
動電圧の低下等、素子の性能向上が図れる。用いるホー
ル輸送材料に特に制限はなく、発光材料やキノキサリン
構造を有する重合体からなる電子輸送材料との組み合わ
せで適したものを選べばよい。

【００８５】ホール輸送材料としては、低分子化合物と
して、フタロシアニン類、金属フタロシアニン類、ナフ
タロシアニン類、金属ナフタロシアニン類、ビスアゾ化
合物類、トリスアゾ化合物類、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジメ
チル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，
４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，
４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）
トリフェニルアミン）等のトリフェニルアミン誘導体
類、ジフェニル類、ナフタレン類、アントラセン類の多
環芳香族類、ベンゾキノン、アントラキノン等の芳香族
キノン類が挙げられる。また高分子化合物として、上記
低分子化合物の重合体以外にポリアニリン、ポリチオフ
ェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロー
ル、ポリパラフェニレンビニレン及びこれらの誘導体に
代表されるｐ型導電性高分子、ポリカルバゾール及び誘
導体、ポリシラン及び誘導体、ポリシロキサン及び誘導
体等が挙げられる。

【００８６】これらのホール輸送材料は単独でも用いら
れるが、異なるホール輸送材料と混合または積層して用
いてもよい。ホール輸送層の厚さは、ホール輸送層の導
電率にもよるので一概に限定はできないが、１０ｎｍ〜
１０μmが好ましく、１０ｎｍ〜１μmが更に好ましい。

【００８７】またこれらのホール輸送材料はそれぞれ単
独で各層を形成するほかに、高分子材料をバインダとし
て各層を形成することもできる。これに使用される高分
子材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレ
ンオキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定さ
れるものではない。

【００８８】上記のホール輸送材料の成膜方法は、抵抗
加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、コ
ーティング法などを用いることが可能で、これらに特に
限定されることはないが、低分子化合物に場合は主とし
て抵抗加熱蒸着および電子ビーム蒸着が用いられ、高分
子材料の場合は主にコーティング法が用いられる。

【００８９】３−４．陽極材料 本発明に係る有機発光素子の陽極材料としては、ＩＴＯ
（酸化インジウムスズ）、酸化錫、酸化亜鉛、ポリチオ
フェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性高分
子などの既知の透明導電材料が使用できるが、特にこれ
らに限定されることはない。この透明導電材料による電
極の表面抵抗は１〜５０Ω／□（オーム／スクエアー）
であることが好ましい。これらの陽極材料の成膜方法と
しては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学反
応法、コーティング法などを用いることができるが、こ
れらに特に限定されることはない。陽極の厚さは５０〜
３００ｎｍが好ましい。

【００９０】また、陽極とホール輸送層または陽極に隣
接して積層される有機層の間に、ホール注入に対する注
入障壁を緩和する目的でバッファ層が挿入されていても
よい。これには銅フタロシアニンなどの既知の材料が用
いられるが、特にこれに限定されることはない。

【００９１】３−５．陰極材料 本発明に係る有機発光素子の陰極材料としては、Ａｌ、
ＭｇＡｇ合金、Ｃａなどのアルカリ金属、ＡｌＣａなど
のＡｌとアルカリ金属の合金などの既知の陰極材料が使
用できるが、特にこれらに限定されることはない。これ
らの陰極材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着法、電
子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法などを用いることができるが、これらに特に限定
されることはない。陰極の厚さは１０ｎｍ〜１μmが好
ましく、５０〜５００ｎｍが更に好ましい。

【００９２】また、陰極と、電子輸送層または陰極に隣
接して積層される有機層との間に、電子注入効率を向上
させる目的で、厚さ０．１〜１０ｎｍの絶縁層が挿入さ
れていてもよい。この絶縁層としては、フッ化リチウ
ム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミナ
などの既知の陰極材料が使用できるが、特にこれらに限
定されることはない。

【００９３】３−６．基板、その他 本発明に係る有機発光素子の基板としては、発光材料の
発光波長に対して透明な絶縁性基板が使用でき、ガラス
のほか、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリ
カーボネートを始めとする透明プラスチックなどの既知
の材料が使用できるが、特にこれらに限定されることは
ない。

【００９４】本発明の有機発光素子は、既知の方法でマ
トリックス方式またはセグメント方式による画素を構成
することができ、また、画素を形成せずにバックライト
として用いることもできる。

【００９５】

【実施例】以下に本発明について代表的な例を示し具体
的に説明する。尚これらは説明のための単なる例示であ
って、本発明はこれらに何ら制限されるものではない。

【００９６】＜測定装置等＞ １）¹Ｈ−ＮＭＲ 日本電子（株）製 ＪＮＭ ＥＸ２７０ ２７０Ｍｚ 溶媒：重クロロホルムまたは重ジメチルス
ルホシキド ２）ＧＰＣ測定（分子量測定） カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ−Ｇ＋ＫＦ８０４Ｌ＋ＫＦ
８０２＋ＫＦ８０１ 溶離液：ヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ） 温 度：４０℃ 検出器：ＲＩ（Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ−７１） 光散乱検出器（ＤＡＷＮ社製） （Ｓｈｏｄｅｘは昭和電工（株）の登録商標） ３）元素分析装置 ＲＥＣ０社製 ＣＨＮＳ−９３２型

【００９７】＜実施例１＞：電子輸送材料製造例；ポリ
フェニルキノキサリン(ＰＰＱ)の合成反応は下記スキー
ムに従って実施した。

【化４４】 即ち、ＤＭＦ(含水量２００ｐｐｍ)６００ｃｃを加えた
１Ｌのガラス製四口フラスコ（長さ４ｃｍの撹拌はね及
び冷却管付き）に、１，４−ビスベンジル（ＢＢＺと略
す、Ｍｗ３４２．４、昭和電工製、ＧＣ純度９８％）４
１．５２ｇ、３，３’−ジアミノベンジジン（ＤＡＢＺ
と略す、Ｍｗ２１４．３、アルドリッチ製、ＬＣ純度９
８％）２５．９８ｇを添加し、室温窒素雰囲気下で３０
分撹拌し、ＢＢＺ及びＤＡＢＺを完全に溶解させた。そ
の後、窒素雰囲気下、１３０℃まで１時間で昇温した
後、１３０℃で攪拌しながら４０時間反応させた。

【００９８】得られた黄色沈殿を濾過、メタノール洗
浄、乾燥後１２０℃で１２時間、真空乾燥することによ
り、５４．０３ｇのＰＰＱ粉末を得た。

【００９９】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から目的通りの構造と推定された。また、ヘキサフルオ
ロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）を溶離液としたＧＰＣ
からの光散乱法による絶対分子量（重量平均）は５１０
００であった。

【０１００】＜実施例２＞：ＰＰＱ塗膜評価 実施例１で製造したＰＰＱ粉末の５ｗｔ％ＨＦＩＰ溶液
を調製した。これをスピンコータで１×１ｃｍの白金箔
上に塗布後、ＨＦＩＰを蒸発除去させることにより、厚
さ約２０００ÅのＰＰＱ塗膜を白金箔上に成膜した。こ
のＰＰＱ／白金電極を作用極とし、対極を白金箔（２×
２ｃｍ）、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）を参照極とし
て、２０ｗｔ％硫酸水溶液中で、１０ｍＶ／ｓｅｃの走
査速度で、サイクリックボルタモグラムを行った。その
結果、−０．０５Ｖｖｓ.ＳＣＥに水素イオンのＮ型ド
ーピングによる酸化還元ピークがみられ、このＰＰＱフ
ィルムが容易にＮ型ドーピングすることが確認できた。

【０１０１】＜実施例３＞：電子輸送材料製造例；ポリ
フェニルキノキサリンエーテル(ＰＰＱＥ）の合成 反応は下記スキームに従って実施した。

【化４５】 即ち、実施例１で用いたＤＡＢＺ２５．９８ｇの代わり
に、３，３’，４，４’−テトラアミノジフェニルエー
テル（ＴＡＤＥと略す、Ｍｗ２３０．２７、文献（ＯＰ
ＰＩ ＢＲＩＥＦＳ，ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．４，４７８
頁，１９９３年）に従い合成、ＬＣ純度９８％）２７．
９２ｇを用いた以外は実施例１と同様の方法で、５５．
８３ｇの黄色のＰＰＱＥ粉末を得た。

【０１０２】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から得られた粉末は目的通りの構造と推定された。ま
た、ＨＦＩＰを溶離液としたＧＰＣからの光散乱法によ
る絶対分子量（重量平均）は４８０００であった。

【０１０３】＜実施例４＞：ＰＰＱＥ塗膜評価 実施例３で製造したＰＰＱＥ粉末の５ｗｔ％ＨＦＩＰ溶
液を調製し、実施例２と同様にＰＰＱＥ／白金電極を製
造した。ＰＰＱ／白金電極の代わりに、このＰＰＱＥ／
白金電極を用いて、実施例２と同様にしてサイクリック
ボルタモグラムを行った。その結果、−０．０７Ｖｖ
ｓ.ＳＣＥに水素イオンのＮ型ドーピングによる酸化還
元ピークがみられ、このＰＰＱＥフィルムが容易にＮ型
ドーピングすることが確認できた。

【０１０４】＜実施例５＞：電子輸送材料製造例；ポリ
メトキシフェニルキノキサリン（ＰＰＱＯＭ）の合成 反応は下記スキームに従って実施した。

【０１０５】

【化４６】 即ち、実施例１で用いたＢＢＺ４１．５２ｇの代わり
に、ＢＢＺメトキシ体（ＢＢＺＯＭと略す、Ｍｗ４０
４．４１、文献（ＯＰＰＩ ＢＲＩＥＦＳ，ｖｏｌ．２
５，Ｎｏ．４，４７８頁，１９９３年）に従い合成、Ｌ
Ｃ純度９８％）４９．０４ｇを用いた以外は実施例１と
同様の方法で、黄赤色の６０．３３ｇのＰＰＱ粉末を得
た。

【０１０６】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から目的通りのＰＰＱＯＭが得られていると推定され
た。また、ＨＦＩＰを溶離液としたＧＰＣからの光散乱
法による絶対分子量(重量平均)は３８０００であった。

【０１０７】＜実施例６＞：ＰＰＱＯＭ塗膜評価 実施例５で製造したＰＰＱＯＭ粉末の５ｗｔ％ＨＦＩＰ
溶液を調製し、実施例２と同様にＰＰＱＯＭ／白金電極
を製造した。ＰＰＱ／白金電極の代わりに、このＰＰＱ
ＯＭ／白金電極を用いて、実施例２と同様にしてサイク
リックボルタモグラムを行った。その結果、−０．１Ｖ
ｖｓ.ＳＳＣＥに水素イオンのＮ型ドーピングによる酸
化還元ピークがみられ、このＰＰＱＯＭフィルムが容易
にＮ型ドーピングすることが確認できた。

【０１０８】＜実施例７＞：電子輸送材料製造例；スチ
リルキノキサリン（以下、ＳＴＱと略す。）の重合、評
価 Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍ．Ｐｈｏｔｏｂｉｏｌ．、第５４
巻、１号、７頁、１９９１年に記載の方法で合成したス
チリルキノキサリンを下記スキームに従い、重合した。

【化４７】

【０１０９】即ち、ＳＴＱ（ＬＣ純度９６％）３０．０
０ｇを脱水トルエン５００ＣＣに溶解し、撹拌しなが
ら、触媒としてアゾビスイソブチロニトリルを０．１ｇ
加え、６０℃に昇温し、３時間反応させることにより、
ポリスチリルキノキサリン（以下、ＰＳＴＱと略す。）
が析出、沈殿した。これを濾過、分離し、２４．５０ｇ
を淡黄色粉末として得た。

【０１１０】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
からＳＴＱの二重結合が消失し、ＰＳＴＱが得られてい
ると推定された。また、ＨＦＩＰを溶離液としたＧＰＣ
からの光散乱法による絶対分子量(重量平均)は４２００
０であった。

【０１１１】このＰＳＴＱ粉末の５ｗｔ％ＨＦＩＰ溶液
を調製し、実施例２と同様にしてＰＳＴＱ／白金電極を
製造した。このＰＳＴＱ／白金電極を用いて、実施例２
と同様にしてサイクリックボルタモグラムを行った。そ
の結果、−０．０７Ｖｖｓ.ＳＳＣＥに水素イオンのＮ
型ドーピングによる酸化還元ピークがみられ、このＰＳ
ＴＱフィルムが容易にＮ型ドーピングすることが確認で
きた。

【０１１２】＜実施例８＞：発光材料製造例；燐光高分
子用重合性化合物：Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）₂（ＰＰ
ｙ）の合成 常法に従い４−メトキシフェニルピリジン（４−ＭｅＯ
−ＰＰｙ）を合成した。即ち、下記スキームに示すよう
に、常法によりアルゴン気流下において４−ブロモアニ
ソール２２．４ｇ（１２０ｍｍｏｌ）から脱水テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）中でマグネシウム（Ｍｇ）３．４
ｇを用いて（４−メトキシフェニル）マグネシウムブロ
マイドを合成し、これを２−ブロモピリジン１５．８ｇ
（１００ｍｍｏｌ）と（１，２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン）ジクロロニッケル（ＩＩ）（Ｎｉ（ｄ
ｐｐｅ）Ｃｌ₂） １．８ｇの脱水ＴＨＦ溶液に徐々に
添加し、１時間還流した。反応液に５％塩酸水溶液２５
０ｍｌを加えた後、クロロホルムで洗浄した。水層を炭
酸水素ナトリウムで中和した後、クロロホルムで目的物
を抽出し、有機層を減圧下に蒸留した。蒸留物は室温で
直ちに固化し、白色固体として２−（４−メトキシフェ
ニル）ピリジン（４−ＭｅＯ−ＰＰｙ）を１５．１ｇ
（８１．５ｍｍｏｌ）得た。同定はＣＨＮ元素分析、¹
Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化４８】

【０１１３】次いでこの４−ＭｅＯ−ＰＰｙのメトキシ
基を常法に従い加水分解した。即ち、下記スキームに示
すように、４−ＭｅＯ−ＰＰｙ １５．０ｇ（８０．１
ｍｍｏｌ）を濃塩酸中に溶解させ密閉容器中１３０℃で
４時間攪拌した。反応後、反応液を炭酸水素ナトリウム
水溶液で中和し、目的物をクロロホルムで抽出し、抽出
物をクロロホルム/ヘキサン溶液より結晶化させ、無色
の結晶として２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン
（４−ＨＯ−ＰＰｙ）１０．０ｇ（５８．５ｍｍｏｌ）
を得た。同定はＣＨＮ元素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行っ
た。

【化４９】

【０１１４】次いでこの４−ＨＯ−ＰＰｙを常法に従い
ヘキサクロロイリジウム酸ナトリウムｎ水和物（Ｎａ₃
ＩｒＣｌ₆・ｎＨ₂Ｏ）と反応させてビス（μ-クロロ）
テトラキス（２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジ
ン）ジイリジウム（ＩＩＩ）（［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰ
ｙ）₂Ｃｌ］₂）を合成した。即ち、下記スキームに示す
ように、Ｎａ₃ＩｒＣｌ₆・ｎＨ₂Ｏ １０．０ｇを２−
エトキシエタノールと水の３：１の混合溶媒４００ｍｌ
中に溶解させ、アルゴンガスを３０分間吹き込んだ後
に、アルゴン気流下で４−ＨＯ−ＰＰｙ ８．６ｇ（５
０．２ｍｍｏｌ）を加えて溶解させ、５時間還流した。
反応後、溶媒を留去し、エタノールより再結晶させ、赤
橙色の結晶として［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂Ｃｌ］₂
５．８８ｇ（５．１８ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨ
Ｎ元素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化５０】

【０１１５】次いでこの［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂
Ｃｌ］₂を、常法に従いトリフルオロメチルスルホン酸
銀（Ｉ）（ＡｇＣＦ₃ＳＯ₃）の存在下に２−フェニルピ
リジン（ＰＰｙ）と反応させた。即ち、下記スキームに
示すように、アルゴン気流下にて［Ｉｒ（４−ＨＯ−Ｐ
Ｐｙ）₂Ｃｌ］₂ ３．９８ｇ（３．５ｍｍｏｌ）とＰＰ
ｙ １５．５ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）の脱水トルエン懸
濁液にＡｇＣＦ₃ＳＯ₃を１．９８ｇ加え、６時間還流し
た。反応液をシリカゲルカラムで精製した後、溶媒を留
去し、黄色粉末としてビス（２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）ピリジン）（２−フェニルピリジン）イリジウム
（ＩＩＩ）（Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ））
２．２０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元
素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化５１】

【０１１６】次いで、下記スキームに示すように、アル
ゴン気流下にて、Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂（ＰＰ
ｙ） １．３７ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、脱酸剤としての
トリエチルアミン（ＴＥＡ）０．８１ｇ（８．０ｍｍｏ
ｌ）の脱水ＴＨＦ溶液にメタクリル酸クロライド０．５
０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を加えて２０℃で５時間反応さ
せた。反応液からトリエチルアミンの塩酸塩を濾別し、
濾液をシリカゲルカラムで精製した後、溶媒を留去し、
ビス（（２−（４−（２−メタクリロイルオキシ）フェ
ニル）ピリジン）（２−フェニルピリジン）イリジウム
（ＩＩＩ）（Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ））
１．５５ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ
元素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化５２】

【０１１７】＜実施例９＞：発光材料製造例；燐光高分
子用重合性化合物：Ｉｒ（４−ＭＯＩ−ＰＰｙ）₂（Ｐ
Ｐｙ）の合成 下記スキームに示すように、アルゴン気流下にて、実施
例８と同様に合成したＩｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂（Ｐ
Ｐｙ） １．３７ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、２，６−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール（ＢＨＴ）１
８ｍｇ、ジブチル錫(ＩＶ)ジラウレート（ＤＢＴＬ）２
６ｍｇの脱水ＴＨＦ溶液にメタクリロイルオキシエチル
イソシアネート（ＭＯＩ、昭和電工製）０．７５ｇ
（４．８３ｍｍｏｌ）を加えて５０℃で１時間反応させ
た。反応液をシリカゲルカラムで精製した後、溶媒を留
去し、ビス（（２−（４−（２−メタクリロイルオキ
シ）エチルカルバモイルオキシ）フェニル）ピリジン）
（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ
（ＭＯＩ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ））１．６８ｇ（１．６
８ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元素分析、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲで行った。

【化５３】

【０１１８】＜実施例１０〜１７＞： 有機発光素子の
作製、評価 実施例８、９で合成した２種の燐光高分子用重合性化合
物、Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ）、Ｉｒ（４
−ＭＯＩ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ）のそれぞれのヘキサフ
ルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）の５ｗｔ％溶液を
ポリエチレンジオキシチオフェン(ＰＥＤＯＴ、バイエ
ル社製)が５００Åの厚さで予め塗布成膜されたＩＴＯ
陽極（ガラス基板上にＩＴＯが塗布されたもの）上にス
ピンコート法により５ｍｍ×５ｍｍの大きさに塗布後、
窒素雰囲気で６０℃加熱２時間行い、燐光高分子用重合
性化合物を架橋熱重合／６０℃３時間真空乾燥すること
により、各厚さ約１０００Åの各燐光性高分子層（Ｉｒ
（４−ＭＡ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ）架橋重合体、Ｉｒ
（４−ＭＯＩ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ）架橋重合体）をＰ
ＥＤＯＴ/ＩＴＯ陽極上に各４個ずつ成膜し、発光層を
形成した。これら２種、各４個の燐光性高分子/ＰＥＤ
ＯＴ/ＩＴＯ電極上に電子輸送材料として実施例１，
３，５，７で合成したＰＰＱ、ＰＰＱＥ、ＰＰＱＯＭ、
ＰＳＴＱの３ｗｔ％溶液を各発光層につき１種ずつスピ
ンコ−トにより成膜後、６０℃３時間真空乾燥すること
により、各厚さ約５００Åの電子輸送層を形成させた。
ついで陰極としてAｇ／Ｍｇを重量比９／１で約１００
０Åの厚さに成膜し、発光層、電子輸送層のことなる６
種の有機発光素子を作製した。これら素子をアルゴン雰
囲気のグローブボックス中でリード線をつけガラス容器
内にアルゴン雰囲気で密閉し、発光評価に用いた。

【０１１９】発光輝度は電源として、（株）アドバンテ
スト社製 プログラマブル直流電圧／電流源 ＴＲ６１
４３を用い、実施例において得られた有機発光素子に電
圧を印加し、発光輝度を（株）トプコン社製 輝度計
ＢＭ−８を用いて測定した。

【０１２０】上記発光素子に直流電源を引加したとこ
ろ、発光開始電圧、１０Ｖでの初期輝度、その後１０Ｖ
で固定し連続発光させた場合の２４０時間後の輝度は表
１の如くなった。

【０１２１】＜比較例１〜４＞：有機発光素子の作成、
評価 実施例１０、１４の２種の燐光性高分子系有機発光素子
の電子輸送層を省略、または電子輸送層としてＰＢＤ(2
-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadi
azol)を約５００Åの厚さに真空蒸着により成膜した以
外は実施例１０、１４と同様の有機発光素子を作製し、
直流電源を引加したところ、発光開始電圧、１０Ｖでの
初期輝度、その後１０Ｖで固定し連続発光させた場合の
２４０時間後の輝度は表２の如くなった。

【０１２２】

【表１】

【０１２３】

【表２】

【０１２４】

【発明の効果】本発明のキノキサリン構造を有する高分
子からなる電子輸送材料を用いることにより、高輝度で
耐久性のある有機発光素子を提供することが可能とな
る。

【０１２５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機発光素子の断面図の例である。

【０１２６】

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 陽極 ３ ホール輸送層 ４ 発光層 ５ 電子輸送層 ６ 陰極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で表されるキノキサリン構
   造を含む重合体を含有することを特徴とする電子輸送材
   料。 【化１】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
   に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
   ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
   酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
   アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
   ２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
   素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
   ２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
   アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
   基を表す。）
2. 【請求項２】 一般式（１）で表されるキノキサリン構
   造を側鎖に含む重合体を含有することを特徴とする電子
   輸送材料。 【化２】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
   に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
   ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
   酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
   アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
   ２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
   素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
   ２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
   アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
   基を表す。）
3. 【請求項３】 一般式（２）で表されるキノキサリン構
   造を繰り返し単位の一部として含む重合体を含有するこ
   とを特徴とする電子輸送材料。 【化３】 （式中、Ｒ₇〜Ｒ₁₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
   ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
   コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
   のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
   ２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
   炭素数２０のアルキニル基置換基を有してもよいアリー
   ル基または置換基を有してもよい複素環を有する基を表
   す。）
4. 【請求項４】 一般式（１）で表されるキノキサリン構
   造を側鎖に含み、且つ一般式（２）で表されるキノキサ
   リン構造を繰り返し単位の一部として含む重合体を含有
   することを特徴とする電子輸送材料。 【化４】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₆の内、少なくとも一つは重合体の主鎖
   に結合する基であり、他はそれぞれ独立に、水素原子、
   ハロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン
   酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、
   アルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数
   ２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭
   素数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数
   ２〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよい
   アリール基または置換基を有してもよい複素環を有する
   基を表す。） 【化５】 （式中、Ｒ₇〜Ｒ₁₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
   ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
   コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
   のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
   ２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
   炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
   ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
   表す。）
5. 【請求項５】 一般式（２）で表されるキノキサリン構
   造が、一般式（３）で表されるキノキサリン構造である
   ことを特徴とする請求項３又は請求項４のいずれか一つ
   に記載の電子輸送材料。 【化６】 （式中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
   ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
   コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
   のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
   ２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
   炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
   ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
   表す。）
6. 【請求項６】 一般式（４）で表されるキノキサリン構
   造を繰り返し単位の一部として含む重合体を含有するこ
   とを特徴とする電子輸送材料。 【化７】 （式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
   ゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸エ
   ステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、アル
   コキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０
   のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数
   ２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜
   炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいアリ
   ール基または置換基を有してもよい複素環を有する基を
   表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリー
   レン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、炭
   素数が６以上２０以下のアリーレン基または炭素数が２
   以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０〜
   ５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在しな
   いことを意味する。）
7. 【請求項７】一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₃₀が水素原
   子、Ｘがフェニレン基、ｎ＝０である請求項６に記載の
   電子輸送材料。
8. 【請求項８】一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₃₀が水素原
   子、Ｘがフェニレン基、Ｙが酸素原子、ｎ＝１である請
   求項６に記載の電子輸送材料。
9. 【請求項９】一般式（４）におけるＲ₁₅〜Ｒ₁₉、Ｒ₂₁〜
   Ｒ₂₄、Ｒ₂₆〜Ｒ₃₀が水素原子、Ｒ₂₀およびＲ₂₅がメトキ
   シ基、Ｘがフェニレン基、ｎ＝０である請求項６に記載
   の電子輸送材料。
10. 【請求項１０】一般式（５）で表されるビスベンジル誘
    導体と一般式（６）で表されるテトラミン誘導体とを脱
    水重縮合することを特徴とする請求項１〜６のいずれか
    一つに記載の電子輸送材料の製造方法。 【化８】 【化９】 （両式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
    ロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸
    エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ア
    ルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２
    ０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素
    数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２
    〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいア
    リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
    を表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリ
    ーレン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、
    炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素数が
    ２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは
    ０ 〜 ５ の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹ
    は存在せず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合して
    いることを意味する。）
11. 【請求項１１】モノマーの一種類として一般式（７）で
    表される重合性官能基を有するキノキサリン系化合物を
    重合することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つ
    に記載の電子輸送材料の製造方法。 【化１０】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
    １〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
    リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
    を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
    基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
    −）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
    （−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
    ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
    基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
    基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
    ２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
    残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
    ₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
    トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
    ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
    を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
    換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
    基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
    キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
    基を有してもよい複素環を有する基を表す。）
12. 【請求項１２】請求項１〜９のいずれか一つに記載の電
    子輸送材料を用いることを特徴とする有機発光素子。
13. 【請求項１３】発光層、電子輸送層の少なくとも２層構
    造からなる有機発光素子において、請求項１〜９のいず
    れか一つに記載の電子輸送材料が厚み１００Å以上５０
    ００Å以下で形成された電子輸送層を用いることを特徴
    とする有機発光素子。
14. 【請求項１４】発光材料と電子輸送材料が混合された発
    光層を有する有機発光素子において、電子輸送材料に請
    求項１〜９のいずれか一つに記載の電子輸送材料を用い
    ることを特徴とする有機発光素子。
15. 【請求項１５】請求項１〜９のいずれか一つに記載の電
    子輸送材料を溶かした溶液を下地層上に塗布成膜後、溶
    媒を除去することを特徴とする有機発光素子の製造方
    法。
16. 【請求項１６】一般式（５）で表されるビスベンジル誘
    導体と一般式（６）で表されるテトラミン誘導体とを下
    地層上に塗布成膜後、脱水重縮合することを特徴とする
    有機発光素子の製造方法。 【化１１】 【化１２】 （両式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
    ロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸
    エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ア
    ルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２
    ０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素
    数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２
    〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいア
    リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
    を表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリ
    ーレン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、
    炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素数が
    ２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０
    〜５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在せ
    ず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合していること
    を意味する。）
17. 【請求項１７】一般式（７）で表される重合性官能基を
    有するキノキサリン系化合物を下地層上に塗布成膜後、
    重合することを特徴とする有機発光素子の製造方法。 【化１３】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
    １〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
    リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
    を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
    基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
    −）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
    （−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
    ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
    基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
    基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
    ２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
    残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
    ₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
    トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
    ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
    を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
    換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
    基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
    キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
    基を有してもよい複素環を有する基を表す。）
18. 【請求項１８】下地層が発光層である請求項１５〜１７
    のいずれか一つに記載の有機発光素子の製造方法。
19. 【請求項１９】発光材料と電子輸送材料が混合された発
    光層を有する有機発光素子において、請求項１〜９のい
    ずれか一つに記載の電子輸送材料と発光材料を溶かした
    溶液を下地層上に塗布成膜後、溶媒を除去することを特
    徴とする有機発光素子の製造方法。
20. 【請求項２０】一般式（５）で表されるビスベンジル誘
    導体と一般式（６）で表されるテトラミン誘導体と発光
    材料を溶かした溶液を下地層上に塗布成膜後、ビスベン
    ジル誘導体とテトラミン誘導体とを脱水重縮合すること
    を特徴とする有機発光素子の製造方法。 【化１４】 【化１５】 （両式中、Ｒ₁₅〜Ｒ₃₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
    ロゲン、水酸基、ニトロ基、カルボン酸基、カルボン酸
    エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ア
    ルコキシ基、置換基を有してもよい炭素数１〜炭素数２
    ０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素
    数２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２
    〜炭素数２０のアルキニル基、置換基を有してもよいア
    リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
    を表し、Ｘはそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリ
    ーレン基を表し、Ｙはそれぞれ独立にヘテロ原子単独、
    炭素数が４以上２０以下のアリーレン基または炭素数が
    ２以上２０以下である２価の複素環残基を表し、ｎは０
    〜５の整数を表す。ただし、ｎが０の場合はＹは存在せ
    ず、一般式（６）のベンゼン環が直接結合していること
    を意味する。）
21. 【請求項２１】一般式（７）で表される重合性官能基を
    有するキノキサリン系化合物と発光材料を溶かした溶液
    を下地層上に塗布成膜後、キノキサリン系化合物を重合
    することを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子の
    製造方法。 【化１６】 （式中、Ｒ₃₁は水素原子、置換基を有してもよい炭素数
    １〜炭素数２０のアルキル基、置換基を有してもよいア
    リール基または置換基を有してもよい複素環を有する基
    を表す。Ｒ₃₂は酸素原子（−Ｏ−）、カルボニルオキシ
    基（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、カルボニル基（−ＣＯ
    −）、カーボネート基（−ＯＣＯＯ−）、ウレタン基
    （−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、アミド基（−Ｃ
    ＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）を有する２価の有機基、置換
    基を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキレン
    基、炭素数が６以上２０以下のアリーレン基、炭素数が
    ２以上２０以下である２価の複素環残基、ポリエーテル
    残基またはイソシアネート基を含む基を表す。Ｒ₃₃〜Ｒ
    ₃₇はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、水酸基、ニ
    トロ基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホ
    ン酸基、スルホン酸エステル基、アルコキシ基、置換基
    を有してもよい炭素数１〜炭素数２０のアルキル基、置
    換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアルケニル
    基、置換基を有してもよい炭素数２〜炭素数２０のアル
    キニル基、置換基を有してもよいアリール基または置換
    基を有してもよい複素環を有する基を表す。）
22. 【請求項２２】下地層が電極またはホール輸送層である
    請求項１９〜２１のいずれか一つに記載の有機発光素子
    の製造方法。
23. 【請求項２３】発光材料の発光部位が励起三重項状態か
    らの発光あるいは励起三重項状態を経由する発光である
    ことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一つに記
    載の有機発光素子。
24. 【請求項２４】発光材料の発光部位が金属錯体であるこ
    とを特徴とする請求項１２〜１４、２３のいずれか一つ
    に記載の有機発光素子。
25. 【請求項２５】発光材料が高分子発光材料であることを
    特徴とする請求項１２〜１４、２３、２４のいずれか一
    つに記載の有機発光素子。
26. 【請求項２６】発光材料が重合性発光材料を重合するこ
    とにより得られる高分子発光材料であることを特徴とす
    る請求項１２〜１４、２３〜２５のいずれか一つに記載
    の有機発光素子。