JP2003092443A - マルチチャンバ成膜装置の処理スケジューリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の成膜対象に関する処理時間を管理でき
るとともにスケジュールの編集を容易に行うこと。 【解決手段】 基板１３に処理を開始する前に、成膜時
間と搬送時間を含む処理時間を基板固有の処理手順にし
たがって算出し、算出した処理時間を単位時間ごとに分
割し、単位時間に分割された処理時間と基板固有の処理
手順を基に処理スケジュール表を作成し、基板間で同一
の単位時間内に処理が重複するときには重複を避けるた
めの編集処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置の処理ス
ケジューリング方法に係り、特に、複数の成膜室内で半
導体、電子部品などの成膜対象に処理を施すときのスケ
ジュールを作成するに好適なマルチチャンバ成膜装置の
処理スケジューリング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】マルチチャンバ成膜装置として、薄膜磁
気へッド用マルチチャンバ・スパッタリング装置が知ら
れている。薄膜磁気ヘッドの分野では、読み取りヘッド
に巨大磁気抵抗効果（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅ
ｓｉｓｔａｎｃｅ）を応用したＧＭＲ多層膜が使用され
ている。その製造プロセスにおいて、ＧＭＲ膜の膜厚
は、最も薄いところでオングストロームオーダまで薄膜
化が進んでいる。このため、下地層の表面状態により、
上の層の結晶成長に明らかな差がみられ、特に、同じ膜
構成においても、下地層とその上の層との成膜時間間隔
により、上の層の結晶成長に明確な差があり、膜特性に
多大な影響を与えることが確認されている。従って、膜
特性安定化のためには、成膜時間間隔を一定に保つ必要
がある。

【０００３】また、磁気抵抗センサ膜形成工程で成膜さ
れる層の数は、十数層と多層化が進んでいる。このた
め、各層の成膜時間間隔を一定に保つには成膜時間を管
理する必要があるが、従来のマルチチャンバ・スパッタ
リング装置では、特に処理スケジューリングは行われて
おらず、各層の処理が完了したときに、次の処理室が開
いていれば次の処理に移り、次の処理室が開いていない
ときには処理室が開くまで待つという処理を行ってい
た。この結果、処理すべき膜の構成によっては、処理室
の稼動率が著しく低くなることもあり、スループットが
低下する。

【０００４】このように、マルチチャンバ成膜装置にお
いては、処理スケジューリングがスループット向上には
必須となる。

【０００５】そこで、特開平１０−１８９６８７号公報
に記載されているように、各チャンバに優先順位を割り
当て、割り当てられた優先順位にしたがってウエハをチ
ャンバからチャンバへ移動させるとともに、チャンバの
利用可能性によって割り当てられた優先順位を動的に変
更する方式が提案されている。また特開平７−２８３０
９３号公報に記載されているように、各処理装置におけ
る各処理条件ごとに処理時間を入力し、入力した処理時
間を基に、時間的に隣合って処理される被処理体のロッ
ド同士のスケジュールが同一処理装置で重ならないよう
に全体のスケジュールをたてるようにしたものが提案さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
のうち前者のものは、チャンバの利用可能性によって割
り当てられた優先順位を動的に変更しているため、成膜
時間間隔を管理することができず、膜特性にばらつきが
生じることがある。また従来技術のうち後者のものは、
各処理条件ごとに得られた処理時間を基に被処理体のロ
ッド同士のスケジュール調整を行っているため、スケジ
ュール調整に時間を要することになる。

【０００７】本発明の課題は、複数の成膜対象に関する
処理時間を管理できるとともにスケジュールの編集を容
易に行うことができるマルチチャンバ成膜処理の処理ス
ケジューリング方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、搬送室の周囲に配置された複数の成膜室
のうちいずれかの成膜室に複数の成膜対象を順次搬送し
て成膜処理を施すに際して、処理開始前に、前記複数の
成膜対象に処理を施すに要する時間として成膜時間と搬
送時間を含む処理時間を各成膜対象固有の処理手順に従
って算出し、算出した処理時間を単位時間毎に分割し、
単位時間に分割された処理時間と前記各成膜対象固有の
処理手順を基に各成膜対象の処理時のスケジュールとな
る処理スケジュール表を作成することを特徴とするマル
チチャンバ成膜装置の処理スケジューリング方法を採用
したものである。

【０００９】前記マルチチャンバ成膜装置の処理スケジ
ューリング方法を採用するに際しては、以下の要素を付
加することができる。

【００１０】（１）各成膜対象間で同一の単位時間内に
処理が重複するときには、前記作成された処理スケジュ
ール表に対して処理の重複を避けるための編集を行う。

【００１１】（２）各成膜対象間で同一の単位時間内に
処理が重複するのを避けることを条件に、前記作成され
た処理スケジュール表に対して各成膜対象の成膜時間間
隔を最短とするための編集を行う。

【００１２】（３）前記成膜対象は、薄膜磁気ヘッドの
磁気抵抗センサ用多層膜が成膜される基板である。

【００１３】前記した手段によれば、処理時間を単位時
間ごとに分割し、単位時間に分割された処理時間と各成
膜対象固有の処理時間を基に各成膜対象の処理スケジュ
ールとなる処理スケジュール表を作成するようにしたた
め、複数の成膜対象に関する処理時間を管理できるとと
もにスケジュールの編集を容易に行うことができ、成膜
対象として、例えば、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗センサ
用多層膜が成膜される基板に成膜処理を施した場合、結
晶成長を一定にし、膜特性を安定化させると同時にスル
ープットの向上を図ることができる。特に、処理時間を
単位時間ごとに分割しているため、各成膜対象間で同一
の単位時間内に処理が重複するときの編集処理や各成膜
対象の成膜時間間隔を最短とするための編集処理を容易
に行うことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明の一実施形態を示す
マルチチャンバ成膜装置としてのマルチチャンバ・スパ
ッタリング装置のブロック構成図である。図１におい
て、マルチチャンバ・スパッタリング装置は、仕込取出
室１、クリーニング室（ＣＬ室）２、第１成膜室（ＳＰ
１）３、第２成膜室（ＳＰ２）４、第３成膜室（ＳＰ
３）５、第４成膜室（ＳＰ４）６、第５成膜室（ＳＰ
５）７、第６成膜室（ＳＰ６）８、搬送室９を備え、搬
送室９を中心に、その周囲に仕込取出室１、クリーニン
グ室２、第１成膜室３〜第６成膜室８が配置されてい
る。各室と搬送室９とは搬送路を介して接続されてお
り、搬送室９には搬送ロボット１０が移動自在に配置さ
れている。

【００１５】仕込取出室１内には、カセット１２が配置
されており、このカセット１２には、成膜対象として、
例えば、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗センサ用多層膜が成
膜される基板１３が順次収納される。仕込取出室１と搬
送室９とを結ぶ搬送路内には基板１３の位置決めを行う
ためのオリフラアライメント機構１１が配置されてい
る。カセット１２に順次収納された各基板１３は、仕込
取出室１内のカセット１２に納められたあと、仕込取出
室１内が真空排気されたことを条件に、予め設定された
処理スケジュール表にしたがって、搬送ロボット１０に
よって各成膜室などに順次搬送される。この過程で、各
基板１３には各基板１３固有の処理手順にしたがってい
ずれかの成膜室で成膜処理が施され、全ての成膜処理が
完了したあと、仕込取出室１のカセット１２に順次収納
されるようになっている。

【００１６】複数の基板１３に対して各種の成膜処理を
施すに際して、本実施形態では、処理開始前に、図２に
示すように、制御装置１４により各基板１３の処理時の
スケジュールとなる処理スケジュール表を作成し、その
後処理スケジュール表にしたがって各基板１３に対して
順次成膜処理を施すこととしている。制御装置１４は、
イーサネット（登録商標）１６を介してシーケンサ１５
に接続されており、シーケンサ１５は入出力インタフェ
イス１７を介してマルチチャンバ成膜装置の本体に接続
されている。すなわち、処理スケジュール表を作成する
ための処理プログラムにしたがった命令が制御装置１４
によって生成されると、この処理命令はイーサネット１
６を通じてシーケンサ１５に送信され、シーケンサ１５
によって受信された処理命令は入出力インタフェイス１
７を介して装置本体の各部に伝送されるようになってい
る。

【００１７】制御装置１４により処理スケジュール表を
作成するに際しては、図３に示すフローチャートにした
がった処理が実行される。

【００１８】まず、ユーザは、各基板１３に処理を施す
に要する時間として成膜時間と搬送時間を含む処理時間
を各基板固有の処理手順にしたがって測定し（ステップ
Ｓ１）、測定した処理時間を制御装置１４に入力する
（ステップＳ２）。このあと各基板固有の処理手順にし
たがって処理レシピを作成する（ステップＳ３）。

【００１９】ここで、基板１３として８枚の基板（Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．８）を用い、各基板に関する処理時間お
よび処理レシピの結果を示すと以下のようになる。

【００２０】Ｎｏ．１の基板１３に関する処理手順 仕込取出室１→クリーニング室２→第１成膜室３→第２
成膜室４→第３成膜室５→第４成膜室６→第６成膜室８ Ｎｏ．１の基板１３に関する成膜時間は次の表１のよう
になる。

【００２１】

【表１】 Ｎｏ．２の基板１３に関する処理手順 仕込取出室１→クリーニング室２→第１成膜室３→第３
成膜室５→第４成膜室６→第６成膜室８ Ｎｏ．２の基板１３に関する成膜時間は次の表２で表さ
れる。

【００２２】

【表２】 Ｎｏ．３の基板１３に関する処理手順 仕込取出室１→クリーニング室２→第１成膜室３→第２
成膜室４→第３成膜室５→第４成膜室６→第６成膜室８ Ｎｏ．３の基板１３に関する成膜時間は次の表３で表さ
れる。

【００２３】

【表３】 Ｎｏ．４とＮｏ．５の基板１３に関する処理手順 仕込取出室１→クリーニング室２→第１成膜室３→第２
成膜室４→第３成膜室５→第４成膜室６→第６成膜室８ Ｎｏ．４とＮｏ．５の基板１３に関する成膜時間は次の
表４で表される。

【００２４】

【表４】 Ｎｏ．６からＮｏ．８の基板１３に関する処理手順 仕込取出室１→クリーニング室２→第１成膜室３→第６
成膜室８→第２成膜室４→第３成膜室５→第４成膜室６
→第３成膜室５→第６成膜室８→第１成膜室３ Ｎｏ．６からＮｏ．８の基板１３に関する成膜時間は次
の表５で表される。

【００２５】

【表５】 次に、各基板の部屋Ｎｏ．の読み出しを行う（ステップ
Ｓ４）。この場合、次の表６に示すように、各基板の処
理室Ｎｏ．を定義する。このとき、テーブルデータから
読み出した各基板の処理室Ｎｏ．を基板の取出を行う部
屋として表６のように定義して取り扱うものとする。

【００２６】

【表６】 表６の定義にしたがって各基板の処理室Ｎｏ．を読み出
すと、各基板と処理室Ｎｏ．との関係は次の表７のよう
に割付けられる。

【００２７】

【表７】 次に、各基板１３の処理時間を演算する（ステップＳ
５）。この場合、各基板１３の１工程当たりの処理時間
として、搬送時間と成膜時間を含む処理時間を算出す
る。搬送時間は、基板１３を実際に搬送する搬送時間
と、基板１３を運ばないロボットだけの搬送による空搬
送時間を含む。すなわち、実際の搬送時間は、前工程の
基板搬送位置から現工程の基板搬送位置までのロボット
移動時間を意味し、空搬送時間は、前工程の基板搬送位
置から現工程の基板搬送位置までの搬送時間を意味す
る。

【００２８】成膜時間は、成膜開始できるまでの準備期
間としての成膜準備時間、レシピで設定された成膜時
間、成膜終了後搬送できるまでの時間を示す成膜後始末
時間を含む。

【００２９】なお、空搬送時間は、各成膜室間の移動時
間であって、例えば、３５パターン存在するが、後続基
板の前工程位置はこの時点では確定していないため、各
成膜室ごとに１パターンで代表することとしている。

【００３０】例えば、仕込取出室１を基準として、仕込
取出室１と各部屋とを移動するのに要する空搬送時間を
みると、クリーニング室２、第１成膜室３〜第６成膜室
８、オリフラ（オリフラアライメント機構）１１との間
には８パターンの空搬送時間が存在し、クリーニング室
２を基準にすると、第１成膜室３〜第６成膜室８、オリ
フラ１１との間に７パターンの空搬送時間が存在し、第
１成膜室３を基準にしてみると、第２成膜室４〜第６成
膜室８、オリフラ１１との間に６パターンの空搬送時間
が存在し、第２成膜室４を基準にしてみると、第３成膜
室５〜第６成膜室８、オリフラ１１との間に５パターン
の空搬送時間が存在し、第３成膜室５を基準にしてみる
と、第４成膜室６〜第６成膜室８、オリフラ１１との間
に４パターンの空搬送時間が存在し、第４成膜室６を基
準にしてみると、第５成膜室７、第６成膜室８、オリフ
ラ１１との間に３パターンの空搬送時間が存在し、第５
成膜室７を基準にしてみると、第６成膜室８、オリフラ
１１との間に２パターンの空搬送時間が存在する。この
ように、３５パターンの空搬送時間が存在するが、クリ
ーニング室２、第１成膜室３〜第６成膜室８、オリフラ
１１ごとにそれぞれ１パターンの空搬送時間を設定する
こととしている。

【００３１】表７に各基板の処理時間を加えると、次の
表８のように表される。

【００３２】

【表８】 表８において、以下に、各室と各室との間を移動するに
要する搬送時間を示す。

【００３３】Ｓ−Ｓ ：各基板の第１工程（カセット移
動）における搬送時間 １−２ ：仕込取出室１とクリーニング室２との間の搬
送時間 １−３ ：仕込取出室１と第１成膜室３との間の搬送時
間 １−４ ：仕込取出室１と第２成膜室４との間の搬送時
間 １−５ ：仕込取出室１と第３成膜室５との間の搬送時
間 １−６ ：仕込取出室１と第４成膜室６との間の搬送時
間 １−７ ：仕込取出室１と第５成膜室７との間の搬送時
間 １−８ ：仕込取出室１と第６成膜室８との間の搬送時
間 １−１１：仕込取出室１とオリフラ１１との間の搬送時
間 ２−３ ：クリーニング室２と第１成膜室３との間の搬
送時間 ２−４ ：クリーニング室２と第２成膜室４との間の搬
送時間 ２−５ ：クリーニング室２と第３成膜室５との間の搬
送時間 ２−６ ：クリーニング室２と第４成膜室６との間の搬
送時間 ２−７ ：クリーニング室２と第５成膜室７との間の搬
送時間 ２−８ ：クリーニング室２と第６成膜室８との間の搬
送時間 ２−１１：クリーニング室２とオリフラ１１との間の搬
送時間 ３−４ ：第１成膜室３と第２成膜室４との間の搬送時
間 ３−５ ：第１成膜室３と第３成膜室５との間の搬送時
間 ３−６ ：第１成膜室３と第４成膜室６との間の搬送時
間 ３−７ ：第１成膜室３と第５成膜室７との間の搬送時
間 ３−８ ：第１成膜室３と第６成膜室８との間の搬送時
間 ３−１１：第１成膜室３とオリフラ１１との間の搬送時
間 ４−５ ：第２成膜室４と第３成膜室５との間の搬送時
間 ４−６ ：第２成膜室４と第４成膜室６との間の搬送時
間 ４−７ ：第２成膜室４と第５成膜室７との間の搬送時
間 ４−８ ：第２成膜室４と第６成膜室８との間の搬送時
間 ４−１１：第２成膜室４とオリフラ１１との間の搬送時
間 ５−６ ：第３成膜室５と第４成膜室６との間の搬送時
間 ５−７ ：第３成膜室５と第５成膜室７との間の搬送時
間 ５−８ ：第３成膜室５と第６成膜室８との間の搬送時
間 ５−１１：第３成膜室５とオリフラ１１との間の搬送時
間 ６−７ ：第４成膜室６と第５成膜室７との間の搬送時
間 ６−８ ：第４成膜室６と第６成膜室８との間の搬送時
間 ６−１１：第４成膜室６とオリフラ１１との間の搬送時
間 ７−８ ：第５成膜室７と第６成膜室８との間の搬送時
間 ７−１１：第５成膜室７とオリフラ１１との間の搬送時
間 ８−１１：第６成膜室８とオリフラ１１との間の搬送時
間 次に、処理時間の単位時間変換処理を行う（ステップＳ
６）。この場合、スケジュールの並べ替えの便宜を図る
ために、各基板１３の処理時間を単位時間、例えば、１
単位１５秒に変換する。なお、１５秒を超え３０秒以下
のときにはこの処理時間を単位２とする。また１５秒以
下の処理時間についても単位１とする。

【００３４】以上のことを考慮すると、表８で示される
処理時間は以下に示す単位によって表すことができる。

【００３５】 単位 Ｓ−Ｓ ：各基板の第１工程（カセット移動）における搬送時間 １ １−２ ：仕込取出室１とクリーニング室２との間の搬送時間 １ １−３ ：仕込取出室１と第１成膜室３との間の搬送時間 １ １−４ ：仕込取出室１と第２成膜室４との間の搬送時間 １ １−５ ：仕込取出室１と第３成膜室５との間の搬送時間 ２ １−６ ：仕込取出室１と第４成膜室６との間の搬送時間 ２ １−７ ：仕込取出室１と第５成膜室７との間の搬送時間 ３ １−８ ：仕込取出室１と第６成膜室８との間の搬送時間 ３ １−１１：仕込取出室１とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ２−３ ：クリーニング室２と第１成膜室３との間の搬送時間 １ ２−４ ：クリーニング室２と第２成膜室４との間の搬送時間 １ ２−５ ：クリーニング室２と第３成膜室５との間の搬送時間 ２ ２−６ ：クリーニング室２と第４成膜室６との間の搬送時間 ２ ２−７ ：クリーニング室２と第５成膜室７との間の搬送時間 ３ ２−８ ：クリーニング室２と第６成膜室８との間の搬送時間 ３ ２−１１：クリーニング室２とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ３−４ ：第１成膜室３と第２成膜室４との間の搬送時間 １ ３−５ ：第１成膜室３と第３成膜室５との間の搬送時間 １ ３−６ ：第１成膜室３と第４成膜室６との間の搬送時間 １ ３−７ ：第１成膜室３と第５成膜室７との間の搬送時間 ２ ３−８ ：第１成膜室３と第６成膜室８との間の搬送時間 ２ ３−１１：第１成膜室３とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ４−５ ：第２成膜室４と第３成膜室５との間の搬送時間 １ ４−６ ：第２成膜室４と第４成膜室６との間の搬送時間 １ ４−７ ：第２成膜室４と第５成膜室７との間の搬送時間 ２ ４−８ ：第２成膜室４と第６成膜室８との間の搬送時間 ２ ４−１１：第２成膜室４とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ５−６ ：第３成膜室５と第４成膜室６との間の搬送時間 １ ５−７ ：第３成膜室５と第５成膜室７との間の搬送時間 ２ ５−８ ：第３成膜室５と第６成膜室８との間の搬送時間 ２ ５−１１：第３成膜室５とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ６−７ ：第４成膜室６と第５成膜室７との間の搬送時間 １ ６−８ ：第４成膜室６と第６成膜室８との間の搬送時間 １ ６−１１：第４成膜室６とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ７−８ ：第５成膜室７と第６成膜室８との間の搬送時間 １ ７−１１：第５成膜室７とオリフラ１１との間の搬送時間 １ ８−１１：第６成膜室８とオリフラ１１との間の搬送時間 １ 次に、各基板１３の処理時間を単位時間に変換したあ
と、単位時間に分割された処理時間をテーブルに割り付
けると、次の表９のように表される。この場合１マスが
単位時間を表すものとする。

【００３６】

【表９】 次に、処理開始タイミングシフトを行う（ステップＳ
７）。すなわち、各基板間で同一の単位時間内に処理が
重複するのを避けるために、各基板１３の処理開始タイ
ミングを基板Ｎｏ．の若い順に優先権を与え、処理タイ
ミングをシフトする。この場合、以下の規則にしたがっ
て処理開始タイミングをシフトする。

【００３７】（１）基板Ｎｏ．の若い順に処理を確定す
る。そして確定した基板の再シフトは行わない。

【００３８】（２）重複して使用するロボットおよび部
屋があった場合は、後続基板の処理をシフトする。また
先行基板は既に処理手順が確定しているため、シフトは
行わない。

【００３９】（３）シフトは先行基板の処理と重複する
後続基板の該当処理以降に対してシフトを行う。

【００４０】上記の規則に基づいて、各基板の部屋Ｎ
ｏ．に関して処理開始タイミングのシフト処理を行う。

【００４１】例えば、基板Ｎｏ．１と基板Ｎｏ．２につ
いて開始タイミングをシフトすると、次の表１０のよう
に表される。

【００４２】

【表１０】 表１０の場合、基板Ｎｏ．１の４−５と基板Ｎｏ．２の
８−１において、搬送ロボット１０を重複して使用して
いるため、搬送ロボット１０の使用を先行基板と重複し
ないようにシフトする必要がある。

【００４３】上記のことを考慮し、全ての基板に対して
部屋の重複使用および搬送ロボットの重複使用を回避す
るためにシフトすると、次の表１１〜表１４で表され
る。なお、シフトの結果は表１１〜表１４に分かれてい
るが、連続したものを示している。

【００４４】

【表１１】

【００４５】

【表１２】

【００４６】

【表１３】

【００４７】

【表１４】 次に、成膜間隔を最短化するための処理を行う（ステッ
プＳ８）。例えば、サンプルのスケジュール例では、表
１２、表１３に示す５−６間の成膜時間間隔に着目し、
この間の成膜時間間隔をシフトすることによって成膜時
間間隔を最短にする。

【００４８】処理スケジュールをシフトし、成膜時間間
隔を最短にすると、表１１〜表１４は次の表１５〜表１
９で表される。

【００４９】

【表１５】

【００５０】

【表１６】

【００５１】

【表１７】

【００５２】

【表１８】

【００５３】

【表１９】 次に、エラーチェックを行うために、スケジュールに矛
盾はないか否かの判定を行う（ステップＳ９）。この場
合、処理を開始する前に、各基板固有の処理手順にした
がってスケジュール表に矛盾がないか否かを判定する。
この処理はエラーチェックプログラムを用いて行うこと
ができ、エラーチェックプログラムにかけて矛盾がなけ
れば、処理スケジュール表にしたがって各基板に対する
成膜処理を開始する。

【００５４】本実施形態によれば、処理時間を単位時間
ごとに分割し、単位時間に分割された処理時間と各基板
固有の処理時間を基に各基板の処理スケジュールとなる
処理スケジュール表を作成するようにしたため、複数の
基板に関する処理時間を管理できるとともにスケジュー
ルの編集を容易に行うことができる。また、薄膜磁気ヘ
ッドの磁気抵抗センサ用多層膜が成膜される基板に成膜
処理を施した場合、結晶成長を一定にし、膜特性を安定
化させると同時にスループットの向上を図ることができ
る。特に、処理時間を単位時間ごとに分割しているた
め、各基板間で同一の単位時間内に処理が重複するとき
の編集処理や各基板の成膜時間間隔を最短とするための
編集処理を容易に行うことができる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理時間を単位時間ごとに分割し、単位時間に分割され
た処理時間と各成膜対象固有の処理時間を基に各成膜対
象の処理スケジュールとなる処理スケジュール表を作成
するようにしたため、複数の成膜対象に関する処理時間
を管理できるとともにスケジュールの編集を容易に行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示すマルチチャンバ・ス
パッタリング装置のブロック構成図である。

【図２】処理スケジュールを作成する制御システムのブ
ロック構成図である。

【図３】処理スケジュール表の作成方法を説明するため
のフローチャートである。

【符号の説明】

１ 仕込取出室 ２ クリーニング室 ３ 第１成膜室 ４ 第２成膜室 ５ 第３成膜室 ６ 第４成膜室 ７ 第５成膜室 ８ 第６成膜室 ９ 搬送室 １０ 搬送ロボット １１ オリフラアライメント機構 １２ 基板カセット １３ 基板 １４ 制御装置 １５ シーケンサ １６ イーサネット １７ 入出力インタフェイス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今川 尊雄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者 重松 恵嗣 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージ事業部内 (72)発明者 林 恒男 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所半導体製造装置グループ内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 搬送室の周囲に配置された複数の成膜室
   のうちいずれかの成膜室に複数の成膜対象を順次搬送し
   て成膜処理を施すに際して、処理開始前に、前記複数の
   成膜対象に処理を施すに要する時間として成膜時間と搬
   送時間を含む処理時間を各成膜対象固有の処理手順に従
   って算出し、算出した処理時間を単位時間毎に分割し、
   単位時間に分割された処理時間と前記各成膜対象固有の
   処理手順を基に各成膜対象の処理時のスケジュールとな
   る処理スケジュール表を作成することを特徴とするマル
   チチャンバ成膜装置の処理スケジューリング方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のマルチチャンバ成膜装
   置の処理スケジューリング方法において、各成膜対象間
   で同一の単位時間内に処理が重複するときには、前記作
   成された処理スケジュール表に対して処理の重複を避け
   るための編集を行うことを特徴とするマルチチャンバ成
   膜装置の処理スケジューリング方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載のマルチチャン
   バ成膜装置の処理スケジューリング方法において、各成
   膜対象間で同一の単位時間内に処理が重複するのを避け
   ることを条件に、前記作成された処理スケジュール表に
   対して各成膜対象の成膜時間間隔を最短とするための編
   集を行うことを特徴とするマルチチャンバ成膜装置の処
   理スケジューリング方法。
4. 【請求項４】 請求項１、２または３に記載のマルチチ
   ャンバ成膜装置の処理スケジューリング方法において、
   前記成膜対象は、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗センサ用多
   層膜が成膜される基板であることを特徴とするマルチチ
   ャンバ成膜装置の処理スケジューリング方法。