JP2003086620A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】突起電極を有する半導体装置の製造方法

【０００７】
本発明は、小型化に適した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するため、本発明は、半導体素子から突起電極を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体素子は、半導体素子の能動面を被覆して形成され、半導体素子の能動面に設けられた素子電極を臨ませた開口部を有する保護層と、開口部の内部において素子電極を被覆するバリア層と、バリア層を被覆した拡散防止層形成用膜とを有し、
この突起電極を有する半導体装置の製造方法は、
ＩＴＯ薄膜を介してＩｎ塊を表面に有する基板を、Ｉｎ塊と拡散防止層形成用膜とを位置合わせした状態で、半導体素子を基板に向けて押圧させることにより、Ｉｎ塊を半導体素子に転写する第１工程、
半導体素子に転写されたＩｎ塊を加熱することにより、Ｉｎ塊を突起電極とする第２工程、
を有する。
拡散防止層形成用膜は金からなり、第２工程においては、加熱により拡散防止層形成用膜とＩｎ塊とを相互拡散させてバリア層と突起電極との間にＡｕＩｎ ₂ からなる拡散防止層が形成されることが好ましい。
バリア層はニッケルからなることが好ましい。
Ｉｎ塊を被覆する還元剤がＩＴＯ薄膜上に形成されており、第１工程により還元剤も半導体素子に転写されることが好ましい。
還元剤はアビエチン酸であることが好ましい。

Claims (5)

1. 半導体素子から突起電極を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体素子は、前記半導体素子の能動面を被覆して形成され、前記半導体素子の能動面に設けられた素子電極を臨ませた開口部を有する保護層と、前記開口部の内部において前記素子電極を被覆するバリア層と、前記バリア層を被覆した拡散防止層形成用膜とを有し、
   前記突起電極を有する半導体装置の製造方法は、
   ＩＴＯ薄膜を介してＩｎ塊を表面に有する基板を、前記Ｉｎ塊と前記拡散防止層形成用膜とを位置合わせした状態で、前記半導体素子を前記基板に向けて押圧させることにより、前記Ｉｎ塊を前記半導体素子に転写する第１工程、
   前記半導体素子に転写されたＩｎ塊を加熱することにより、前記Ｉｎ塊を突起電極とする第２工程、
   を有する、突起電極を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記拡散防止層形成用膜は金からなり、
   前記第２工程においては、前記加熱により前記拡散防止層形成用膜と前記Ｉｎ塊とを相互拡散させて前記バリア層と前記突起電極との間にＡｕＩｎ₂からなる拡散防止層が形成される、請求項１に記載の突起電極を有する半導体装置の製造方法。
3. 前記バリア層はニッケルからなる、請求項２に記載の突起電極を有する半導体装置の製造方法。
4. 前記Ｉｎ塊を被覆する還元剤がＩＴＯ薄膜上に形成されており、
   前記第１工程により前記還元剤も前記半導体素子に転写される、請求項１に記載の突起電極を有する半導体装置の製造方法。
5. 前記還元剤がアビエチン酸である、請求項４に記載の突起電極を有する半導体装置の製造方法。