JP2000243773A5 - - Google Patents

Description

【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明の一実施形態に係る方法によって製造されるべき半導体チップの構成を示す断面図である。この半導体チップ１０は、半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成された絶縁膜２と、この絶縁膜２上に形成されたアルミ配線３と、このアルミ配線３上を覆う保護膜４とを有している。保護膜４には、アルミ配線３の一部であるパッド部（電気接続部）の上方において開口４ａが形成されている。そして、この開口４ａにおいて露出するアルミ配線３の表面を覆うようにＴｉＷなどからなるバリアメタル層５が形成されたおり、このバリアメタル層５上に、金、パラジウム、チタン、銀、イリジウムなどの耐酸化性の金属からなるバンプＢが隆起して形成されている。図１からわかるように、バンプＢは平面状の上面部と非直線状の側面部とを有しており、上面部は基板の厚み方向に見たときのサイズが側面部に囲まれた領域よりも小さくされている。また、バンプＢは、本体部と本体部から突出する突出部とを有した構成とされている。

Claims (12)

1. 半導体基板上に金属電極部を有する半導体装置の製造方法であって、
   上記半導体基板とは、別の電極転写用基板の表面に、金属電極部をパターン形成する工程と、
   この電極転写用基板と上記半導体基板とを圧接することにより、上記金属電極部を、上記電極転写用基板から上記半導体基板上へと転写させる転写工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 上記電極転写用基板は、表面にシード膜が形成しており、
   上記電極転写用基板に金属電極部を形成する工程は、上記シード膜上に上記金属電極部の材料をめっきする工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 上記電極転写用基板は、金属電極部の形成位置以外の領域の上記シード膜の表面を覆う絶縁膜を表面に有していることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
4. 上記シード膜は、上記半導体基板上において金属電極部が転写される部位と金属電極部との密着性よりも、当該金属電極部との密着性が弱い材料を用いて形成されることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
5. 上記電極転写用基板は、透光性の材料からなっており、
   上記シード膜は、金属電極部を形成すべき領域に選択的に形成されていることを特徴とする請求項２ないし４記載の半導体装置の製造方法。
6. 上記半導体基板上には、電気接続部を露出させる開口を有する保護膜が形成されており、
   上記金属電極部を上記電極転写用基板上に形成する工程では、上記電気接続部の配置に対応した配置で上記金属電極部が形成され、
   上記金属部を転写する工程では、上記金属電極部が上記電気接続部へと転写されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 半導体基板上に金属電極部を有する半導体装置であって、
   上記金属電極部は、上記半導体基板とは別の電極転写用基板の表面にパターン形成された後、上記半導体基板と電極転写用基板とを圧接し転写することにより上記半導体基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
8. 上記半導体基板上には、電気接続部が形成されており、
   上記金属電極部は、上記電気接続部上に形成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
9. 上記金属電極部は、本体部と本体部から突出する突出部とを有することを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
10. 上記本体部は、上記基板の厚み方向に見たときのサイズが上記突出部よりも大きくされていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
11. 半導体基板上に金属電極部を有する半導体装置であって、
    上記金属電極部は、平面状の上面部と、非直線状の側面部とを有することを特徴とする半導体装置。
12. 上記上面部は、上記基板の厚み方向に見たときのサイズが上記側面部に囲まれる領域よりも小さくされていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。