JP2003078064A - インターポーザ、半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
インターポーザ、半導体パッケージおよびその製造方法Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着剤等の接着成分を用いることなく半導体
素子との接着が可能なインターポーザおよびその製造方
法を提供することである。また、薄型化し得る半導体パ
ッケージおよびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明のインターポーザは、プリプレグ
と、前記プリプレグの片面に形成された導体パターン
（回路）と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆う
ように形成された被覆層（ソルダーレジスト層）とを有
することを特徴とするものである。また、本発明の半導
体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭
載してなることを特徴とするものである。また、本発明
のインターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合し
てなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パタ
ーンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも
一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。
素子との接着が可能なインターポーザおよびその製造方
法を提供することである。また、薄型化し得る半導体パ
ッケージおよびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明のインターポーザは、プリプレグ
と、前記プリプレグの片面に形成された導体パターン
（回路）と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆う
ように形成された被覆層（ソルダーレジスト層）とを有
することを特徴とするものである。また、本発明の半導
体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭
載してなることを特徴とするものである。また、本発明
のインターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合し
てなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パタ
ーンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも
一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有すること
を特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インターポーザ、
半導体パッケージおよびその製造方法に関する。
半導体パッケージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、プリント配線板等を構成するプリ
プレグは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性
樹脂ワニスをガラスクロス等の基材に含浸した後、加熱
乾燥、反応する工程により得られる。次いでこのプリプ
レグを用いて、銅張り積層板やプリント配線板等が製造
される。プリプレグを構成する樹脂が未硬化の場合、プ
リプレグの表面がべた付くため（タックの発生）、作業
性が低下するといった問題点を有していた。また、加熱
加圧時に樹脂フローが大きくなり、成形性が低下すると
いった問題点を有していた。そこで、一般にプリプレグ
は、上述の加熱反応する工程により、構成する熱硬化性
樹脂を、半硬化の状態とすることで、プリプレグ表面の
タックの発生を抑え、加熱加圧時のフローを制御してい
る。しかし、半硬化状態のプリプレグは、可撓性に欠
け、割れ易いといった問題点を有していた。そのため、
半硬化状態のプリプレグを直接回路加工することができ
なかった。また、半硬化の樹脂と基材との接着強度が十
分でない等の理由より、プリプレグを切断加工した際
に、樹脂組成物や基材からなる粉が発生し、作業性が低
下するといった問題点を有していた。更に、この粉が、
積層のためにプリプレグを取り扱う場合にプリプレグか
ら離脱して、銅箔等の金属箔や積層成形用の金属プレー
トに付着し、成形を終えた積層板やプリント配線板に、
いわゆる打痕を生じさせるといった問題点を有してい
た。したがって、未硬化の状態または半硬化の状態のプ
リプレグに直接回路加工等できる材料は存在しなかっ
た。更には、未硬化の状態または半硬化の状態のプリプ
レグに回路加工等をするといった発想は存在しなかっ
た。
プレグは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性
樹脂ワニスをガラスクロス等の基材に含浸した後、加熱
乾燥、反応する工程により得られる。次いでこのプリプ
レグを用いて、銅張り積層板やプリント配線板等が製造
される。プリプレグを構成する樹脂が未硬化の場合、プ
リプレグの表面がべた付くため（タックの発生）、作業
性が低下するといった問題点を有していた。また、加熱
加圧時に樹脂フローが大きくなり、成形性が低下すると
いった問題点を有していた。そこで、一般にプリプレグ
は、上述の加熱反応する工程により、構成する熱硬化性
樹脂を、半硬化の状態とすることで、プリプレグ表面の
タックの発生を抑え、加熱加圧時のフローを制御してい
る。しかし、半硬化状態のプリプレグは、可撓性に欠
け、割れ易いといった問題点を有していた。そのため、
半硬化状態のプリプレグを直接回路加工することができ
なかった。また、半硬化の樹脂と基材との接着強度が十
分でない等の理由より、プリプレグを切断加工した際
に、樹脂組成物や基材からなる粉が発生し、作業性が低
下するといった問題点を有していた。更に、この粉が、
積層のためにプリプレグを取り扱う場合にプリプレグか
ら離脱して、銅箔等の金属箔や積層成形用の金属プレー
トに付着し、成形を終えた積層板やプリント配線板に、
いわゆる打痕を生じさせるといった問題点を有してい
た。したがって、未硬化の状態または半硬化の状態のプ
リプレグに直接回路加工等できる材料は存在しなかっ
た。更には、未硬化の状態または半硬化の状態のプリプ
レグに回路加工等をするといった発想は存在しなかっ
た。
【０００３】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小
化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高
密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用
される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化
かつ多ピン化が進んできている。半導体パッケージはそ
の小型化に伴って、従来のようなリードフレームを使用
した形態のパッケージでは、小型化に限界がきているた
め、最近では回路基板上にチップを実装したものとし
て、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）や、Ｃ
ＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と言っ
た、エリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されて
いる。ＢＧＡやＣＳＰ等の新しいパッケージに用いられ
るインターポーザは、完全に硬化した樹脂組成物から構
成される積層板や熱可塑性ポリイミドで構成されるもの
である。樹脂組成物が完全に硬化した積層板で構成され
るインターポーザでは、半導体素子をインターポーザに
搭載する際に半導体素子とインターポーザを接着するた
めの接着成分が必要となっていた。また、熱可塑性ポリ
イミドで構成されるインターポーザでは、耐熱性（イン
ターポーザ自身）と接着性（インターポーザと半導体素
子）との両立が困難であった。すなわち、接着性を向上
するためには低温での接着を容易にする必要があるが、
その場合は耐熱性が低下するものであった。一方、耐熱
性を向上させると接着性が低下するものであった。
化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高
密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用
される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化
かつ多ピン化が進んできている。半導体パッケージはそ
の小型化に伴って、従来のようなリードフレームを使用
した形態のパッケージでは、小型化に限界がきているた
め、最近では回路基板上にチップを実装したものとし
て、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）や、Ｃ
ＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と言っ
た、エリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されて
いる。ＢＧＡやＣＳＰ等の新しいパッケージに用いられ
るインターポーザは、完全に硬化した樹脂組成物から構
成される積層板や熱可塑性ポリイミドで構成されるもの
である。樹脂組成物が完全に硬化した積層板で構成され
るインターポーザでは、半導体素子をインターポーザに
搭載する際に半導体素子とインターポーザを接着するた
めの接着成分が必要となっていた。また、熱可塑性ポリ
イミドで構成されるインターポーザでは、耐熱性（イン
ターポーザ自身）と接着性（インターポーザと半導体素
子）との両立が困難であった。すなわち、接着性を向上
するためには低温での接着を容易にする必要があるが、
その場合は耐熱性が低下するものであった。一方、耐熱
性を向上させると接着性が低下するものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、接着
剤等の接着成分を用いることなく半導体素子との接着が
可能なインターポーザおよびその製造方法を提供するこ
とである。また、本発明の目的は、薄型化し得る半導体
パッケージおよびその製造方法を提供することである。
剤等の接着成分を用いることなく半導体素子との接着が
可能なインターポーザおよびその製造方法を提供するこ
とである。また、本発明の目的は、薄型化し得る半導体
パッケージおよびその製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１７）の本発明により達成される。 （１）プリプレグと、前記プリプレグの片面に形成され
た導体パターンと、前記導体パターンの少なくとも一部
を覆うように形成された被覆層とを有することを特徴と
するインターポーザ。 （２）前記プリプレグは、貫通孔を有するものである上
記（１）に記載のインターポーザ。 （３）前記貫通孔にメッキが施されている上記（２）に
記載のインターポーザ。 （４）前記プリプレグは、基材に樹脂組成物を含浸して
なるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記
載のインターポーザ。 （５）前記基材は、有機繊維で構成される不織布である
上記（４）に記載のインターポーザ。 （６）前記基材は、開繊処理されたガラス繊維基材であ
る上記（４）に記載のインターポーザ。 （７）前記樹脂組成物の反応率は、３０％以下である上
記（４）ないし（６）のいずれかに記載のインターポー
ザ。 （８）前記樹脂組成物は、少なくとも１以上の液状の樹
脂を含むものである上記（４）ないし（７）のいずれか
に記載のインターポーザ。 （９）前記樹脂組成物は、前記液状樹脂よりも分子量の
高い樹脂を含むものである上記（８）に記載のインター
ポーザ。 （１０）上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のイ
ンターポーザに半導体素子を搭載してなることを特徴と
する半導体パッケージ。 （１１）上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のイ
ンターポーザと半導体素子は、バンプにより接合されて
いるものである半導体パッケージ。 （１２）片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属
箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程とを有することを特徴とするインターポ
ーザの製造方法。 （１３）片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属
箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程と、前記プリプレグに貫通孔を形成する
工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造
方法。 （１４）前記貫通孔は、レーザー加工により形成される
ものである上記（１３）に記載のインターポーザの製造
方法。 （１５）前記プリプレグを構成する樹脂組成物の反応率
は、３０％以下である上記（１２）ないし（１４）のい
ずれかに記載のインターポーザの製造方法。 （１６）片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属
箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程とから作製されるインターポーザに、半
導体素子を搭載する工程を有することを特徴とする半導
体パッケージの製造方法。 （１７）前記インターポーザと前記半導体素子とをプリ
プレグを構成する未硬化の樹脂組成物の接着力を利用し
て接着する上記（１６）に記載の半導体パッケージの製
造方法。
（１）〜（１７）の本発明により達成される。 （１）プリプレグと、前記プリプレグの片面に形成され
た導体パターンと、前記導体パターンの少なくとも一部
を覆うように形成された被覆層とを有することを特徴と
するインターポーザ。 （２）前記プリプレグは、貫通孔を有するものである上
記（１）に記載のインターポーザ。 （３）前記貫通孔にメッキが施されている上記（２）に
記載のインターポーザ。 （４）前記プリプレグは、基材に樹脂組成物を含浸して
なるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記
載のインターポーザ。 （５）前記基材は、有機繊維で構成される不織布である
上記（４）に記載のインターポーザ。 （６）前記基材は、開繊処理されたガラス繊維基材であ
る上記（４）に記載のインターポーザ。 （７）前記樹脂組成物の反応率は、３０％以下である上
記（４）ないし（６）のいずれかに記載のインターポー
ザ。 （８）前記樹脂組成物は、少なくとも１以上の液状の樹
脂を含むものである上記（４）ないし（７）のいずれか
に記載のインターポーザ。 （９）前記樹脂組成物は、前記液状樹脂よりも分子量の
高い樹脂を含むものである上記（８）に記載のインター
ポーザ。 （１０）上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のイ
ンターポーザに半導体素子を搭載してなることを特徴と
する半導体パッケージ。 （１１）上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のイ
ンターポーザと半導体素子は、バンプにより接合されて
いるものである半導体パッケージ。 （１２）片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属
箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程とを有することを特徴とするインターポ
ーザの製造方法。 （１３）片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属
箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程と、前記プリプレグに貫通孔を形成する
工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造
方法。 （１４）前記貫通孔は、レーザー加工により形成される
ものである上記（１３）に記載のインターポーザの製造
方法。 （１５）前記プリプレグを構成する樹脂組成物の反応率
は、３０％以下である上記（１２）ないし（１４）のい
ずれかに記載のインターポーザの製造方法。 （１６）片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属
箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程とから作製されるインターポーザに、半
導体素子を搭載する工程を有することを特徴とする半導
体パッケージの製造方法。 （１７）前記インターポーザと前記半導体素子とをプリ
プレグを構成する未硬化の樹脂組成物の接着力を利用し
て接着する上記（１６）に記載の半導体パッケージの製
造方法。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明のインターポーザ、
半導体パッケージおよびその製造方法について詳細に説
明する。本発明のインターポーザは、プリプレグと、前
記プリプレグの片面に形成された導体パターン（回路）
と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように形
成された被覆層（ソルダーレジスト層）とを有すること
を特徴とするものである。また、本発明の半導体パッケ
ージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載してな
ることを特徴とするものである。また、本発明のインタ
ーポーザの製造方法は、片面に金属箔を有するプリプレ
グの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する
工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うよう
に被覆層を形成する工程とを有することを特徴とするも
のである。また、本発明の半導体パッケージの製造方法
は、片面に金属箔を有するプリプレグの金属箔にエッチ
ングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パ
ターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する
工程とから作製されるインターポーザに、半導体素子を
搭載する工程を有することを特徴とするものである。
半導体パッケージおよびその製造方法について詳細に説
明する。本発明のインターポーザは、プリプレグと、前
記プリプレグの片面に形成された導体パターン（回路）
と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように形
成された被覆層（ソルダーレジスト層）とを有すること
を特徴とするものである。また、本発明の半導体パッケ
ージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載してな
ることを特徴とするものである。また、本発明のインタ
ーポーザの製造方法は、片面に金属箔を有するプリプレ
グの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する
工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うよう
に被覆層を形成する工程とを有することを特徴とするも
のである。また、本発明の半導体パッケージの製造方法
は、片面に金属箔を有するプリプレグの金属箔にエッチ
ングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パ
ターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する
工程とから作製されるインターポーザに、半導体素子を
搭載する工程を有することを特徴とするものである。
【０００７】以下、本発明のインターポーザ、半導体パ
ッケージおよびその製造方法を添付図面に示す好適な実
施形態に基づいて詳細に説明する。まず、本発明のイン
ターポーザおよびその製造方法について説明する。図１
は、本発明のインターポーザを説明するための模式的な
側面図である。図１に示すようにインターポーザ１は、
プリプレグ１１と、プリプレグ１１の片面に形成された
導体パターン（回路）１２と、導体パターン１２の少な
くとも一部を覆うように形成された被覆層（ソルダーレ
ジスト層）１３とを有する。プリプレグ１１には、樹脂
面（図１中上面）側から貫通孔（ビア孔）１１１が形成
される。この貫通孔は、どのような方法で形成しても良
いが、特にレーザー加工で貫通孔を形成することが好ま
しい。貫通孔１１１および後述するランド１４によって
露出している導体パターン１２の接続信頼性を維持また
は向上するために、貫通孔１１１およびランド１４内に
それぞれ金または半田などのメッキ処理を行うことが好
ましい。
ッケージおよびその製造方法を添付図面に示す好適な実
施形態に基づいて詳細に説明する。まず、本発明のイン
ターポーザおよびその製造方法について説明する。図１
は、本発明のインターポーザを説明するための模式的な
側面図である。図１に示すようにインターポーザ１は、
プリプレグ１１と、プリプレグ１１の片面に形成された
導体パターン（回路）１２と、導体パターン１２の少な
くとも一部を覆うように形成された被覆層（ソルダーレ
ジスト層）１３とを有する。プリプレグ１１には、樹脂
面（図１中上面）側から貫通孔（ビア孔）１１１が形成
される。この貫通孔は、どのような方法で形成しても良
いが、特にレーザー加工で貫通孔を形成することが好ま
しい。貫通孔１１１および後述するランド１４によって
露出している導体パターン１２の接続信頼性を維持また
は向上するために、貫通孔１１１およびランド１４内に
それぞれ金または半田などのメッキ処理を行うことが好
ましい。
【０００８】プリプレグの片面に形成された導体パター
ンは、例えば図２に示す金属箔２１を接合したプリプレ
グ１１に対し導体パターンの加工（その他の処理を含
む）を施すことにより得ることができる。
ンは、例えば図２に示す金属箔２１を接合したプリプレ
グ１１に対し導体パターンの加工（その他の処理を含
む）を施すことにより得ることができる。
【０００９】金属箔を有するプリプレグは、例えば金属
箔面へのエッチングレジスト層の形成→所定の形状を有
する導体パターンの露光→エッチングレジスト層の現像
→現像されたエッチングレジスト層をマスクとして金属
箔のエッチング→レジスト層（マスク）の除去等の工程
を経て導体パターンが形成される。前記金属箔を構成す
る金属としては、例えば銅または銅系合金、アルミまた
はアルミ系合金等を挙げることができる。金属箔の厚さ
は、３〜７０μｍが好ましく、特に１２〜３５μｍが好
ましい。また、前記金属箔は、プリプレグの両面に積層
されても構わない。
箔面へのエッチングレジスト層の形成→所定の形状を有
する導体パターンの露光→エッチングレジスト層の現像
→現像されたエッチングレジスト層をマスクとして金属
箔のエッチング→レジスト層（マスク）の除去等の工程
を経て導体パターンが形成される。前記金属箔を構成す
る金属としては、例えば銅または銅系合金、アルミまた
はアルミ系合金等を挙げることができる。金属箔の厚さ
は、３〜７０μｍが好ましく、特に１２〜３５μｍが好
ましい。また、前記金属箔は、プリプレグの両面に積層
されても構わない。
【００１０】被覆層１３は、例えば図１に示すように導
体パターン１２の少なくとも一部を覆うように形成され
る。被覆層１３は、例えば図１に示す導体パターン１２
が形成されている面全体への被覆層の形成→特定の形状
を有するパターンの露光→被覆層の現像という工程で形
成される。これにより、導体パターンの少なくとも一部
が被覆され、ランド１４（非被覆部）が形成される。上
述の工程により、本発明のインターポーザを製造するこ
とができる。上述の方法により得られた本発明のインタ
ーポーザは、接着剤等の接着成分を用いることなく半導
体素子との接着が可能となるものである。これは、プリ
プレグ状態で半導体素子を搭載することが可能となるた
めである。また、本発明のインターポーザに半導体素子
を搭載後における後工程での加熱により、樹脂が硬化さ
れるため耐熱性にも優れたインターポーザを提供するこ
とができる。
体パターン１２の少なくとも一部を覆うように形成され
る。被覆層１３は、例えば図１に示す導体パターン１２
が形成されている面全体への被覆層の形成→特定の形状
を有するパターンの露光→被覆層の現像という工程で形
成される。これにより、導体パターンの少なくとも一部
が被覆され、ランド１４（非被覆部）が形成される。上
述の工程により、本発明のインターポーザを製造するこ
とができる。上述の方法により得られた本発明のインタ
ーポーザは、接着剤等の接着成分を用いることなく半導
体素子との接着が可能となるものである。これは、プリ
プレグ状態で半導体素子を搭載することが可能となるた
めである。また、本発明のインターポーザに半導体素子
を搭載後における後工程での加熱により、樹脂が硬化さ
れるため耐熱性にも優れたインターポーザを提供するこ
とができる。
【００１１】以下、前記インターポーザを構成するプリ
プレグ、導体パターン、被覆層について詳細に説明す
る。前記プリプレグは、樹脂組成物と基材から構成され
るものである。前記プリプレグ１１は、例えば図３に示
すように、樹脂組成物２２が基材２３に含浸されている
ものである。これにより、インターポーザの剛性を向上
することができる。インターポーザの剛性が向上する
と、作業性が向上する。前記樹脂組成物を構成する樹脂
としては、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、シア
ネート樹脂等の熱硬化性樹脂を挙げることができる。特
に、後述するようにシアネート樹脂を主とすることが好
ましい。また、前記樹脂組成物は、硬化触媒、無機充填
材等を含むことができる。前記樹脂組成物は、特に限定
されないが、少なくとも１以上の液状の樹脂を含むこと
が好ましい。これにより、プリプレグに可撓性を付与す
ることができる。液状とは、常温で流動性を示すものを
いう。前記樹脂組成物は、特に限定されないが、少なく
とも１以上の液状の樹脂と、前記液状の樹脂よりも分子
量の高い樹脂とを併用することが好ましい。これによ
り、前記効果に加え、プリプレグ表面のタックの発生を
防止することができる。
プレグ、導体パターン、被覆層について詳細に説明す
る。前記プリプレグは、樹脂組成物と基材から構成され
るものである。前記プリプレグ１１は、例えば図３に示
すように、樹脂組成物２２が基材２３に含浸されている
ものである。これにより、インターポーザの剛性を向上
することができる。インターポーザの剛性が向上する
と、作業性が向上する。前記樹脂組成物を構成する樹脂
としては、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、シア
ネート樹脂等の熱硬化性樹脂を挙げることができる。特
に、後述するようにシアネート樹脂を主とすることが好
ましい。また、前記樹脂組成物は、硬化触媒、無機充填
材等を含むことができる。前記樹脂組成物は、特に限定
されないが、少なくとも１以上の液状の樹脂を含むこと
が好ましい。これにより、プリプレグに可撓性を付与す
ることができる。液状とは、常温で流動性を示すものを
いう。前記樹脂組成物は、特に限定されないが、少なく
とも１以上の液状の樹脂と、前記液状の樹脂よりも分子
量の高い樹脂とを併用することが好ましい。これによ
り、前記効果に加え、プリプレグ表面のタックの発生を
防止することができる。
【００１２】前記プリプレグ中における樹脂組成物の反
応率は、特に限定されないが、反応率３０％以下が好ま
しく、特に反応率０．１〜２０％が好ましい。これによ
り、上述の効果に加え、粉の発生を防止することができ
る。更に、レーザービア加工性を向上することもでき
る。
応率は、特に限定されないが、反応率３０％以下が好ま
しく、特に反応率０．１〜２０％が好ましい。これによ
り、上述の効果に加え、粉の発生を防止することができ
る。更に、レーザービア加工性を向上することもでき
る。
【００１３】前記反応率は、示差走査熱量測定（ＤＳ
Ｃ）により求めることができる。すなわち、未反応の樹
脂組成物と、プリプレグ中における樹脂組成物の双方に
ついてＤＳＣの反応による発熱ピークの面積を比較する
ことにより、次式（Ｉ）により求めることができる。な
お、測定は昇温速度１０℃／分、窒素雰囲気下で行うこ
とができる。 反応率（％）＝（１−プリプレグ中における樹脂組成物の反応ピークの面積／未 反応の樹脂組成物の反応ピーク面積）×１００（Ｉ） 未反応の樹脂組成物の発熱ピークは、本発明の樹脂組成
物からなるワニスを基材に含浸し、４０℃で１０分風乾
後、４０℃、１ｋＰａの真空下、１時間で、溶剤を除去
したものをサンプルとして用いて測定した。
Ｃ）により求めることができる。すなわち、未反応の樹
脂組成物と、プリプレグ中における樹脂組成物の双方に
ついてＤＳＣの反応による発熱ピークの面積を比較する
ことにより、次式（Ｉ）により求めることができる。な
お、測定は昇温速度１０℃／分、窒素雰囲気下で行うこ
とができる。 反応率（％）＝（１−プリプレグ中における樹脂組成物の反応ピークの面積／未 反応の樹脂組成物の反応ピーク面積）×１００（Ｉ） 未反応の樹脂組成物の発熱ピークは、本発明の樹脂組成
物からなるワニスを基材に含浸し、４０℃で１０分風乾
後、４０℃、１ｋＰａの真空下、１時間で、溶剤を除去
したものをサンプルとして用いて測定した。
【００１４】前記樹脂組成物は、特に限定されないが、
第１のシアネート樹脂と、第１のシアネート樹脂よりも
重量平均分子量が低い第２のシアネート樹脂を含むこと
が好ましい。これにより、プリプレグにより可撓性を付
与することができる。また、プリプレグの割れの発生を
防止することができる。従って、導体パターン加工時の
加工プロセス耐性に優れる。加工プロセス耐性に優れる
とは、例えば材料搬送時の搬送ロールと抑えロール間で
の圧力により割れが発生しない事、導体パターンエッチ
ング時のエッチング液のシャワー圧力により割れが発生
しない事等である。更に、プリプレグが可撓性を有する
ことで連続的に巻き取り可能なプリプレグを得ることが
できる。
第１のシアネート樹脂と、第１のシアネート樹脂よりも
重量平均分子量が低い第２のシアネート樹脂を含むこと
が好ましい。これにより、プリプレグにより可撓性を付
与することができる。また、プリプレグの割れの発生を
防止することができる。従って、導体パターン加工時の
加工プロセス耐性に優れる。加工プロセス耐性に優れる
とは、例えば材料搬送時の搬送ロールと抑えロール間で
の圧力により割れが発生しない事、導体パターンエッチ
ング時のエッチング液のシャワー圧力により割れが発生
しない事等である。更に、プリプレグが可撓性を有する
ことで連続的に巻き取り可能なプリプレグを得ることが
できる。
【００１５】前記第１のシアネート樹脂の重量平均分子
量は、特に限定されないが、２，０００以上が好まし
く、特に２，２００〜１０，０００が好ましい。第１の
シアネート樹脂の重量平均分子量が、前記上限値を超え
ると樹脂組成物をワニスにしたときの粘度が高くなり、
基材への含浸性が低下する場合があり、前記下限値未満
であると樹脂フローが大きくなりすぎ、成形性が低下す
る場合がある。なお、第１のシアネート樹脂の重量平均
分子量が、前記範囲内であると、プリプレグ中における
樹脂組成物が未硬化の状態でも、プリプレグ表面のタッ
クの発生を防止することができる。タックの発生を防止
できると、プリプレグ搬送時の作業性を向上することが
できる。
量は、特に限定されないが、２，０００以上が好まし
く、特に２，２００〜１０，０００が好ましい。第１の
シアネート樹脂の重量平均分子量が、前記上限値を超え
ると樹脂組成物をワニスにしたときの粘度が高くなり、
基材への含浸性が低下する場合があり、前記下限値未満
であると樹脂フローが大きくなりすぎ、成形性が低下す
る場合がある。なお、第１のシアネート樹脂の重量平均
分子量が、前記範囲内であると、プリプレグ中における
樹脂組成物が未硬化の状態でも、プリプレグ表面のタッ
クの発生を防止することができる。タックの発生を防止
できると、プリプレグ搬送時の作業性を向上することが
できる。
【００１６】また、前記第２のシアネート樹脂の重量平
均分子量は、特に限定されないが、１，５００以下が好
ましく、特に２００〜１，３００が好ましい。第２のシ
アネート樹脂の重量平均分子量が前記上限値を超える
と、プリプレグからの粉の発生を抑制する効果が低減す
る場合があり、前記下限値未満であると、樹脂フローが
大きくなりすぎ、成形性が低下する場合がある。なお、
第２のシアネート樹脂の重量平均分子量が前記範囲内で
あると、プリプレグの可撓性をより向上することができ
る。また、プリプレグからの粉の発生を抑制することが
できる。更に、樹脂組成物中への後述する充填剤の分散
性を向上することもできる。なお、シアネート樹脂の重
量平均分子量は、例えばゲルパーミエションクロマトグ
ラフィーを用いたポリスチレン換算で測定することがで
きる。
均分子量は、特に限定されないが、１，５００以下が好
ましく、特に２００〜１，３００が好ましい。第２のシ
アネート樹脂の重量平均分子量が前記上限値を超える
と、プリプレグからの粉の発生を抑制する効果が低減す
る場合があり、前記下限値未満であると、樹脂フローが
大きくなりすぎ、成形性が低下する場合がある。なお、
第２のシアネート樹脂の重量平均分子量が前記範囲内で
あると、プリプレグの可撓性をより向上することができ
る。また、プリプレグからの粉の発生を抑制することが
できる。更に、樹脂組成物中への後述する充填剤の分散
性を向上することもできる。なお、シアネート樹脂の重
量平均分子量は、例えばゲルパーミエションクロマトグ
ラフィーを用いたポリスチレン換算で測定することがで
きる。
【００１７】前記第１のシアネート樹脂は、特に限定さ
れないが、常温で固形状であることが好ましい。これに
より、プリプレグ中における樹脂組成物が未硬化の状態
でも、プリプレグ表面のタックの発生を防止することが
できる。また、前記第２のシアネート樹脂は、特に限定
されないが、常温で液状であることが好ましい。これに
より、プリプレグの可撓性をより向上できることに加
え、プリプレグからの粉の発生を抑制することができ
る。なお、液状とは、常温で流動性を示すものをいう。
例えば、前記第２のシアネート樹脂の粘度は、特に限定
されないが、５００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、特に１〜
３００Ｐａ・ｓが好ましい。前記粘度は、Ｅ型粘度計を
用いて、温度２５℃、せん断速度０．５、１．０、２．
５および５．０ｒｐｍの各条件で測定したものである。
前記粘度は、前記各条件の中で、最も低い回転数で測定
可能であった値を用いるものとする。
れないが、常温で固形状であることが好ましい。これに
より、プリプレグ中における樹脂組成物が未硬化の状態
でも、プリプレグ表面のタックの発生を防止することが
できる。また、前記第２のシアネート樹脂は、特に限定
されないが、常温で液状であることが好ましい。これに
より、プリプレグの可撓性をより向上できることに加
え、プリプレグからの粉の発生を抑制することができ
る。なお、液状とは、常温で流動性を示すものをいう。
例えば、前記第２のシアネート樹脂の粘度は、特に限定
されないが、５００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、特に１〜
３００Ｐａ・ｓが好ましい。前記粘度は、Ｅ型粘度計を
用いて、温度２５℃、せん断速度０．５、１．０、２．
５および５．０ｒｐｍの各条件で測定したものである。
前記粘度は、前記各条件の中で、最も低い回転数で測定
可能であった値を用いるものとする。
【００１８】前記第１および第２のシアネート樹脂は、
例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応
させることにより得ることができる。具体的には、ノボ
ラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート
樹脂等を挙げることができる。これらの中でも第１のシ
アネート樹脂と第２のシアネート樹脂の少なくとも一方
が、ノボラック型シアネート樹脂を含むことが好ましい
（特に、ノボラック型シアネート樹脂を樹脂組成物全体
の１５重量％以上含むことが好ましい）。更には、第１
および第２のシアネート樹脂の両方が、ノボラック型シ
アネート樹脂を含むことが特に好ましい。これにより、
プリプレグの耐熱性（ガラス転移温度、熱分解温度）を
向上できる。またプリプレグの熱膨張係数（特に、プリ
プレグの厚さ方向の熱膨張係数）を低下することができ
る。プリプレグの厚さ方向の熱膨張係数が低下すると、
多層プリント配線の応力歪みを軽減できる。更に、微細
な層間接続部を有する多層プリント配線板においては、
その接続信頼性を大幅に向上することができる。また、
前記第１と第２のシアネート樹脂は、異なる分子構造で
も良いが、同じ分子構造であることが好ましい。これに
より、分子量の異なるシアネート樹脂同士の相溶性を向
上することができる。
例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応
させることにより得ることができる。具体的には、ノボ
ラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート
樹脂等を挙げることができる。これらの中でも第１のシ
アネート樹脂と第２のシアネート樹脂の少なくとも一方
が、ノボラック型シアネート樹脂を含むことが好ましい
（特に、ノボラック型シアネート樹脂を樹脂組成物全体
の１５重量％以上含むことが好ましい）。更には、第１
および第２のシアネート樹脂の両方が、ノボラック型シ
アネート樹脂を含むことが特に好ましい。これにより、
プリプレグの耐熱性（ガラス転移温度、熱分解温度）を
向上できる。またプリプレグの熱膨張係数（特に、プリ
プレグの厚さ方向の熱膨張係数）を低下することができ
る。プリプレグの厚さ方向の熱膨張係数が低下すると、
多層プリント配線の応力歪みを軽減できる。更に、微細
な層間接続部を有する多層プリント配線板においては、
その接続信頼性を大幅に向上することができる。また、
前記第１と第２のシアネート樹脂は、異なる分子構造で
も良いが、同じ分子構造であることが好ましい。これに
より、分子量の異なるシアネート樹脂同士の相溶性を向
上することができる。
【００１９】前記第１および第２のノボラック型シアネ
ート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使
用することができる。
ート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使
用することができる。
【化１】
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂を
第１のシアネート樹脂として用いる場合、その重量平均
分子量は、特に限定されないが、２，０００〜１０，０
００が好ましく、特に２，２００〜３，５００が好まし
い。重量平均分子量が前記範囲内であると、プリプレグ
を構成する樹脂が未硬化状態でも、プリプレグ表面のタ
ックの発生を有効に防止することができる。また、前記
式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂を第２
のシアネート樹脂として用いる場合、重量平均分子量
は、特に限定されないが、３００〜２，０００が好まし
く、特に５００〜１，５００が好ましい。重量平均分子
量が前記範囲内であると、プリプレグの可撓性がより向
上する。また、プリプレグからの粉の発生を抑制するこ
とができる。更に、樹脂組成物中への後述する充填剤の
分散性を向上することもできる。
第１のシアネート樹脂として用いる場合、その重量平均
分子量は、特に限定されないが、２，０００〜１０，０
００が好ましく、特に２，２００〜３，５００が好まし
い。重量平均分子量が前記範囲内であると、プリプレグ
を構成する樹脂が未硬化状態でも、プリプレグ表面のタ
ックの発生を有効に防止することができる。また、前記
式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂を第２
のシアネート樹脂として用いる場合、重量平均分子量
は、特に限定されないが、３００〜２，０００が好まし
く、特に５００〜１，５００が好ましい。重量平均分子
量が前記範囲内であると、プリプレグの可撓性がより向
上する。また、プリプレグからの粉の発生を抑制するこ
とができる。更に、樹脂組成物中への後述する充填剤の
分散性を向上することもできる。
【００２０】前記第１のシアネート樹脂の含有量は、特
に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜２３重量％が
好ましく、特に６〜１８重量％が好ましい。第１のシア
ネート樹脂の含有量が前記範囲内であると、プリプレグ
を構成する樹脂が未硬化の状態でも、プリプレグ表面の
タックの発生を防止することができる。また、前記第２
のシアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹
脂組成物全体の２〜１５重量％が好ましく、特に４〜１
０重量％が好ましい。第２のシアネート樹脂の含有量が
前記範囲内であると、プリプレグに可撓性をより向上で
きることに加え、プリプレグからの粉の発生を抑制する
ことができる。
に限定されないが、樹脂組成物全体の５〜２３重量％が
好ましく、特に６〜１８重量％が好ましい。第１のシア
ネート樹脂の含有量が前記範囲内であると、プリプレグ
を構成する樹脂が未硬化の状態でも、プリプレグ表面の
タックの発生を防止することができる。また、前記第２
のシアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹
脂組成物全体の２〜１５重量％が好ましく、特に４〜１
０重量％が好ましい。第２のシアネート樹脂の含有量が
前記範囲内であると、プリプレグに可撓性をより向上で
きることに加え、プリプレグからの粉の発生を抑制する
ことができる。
【００２１】前記樹脂組成物は、特に限定されないが、
第１および第２のシアネート樹脂よりも吸湿性が低い樹
脂を含むことが好ましい。これにより、プリプレグの耐
湿性（特に、吸湿後の半田耐熱性）を向上することがで
きる。前記吸湿性が低い樹脂としては、例えば酸素原子
（特に水酸基の型）の含有量が少ない樹脂（特に、酸素
原子の含有量５重量％以下の樹脂）が好ましい。また、
結晶化度、充填度が大きく、構成分子がＣ、Ｈ、Ｃｌ、
Ｆのみからなるものが好ましい（但し、最近の環境保護
の問題からハロゲン含有は避けた方が良い）。例えば、
樹脂骨格にナフタレン骨格、ビフェニル骨格、シクロペ
ンタジエン骨格から選ばれる１種以上が導入された樹脂
を挙げることができる。具体的には、ナフトールノボラ
ック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
第１および第２のシアネート樹脂よりも吸湿性が低い樹
脂を含むことが好ましい。これにより、プリプレグの耐
湿性（特に、吸湿後の半田耐熱性）を向上することがで
きる。前記吸湿性が低い樹脂としては、例えば酸素原子
（特に水酸基の型）の含有量が少ない樹脂（特に、酸素
原子の含有量５重量％以下の樹脂）が好ましい。また、
結晶化度、充填度が大きく、構成分子がＣ、Ｈ、Ｃｌ、
Ｆのみからなるものが好ましい（但し、最近の環境保護
の問題からハロゲン含有は避けた方が良い）。例えば、
樹脂骨格にナフタレン骨格、ビフェニル骨格、シクロペ
ンタジエン骨格から選ばれる１種以上が導入された樹脂
を挙げることができる。具体的には、ナフトールノボラ
ック型エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【００２２】また、シアネート樹脂との反応性を考慮す
れば、前記吸湿性が低い樹脂としては、エポキシ樹脂
（特にアラルキル型エポキシ樹脂）が好ましい。これに
より、耐湿性を特に向上することができる。また、アラ
ルキル型エポキシ樹脂の中でもビフェニル型エポキシ樹
脂が、特に好ましい。これにより、耐湿性を向上する効
果に加え、良好な耐熱性を得ることができる。前記吸湿
性の低い樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組
成物全体の２０重量％以下が好ましく、特に１０〜１８
重量％が好ましい。これにより、シアネート樹脂の特性
である耐熱性、低膨張性と耐湿性とのバランスに優れ
る。また、ノンハロゲンでの難燃化を図ることができ
る。
れば、前記吸湿性が低い樹脂としては、エポキシ樹脂
（特にアラルキル型エポキシ樹脂）が好ましい。これに
より、耐湿性を特に向上することができる。また、アラ
ルキル型エポキシ樹脂の中でもビフェニル型エポキシ樹
脂が、特に好ましい。これにより、耐湿性を向上する効
果に加え、良好な耐熱性を得ることができる。前記吸湿
性の低い樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組
成物全体の２０重量％以下が好ましく、特に１０〜１８
重量％が好ましい。これにより、シアネート樹脂の特性
である耐熱性、低膨張性と耐湿性とのバランスに優れ
る。また、ノンハロゲンでの難燃化を図ることができ
る。
【００２３】前記樹脂組成物は、特に限定されないが、
硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、シアネー
ト樹脂の架橋密度を制御することができる。前記硬化触
媒は、シアネート樹脂の硬化触媒として、公知のものを
用いることができる。例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテ
ン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト等
の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、
ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン等の３級アミン
類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−
メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダ
ゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェ
ノール等のフェノール化合物、フェノール樹脂および有
機酸等が挙げられる。これらを単独またはこれらの混合
物として用いることができる。これらの中でもフェノー
ル樹脂（特に、フェノールノボラック樹脂）が好まし
い。
硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、シアネー
ト樹脂の架橋密度を制御することができる。前記硬化触
媒は、シアネート樹脂の硬化触媒として、公知のものを
用いることができる。例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテ
ン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト等
の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、
ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン等の３級アミン
類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−
メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダ
ゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェ
ノール等のフェノール化合物、フェノール樹脂および有
機酸等が挙げられる。これらを単独またはこれらの混合
物として用いることができる。これらの中でもフェノー
ル樹脂（特に、フェノールノボラック樹脂）が好まし
い。
【００２４】前記硬化触媒の含有量は、特に限定されな
いが、０．０１〜５．０重量％が好ましく、特に０．０
５〜３．０重量％が好ましい。硬化剤の含有量が前記範
囲内であると、良好な耐湿性、耐熱性を得ることができ
る。また、前記吸湿性の低い樹脂を含有し、その硬化剤
としても作用する硬化触媒を用いる場合の硬化触媒の含
有量は、特に限定されないが、前記吸湿性の低い樹脂官
能基当量の５０〜１００％官能基当量が好ましく、かつ
樹脂組成物全体の１５重量％以下が好ましい。硬化剤の
含有量が前記範囲内であると、良好な耐湿性、耐熱性を
得ることができる。また、前記吸湿性の低い樹脂の硬化
剤としても作用する硬化触媒は、特に限定されないが、
常温で液状のものを使用することができる。
いが、０．０１〜５．０重量％が好ましく、特に０．０
５〜３．０重量％が好ましい。硬化剤の含有量が前記範
囲内であると、良好な耐湿性、耐熱性を得ることができ
る。また、前記吸湿性の低い樹脂を含有し、その硬化剤
としても作用する硬化触媒を用いる場合の硬化触媒の含
有量は、特に限定されないが、前記吸湿性の低い樹脂官
能基当量の５０〜１００％官能基当量が好ましく、かつ
樹脂組成物全体の１５重量％以下が好ましい。硬化剤の
含有量が前記範囲内であると、良好な耐湿性、耐熱性を
得ることができる。また、前記吸湿性の低い樹脂の硬化
剤としても作用する硬化触媒は、特に限定されないが、
常温で液状のものを使用することができる。
【００２５】前記樹脂組成物は、特に限定されないが、
充填剤を含むことが好ましい。これにより、プリプレグ
を未硬化の状態で成形した場合の樹脂フローを制御する
ことができる。樹脂フローを制御することができると、
本発明のプリプレグを積層板等に成形する際の成形性を
向上することができる。前記充填剤は、特に限定されな
いが、粉末状のものが好ましく、特に粉末状の無機充填
剤が好ましい。これにより、樹脂組成物の流動性をより
制御できる。また、プリプレグをより低熱膨張化するこ
とができる。前記充填剤としては、例えばタルク、クレ
ー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、アルミナ、シリカ等
の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸
塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸
化物等を挙げることができる。これらの中でもシリカ等
の酸化物が好ましい。これにより、プリプレグをより低
熱膨張化（特にプリプレグの厚さ方向の熱膨張係数を低
下できる）することができる。前記シリカの中でも溶融
シリカが好ましい。更に、シリカの形状は破砕状、球状
があるが、ガラス基材への含浸性を確保するなど、樹脂
組成物の溶融粘度を下げるためには球状が好ましい。こ
れにより、充填効率を向上し、プリプレグをより低熱膨
張化することができる。
充填剤を含むことが好ましい。これにより、プリプレグ
を未硬化の状態で成形した場合の樹脂フローを制御する
ことができる。樹脂フローを制御することができると、
本発明のプリプレグを積層板等に成形する際の成形性を
向上することができる。前記充填剤は、特に限定されな
いが、粉末状のものが好ましく、特に粉末状の無機充填
剤が好ましい。これにより、樹脂組成物の流動性をより
制御できる。また、プリプレグをより低熱膨張化するこ
とができる。前記充填剤としては、例えばタルク、クレ
ー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、アルミナ、シリカ等
の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸
塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸
化物等を挙げることができる。これらの中でもシリカ等
の酸化物が好ましい。これにより、プリプレグをより低
熱膨張化（特にプリプレグの厚さ方向の熱膨張係数を低
下できる）することができる。前記シリカの中でも溶融
シリカが好ましい。更に、シリカの形状は破砕状、球状
があるが、ガラス基材への含浸性を確保するなど、樹脂
組成物の溶融粘度を下げるためには球状が好ましい。こ
れにより、充填効率を向上し、プリプレグをより低熱膨
張化することができる。
【００２６】前記充填剤の平均粒径は、特に限定されな
いが、２．０μｍ以下が好ましく、特に０．２〜１．０
μｍが好ましい。充填剤の平均粒径が前記範囲内である
と、チキソ性の付与に加え、樹脂の流動性をより良好に
制御することができる。前記充填剤の含有量は、特に限
定されないが、樹脂組成物全体の４０〜８０重量％が好
ましく、特に５０〜７０重量％が好ましい。充填剤の含
有量が前記範囲内であると、樹脂組成物にチキソ性を付
与することできる。樹脂組成物にチキソ性が付与される
と、本発明の樹脂組成物からプリプレグをプレス成形す
る際に、樹脂フローを制御することができる。
いが、２．０μｍ以下が好ましく、特に０．２〜１．０
μｍが好ましい。充填剤の平均粒径が前記範囲内である
と、チキソ性の付与に加え、樹脂の流動性をより良好に
制御することができる。前記充填剤の含有量は、特に限
定されないが、樹脂組成物全体の４０〜８０重量％が好
ましく、特に５０〜７０重量％が好ましい。充填剤の含
有量が前記範囲内であると、樹脂組成物にチキソ性を付
与することできる。樹脂組成物にチキソ性が付与される
と、本発明の樹脂組成物からプリプレグをプレス成形す
る際に、樹脂フローを制御することができる。
【００２７】前記プリプレグを構成する基材としては、
例えばガラス織布、ガラス不繊布、ガラスペーパー等の
ガラス繊維基材、紙（パルプ）、アラミド、ポリエステ
ル、フッ素樹脂等の有機繊維からなる織布や不織布、金
属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織
布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は
混合して使用してもよい。これらの中でも有機繊維で構
成される不織布が好ましい。これにより、レーザービア
加工性を向上することができる。また、ガラス繊維基材
の中でも開繊加工されたものが好ましい。これにより、
レーザービア加工性を向上することができる。開繊加工
とは、タテ糸及びヨコ糸ともに隣り合う糸同士が実質的
に隙間なく配列されたものをいう。
例えばガラス織布、ガラス不繊布、ガラスペーパー等の
ガラス繊維基材、紙（パルプ）、アラミド、ポリエステ
ル、フッ素樹脂等の有機繊維からなる織布や不織布、金
属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織
布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は
混合して使用してもよい。これらの中でも有機繊維で構
成される不織布が好ましい。これにより、レーザービア
加工性を向上することができる。また、ガラス繊維基材
の中でも開繊加工されたものが好ましい。これにより、
レーザービア加工性を向上することができる。開繊加工
とは、タテ糸及びヨコ糸ともに隣り合う糸同士が実質的
に隙間なく配列されたものをいう。
【００２８】前記樹脂組成物と基材を用いてプリプレグ
を製造する方法としては、例えば樹脂組成物を基材に含
浸させる方法、樹脂組成物を基材に塗布する方法等が挙
げられる。これらの中でも前記樹脂組成物を基材に含浸
させる方法が好ましい。前記樹脂組成物を前記基材に含
浸させる方法は、例えば基材を樹脂ワニスに浸漬する方
法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる
吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材
を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、
基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができ
る。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含
浸塗布設備を使用することができる。
を製造する方法としては、例えば樹脂組成物を基材に含
浸させる方法、樹脂組成物を基材に塗布する方法等が挙
げられる。これらの中でも前記樹脂組成物を基材に含浸
させる方法が好ましい。前記樹脂組成物を前記基材に含
浸させる方法は、例えば基材を樹脂ワニスに浸漬する方
法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる
吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材
を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、
基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができ
る。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含
浸塗布設備を使用することができる。
【００２９】前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記
樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましい
が、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わ
ない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばメチル
エチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。前記
樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、前記樹脂
組成物の固形分４０〜８０重量％が好ましく、特に５０
〜６５重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基
材への含浸性を更に向上できる。
樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましい
が、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わ
ない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばメチル
エチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。前記
樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、前記樹脂
組成物の固形分４０〜８０重量％が好ましく、特に５０
〜６５重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基
材への含浸性を更に向上できる。
【００３０】本発明のインターポーザを構成するプリプ
レグは、上述の導体パターン加工およびそれ以後の各プ
ロセスにおいても充分な加工プロセス耐性を有している
ものである。従って、このようなインターポーザおよび
半導体パッケージの組み立て作業に際してもプリプレグ
の割れ、粉の発生等の不都合が生じないものである。
レグは、上述の導体パターン加工およびそれ以後の各プ
ロセスにおいても充分な加工プロセス耐性を有している
ものである。従って、このようなインターポーザおよび
半導体パッケージの組み立て作業に際してもプリプレグ
の割れ、粉の発生等の不都合が生じないものである。
【００３１】次に、半導体パッケージについて説明す
る。本発明の半導体パッケージ３は、例えば図３に示す
ようにインターポーザ１に、半導体素子（ＩＣチップ）
３１を搭載してなるものである。半導体素子３１は、下
面（図１中下側）にバンプ３２を有している。半導体素
子３１は、インターポーザ１のプリプレグ１１の樹脂面
に搭載される。この際、半導体素子３１と導体パターン
１２とを、貫通孔１１１においてバンプ３２にて接合さ
れる。なお、図示とは異なるが、インターポーザ１の貫
通孔１１１に予めバンプ３２が形成されていても構わな
い。このようにして、半導体パッケージ３を得ることが
できる。そして、半導体パッケージ３のランド１４に、
半田ボール３３を形成する。半導体パッケージ３は、こ
の半田ボール３３により図示しないプリント板と接合さ
れる。前述の方法で得られた半導体パッケージは、薄く
しても割れが発生し難いため、薄型化が可能なものであ
る。さらに、薄型化が可能となることにより、配線距離
を短くすることができるので高速動作が可能となるもの
である。
る。本発明の半導体パッケージ３は、例えば図３に示す
ようにインターポーザ１に、半導体素子（ＩＣチップ）
３１を搭載してなるものである。半導体素子３１は、下
面（図１中下側）にバンプ３２を有している。半導体素
子３１は、インターポーザ１のプリプレグ１１の樹脂面
に搭載される。この際、半導体素子３１と導体パターン
１２とを、貫通孔１１１においてバンプ３２にて接合さ
れる。なお、図示とは異なるが、インターポーザ１の貫
通孔１１１に予めバンプ３２が形成されていても構わな
い。このようにして、半導体パッケージ３を得ることが
できる。そして、半導体パッケージ３のランド１４に、
半田ボール３３を形成する。半導体パッケージ３は、こ
の半田ボール３３により図示しないプリント板と接合さ
れる。前述の方法で得られた半導体パッケージは、薄く
しても割れが発生し難いため、薄型化が可能なものであ
る。さらに、薄型化が可能となることにより、配線距離
を短くすることができるので高速動作が可能となるもの
である。
【００３２】なお、半導体素子は、いかなるものをも使
用することができる。例えば半導体記憶装置、中央処理
装置や超小型処理装置等が挙げられる。また、図示はさ
れないが、半導体素子は樹脂でモールドしても良い。
用することができる。例えば半導体記憶装置、中央処理
装置や超小型処理装置等が挙げられる。また、図示はさ
れないが、半導体素子は樹脂でモールドしても良い。
【００３３】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例により詳
細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
【００３４】まず、インターポーザについての実施例お
よび比較例を説明する。 インターポーザの製造 （実施例１） ＜プリプレグの作製＞ 樹脂ワニスの調製 第１のノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株
式会社製、プリマセット ＰＴ−６０ 重量平均分子量
２，３００）１０重量部（以下、部と略す）、第２のノ
ボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社
製、プリマセットＰＴ−３０ 重量平均分子量１，３０
０ 粘度５００〜１０００Ｐａ・ｓ）１０部、ビフェニ
ルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、Ｎ
Ｃ−３０００ＳＨ）１２部、ビフェニルジメチレン型フ
ェノール樹脂（明和化成株式会社製、ＭＥＨ−７８５１
−３Ｈ）８部、平均粒径０．３μｍの球状溶融シリカＳ
ＦＰ−１０Ｘ（電気化学工業株式会社製）６０部添加
し、メチルエチルケトンに常温で溶解し、高速攪拌機で
１０分間攪拌して樹脂ワニスを得た。
よび比較例を説明する。 インターポーザの製造 （実施例１） ＜プリプレグの作製＞ 樹脂ワニスの調製 第１のノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株
式会社製、プリマセット ＰＴ−６０ 重量平均分子量
２，３００）１０重量部（以下、部と略す）、第２のノ
ボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社
製、プリマセットＰＴ−３０ 重量平均分子量１，３０
０ 粘度５００〜１０００Ｐａ・ｓ）１０部、ビフェニ
ルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、Ｎ
Ｃ−３０００ＳＨ）１２部、ビフェニルジメチレン型フ
ェノール樹脂（明和化成株式会社製、ＭＥＨ−７８５１
−３Ｈ）８部、平均粒径０．３μｍの球状溶融シリカＳ
ＦＰ−１０Ｘ（電気化学工業株式会社製）６０部添加
し、メチルエチルケトンに常温で溶解し、高速攪拌機で
１０分間攪拌して樹脂ワニスを得た。
【００３５】ワニスの含浸、乾燥
上述の樹脂ワニスを開繊処理されたガラス繊維基材（厚
さ５０μｍ、日東紡績（株）製、ＷＥＡ−０５Ｅ）に含
浸し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥してプリプレグを得
た。前記プリプレグに銅箔（古河サーキットホイル社
製、ＧＴＳ、厚さ１８μｍ）を積層し、全体の厚さ７０
μｍの金属箔付きプリプレグを得た。なお、得られたプ
リプレグ中の樹脂組成物の反応率は５％であった。
さ５０μｍ、日東紡績（株）製、ＷＥＡ−０５Ｅ）に含
浸し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥してプリプレグを得
た。前記プリプレグに銅箔（古河サーキットホイル社
製、ＧＴＳ、厚さ１８μｍ）を積層し、全体の厚さ７０
μｍの金属箔付きプリプレグを得た。なお、得られたプ
リプレグ中の樹脂組成物の反応率は５％であった。
【００３６】＜インターポーザの作製＞
導体パターンの作製
上述の金属箔付きプリプレグは、ドライフィルムレジス
ト（ニチゴー・モートン社製 ３８Ａ２１２）を形成し
た後、所定形状を有する導体パターンを露光した。次に
レジスト層を炭酸ナトリウム１．５ｗｔ％水溶液で現像
した。次に、ドライフィルムレジストをマスクとして金
属箔をエッチングし、水酸化ナトリウム３ｗｔ％水溶液
でレジストを除去することにより所定の導体パターンを
作製した。
ト（ニチゴー・モートン社製 ３８Ａ２１２）を形成し
た後、所定形状を有する導体パターンを露光した。次に
レジスト層を炭酸ナトリウム１．５ｗｔ％水溶液で現像
した。次に、ドライフィルムレジストをマスクとして金
属箔をエッチングし、水酸化ナトリウム３ｗｔ％水溶液
でレジストを除去することにより所定の導体パターンを
作製した。
【００３７】被覆層の形成
次に、上述のプリプレグの導体パターンを覆うようにド
ライフィルムソルダーレジスト（住友ベークライト社製
ＣＦＰ−１１２２）で被覆層を形成した。次に、所定
の形状を有するパターンを露光し、被覆層を水酸化ナト
リウム１．５ｗｔ％水溶液で現像した。
ライフィルムソルダーレジスト（住友ベークライト社製
ＣＦＰ−１１２２）で被覆層を形成した。次に、所定
の形状を有するパターンを露光し、被覆層を水酸化ナト
リウム１．５ｗｔ％水溶液で現像した。
【００３８】貫通孔の形成
次に、上述のプリプレグの樹脂面にＣＯ２レーザーでビ
ア孔を形成し、インターポーザを作製した。
ア孔を形成し、インターポーザを作製した。
【００３９】（実施例２）プリプレグにおける第１のシ
アネート樹脂を１３部、第２のシアネート樹脂１３部、
吸湿性の低い樹脂を８部、硬化触媒を６部とした以外
は、実施例１と同様に行った。
アネート樹脂を１３部、第２のシアネート樹脂１３部、
吸湿性の低い樹脂を８部、硬化触媒を６部とした以外
は、実施例１と同様に行った。
【００４０】（実施例３）プリプレグ作製時に乾燥温度
１６０℃にして、プリプレグ中の樹脂組成物の反応率を
約２０％にした以外は、実施例１と同様にした。
１６０℃にして、プリプレグ中の樹脂組成物の反応率を
約２０％にした以外は、実施例１と同様にした。
【００４１】（実施例４）プリプレグ作製時に乾燥温度
１７０℃にして、プリプレグ中の樹脂組成物の反応率を
約３０％にした以外は、実施例１と同様にした。
１７０℃にして、プリプレグ中の樹脂組成物の反応率を
約３０％にした以外は、実施例１と同様にした。
【００４２】（実施例５）プリプレグにおける第１のシ
アネート樹脂の代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（ジャパンエポキシレジン(株)製 ＥＰ−１００７、
エポキシ当量２０００）２８部、第２のシアネート樹脂
の代わりにビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬
(株)製ＲＥ−４０４Ｓ、エポキシ当量１６５）１１部と
し、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂及びビフェニ
ルジメチレン型フェノール樹脂を用いずに、２−フェニ
ル−４−メチルイミダゾールを１部添加した以外は実施
例１と同様にした。
アネート樹脂の代わりにビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂（ジャパンエポキシレジン(株)製 ＥＰ−１００７、
エポキシ当量２０００）２８部、第２のシアネート樹脂
の代わりにビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬
(株)製ＲＥ−４０４Ｓ、エポキシ当量１６５）１１部と
し、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂及びビフェニ
ルジメチレン型フェノール樹脂を用いずに、２−フェニ
ル−４−メチルイミダゾールを１部添加した以外は実施
例１と同様にした。
【００４３】（実施例６）第１のシアネート樹脂の代わ
りにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキ
シレジン(株)製 ＥＰ−１００１、エポキシ当量４７
５）３２部、第２のシアネート樹脂の代わりにフェノー
ル樹脂（住友ベークライト(株)製 ＨＦ−３）７部と
し、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂及びビフェニ
ルジメチレン型フェノール樹脂を用いずに、２−フェニ
ル−４−メチルイミダゾールを１部添加した以外は実施
例１と同様にした。
りにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキ
シレジン(株)製 ＥＰ−１００１、エポキシ当量４７
５）３２部、第２のシアネート樹脂の代わりにフェノー
ル樹脂（住友ベークライト(株)製 ＨＦ−３）７部と
し、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂及びビフェニ
ルジメチレン型フェノール樹脂を用いずに、２−フェニ
ル−４−メチルイミダゾールを１部添加した以外は実施
例１と同様にした。
【００４４】（比較例１）プリプレグを構成するエポキ
シ樹脂がほぼ完全に硬化したものである下記に記載の積
層板をインターポーザとして用いた。厚さ１００μｍの
絶縁層、厚さ１８μｍの銅箔からなる両面銅張り積層板
（住友ベークライト(株)製 ＥＬＣ−４７８１）の所定
の位置に、メカニカルドリル等で貫通孔（スルーホー
ル）を設け、銅でスルーホールメッキして両面の銅回路
層を接続した。
シ樹脂がほぼ完全に硬化したものである下記に記載の積
層板をインターポーザとして用いた。厚さ１００μｍの
絶縁層、厚さ１８μｍの銅箔からなる両面銅張り積層板
（住友ベークライト(株)製 ＥＬＣ−４７８１）の所定
の位置に、メカニカルドリル等で貫通孔（スルーホー
ル）を設け、銅でスルーホールメッキして両面の銅回路
層を接続した。
【００４５】（比較例２）インターポーザを構成するプ
リプレグの代わりに、下記に記載のポリイミドフィルム
を用いた。それ以外は、実施例１と同様にした。厚さ７
５μｍのポリエステルフィルム上に、イミド化後の線膨
張係数が１０ｐｐｍのポリアミド酸の１５重量％ＮＭＰ
溶液を、ダイコータで塗布し、１００℃で１０分間乾燥
して、厚みが８０μｍのポリアミド酸フィルムを得た。
１８μｍの圧延銅箔（日本鉱業製）上に、上記のポリア
ミド酸フィルムを重ねて、ロールラミネータを用いて１
４０℃で加熱圧着した。得られた銅箔付ポリアミド酸フ
ィルムを窒素乾燥機内で、連続的に１５０℃、２００
℃、２５０℃、３００℃、３５０℃で各々１５分加熱
し、さらに４００℃で２時間加熱し、イミド化を行っ
た。イミド化後のポリイミド層の厚みは４０μｍであっ
た。このポリイミド層上に、シリコーン変成ポリイミド
とエポキシ樹脂を混合した接着剤樹脂のＮＭＰ溶液を、
バーコータで流延塗布し、８０℃、１５０℃、２２０℃
で各々３分乾燥して、１０μｍの接着剤層を形成した。
全体の厚さ７０μｍの金属箔付きポリイミド接着フィル
ムを得た。
リプレグの代わりに、下記に記載のポリイミドフィルム
を用いた。それ以外は、実施例１と同様にした。厚さ７
５μｍのポリエステルフィルム上に、イミド化後の線膨
張係数が１０ｐｐｍのポリアミド酸の１５重量％ＮＭＰ
溶液を、ダイコータで塗布し、１００℃で１０分間乾燥
して、厚みが８０μｍのポリアミド酸フィルムを得た。
１８μｍの圧延銅箔（日本鉱業製）上に、上記のポリア
ミド酸フィルムを重ねて、ロールラミネータを用いて１
４０℃で加熱圧着した。得られた銅箔付ポリアミド酸フ
ィルムを窒素乾燥機内で、連続的に１５０℃、２００
℃、２５０℃、３００℃、３５０℃で各々１５分加熱
し、さらに４００℃で２時間加熱し、イミド化を行っ
た。イミド化後のポリイミド層の厚みは４０μｍであっ
た。このポリイミド層上に、シリコーン変成ポリイミド
とエポキシ樹脂を混合した接着剤樹脂のＮＭＰ溶液を、
バーコータで流延塗布し、８０℃、１５０℃、２２０℃
で各々３分乾燥して、１０μｍの接着剤層を形成した。
全体の厚さ７０μｍの金属箔付きポリイミド接着フィル
ムを得た。
【００４６】上述の実施例および比較例により得られた
結果を表１に示す。なお、各評価については以下の方法
で行った。 チップ接着性 チップ接着性は、上述の方法で得られたインターポーザ
にフリップチップタイプの半導体素子を、３ｋｇ／ｃｍ
２、１０秒の加圧下で搭載し、硬化後のチップ引き剥が
し強度が０．８ｋＮ／ｍ以上となる搭載温度を測定し
た。表中には、それらの搭載温度と、成形性を示す。成
形性の◎は、成形性が良好なものを示す。○は、僅かな
ボイド発生が認められるが、実用上問題ないものを示
す。△は、僅かなボイド発生が認められ、実用上支障を
きたすおそれのあるものを示す。×は、ボイド発生が多
数認められ、実用上問題あるものを示す。なお、比較例
１については、半導体素子を前記の両面インターポーザ
のバンプ接続用パッドが配置された面に搭載後、半導体
素子とインターポーザの間隙にアンダーフィル材を充填
し、機能面を封止した。
結果を表１に示す。なお、各評価については以下の方法
で行った。 チップ接着性 チップ接着性は、上述の方法で得られたインターポーザ
にフリップチップタイプの半導体素子を、３ｋｇ／ｃｍ
２、１０秒の加圧下で搭載し、硬化後のチップ引き剥が
し強度が０．８ｋＮ／ｍ以上となる搭載温度を測定し
た。表中には、それらの搭載温度と、成形性を示す。成
形性の◎は、成形性が良好なものを示す。○は、僅かな
ボイド発生が認められるが、実用上問題ないものを示
す。△は、僅かなボイド発生が認められ、実用上支障を
きたすおそれのあるものを示す。×は、ボイド発生が多
数認められ、実用上問題あるものを示す。なお、比較例
１については、半導体素子を前記の両面インターポーザ
のバンプ接続用パッドが配置された面に搭載後、半導体
素子とインターポーザの間隙にアンダーフィル材を充填
し、機能面を封止した。
【００４７】製造コスト
製造コストは、従来法である比較例１の製造コストを１
００として、比較した。
００として、比較した。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１に示すように、実施例１〜６のインタ
ーポーザは、チップの接着性に優れていた。また、実施
例１〜２および６のインターポーザは、チップ接着性に
優れ、特に低温でのチップ接着が可能であった。また、
実施例１〜６のインターポーザは、チップ接着時の成形
性に優れていた。
ーポーザは、チップの接着性に優れていた。また、実施
例１〜２および６のインターポーザは、チップ接着性に
優れ、特に低温でのチップ接着が可能であった。また、
実施例１〜６のインターポーザは、チップ接着時の成形
性に優れていた。
【００５０】次に、半導体パッケージについての実施例
および比較例を説明する。 半導体パッケージの製造 （実施例１１〜１６）インターポーザは、各々表中に示
すものを用いた。インターポーザへの半導体素子の搭載
は以下のように行った。マウントツールで半田バンプを
有するフリップチップタイプの半導体素子を吸着して移
送し、半導体素子と予熱したインターポーザの位置合わ
せを行った。その後、半導体素子をインターポーザに搭
載した。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃｍ２、１０秒
間熱圧着した。その後、１８０℃、６０分間アフターキ
ュアして、半導体パッケージを得た。
および比較例を説明する。 半導体パッケージの製造 （実施例１１〜１６）インターポーザは、各々表中に示
すものを用いた。インターポーザへの半導体素子の搭載
は以下のように行った。マウントツールで半田バンプを
有するフリップチップタイプの半導体素子を吸着して移
送し、半導体素子と予熱したインターポーザの位置合わ
せを行った。その後、半導体素子をインターポーザに搭
載した。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃｍ２、１０秒
間熱圧着した。その後、１８０℃、６０分間アフターキ
ュアして、半導体パッケージを得た。
【００５１】（比較例１１）半田バンプを有するフリッ
プチップタイプの半導体素子を比較例１で得られた両面
インターポーザのバンプ接続用パッドが配置された面に
搭載後、半導体素子とインターポーザの間隙にアンダー
フィル材を充填し、１８０℃、６０分間アフターキュア
して、半導体パッケージを得た。
プチップタイプの半導体素子を比較例１で得られた両面
インターポーザのバンプ接続用パッドが配置された面に
搭載後、半導体素子とインターポーザの間隙にアンダー
フィル材を充填し、１８０℃、６０分間アフターキュア
して、半導体パッケージを得た。
【００５２】（比較例１２）比較例２で得られたインタ
ーポーザを用いた以外は、実施例１１〜１６と同様にし
た。
ーポーザを用いた以外は、実施例１１〜１６と同様にし
た。
【００５３】上述の方法により得られた結果を表２に示
す。なお、各評価については以下の方法で行った。 温度サイクル試験 温度サイクル試験は、上記で得られた半導体パッケージ
の初期導通を確認後、−４０℃で３０分、１２５℃で３
０分を１サイクルとする試験を実施した。投入した１０
個の半導体パッケージの、温度サイクル試験１０００サ
イクル後の断線不良数の結果をまとめて表２に示した。
す。なお、各評価については以下の方法で行った。 温度サイクル試験 温度サイクル試験は、上記で得られた半導体パッケージ
の初期導通を確認後、−４０℃で３０分、１２５℃で３
０分を１サイクルとする試験を実施した。投入した１０
個の半導体パッケージの、温度サイクル試験１０００サ
イクル後の断線不良数の結果をまとめて表２に示した。
【００５４】吸湿絶縁性
吸湿絶縁性は、上記で得られた半導体パッケージの初期
絶縁抵抗を測定した後、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中
で、直流電圧５．５Ｖを印加し、１０００時間経過後の
絶縁抵抗を測定した。測定時の印加電圧は１００Ｖで１
分とし、初期絶縁抵抗および処理後絶縁抵抗をまとめて
表２に示した。なお、絶縁抵抗は、ライン／スペース＝
５０μｍ／５０μｍの櫛型電極で測定した。
絶縁抵抗を測定した後、８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中
で、直流電圧５．５Ｖを印加し、１０００時間経過後の
絶縁抵抗を測定した。測定時の印加電圧は１００Ｖで１
分とし、初期絶縁抵抗および処理後絶縁抵抗をまとめて
表２に示した。なお、絶縁抵抗は、ライン／スペース＝
５０μｍ／５０μｍの櫛型電極で測定した。
【００５５】吸湿リフロー
吸湿リフローは、上記で得られたインターポーザを８５
℃／８５％ＲＨの雰囲気中で、１６８時間処理した後、
ピーク温度を２６０℃に設定したリフロー装置を３回通
し、その後の状態を観察した。１０個処理した中の不良
個数を表２に示した。
℃／８５％ＲＨの雰囲気中で、１６８時間処理した後、
ピーク温度を２６０℃に設定したリフロー装置を３回通
し、その後の状態を観察した。１０個処理した中の不良
個数を表２に示した。
【００５６】半導体パッケージの厚さ
半導体パッケージの厚さは、マイクロメータで測定し
た。
た。
【００５７】
【表２】
【００５８】表から明らかなように実施例１１〜１６の
半導体パッケージは、パッケージの厚さを薄くできた。
また、実施例１１〜１６の半導体パッケージは、吸湿後
の耐熱性に優れていて、良好な品質、性能を有してい
た。
半導体パッケージは、パッケージの厚さを薄くできた。
また、実施例１１〜１６の半導体パッケージは、吸湿後
の耐熱性に優れていて、良好な品質、性能を有してい
た。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、接着剤等の接着成分を
用いることなく半導体素子との接着が可能なインターポ
ーザおよび半導体パッケージを提供することができる。
また、特定の基材を用いたプリプレグによりインターポ
ーザを作成した場合、特にレーザービア加工性に優れる
インターポーザおよび半導体パッケージを得ることがで
きる。また、本発明によれば、薄型化しても高品質で高
性能な半導体パッケージを提供することができる。
用いることなく半導体素子との接着が可能なインターポ
ーザおよび半導体パッケージを提供することができる。
また、特定の基材を用いたプリプレグによりインターポ
ーザを作成した場合、特にレーザービア加工性に優れる
インターポーザおよび半導体パッケージを得ることがで
きる。また、本発明によれば、薄型化しても高品質で高
性能な半導体パッケージを提供することができる。
【図１】本発明におけるインターポーザの一例を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図２】本発明におけるプリプレグに金属箔を接合した
場合の一例を模式的に示す断面図である。
場合の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明における半導体パッケージの一例を模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
１ インターポーザ
１１ プリプレグ
１１１ 貫通孔
１２ 導体パターン（回路）
１３ 被覆層（ソルダーレジスト層）
１４ ランド
２１ 金属箔
２２ 樹脂組成物
２３ シート状基材
３ 半導体パッケージ
３１ 半導体素子（ＩＣチップ）
３２ バンプ
３３ 半田ボール
フロントページの続き
(72)発明者 馬場 孝幸
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
(72)発明者 矢吹 健太郎
東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友
ベークライト株式会社内
Ｆターム(参考） 4F072 AA06 AB02 AB09 AB29 AC02
AD11 AD13 AD28 AD54 AF06
AF28 AG03 AH02 AH21 AL12
4J002 AA00W AA00X AB01Z BD12Z
CD03Y CD05Y CD06Y CF00Z
CL06Z CM02W CM02X DA016
DA066 DL006 FA04Z FA046
GF00 GQ05
Claims (17)
- 【請求項１】 プリプレグと、前記プリプレグの片面に
形成された導体パターンと、前記導体パターンの少なく
とも一部を覆うように形成された被覆層とを有すること
を特徴とするインターポーザ。 - 【請求項２】 前記プリプレグは、貫通孔を有するもの
である請求項１に記載のインターポーザ。 - 【請求項３】 前記貫通孔にメッキが施されている請求
項２に記載のインターポーザ。 - 【請求項４】 前記プリプレグは、基材に樹脂組成物を
含浸してなるものである請求項１ないし３のいずれかに
記載のインターポーザ。 - 【請求項５】 前記基材は、有機繊維で構成される不織
布である請求項４に記載のインターポーザ。 - 【請求項６】 前記基材は、開繊処理されたガラス繊維
基材である請求項４に記載のインターポーザ。 - 【請求項７】 前記樹脂組成物の反応率は、３０％以下
である請求項４ないし６のいずれかに記載のインターポ
ーザ。 - 【請求項８】 前記樹脂組成物は、少なくとも１以上の
液状の樹脂を含むものである請求項４ないし７のいずれ
かに記載のインターポーザ。 - 【請求項９】 前記樹脂組成物は、前記液状樹脂よりも
分子量の高い樹脂を含むものである請求項８に記載のイ
ンターポーザ。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
インターポーザに半導体素子を搭載してなることを特徴
とする半導体パッケージ。 - 【請求項１１】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
インターポーザと半導体素子は、バンプにより接合され
ているものである半導体パッケージ。 - 【請求項１２】 片面に金属箔を接合してなるプリプレ
グの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する
工程と、 前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程とを有することを特徴とするインターポ
ーザの製造方法。 - 【請求項１３】 片面に金属箔を接合してなるプリプレ
グの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する
工程と、 前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程と、 前記プリプレグに貫通孔を形成する工程とを有すること
を特徴とするインターポーザの製造方法。 - 【請求項１４】 前記貫通孔は、レーザー加工により形
成されるものである請求項１３に記載のインターポーザ
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記プリプレグを構成する樹脂組成物
の反応率は、３０％以下である請求項１２ないし１４の
いずれかに記載のインターポーザの製造方法。 - 【請求項１６】 片面に金属箔を接合してなるプリプレ
グの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する
工程と、 前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層
を形成する工程とから作製されるインターポーザに、 半導体素子を搭載する工程を有することを特徴とする半
導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１７】 前記インターポーザと前記半導体素子
とをプリプレグを構成する未硬化の樹脂組成物の接着力
を利用して接着する請求項１６に記載の半導体パッケー
ジの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001297941A JP4385555B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | インターポーザ、半導体パッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001297941A JP4385555B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | インターポーザ、半導体パッケージおよびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264385 Division | 2001-08-31 | 2001-08-31 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009187433A Division JP5353547B2 (ja) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | 金属箔付きプリプレグ、積層板およびインターポーザ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003078064A true JP2003078064A (ja) | 2003-03-14 |
| JP4385555B2 JP4385555B2 (ja) | 2009-12-16 |
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|---|---|---|---|
| JP2001297941A Expired - Fee Related JP4385555B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | インターポーザ、半導体パッケージおよびその製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097524A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、プリプレグおよび積層板 |
| WO2007099710A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 中間層材料およびコンポジット積層板 |
| JP2012089812A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 埋め込み印刷回路基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001297941A patent/JP4385555B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| WO2007099710A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 中間層材料およびコンポジット積層板 |
| CN101395208B (zh) * | 2006-03-03 | 2012-07-04 | 住友电木株式会社 | 中间层材料和复合层压板 |
| JP5332608B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2013-11-06 | 住友ベークライト株式会社 | 中間層材料およびコンポジット積層板 |
| US8722191B2 (en) | 2006-03-03 | 2014-05-13 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Intermediate layer material and composite laminate |
| JP2012089812A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 埋め込み印刷回路基板の製造方法 |
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