JP2003077185A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長の青色レーザ光を照射して情報の高密
度且つ大容量記録及び再生が可能であり、更に感度と反
射率に優れた記録特性を有する光情報記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に、波長３８０〜５００ｎｍのレ
ーザ光を開口率（ＮＡ）０．７以上のレンズを通して照
射することにより情報の記録が可能な記録層を有する光
情報記録媒体において、前記基板上に反射層その上に前
記記録層その上にシート層が設けられ、前記記録層が有
機物を含む層であり、且つ前記基板の溝深さが１５〜４
５ｎｍ、トラックピッチが２５０〜４００ｎｍ、溝の半
値幅が６０〜２００ｎｍ、溝の傾斜角が４０〜８０°で
あることを特徴とする光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、詳しくは、レーザ光の照射により情報の記録及び
再生を行うことができる光情報記録媒体に関するもので
ある。 【０００２】 【従来の技術】従来から、レーザ光により一回限りの情
報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知ら
れている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−
Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基
板上に有機色素からなる記録層、金などの金属からなる
反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層したもの
である。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外
域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ
光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の
照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理
的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）により
その部分の光学的特性が変化することにより情報が記録
される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用の
レーザ光と同じ波長のレーザ光をＣＤ−Ｒに照射するこ
とにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位
（記録部分）と変化していない部位（未記録部分）との
反射率の違いを検出することにより行われている。 【０００３】近年、記録密度のより高い光情報記録媒体
が求められている。このような要望に対して、追記型デ
ジタル・ヴァーサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）
と称される光ディスクが提案されている（例えば、「日
経ニューメディア」別冊「ＤＶＤ」、１９９５年発
行）。このＤＶＤ−Ｒは、照射されるレーザ光のトラッ
キングのための案内溝（グルーブ又はプレグルーブとも
言われる）が上述のＣＤ−Ｒの半分以下（０．７４〜
０．８μｍ）という狭い溝幅で形成された透明な円盤状
基板上に、通常、有機色素を含有する記録層、反射層、
及び保護層をこの順に積層したディスク２枚を記録層を
内側にして貼り合わせた構造、或いはこのディスクと同
じ形状の円盤状保護基板とを記録層を内側にして貼り合
わせた構造を有している。そして、このＤＶＤ−Ｒへの
情報の記録及び再生は、可視レーザ光（通常は、波長６
３０ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲のレーザ光）を照射するこ
とにより行われており、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可
能である。 【０００４】最近、インターネット等のネットワークや
ハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴ
Ｖ（High Definition Television）の試験放映も最近開
始されている。このような状況の下で、画像情報を安価
に簡便に記録することができる大容量の記録媒体が必要
とされている。ＤＶＤ−Ｒは現状では大容量の記録媒体
としての役割を十分に果たしているが、大容量化、高密
度化の要求は高まる一方であり、これらの要求に対応で
きる記録媒体の開発も必要である。このため、ＤＶＤ−
Ｒよりも更に短波長の光で高密度の記録を行なうことが
できる、一層大容量の記録媒体の開発が進められてい
る。 【０００５】例えば、特開平４−７４６９０号公報、特
開平７−３０４２５６号公報、特開平７−３０４２５７
号公報、特開平８−１２７１７４号公報、同１１−５３
７５８号公報、同１１−３３４２０４号公報、同１１−
３３４２０５号公報、同１１−３３４２０６号公報、同
１１−３３４２０７号公報、特開２０００−４３４２３
号公報、同２０００−１０８５１３号公報、同２０００
−１１３５０４号公報、同２０００−１４９３２０号公
報、同２０００−１５８８１８号公報、及び同２０００
−２２８０２８には、有機色素を含む記録層を有する光
情報記録媒体において、記録層側から反射層側に向けて
波長５３０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、
情報の記録及び再生を行う記録再生方法が開示されてい
る。これらの方法では、ポルフィリン化合物、アゾ系色
素、金属アゾ系色素、キノフタロン系色素、トリメチン
シアニン色素、ジシアノビニルフェニル骨格色素、クマ
リン化合物、ナフタロシアニン化合物等を含有する記録
層を備えた光ディスクに、青色（波長４３０ｎｍ、４８
８ｎｍ）又は青緑色（波長５１５ｎｍ）のレーザ光を照
射することにより情報の記録及び再生を行っている。 【０００６】また、現在使用されているＣＤ−Ｒシステ
ムとの互換性という観点から、２つの異なる波長領域の
レーザ光で記録及び再生が可能な光情報記録媒体が提案
されている。例えば、特開２０００−１４１９００号公
報、同２０００−１５８８１６号公報、同２０００−１
８５４７１号公報、同２０００−２８９３４２号公報、
同２０００−３０９１６５号公報には、ＣＤ−Ｒに用い
られる色素とＤＶＤ−Ｒで用いられる色素とを混合して
用いることによって、７８０ｎｍ付近の近赤外域のレー
ザ光、及び６５０ｎｍ付近の可視レーザ光の何れのレー
ザ光によっても記録及び再生が可能な光情報記録媒体が
提案されている。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の検討によれば、上記公報に記載された光ディスクで
は、波長３８０〜５００ｎｍの短波長レーザ光の照射に
より情報を記録する場合には、実用上必要とされる感度
を得ることができず、また、反射率や変調度などの他の
記録特性も満足できるレベルではなく、更に改良を要す
ることが判明した。特に、上記公報に記載された光ディ
スクでは、波長３８０〜５００ｎｍのレーザ光を照射し
た場合に記録特性が低下した。 【０００８】本発明は上記従来技術の問題点に鑑み成さ
れたものであり、本発明の第１の目的は、波長３８０〜
５００ｎｍの短波長の青色レーザ光を照射して情報の高
密度記録及び再生を可能ならしめ、かつ優れた記録特性
を有する光情報記録媒体を提供することにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者等は光情報記録媒体の溝形状や記録層物質
を鋭意探求した結果、特定の溝形状や特別の記録層物質
とすることにより目的を達成できることを見出し、本発
明を完成するに至った。 【００１０】即ち、本発明は次の通りである。 ＜１＞ 基板上に、波長３８０〜５００ｎｍのレーザ光
を開口率（ＮＡ）０．７以上のレンズを通して照射する
ことにより情報の記録が可能な記録層を有する光情報記
録媒体において、前記基板上に反射層その上に前記記録
層その上にシート層が設けられ、前記記録層が有機物を
含む層であり、且つ前記基板の溝深さが１５〜４５ｎ
ｍ、トラックピッチが２５０〜４００ｎｍ、溝の半値幅
が６０〜２００ｎｍ、溝の傾斜角が４０〜８０°である
ことを特徴とする光情報記録媒体。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下、本発明の光情報記録媒体の
実施の形態について、詳細に説明する。 【００１２】本発明の光情報記録媒体は、基板上に波長
３８０〜５００ｎｍのレーザ光を開口率（ＮＡ）０．７
以上のレンズを通して照射することにより情報の記録が
可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該基板
上に反射層その上に前記記録層その上にシート層が設け
られ、前記記録層が有機物の層であり、且つ該基板の溝
深さが１５〜４５ｎｍ、トラックのピッチが２５０〜４
００ｎｍ、溝の半値幅が６０〜２００ｎｍ、溝の傾斜角
が４０〜８０°であることを特徴とする。 【００１３】（有機物記録層）本発明の光情報記録媒体
の記録層は有機物（有機色素と言われることもある）の
層からなり、波長３８０〜５００ｎｍのレーザ光をＮＡ
（開口率）０．７以上のレンズを通過させて集光し、そ
の焦点位置で記録層を照射することにより、該有機物層
の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物
理的或いは化学的変化（例えば、ピットなどの生成）に
よりその部分の光学的特性が変化することを利用して情
報が記録される。一方、情報の読取り（再生）は、通
常、上記記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を光デ
ィスクに照射して、前記有機物記録層の光学的特性が変
化した部位（記録部分）と変化していない部位（未記録
部分）との反射率の違い等を検出することにより行われ
る。 【００１４】本発明の記録層を構成する有機物として
は、フタロシアニン誘導体及び／又はベンゾトリアゾー
ル誘導体を含有することが、更に大容量で且つ高密度の
記録媒体が得られる点で、好ましい。 【００１５】（フタロシアニン誘導体）本発明の光情報
記録媒体の有機物記録層に用いられる前記フタロシアニ
ン誘導体としては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物
が好ましい。 【００１６】 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒは置換基を表し、ｎは１乃至８の整数
を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに
同一でも異なっていてもよく、Ｍは２個の水素原子、金
属、金属酸化物、または配位子を有する金属を表す。〕 【００１７】一般式（Ｉ）において、Ｒで表される置換
基の好ましい例としては、炭素原子数１乃至２０のアル
キル基、炭素原子数６乃至１４のアリール基、炭素原子
数７乃至１５のアラルキル基、炭素原子数１乃至１０の
ヘテロ環基、炭素原子数１乃至２０のアルコキシ基、炭
素原子数６乃至１４のアリールオキシ基、炭素原子数２
乃至２１のアシル基、炭素原子数２乃至２１スルホニル
基、炭素原子数１乃至２５のカルバモイル基、炭素原子
数０乃至３２のスルファモイル基、炭素原子数１乃至２
０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７乃至１５の
アリールオキシカルボニル基、炭素原子数２乃至２１の
アシルアミノ基、炭素原子数１乃至２０のスルホニルア
ミノ基又はハロゲン原子を挙げることができるが、好ま
しいものは、炭素原子数３乃至１６のアルキル基、炭素
原子数６乃至１０のアリール基、炭素原子数３乃至１６
のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキ
シ基、炭素原子数３乃至１６スルホニル基、炭素原子数
２乃至２０のスルファモイル基であり、更に好ましいも
のは炭素原子数４乃至１２のアルコキシ基、炭素原子数
４乃至１２スルホニル基又は炭素原子数４乃至１６のス
ルファモイル基であり、特に好ましいものは、炭素原子
数６乃至１２のスルファモイル基である。 【００１８】一般式（Ｉ）において、置換基Ｒは更に置
換基を有していてもよく、該置換基の例としては、以下
に記載のものを挙げることができる。 【００１９】炭素原子数１〜２０の鎖状または環状のア
ルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、シ
クロヘキシル）、炭素原子数６〜１８のアリール基（例
えば、フェニル、クロロフェニル、２，４−ジ−ｔ−ア
ミルフェニル、１−ナフチル）、炭素原子数７〜１８の
アラルキル基（例えば、ベンジル、アニシル）、炭素原
子数２〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル、２−メ
チルビニル）、炭素原子数２〜２０のアルキニル基（例
えば、エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエ
チニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭
素原子数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル、ベン
ゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、炭素原子数１〜
２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シ
クロヘキシルオキシ）、炭素原子数６〜２０のアリール
オキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、トル
オイル）、炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基（例え
ば、メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メト
キシプロピルチオ）、炭素原子数６〜２０のアリールチ
オ基（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチ
オ）、炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基（例
えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、炭素原
子数６〜２０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼ
ンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数
１〜１７のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモ
イル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−
ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル）、炭素原
子数１〜１６のアミド基（例えば、アセトアミド、ベン
ズアミド）、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基（例
えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシ）、炭素原子数２
〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル）、５もしくは６員のヘ
テロ環基（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チア
ゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ
環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラ
ン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環など
のヘテロ環）。 【００２０】一般式（Ｉ）において、置換基Ｒの置換基
として好ましいものは、炭素原子数１〜１６の鎖状又は
環状のアルキル基、炭素原子数６〜１４のアリール基、
炭素原子数７〜１５のアラルキル基、炭素原子数１〜１
６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキ
シ基、ハロゲン原子、炭素原子数２〜１７のアルコキシ
カルボニル基、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、
炭素数１〜１０のアミド基であり、中でも好ましいもの
は、炭素原子数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、
炭素原子数７〜１３のアラルキル基、炭素原子数６〜１
０のアリール基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、
炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基、塩素原子、炭
素原子数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素原子
数１〜７のカルバモイル基、炭素数１〜８のアミド基で
あり、特に好ましいものは、炭素原子数３〜１０の鎖状
分岐又は環状のアルキル基、炭素原子数７〜１１のアラ
ルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子
数３〜９のアルコキシカルボニル基、フェニル及び塩素
原子である。 【００２１】一般式（Ｉ）において、ｎは２乃至６が好
ましく、更に３又は４が好ましく、特に４が好ましい。
ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも
異なっていてもよいが、同一である場合が好ましい。ま
た、一般式（Ｉ）において、Ｍは金属であることが好ま
しく、中でも銅、ニッケル又はパラジウムが好ましく、
更に銅又はニッケルが好ましく、特に銅が好ましい。 【００２２】一般式（Ｉ）で表される化合物は、任意の
位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合
の各単位は互いに同一でも異なっていてもよく、またポ
リスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコー
ル、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。 【００２３】本発明の光情報記録媒体に用いられる一般
式（Ｉ）で表されるフタロシアニン誘導体は、特定の誘
導体単独で使用してもよく、また構造の異なったものを
複数種混合して用いてもよいが、単独で使用することが
好ましい。尚、一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン
誘導体は、その合成時において不可避的に置換基Ｒの置
換位置異性体を含む場合があるが、これら置換位置異性
体は互いに区別することなく同一誘導体とみなすことが
できる。また、Ｒの置換基に異性体が含まれる場合も、
これらを区別することなく、同一のフタロシアニン誘導
体とみなすことができる。従って、構造が異なる場合と
は、一般式（Ｉ）で説明すると、置換基Ｒの構成原子種
又は数が異なる場合もしくはｎが異なる場合の何れかで
ある。 【００２４】以下に、本発明で用いるフタロシアニン誘
導体の好ましい具体例を下記表１に示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。尚、フタロシアニン誘
導体の置換基Ｒの置換位置の番号を下記化２に示す。 【００２５】 【化２】【００２６】 【表１】 【００２７】本発明に用いられるフタロシアニン誘導体
は、例えば白井−小林共著、（株）アイピーシー発行
「フタロシアニン−化学と機能−」（Ｐ．１〜６２）、
Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ−Ａ．Ｂ．Ｐ．Ｌｅｖｅｒ共
著、ＶＣＨ発行‘Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ−Ｐ
ｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ
ｓ’（Ｐ．１〜５４）等に記載された方法、引用された
方法、もしくはこれらに類似の方法により合成すること
ができる。 【００２８】（ベンゾトリアゾール誘導体）また、本発
明の光情報記録媒体の有機物記録層に用いられる前記ベ
ンゾトリアゾール誘導体としては、下記一般式（II）で
表される化合物が好ましい。 【００２９】 【化３】 〔式（II）中、ｈ及びｋはそれぞれ独立に１乃至３の整
数を表す。Ｒ³及びＲ⁴は置換基を表し、ｒ及びｓは０乃
至３の整数を表す。但し、ｈ＝１且つｒ≠０のとき、Ｒ
³は炭素原子数２〜１６のアルキル基、炭素原子数６〜
１４のアリール基、炭素原子数７〜１５のアラルキル
基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数６
〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数２〜１７のアル
コキシカルボニル基、炭素原子数１〜１０のカルバモイ
ル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜
１７のアシルオキシ基、及びハロゲン原子からなる群か
ら選択される置換基を表す。〕 【００３０】一般式（II）で表されるベンゾトリアゾー
ル化合物は、ベンゼン環が、少なくともヒドロキシ基と
１，２，３−ベンゾトリアゾリル基の２位の窒素原子と
で置換された化合物である。 【００３１】一般式（II）において、ｈは１，２，３−
ベンゾトリアゾリル基の数を表す。ｈは１乃至３の整数
であり、１又は２が好ましく、特に１が好ましい。ｋは
ヒドロキシ基の数を表す。ｋは１乃至３の整数であり、
１又は２が好ましく、特に１が好ましい。また、１，
２，３−ベンゾトリアゾリル基とヒドロキシ基は互いに
隣接してベンゼン環に置換している場合が好ましい。 【００３２】一般式（II）において、Ｒ³はベンゼン環
の置換基であり、Ｒ⁴は１，２，３−ベンゾトリアゾー
ル環の置換基である。ｒは置換基Ｒ³の数を表す。ｒは
０乃至３の整数であり、１又は２が好ましく、特に１が
好ましい。ｓは置換基Ｒ⁴の数を表す。ｓは０乃至３の
整数であり、０又は１が好ましく、特に０が好ましい。
即ち、ヒドロキシ基で置換されたベンゼン環は他の置換
基を有していることが好ましいが、１，２，３−ベンゾ
トリアゾール環は無置換であることが好ましい。 【００３３】一般式（II）において、Ｒ³またはＲ⁴で表
される置換基の例としては、以下に記載のものを挙げる
ことができる。 【００３４】炭素原子数１〜２０の鎖状または環状のア
ルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、シ
クロヘキシル）、炭素原子数６〜１８のアリール基（例
えば、フェニル、クロロフェニル、２，４−ジ−ｔ−ア
ミルフェニル、１−ナフチル）、炭素原子数７〜１８の
アラルキル基（例えば、ベンジル、アニシル）、炭素原
子数２〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル、２−メ
チルビニル）、炭素原子数２〜２０のアルキニル基（例
えば、エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエ
チニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素
原子数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル、ベンゾ
イル、サリチロイル、ピバロイル）、炭素原子数１〜２
０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シク
ロヘキシルオキシ）、炭素原子数６〜２０のアリールオ
キシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、トルオ
イル）、炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基（例え
ば、メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メト
キシプロピルチオ）、炭素原子数６〜２０のアリールチ
オ基（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチ
オ）、炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基（例
えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、炭素原
子数６〜２０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼ
ンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数
１〜１７のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモ
イル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−
ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル）、炭素原
子数１〜１６のアミド基（例えば、アセトアミド、ベン
ズアミド）、炭素原子数２〜２０のアシルオキシ基（例
えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシ）、炭素原子数２
〜２０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル）、５もしくは６員のヘ
テロ環基（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チア
ゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ
環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラ
ン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環など
のヘテロ環）。但し、Ｒ¹で表される置換基からは、
１、３−ジメチルバルビツール酸から誘導される基は除
かれる。 【００３５】Ｒ³またはＲ⁴で表される置換基として好ま
しいものは、炭素原子数２〜１６の鎖状又は環状のアル
キル基、炭素原子数６〜１４のアリール基、炭素原子数
７〜１５のアラルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコ
キシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ハロ
ゲン原子、炭素原子数２〜１７のアルコキシカルボニル
基、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜
１０のアミド基であり、中でも好ましいものは、炭素原
子数２〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数
７〜１３のアラルキル基、炭素原子数６〜１０のアリー
ル基、炭素原子数２〜１０のアルコキシ基、炭素原子数
２〜１７のアシルオキシ基、炭素原子数６〜１０のアリ
ールオキシ基、塩素原子、炭素原子数２〜１１のアルコ
キシカルボニル基、炭素原子数２〜７のカルバモイル
基、炭素数２〜８のアミド基であり、特に好ましいもの
は、炭素原子数３〜１０の鎖状分岐又は環状のアルキル
基、炭素原子数７〜１１のアラルキル基、炭素原子数２
〜８のアルコキシ基、炭素原子数３〜９のアルコキシカ
ルボニル基、フェニル及び塩素原子である。 【００３６】但し、ｈ＝１且つｒ≠０のとき、Ｒ³で表
される置換基としては、炭素原子数２〜１６のアルキル
基、炭素原子数６〜１４のアリール基、炭素原子数７〜
１５のアラルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ
基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子
数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜
１０のカルバモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド
基、炭素原子数２〜１７のアシルオキシ基、またはハロ
ゲン原子が特に好適である。 【００３７】Ｒ³またはＲ⁴で表される置換基は更に置換
基を有していてもよく、この場合の置換基の例として
は、Ｒ³またはＲ⁴で表される置換基の例として上述した
ものを挙げることができる。また、Ｒ³は２価または３
価の連結基であってもよく、複数のベンゼン環を置換し
ていてもよい。このときＲ³で置換される複数のベンゼ
ン環は異なる置換基で置換されていてもよい。 【００３８】一般式（II）で表される化合物は、任意の
位置で直接または間接に結合して多量体を形成していて
もよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なってい
てもよい。なお、任意の位置で間接に結合して多量体を
形成する場合には、前記のＲ ¹またはＲ³で表される置換
基を連結基として結合する場合が含まれる。また、ポリ
スチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコー
ル、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。 【００３９】以下に、本発明で用いられるベンゾトリア
ゾール化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。 【００４０】 【化４】 【００４１】 【化５】【００４２】 【化６】【００４３】 【化７】【００４４】 【化８】【００４５】 【化９】【００４６】 【化１０】【００４７】本発明に用いられるベンゾトリアゾール化
合物は、例えば特公昭５４−４１０３８号公報、同６０
−１４０６２号公報、特公平２−３３７０９号公報、特
登２８５８９４０号公報、同２８６４４６８号公報、英
国特許第１，２３９，２５８号公報、米国特許第４，５
８７，３４６号公報、Ｐｏｙｍｅｒ、１９８５、Ｖｏｌ
２６、１２８８及びＭｏｎａｔｓｈ．Ｃｈｅｍ．１９８
１，１１２，１２７９等に記載または引用の方法もしく
はこれらに類似の方法により合成することができるが、
塗料やポリマーの安定化剤として市販されているものを
使用してもよい。 【００４８】ベンゾトリアゾール化合物は、単独で用い
ても良いし、二種以上を併用しても良い。また、ベンゾ
トリアゾール化合物とこれ以外の色素化合物とを記録物
質として併用してもよい。併用できる色素化合物の例と
しては、シアニン系色素、オキソノール系色素、アゾ金
属錯体、フタロシアニン系色素、ピリリウム系色素、チ
オピリリウム系色素、アズレニウム系色素、スクワリリ
ウム系色素、ナフトキノン系色素、トリフェニルメタン
系色素、及びトリアリルメタン系色素等を挙げることが
できる。 【００４９】（記録媒体基板）本発明の光情報記録媒体
は、基板上に反射層その上に記録層その上にシート層が
設けられて構成され、該基板の溝深さ（図１のａ）が１
５〜４５ｎｍ、トラックのピッチ（図１のｂ）が２５０
〜４００ｎｍ、溝の半値幅（図１のｃ）が６０〜２００
ｎｍ、溝の傾斜角（図１のｄ）が４０〜８０°であるこ
とを特徴としているが、これ以外には特に制限はなく、
種々の構成の光情報記録媒体に適用することができる。
ここで、溝の半値幅（ｄ）とは、該溝の深さの半分の地
点における溝の幅のことを表す。本発明の光情報記録媒
体は、上記の構成で成り立っているので、感度や反射率
等の記録媒体としての基本性能を高水準に保持しなが
ら、記録容量と記録密度を一層向上させることができ
る。 【００５０】本発明の光情報記録媒体の基板は、従来の
光情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料
から任意に選択することができる。基板材料としては、
例えばガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリ
レート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル
共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモル
ファスポリオレフィンおよびポリエステルなどを挙げる
ことができ、各々を単独で使用しても、所望によりそれ
らを併用してもよい。尚、これらの材料はフィルム状と
して又は剛性のある基板として使うことができる。上記
材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び経済性などの観
点からポリカーボネート樹脂の使用が好ましい。 【００５１】本発明の光情報記録媒体には、記録密度を
高めるために、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより狭
い、２５０〜４００ｎｍのトラックピッチのグルーブが
形成された基板が用いられる。基板の該トラックピッチ
は、更に２６０〜３８０ｎｍの範囲が好ましく、特に２
８０〜３５０ｎｍの範囲にあることが最も好ましい。該
トラックピッチが２５０ｎｍより狭くなると、所望の感
度（Ｃ／Ｎ）が得られなくなり、一方４００ｎｍより広
くなると高密度・大容量化が達成できない。 【００５２】また、本発明の光情報記録媒体では、基板
の溝の半値幅が６０〜２００ｎｍの範囲にある。この基
板の溝の半値幅は、更に８０〜２００ｎｍの範囲が好ま
しく、特に８０〜１５０ｎｍの範囲にあることが最も好
ましい。該溝の半値幅が６０ｎｍより狭くなると、或い
は２００ｎｍより広くなると、いずれの場合も溝信号の
出力が小さ過ぎ、所望のトラッキングが達成できない。 【００５３】また、本発明の光情報記録媒体では、基板
の溝の深さは１５〜４５ｎｍの範囲にある。この基板の
溝深さは、更に１５〜４０ｎｍの範囲が好ましく、特に
２０〜４０ｎｍの範囲にあることが最も好ましい。該溝
の深さが１５ｎｍより浅くなると、位相差が小さ過ぎる
ためトラッキング信号が小さくなり、所望のトラッキン
グが機能しなくなる。一方、該溝の深さが４５ｎｍより
深くなると、位相差の関係で反射率が小さくなり、感度
（Ｃ／Ｎ）が低下して正確な再生ができなくなる。 【００５４】また、本発明の光情報記録媒体では、基板
の溝の傾斜角が４０〜８０°の範囲にある。この基板の
溝の傾斜角は、更に５０〜８０°の範囲が好ましく、特
に６０〜８０°の範囲にあることが最も好ましい。該溝
の傾斜角が４０°より小さくなると、位相差の関係でグ
ルーブ反射率が低下して、感度（Ｃ／Ｎ）が低くなり正
確な再生ができなくなる。一方、該溝の傾斜角が８０°
より大きくなると、基板の成型時に金型からの脱型が困
難になり、溝にクラウドのような欠陥が発生しやすく、
感度（Ｃ／Ｎ）が低下して正確な再生ができなくなる。 【００５５】尚、本発明の光情報記録媒体では、前記基
板の溝深さをａ（ｎｍ）、トラックのピッチをｂ（ｎ
ｍ）、溝の半値幅をｃ（ｎｍ）、溝の傾斜角をｄ（°）
とするとき、これらの３変数の間で下記の不等式； ｃ+（ａ／２）×ｔａｎ（ｄ） ＜ ｂ／２ を満たすことが、記録媒体としての性能を維持し大容量
且つ高密度化を図る上で好ましい。 【００５６】本発明の反射層が設けられる側の基板表面
には、平面性の改善、接着力の向上及び反射層や記録層
の変質防止の目的で、下塗層を設けてもよい。下塗層の
材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アク
リル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイ
ン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロール
アクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、
クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポ
リ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、
ポリイミド、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート等の高分子物質、及びシランカッ
プリング剤等の表面改質剤を挙げることができる。本発
明の下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解または分散
して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコー
ト、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗
布法により基板表面に塗布することにより形成すること
ができる。該下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μ
ｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．０１〜１０μ
ｍの範囲である。 【００５７】（反射層）本発明の光情報記録媒体では、
前記基板の上かつ前記有機物記録層の下に、情報の再生
時における反射率を向上させるために、反射層が設けら
れる。反射層の材料である光反射性物質は、レーザに対
する反射率が７０％以上の物質であれば何でもよいが、
反射率が高い物質が好ましく、その例としては、Ｍｇ、
Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐ
ｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属或いはステンレス
鋼を挙げることができる。 【００５８】これらの物質は単独で用いてもよいし、或
いは二種以上の混合で、又は合金として用いてもよい。
これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好
ましくは、Ａｕ金属、Ａｇ金属、Ａｌ金属あるいはこれ
らの合金であり、最も好ましくは、Ａｇ金属、Ａｌ金属
あるいはそれらの合金である。本発明の反射層は、例え
ば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリング又はイオ
ンプレーティングを施すことにより基板若しくは記録層
の上に形成することができる。反射層の厚みは、一般的
には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、５０〜２００ｎｍ
の範囲にあることが好ましい。 【００５９】（記録層の形成）本発明の光情報記録媒体
では、上記反射層の上に、光情報を記録するための有機
物（既述の記録層を構成する有機物）を含む記録層が設
けられる。本発明の該有機物記録層の形成は、蒸着、ス
パッタリング、ＣＶＤ又は溶剤塗布等の方法によって行
うことができるが、溶剤塗布が好ましい。塗布温度は、
２３℃以上で５０℃以下であれば特に問題はないが、好
ましくは２４℃〜４０℃、更に好ましくは２５℃〜３７
℃の範囲である。溶剤塗布により記録層を形成する場合
に、前記フタロシアニン誘導体又はベンゾトリアゾール
誘導体の有機物の他に、更に所望によりクエンチャー、
結合剤等を溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いでこの
塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成した後、形成し
た塗布膜を乾燥する。 【００６０】塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸
エチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチル
エチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロル
エタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホ
ルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化
水素；ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、
ジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３
−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル等のグリコールエーテル類などを挙げること
ができる。上記溶剤は使用する有機物の溶解性を考慮し
て単独で、或いは二種以上を組み合わせて使用すること
ができる。塗布液中には更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、
可塑剤、潤滑剤等の各種添加剤を目的に応じて添加して
もよい。 【００６１】前記有機物記録層に結合剤を使用する場合
に、結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導
体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物
質；及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル−ポリ酢酸
ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチ
ル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビ
ニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、
ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール−ホルムアル
デヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機
高分子を挙げることができる。記録層の材料として結合
剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に前記有
機物に対して０．０１〜５０倍質量の範囲が好ましく、
より好ましくは０．１〜５倍質量の範囲である。このよ
うにして調製される塗布液中の前記有機物の濃度は、一
般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは
０．１〜５質量％の範囲にある。 【００６２】前記有機物記録層の塗布方法としては、ス
プレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート
法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン
印刷法等を挙げることができる。該記録層は単層でも重
層でもよい。また、記録層の層厚は一般に２０〜５００
ｎｍの範囲にあり、好ましくは３０〜３００ｎｍの範囲
にあり、より好ましくは５０〜１００ｎｍの範囲にあ
る。 【００６３】本発明の有機物記録層には、記録層の耐光
性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させる
ことができる。このような褪色防止剤としては、一般的
に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素ク
エンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物
に記載のものを利用することができる。その具体例とし
ては、特開昭５８−１７５６９３号、同５９−８１１９
４号、同６０−１８３８７号、同６０−１９５８６号、
同６０−１９５８７号、同６０−３５０５４号、同６０
−３６１９０号、同６０−３６１９１号、同６０−４４
５５４号、同６０−４４５５５号、同６０−４４３８９
号、同６０−４４３９０号、同６０−５４８９２号、同
６０−４７０６９号、同６３−２０９９９５号、特開平
４−２５４９２号、特公平１−３８６８０号、及び同６
−２６０２８号等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号
明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１
４１頁等に記載のものを挙げることができる。好ましい
一重項酸素クエンチャーの例としては、下記の一般式
（III）で表される化合物を挙げることができる。 【００６４】 【化１１】 〔式（III）中、Ｒ²¹は置換基を有していてもよいアル
キル基を表わし、そしてＱ^-はアニオンを表わす。〕 【００６５】一般式（III）において、Ｒ²¹は置換され
ていてもよい炭素数１〜８のアルキル基が一般的であ
り、無置換の炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。ア
ルキル基の置換基としては、ハロゲン原子（例、Ｆ，Ｃ
ｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ）、アル
キルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ）、アシル基
（例、アセチル、プロピオニル）、アシルオキシ基
（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）、ヒドロキシ
基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル）、アルケニル基（例、ビニ
ル）、アリール基（例、フェニル、ナフチル）を挙げる
ことができる。これらの中で、ハロゲン原子、アルコキ
シ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基が好ま
しい。Ｑ^-のアニオンの好ましい例としては、Ｃｌ
Ｏ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、及びＳｂＦ₆ ^-を挙げることが
できる。 【００６６】一般式（III）で表される化合物例を表２
に記載する。 【表２】 前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量
は、前記有機物の量に対して、通常０．１〜５０質量％
の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範
囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ま
しくは５〜２５質量％の範囲である。 【００６７】（シート層）本発明の光情報記録媒体にお
いては、上記有機物記録層の上に、該記録層などを物理
的及び化学的に保護する目的でシート層が設けられる。
該シート層としては、光透過性の材質であれば何でもよ
いが、本発明に用いられるシート層材料の例としては、
ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の無
機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂
等の有機物質を挙げることができる。特に、ポリカーボ
ネート或いは三酢酸セルロースのような熱可塑性樹脂が
好ましく、更に温度２３℃相対湿度５０％の環境下で吸
湿率が５％以下の熱可塑性樹脂が好ましい。 【００６８】シート層は、例えばプラスチックの押出加
工で得られたフィルムを接着剤を介して反射層上にラミ
ネートすることにより形成することができる。あるいは
真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けら
れてもよい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合
には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した
のち、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形
成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、その
ままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したの
ちこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させるこ
とによっても形成することができる。これらの塗布液中
には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各
種添加剤を目的に応じて添加してもよい。シート層の層
厚は一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。以上の
工程により、基板上に、反射層、記録層そしてシート層
が設けられた本発明の光情報記録媒体用の積層体を製造
することができる。 【００６９】なお、上記シート層は中間層、接着層等を
介して記録層上に設けてもよい。中間層は記録層の保存
性を高め、記録層と薄膜シート層との接着性を向上させ
るために設けられる。中間層に用いられる材料として
は、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄などの無機物質を挙げることができる。また、こ
の中間層は、蒸着、スパッタリング等の真空成膜により
形成することができる。接着層には光硬化性樹脂を含む
接着剤を使用するのが好ましい。例えば、光硬化性樹脂
をそのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製
した後、この塗布液を中間層上に塗布し、塗布膜上に例
えばプラスチックの押出加工で得られた樹脂フィルムを
ラミネートし、ラミネートした樹脂フィルムの上から光
照射して塗布膜を硬化させることにより、樹脂フィルム
を中間層上に接着することができる。これにより薄膜シ
ート層が形成される。 【００７０】（情報記録方法）本発明に係わる情報記録
方法は、上記光情報記録媒体を用いて、例えば、次のよ
うに行われる。まず光情報記録媒体を定線速度（ＣＤフ
ォーマットの場合は１．２〜１．４ｍ／秒）又は定角速
度にて回転させながら、基板側或いは保護層側から波長
３８０〜５００ｎｍの光を含む半導体レーザなどの記録
用の光をＮＡ（レンズ開口率）０．７以上のレンズを通
して照射する。この光の照射により、有機物記録層がそ
の光を吸収して局所的に温度が上昇し、物理的或いは化
学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその照射個
所の光学的特性を変えることにより、情報が記録され
る。 【００７１】波長３８０〜５００ｎｍの範囲の発振波長
を有するレーザ光源としては、波長３８０〜５００ｎｍ
の範囲の発振波長を有する青色半導体レーザを挙げるこ
とができる。記録密度の上げる点で青色半導体レーザを
用いることが特に好ましい。なお、上記のように記録さ
れた情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線
速度で回転させながらレーザ光をシート側から照射し
て、その反射光を検出することにより行うことができ
る。 【００７２】本発明の光情報記録媒体は、例えば一定の
トラックピッチのプレグルーブが形成された円盤状基板
上に反射層、記録層およびシート層をこの順に積層して
構成されている。この光情報記録媒体では、所定厚さ
（ＣＤ−Ｒでは１．２ｍｍ）の基板とは反対側に薄膜の
シート層を設け、この薄膜シート層側から光を照射して
記録を行うことにより、照射するレーザ光のビーム径を
小さく絞ることができ、波長５００ｎｍ以下の短波長の
光で高密度の記録を行うことができる。 【００７３】 【実施例】以下の実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。 【００７４】＜Ａ：フタロシアニン系有機物記録層の例
＞ ［実施例１〜５、９〜１２；比較例１、２、５、６］厚
さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのスパイラル状グルーブ
（表３に各々の溝深さ、トラックピッチ、溝の半値幅、
溝の傾斜角を示す）を有する射出成形ポリカーボネート
樹脂（（株）帝人製の商品名「パンライトＡＤ５５０
３」）基板のグルーブを有する面上に、Ａｇをスパッタ
リングして膜厚１００ｎｍの反射層を形成した。別途、
ＣＩＢＡスペシャリティケミカル社製のフタロシアニン
「オラゾールブルＧＮ」を２，２，３，３−テトラフル
オロプロパノールと混合して２時間超音波を掛けて溶解
させ、記録層形成用塗布液（濃度２質量％）を得た。こ
の有機色素塗布液を、スピンコート法により回転数を３
００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させながら、温
度２３℃相対湿度５０％の条件で塗布した。その後、温
度２３℃相対湿度５０％で１時間保存した後、ＺｎＳ−
ＳｉＯ₂を膜厚５ｎｍになるようにスパッタリングし
て、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ化学社製の「ＳＤ−
６４０」）をスピンコート法により回転数１００〜３０
０ｒｐｍで塗布し、ポリカーボネートシート（（株）帝
人製の「ピュアエース」、７０ミクロン）を重ね合わ
せ、その後回転数を３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍま
で変化させながら、全面に接着剤を広げた後、ＵＶ照射
ランプにて紫外線を照射して硬化させ、本発明に係わる
実施例１〜５、９〜１２、及び比較例１、２、５、６の
光情報記録媒体（光ディスク）サンプルを作製した。 【００７５】＜Ｂ：ベンゾトリアゾール系有機物記録層
の例＞ ［実施例６〜８、１３〜１７；比較例３、４、７、８］
厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍの螺旋状グルーブ（表
３に各々の溝深さ、トラックピッチ、溝の半値幅、溝の
傾斜角を示す）を有する射出成形ポリカーボネート樹脂
（（株）帝人製の商品名「パンライトＡＤ５５０３」）
基板のグルーブを有する面上に、Ａｇをスパッタリング
して膜厚１００ｎｍの反射層を形成した。別途、下記の
化合物１（ベンゾトリアゾール）を２，２，３，３−テ
トラフルオロプロパノールと混合して２時間超音波を掛
けて溶解させ、記録層形成用塗布液（濃度２質量％）を
得た。この有機色素塗布液を、スピンコート法により回
転数を３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させな
がら、温度２３℃相対湿度５０％の条件で塗布した。そ
の後、温度２３℃相対湿度５０％で１時間保存した後、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂を膜厚５ｎｍになるようにスパッタリ
ングして、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ化学社製の
「ＳＤ−６４０」）をスピンコート法により回転数１０
０〜３００ｒｐｍで塗布し、ポリカーボネートシート
（（株）帝人製の「ピュアエース」、７０ミクロン）を
重ね合わせ、その後回転数を３００ｒｐｍから４０００
ｒｐｍまで変化させながら全面に接着剤を広げた後、Ｕ
Ｖ照射ランプにて紫外線を照射して硬化させ、本発明に
係わる実施例６〜８、１３〜１７、及び比較例３、４、
７、８の光情報記録媒体（光ディスク）サンプルを作製
した。 【００７６】 【化１２】 【００７７】＜光ディスクとしての評価＞上記で作製し
た光情報記録媒体（光ディスク）について、線速度３．
５ｍ／秒で３Ｔ−ＥＦＭ信号を発振波長４０５ｎｍの青
色半導体レーザを用いて開口率（ＮＡ）０．８５のレン
ズ系を通して記録した後、記録された信号を再生した。
波長４０５ｎｍの青色半導体レーザと開口率（ＮＡ）
０．８５のレンズ系を積載したパルステック社製「ＤＤ
Ｕ１０００」を用いて、未記録のグルーブ反射率を測定
した。また、３Ｔ信号を８ｍＷで記録して、その感度
（Ｃ／Ｎ）を測定した。評価結果を下記の表３に示す。 【００７８】 【表３】 【００７９】表３の結果から、本発明に従う光ディスク
（実施例１〜１７）は、比較例１〜８の光ディスクに比
べて、開口率（ＮＡ）０．８５のレンズを通過させて集
光した波長４０５ｎｍのレーザ光に対して高い反射率を
示し、しかも高感度であることが判明した。従って、本
発明に従う光情報記録媒体を用いることで、開口率（Ｎ
Ａ）０．７以上のレンズを通過させた波長３８０〜５０
０ｎｍの短波長レーザ光に対して高い記録特性を具えた
光ディスクが得られることが分かった。 【００８０】 【発明の効果】本発明の光情報記録媒体は、記録層を有
機物を含む層とし、基板の溝深さを１５〜４５ｎｍ、ト
ラックピッチを２５０〜４００ｎｍ、溝の半値幅を６０
〜２００ｎｍ、溝の傾斜角を４０〜８０°としたことに
より、波長３８０〜５００ｎｍの短波長のレーザ光を照
射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、かつ高
感度、高反射率といった良好な記録再生特性を有する、
という効果を奏する。即ち、従来のＣＤ−ＲやＤＶＤ−
Ｒよりも高密度での情報の記録が可能となり、更に大容
量の情報の記録が可能となった。

【図面の簡単な説明】 【図１】 本発明の光情報記録媒体の基板の溝の半径方
向の断面図である。 【符号の説明】 ａ 溝の深さ ｂ トラックピッチ ｃ 溝の半値幅 ｄ 溝の傾斜角

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/007 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 斉藤 真二 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA22 EA32 FA01 FA12 FA14 FB42 FB45 5D029 JA04 JC01 WB11 WB21 WC01 WC06 WD10 WD12 WD19 5D090 AA01 BB03 BB07 CC01 DD03 EE01 FF11 GG07 KK01 KK06

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上に、波長３８０〜５００ｎｍのレ
   ーザ光を開口率（ＮＡ）０．７以上のレンズを通して照
   射することにより情報の記録が可能な記録層を有する光
   情報記録媒体において、前記基板上に反射層その上に前
   記記録層その上にシート層が設けられ、前記記録層が有
   機物を含む層であり、且つ前記基板の溝深さが１５〜４
   ５ｎｍ、トラックピッチが２５０〜４００ｎｍ、溝の半
   値幅が６０〜２００ｎｍ、溝の傾斜角が４０〜８０°で
   あることを特徴とする光情報記録媒体。