JP2003073815A5 - スパッタリングターゲットとその製造方法、およびそれを用いたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜と電子部品 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ａｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットの酸素含有量が500ppm以下、窒素含有量が50ppm以下、および炭素含有量が100ppm以下であり、かつターゲット全体としての前記酸素含有量、窒素含有量および炭素含有量のばらつきがそれぞれ20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記Ｔｉ−Ａｌ合金の平均結晶粒径が10mm以下であり、かつターゲット全体としての前記平均結晶粒径のばらつきが20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットのＭｇ含有量が50ppm以下、Ｍｎ含有量が50ppm以下、およびＳｉ含有量が100ppm以下であり、かつターゲット全体としての前記Ｍｇ含有量、Ｍｎ含有量およびＳｉ含有量のばらつきがそれぞれ20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは前記Ｔｉ−Ａｌ合金の焼結材を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 Ａｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットのＺｒ含有量およびＨｆ含有量がそれぞれ100ppb以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 請求項５記載のスパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット全体としての前記Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量のばらつきがそれぞれ20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】 Ａｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットのＣｕ含有量が10ppm以下、およびＡｇ含有量が1ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】 請求項７記載のスパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット全体としての前記Ｃｕ含有量およびＡｇ含有量のばらつきがそれぞれ30％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項９】 請求項５ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは前記Ｔｉ−Ａｌ合金の溶解材を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１０】 請求項１ないし請求項９のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１１】 Ｔｉ材とＡｌ材を真空溶解法により溶解してＴｉ−Ａｌ母合金を作製する工程と、
前記Ｔｉ−Ａｌ母合金を回転電極法により粉体化する工程と、
前記Ｔｉ−Ａｌ合金粉末を焼結してターゲット素材を作製する工程と、
前記ターゲット素材を所望のターゲット形状に加工する工程と
を具備することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１２】 請求項１ないし請求項１０のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜。
【請求項１３】 請求項１２記載のＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜において、
拡散防止層であることを特徴とするＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜。
【請求項１４】 請求項１２または請求項１３記載のＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項１５】 請求項１４記載の電子部品において、
半導体メモリであることを特徴とする電子部品。

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板などに対する拡散防止層の形成に好適なスパッタリングターゲットとその製造方法、およびそれを用いたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜と電子部品に関する。