JP2003073113A - シリコンの製造装置および方法 - Google Patents

シリコンの製造装置および方法

Info

Publication number
JP2003073113A
JP2003073113A JP2001308027A JP2001308027A JP2003073113A JP 2003073113 A JP2003073113 A JP 2003073113A JP 2001308027 A JP2001308027 A JP 2001308027A JP 2001308027 A JP2001308027 A JP 2001308027A JP 2003073113 A JP2003073113 A JP 2003073113A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zinc
purity silicon
silicon tetrachloride
purity
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001308027A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Yamase
英夫 山瀬
Yutaka Kamaike
豊 蒲池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2001308027A priority Critical patent/JP2003073113A/ja
Publication of JP2003073113A publication Critical patent/JP2003073113A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高純度シリコンの気相法亜鉛還元法による製造
装置において、反応炉内の構造物に付着した製品取り出
しが容易なようにした製造装置及び製造方法を提供す
る。 【解決手段】反応炉内の構造物に高純度シリコンを使用
し、その構造物に付着した高純度シリコンをそのまま取
り出すことにより、作業の簡易化を図り製造時間の短縮
を図り製品コストの削減を図ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度シリコンの
製造方法に関し、さらに詳しくは原料として四塩化珪素
及び金属亜鉛を蒸発気化して使用し、気相において還元
反応を行う反応炉及びそれに接続する配管及び装置を一
体化した高純度シリコンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の方式は、亜鉛の溶解器及び蒸発器
を１ユニットに纏め、四塩化珪素については気化・加熱
装置を１ユニットとして、それぞれから反応炉への接続
を独立した配管により行っていたため、温度の変動によ
り熱歪みを生じてトラブルのもとになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、気相
法亜鉛還元法による高純度シリコン製造用設備におい
て、反応炉、亜鉛溶解器及び蒸発器、四塩化珪素蒸発器
及び過熱器及びそれらを結ぶ接続配管等の機器を一体化
した装置とすることによりまとめて温度管理を行うこと
により、温度の変動に伴う機器及び配管のトラブルの発
生を防ぎ安定した運転を確保する装置および方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願で特許請求される発明は以下の通りである。 （１）高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩
化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉及びそれに接続する
亜鉛及び／又は四塩化珪素供給の配管及び装置を一体的
に構成することにより、装置の安定性及び効率性を改善
した高純度シリコン製造装置。 （２）上記（１）記載の装置を用い、安定的に且つ効率
よく運転することを特徴とする高純度シリコンの製造方
法。
【０００５】
【発明の実施の形態】
【実施例】図１に、本発明装置の実施例を示す。反応炉
、接続配管、亜鉛溶解器、亜鉛蒸発器及び四塩
化珪素蒸発・過熱器を一体化して、１つのユニットと
して温度管理を行うことにより、配管や機器への応力が
緩和されて安定して運転することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による還元反応システム構成図
【符号の説明】 ・・・反応炉 ・・・接続配管
・・・亜鉛溶解器 ・・・亜鉛蒸発器 ・・・四塩化珪素過熱器 ・・・加熱ユニット（点線内）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１１月２８日（２００１．１１．
２８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用し
    た四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉及びそれに接
    続する亜鉛及び／又は四塩化珪素供給の配管及び装置を
    一体的に構成することにより、装置の安定性及び効率性
    を改善した高純度シリコン製造装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の装置を用い、安定的に且つ
    効率よく運転することを特徴とする高純度シリコンの製
    造方法。
JP2001308027A 2001-08-30 2001-08-30 シリコンの製造装置および方法 Pending JP2003073113A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001308027A JP2003073113A (ja) 2001-08-30 2001-08-30 シリコンの製造装置および方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001308027A JP2003073113A (ja) 2001-08-30 2001-08-30 シリコンの製造装置および方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003073113A true JP2003073113A (ja) 2003-03-12

Family

ID=19127391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001308027A Pending JP2003073113A (ja) 2001-08-30 2001-08-30 シリコンの製造装置および方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003073113A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009054117A1 (ja) * 2007-10-23 2009-04-30 Kinotech Solar Energy Corporation シリコン製造装置及び方法
WO2011094662A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Us Solartech, Inc. Plasma deposition apparatus and method for making high-purity silicon

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009054117A1 (ja) * 2007-10-23 2009-04-30 Kinotech Solar Energy Corporation シリコン製造装置及び方法
WO2011094662A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Us Solartech, Inc. Plasma deposition apparatus and method for making high-purity silicon
CN102933493A (zh) * 2010-02-01 2013-02-13 美国太阳能技术有限公司 用于制造高纯硅的等离子体沉积装置和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5648704B2 (ja) 多結晶シリコン反応炉
CN101633552B (zh) 石英玻璃的制造方法及石英玻璃的制造装置
EP0061068B1 (en) Method of operating a fuel cell system
JP2007112691A (ja) シリコンの製造装置及び方法
JP2003073113A (ja) シリコンの製造装置および方法
US20020146506A1 (en) Method for H2 recycling in semiconductor processing system
CN106276940A (zh) 一种单质硼提纯装置及方法
JP2001039708A (ja) 高純度金属Ｓｉ及び高純度ＳｉＯの製造方法
CN107758730A (zh) 碳化渣低温氯化炉物料换热系统及换热工艺
JPS60176911A (ja) 高純度白燐の製造方法
JP2691378B2 (ja) シリコン―ゲルマニウム合金熱電素子及び熱電素子用シリコン―ゲルマニウム合金の製造方法
JPS61222911A (ja) 燐化化合物の合成方法
CN108314051A (zh) 多晶硅还原系统及其应用
EP3428532A1 (en) Methods for operating an oxy-fuel burner
JPS60116776A (ja) Ｃｖｄ装置
CN115142124B (zh) 一种碳化硅长晶装置、方法及电子设备
JPS60251113A (ja) ケイ素の製造方法及び装置
CN208103946U (zh) 多晶硅还原系统
JPH0762183B2 (ja) 高純度チタンの精製方法
JP2010052952A (ja) シリコンの精製方法
JP2004035384A (ja) シリコンの製造装置および方法
CN105347848A (zh) 一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法
JPH0323624A (ja) 気相成長方法およびその装置
JPS6257642A (ja) 超微粉の製造方法及びその装置
Adamski Method for vacuum baking indium in-situ