JP2003068779A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上の電極と、
   前記電極上の凹型形状のアンダーバンプメタル膜と、
   前記アンダーバンプメタル膜の凹型形状内部に埋設され、側面及び底面が前記アンダーバンプメタル膜により取り囲まれたバンプ電極と、
   前記電極に近接する前記アンダーバンプメタル膜の側面の少なくとも一部を取り巻く絶縁膜と
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記バンプ電極の上面の高さと、前記アンダーバンプメタル膜の側面の高さとが、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 基板上に電極を形成する工程と、
   前記電極上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上、前記開口部内壁上及び前記開口部内の前記電極上にアンダーバンプメタル膜を形成する工程と、
   少なくとも前記開口部を埋設するように、前記アンダーバンプメタル膜上にバンプ電極膜を形成する工程と、
   前記開口部以外のバンプ電極膜及びアンダーバンプメタル膜を除去し、前記開口部内壁上及び前記開口部内の前記電極上のアンダーバンプメタル膜により周囲を囲まれたバンプ電極を形成する工程と、
   前記絶縁膜の少なくとも表面の一部を膜厚方向に除去し、前記絶縁膜から前記バンプ電極の一部を突出させる工程と
   を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記絶縁膜を形成する工程は、第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上にこの第１の絶縁膜に対してエッチング選択比を有する第２の絶縁膜を形成する工程であり、
   前記絶縁膜の少なくとも表面の一部を膜厚方向に除去する工程は、前記第１の絶縁膜に対して前記第２の絶縁膜を選択的にエッチング除去する工程であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記開口部以外のバンプ電極膜及びアンダーバンプメタル膜を除去し、バンプ電極を形成する工程は、ケミカルメカニカルポリッシングにより絶縁膜上及び開口部上のバンプ電極膜及びアンダーバンプメタル膜を後退させ、前記開口部内壁上及び前記開口部内の前記電極上のアンダーバンプメタル膜により周囲を囲まれたバンプ電極を形成する工程であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記絶縁膜の少なくとも表面の一部を膜厚方向に除去する工程の後に、前記バンプ電極の上面を平坦化する工程を、さらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 基板上に電極を形成する工程と、
   前記電極上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上、前記開口部内壁上及び前記開口部内の前記電極上にアンダーバンプメタル膜を形成する工程と、
   少なくとも前記開口部を埋設するように、前記アンダーバンプメタル膜上に半田バンプ電極膜を形成する工程と、
   前記開口部以外の半田バンプ電極膜及びアンダーバンプメタル膜を除去し、前記開口部内壁上及び前記開口部内の前記電極上のアンダーバンプメタル膜により周囲を囲まれた半田バンプ電極を形成する工程と、
   前記絶縁膜の少なくとも表面の一部を膜厚方向に除去し、前記絶縁膜から前記半田バンプ電極の一部を突出させる工程と、
   前記半田バンプ電極にリフローを行う工程と
   を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。