JP2003068704A - ウエハエッジ部分の処理方法 - Google Patents
ウエハエッジ部分の処理方法Info
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- JP2003068704A JP2003068704A JP2001252949A JP2001252949A JP2003068704A JP 2003068704 A JP2003068704 A JP 2003068704A JP 2001252949 A JP2001252949 A JP 2001252949A JP 2001252949 A JP2001252949 A JP 2001252949A JP 2003068704 A JP2003068704 A JP 2003068704A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハの薄膜化により鋭利化したウエハのエッ
ジ部分に伴うチッピングの問題を解決できるウエハエッ
ジ部分の処理方法を提供することにある。 【解決手段】本ウエハエッジ部分の処理方法は、大気圧
放電空間を画定する円筒体の内周に沿ってグロー放電を
発生させ、放電空間にプロセスガスを導入し、処理すべ
きウエハのエッジ部分を除いてウエハを保護材で被覆
し、保護材で被覆したウエハを上記円筒体の放電空間に
通してウエハのエッジ部分を処理することから成る。
ジ部分に伴うチッピングの問題を解決できるウエハエッ
ジ部分の処理方法を提供することにある。 【解決手段】本ウエハエッジ部分の処理方法は、大気圧
放電空間を画定する円筒体の内周に沿ってグロー放電を
発生させ、放電空間にプロセスガスを導入し、処理すべ
きウエハのエッジ部分を除いてウエハを保護材で被覆
し、保護材で被覆したウエハを上記円筒体の放電空間に
通してウエハのエッジ部分を処理することから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度実装技術の
ウエハレベルＣＳＰ（チップスケールパッケージ）にお
けるウエハエッジ部分の処理方法に関するものである。
ウエハレベルＣＳＰ（チップスケールパッケージ）にお
けるウエハエッジ部分の処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報技術の発展により例えば通信
の高速化、画像処理、利便性の観点からデジタル化が進
み、一方で、利便性や携帯性の点からデバイスの小型化
が要求され、そのためＩＣパッケージの実装においても
高密度実装の必然性が生じている。高密度実装技術の一
つとしてＣＳＰが注目されている。
の高速化、画像処理、利便性の観点からデジタル化が進
み、一方で、利便性や携帯性の点からデバイスの小型化
が要求され、そのためＩＣパッケージの実装においても
高密度実装の必然性が生じている。高密度実装技術の一
つとしてＣＳＰが注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハレベ
ルＣＳＰの分野ではダイシング前にウエハをウェットエ
ッチング等の方法で薄くして用いられることが多い。そ
のため、ウエハのエッジ部が鋭利になり、チッピング
（欠け）の問題が生じている。また、従来の枚葉式プラ
ズマエッチングを用いた場合、１枚のウエハを処理する
のに３０〜５０分程度の時間を要するため生産性が低
く、またプラズマダメージの問題がある。また、研磨や
ブラスト処理等の機械加工では、クラックが入り易く、
歩留まりを落とし、損失は莫大なものとなる。
ルＣＳＰの分野ではダイシング前にウエハをウェットエ
ッチング等の方法で薄くして用いられることが多い。そ
のため、ウエハのエッジ部が鋭利になり、チッピング
（欠け）の問題が生じている。また、従来の枚葉式プラ
ズマエッチングを用いた場合、１枚のウエハを処理する
のに３０〜５０分程度の時間を要するため生産性が低
く、またプラズマダメージの問題がある。また、研磨や
ブラスト処理等の機械加工では、クラックが入り易く、
歩留まりを落とし、損失は莫大なものとなる。
【０００４】そこで、本発明は、ウエハの薄膜化により
鋭利化したウエハのエッジ部分に伴うチッピングの問題
を解決できるウエハエッジ部分の処理方法を提供するこ
とを目的としている。
鋭利化したウエハのエッジ部分に伴うチッピングの問題
を解決できるウエハエッジ部分の処理方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によるウエハエッジ部分の処理方法は、大
気圧放電空間を画定する円筒体の内周に沿ってグロー放
電を発生させ、放電空間にプロセスガスを導入し、処理
すべきウエハのエッジ部分を除いてウエハを保護材で被
覆し、保護材で被覆したウエハを上記円筒体の放電空間
に通してウエハのエッジ部分を処理することから成るこ
とを特徴としている。
めに、本発明によるウエハエッジ部分の処理方法は、大
気圧放電空間を画定する円筒体の内周に沿ってグロー放
電を発生させ、放電空間にプロセスガスを導入し、処理
すべきウエハのエッジ部分を除いてウエハを保護材で被
覆し、保護材で被覆したウエハを上記円筒体の放電空間
に通してウエハのエッジ部分を処理することから成るこ
とを特徴としている。
【０００６】好ましくは、本発明の方法は、処理すべき
複数のウエハを間隔をおいて同一軸線上に配列し、各ウ
エハのエッジ部分を除いてウエハを被覆する保護材を隣
接したウエハ間及び両端に位置するウエハの外側面上に
それぞれ配置し、配列したウエハをその両側から弾性体
を介して支持し、上記円筒体の放電空間に通して一度に
複数枚のウエハを処理するようにして実施され得る。
複数のウエハを間隔をおいて同一軸線上に配列し、各ウ
エハのエッジ部分を除いてウエハを被覆する保護材を隣
接したウエハ間及び両端に位置するウエハの外側面上に
それぞれ配置し、配列したウエハをその両側から弾性体
を介して支持し、上記円筒体の放電空間に通して一度に
複数枚のウエハを処理するようにして実施され得る。
【０００７】本発明の方法においては、保護材としてＰ
ＴＦＥ、ＰＥＥＫ樹脂、導電性樹脂を用いることができ
る。
ＴＦＥ、ＰＥＥＫ樹脂、導電性樹脂を用いることができ
る。
【０００８】また、プロセスガスとしては少なくともＨ
ｅ等の希ガス及びＳＦ６等の含弗素ガスからなるものが
使用され得る。
ｅ等の希ガス及びＳＦ６等の含弗素ガスからなるものが
使用され得る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１には、本発明によ
るウエハエッジ部分の処理方法を実施している装置の一
実施の形態の要部を概略的に示す。図示装置において、
１はチャンバーで、内部は大気圧に保持されている。こ
のチャンバー１はポンプ２を介して廃棄ガス回収装置３
及び除害装置４に接続され、チャンバー１内に導入され
た処理ガス及び反応生成ガスの回収及び除害が行われ
る。５は放電空間すなわちプラズマ処理空間を画定する
両端の開放した円筒体であり、図示実施の形態では長さ
１０００ｍｍ、外径２２０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍの石英
管から成っている。
の実施の形態について説明する。図１には、本発明によ
るウエハエッジ部分の処理方法を実施している装置の一
実施の形態の要部を概略的に示す。図示装置において、
１はチャンバーで、内部は大気圧に保持されている。こ
のチャンバー１はポンプ２を介して廃棄ガス回収装置３
及び除害装置４に接続され、チャンバー１内に導入され
た処理ガス及び反応生成ガスの回収及び除害が行われ
る。５は放電空間すなわちプラズマ処理空間を画定する
両端の開放した円筒体であり、図示実施の形態では長さ
１０００ｍｍ、外径２２０ｍｍ、肉厚１．５ｍｍの石英
管から成っている。
【００１０】石英管５の外周にはコイル６が巻回され、
このコイル６はマッチングボックス７を介して高周波電
源８に接続されている。また石英管５の下方開放端部に
は図示実施の形態ではＨｅガス、ＳＦ６ガス及びＣＦ４
ガスがマスフローコントローラー９、１０、１１を介し
て制御された流量で混合されて供給される。なお石英管
５内に供給された混合ガスのうちＨｅガスは廃棄ガス回
収装置３で回収され、ガス導管１２を介して供給側に戻
され、再使用されるように構成されている。
このコイル６はマッチングボックス７を介して高周波電
源８に接続されている。また石英管５の下方開放端部に
は図示実施の形態ではＨｅガス、ＳＦ６ガス及びＣＦ４
ガスがマスフローコントローラー９、１０、１１を介し
て制御された流量で混合されて供給される。なお石英管
５内に供給された混合ガスのうちＨｅガスは廃棄ガス回
収装置３で回収され、ガス導管１２を介して供給側に戻
され、再使用されるように構成されている。
【００１１】また、石英管５内に複数の処理すべきウエ
ハ１３が示され、これらのウエハ１３は、間にＰＴＦＥ
などからなる円板状保護材１４を挿んで同一軸線上に配
列され、上下両端のウエハ１３の外側面にも同様な円板
状保護材１４が配置され、その外側から弾性体１５を備
えた支持部材１６で弾性的に支持されている。そしてこ
うして組立てられたウエハ集合体は図面に矢印で示すよ
うに石英管５内を同軸状に上下に移動できるようにされ
ている。この場合、図示したように各円板状保護材１４
はウエハ１３のエッジ部分１３ａのみが露出するように
ウエハ１３の径より僅かに小さな径をもつように寸法決
めされている。これにより、処理工程時に、各ウエハ１
３のエッジ部分１３ａのみがプラズマ処理され、残りの
部分はプラズマに晒されずれ、保護される。
ハ１３が示され、これらのウエハ１３は、間にＰＴＦＥ
などからなる円板状保護材１４を挿んで同一軸線上に配
列され、上下両端のウエハ１３の外側面にも同様な円板
状保護材１４が配置され、その外側から弾性体１５を備
えた支持部材１６で弾性的に支持されている。そしてこ
うして組立てられたウエハ集合体は図面に矢印で示すよ
うに石英管５内を同軸状に上下に移動できるようにされ
ている。この場合、図示したように各円板状保護材１４
はウエハ１３のエッジ部分１３ａのみが露出するように
ウエハ１３の径より僅かに小さな径をもつように寸法決
めされている。これにより、処理工程時に、各ウエハ１
３のエッジ部分１３ａのみがプラズマ処理され、残りの
部分はプラズマに晒されずれ、保護される。
【００１２】このように構成した図示装置の具体例につ
いて以下説明する。図１に示す装置において、鉛直に設
置した管長１０００ｍｍ、外径２２０ｍｍ、肉厚１．５
ｍｍの石英管５の内部にウェットエッチングにより２０
０μｍに薄膜化した径８インチのＳｉウエハ１３を厚さ
２ｍｍのＰＴＦＥ製の円板状保護材１４を介して４枚保
持した。その際、ウエハ１３を垂直に保持すると破損し
やすいので、弾性体を介してウエハ１３にかかる力を調
節した。
いて以下説明する。図１に示す装置において、鉛直に設
置した管長１０００ｍｍ、外径２２０ｍｍ、肉厚１．５
ｍｍの石英管５の内部にウェットエッチングにより２０
０μｍに薄膜化した径８インチのＳｉウエハ１３を厚さ
２ｍｍのＰＴＦＥ製の円板状保護材１４を介して４枚保
持した。その際、ウエハ１３を垂直に保持すると破損し
やすいので、弾性体を介してウエハ１３にかかる力を調
節した。
【００１３】大気圧下で石英管５の下端よりＨｅを１ｓ
ｌｍ、ＳＦ６を１００ｓｃｃｍの流量でマスフローコン
トローラー９、１０を用いて導入するとともに、石英管
５の外周部に設置したコイル６に高周波電源８から１
３．５６ＭＨｚで１．５ｋWの電力をマッチングボック
ス７を介して印加することにより、石英管５の内周に沿
ってグロー放電を発生させた。保持した４枚のウエハ１
３を放電空間内で１０分間、往復運動させて処理を行い
ウエハ端部の角度を測定した。その結果を表１に示す。
ｌｍ、ＳＦ６を１００ｓｃｃｍの流量でマスフローコン
トローラー９、１０を用いて導入するとともに、石英管
５の外周部に設置したコイル６に高周波電源８から１
３．５６ＭＨｚで１．５ｋWの電力をマッチングボック
ス７を介して印加することにより、石英管５の内周に沿
ってグロー放電を発生させた。保持した４枚のウエハ１
３を放電空間内で１０分間、往復運動させて処理を行い
ウエハ端部の角度を測定した。その結果を表１に示す。
【００１４】表 １ 実験結果
なお、１枚当りの処理速度は２．５分であった。ただ
し、放電空間の長さに依存して、一度に処理できるウエ
ハの枚数を増やすことは可能である。
し、放電空間の長さに依存して、一度に処理できるウエ
ハの枚数を増やすことは可能である。
【００１５】ところで、図示実施の形態では一度に複数
のウエハを処理するようにしているが、当然必要により
一枚ずつ処理するように構成することもできる。また本
発明による方法では大気圧プラズマを利用するので、大
気圧グロー放電を発生しやすくする観点からは石英管の
外周に設けられるコイルに一対のスパイラル状コイルを
用いるのが有利である。さらに、図示例では保護材とし
てＰＴＦＥを用いているが、代りにＰＥＥＫ樹脂や導電
性樹脂を用いることができる。
のウエハを処理するようにしているが、当然必要により
一枚ずつ処理するように構成することもできる。また本
発明による方法では大気圧プラズマを利用するので、大
気圧グロー放電を発生しやすくする観点からは石英管の
外周に設けられるコイルに一対のスパイラル状コイルを
用いるのが有利である。さらに、図示例では保護材とし
てＰＴＦＥを用いているが、代りにＰＥＥＫ樹脂や導電
性樹脂を用いることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
ウエハエッジ部分の処理方法では、大気圧放電空間を画
定する円筒体の内周に沿ってグロー放電を発生させ、放
電空間にプロセスガスを導入し、処理すべきウエハのエ
ッジ部分を除いてウエハを保護材で被覆し、保護材で被
覆したウエハを上記円筒体の放電空間に通してウエハの
エッジ部分を処理するように構成しているので、ウエハ
のデバイス部分を保護して、ウエハの薄膜化加工により
鋭利化したウエハのエッジ部分のみをほぼ丸くすること
ができ、それによりチッピングの問題が解消できるよう
になる。
ウエハエッジ部分の処理方法では、大気圧放電空間を画
定する円筒体の内周に沿ってグロー放電を発生させ、放
電空間にプロセスガスを導入し、処理すべきウエハのエ
ッジ部分を除いてウエハを保護材で被覆し、保護材で被
覆したウエハを上記円筒体の放電空間に通してウエハの
エッジ部分を処理するように構成しているので、ウエハ
のデバイス部分を保護して、ウエハの薄膜化加工により
鋭利化したウエハのエッジ部分のみをほぼ丸くすること
ができ、それによりチッピングの問題が解消できるよう
になる。
【００１７】また、処理すべき複数のウエハを間隔をお
いて同一軸線上に配列し、各ウエハのエッジ部分を除い
てウエハを被覆する保護材を隣接したウエハ間及び両端
に位置するウエハの外側面上にそれぞれ配置し、配列し
たウエハをその両側から弾性体を介して支持し、上記円
筒体の放電空間に通して一度に複数枚のウエハを処理す
るようにした場合には、エッジ処理を高スループット
で、プラズマダメージを受けることなく処理することが
可能になるという効果を奏する。
いて同一軸線上に配列し、各ウエハのエッジ部分を除い
てウエハを被覆する保護材を隣接したウエハ間及び両端
に位置するウエハの外側面上にそれぞれ配置し、配列し
たウエハをその両側から弾性体を介して支持し、上記円
筒体の放電空間に通して一度に複数枚のウエハを処理す
るようにした場合には、エッジ処理を高スループット
で、プラズマダメージを受けることなく処理することが
可能になるという効果を奏する。
【図１】本発明によるウエハエッジ部分の処理方法を実
施している装置の一実施の形態の要部を示す概略線図。
施している装置の一実施の形態の要部を示す概略線図。
１：チャンバー
２：ポンプ
３：廃棄ガス回収装置
４：除害装置
５：円筒体（石英管）
６：コイル
７：マッチングボックス
８：高周波電源
９：マスフローコントローラー
１０：マスフローコントローラー
１１：マスフローコントローラー
１２：ガス導管
１３：処理すべきウエハ
１３ａ：処理すべきウエハのエッジ部分
１４：円板状保護材
１５：弾性体
１６支持部材
Claims (6)
- 【請求項１】大気圧放電空間を画定する円筒体の内周に
沿ってグロー放電を発生させ、放電空間にプロセスガス
を導入し、処理すべきウエハのエッジ部分を除いてウエ
ハを保護材で被覆し、保護材で被覆したウエハを上記円
筒体の放電空間に通してウエハのエッジ部分を処理する
ことから成ることを特徴とするウエハエッジ部分の処理
方法。 - 【請求項２】処理すべき複数のウエハを間隔をおいて同
一軸線上に配列し、各ウエハのエッジ部分を除いてウエ
ハを被覆する保護材を隣接したウエハ間及び両端に位置
するウエハの外側面上にそれぞれ配置し、配列したウエ
ハをその両側から弾性体を介して支持し、上記円筒体の
放電空間に通して一度に複数枚のウエハを処理するよう
にしたことを特徴とする請求項１に記載のウエハエッジ
部分の処理方法。 - 【請求項３】保護材としてＰＴＦＥを用いることを特徴
とする請求項１又は２に記載のウエハエッジ部分の処理
方法。 - 【請求項４】保護材としてＰＥＥＫ樹脂を用いることを
特徴とする請求項１又は２に記載のウエハエッジ部分の
処理方法。 - 【請求項５】保護材として導電性樹脂を用いることを特
徴とする請求項１又は２に記載のウエハエッジ部分の処
理方法。 - 【請求項６】プロセスガスが少なくともＨｅ等の希ガス
及びＳＦ６等の含弗素ガスからなることを特徴とする請
求項１に記載のウエハエッジ部分の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001252949A JP4714384B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | ウエハエッジ部分の処理方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001252949A JP4714384B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | ウエハエッジ部分の処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068704A true JP2003068704A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4714384B2 JP4714384B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=19081343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001252949A Expired - Lifetime JP4714384B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | ウエハエッジ部分の処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4714384B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043969A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Osaka Univ | 半導体ウエハ外周部の加工方法及びその装置 |
| JP2011526736A (ja) * | 2008-07-04 | 2011-10-13 | アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー | シリコン・ウエーハのパッシベイションのための堆積方法 |
| US11467516B2 (en) | 2012-06-03 | 2022-10-11 | Ricoh Company, Ltd. | Powder container and image forming apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364917A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JPH0582478A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ウエーハ端面のエツチング方法とその装置 |
| JP2001044147A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの面取り面の形成方法 |
-
2001
- 2001-08-23 JP JP2001252949A patent/JP4714384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364917A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JPH0582478A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ウエーハ端面のエツチング方法とその装置 |
| JP2001044147A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの面取り面の形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043969A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Osaka Univ | 半導体ウエハ外周部の加工方法及びその装置 |
| JP2011526736A (ja) * | 2008-07-04 | 2011-10-13 | アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー | シリコン・ウエーハのパッシベイションのための堆積方法 |
| US11467516B2 (en) | 2012-06-03 | 2022-10-11 | Ricoh Company, Ltd. | Powder container and image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4714384B2 (ja) | 2011-06-29 |
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