JP2001342567A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2001342567A JP2001342567A JP2000167105A JP2000167105A JP2001342567A JP 2001342567 A JP2001342567 A JP 2001342567A JP 2000167105 A JP2000167105 A JP 2000167105A JP 2000167105 A JP2000167105 A JP 2000167105A JP 2001342567 A JP2001342567 A JP 2001342567A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーニング処理を必要としないプラズマ処
理装置とする。 【解決手段】 成膜室３の内周壁面に沿って磁場を形成
する永久磁石３１と、基板６に成膜が施されている間に
成膜室３の内周壁面の磁場中に、成膜室３の内周壁面に
フッ素が付着しない量のＮＦ3 ガスをガスノズル３２か
ら供給してＮＦ3ガスプラズマを発生させ、ＮＦ3 ガス
プラズマの発生によるエッチング作用により、基板６の
成膜中における成膜室３の壁面への成膜材料の成膜を抑
制し、クリーニング処理を必要としないプラズマ処理装
置とする。
理装置とする。 【解決手段】 成膜室３の内周壁面に沿って磁場を形成
する永久磁石３１と、基板６に成膜が施されている間に
成膜室３の内周壁面の磁場中に、成膜室３の内周壁面に
フッ素が付着しない量のＮＦ3 ガスをガスノズル３２か
ら供給してＮＦ3ガスプラズマを発生させ、ＮＦ3 ガス
プラズマの発生によるエッチング作用により、基板６の
成膜中における成膜室３の壁面への成膜材料の成膜を抑
制し、クリーニング処理を必要としないプラズマ処理装
置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを生成し
て基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置に関する。
て基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体の製造では、プラズマＣＶ
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置を用いた成膜が知
られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材
料ガスを容器内の成膜室の中に導入してプラズマ状態に
し、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化
学的な反応を促進して成膜を行う装置である。
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置を用いた成膜が知
られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材
料ガスを容器内の成膜室の中に導入してプラズマ状態に
し、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化
学的な反応を促進して成膜を行う装置である。
【０００３】プラズマＣＶＤ装置においては、基板上の
みならず、電極や成膜室の内壁にも成膜されるため、成
膜工程の繰り返しに伴い電極や成膜室の内壁に付着・堆
積した膜は剥離して基板を汚染してしまう。このため、
従来から、成膜室の内部は定期的にクリーニング処理が
施されて付着・堆積した膜が除去されている。クリーニ
ング処理は、ＮＦ3 等のフッ化ガス（エッチングガス）
を成膜室に供給しながらプラズマを発生させ、気相のフ
ッ化ガス分子をプラズマにより分解して電極や成膜室の
内壁に付着・堆積した膜を除去するようになっている。
みならず、電極や成膜室の内壁にも成膜されるため、成
膜工程の繰り返しに伴い電極や成膜室の内壁に付着・堆
積した膜は剥離して基板を汚染してしまう。このため、
従来から、成膜室の内部は定期的にクリーニング処理が
施されて付着・堆積した膜が除去されている。クリーニ
ング処理は、ＮＦ3 等のフッ化ガス（エッチングガス）
を成膜室に供給しながらプラズマを発生させ、気相のフ
ッ化ガス分子をプラズマにより分解して電極や成膜室の
内壁に付着・堆積した膜を除去するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装
置では、成膜工程の繰り返しに伴い電極や成膜室の内壁
にも成膜されるため、定期的なクリーニング処理が必要
となっている。従って、成膜工程が中断され成膜の能率
を向上させるには限度があった。
置では、成膜工程の繰り返しに伴い電極や成膜室の内壁
にも成膜されるため、定期的なクリーニング処理が必要
となっている。従って、成膜工程が中断され成膜の能率
を向上させるには限度があった。
【０００５】本発明は上記状況に鑑みてなされたもの
で、クリーニング処理を必要としないプラズマ処理装置
を提供することを目的とする。
で、クリーニング処理を必要としないプラズマ処理装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、処理室に原料ガスを導入し、プラズ
マを発生させてそこで励起・活性化された粒子により基
板の表面に処理が施されるプラズマ処理装置において、
処理室の内周壁面に沿って磁場を形成する磁石と、基板
の表面に処理が施されている間に処理室の内周壁面の磁
場中に、処理室の内周壁面にフッ素が付着しない量のフ
ッ化ガスを供給してフッ化ガスプラズマを発生させるガ
ス供給手段とを備えたことを特徴とする。そして、原料
ガスはシランであり、フッ素ガスはＮＦ3 ガスであるこ
とを特徴とする。
の本発明の構成は、処理室に原料ガスを導入し、プラズ
マを発生させてそこで励起・活性化された粒子により基
板の表面に処理が施されるプラズマ処理装置において、
処理室の内周壁面に沿って磁場を形成する磁石と、基板
の表面に処理が施されている間に処理室の内周壁面の磁
場中に、処理室の内周壁面にフッ素が付着しない量のフ
ッ化ガスを供給してフッ化ガスプラズマを発生させるガ
ス供給手段とを備えたことを特徴とする。そして、原料
ガスはシランであり、フッ素ガスはＮＦ3 ガスであるこ
とを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１には本発明の一実施形態例に
係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概
略側面、図２には永久磁石の配置状況を示してある。
係るプラズマ処理装置としてのプラズマＣＶＤ装置の概
略側面、図２には永久磁石の配置状況を示してある。
【０００８】図１に示すように、基部１には円筒状のア
ルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に処理室と
しての成膜室３が形成されている。容器２の上部には円
形の天井板４が設けられ、容器２の中心における成膜室
３にはウエハ支持台５が備えられている。ウエハ支持台
５は半導体の基板６を静電的に吸着保持する円盤状の載
置部７を有し、載置部７は支持軸８に支持されている。
載置部７は、銅等の金属板２５の表面にアルミナ等のセ
ラミックス２６が設けられて構成されている。載置部７
の金属板２５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が
接続され、載置部７に低周波を発生させると共に静電気
力を発生させる。ウエハ支持台５は全体が昇降自在もし
くは支持軸８が伸縮自在とすることで、上下方向の高さ
が最適な高さに調整できるようになっている。
ルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に処理室と
しての成膜室３が形成されている。容器２の上部には円
形の天井板４が設けられ、容器２の中心における成膜室
３にはウエハ支持台５が備えられている。ウエハ支持台
５は半導体の基板６を静電的に吸着保持する円盤状の載
置部７を有し、載置部７は支持軸８に支持されている。
載置部７は、銅等の金属板２５の表面にアルミナ等のセ
ラミックス２６が設けられて構成されている。載置部７
の金属板２５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が
接続され、載置部７に低周波を発生させると共に静電気
力を発生させる。ウエハ支持台５は全体が昇降自在もし
くは支持軸８が伸縮自在とすることで、上下方向の高さ
が最適な高さに調整できるようになっている。
【０００９】容器２の外周には電磁石９が配置され、容
器２は環状の電磁石９により包囲されている。電磁石９
は円環状の鉄心１０と鉄心１０に巻かれるコイル１１と
により構成され、コイル１１には三相インバータ電源１
２が接続されて電磁石９に電圧が印加される。電磁石９
に電圧が印加されることにより、載置部７に載置される
基板６の表面に略平行に、かつ、容器２の中心軸回りに
回転する磁場を生成するようになっている。
器２は環状の電磁石９により包囲されている。電磁石９
は円環状の鉄心１０と鉄心１０に巻かれるコイル１１と
により構成され、コイル１１には三相インバータ電源１
２が接続されて電磁石９に電圧が印加される。電磁石９
に電圧が印加されることにより、載置部７に載置される
基板６の表面に略平行に、かつ、容器２の中心軸回りに
回転する磁場を生成するようになっている。
【００１０】電磁波透過窓としての天井板４の上には、
例えば、円形リング状の高周波アンテナ１３が配置さ
れ、高周波アンテナ１３には整合器１４を介して高周波
電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力
を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射
する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガ
スをイオン化してプラズマを発生すると共に、成膜室３
内の磁束に作用して電子磁気音波を発生し、これがラン
ダウ減衰によりプラズマにエネルギを移行させ、成膜室
３内に強いプラズマを発生させる。
例えば、円形リング状の高周波アンテナ１３が配置さ
れ、高周波アンテナ１３には整合器１４を介して高周波
電源１５が接続されている。高周波アンテナ１３に電力
を供給することにより電磁波が容器２の成膜室３に入射
する。容器２内に入射された電磁波は、成膜室３内のガ
スをイオン化してプラズマを発生すると共に、成膜室３
内の磁束に作用して電子磁気音波を発生し、これがラン
ダウ減衰によりプラズマにエネルギを移行させ、成膜室
３内に強いプラズマを発生させる。
【００１１】容器２にはシラン（例えば SiH4)等の材料
ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供
給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばSi）と
なる材料ガスが供給される。また、容器２にはアルゴン
やヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の
補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けら
れ、基部１には容器２の内部を排気するための真空排気
系（図示省略）に接続される排気口１８が設けられてい
る。また、図には省略してあるが、容器２には基板６の
搬入・搬出口が設けられ、搬送室との間で基板６が搬入
・搬出される。
ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供
給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばSi）と
なる材料ガスが供給される。また、容器２にはアルゴン
やヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸素、水素等の
補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けら
れ、基部１には容器２の内部を排気するための真空排気
系（図示省略）に接続される排気口１８が設けられてい
る。また、図には省略してあるが、容器２には基板６の
搬入・搬出口が設けられ、搬送室との間で基板６が搬入
・搬出される。
【００１２】一方、図１、図２に示すように、容器２の
外周には磁石として複数の永久磁石３１が設けられ、永
久磁石３１により成膜室３の内周壁面に沿って磁場が形
成される。例えば、永久磁石３１はリング状に分割また
は一体に構成され、上下方向にＳ極とＮ極が交互に配置
され、成膜室３の内周壁面の上下に磁場（磁力線）を形
成する。尚、容器２の平面状況を表す図３に示すよう
に、永久磁石３１として、上下方向の板状に分割または
一体に構成し、円周方向にＳ極とＮ極を交互に配置し、
成膜室３の内周壁面に沿って水平方向の磁場（磁力線）
を形成するようにすることも可能である。
外周には磁石として複数の永久磁石３１が設けられ、永
久磁石３１により成膜室３の内周壁面に沿って磁場が形
成される。例えば、永久磁石３１はリング状に分割また
は一体に構成され、上下方向にＳ極とＮ極が交互に配置
され、成膜室３の内周壁面の上下に磁場（磁力線）を形
成する。尚、容器２の平面状況を表す図３に示すよう
に、永久磁石３１として、上下方向の板状に分割または
一体に構成し、円周方向にＳ極とＮ極を交互に配置し、
成膜室３の内周壁面に沿って水平方向の磁場（磁力線）
を形成するようにすることも可能である。
【００１３】また、容器２にはフッ化ガス（例えば、Ｎ
Ｆ3 ガス）を成膜室３の壁面部位に導入するガスノズル
３２が設けられ、ガスノズル３２からは、永久磁石３１
により形成された磁場中に微量のＮＦ3 ガスが導入され
る。ＮＦ3 ガスの導入は、基板６への成膜中に実施さ
れ、ＮＦ3 ガスの導入により成膜室３の壁面にプラズマ
が発生する。この時のＮＦ3 ガスの導入量は、壁面への
成膜材料の成膜とプラズマによるエッチングとが等しく
なる状態の量、即ち、成膜室３の内壁面がフッ素と反応
してフッ化物が形成されない（フッ素が付着しない）量
となっている。つまり、ガスノズル３２及びＮＦ3 ガス
プラズマを発生させる手段によりガス供給手段が構成さ
れている。
Ｆ3 ガス）を成膜室３の壁面部位に導入するガスノズル
３２が設けられ、ガスノズル３２からは、永久磁石３１
により形成された磁場中に微量のＮＦ3 ガスが導入され
る。ＮＦ3 ガスの導入は、基板６への成膜中に実施さ
れ、ＮＦ3 ガスの導入により成膜室３の壁面にプラズマ
が発生する。この時のＮＦ3 ガスの導入量は、壁面への
成膜材料の成膜とプラズマによるエッチングとが等しく
なる状態の量、即ち、成膜室３の内壁面がフッ素と反応
してフッ化物が形成されない（フッ素が付着しない）量
となっている。つまり、ガスノズル３２及びＮＦ3 ガス
プラズマを発生させる手段によりガス供給手段が構成さ
れている。
【００１４】尚、ＮＦ3 ガスプラズマは、専用のプラズ
マ発生装置を用いて発生させてもよく、高周波アンテナ
１３からの電磁波により発生させてもよい。また、ガス
ノズル３２の形状及び配置位置や数等は、磁場の形成状
況等により適宜選択されるようになっており、図示例の
形状及び配置位置や数に限定されるものではない。例え
ば、図４(a)(b)に容器２の断面及び平面で示すように、
フッ化ガスを成膜室３の壁面部位に導入するガスノズル
５１を下向きに容器２の周方向に複数（図示例では８
個）配置し、フッ化ガスを下向きに導入することも可能
である。また、図５に容器２の平面で示すように、フッ
化ガスを成膜室３の壁面部位に導入するガスノズル６１
をＬ形に形成し、フッ化ガスを容器３の径方向から導入
して成膜室３内で周方向に偏向することも可能である。
マ発生装置を用いて発生させてもよく、高周波アンテナ
１３からの電磁波により発生させてもよい。また、ガス
ノズル３２の形状及び配置位置や数等は、磁場の形成状
況等により適宜選択されるようになっており、図示例の
形状及び配置位置や数に限定されるものではない。例え
ば、図４(a)(b)に容器２の断面及び平面で示すように、
フッ化ガスを成膜室３の壁面部位に導入するガスノズル
５１を下向きに容器２の周方向に複数（図示例では８
個）配置し、フッ化ガスを下向きに導入することも可能
である。また、図５に容器２の平面で示すように、フッ
化ガスを成膜室３の壁面部位に導入するガスノズル６１
をＬ形に形成し、フッ化ガスを容器３の径方向から導入
して成膜室３内で周方向に偏向することも可能である。
【００１５】上述したプラズマＣＶＤ装置では、ウエハ
支持台５の載置部７に基板６が載せられ、静電的に吸着
される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを
成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７か
ら処置流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３
内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。その後、高
周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して
高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部
７に電力を供給して低周波を発生させる。同時に、三相
インバータ電源１２から電磁石９に電圧が印加され、成
膜室３内に回転磁場が生成される。
支持台５の載置部７に基板６が載せられ、静電的に吸着
される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを
成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７か
ら処置流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３
内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。その後、高
周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して
高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部
７に電力を供給して低周波を発生させる。同時に、三相
インバータ電源１２から電磁石９に電圧が印加され、成
膜室３内に回転磁場が生成される。
【００１６】これにより、成膜室３内の材料ガスが放電
して一部がプラズマ状態となる。プラズマ中の電子、あ
るいはイオンといった荷電粒子は回転磁場の磁力線に巻
き付くように回転し、更に電界にも影響されながら運動
する。従って、高密度、かつ均一な密度のプラズマが成
膜域に留まることになる。このプラズマは、材料ガス中
の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるい
は励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表
面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶ
Ｄ膜となる。
して一部がプラズマ状態となる。プラズマ中の電子、あ
るいはイオンといった荷電粒子は回転磁場の磁力線に巻
き付くように回転し、更に電界にも影響されながら運動
する。従って、高密度、かつ均一な密度のプラズマが成
膜域に留まることになる。このプラズマは、材料ガス中
の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、あるい
は励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板６の表
面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶ
Ｄ膜となる。
【００１７】尚、プラズマ処理装置として、平行な磁場
を形成してプラズマにより成膜を行う装置を例に挙げて
いるが、磁場の形成は適宜変更できると共に、成膜以外
でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも
可能である。
を形成してプラズマにより成膜を行う装置を例に挙げて
いるが、磁場の形成は適宜変更できると共に、成膜以外
でもエッチング等他の処理を行う装置を適用することも
可能である。
【００１８】基板６の成膜中に、永久磁石３１により形
成された磁場中にガスノズル３２から微量のＮＦ3 ガス
が導入され、成膜室３の壁面にプラズマが発生する。プ
ラズマの発生によるエッチング作用により、基板６の成
膜中における壁面への成膜材料の成膜が抑制される。こ
れにより、成膜工程を繰り返しても、成膜材料が成膜室
３の内壁に成膜されることがなくなり、定期的に成膜材
料を除去するクリーニング処理が不要になる。
成された磁場中にガスノズル３２から微量のＮＦ3 ガス
が導入され、成膜室３の壁面にプラズマが発生する。プ
ラズマの発生によるエッチング作用により、基板６の成
膜中における壁面への成膜材料の成膜が抑制される。こ
れにより、成膜工程を繰り返しても、成膜材料が成膜室
３の内壁に成膜されることがなくなり、定期的に成膜材
料を除去するクリーニング処理が不要になる。
【００１９】従って、クリーニング処理を必要としない
プラズマ処理装置となり、成膜工程が中断されることが
なくなり、能率よく基板６への成膜を実施することが可
能になる。また、成膜材料が成膜室３の内壁に成膜され
ることがないので、成膜材料が剥がれ落ちる等して基板
６やウエハ支持台５に微粒子が落下して付着する等の不
具合が生じる虞がない。
プラズマ処理装置となり、成膜工程が中断されることが
なくなり、能率よく基板６への成膜を実施することが可
能になる。また、成膜材料が成膜室３の内壁に成膜され
ることがないので、成膜材料が剥がれ落ちる等して基板
６やウエハ支持台５に微粒子が落下して付着する等の不
具合が生じる虞がない。
【００２０】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置は、処理室に
原料ガスを導入し、プラズマを発生させてそこで励起・
活性化された粒子により基板の表面に処理が施されるプ
ラズマ処理装置において、処理室の内周壁面に沿って磁
場を形成する磁石と、基板の表面に処理が施されている
間に処理室の内周壁面の磁場中に、処理室の内周壁面に
フッ素が付着しない量のフッ化ガスを供給してフッ化ガ
スプラズマを発生させるガス供給手段とを備えたので、
フッ化ガスプラズマの発生によるエッチング作用によ
り、基板の処理中における処理室壁面への処理材料の付
着が抑制される。この結果、クリーニング処理を必要と
しないプラズマ処理装置となり、基板への処理工程が中
断されることがなくなり、能率よく基板への処理を実施
することが可能になる。
原料ガスを導入し、プラズマを発生させてそこで励起・
活性化された粒子により基板の表面に処理が施されるプ
ラズマ処理装置において、処理室の内周壁面に沿って磁
場を形成する磁石と、基板の表面に処理が施されている
間に処理室の内周壁面の磁場中に、処理室の内周壁面に
フッ素が付着しない量のフッ化ガスを供給してフッ化ガ
スプラズマを発生させるガス供給手段とを備えたので、
フッ化ガスプラズマの発生によるエッチング作用によ
り、基板の処理中における処理室壁面への処理材料の付
着が抑制される。この結果、クリーニング処理を必要と
しないプラズマ処理装置となり、基板への処理工程が中
断されることがなくなり、能率よく基板への処理を実施
することが可能になる。
【図１】本発明の一実施形態例に係るプラズマＣＶＤ装
置の概略側面図。
置の概略側面図。
【図２】永久磁石の配置状況説明図。
【図３】永久磁石の配置状況を表す容器の平面図。
【図４】ノズルの配置状況説明図。
【図５】ノズルの配置状況を表す容器の平面図。
１ 基部 ２ 容器 ３ 成膜室 ４ 天井板 ５ ウエハ支持台 ６ 基板 ７ 載置部 ８ 支持軸 ９ 電磁石 １０ 鉄心 １１ コイル １２ 三相インバータ電源 １３ 高周波アンテナ １４ 整合器 １５ 高周波電源 １６ ガス供給ノズル １７ 補助ガス供給ノズル １８ 排気系 ２１ バイアス電源 ２２ 静電電源 ２５ 金属板 ２６ セラミックス ３１ 永久磁石 ３２ ガスノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC04 CA14 CA25 CA42 CA47 DA02 EB01 EB41 EC01 ED13 4K030 AA06 BA29 DA06 FA01 FA04 JA06 KA08 KA30 KA34 5F045 AA08 AB02 AC01 AC02 BB10 BB14 EB02 EB06 EC01 EC05 EH02 EH16 EH19 EM05 EM10
Claims (2)
- 【請求項１】 処理室に原料ガスを導入し、プラズマを
発生させてそこで励起・活性化された粒子により基板の
表面に処理が施されるプラズマ処理装置において、 処理室の内周壁面に沿って磁場を形成する磁石と、 基板の表面に処理が施されている間に処理室の内周壁面
の磁場中に、処理室の内周壁面にフッ素が付着しない量
のフッ化ガスを供給してフッ化ガスプラズマを発生させ
るガス供給手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、原料ガスはシランで
あり、フッ化ガスはＮＦ3 ガスであることを特徴とする
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167105A JP2001342567A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167105A JP2001342567A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342567A true JP2001342567A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18670309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167105A Withdrawn JP2001342567A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001342567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011084771A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 成膜装置及びその動作方法、並びに電気機器 |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167105A patent/JP2001342567A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011084771A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 成膜装置及びその動作方法、並びに電気機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |