JP2003060480A - 超薄板ａｔカット水晶共振素子 - Google Patents
超薄板ａｔカット水晶共振素子Info
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- JP2003060480A JP2003060480A JP2001249862A JP2001249862A JP2003060480A JP 2003060480 A JP2003060480 A JP 2003060480A JP 2001249862 A JP2001249862 A JP 2001249862A JP 2001249862 A JP2001249862 A JP 2001249862A JP 2003060480 A JP2003060480 A JP 2003060480A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 凹陥側振動部に多電極を要する超薄板Ａ
Ｔカット水晶共振素子において、凹陥側振動部に形成し
た分割電極から基板端部のパッド電極へ接続するリード
電極を凹陥部側壁で断線することなく確実に形成するこ
とを可能とする凹陥構造を有する超薄板ＡＴカット水晶
共振素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振素
子において、凹陥部内に該凹陥部の一辺から連続して延
びる肉厚の凸部を形成し、分割電極から延出するリード
電極を前記凸部の側壁を介して形成することによって環
状囲繞部のパッド電極に電気的に接続することを可能せ
しめた。
Ｔカット水晶共振素子において、凹陥側振動部に形成し
た分割電極から基板端部のパッド電極へ接続するリード
電極を凹陥部側壁で断線することなく確実に形成するこ
とを可能とする凹陥構造を有する超薄板ＡＴカット水晶
共振素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振素
子において、凹陥部内に該凹陥部の一辺から連続して延
びる肉厚の凸部を形成し、分割電極から延出するリード
電極を前記凸部の側壁を介して形成することによって環
状囲繞部のパッド電極に電気的に接続することを可能せ
しめた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は１００ＭＨｚ以上の
高い基本波共振周波数を有する凹陥型ＡＴカット水晶共
振素子に関し、特に凹陥側振動部に形成した励振用電極
から延出したリード電極の引き回しパターンを環状囲繞
部上のパッド電極と接続したとき、凹陥内側壁でリード
電極の引き回しパターンが断線することを防止した超薄
板ＡＴカット水晶共振素子に関する。
高い基本波共振周波数を有する凹陥型ＡＴカット水晶共
振素子に関し、特に凹陥側振動部に形成した励振用電極
から延出したリード電極の引き回しパターンを環状囲繞
部上のパッド電極と接続したとき、凹陥内側壁でリード
電極の引き回しパターンが断線することを防止した超薄
板ＡＴカット水晶共振素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、無線通信、特に携帯電話機等の移
動体通信機器のIFフィルタとして、ＭＣＦ（Monolithic
Crystal Filter）が幅広く使用されている。中でも、
ＡＴカット水晶基板を用いたＭＣＦは、広い温度範囲で
極めて高い周波数安定性を有し、また経時変化特性にも
優れているので、移動体通信機器を中心とする各種通信
機器で多用されている。
動体通信機器のIFフィルタとして、ＭＣＦ（Monolithic
Crystal Filter）が幅広く使用されている。中でも、
ＡＴカット水晶基板を用いたＭＣＦは、広い温度範囲で
極めて高い周波数安定性を有し、また経時変化特性にも
優れているので、移動体通信機器を中心とする各種通信
機器で多用されている。
【０００３】図５（ａ）は、従来の超薄板ＭＣＦ素子の
平面図、図５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、図５（ｃ）は
その等価回路図を示している。超薄板ＭＣＦ素子１は、
少なくとも一方の主面にフォトリソグラフィ技法とエッ
チング技法とを用いて凹陥部２を形成したＡＴカット水
晶基板３と、凹陥部２の底面に位置する超薄板振動部４
の表面側（基板の平坦側）に形成した２つの励振用分割
電極５と、該分割電極５から基板端部に形成されたパッ
ド電極６へ引出されたリード電極７と、凹陥部２を形成
した面の主面全体に蒸着やスパッタ成膜等により形成し
た共通電極８とから構成されている。尚、環状囲繞部９
は超薄板振動部４の外周を補強するために設けられた厚
肉部である。
平面図、図５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、図５（ｃ）は
その等価回路図を示している。超薄板ＭＣＦ素子１は、
少なくとも一方の主面にフォトリソグラフィ技法とエッ
チング技法とを用いて凹陥部２を形成したＡＴカット水
晶基板３と、凹陥部２の底面に位置する超薄板振動部４
の表面側（基板の平坦側）に形成した２つの励振用分割
電極５と、該分割電極５から基板端部に形成されたパッ
ド電極６へ引出されたリード電極７と、凹陥部２を形成
した面の主面全体に蒸着やスパッタ成膜等により形成し
た共通電極８とから構成されている。尚、環状囲繞部９
は超薄板振動部４の外周を補強するために設けられた厚
肉部である。
【０００４】前記超薄板ＭＣＦ素子１は、所定の間隙を
介して分割された励振用分割電極５上に励起される振動
モードが音響結合することによって生ずる二つの振動モ
ードを利用してＭＣＦを構成している。前記二つの振動
モードのうち、周波数の低いモードを対称モード、周波
数の高いモードを反対称（斜対称）モードと称する。超
薄板ＭＣＦ素子の通過帯域幅は周知の通り、対称モード
と反対称モードの各共振周波数の差のほぼ２倍となり、
前記二つの振動モードの結合度、即ち二つの振動モード
の共振周波数の差はＡＴカット水晶基板の弾性定数、電
極形状、電極膜厚及び分割電極の間隙に依存し、結合度
を大きくするほどフィルタの通過帯域幅が広くなる。
介して分割された励振用分割電極５上に励起される振動
モードが音響結合することによって生ずる二つの振動モ
ードを利用してＭＣＦを構成している。前記二つの振動
モードのうち、周波数の低いモードを対称モード、周波
数の高いモードを反対称（斜対称）モードと称する。超
薄板ＭＣＦ素子の通過帯域幅は周知の通り、対称モード
と反対称モードの各共振周波数の差のほぼ２倍となり、
前記二つの振動モードの結合度、即ち二つの振動モード
の共振周波数の差はＡＴカット水晶基板の弾性定数、電
極形状、電極膜厚及び分割電極の間隙に依存し、結合度
を大きくするほどフィルタの通過帯域幅が広くなる。
【０００５】ところで、近年は移動体通信端末機内部に
用いられるＩＣはノイズ低減のため平衡型が用いられる
ようになり、従来のフィルタを利用する場合にはバラン
等の不平衡−平衡変換回路が必要となるが、部品点数を
削減するため、フィルタも平衡型のものが要求されるよ
うになってきた。
用いられるＩＣはノイズ低減のため平衡型が用いられる
ようになり、従来のフィルタを利用する場合にはバラン
等の不平衡−平衡変換回路が必要となるが、部品点数を
削減するため、フィルタも平衡型のものが要求されるよ
うになってきた。
【０００６】図６は、平衡型超薄板２ポールＭＣＦ素子
１１を示す図であって、図６（ａ）は平面図、図６
（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、図６（ｃ）は等価回路図
である。ＡＴカット水晶基板３に形成した凹陥部２の底
面に位置する振動部４の表裏両面には各々２個ずつ励振
用分割電極５，１２を形成し、凹陥側の前記分割電極１
２から基板端縁に形成したパッド電極１３へ接続するた
めのリード電極１４を形成し、平坦側の前記分割電極５
から基板端縁に形成したパッド電極１５へ接続するため
のリード電極１６を形成している。平衡型超薄板２ポー
ルＭＣＦ素子１１の振動部４を介して対向する分割電極
対の一方を入力信号ラインＩＮ１及びＩＮ２とし、もう
一方の分割電極対をＯＮＴ１及びＯＵＴ２とする。
１１を示す図であって、図６（ａ）は平面図、図６
（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、図６（ｃ）は等価回路図
である。ＡＴカット水晶基板３に形成した凹陥部２の底
面に位置する振動部４の表裏両面には各々２個ずつ励振
用分割電極５，１２を形成し、凹陥側の前記分割電極１
２から基板端縁に形成したパッド電極１３へ接続するた
めのリード電極１４を形成し、平坦側の前記分割電極５
から基板端縁に形成したパッド電極１５へ接続するため
のリード電極１６を形成している。平衡型超薄板２ポー
ルＭＣＦ素子１１の振動部４を介して対向する分割電極
対の一方を入力信号ラインＩＮ１及びＩＮ２とし、もう
一方の分割電極対をＯＮＴ１及びＯＵＴ２とする。
【０００７】また、通過帯域付近における阻止域の減衰
量を大きくし、且つ、スカート特性が急峻なフィルタ特
性を得るため、図７に示すように平衡型超薄板２ポール
ＭＣＦ素子を多段縦続接続した４ポールＭＣＦ１７が求
められ、更に小型化を達成するために図８に示す如く単
一の水晶基板上に２対の励振用分割電極１８，１９を形
成した４ポール平衡型多段縦続接続ＭＣＦ２０が求めら
れている。
量を大きくし、且つ、スカート特性が急峻なフィルタ特
性を得るため、図７に示すように平衡型超薄板２ポール
ＭＣＦ素子を多段縦続接続した４ポールＭＣＦ１７が求
められ、更に小型化を達成するために図８に示す如く単
一の水晶基板上に２対の励振用分割電極１８，１９を形
成した４ポール平衡型多段縦続接続ＭＣＦ２０が求めら
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＡＴカ
ット水晶基板は結晶軸方向による異方性を有しているた
めに、エッチングを行い図９（ａ）の如く凹陥部を形成
すると、凹陥部側壁と凹陥側主面２１との間の屈曲部に
おいて、凹陥部側壁と凹陥側主面とがほぼ直角に交わる
部位が生じるというエッチング性質がある。
ット水晶基板は結晶軸方向による異方性を有しているた
めに、エッチングを行い図９（ａ）の如く凹陥部を形成
すると、凹陥部側壁と凹陥側主面２１との間の屈曲部に
おいて、凹陥部側壁と凹陥側主面とがほぼ直角に交わる
部位が生じるというエッチング性質がある。
【０００９】即ち、図９（ａ）に示した凹陥型ＡＴカッ
ト水晶基板ではｘ軸方向及びｚ'軸方向に伸びる夫々２
つずつの側壁面のうち、側壁面の形成方向（面が向いて
いる方向）が−ｘ軸方向（＋ｘ軸方向から時計回りに１
８０°回転した方向）の部位と、側壁面の形成方向が
ｚ'軸方向（＋ｘ軸方向から時計回りに９０°回転した
方向）の部位における側壁面と凹陥側主面とのなす角は
鈍角であるのに対し、図９（ａ）に示すように側壁の形
成方向が＋ｘ軸方向の部位の稜線２２（図９（ｂ）のＡ
−Ａ断面図を参照）及び側壁の形成方向が＋ｘ軸方向を
基準に時計回りに２７０°の部位の稜線２３（図９
（ｃ）のＢ−Ｂ断面図を参照）における側壁面と凹陥側
主面とのなす角は９０°となる。
ト水晶基板ではｘ軸方向及びｚ'軸方向に伸びる夫々２
つずつの側壁面のうち、側壁面の形成方向（面が向いて
いる方向）が−ｘ軸方向（＋ｘ軸方向から時計回りに１
８０°回転した方向）の部位と、側壁面の形成方向が
ｚ'軸方向（＋ｘ軸方向から時計回りに９０°回転した
方向）の部位における側壁面と凹陥側主面とのなす角は
鈍角であるのに対し、図９（ａ）に示すように側壁の形
成方向が＋ｘ軸方向の部位の稜線２２（図９（ｂ）のＡ
−Ａ断面図を参照）及び側壁の形成方向が＋ｘ軸方向を
基準に時計回りに２７０°の部位の稜線２３（図９
（ｃ）のＢ−Ｂ断面図を参照）における側壁面と凹陥側
主面とのなす角は９０°となる。
【００１０】従って、図８の４ポールの平衡型多段縦続
接続超薄板ＭＣＦ素子２０の励振用分割電極１９から基
板端部に設けたパッド電極２６へ接続したリード電極２
７において、凹陥部側壁の稜線２８で、蒸着或はスパッ
タ成膜等によって形成した導電膜（リード電極２７）に
断線が発生し易くなるという問題あった。これによっ
て、歩留りも著しく低下し、生産コストを下げることが
困難となっていた。
接続超薄板ＭＣＦ素子２０の励振用分割電極１９から基
板端部に設けたパッド電極２６へ接続したリード電極２
７において、凹陥部側壁の稜線２８で、蒸着或はスパッ
タ成膜等によって形成した導電膜（リード電極２７）に
断線が発生し易くなるという問題あった。これによっ
て、歩留りも著しく低下し、生産コストを下げることが
困難となっていた。
【００１１】上記の問題に鑑み図１０（ａ）に示す如
く、励振用分割電極１８，１９からパッド電極へ接続す
るリード電極において、パッド電極を１つの基板端部に
集約し、該パッド電極へ前記分割電極１８，１９から夫
々リード電極を延出することも考えられたが、斯かるリ
ード電極の引き回しパターンの構成をとると、リード電
極２９，３０間で電気的な結合を起こし、結合により生
じた容量がフィルタの通過帯域特性に悪影響を及ぼす問
題があった。
く、励振用分割電極１８，１９からパッド電極へ接続す
るリード電極において、パッド電極を１つの基板端部に
集約し、該パッド電極へ前記分割電極１８，１９から夫
々リード電極を延出することも考えられたが、斯かるリ
ード電極の引き回しパターンの構成をとると、リード電
極２９，３０間で電気的な結合を起こし、結合により生
じた容量がフィルタの通過帯域特性に悪影響を及ぼす問
題があった。
【００１２】また、高周波デバイスのリード電極の引き
回しにおいては、デバイスの電気的特性の劣化を抑制す
るためにリード電極を極力短くすることが常套手段であ
り、斯かる上記の長い引き回しパターンでは不要な容量
成分（Stray capacitance）やインダクタンス成分（Ind
uctance）が生じ前述と同様にフィルタの通過帯域特性
に悪影響を及ぼす問題があった。
回しにおいては、デバイスの電気的特性の劣化を抑制す
るためにリード電極を極力短くすることが常套手段であ
り、斯かる上記の長い引き回しパターンでは不要な容量
成分（Stray capacitance）やインダクタンス成分（Ind
uctance）が生じ前述と同様にフィルタの通過帯域特性
に悪影響を及ぼす問題があった。
【００１３】更に、図１０（ｂ）に示す如く一方の分割
電極１９ａから延出するリード電極３２を凹陥部側壁面
の向いている方向が＋ｘ軸方向を基準にして時計周りに
９０°の方向となる側壁３１ａを介して延出し基板端部
のパッド電極へ接続すれば断線を防止できるものの、他
方の分割電極１９ｂから延出するリード電極３３を凹陥
部側壁面の向いている方向が＋ｘ軸方向を基準にして時
計周りに２７０°の方向となる側壁３１ｂを介して延出
し基板端部のパッド電極へ接続すると、当該リード電極
３３は側壁３１ｂと凹陥側主面との接続辺（稜線）で断
線する可能性が極めて高く、前記リード電極３３が断線
することなく、しかも上記の如きフィルタ特性上の問題
をも発生させることなく基板端部へ延出させることは極
めて困難に近かった。
電極１９ａから延出するリード電極３２を凹陥部側壁面
の向いている方向が＋ｘ軸方向を基準にして時計周りに
９０°の方向となる側壁３１ａを介して延出し基板端部
のパッド電極へ接続すれば断線を防止できるものの、他
方の分割電極１９ｂから延出するリード電極３３を凹陥
部側壁面の向いている方向が＋ｘ軸方向を基準にして時
計周りに２７０°の方向となる側壁３１ｂを介して延出
し基板端部のパッド電極へ接続すると、当該リード電極
３３は側壁３１ｂと凹陥側主面との接続辺（稜線）で断
線する可能性が極めて高く、前記リード電極３３が断線
することなく、しかも上記の如きフィルタ特性上の問題
をも発生させることなく基板端部へ延出させることは極
めて困難に近かった。
【００１４】よって、本発明は、上述した凹陥側振動部
に多電極を要する超薄板ＡＴカット水晶共振素子に関す
る諸問題を解決するためになされたものであって、凹陥
側振動部に形成した分割電極から基板端部のパッド電極
へ接続するリード電極を凹陥側壁で断線することなく確
実に形成することを可能とする凹陥構造を有する超薄板
ＡＴカット水晶共振素子を提供することを目的とする。
に多電極を要する超薄板ＡＴカット水晶共振素子に関す
る諸問題を解決するためになされたものであって、凹陥
側振動部に形成した分割電極から基板端部のパッド電極
へ接続するリード電極を凹陥側壁で断線することなく確
実に形成することを可能とする凹陥構造を有する超薄板
ＡＴカット水晶共振素子を提供することを目的とする。
【００１５】更に、本願出願人は、ＡＴカット水晶基板
にエッチングにより凹陥部を形成したとき、凹陥部側壁
と凹陥側主面との間の屈曲部と水晶の結晶軸異方性との
関係を明らかにし、凹陥部側壁で断線することなく確実
に導電膜を形成するための凹陥パターンの有効な設計手
法を提供することを目的とする。
にエッチングにより凹陥部を形成したとき、凹陥部側壁
と凹陥側主面との間の屈曲部と水晶の結晶軸異方性との
関係を明らかにし、凹陥部側壁で断線することなく確実
に導電膜を形成するための凹陥パターンの有効な設計手
法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る超薄板ＡＴカット水晶共振素子の請求項
１記載の発明は、薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支
持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面
構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振
素子において、前記厚肉の環状囲繞部の少なくとも一辺
から凹陥側薄肉の振動部に延びる厚肉の凸部があること
を特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子である。
に本発明に係る超薄板ＡＴカット水晶共振素子の請求項
１記載の発明は、薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支
持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面
構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振
素子において、前記厚肉の環状囲繞部の少なくとも一辺
から凹陥側薄肉の振動部に延びる厚肉の凸部があること
を特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子である。
【００１７】請求項２記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板
ＡＴカット水晶共振素子において、前記厚肉の環状囲繞
部の少なくとも一辺から該凹陥の厚肉とほぼ同じ肉厚で
凹陥部内に延出した凸部を備え、該凸部の稜線に対し前
記凸部の側壁面の形成方向が、ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方
向を基準として、時計周りに＋２０°〜＋１９０°の範
囲である前記側壁を有することを特徴とする超薄板ＡＴ
カット水晶共振素子である。
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板
ＡＴカット水晶共振素子において、前記厚肉の環状囲繞
部の少なくとも一辺から該凹陥の厚肉とほぼ同じ肉厚で
凹陥部内に延出した凸部を備え、該凸部の稜線に対し前
記凸部の側壁面の形成方向が、ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方
向を基準として、時計周りに＋２０°〜＋１９０°の範
囲である前記側壁を有することを特徴とする超薄板ＡＴ
カット水晶共振素子である。
【００１８】請求項３記載の発明は、上記振動部に形成
した励振用電極からの延出したリード電極の引き回しパ
ターンを、上記凸部の稜線に対し前記凸部の側壁面の形
成方向が、 ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方向を基準として、時
計周りに＋２０°〜＋１９０°の範囲である前記側壁を
介して、環状囲繞部に形成したパッド電極と接続したこ
とを特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子である。
した励振用電極からの延出したリード電極の引き回しパ
ターンを、上記凸部の稜線に対し前記凸部の側壁面の形
成方向が、 ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方向を基準として、時
計周りに＋２０°〜＋１９０°の範囲である前記側壁を
介して、環状囲繞部に形成したパッド電極と接続したこ
とを特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子である。
【００１９】請求項４記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板
ＡＴカット水晶共振素子において、凹陥内側壁の凹陥側
厚肉の主面と接する辺が、ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方向を
基準として、時計周りに＋２０°〜＋１９０°の領域を
第1領域とし、該第1領域を除いた領域を第2領域とした
とき、前記第1領域の成分を有する辺と前記第2領域の成
分を有する辺とを接続する辺であって、該接続辺が第1
領域にあることを特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振
素子である。
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板
ＡＴカット水晶共振素子において、凹陥内側壁の凹陥側
厚肉の主面と接する辺が、ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方向を
基準として、時計周りに＋２０°〜＋１９０°の領域を
第1領域とし、該第1領域を除いた領域を第2領域とした
とき、前記第1領域の成分を有する辺と前記第2領域の成
分を有する辺とを接続する辺であって、該接続辺が第1
領域にあることを特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振
素子である。
【００２０】請求項５記載の発明は、上記振動部に形成
した励振用電極からの延出したリード電極の引き回しパ
ターンを、前記接続辺を含む凹陥内側壁を介して、環状
囲繞部に形成したパッド電極と接続したことを特徴とす
る請求項４記載の超薄板ＡＴカット水晶共振素子であ
る。
した励振用電極からの延出したリード電極の引き回しパ
ターンを、前記接続辺を含む凹陥内側壁を介して、環状
囲繞部に形成したパッド電極と接続したことを特徴とす
る請求項４記載の超薄板ＡＴカット水晶共振素子であ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図示した実施の形態例に基
づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係る
平衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子３４の図であって、図
１（ａ）は、その凹陥側の平面図、図１（ｂ）はそのＢ
−Ｂ断面図である。平衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子３
４は、ＡＴカット水晶基板３５の一方の主面に形成した
凹陥部３６と、該凹陥部の側壁３７の所望の部位から凹
陥内にＡＴカット水晶基板３５の厚肉部と同じ肉厚で所
望長さ延出した凸部３８と、超薄肉の振動部３９の両主
面に対向するように形成した２組の励振用分割電極４
０，４１（凹陥側の分割電極：４１ａ，４１ｂ）と、基
板端部４２に設けたパッド電極４３と、該パッド電極４
３と前記凹陥側分割電極４０とを接続するためのリード
電極４４と、基板端部４５に設けたパッド電極４６と、
該パッド電極４６と前記凹陥側分割電極４１ａとを接続
するため凹陥部側壁４７を介して形成したリード電極４
８と、基板端部４５に設けたパッド電極４９と、該パッ
ド電極４９と前記凹陥側分割電極４１ｂとを接続するた
め前記凸部３８の側壁５０を介し引き回して形成したリ
ード電極５１と、基板平坦側の振動部３９に形成した前
記分割電極４０，４１を夫々の基板端部４２，４５に設
けたパッド電極５２，５３と、該パッド電極５２，５３
と前記分割電極４０，４１とを接続するために形成した
リード電極５４，５５とから構成されている。
づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係る
平衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子３４の図であって、図
１（ａ）は、その凹陥側の平面図、図１（ｂ）はそのＢ
−Ｂ断面図である。平衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子３
４は、ＡＴカット水晶基板３５の一方の主面に形成した
凹陥部３６と、該凹陥部の側壁３７の所望の部位から凹
陥内にＡＴカット水晶基板３５の厚肉部と同じ肉厚で所
望長さ延出した凸部３８と、超薄肉の振動部３９の両主
面に対向するように形成した２組の励振用分割電極４
０，４１（凹陥側の分割電極：４１ａ，４１ｂ）と、基
板端部４２に設けたパッド電極４３と、該パッド電極４
３と前記凹陥側分割電極４０とを接続するためのリード
電極４４と、基板端部４５に設けたパッド電極４６と、
該パッド電極４６と前記凹陥側分割電極４１ａとを接続
するため凹陥部側壁４７を介して形成したリード電極４
８と、基板端部４５に設けたパッド電極４９と、該パッ
ド電極４９と前記凹陥側分割電極４１ｂとを接続するた
め前記凸部３８の側壁５０を介し引き回して形成したリ
ード電極５１と、基板平坦側の振動部３９に形成した前
記分割電極４０，４１を夫々の基板端部４２，４５に設
けたパッド電極５２，５３と、該パッド電極５２，５３
と前記分割電極４０，４１とを接続するために形成した
リード電極５４，５５とから構成されている。
【００２２】ここで、前記凸部３８の機能とエッチング
により形成された該凸部の側壁について、以下詳細に説
明する。図９の如くＡＴカット水晶基板にエッチングに
より形成した凹陥部側壁形状とＡＴカット水晶基板の結
晶軸の異方性との関係は前述した通りである。エッチン
グにより形成された前記凸部３８の側壁面５０，５６，
５７と凹陥側主面との間の屈曲部（稜線）５０ａ，５６
ａ，５７ａを観察する。
により形成された該凸部の側壁について、以下詳細に説
明する。図９の如くＡＴカット水晶基板にエッチングに
より形成した凹陥部側壁形状とＡＴカット水晶基板の結
晶軸の異方性との関係は前述した通りである。エッチン
グにより形成された前記凸部３８の側壁面５０，５６，
５７と凹陥側主面との間の屈曲部（稜線）５０ａ，５６
ａ，５７ａを観察する。
【００２３】稜線５６ａ（稜線５８ａと平行である）に
対する側壁面５６の形成方向は、稜線５８ａに対する凹
陥部側壁面５８の形成方向と同じ＋ｘ軸方向であるた
め、側壁面５６と凹陥側主面との間の屈曲部５６ａはほ
ぼ直角に形成されるので、前記側壁５６を介してリード
電極を形成することは、断線する可能性が大きいため避
けるべきである。
対する側壁面５６の形成方向は、稜線５８ａに対する凹
陥部側壁面５８の形成方向と同じ＋ｘ軸方向であるた
め、側壁面５６と凹陥側主面との間の屈曲部５６ａはほ
ぼ直角に形成されるので、前記側壁５６を介してリード
電極を形成することは、断線する可能性が大きいため避
けるべきである。
【００２４】更に、稜線５７ａ（稜線５９ａと平行であ
る）に対する側壁面５７の形成方向は、稜線５９ａに対
する凹陥部側壁面５９の形成方向と同じ＋ｘ軸方向を基
準として時計周りに２７０°方向であるため、側壁面５
７と凹陥側主面との間の屈曲部５７ａはほぼ直角に形成
されるので、前記側壁５７を介してリード電極を形成す
ることは、断線する可能性が大きいため避けるべきであ
る。
る）に対する側壁面５７の形成方向は、稜線５９ａに対
する凹陥部側壁面５９の形成方向と同じ＋ｘ軸方向を基
準として時計周りに２７０°方向であるため、側壁面５
７と凹陥側主面との間の屈曲部５７ａはほぼ直角に形成
されるので、前記側壁５７を介してリード電極を形成す
ることは、断線する可能性が大きいため避けるべきであ
る。
【００２５】一方、稜線５０ａ（稜線４７ａと平行であ
る）に対する側壁面５０の形成方向は、稜線４７ａに対
する凹陥部側壁面４７の形成方向と同じ＋ｘ軸方向を基
準として時計周りに９０°方向であるため、側壁面５７
と凹陥側主面との間の屈曲部５７ａは鈍角をもって形成
されるので、前記側壁５０を介してリード電極を形成し
たとき断線する可能性は側壁面と凹陥側主面とのなす角
が９０°の場合と比較して極めて低い。
る）に対する側壁面５０の形成方向は、稜線４７ａに対
する凹陥部側壁面４７の形成方向と同じ＋ｘ軸方向を基
準として時計周りに９０°方向であるため、側壁面５７
と凹陥側主面との間の屈曲部５７ａは鈍角をもって形成
されるので、前記側壁５０を介してリード電極を形成し
たとき断線する可能性は側壁面と凹陥側主面とのなす角
が９０°の場合と比較して極めて低い。
【００２６】従って、図１の如く平衡型４ポール超薄板
ＭＣＦ素子３４を構成すれば、励振用分割電極から基板
端部のパッド電極へ接続するリード電極を凹陥部側壁で
断線させることなく形成することができる。
ＭＣＦ素子３４を構成すれば、励振用分割電極から基板
端部のパッド電極へ接続するリード電極を凹陥部側壁で
断線させることなく形成することができる。
【００２７】尚、前記凸部３８を有する凹陥部３６のエ
ッチングによる形成は、凹陥部３６の凹陥側主面と交わ
る稜線を枠状の穴を形成したマスク等の露光手段を用い
れば、ＡＴカット水晶基板の結晶軸（＋ｘ軸方向）と前
記露光手段との位置合せさえ注意すれば、フォトリソグ
ラフィ技法とエッチング技法により容易に形成できるこ
とは言うまでもない。
ッチングによる形成は、凹陥部３６の凹陥側主面と交わ
る稜線を枠状の穴を形成したマスク等の露光手段を用い
れば、ＡＴカット水晶基板の結晶軸（＋ｘ軸方向）と前
記露光手段との位置合せさえ注意すれば、フォトリソグ
ラフィ技法とエッチング技法により容易に形成できるこ
とは言うまでもない。
【００２８】ここで、本願出願人は、ＡＴカット水晶基
板の結晶軸異方性によるエッチング性質、特に凹陥部側
壁面と凹陥側主面との間の屈曲部の形状について更にそ
の性質を明らかにするために実験を行った。
板の結晶軸異方性によるエッチング性質、特に凹陥部側
壁面と凹陥側主面との間の屈曲部の形状について更にそ
の性質を明らかにするために実験を行った。
【００２９】図２に示す如くＡＴカット水晶基板６０に
円状の凹陥部６１をエッチングにより形成し側壁面６２
を観察した。図２（ａ）は、凹陥側ＡＴカット水晶基板
６０の平面図、図２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
凹陥部底面の円の中心ＯとＯ１，Ｏ２，Ｏ３，…とを結
ぶ線に沿って水晶基板主面に垂直に切断して、側壁面と
凹陥側主面との間の屈曲部断面を各々観察し、屈曲部形
状と結晶軸との関連性を調査した。
円状の凹陥部６１をエッチングにより形成し側壁面６２
を観察した。図２（ａ）は、凹陥側ＡＴカット水晶基板
６０の平面図、図２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
凹陥部底面の円の中心ＯとＯ１，Ｏ２，Ｏ３，…とを結
ぶ線に沿って水晶基板主面に垂直に切断して、側壁面と
凹陥側主面との間の屈曲部断面を各々観察し、屈曲部形
状と結晶軸との関連性を調査した。
【００３０】調査の結果、図３（ａ）に示す如く凹陥部
側壁面と凹陥側主面との間の屈曲部（稜線）に対して、
前記凹陥部側壁面の形成方向と＋ｘ軸方向とのなす角α
が、ｘｚ'平面内の＋ｘ軸方向を基準にして時計周りに
＋２０°≦α≦＋１９０°の範囲内では、図３（ｂ）に
示す如く凹陥側主面６３と側壁面６２ａとのなす角θ
が、９０°＜θ＜１８０°の傾斜をもっていることが判
明した。即ち、αが上記範囲内の側壁面上に形成したリ
ード電極は断線しにくい。
側壁面と凹陥側主面との間の屈曲部（稜線）に対して、
前記凹陥部側壁面の形成方向と＋ｘ軸方向とのなす角α
が、ｘｚ'平面内の＋ｘ軸方向を基準にして時計周りに
＋２０°≦α≦＋１９０°の範囲内では、図３（ｂ）に
示す如く凹陥側主面６３と側壁面６２ａとのなす角θ
が、９０°＜θ＜１８０°の傾斜をもっていることが判
明した。即ち、αが上記範囲内の側壁面上に形成したリ
ード電極は断線しにくい。
【００３１】一方、凹陥部側壁面と凹陥側主面との間の
屈曲部（稜線）に対して、前記凹陥部側壁面の形成方向
と＋ｘ軸方向とのなす角αが、ｘｚ'平面内の＋ｘ軸方
向を基準にして時計周りに−１７０°＜α＜＋２０°の
範囲内では、図３（ｃ）に示す如く凹陥側主面６３と側
壁面６２ｃとのなす角θが、θ≒９０°、つまり凹陥側
主面６３と側壁６２ｃはほぼ直角に屈曲しているいるこ
とが判明した。即ち、αが上記範囲内の側壁面上に形成
したときリード電極は断線する可能性が大きいことが分
かった。
屈曲部（稜線）に対して、前記凹陥部側壁面の形成方向
と＋ｘ軸方向とのなす角αが、ｘｚ'平面内の＋ｘ軸方
向を基準にして時計周りに−１７０°＜α＜＋２０°の
範囲内では、図３（ｃ）に示す如く凹陥側主面６３と側
壁面６２ｃとのなす角θが、θ≒９０°、つまり凹陥側
主面６３と側壁６２ｃはほぼ直角に屈曲しているいるこ
とが判明した。即ち、αが上記範囲内の側壁面上に形成
したときリード電極は断線する可能性が大きいことが分
かった。
【００３２】上記実験結果に基づいて、本発明に係る平
衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子の凹陥構造の他の実施例
について図４に示す。図４（ａ）は、凹陥部側壁から延
出した凸部６６の側壁面６７を介して分割電極４１ｂか
ら基板端部のパッド電極へ断線することなく接続を可能
としている。該側壁面６７の稜線６７ａに対する形成方
向が、＋ｘ軸方向を基準にして時計周りに＋２０°にな
るよう前記凸部６６を形成している。図４（ｂ）は、凹
陥部側壁から延出した凸部６８の側壁面６９を介して分
割電極４１ｂから基板端部のパッド電極へ断線すること
なく接続を可能としている。該側壁面６９の稜線６９ａ
に対する形成方向が、＋ｘ軸方向を基準にして時計周り
に＋１９０°になるよう前記凸部６８を形成している。
図４（ｃ）は、凸部を設けることなく凹陥部側壁面７０
の形成方向を稜線７０ａに対して、＋ｘ軸方向を基準と
して時計周りに＋２０°になるよう側壁面７０を含む凹
陥部７１を形成したので、分割電極４１ａ，４１ｂから
リード電極７２ａ，７２ｂを互いに平行に延出し環状囲
繞部に設けたパッド電極７３ａ，７３ｂに電気的に接続
することを可能としている。
衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子の凹陥構造の他の実施例
について図４に示す。図４（ａ）は、凹陥部側壁から延
出した凸部６６の側壁面６７を介して分割電極４１ｂか
ら基板端部のパッド電極へ断線することなく接続を可能
としている。該側壁面６７の稜線６７ａに対する形成方
向が、＋ｘ軸方向を基準にして時計周りに＋２０°にな
るよう前記凸部６６を形成している。図４（ｂ）は、凹
陥部側壁から延出した凸部６８の側壁面６９を介して分
割電極４１ｂから基板端部のパッド電極へ断線すること
なく接続を可能としている。該側壁面６９の稜線６９ａ
に対する形成方向が、＋ｘ軸方向を基準にして時計周り
に＋１９０°になるよう前記凸部６８を形成している。
図４（ｃ）は、凸部を設けることなく凹陥部側壁面７０
の形成方向を稜線７０ａに対して、＋ｘ軸方向を基準と
して時計周りに＋２０°になるよう側壁面７０を含む凹
陥部７１を形成したので、分割電極４１ａ，４１ｂから
リード電極７２ａ，７２ｂを互いに平行に延出し環状囲
繞部に設けたパッド電極７３ａ，７３ｂに電気的に接続
することを可能としている。
【００３３】尚、図４では、リード電極を形成するのに
用いる凸部の側壁面の形成方向を＋ｘ軸方向を基準にし
て時計周りに＋２０°と＋１９０°、また凹陥部の一つ
の側壁面の形成方向をｘ軸方向を基準にして時計周りに
＋２０°にした例を示したが、これらに限らず、リード
電極を形成する側壁面の形成方向範囲が、＋２０°≦α
≦＋１９０°の範囲内であれば、リード電極を断線する
ことなく形成できる。
用いる凸部の側壁面の形成方向を＋ｘ軸方向を基準にし
て時計周りに＋２０°と＋１９０°、また凹陥部の一つ
の側壁面の形成方向をｘ軸方向を基準にして時計周りに
＋２０°にした例を示したが、これらに限らず、リード
電極を形成する側壁面の形成方向範囲が、＋２０°≦α
≦＋１９０°の範囲内であれば、リード電極を断線する
ことなく形成できる。
【００３４】以上、本発明に係る超薄板ＡＴカット水晶
共振素子を平衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子を本発明の
実施例として説明したが、本発明はこれに限定されるこ
となく、 ＡＴカット水晶基板の凹陥側の底面の超薄肉
の振動部に複数の励振用電極を形成したとき、該複数の
励振用電極を厚肉の環状囲繞部に設けた複数のパッド電
極へ夫々電気的に接続するためのリード電極を凹陥部側
壁面を介して形成した超薄板ＡＴカット水晶共振素子に
広く適用できることは言うまでもない。
共振素子を平衡型４ポール超薄板ＭＣＦ素子を本発明の
実施例として説明したが、本発明はこれに限定されるこ
となく、 ＡＴカット水晶基板の凹陥側の底面の超薄肉
の振動部に複数の励振用電極を形成したとき、該複数の
励振用電極を厚肉の環状囲繞部に設けた複数のパッド電
極へ夫々電気的に接続するためのリード電極を凹陥部側
壁面を介して形成した超薄板ＡＴカット水晶共振素子に
広く適用できることは言うまでもない。
【００３５】
【発明の効果】本発明に係る超薄板ＡＴカット水晶共振
素子は、以上説明した如く構成したので下記の如く優れ
た効果を奏する。請求項１乃至５の発明は、ＡＴカット
水晶基板に形成した凹陥部底面の超薄肉振動部に複数の
励振用電極を形成したとき、前記励振用電極から厚肉の
環状囲繞部に設けたパッド電極へ電気的に接続するリー
ド電極を凹陥部側壁で断線することなく確実に形成する
ことができるという優れた効果を奏する。
素子は、以上説明した如く構成したので下記の如く優れ
た効果を奏する。請求項１乃至５の発明は、ＡＴカット
水晶基板に形成した凹陥部底面の超薄肉振動部に複数の
励振用電極を形成したとき、前記励振用電極から厚肉の
環状囲繞部に設けたパッド電極へ電気的に接続するリー
ド電極を凹陥部側壁で断線することなく確実に形成する
ことができるという優れた効果を奏する。
【００３６】更に、各励振用電極から延出するリード電
極は、互いに電気的に結合しないように形成することが
できるので、電気的結合により生ずる容量成分によるフ
ィルタの通過帯域特性に悪影響を及ぼすという問題を防
止することができるという優れた効果を奏する。
極は、互いに電気的に結合しないように形成することが
できるので、電気的結合により生ずる容量成分によるフ
ィルタの通過帯域特性に悪影響を及ぼすという問題を防
止することができるという優れた効果を奏する。
【００３７】また、更に、上記リード電極の引き回しパ
ターンを極力短くすることができるので、引き回しパタ
ーンにより生ずる容量成分やインダクタンス成分のフィ
ルタの通過帯域特性への悪影響を抑制するすることがで
きるという優れた効果を奏する。
ターンを極力短くすることができるので、引き回しパタ
ーンにより生ずる容量成分やインダクタンス成分のフィ
ルタの通過帯域特性への悪影響を抑制するすることがで
きるという優れた効果を奏する。
【００３８】ＡＴカット水晶基板にエッチングにより形
成した凹陥部側壁と凹陥側主面との間の屈曲部の形状と
ＡＴカット水晶基板の結晶軸異方性との関係において、
凹陥部側壁で断線することなく確実に導電膜を形成でき
る凹陥部側壁の形成方向の範囲を明らかにしたので、凹
陥パターンの有効な設計手法を提供することができると
いう優れた効果を奏する。
成した凹陥部側壁と凹陥側主面との間の屈曲部の形状と
ＡＴカット水晶基板の結晶軸異方性との関係において、
凹陥部側壁で断線することなく確実に導電膜を形成でき
る凹陥部側壁の形成方向の範囲を明らかにしたので、凹
陥パターンの有効な設計手法を提供することができると
いう優れた効果を奏する。
【００３９】凹陥部が該凹陥部側壁から延出する凸部を
有する場合においても、それに対応したマスク等の露光
手段を用いれば、フォトリソグラフィ技法とエッチング
技法により容易に形成することができるので、超薄板Ａ
Ｔカット水晶共振素子の大量産に好適であるという優れ
た効果を奏する。
有する場合においても、それに対応したマスク等の露光
手段を用いれば、フォトリソグラフィ技法とエッチング
技法により容易に形成することができるので、超薄板Ａ
Ｔカット水晶共振素子の大量産に好適であるという優れ
た効果を奏する。
【図１】本発明に係る実施形態を説明するための図であ
って、（ａ）は水晶共振素子の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ
断面図である。
って、（ａ）は水晶共振素子の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ
断面図である。
【図２】本発明に係る凹陥部を説明するための図であっ
て、（ａ）は水晶基板の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図
である。
て、（ａ）は水晶基板の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図
である。
【図３】本発明に係る凹陥部側壁を説明するための図で
あって、（ａ）は、側壁面の形成方向の範囲を説明する
ための図、（ｂ）及び（ｃ）は、屈曲部形状を説明する
ための凹陥部の断面図である。
あって、（ａ）は、側壁面の形成方向の範囲を説明する
ための図、（ｂ）及び（ｃ）は、屈曲部形状を説明する
ための凹陥部の断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｃ）は、本発明に係る他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】従来の２ポールＭＣＦ素子を説明するための図
であって、（ａ）は２ポールＭＣＦ素子の平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図である。
であって、（ａ）は２ポールＭＣＦ素子の平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図である。
【図６】従来の平衡型２ポールＭＣＦ素子を説明するた
めの図であって、（ａ）は平衡型２ポールＭＣＦ素子の
平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図で
ある。
めの図であって、（ａ）は平衡型２ポールＭＣＦ素子の
平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図で
ある。
【図７】従来の平衡型２ポールＭＣＦ素子を多段縦続接
続した４ポールＭＣＦ素子を説明するための平面図であ
る。
続した４ポールＭＣＦ素子を説明するための平面図であ
る。
【図８】従来の平衡型４ポールＭＣＦ素子を説明するた
めの図であって、（ａ）は平衡型４ポールＭＣＦ素子の
平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図で
ある。
めの図であって、（ａ）は平衡型４ポールＭＣＦ素子の
平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図で
ある。
【図９】ＡＴカット水晶基板のエッチング性質を説明す
るための図であって、（ａ）凹陥型ＡＴカット水晶基板
の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面
図である。
るための図であって、（ａ）凹陥型ＡＴカット水晶基板
の平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ断面
図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）従来の平衡型４ポールＭＣ
Ｆ素子を説明するための平面図である。
Ｆ素子を説明するための平面図である。
１ ＭＣＦ
２ 凹陥部
３ 水晶基板
４ 振動部
５ 電極
６ パッド電極
７ リード電極
８ 共通電極
９ 環状囲繞部
１０ 共通電極
１１ ＭＣＦ
１２ 電極
１３ パッド電極
１４ リード電極
１５ パッド電極
１６ リード電極
１７ ＭＣＦ
１８ 電極
１９ 電極
２１ 主面
２２ 稜線
２４ 稜線
２５ ＭＣＦ
２６ パッド電極
２７ リード電極
２８ 断線
２９ パッド電極
３０ パッド電極
３１ 側壁
３２ リード電極
３３ リード電極
３４ ＭＣＦ
３５ 水晶基板
３６ 凹陥部
３７ 側壁
３８ 凸部
３９ 振動部
４０ 電極
４１ 電極
４２ 端部
４３ パッド電極
４４ リード電極
４５ 端部
４６ パッド電極
４７ 側壁
４８ リード電極
４９ パッド電極
５０ 側壁
５１ リード電極
５２ パッド電極
５３ パッド電極
５４ リード電極
５５ リード電極
５６ 側壁
５７ 側壁
５８ 側壁
５９ 側壁
６０ 水晶基板
６１ 凹陥部
６２ 側壁
６３ 主面
６４ 稜線
６５ 垂直面
６６ 凸部
６７ 側壁
６８ 凸部
６９ 側壁
７０ 側壁
７１ 振動部
７２ リード電極
７３ パッド電極
Claims (5)
- 【請求項１】 薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振素
子において、前記厚肉の環状囲繞部の少なくとも一辺か
ら凹陥側薄肉の振動部に延びる厚肉の凸部があることを
特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子。 - 【請求項２】 薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振素
子において、前記厚肉の環状囲繞部の少なくとも一辺か
ら該凹陥の厚肉とほぼ同じ肉厚で凹陥部内に延出した凸
部を備え、該凸部の稜線に対し前記凸部の側壁面の形成
方向が、 ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方向を基準として、時計
周りに＋２０°〜＋１９０°の範囲である前記側壁を有
することを特徴とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子。 - 【請求項３】 上記振動部に形成した励振用電極からの
延出したリード電極の引き回しパターンを、上記凸部の
稜線に対し前記凸部の側壁面の形成方向が、 ｘｚ'平面
内を＋ｘ軸方向を基準として、時計周りに＋２０°〜＋
１９０°の範囲である前記側壁を介して、環状囲繞部に
形成したパッド電極と接続したことを特徴とする超薄板
ＡＴカット水晶共振素子。 - 【請求項４】 薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板ＡＴカット水晶共振素
子において、凹陥内側壁の凹陥側厚肉の主面と接する辺
が、ｘｚ'平面内を＋ｘ軸方向を基準として、時計周り
に＋２０°〜＋１９０°の領域を第1領域とし、該第1領
域を除いた領域を第2領域としたとき、前記第1領域の成
分を有する辺と前記第2領域の成分を有する辺とを接続
する辺であって、該接続辺が第1領域にあることを特徴
とする超薄板ＡＴカット水晶共振素子。 - 【請求項５】 上記振動部に形成した励振用電極からの
延出したリード電極の引き回しパターンを、前記接続辺
を含む凹陥内側壁を介して、環状囲繞部に形成したパッ
ド電極と接続したことを特徴とする請求項４記載の超薄
板ＡＴカット水晶共振素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001249862A JP2003060480A (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 超薄板ａｔカット水晶共振素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001249862A JP2003060480A (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 超薄板ａｔカット水晶共振素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060480A true JP2003060480A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19078788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001249862A Pending JP2003060480A (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 超薄板ａｔカット水晶共振素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003060480A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005134364A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-05-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 角速度センサ用音叉型水晶振動子及びその製造方法 |
| JP2014531833A (ja) * | 2011-09-23 | 2014-11-27 | クアルコム，インコーポレイテッド | 組み合わされた厚み振動モードと幅振動モードを有する圧電共振器 |
| WO2023100851A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 京セラ株式会社 | 圧電振動素子及び圧電デバイス |
-
2001
- 2001-08-21 JP JP2001249862A patent/JP2003060480A/ja active Pending
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