JP2003059872A - Grinding apparatus - Google Patents

Grinding apparatus

Info

Publication number
JP2003059872A
JP2003059872A JP2001248104A JP2001248104A JP2003059872A JP 2003059872 A JP2003059872 A JP 2003059872A JP 2001248104 A JP2001248104 A JP 2001248104A JP 2001248104 A JP2001248104 A JP 2001248104A JP 2003059872 A JP2003059872 A JP 2003059872A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
suction
chuck
workpiece
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001248104A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshimitsu Goto
利光 後藤
Original Assignee
Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Syst Ltd, 株式会社ディスコ filed Critical Disco Abrasive Syst Ltd
Priority to JP2001248104A priority Critical patent/JP2003059872A/en
Publication of JP2003059872A publication Critical patent/JP2003059872A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinding apparatus having a mechanism which can properly select an attracting region, corresponding to the size of a grinding object for carrying out the grinding object. SOLUTION: This grinding apparatus has a chunk table, which can properly attract and hold grinding objects having different diameters, a grinding means which grinds the grinding object attracted and held by the chuck table, and a grinding object carry-out mechanism 40 which can attract, hold, and carry out the grinding object ground on the chuck table. The grinding object carry-out mechanism 40 has an attraction pad 44, having a plurality of attracting regions which have different diameters and are formed concentrically and an attracting means 50, which applies negative pressure to the plurality of attracting regions, and corresponding to the diameter of the grinding object, negative pressure is selectively applied to one of the plurality of attracting regions of the attraction pad 44.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チャックテーブル
上に載置され研削手段によって研削された被被加工物を
吸引保持して搬出する被加工物搬出機構を備えた研削装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a grinding apparatus provided with a workpiece unloading mechanism that sucks and holds a workpiece that is placed on a chuck table and ground by a grinding means and carries it out.

【0002】[0002]

【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体デバイス
製造工程においては、IC、LSI等の回路が複数個形
成された半導体ウエーハの裏面を研削装置によって研削
し、半導体ウエーハを薄く加工している。半導体ウエー
ハは個々の回路毎のチップに分割されて、携帯電話、パ
ソコン、スマートカード等の電気機器に広く用いられる
が、より軽量化、小型化の要求に答えるために半導体ウ
エーハは100μm以下、好ましくは50μm以下の厚
さに加工される。
As is well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, the back surface of a semiconductor wafer on which a plurality of circuits such as IC and LSI are formed is ground by a grinding machine to thinly process the semiconductor wafer. There is. The semiconductor wafer is divided into chips for each circuit and is widely used for electric devices such as mobile phones, personal computers and smart cards. To meet the demand for lighter weight and smaller size, the semiconductor wafer is 100 μm or less, preferably Is processed to a thickness of 50 μm or less.

【0003】半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置
は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チ
ャックテーブル上に吸引保持された被加工物を研削する
研削手段と、該チャックテーブル上で研削された被加工
物を吸引保持して搬出する被加工物搬出機構を具備して
いる。しかるに、半導体ウエーハは一般に直径が5イン
チ、6インチ、8インチサイズのものが用いられてお
り、1台の研削装置で各サイズの半導体ウエーハに対応
するためには、各サイズの半導体ウエーハをそれぞれ選
択的に吸引保持できるチャックテーブル機構が必要とな
る。このため、近年の研削装置においては、径の異なる
複数の吸引領域を有するチャックテーブルを備え、半導
体ウエーハのサイズに対応して吸引領域を適宜選択可能
に構成されている。
A grinding apparatus for grinding the back surface of a semiconductor wafer includes a chuck table for sucking and holding a work piece, a grinding means for grinding the work piece sucked and held on the chuck table, and grinding on the chuck table. It is equipped with a workpiece unloading mechanism that suctions and holds the processed workpiece and carries it out. However, semiconductor wafers having diameters of 5 inches, 6 inches, and 8 inches are generally used, and in order to handle semiconductor wafers of each size with one grinding machine, each semiconductor wafer of each size is used. A chuck table mechanism that can selectively suck and hold is required. For this reason, recent grinding machines are provided with a chuck table having a plurality of suction regions having different diameters, and the suction regions can be appropriately selected according to the size of the semiconductor wafer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】而して、チャックテー
ブル上で研削された半導体ウエーハは、その表面を吸着
保持する吸着パッドを有する搬出機構によって搬出され
る。この半導体ウエーハの搬出時に吸着パッドで吸引保
持された薄い半導体ウエーハが割れないようにするため
には、半導体ウエーハの全面を吸着パッドで吸引保持す
る必要がある。しかるに、サイズの異なる半導体ウエー
ハを研削する場合には、研削する半導体ウエーハのサイ
ズに対応して搬出機構の吸着パッドをその都度交換する
必要があり、その交換作業が面倒であるとともに、生産
効率が低下する原因となる。なお、サイズの異なる半導
体ウエーハがランダムにチャックテーブルに供給される
場合には、その都度吸着パッドを交換する余裕がなく、
吸着不良を回避するためにサイズの小さい半導体ウエー
ハに対応した吸着パッドを用いると、サイズの大きい半
導体ウエーハを吸着保持する際に半導体ウエーハを損傷
させるという問題がある。
The semiconductor wafer ground on the chuck table is carried out by a carry-out mechanism having a suction pad that holds the surface of the semiconductor wafer by suction. In order to prevent the thin semiconductor wafer sucked and held by the suction pad from being broken when the semiconductor wafer is unloaded, the entire surface of the semiconductor wafer needs to be sucked and held by the suction pad. However, when grinding semiconductor wafers of different sizes, it is necessary to change the suction pad of the carry-out mechanism each time according to the size of the semiconductor wafer to be ground, which is troublesome and the production efficiency is high. It causes a drop. When semiconductor wafers of different sizes are randomly supplied to the chuck table, there is no room to replace the suction pad each time,
If a suction pad corresponding to a small-sized semiconductor wafer is used in order to avoid suction failure, there is a problem that the semiconductor wafer is damaged when the large-sized semiconductor wafer is suction-held.

【0005】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、研削する被加工物のサイ
ズに対応して吸引領域を適宜選択することができる被加
工物搬出機構を備えた研削装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to provide a workpiece unloading mechanism capable of appropriately selecting a suction region in accordance with the size of the workpiece to be ground. To provide a grinding machine.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、径の異なる被加工物を適
宜吸引保持可能なチャックテーブルと、該チャックテー
ブル上に吸引保持された被加工物を研削する研削手段
と、該チャックテーブル上で研削された被加工物を吸引
保持して搬出する被加工物搬出機構と、を具備する研削
装置において、該被加工物搬出機構は、同心円状に形成
された径の異なる複数の吸引領域を有する吸着パッド
と、該複数の吸引領域に負圧を作用せしめる吸引手段と
を具備し、被加工物の径に対応して該吸着パッドの該複
数の吸引領域に選択的に負圧を作用せしめるように構成
されている、ことを特徴とする研削装置が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problems, according to the present invention, a chuck table capable of appropriately suction-holding workpieces having different diameters, and a workpiece suction-held on the chuck table. In a grinding apparatus including a grinding means for grinding a workpiece and a workpiece unloading mechanism for sucking and holding the workpiece ground on the chuck table, the workpiece unloading mechanism includes concentric circles. A suction pad having a plurality of suction regions having different diameters and a suction means for exerting a negative pressure on the plurality of suction regions, and the suction pad of the suction pad corresponding to the diameter of the workpiece is provided. A grinding device is provided, which is configured to selectively apply a negative pressure to a plurality of suction regions.

【0007】上記吸引手段は、上記複数の吸引領域にそ
れぞれ連通する複数の配管と、該複数の配管に接続され
た吸引源と、該複数の配管にそれぞれ配設された開閉弁
とを具備している。また、本発明によれば、上記複数の
吸引領域に適宜圧縮空気を供給する圧縮空気供給手段を
具備している研削装置が提供される。更に、本発明によ
れば、上記吸着パッドの移動経路上に上記吸着パッドを
洗浄する洗浄手段が配置されている研削装置が提供され
る。
The suction means comprises a plurality of pipes respectively communicating with the plurality of suction regions, a suction source connected to the plurality of pipes, and an on-off valve arranged in each of the plurality of pipes. ing. Further, according to the present invention, there is provided a grinding device provided with a compressed air supply means for appropriately supplying compressed air to the plurality of suction regions. Further, according to the present invention, there is provided a grinding device in which a cleaning means for cleaning the suction pad is arranged on the moving path of the suction pad.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照し
て詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a grinding machine constructed according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0009】図1には本発明に従って構成された被加工
物搬出機構を備えた研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置
ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の図1
において右上端には、静止支持板4が立設されている。
この静止支持板4の内側面には、上下方向に延びる2対
の案内レール6、6および8、8が設けられている。一
方の案内レール6、6には荒研削手段としての荒研削ユ
ニット10が上下方向に移動可能に装着されており、他
方の案内レール8、8には仕上げ研削手段としての仕上
げ研削ユニット12が上下方向に移動可能に装着されて
いる。
FIG. 1 is a perspective view of a grinding apparatus equipped with a workpiece unloading mechanism constructed according to the present invention.
The grinding device in the illustrated embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped device housing 2. Figure 1 of device housing 2
A stationary support plate 4 is erected at the upper right end of the.
On the inner side surface of the stationary support plate 4, two pairs of guide rails 6, 6 and 8, 8 extending in the vertical direction are provided. A rough grinding unit 10 as a rough grinding means is movably mounted on one of the guide rails 6 and 6 in the vertical direction, and a finish grinding unit 12 as a finish grinding means is vertically mounted on the other guide rails 8, 8. It is mounted so that it can move in any direction.

【0010】荒研削ユニット10は、ユニットハウジン
グ101と、該ユニットハウジング101の下端に回転
自在に装着された研削ホイール102と、該ユニットハ
ウジング101の上端に装着され研削ホイール102を
矢印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構103
と、ユニットハウジング101を装着した移動基台10
4とを具備している。移動基台104には被案内レール
105、105が設けられており、この被案内レール1
05、105を上記静止支持板4に設けられた案内レー
ル6、6に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニ
ット10が上下方向に移動可能に支持される。図示の形
態における荒研削ユニット10は、上記移動基台104
を案内レール6、6に沿って移動させ研削ホイール10
2の切り込み深さを調整する送り機構11を具備してい
る。送り機構11は、上記静止支持板4に案内レール
6、6と平行に上下方向に配設され回転可能に支持され
た雄ねじロッド111と、該雄ねじロッド111を回転
駆動するためのパルスモータ112と、上記移動基台1
04に装着され雄ねじロッド111と螺合する図示しな
い雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ112
によって雄ねじロッド111を正転および逆転駆動する
ことにより、荒研削ユニット10を上下方向に移動せし
める。
The rough grinding unit 10 includes a unit housing 101, a grinding wheel 102 rotatably mounted on the lower end of the unit housing 101, and a grinding wheel 102 mounted on the upper end of the unit housing 101 in a direction indicated by an arrow. Rotation drive mechanism 103 that can be rotated
And the moving base 10 on which the unit housing 101 is mounted
4 and. Guide rails 105, 105 are provided on the moving base 104.
The rough grinding unit 10 is movably supported in the vertical direction by movably fitting the guide rails 05 and 105 to the guide rails 6 and 6 provided on the stationary support plate 4. The rough grinding unit 10 in the illustrated form is the moving base 104.
To move along the guide rails 6, 6
A feed mechanism 11 for adjusting the cutting depth of 2 is provided. The feed mechanism 11 includes a male screw rod 111 that is rotatably supported on the stationary support plate 4 in parallel with the guide rails 6 and 6 in a vertical direction, and a pulse motor 112 that drives the male screw rod 111 to rotate. , The moving base 1
04 has a female screw block (not shown) that is screwed into the male screw rod 111 and is screwed to the male screw rod 111.
The rough grinding unit 10 is moved in the vertical direction by driving the male screw rod 111 in the normal and reverse directions.

【0011】上記仕上げ研削ユニット12も荒研削ユニ
ット10と同様に構成されており、ユニットハウジング
121と、該ユニットハウジング121の下端に回転自
在に装着された研削ホイール122と、該ユニットハウ
ジング121の上端に装着され研削ホイール122を矢
印で示す方向に回転せしめられる回転駆動機構123
と、ユニットハウジング121を装着した移動基台12
4とを具備している。移動基台124には被案内レール
125、125が設けられており、この被案内レール1
25、125を上記静止支持板4に設けられた案内レー
ル8、8に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削
ユニット12が上下方向に移動可能に支持される。図示
の形態における仕上げ研削ユニット12は、上記移動基
台124を案内レール8、8に沿って移動させ研削ホイ
ール122の切り込み深さを調整する送り機構13を具
備している。この送り機構13は、上記送り手段11と
実質的に同じ構成である。即ち、送り機構13は、上記
静止支持板4に案内レール6、6と平行に上下方向に配
設され回転可能に支持された雄ねじロッド131と、該
雄ねじロッド131を回転駆動するためのパルスモータ
132と、上記移動基台124に装着され雄ねじロッド
131と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備して
おり、パルスモータ132によって雄ねじロッド121
を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニ
ット12を上下方向に移動せしめる。
The finish grinding unit 12 is also constructed similarly to the rough grinding unit 10, and includes a unit housing 121, a grinding wheel 122 rotatably mounted on the lower end of the unit housing 121, and an upper end of the unit housing 121. Attached to the rotary drive mechanism 123 for rotating the grinding wheel 122 in the direction indicated by the arrow.
And the moving base 12 equipped with the unit housing 121
4 and. Guide rails 125 and 125 are provided on the moving base 124.
The finishing grinding unit 12 is movably supported in the vertical direction by movably fitting the guide rails 8 and 8 provided on the stationary support plate 4 with 25 and 125. The finish grinding unit 12 in the illustrated embodiment includes a feed mechanism 13 that moves the moving base 124 along the guide rails 8 and 8 to adjust the cutting depth of the grinding wheel 122. The feed mechanism 13 has substantially the same configuration as the feed means 11. That is, the feed mechanism 13 includes a male screw rod 131 rotatably supported on the stationary support plate 4 in the vertical direction in parallel with the guide rails 6, 6, and a pulse motor for rotationally driving the male screw rod 131. 132 and a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 124 and screwed with the male screw rod 131. The male screw rod 121 is driven by the pulse motor 132.
The normal grinding and reverse rotation drives the finishing grinding unit 12 in the vertical direction.

【0012】図示の実施形態における研削装置は、上記
静止支持板4の前側において装置ハウジング2の上面と
略面一となるように配設されたターンテーブル15を具
備している。このターンテーブル15は、比較的大径の
円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によ
って矢印15aで示す方向に適宜回転せしめられる。タ
ーンテーブル15には、図示の実施形態の場合それぞれ
120度の位相角をもって3個のチャックテーブル20
が水平面内で回転可能に配置されている。このチャック
テーブル20は、図2に示すように円盤状の基台21と
円盤状の吸着保持チャック22とからなっている。基台
21は適宜の金属材によって構成され、同心円状に形成
された径の異なる環状の仕切り壁211および212に
よって区画され上方が開放された円形状の凹部213と
環状凹部214および環状凹部215を備えている。従
って、円形状の凹部213と環状凹部214および環状
凹部215は、上記環状の仕切り壁211および212
によってそれぞれ独立せしめられ同心円状に形成されて
いる。このように独立して形成された円形状の凹部21
3と環状凹部214および環状凹部215は、それぞれ
基台21に設けられた連通路216、217および21
8と連通しており、それぞれ配管241、242および
243を介してバキュームタンク等の吸引源25に接続
されている。なお、配管241、242および243に
はそれぞれ常閉型の電磁開閉弁261、262および2
63が配設されており、図示しない制御手段によって開
閉制御される。電磁開閉弁261が付勢されると円形状
の凹部213が吸引源25と連通し、電磁開閉弁262
が付勢されると環状凹部214が吸引源25と連通し、
電磁開閉弁263が付勢されると環状凹部215が吸引
源25と連通せしめられる。従って、上記配管241、
242、243、電磁開閉弁261、262、263、
吸引源25は、複数の吸引領域に負圧を作用せしめる吸
引手段として機能する。
The grinding machine in the illustrated embodiment comprises a turntable 15 which is arranged on the front side of the stationary support plate 4 so as to be substantially flush with the upper surface of the machine housing 2. The turntable 15 is formed in a disk shape having a relatively large diameter, and is appropriately rotated in a direction indicated by an arrow 15a by a rotation driving mechanism (not shown). In the illustrated embodiment, the turntable 15 has three chuck tables 20 each having a phase angle of 120 degrees.
Are rotatably arranged in a horizontal plane. As shown in FIG. 2, the chuck table 20 includes a disk-shaped base 21 and a disk-shaped suction holding chuck 22. The base 21 is made of an appropriate metal material, and has a circular recess 213, an annular recess 214, and an annular recess 215 which are partitioned by annular partition walls 211 and 212 formed in a concentric shape and having different diameters and which are open upward. I have it. Therefore, the circular recess 213, the annular recess 214, and the annular recess 215 form the annular partition walls 211 and 212.
Are made independent of each other and are formed in concentric circles. The circular recess 21 formed independently in this way
3 and the annular recess 214 and the annular recess 215 are respectively connected to the communication paths 216, 217 and 21 provided in the base 21.
8 and is connected to a suction source 25 such as a vacuum tank via pipes 241, 242 and 243, respectively. It should be noted that the pipes 241, 242 and 243 respectively have normally-closed electromagnetic open / close valves 261, 262 and 2 respectively.
63 is provided and is controlled to be opened / closed by control means (not shown). When the electromagnetic opening / closing valve 261 is energized, the circular recess 213 communicates with the suction source 25, and the electromagnetic opening / closing valve 262 is opened.
Is pressed, the annular recess 214 communicates with the suction source 25,
When the electromagnetic opening / closing valve 263 is energized, the annular recess 215 is brought into communication with the suction source 25. Therefore, the pipe 241,
242, 243, electromagnetic on-off valves 261, 262, 263,
The suction source 25 functions as a suction unit that applies a negative pressure to the plurality of suction regions.

【0013】チャックテーブル20を構成する吸着保持
チャック22は、基台21に形成された円形状の凹部2
13と環状凹部214および環状凹部215にそれぞれ
嵌合される円盤状のポーラスセラミック部材221と環
状のポーラスセラミック部材222および223とから
なっており、全体として円盤状をなしている。上述した
円形状の凹部213、環状凹部214、215を備えた
基台21と円盤状のポーラスセラミック部材221、環
状のポーラスセラミック部材222、223とからなる
チャックテーブル20は、同心円状に形成され径が異な
る複数(図示の実施形態においては3個)の吸引領域を
有する。なお、上記円形状の凹部213と円盤状のポー
ラスセラミック部材221とによって構成される吸引領
域は、直径が5インチの半導体ウエーハに対応した大き
さに設定されている。また、上記円形状の凹部213お
よび環状凹部214と円盤状のポーラスセラミック部材
221および環状のポーラスセラミック部材222とに
よって構成される吸引領域は、直径が6インチの半導体
ウエーハに対応した大きさに設定されている。更に、上
記円形状の凹部213、環状凹部214、215と円盤
状のポーラスセラミック部材221、環状のポーラスセ
ラミック部材222および223とによって構成される
吸引領域は、直径が8インチの半導体ウエーハに対応し
た大きさに設定されている。このように構成されたチャ
ックテーブル20は、図1に示すように図示しない回転
駆動機構によって矢印15aで示す方向に回転せしめら
れる。ターンテーブル15に配設された3個のチャック
テーブル20は、ターンテーブル15が適宜回転するこ
とにより被加工物搬入・搬出域A、荒研削加工域B、お
よび仕上げ研削加工域Cおよび被加工物搬入・搬出域A
に順次移動せしめられる。
A suction holding chuck 22 constituting the chuck table 20 has a circular recess 2 formed in a base 21.
13 and the annular concave portion 214 and the annular concave portion 215, which are respectively fitted into the disk-shaped porous ceramic member 221 and the annular porous ceramic members 222 and 223, and have a disk shape as a whole. The chuck table 20 including the above-described base 21 having the circular recess 213, the annular recesses 214 and 215, the disk-shaped porous ceramic member 221, and the annular porous ceramic members 222 and 223 is concentrically formed and has a diameter. Has a plurality of (three in the illustrated embodiment) suction regions. The suction area formed by the circular recess 213 and the disk-shaped porous ceramic member 221 is set to have a size corresponding to a semiconductor wafer having a diameter of 5 inches. The suction region formed by the circular recess 213 and the annular recess 214, the disk-shaped porous ceramic member 221, and the annular porous ceramic member 222 is set to a size corresponding to a semiconductor wafer having a diameter of 6 inches. Has been done. Further, the suction region constituted by the circular recess 213, the annular recesses 214 and 215, the disk-shaped porous ceramic member 221, and the annular porous ceramic members 222 and 223 corresponds to a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches. It is set to the size. The chuck table 20 configured as described above is rotated in the direction indicated by an arrow 15a by a rotation drive mechanism (not shown) as shown in FIG. The three chuck tables 20 arranged on the turntable 15 include a workpiece loading / unloading area A, a rough grinding processing area B, a finish grinding processing area C, and a workpiece by appropriately rotating the turntable 15. Loading / unloading area A
Can be moved to.

【0014】図示の研削装置は、被加工物搬入・搬出域
Aに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物であ
る半導体ウエーハをストックする第1のカセット31
と、被加工物搬入・搬出域Aに対して他方側に配設され
研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストック
する第2のカセット32と、第1のカセット31と被加
工物搬入・搬出域Aとの間に設けられた被加工物載置部
33と、被加工物搬入・搬出域Aと第2のカセット32
との間に配設された洗浄手段34と、第1のカセット3
1内に収納された被加工物である半導体ウエーハを被加
工物載置部33に搬出するとともに洗浄手段34で洗浄
された半導体ウエーハを第2のカセット32に搬送する
被加工物搬送手段35と、被加工物載置部33上に載置
された半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Aに位置
付けられたチャックテーブル20上に搬送する被加工物
搬入手段36と、被加工物搬入・搬出域Aに位置付けら
れたチャックテーブル20上に載置されている研削加工
後の半導体ウエーハを洗浄手段34に搬送する被加工物
搬出手段40と、該被加工物搬出手段40における後述
する吸着パッドの移動経路上に配置された吸着パッド洗
浄手段60を具備している。
The grinding apparatus shown in the drawing is a first cassette 31 which is arranged on one side of the work-piece carrying-in / carrying-out area A and stocks a semiconductor wafer which is a work piece before grinding.
And a second cassette 32 for stocking a semiconductor wafer which is a workpiece after grinding, which is arranged on the other side of the workpiece loading / unloading area A, the first cassette 31, and the workpiece loading. -Workpiece loading portion 33 provided between the carry-out area A, the work-piece carry-in / carry-out area A and the second cassette 32
Cleaning means 34 disposed between the first cassette 3 and the cleaning means 34.
A semiconductor wafer, which is a workpiece housed in the workpiece 1, is carried out to the workpiece mounting portion 33, and a semiconductor wafer cleaned by the cleaning means 34 is transferred to the second cassette 32; , A work piece carry-in means 36 for carrying the semiconductor wafer placed on the work piece placing part 33 onto the chuck table 20 positioned in the work piece carry-in / carry-out area A, and a work piece carry-in / carry-out A work piece carry-out means 40 for carrying the ground semiconductor wafer placed on the chuck table 20 positioned in the area A to the cleaning means 34, and a suction pad of the work piece carry-out means 40 to be described later. The suction pad cleaning means 60 arranged on the moving path is provided.

【0015】次に、被加工物搬出手段40について図1
と図2および図3を参照して説明する。図示の実施形態
における被加工物搬出手段40は、L字状の作動アーム
41を備えている。このL字状の作動アーム41は垂直
部411と水平部412をからなっており、垂直部41
1の下端が昇降機構42に連結されている。昇降機構4
2は例えばエアピストン等からなっており、作動アーム
41を図2において矢印40aで示すように上下方向に
作動せしめる。また、作動アーム41の垂直部411と
連結した昇降手段42は、正転・逆転可能な電動モータ
を含む作動機構43に連結されている。従って、作動機
構43を正転方向または逆転方向に駆動することによ
り、作動アーム41は垂直部411を中心として図1に
おいて矢印40bで示す方向に揺動せしめられる。この
結果、作動アーム41の水平部412は水平面内で作動
せしめられ、この水平部412の先端部に装着される後
述する吸着パッド44が水平面内で作動せしめられる。
なお、上記昇降機構42および作動機構43は、図示し
ない制御手段によって制御される。
Next, the workpiece carrying-out means 40 is shown in FIG.
Will be described with reference to FIGS. 2 and 3. The workpiece unloading means 40 in the illustrated embodiment includes an L-shaped actuating arm 41. The L-shaped actuating arm 41 includes a vertical portion 411 and a horizontal portion 412.
The lower end of 1 is connected to the lifting mechanism 42. Lifting mechanism 4
Reference numeral 2 is, for example, an air piston or the like, and operates the actuating arm 41 in the vertical direction as indicated by an arrow 40a in FIG. Further, the elevating means 42 connected to the vertical portion 411 of the operation arm 41 is connected to the operation mechanism 43 including an electric motor capable of forward / reverse rotation. Therefore, by driving the actuating mechanism 43 in the forward or reverse direction, the actuating arm 41 is swung in the direction indicated by the arrow 40b in FIG. 1 about the vertical portion 411. As a result, the horizontal portion 412 of the operating arm 41 is operated in the horizontal plane, and the suction pad 44, which will be described later, attached to the tip of the horizontal portion 412 is operated in the horizontal plane.
The elevating mechanism 42 and the operating mechanism 43 are controlled by a control means (not shown).

【0016】上記作動アーム41の水平部412の先端
部に装着される吸着パッド44は、図2および図3に示
すように円盤状の基台45とパッド46とからなってい
る。基台45は適宜の金属材によって構成され、その上
面中央部には支持軸部45aが突出して形成されてお
り、この支持軸部45aが作動アーム41を構成する水
平部412の先端部に装着される。支持軸部45aの上
端には係止部45bが設けられており、この係止部45
bが水平部412に形成された係合部413と係合する
ようになっている。なお、基台45の上面と作動アーム
41を構成する水平部412との間には圧縮コイルばね
47が配設され、基台45を下方に向けて付勢してい
る。
The suction pad 44 mounted on the tip of the horizontal portion 412 of the operating arm 41 comprises a disc-shaped base 45 and a pad 46 as shown in FIGS. The base 45 is made of an appropriate metal material, and a support shaft portion 45a is formed so as to project at the center of the upper surface of the base 45. The support shaft portion 45a is attached to the tip of the horizontal portion 412 forming the operation arm 41. To be done. A locking portion 45b is provided on the upper end of the support shaft portion 45a.
b is engaged with an engaging portion 413 formed on the horizontal portion 412. A compression coil spring 47 is arranged between the upper surface of the base 45 and the horizontal portion 412 forming the operation arm 41, and biases the base 45 downward.

【0017】吸着パッド44を構成する基台45は、上
記チャックテーブル20を構成する基台21と略同一の
外径を有しており、同心円状に形成された径の異なる環
状の仕切り壁451および452によって区画され下方
が開放された円形状の凹部453と環状凹部454およ
び環状凹部455を備えている。従って、円形状の凹部
453と環状凹部454および環状凹部455は、上記
環状の仕切り壁451および452によってそれぞれ独
立せしめられ同心円状に形成されている。なお、環状の
仕切り壁451および452の径は、上記チャックテー
ブル20を構成する基台21に設けられた環状の仕切り
壁211および212を同一寸法に形成されている。こ
のように基台45に形成された円形状の凹部453は、
支持軸部45aに設けられた連通路456を介して作動
アーム41内に配設されたフレキシブルパイプ等の配管
481に接続されている。また、基台45に形成された
環状凹部454および環状凹部455は、それぞれ連通
路457および458を介してフレキシブルパイプ等の
配管482および483に接続されている。
The base 45 constituting the suction pad 44 has an outer diameter substantially the same as that of the base 21 constituting the chuck table 20, and is formed as a concentric circular partition wall 451 having a different diameter. And a circular recess 453, which is divided by 452 and whose lower side is open, an annular recess 454, and an annular recess 455. Therefore, the circular concave portion 453, the annular concave portion 454, and the annular concave portion 455 are formed as concentric circles by being made independent by the annular partition walls 451 and 452, respectively. The diameters of the annular partition walls 451 and 452 are the same as those of the annular partition walls 211 and 212 provided on the base 21 that constitutes the chuck table 20. The circular recess 453 formed on the base 45 in this way is
It is connected to a pipe 481 such as a flexible pipe arranged in the operation arm 41 via a communication passage 456 provided in the support shaft portion 45a. The annular recess 454 and the annular recess 455 formed on the base 45 are connected to pipes 482 and 483 such as flexible pipes through communication passages 457 and 458, respectively.

【0018】上記配管481、482、483は作動ア
ーム41の垂直部411を通して配設され、それぞれ配
管491、492、493を介してバキュームタンク等
の吸引源50に接続されている。なお、配管491、4
92および493にはそれぞれ常閉型の電磁開閉弁50
1、502および503配設されており、図示しない制
御手段によって開閉制御される。電磁開閉弁501が付
勢されると配管491、配管481および連通路456
を介して円形状の凹部453が吸引源50と連通し、電
磁開閉弁502が付勢されると配管492、配管482
および連通路457を介して環状凹部454が吸引源5
0と連通し、電磁開閉弁503が付勢されると配管49
3、配管483および連通路458を介して環状凹部4
55が吸引源50と連通せしめられる。従って、上記配
管481、482、483、配管491、492、49
3、電磁開閉弁501、502、503、吸引源50
は、吸着パッドの複数の吸引領域に負圧を作用せしめる
吸引手段として機能する。
The pipes 481, 482 and 483 are arranged through the vertical portion 411 of the operating arm 41, and are connected to the suction source 50 such as a vacuum tank via the pipes 491, 492 and 493, respectively. The pipes 491, 4
92 and 493 are normally closed solenoid on-off valves 50, respectively.
1, 502, and 503 are provided, and opening / closing is controlled by control means (not shown). When the electromagnetic opening / closing valve 501 is energized, the pipe 491, the pipe 481 and the communication passage 456 are provided.
The circular recess 453 communicates with the suction source 50 via the pipe, and when the electromagnetic opening / closing valve 502 is energized, the pipe 492 and the pipe 482 are connected.
The annular recess 454 is connected to the suction source 5 via the communication passage 457.
0 and the solenoid valve 503 is energized, the piping 49
3, the annular recess 4 via the pipe 483 and the communication passage 458.
55 is brought into communication with the suction source 50. Therefore, the pipes 481, 482, 483 and the pipes 491, 492, 49
3, electromagnetic on-off valves 501, 502, 503, suction source 50
Functions as a suction unit that applies a negative pressure to the plurality of suction regions of the suction pad.

【0019】また、上記配管491、492、493に
はそれぞれ配管511、512、513が接続され、こ
の配管511、512、513はエアータンク等の圧縮
空気源52に接続されている。なお、配管511、51
2および513にはそれぞれ常閉型の電磁開閉弁52
1、522および523配設されており、図示しない制
御手段によって開閉制御される。電磁開閉弁521が付
勢されると配管511、配管491、配管481および
連通路456を介して円形状の凹部453が圧縮空気源
52と連通し、電磁開閉弁522が付勢されると配管5
12、配管492、配管482および連通路457を介
して環状凹部454が圧縮空気源52と連通し、電磁開
閉弁523が付勢されると配管513、配管493、配
管483および連通路458を介して環状凹部455が
圧縮空気源52と連通せしめられる。従って、上記配管
481、482、483、配管491、492、49
3、電磁開閉弁521、522、523、圧縮空気源5
2は、吸着パッドの複数の吸引領域に適宜圧縮空気を供
給する圧縮空気供給手段として機能する。
Pipes 511, 512, 513 are connected to the pipes 491, 492, 493, respectively, and the pipes 511, 512, 513 are connected to a compressed air source 52 such as an air tank. In addition, the pipes 511, 51
2 and 513 each have a normally closed solenoid valve 52
1, 522 and 523 are provided and are controlled to be opened / closed by control means (not shown). When the electromagnetic on-off valve 521 is energized, the circular recess 453 communicates with the compressed air source 52 via the pipe 511, the pipe 491, the pipe 481 and the communication passage 456, and when the electromagnetic on-off valve 522 is energized, the pipe 5
12, the annular recess 454 communicates with the compressed air source 52 through the pipe 492, the pipe 482, and the communication passage 457, and when the electromagnetic opening / closing valve 523 is energized, the pipe 513, the pipe 493, the pipe 483, and the communication passage 458. The annular recess 455 is brought into communication with the compressed air source 52. Therefore, the pipes 481, 482, 483 and the pipes 491, 492, 49
3, solenoid on-off valves 521, 522, 523, compressed air source 5
Reference numeral 2 functions as a compressed air supply unit that appropriately supplies compressed air to the plurality of suction regions of the suction pad.

【0020】吸着パッド44を構成するパッド46は、
基台45に形成された円形状の凹部453と環状凹部4
54および環状凹部455にそれぞれ嵌合される円盤状
のポーラスセラミック部材461と環状のポーラスセラ
ミック部材462および463とからなっており、全体
として円盤状をなしている。このように円盤状のポーラ
スセラミック部材461、環状のポーラスセラミック部
材462、463を備えたパッド46と上記円形状の凹
部453、環状凹部454、456を備えた基台45と
からなる吸着パッド44は、図2および図3に示すよう
に同心円状に形成され径が異なる複数(図示の実施形態
においては3個)の吸引領域を有する。なお、円形状の
凹部453と円盤状のポーラスセラミック部材461と
によって形成される吸引領域は、上記チャックテーブル
20の円形状の凹部213と円盤状のポーラスセラミッ
ク部材221とによって形成される吸引領域と対応する
大きさに構成されている。また、上記環状凹部454と
環状のポーラスセラミック部材462とによって形成さ
れる吸引領域および環状凹部455と環状のポーラスセ
ラミック部材463とによって形成される吸引領域は、
それぞれ上記チャックテーブル20の環状凹部214と
環状のポーラスセラミック部材222とによって形成さ
れる吸引領域および環状凹部215と環状のポーラスセ
ラミック部材223とによって形成される吸引領域と対
応する大きさに構成されている。
The pad 46 constituting the suction pad 44 is
Circular recess 453 and annular recess 4 formed on the base 45
54 and a ring-shaped concave portion 455, each of which is made up of a disk-shaped porous ceramic member 461 and ring-shaped porous ceramic members 462 and 463, and has a disk shape as a whole. As described above, the suction pad 44 including the pad 46 including the disk-shaped porous ceramic member 461 and the annular porous ceramic members 462 and 463 and the base 45 including the circular recess 453 and the annular recesses 454 and 456 is As shown in FIGS. 2 and 3, there are a plurality of (three in the illustrated embodiment) suction regions that are concentrically formed and have different diameters. The suction area formed by the circular recess 453 and the disk-shaped porous ceramic member 461 is the suction area formed by the circular recess 213 of the chuck table 20 and the disk-shaped porous ceramic member 221. It is configured to the corresponding size. The suction area formed by the annular recess 454 and the annular porous ceramic member 462 and the suction area formed by the annular recess 455 and the annular porous ceramic member 463 are:
The chuck table 20 has a size corresponding to the suction area formed by the annular recess 214 and the annular porous ceramic member 222 and the suction area formed by the annular recess 215 and the annular porous ceramic member 223, respectively. There is.

【0021】次に、上述した被加工物搬出手段40にお
ける吸着パッド44の移動経路上に配置される吸着パッ
ド洗浄手段60について図4を参照して説明する。図示
の実施形態のおける吸着パッド洗浄手段60は、洗浄ハ
ウジング61と、該洗浄ハウジング内に回転可能に配設
された回転軸の外周にブラシが植毛された円柱状の洗浄
ブラシ62と、該洗浄ブラシ61の下側に配設され回転
軸の外周にブラシが植毛された円柱状のブラシ洗浄ブラ
シ63と、洗浄ブラシ62と平行に配設された矩形平板
状の研削砥石64とを具備している。洗浄ブラシ62と
ブラシ洗浄ブラシ63は、図示しない回転駆動手段によ
って互いに同方向に回転せしめられる。また、研削砥石
64は、図示しない揺動駆動手段によって洗浄ブラシ6
1の軸方向に往復動せしめられるようになっている。な
お、図示の実施形態のおける吸着パッド洗浄手段60
は、上記洗浄ブラシ62および研削砥石64に洗浄液を
供給する3本の洗浄液噴射ノズル651、652、65
3を備えた洗浄液供給手段65を具備している。このよ
うに構成された吸着パッド洗浄手段60は、図1に示す
ように装置ハウジング2における被加工物搬入・搬出域
Aと洗浄手段34間の吸着パッド44の移動経路上に配
設されている。
Next, the suction pad cleaning means 60 arranged on the moving path of the suction pad 44 in the workpiece unloading means 40 will be described with reference to FIG. The suction pad cleaning means 60 in the illustrated embodiment includes a cleaning housing 61, a cylindrical cleaning brush 62 in which brushes are planted on the outer periphery of a rotation shaft rotatably disposed in the cleaning housing, and the cleaning. A brush cleaning brush 63 having a cylindrical shape, which is disposed below the brush 61 and has brushes implanted on the outer circumference of the rotating shaft, and a rectangular flat plate-shaped grinding wheel 64 disposed in parallel with the cleaning brush 62 are provided. There is. The cleaning brush 62 and the brush cleaning brush 63 are rotated in the same direction by a rotation driving means (not shown). In addition, the grinding wheel 64 uses the swing drive means (not shown) to clean the cleaning brush 6
1 can be reciprocated in the axial direction. The suction pad cleaning means 60 in the illustrated embodiment
Are three cleaning liquid jet nozzles 651, 652, 65 for supplying the cleaning liquid to the cleaning brush 62 and the grinding wheel 64.
3 is provided with a cleaning liquid supply means 65. The suction pad cleaning means 60 configured as described above is arranged on the movement path of the suction pad 44 between the workpiece loading / unloading area A in the apparatus housing 2 and the cleaning means 34 as shown in FIG. .

【0022】図示の実施形態における研削装置は以上の
ように構成されており、以下その作用について説明す
る。先ず、上述した研削装置の加工処理動作について簡
単に説明する。第1のカセット31に収容された研削加
工前の被加工物である半導体ウエーハは被加工物搬送手
段35の上下動作および進退動作により搬送され、被加
工物載置部33に載置され6本のピン331の中心に向
かう径方向運動により中心合わせされる。被加工物載置
部33に載置され中心合わせされた半導体ウエーハは、
被加工物搬入手段36の旋回動作によって被加工物搬入
・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル20上に
載置される。図2を参照して説明すると、このとき、半
導体ウエーハのサイズが5インチの場合はチャックテー
ブル20を構成する吸着保持チャック22の円盤状のポ
ーラスセラミック部材221上に載置し、半導体ウエー
ハのサイズが6インチの場合は円盤状のポーラスセラミ
ック部材221および環状のポーラスセラミック部材2
22上に載置し、半導体ウエーハのサイズが8インチの
場合は円盤状のポーラスセラミック部材221と環状の
ポーラスセラミック部材222および223上に載置す
る。チャックテーブル20上に半導体ウエーハが載置さ
れたならば、チャックテーブル20上に載置された半導
体ウエーハのサイズに対応して上記電磁開閉弁261、
262、263を付勢(ON)する。即ち、半導体ウエ
ーハのサイズが5インチの場合は電磁開閉弁261を付
勢(ON)し、半導体ウエーハのサイズが6インチの場
合は電磁開閉弁261と262を付勢(ON)し、半導
体ウエーハのサイズが8インチの場合は電磁開閉弁26
1と262および263を付勢(ON)する。この結
果、それぞれチャックテーブル20上に載置された半導
体ウエーハのサイズに対応した領域の凹部213、21
4、215が吸引源25と連通せしめられ、半導体ウエ
ーハを吸着保持チャック22上に吸引保持することがで
きる。そして、ターンテーブル15を図示しない回転駆
動機構によって矢印15aで示す方向に120度回動せ
しめて、半導体ウエーハを載置したチャックテーブル2
0を荒研削加工域Bに位置付ける。
The grinding apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and its operation will be described below. First, the processing operation of the above-described grinding device will be briefly described. The semiconductor wafer, which is the workpiece to be ground and is not yet ground, accommodated in the first cassette 31 is transported by the vertical movement and the forward / backward movement of the workpiece transfer means 35, and is placed on the workpiece mounting portion 33 to place six pieces. Centered by radial movement towards the center of the pin 331. The semiconductor wafer placed on the workpiece placing portion 33 and centered is
By the turning operation of the workpiece carry-in means 36, the workpiece is placed on the chuck table 20 positioned in the workpiece carry-in / carry-out area A. Referring to FIG. 2, at this time, when the size of the semiconductor wafer is 5 inches, the size of the semiconductor wafer is set on the disk-shaped porous ceramic member 221 of the suction holding chuck 22 constituting the chuck table 20. 6 inches, the disk-shaped porous ceramic member 221 and the annular porous ceramic member 2
22. When the size of the semiconductor wafer is 8 inches, it is placed on the disk-shaped porous ceramic member 221 and the annular porous ceramic members 222 and 223. When the semiconductor wafer is placed on the chuck table 20, the electromagnetic opening / closing valve 261 is corresponding to the size of the semiconductor wafer placed on the chuck table 20,
262 and 263 are energized (ON). That is, when the size of the semiconductor wafer is 5 inches, the electromagnetic on-off valve 261 is energized (ON), and when the size of the semiconductor wafer is 6 inches, the electromagnetic on-off valves 261 and 262 are energized (ON). Solenoid valve 26 when the size is 8 inches
1 and 262 and 263 are energized (ON). As a result, the recesses 213 and 21 in the regions corresponding to the sizes of the semiconductor wafers placed on the chuck table 20 are formed.
4, 215 are connected to the suction source 25 so that the semiconductor wafer can be suction-held on the suction-holding chuck 22. Then, the turntable 15 is rotated by 120 degrees in a direction indicated by an arrow 15a by a rotation drive mechanism (not shown), and the chuck table 2 on which the semiconductor wafer is mounted.
Position 0 in the rough grinding area B.

【0023】半導体ウエーハを載置したチャックテーブ
ル20は荒研削加工域Bに位置付けられると図示しない
回転駆動機構によって矢印で示す方向に回転せしめら
れ、一方、荒研削ユニット10の研削ホイール102が
矢印で示す方向に回転せしめられつつ送り機構11によ
って所定量下降することにより、チャックテーブル20
上の半導体ウエーハに荒研削加工が施される。なお、こ
の間に被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられた次のチ
ャックテーブル20上には、上述したように研削加工前
の半導体ウエーハが載置される。そして、チャックテー
ブル20上に載置された半導体ウエーハのサイズに対応
して上述したように電磁開閉弁261、262、263
を付勢(ON)して、半導体ウエーハを吸着保持チャッ
ク22上に吸引保持する。次に、ターンテーブル15を
矢印15aで示す方向に120度回動せしめて、荒研削
加工した半導体ウエーハを載置したチャックテーブル2
0を仕上げ研削加工域Cに位置付ける。なお、このとき
被加工物搬入・搬出域Aにおいて半導体ウエーハが載置
された次のチャックテーブル20は荒研削加工域Bに位
置付けられ、次の次のチャックテーブル20が被加工物
搬入・搬出域Aに位置付けら、チャックテーブル20上
に載置された半導体ウエーハのサイズに対応して上述し
たように電磁開閉弁261、262、263を付勢(O
N)して、半導体ウエーハを吸着保持チャック22上に
吸引保持する。
When the chuck table 20 on which the semiconductor wafer is placed is positioned in the rough grinding area B, it is rotated in the direction shown by the arrow by a rotation drive mechanism (not shown), while the grinding wheel 102 of the rough grinding unit 10 is shown by the arrow. The chuck table 20 is lowered by a predetermined amount by the feeding mechanism 11 while being rotated in the direction shown.
Rough grinding is applied to the upper semiconductor wafer. The semiconductor wafer before grinding is placed on the next chuck table 20 positioned in the workpiece carry-in / carry-out area A during this period, as described above. Then, as described above, the electromagnetic on-off valves 261, 262, 263 corresponding to the size of the semiconductor wafer placed on the chuck table 20 are used.
Is turned on to hold the semiconductor wafer on the suction holding chuck 22 by suction. Next, the turntable 15 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 15a, and the chuck table 2 on which the semiconductor wafer subjected to the rough grinding is placed.
Position 0 in the finishing grinding area C. At this time, in the workpiece loading / unloading area A, the next chuck table 20 on which the semiconductor wafer is placed is positioned in the rough grinding processing area B, and the next chuck table 20 is the workpiece loading / unloading area. When positioned at A, the electromagnetic opening / closing valves 261, 262, 263 are energized as described above in accordance with the size of the semiconductor wafer placed on the chuck table 20 (O.
Then, the semiconductor wafer is suction-held on the suction-holding chuck 22.

【0024】このようにして、荒研削加工域Bに位置付
けられたチャックテーブル20上に載置された荒研削加
工前の半導体ウエーハには荒研削ユニット10によって
荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Cに位置付けら
れたチャックテーブル20上に載置され荒研削加工され
た半導体ウエーハには仕上げ研削ユニット12によって
仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル15
を矢印15aで示す方向に120度回動せしめて、仕上
げ研削加工した半導体ウエーハを載置したチャックテー
ブル20を被加工物搬入・搬出域Aに位置付ける。な
お、荒研削加工域Bにおいて荒研削加工された半導体ウ
エーハを載置したチャックテーブル20は仕上げ研削加
工域Cに、被加工物搬入・搬出域Aにおいて研削加工前
の半導体ウエーハが載置されたチャックテーブル20は
荒研削加工域Bにそれぞれ移動せしめられる。
In this way, the semiconductor wafer placed on the chuck table 20 positioned in the rough grinding area B before rough grinding is subjected to rough grinding by the rough grinding unit 10 and finish grinding. The finish grinding unit 12 performs the finish grinding process on the semiconductor wafer which is placed on the chuck table 20 positioned in the area C and subjected to the rough grinding process. Next, turntable 15
Is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 15a, and the chuck table 20 on which the semiconductor wafer subjected to finish grinding is placed is positioned in the workpiece loading / unloading area A. The chuck table 20 on which the semiconductor wafer rough-ground was placed in the rough-grinding area B was placed in the finish-grinding area C and the semiconductor wafer before grinding was placed in the workpiece loading / unloading area A. The chuck table 20 is moved to the rough grinding area B, respectively.

【0025】なお、荒研削加工域Bおよび仕上げ研削加
工域Cを経由して被加工物搬入・搬出域Aに戻ったチャ
ックテーブル20は、ここで仕上げ研削加工された半導
体ウエーハの吸着保持を解除する。即ち、上述したよう
にチャックテーブル20上に吸着保持する際に半導体ウ
エーハのサイズに対応して付勢(ON)した電磁開閉弁
261、262、263を除勢(OFF)し、チャック
テーブル20上に吸着保持されている半導体ウエーハの
サイズに対応した領域の凹部213、214、215と
吸引源25との連通を遮断する。そして、被加工物搬入
・搬出域Aに位置付けられたチャックテーブル20上の
仕上げ研削加工された半導体ウエーハは、被加工物搬出
手段40によって洗浄手段34に搬送される。即ち、図
2に基づいて説明すると、上記昇降機構42および作動
機構43を作動せしめて吸着パッド44を被加工物搬入
・搬出域Aに戻ったチャックテーブル20に載置された
被加工物の上面に位置付ける。次に、チャックテーブル
20上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハのサイズ
に対応して上記電磁開閉弁501、502、503を付
勢(ON)する。即ち、半導体ウエーハのサイズが5イ
ンチの場合は電磁開閉弁501を付勢(ON)し、半導
体ウエーハのサイズが6インチの場合は電磁開閉弁50
1と502を付勢(ON)し、半導体ウエーハのサイズ
が8インチの場合は電磁開閉弁501と502および5
03を付勢(ON)する。この結果、チャックテーブル
20上に載置された半導体ウエーハのサイズに対応した
領域の凹部453、454、455が吸引源50と連通
せしめられ、半導体ウエーハを吸着パッド44に吸引保
持することができる。このようにして、吸着パッド44
に半導体ウエーハを吸引保持したならば、昇降機構42
および作動機構43を作動せしめて半導体ウエーハを洗
浄手段34に搬送する。
The chuck table 20, which has returned to the workpiece loading / unloading area A via the rough grinding processing area B and the finish grinding processing area C, releases the suction holding of the semiconductor wafer subjected to the finish grinding processing. To do. That is, the electromagnetic opening / closing valves 261, 262, 263 that have been energized (ON) corresponding to the size of the semiconductor wafer when adsorbed and held on the chuck table 20 as described above are deenergized (OFF), and the chuck table 20 is removed. The communication between the concave portions 213, 214, 215 and the suction source 25 in the region corresponding to the size of the semiconductor wafer sucked and held by the suction source 25 is blocked. Then, the semiconductor wafer subjected to the finish grinding on the chuck table 20 positioned in the workpiece carry-in / out zone A is carried to the cleaning means 34 by the workpiece carry-out means 40. That is, to explain with reference to FIG. 2, the upper surface of the workpiece placed on the chuck table 20 in which the suction pad 44 is returned to the workpiece loading / unloading area A by operating the elevating mechanism 42 and the operating mechanism 43. Position. Next, the electromagnetic opening / closing valves 501, 502, and 503 are energized (ON) corresponding to the size of the semiconductor wafer on the chuck table 20 that has been subjected to finish grinding. That is, when the size of the semiconductor wafer is 5 inches, the solenoid opening / closing valve 501 is energized (ON), and when the size of the semiconductor wafer is 6 inches, the solenoid opening / closing valve 50 is turned on.
When 1 and 502 are energized (ON) and the size of the semiconductor wafer is 8 inches, the solenoid opening / closing valves 501, 502 and 5
03 is turned on (ON). As a result, the recesses 453, 454, 455 in the region corresponding to the size of the semiconductor wafer placed on the chuck table 20 are made to communicate with the suction source 50, and the semiconductor wafer can be suction-held on the suction pad 44. In this way, the suction pad 44
If the semiconductor wafer is held by suction on the
And the operation mechanism 43 is operated to convey the semiconductor wafer to the cleaning means 34.

【0026】以上のように仕上げ研削加工された半導体
ウエーハを搬出する被加工物搬出手段40は、半導体ウ
エーハのサイズに対応して吸着パッド44の吸引領域を
適宜選択できるように構成されているので、半導体ウエ
ーハのサイズに対応して吸着パッドをその都度交換する
必要がないため、生産性を著しく向上させることができ
る。また、被加工物搬出手段40は、サイズの異なる半
導体ウエーハがランダムにチャックテーブルに供給され
る場合でも、半導体ウエーハのサイズに対応して吸着パ
ッド44の吸引領域を容易に選択できる。従って、被加
工物搬出手段40の吸着パッド44は、常に半導体ウエ
ーハの全面を吸着保持するので、薄く研削された半導体
ウエーハを損傷することなく安全にチャックテーブルか
ら搬送することができる。
The workpiece carry-out means 40 for carrying out the semiconductor wafer subjected to the finish grinding as described above is constructed so that the suction area of the suction pad 44 can be appropriately selected according to the size of the semiconductor wafer. Since it is not necessary to replace the suction pad each time according to the size of the semiconductor wafer, the productivity can be remarkably improved. Further, the workpiece unloading means 40 can easily select the suction region of the suction pad 44 according to the size of the semiconductor wafer even when semiconductor wafers of different sizes are randomly supplied to the chuck table. Therefore, the suction pad 44 of the workpiece carrying-out means 40 always sucks and holds the entire surface of the semiconductor wafer, so that the thinly ground semiconductor wafer can be safely transported from the chuck table without damage.

【0027】図1に基づいて説明を続けると、仕上げ研
削加工された半導体ウエーハを被加工物搬出手段40に
よって洗浄手段34のスピンナーテーブル上に搬送した
ならば、吸着パッド44による半導体ウエーハの吸着保
持を解除する。即ち、上述したように吸着パッド44に
よる吸着保持時に半導体ウエーハのサイズに対応して付
勢(ON)した電磁開閉弁501、502、503をを
除勢(OFF)し、吸着パッド44に吸着保持されてい
る半導体ウエーハのサイズに対応した領域の凹部45
3、454、455と吸引源50との連通を遮断する。
そして、半導体ウエーハのサイズに関係なく圧縮空気供
給手段を構成する上記電磁開閉弁521、522、52
3を付勢(ON)し、吸着パッド44の円形状の凹部4
53と環状凹部454および455が圧縮空気源52と
連通せしめる。従って、吸着パッド44の円形状の凹部
453、環状凹部454および455に圧縮空気が導入
され、吸着パッド44の円盤状パッド46を構成する円
盤状のポーラスセラミック部材461と環状のポーラス
セラミック部材462および463から圧縮空気が噴出
される。この結果、半導体ウエーハを吸着パッド44か
ら確実に離脱することができるとともに、研削屑によっ
て汚染された複数個の吸引領域である円盤状のポーラス
セラミック部材221と環状のポーラスセラミック部材
462および463が洗浄され目詰まりの発生が防止さ
れる。以上のようにして、洗浄手段34のスピンナーテ
ーブル上に搬送された半導体ウエーハは、ここで洗浄さ
れた後、被加工物搬送手段35よって第2のカセット3
2の所定位置に収納される。なお、図示の実施形態にお
いては、被加工物載置部33に載置された半導体ウエー
ハを被加工物搬入手段36によって被加工物搬入・搬出
域Aに位置付けられたチャックテーブル20上に載置す
る例を示したが、この被加工物の搬入を被加工物搬出手
段40によって実行するように構成してもよい。
Continuing with the description with reference to FIG. 1, if the semiconductor wafer that has been subjected to finish grinding is conveyed to the spinner table of the cleaning means 34 by the workpiece unloading means 40, the semiconductor wafer is suction-held by the suction pad 44. To cancel. That is, as described above, the electromagnetic opening / closing valves 501, 502, and 503 that have been energized (ON) corresponding to the size of the semiconductor wafer during adsorption and holding by the adsorption pad 44 are deenergized (OFF), and the adsorption pad 44 is adsorbed and retained. The recess 45 in the region corresponding to the size of the semiconductor wafer being formed.
The communication between 3, 454, 455 and the suction source 50 is cut off.
The electromagnetic on-off valves 521, 522, 52 constituting the compressed air supply means regardless of the size of the semiconductor wafer.
3 is energized (ON), the circular concave portion 4 of the suction pad 44
53 and the annular recesses 454 and 455 communicate with the compressed air source 52. Therefore, compressed air is introduced into the circular concave portion 453 and the circular concave portions 454 and 455 of the suction pad 44, and the disk-shaped porous ceramic member 461 and the circular porous ceramic member 462 that form the disk-shaped pad 46 of the suction pad 44 Compressed air is ejected from 463. As a result, the semiconductor wafer can be reliably released from the suction pad 44, and the disk-shaped porous ceramic member 221 and the annular porous ceramic members 462 and 463, which are a plurality of suction regions contaminated by grinding dust, are washed. As a result, clogging is prevented. As described above, the semiconductor wafer transferred onto the spinner table of the cleaning means 34 is cleaned here, and then the workpiece transfer means 35 is used to transfer the second cassette 3 to the second cassette 3.
It is stored in two predetermined positions. In the illustrated embodiment, the semiconductor wafer placed on the workpiece placing portion 33 is placed on the chuck table 20 positioned in the workpiece loading / unloading area A by the workpiece loading means 36. However, the workpiece carry-in means 40 may be configured to carry in the workpiece.

【0028】上述したように、図示の実施形態における
被加工物搬出手段40は、仕上げ研削加工された半導体
ウエーハを洗浄手段34に搬送した際に、吸着パッド4
4の円盤状パッド46を構成する円盤状のポーラスセラ
ミック部材461と環状のポーラスセラミック部材46
2および463に圧縮空気を作用せしめて研削屑によっ
て汚染された複数個の吸引領域を洗浄しているが、研削
屑等が吸着面に強固に付着或いは食い込んでいる場合に
は、これを完全に洗浄除去することは困難である。そこ
で、図示の実施形態における被加工物搬出手段40は、
吸着パッド44をその移動経路上に配置された吸着パッ
ド洗浄手段60上に移動し、該吸着パッド洗浄手段60
によって吸着パッド44の吸着面に強固に付着或いは食
い込んでいる研削屑等を洗浄除去する。即ち、図4に示
すように洗浄液供給手段65の洗浄液噴射ノズル65
1、652、653から洗浄液を噴出しつつ、洗浄ブラ
シ62およびブラシ洗浄ブラシ63を例えば200rp
mで回転するとともに、研削砥石64を例えば毎分20
0サイクルで往復動させ、吸着パッド44の吸着面を回
転する洗浄ブラシ62によって洗浄するとともに、吸着
面に強固に付着或いは食い込んでいる研削屑等を往復動
する研削砥石64によって削ぎ落とすように研削洗浄す
る。従って、サイズの小さい半導体ウエーハを吸引保持
することによって研削屑で汚染された外側の吸引領域を
十分洗浄でき、サイズの大きい半導体ウエーハを吸引保
持した際に半導体ウエーハを損傷させることがない。
As described above, the workpiece carry-out means 40 in the illustrated embodiment conveys the semiconductor wafer that has undergone the finish grinding process to the cleaning means 34 when the suction pad 4 is used.
Disc-shaped pad 46 and disc-shaped porous ceramic member 461 and annular porous ceramic member 46.
2 and 463 are actuated by compressed air to clean a plurality of suction areas contaminated by grinding debris, but if grinding debris or the like is strongly adhered to or bites into the adsorption surface, this is completely removed. It is difficult to remove by washing. Therefore, the workpiece unloading means 40 in the illustrated embodiment is
The suction pad 44 is moved onto the suction pad cleaning means 60 arranged on the moving path, and the suction pad cleaning means 60 is moved.
Thus, the grinding dust and the like that are strongly adhered to or bite into the suction surface of the suction pad 44 are removed by washing. That is, as shown in FIG. 4, the cleaning liquid injection nozzle 65 of the cleaning liquid supply means 65.
While spraying the cleaning liquid from 1, 652, 653, the cleaning brush 62 and the brush cleaning brush 63 are, for example, 200 rp.
While rotating at m, the grinding wheel 64 is, for example, 20
The suction surface of the suction pad 44 is reciprocated in 0 cycle to be cleaned by the rotating cleaning brush 62, and the grinding dust strongly adhered to or absorbed into the suction surface is ground by the reciprocating grinding wheel 64. To wash. Therefore, by suction-holding the small-sized semiconductor wafer, the outer suction area contaminated with grinding dust can be sufficiently washed, and the semiconductor wafer is not damaged when the large-sized semiconductor wafer is suction-held.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明に係る研削装置は以上のように構
成されているで、次の作用効果を奏する。
Since the grinding apparatus according to the present invention is constructed as described above, it has the following effects.

【0030】即ち、本発明によれば、被加工物搬出機構
が同心円状に形成された径の異なる複数の吸引領域を有
する吸着パッドと、該複数の吸引領域に負圧を作用せし
める吸引手段とを具備し、被加工物の径に対応して該吸
着パッドの複数の吸引領域に選択的に負圧を作用せしめ
るように構成されているので、被加工物の径に対応して
吸着パッドをその都度交換する必要がないため、生産性
を著しく向上させることができる。また、被加工物搬出
手段は、サイズの異なる被加工物がランダムにチャック
テーブルに供給される場合でも、被加工物のサイズに対
応して吸着パッドの吸引領域を容易に選択できる。従っ
て、被加工物搬出手段の吸着パッドは、常に被加工物の
全面を吸着保持するので、薄く研削された被加工物を損
傷することなく安全にチャックテーブルから搬送するこ
とができる。
That is, according to the present invention, the work piece unloading mechanism is formed in a concentric shape and has a plurality of suction areas having different diameters, and suction means for applying a negative pressure to the plurality of suction areas. Since it is configured to selectively apply a negative pressure to a plurality of suction regions of the suction pad according to the diameter of the work piece, the suction pad can be changed according to the diameter of the work piece. Since it is not necessary to replace each time, productivity can be significantly improved. Further, the workpiece unloading means can easily select the suction region of the suction pad in accordance with the size of the workpiece even when workpieces of different sizes are randomly supplied to the chuck table. Therefore, since the suction pad of the workpiece unloading means always sucks and holds the entire surface of the workpiece, the thinly ground workpiece can be safely transported from the chuck table without damage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によって構成されたチャックテーブルの
洗浄装置を装備して研削装置の斜視図。
FIG. 1 is a perspective view of a grinding device equipped with a chuck table cleaning device configured according to the present invention.

【図2】図1に示す研削装置に装備されるチャックテー
ブルおよび被加工物搬出機構の要部を破断して示す概略
構成図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram in which a chuck table and a workpiece unloading mechanism provided in the grinding apparatus shown in FIG.

【図3】図1に示す研削装置に装備される被加工物搬出
機構を構成する吸着チャックの底面。
FIG. 3 is a bottom view of a suction chuck that constitutes a workpiece unloading mechanism equipped in the grinding apparatus shown in FIG.

【図4】図1に示す研削装置に装備される吸着パッド洗
浄手段の斜視図。
FIG. 4 is a perspective view of suction pad cleaning means provided in the grinding device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2:装置ハウジング 4:静止支持板4 6:案内レール 8:案内レール 10:荒研削ユニット 101:ユニットハウジング 102:研削ホイール 103:回転駆動機構 104:移動基台 105:被案内レール 11:送り機構 111:雄ねじロッド 112:パルスモータ 12:仕上げ研削ユニット 121:ユニットハウジング 122:研削ホイール 123:回転駆動機構 124:移動基台 125:被案内レール 13:送り機構 131:雄ねじロッド 132:パルスモータ 15:ターンテーブル 20:チャックテーブル 21:チャックテーブルの基台 22:チャックテーブルの吸着保持チャック 25:吸引源 261262、263:電磁開閉弁 31:第1のカセット 32:第2のカセット 33:被加工物載置部 34:洗浄手段 35:被加工物搬送手段 36:被加工物搬入手段 40:被加工物搬出手段 41:作動アーム 42:昇降機構 43:作動機構 44:吸着パッド 45:吸着パッドの基台 46:吸着パッドのパッド 47:圧縮コイルばね 48:フレキシブルパイプ 50:吸引源 501、502、503:電磁開閉弁 52:圧縮空気源 521、522、523:電磁開閉弁 2: Device housing 4: stationary support plate 4 6: Guide rail 8: Guide rail 10: Rough grinding unit 101: Unit housing 102: grinding wheel 103: rotary drive mechanism 104: Moving base 105: Guided rail 11: Feeding mechanism 111: Male screw rod 112: Pulse motor 12: Finishing grinding unit 121: Unit housing 122: Grinding wheel 123: rotary drive mechanism 124: Moving base 125: Guided rail 13: Feeding mechanism 131: Male thread rod 132: Pulse motor 15: Turntable 20: Chuck table 21: Base of chuck table 22: Adsorption holding chuck of chuck table 25: suction source 261262,263: Solenoid on-off valve 31: First cassette 32: Second cassette 33: Workpiece mounting part 34: Cleaning means 35: Workpiece conveying means 36: Workpiece carry-in means 40: Workpiece unloading means 41: Actuating arm 42: Lifting mechanism 43: Operating mechanism 44: suction pad 45: Base of suction pad 46: Pad of suction pad 47: compression coil spring 48: Flexible pipe 50: suction source 501, 502, 503: solenoid valve 52: compressed air source 521, 522, 523: solenoid valve

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B65G 49/07 B65G 49/07 G H01L 21/68 H01L 21/68 B P Fターム(参考) 3C007 AS12 DS02 FS01 FT10 FT12 FU00 GU03 NS13 3C058 AA04 AB03 CA01 CB02 CB03 DA17 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 GA24 GA42 GA47 GA54 HA02 HA14 HA57 HA60 MA22 PA16 PA24─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) B65G 49/07 B65G 49/07 GH01L 21/68 H01L 21/68 BP F term (reference) 3C007 AS12 DS02 FS01 FT10 FT12 FU00 GU03 NS13 3C058 AA04 AB03 CA01 CB02 CB03 DA17 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 GA24 GA42 GA47 GA54 HA02 HA14 HA57 HA60 MA22 PA16 PA24

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 径の異なる被加工物を適宜吸引保持可能
なチャックテーブルと、該チャックテーブル上に吸引保
持された被加工物を研削する研削手段と、該チャックテ
ーブル上で研削された被加工物を吸引保持して搬出する
被加工物搬出機構と、を具備する研削装置において、 該被加工物搬出機構は、同心円状に形成された径の異な
る複数の吸引領域を有する吸着パッドと、該複数の吸引
領域に負圧を作用せしめる吸引手段とを具備し、被加工
物の径に対応して該吸着パッドの該複数の吸引領域に選
択的に負圧を作用せしめるように構成されている、 ことを特徴とする研削装置。
1. A chuck table capable of appropriately sucking and holding workpieces having different diameters, a grinding means for grinding the workpieces sucked and held on the chuck table, and a workpiece ground on the chuck table. In a grinding apparatus including a workpiece unloading mechanism that sucks and holds an object and unloads the workpiece, the workpiece unloading mechanism includes a suction pad having a plurality of concentric suction regions having different diameters, A suction means for applying a negative pressure to the plurality of suction areas, and is configured to selectively apply a negative pressure to the plurality of suction areas of the suction pad in accordance with the diameter of the workpiece. A grinding machine characterized by the following.
【請求項2】 該吸引手段は、該複数の吸引領域にそれ
ぞれ連通する複数の配管と、該複数の配管に接続された
吸引源と、該複数の配管にそれぞれ配設された開閉弁と
を具備している、請求項1記載の研削装置。
2. The suction means includes a plurality of pipes respectively communicating with the plurality of suction regions, a suction source connected to the plurality of pipes, and an on-off valve arranged in each of the plurality of pipes. The grinding apparatus according to claim 1, which is provided.
【請求項3】 該複数の吸引領域に適宜圧縮空気を供給
する圧縮空気供給手段を具備している、請求項1または
2記載の研削装置。
3. The grinding apparatus according to claim 1, further comprising a compressed air supply unit that appropriately supplies compressed air to the plurality of suction regions.
【請求項4】 該吸着パッドの移動経路上に該吸着パッ
ドを洗浄する洗浄手段が配置されている、請求項1から
3のいずれかに記載の研削装置。
4. The grinding apparatus according to claim 1, wherein a cleaning means for cleaning the suction pad is arranged on a moving path of the suction pad.
JP2001248104A 2001-08-17 2001-08-17 Grinding apparatus Pending JP2003059872A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001248104A JP2003059872A (en) 2001-08-17 2001-08-17 Grinding apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001248104A JP2003059872A (en) 2001-08-17 2001-08-17 Grinding apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003059872A true JP2003059872A (en) 2003-02-28

Family

ID=19077324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001248104A Pending JP2003059872A (en) 2001-08-17 2001-08-17 Grinding apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003059872A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332410A (en) * 2002-05-17 2003-11-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Vacuum sucking apparatus
JP2005150528A (en) * 2003-11-18 2005-06-09 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding apparatus
JP2007294588A (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer holder
JP2008270425A (en) * 2007-04-18 2008-11-06 Disco Abrasive Syst Ltd Conveyor
JP2009004474A (en) * 2007-06-20 2009-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd Carrying mechanism for wafer
JP2009283761A (en) * 2008-05-23 2009-12-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd Cleaning mechanism of carrying pad
JP2010064208A (en) * 2008-09-12 2010-03-25 Disco Abrasive Syst Ltd Grinder
CN101740442A (en) * 2008-11-12 2010-06-16 株式会社迪思科 Conveying device of sheet-shaped workpiece
JP2015528643A (en) * 2012-08-31 2015-09-28 セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド Single ultra-flat wafer table structure for both wafer and film frame
JP2018207032A (en) * 2017-06-08 2018-12-27 株式会社ディスコ Processing method and processing device of wafer
KR20200109685A (en) * 2019-03-14 2020-09-23 유한책임회사 세봉 Pickup tool for flexible film and control method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182738A (en) * 1985-02-07 1986-08-15 Shibayama Kikai Kk Free size chucking mechanism for wafer
JPS6362346A (en) * 1986-09-03 1988-03-18 Advantest Corp Pneumatic table
JPH0567551A (en) * 1991-09-05 1993-03-19 Canon Inc Wafer chuck
JPH10107131A (en) * 1996-09-25 1998-04-24 Teikoku Seiki Kk Suction table and element thereof
JPH11285967A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Okamoto Machine Tool Works Ltd Chemical/mechanical polishing device for wafer and wafer polishing method using same
JP2000106390A (en) * 1998-09-29 2000-04-11 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-carrier device
JP2001024051A (en) * 1999-07-09 2001-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer vacuum chuck pad

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182738A (en) * 1985-02-07 1986-08-15 Shibayama Kikai Kk Free size chucking mechanism for wafer
JPS6362346A (en) * 1986-09-03 1988-03-18 Advantest Corp Pneumatic table
JPH0567551A (en) * 1991-09-05 1993-03-19 Canon Inc Wafer chuck
JPH10107131A (en) * 1996-09-25 1998-04-24 Teikoku Seiki Kk Suction table and element thereof
JPH11285967A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Okamoto Machine Tool Works Ltd Chemical/mechanical polishing device for wafer and wafer polishing method using same
JP2000106390A (en) * 1998-09-29 2000-04-11 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-carrier device
JP2001024051A (en) * 1999-07-09 2001-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer vacuum chuck pad

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332410A (en) * 2002-05-17 2003-11-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Vacuum sucking apparatus
JP2005150528A (en) * 2003-11-18 2005-06-09 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding apparatus
JP2007294588A (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer holder
JP2008270425A (en) * 2007-04-18 2008-11-06 Disco Abrasive Syst Ltd Conveyor
JP2009004474A (en) * 2007-06-20 2009-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd Carrying mechanism for wafer
JP2009283761A (en) * 2008-05-23 2009-12-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd Cleaning mechanism of carrying pad
JP2010064208A (en) * 2008-09-12 2010-03-25 Disco Abrasive Syst Ltd Grinder
CN101740442A (en) * 2008-11-12 2010-06-16 株式会社迪思科 Conveying device of sheet-shaped workpiece
JP2015528643A (en) * 2012-08-31 2015-09-28 セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド Single ultra-flat wafer table structure for both wafer and film frame
JP2018207032A (en) * 2017-06-08 2018-12-27 株式会社ディスコ Processing method and processing device of wafer
JP7045140B2 (en) 2017-06-08 2022-03-31 株式会社ディスコ Wafer processing method and processing equipment
KR20200109685A (en) * 2019-03-14 2020-09-23 유한책임회사 세봉 Pickup tool for flexible film and control method thereof
KR102160945B1 (en) * 2019-03-14 2020-09-29 유한책임회사 세봉 Pickup tool for flexible film and control method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002025961A (en) Method of grinding semiconductor wafer
JP2003059872A (en) Grinding apparatus
JP2009252877A (en) Conveying method and conveying device for wafer
KR101921778B1 (en) Polishing apparatus
JP4387557B2 (en) Method and apparatus for cleaning a chuck table in a grinding apparatus
JP5144191B2 (en) Chuck table mechanism of grinding equipment
KR20020067682A (en) Wafer planarization apparatus and planarization method thereof
JP2003282673A (en) Transport device for semiconductor wafer
JP2010118424A (en) Conveying device for thin plate type workpiece
JP5350818B2 (en) Grinding equipment
JP5320014B2 (en) Grinding equipment
JP6726591B2 (en) Processing equipment
JP4417525B2 (en) Grinding equipment
JP2003062730A (en) Chucking means for grinding apparatus
TWI703013B (en) Grinding device
JP2003273055A (en) Spinner-cleaning unit
JP2003257912A (en) Cleaning apparatus for semiconductor wafer
JP2003077982A (en) Carrying device
JP4074118B2 (en) Polishing equipment
JP4294162B2 (en) Double-side polishing machine
JP2011056615A (en) Dressing method for polishing pad
JPH11254317A (en) Work grinding method and work grinding device
JP5007166B2 (en) Chuck table mechanism of grinding equipment
JP6037685B2 (en) Grinding equipment
JP2002321132A (en) Workpiece transfer device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080708

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111004