JP2003059086A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
- Publication number
- JP2003059086A JP2003059086A JP2001241981A JP2001241981A JP2003059086A JP 2003059086 A JP2003059086 A JP 2003059086A JP 2001241981 A JP2001241981 A JP 2001241981A JP 2001241981 A JP2001241981 A JP 2001241981A JP 2003059086 A JP2003059086 A JP 2003059086A
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- Japan
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- optical pickup
- light receiving
- adhesive
- support
- photodiode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 過剰な接着剤がホトダイオード表面に回り込
む。 【解決手段】 支持体１の表面４のホトダイオード配置
領域６の周囲は面取りして端部をゆるやかに傾斜させ
た。
む。 【解決手段】 支持体１の表面４のホトダイオード配置
領域６の周囲は面取りして端部をゆるやかに傾斜させ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ピックアップに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＤなどの光記録
媒体の読み書きに用いるホログラム型光ピックアップと
しては、従来、特開平６−５９９０号公報に開示されて
いるものがある。
媒体の読み書きに用いるホログラム型光ピックアップと
しては、従来、特開平６−５９９０号公報に開示されて
いるものがある。
【０００３】従来のホログラム型光ピックアップについ
て全体図を示す図１１及びキャップ内部を示す図１２を
参照して説明すると、従来の光ピックアップは、ステム
１０１上に支持体としてヒートシンクを配置し、その側
面には発光部として半導体レーザチップ１０４、またヒ
ートシンク表面にはメディアからの反射光を受光するた
めの受光素子としてホトダイオード１０６が配置され、
前記半導体レーザチップからの出射光をモニタするため
のモニタ用ホトダイオード１０５から構成されている。
なお、１０７はワイヤ、１０８は電極リードである。
て全体図を示す図１１及びキャップ内部を示す図１２を
参照して説明すると、従来の光ピックアップは、ステム
１０１上に支持体としてヒートシンクを配置し、その側
面には発光部として半導体レーザチップ１０４、またヒ
ートシンク表面にはメディアからの反射光を受光するた
めの受光素子としてホトダイオード１０６が配置され、
前記半導体レーザチップからの出射光をモニタするため
のモニタ用ホトダイオード１０５から構成されている。
なお、１０７はワイヤ、１０８は電極リードである。
【０００４】ホログラム素子１０３は、石英ガラス基板
からなっており、その上面には光偏向用のホログラムパ
ターンが、また底部には３ビーム生成用のグレーティン
グパターンが形成されている。
からなっており、その上面には光偏向用のホログラムパ
ターンが、また底部には３ビーム生成用のグレーティン
グパターンが形成されている。
【０００５】このような光ピックアップは次のようにし
て製造される。まず、ステム１０１表面にモニタ用ホト
ダイオード１０５が導電性ペーストでダイボンディング
される。次に、半導体レーザチップ１０４をインジュウ
ムでヒートシンク側面にダイボンディングする。このと
き、半導体レーザチップ１０４の発光点はほぼステム１
０１の中心になるように配置される。半導体レーザチッ
プ１０４に通電し発光点位置を計測後、ホトダイオード
１０６をコレットでピックアップし、所定の位置になる
ようにヒートシンク表面にダイボンディングする。
て製造される。まず、ステム１０１表面にモニタ用ホト
ダイオード１０５が導電性ペーストでダイボンディング
される。次に、半導体レーザチップ１０４をインジュウ
ムでヒートシンク側面にダイボンディングする。このと
き、半導体レーザチップ１０４の発光点はほぼステム１
０１の中心になるように配置される。半導体レーザチッ
プ１０４に通電し発光点位置を計測後、ホトダイオード
１０６をコレットでピックアップし、所定の位置になる
ようにヒートシンク表面にダイボンディングする。
【０００６】このホトダイオード１０６のダイボンディ
ング精度は極めて高い精度が要求されるので、ホトダイ
オード１０６のダイボンディングには紫外線硬化樹脂が
使われる。あらかじめヒートシンク表面に紫外線硬化樹
脂を塗布し、コレットでピックアップしたホトダイオー
ド１０６をダイボンディングする。速やかに紫外線を照
射して仮固定し、続いて、熱処理を行い本固定する。
ング精度は極めて高い精度が要求されるので、ホトダイ
オード１０６のダイボンディングには紫外線硬化樹脂が
使われる。あらかじめヒートシンク表面に紫外線硬化樹
脂を塗布し、コレットでピックアップしたホトダイオー
ド１０６をダイボンディングする。速やかに紫外線を照
射して仮固定し、続いて、熱処理を行い本固定する。
【０００７】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
の光ピックアップにあっては、ホトダイオードを紫外線
硬化樹脂で固定する際に、過剰な接着剤がホトダイオー
ド表面に回り込み、ボンディングパッドに付着し、ボン
ディング不良の原因となる不具合が発生する。また、過
剰な接着剤は、接近して配置されている半導体レーザチ
ップの出射端面を覆い、光ビーム品質の低下を引き起こ
す場合もあるという課題がある。
の光ピックアップにあっては、ホトダイオードを紫外線
硬化樹脂で固定する際に、過剰な接着剤がホトダイオー
ド表面に回り込み、ボンディングパッドに付着し、ボン
ディング不良の原因となる不具合が発生する。また、過
剰な接着剤は、接近して配置されている半導体レーザチ
ップの出射端面を覆い、光ビーム品質の低下を引き起こ
す場合もあるという課題がある。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、歩留まり高く製造可能な光ピックアップを提供す
ることを目的とする。
あり、歩留まり高く製造可能な光ピックアップを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る光ピックアップは、支持体には受光部
を支持体に接着剤で固定するときに接着剤が受光素子表
面に回り込むのを防止する手段が設けられているもので
ある。
め、本発明に係る光ピックアップは、支持体には受光部
を支持体に接着剤で固定するときに接着剤が受光素子表
面に回り込むのを防止する手段が設けられているもので
ある。
【００１０】ここで、接着剤が受光素子表面に回り込む
のを防止する手段の構成としては、支持体の受光素子の
配置される領域を平坦とし、それ以外の領域を面取りし
た構成、支持体表面の受光素子が配置される領域を一段
高くした構成、支持体の受光素子配置領域を受光素子よ
りも小さく形成した構成、支持体の表面に溝を形成した
構成、支持体の受光素子の配置される領域に一個以上の
穴を形成した構成とすることができる。また、接着剤は
紫外線硬化樹脂であることが好ましい。
のを防止する手段の構成としては、支持体の受光素子の
配置される領域を平坦とし、それ以外の領域を面取りし
た構成、支持体表面の受光素子が配置される領域を一段
高くした構成、支持体の受光素子配置領域を受光素子よ
りも小さく形成した構成、支持体の表面に溝を形成した
構成、支持体の受光素子の配置される領域に一個以上の
穴を形成した構成とすることができる。また、接着剤は
紫外線硬化樹脂であることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態
に係る光ピックアップついて図１及び図２を参照して説
明する。なお、図１は同光ピックアップの上面説明図、
図２は同光ピックアップのホトダイオード接着部の断面
拡大説明図である。
図面を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態
に係る光ピックアップついて図１及び図２を参照して説
明する。なお、図１は同光ピックアップの上面説明図、
図２は同光ピックアップのホトダイオード接着部の断面
拡大説明図である。
【００１２】光ピックアップは、ヒートシンクを兼ねた
支持体１の側面に半導体レーザチップ２がサブマウント
３を介して配置されており、更にその支持体１の表面４
には信号検出用のホトダイオード５が配置されている。
支持体１の表面４のホトダイオード配置領域６の周囲が
面取りされており、その端部はゆるやかに傾斜してい
る。この支持体１のホトダイオード配置領域６の周囲の
面取りが接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する
手段を構成している。
支持体１の側面に半導体レーザチップ２がサブマウント
３を介して配置されており、更にその支持体１の表面４
には信号検出用のホトダイオード５が配置されている。
支持体１の表面４のホトダイオード配置領域６の周囲が
面取りされており、その端部はゆるやかに傾斜してい
る。この支持体１のホトダイオード配置領域６の周囲の
面取りが接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する
手段を構成している。
【００１３】このように、支持体１の端部を面取りした
ことで、図２に示すように、ホトダイオード５を接着剤
７を用いてダイボンディングした際の過剰な接着剤７は
面取りした部分に流れ、ホトダイオード５表面に回り込
むことはない。面取り領域としては、ホトダイオード５
のボンディングパッドにかからない程度にすることが好
ましい。また、接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適し
ている。
ことで、図２に示すように、ホトダイオード５を接着剤
７を用いてダイボンディングした際の過剰な接着剤７は
面取りした部分に流れ、ホトダイオード５表面に回り込
むことはない。面取り領域としては、ホトダイオード５
のボンディングパッドにかからない程度にすることが好
ましい。また、接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適し
ている。
【００１４】次に、本発明の第２実施形態に係る光ピッ
クアップついて図３及び図４を参照して説明する。な
お、図３は同光ピックアップの上面説明図、図３は同光
ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明図
である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支持
体１のホトダイオード配置領域６の部分に段差を設ける
ことで、ホトダイオード配置領域６を他の領域よりも一
段高くしている。この支持体１のホトダイオード配置領
域６を他の領域よりも一段高くすることが接着剤が受光
素子表面に回り込むのを防止する手段を構成している。
クアップついて図３及び図４を参照して説明する。な
お、図３は同光ピックアップの上面説明図、図３は同光
ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明図
である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支持
体１のホトダイオード配置領域６の部分に段差を設ける
ことで、ホトダイオード配置領域６を他の領域よりも一
段高くしている。この支持体１のホトダイオード配置領
域６を他の領域よりも一段高くすることが接着剤が受光
素子表面に回り込むのを防止する手段を構成している。
【００１５】このように、支持体１の表面４に段差部を
形成してホトダイオード配置領域６を他の領域よりも一
段高くしたことにより、図４に示すように、ホトダイオ
ード５を接着剤７を用いてダイボンディングした際の過
剰な接着剤７は一段低い支持体１の表面部分４ａに流れ
出し、ホトダイオード５表面に回り込むことはない。こ
こで、支持体１の段差（表面部分４ａとホトダイオード
配置領域６との差）は５０〜２００μｍ程度が好まし
く、接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適している。
形成してホトダイオード配置領域６を他の領域よりも一
段高くしたことにより、図４に示すように、ホトダイオ
ード５を接着剤７を用いてダイボンディングした際の過
剰な接着剤７は一段低い支持体１の表面部分４ａに流れ
出し、ホトダイオード５表面に回り込むことはない。こ
こで、支持体１の段差（表面部分４ａとホトダイオード
配置領域６との差）は５０〜２００μｍ程度が好まし
く、接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適している。
【００１６】次に、本発明の第３実施形態に係る光ピッ
クアップついて図５及び図６を参照して説明する。な
お、図５は同光ピックアップの上面説明図、図６は同光
ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明図
である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支持
体１のホトダイオード配置領域６をホトダイオード５よ
りも小さく形成している。この支持体１のホトダイオー
ド配置領域６をホトダイオード５よりも小さく形成する
ことが接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する手
段を構成している。
クアップついて図５及び図６を参照して説明する。な
お、図５は同光ピックアップの上面説明図、図６は同光
ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明図
である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支持
体１のホトダイオード配置領域６をホトダイオード５よ
りも小さく形成している。この支持体１のホトダイオー
ド配置領域６をホトダイオード５よりも小さく形成する
ことが接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する手
段を構成している。
【００１７】このように支持体１表面のホトダイオード
配置領域６をホトダイオード５の面積よりも小さくした
ことにより、図６に示すように、ホトダイオード５を接
着剤７を用いてダイボンディングした際の過剰な接着剤
７は支持体１の側面部分に流れ出し、ホトダイオード表
面に回り込むことはない。この支持体構造は表面を面取
りする構成（第１実施形態）や段差を形成する構成（第
２実施形態）に比べて簡便に形状を加工できるという利
点がある。接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適してい
る。また、仮固定の紫外線照射はホトダイオード裏面及
び支持体側面に十分回り込むように配慮する。
配置領域６をホトダイオード５の面積よりも小さくした
ことにより、図６に示すように、ホトダイオード５を接
着剤７を用いてダイボンディングした際の過剰な接着剤
７は支持体１の側面部分に流れ出し、ホトダイオード表
面に回り込むことはない。この支持体構造は表面を面取
りする構成（第１実施形態）や段差を形成する構成（第
２実施形態）に比べて簡便に形状を加工できるという利
点がある。接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適してい
る。また、仮固定の紫外線照射はホトダイオード裏面及
び支持体側面に十分回り込むように配慮する。
【００１８】次に、本発明の第４実施形態に係る光ピッ
クアップついて図７及び図８を参照して説明する。な
お、図７は同光ピックアップの上面説明図、図８は同光
ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明図
である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支持
体１のホトダイオード配置領域６に接着剤を逃がすため
の溝８を形成している。この支持体１のホトダイオード
配置領域６に設けた溝８が接着剤が受光素子表面に回り
込むのを防止する手段を構成している。
クアップついて図７及び図８を参照して説明する。な
お、図７は同光ピックアップの上面説明図、図８は同光
ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明図
である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支持
体１のホトダイオード配置領域６に接着剤を逃がすため
の溝８を形成している。この支持体１のホトダイオード
配置領域６に設けた溝８が接着剤が受光素子表面に回り
込むのを防止する手段を構成している。
【００１９】このように支持体１の表面４に溝８を形成
したことにより、図８に示すように、ホトダイオード５
を接着剤７を用いてダイボンディングした際の過剰な接
着剤７は溝８に流れ出し、ホトダイオード表面に回り込
むことはない。特に、溝８をホトダイオード５のボンデ
ィングパッドの周囲に沿って配置すればより確実に接着
剤を逃がしてホトダイオード表面への回り込みを防止で
きる。接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適している。
したことにより、図８に示すように、ホトダイオード５
を接着剤７を用いてダイボンディングした際の過剰な接
着剤７は溝８に流れ出し、ホトダイオード表面に回り込
むことはない。特に、溝８をホトダイオード５のボンデ
ィングパッドの周囲に沿って配置すればより確実に接着
剤を逃がしてホトダイオード表面への回り込みを防止で
きる。接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適している。
【００２０】次に、本発明の第５実施形態に係る光ピッ
クアップついて図９及び図１０を参照して説明する。な
お、図９は同光ピックアップの上面説明図、図１０は同
光ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明
図である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支
持体１のホトダイオード配置領域接着剤７を逃がすため
の穴９を複数個形成している。この支持体１に形成した
穴９が接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する手
段を構成している。
クアップついて図９及び図１０を参照して説明する。な
お、図９は同光ピックアップの上面説明図、図１０は同
光ピックアップのホトダイオード接着部の断面拡大説明
図である。この実施形態では、ヒートシンクを兼ねた支
持体１のホトダイオード配置領域接着剤７を逃がすため
の穴９を複数個形成している。この支持体１に形成した
穴９が接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する手
段を構成している。
【００２１】このように支持体１の表面４に穴９を形成
したことにより、図１０に示すように、ホトダイオード
５を接着剤７を用いてダイボンディングした際の過剰な
接着剤７は穴９に吸収され、ホトダイオード表面に回り
込むことはない。特に、穴９をホトダイオード５のボン
ディングパッドの周囲に沿って配置すればより確実に接
着剤を逃がしてホトダイオード表面への回り込みを防止
できる。接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適してい
る。
したことにより、図１０に示すように、ホトダイオード
５を接着剤７を用いてダイボンディングした際の過剰な
接着剤７は穴９に吸収され、ホトダイオード表面に回り
込むことはない。特に、穴９をホトダイオード５のボン
ディングパッドの周囲に沿って配置すればより確実に接
着剤を逃がしてホトダイオード表面への回り込みを防止
できる。接着剤７としては紫外線硬化樹脂が適してい
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光ピ
ックアップによれば、支持体には、受光部を支持体に接
着剤で固定するときに接着剤が受光素子表面に回り込む
のを防止する手段が設けられているので、より簡単な構
成で、受光部と支持体との密着性を損なうことなく、歩
留まり高く製造することが可能になる。
ックアップによれば、支持体には、受光部を支持体に接
着剤で固定するときに接着剤が受光素子表面に回り込む
のを防止する手段が設けられているので、より簡単な構
成で、受光部と支持体との密着性を損なうことなく、歩
留まり高く製造することが可能になる。
【００２３】ここで、支持体の端部を面取りした構成と
することで、簡単に回り込み防止手段を形成できる。ま
た、受光部が配置される領域を一段高くすることで、よ
り確実に回り込みを防止できる。さらに、支持体の受光
素子配置領域を受光素子よりも小さくすることでもより
確実に回り込みを防止できる。さらに支持体表面に溝或
いは穴を形成することでも回り込みを防止できる。ま
た、接着剤としては紫外線硬化樹脂を用いることで歩留
まりの向上を図ることができる。
することで、簡単に回り込み防止手段を形成できる。ま
た、受光部が配置される領域を一段高くすることで、よ
り確実に回り込みを防止できる。さらに、支持体の受光
素子配置領域を受光素子よりも小さくすることでもより
確実に回り込みを防止できる。さらに支持体表面に溝或
いは穴を形成することでも回り込みを防止できる。ま
た、接着剤としては紫外線硬化樹脂を用いることで歩留
まりの向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る光ピックアップの
上面説明図
上面説明図
【図２】同光ピックアップのホトダイオード接着部の断
面拡大説明図
面拡大説明図
【図３】本発明の第２実施形態に係る光ピックアップの
上面説明図
上面説明図
【図４】同光ピックアップのホトダイオード接着部の断
面拡大説明図
面拡大説明図
【図５】本発明の第３実施形態に係る光ピックアップの
上面説明図
上面説明図
【図６】同光ピックアップのホトダイオード接着部の断
面拡大説明図
面拡大説明図
【図７】本発明の第４実施形態に係る光ピックアップの
上面説明図
上面説明図
【図８】同光ピックアップのホトダイオード接着部の断
面拡大説明図
面拡大説明図
【図９】本発明の第５実施形態に係る光ピックアップの
上面説明図
上面説明図
【図１０】同光ピックアップのホトダイオード接着部の
断面拡大説明図
断面拡大説明図
【図１１】従来の光ピックアップの全体図
【図１２】同光ピックアップの内部図
１…支持体、２…半導体レーザチップ、３…サブマウン
ト、４…支持体表面、５…信号検出用ホトダイオード、
６…ホトダイオード配置領域、７…接着剤、８…溝、９
…穴。
ト、４…支持体表面、５…信号検出用ホトダイオード、
６…ホトダイオード配置領域、７…接着剤、８…溝、９
…穴。
Claims (7)
- 【請求項１】 支持体に発光部及び受光部が配置され、
前記支持体、発光部及び受光部を覆うキャップ部を備え
た本体部を有し、前記キャップ部の上面にはホログラム
素子が配置されている光ピックアップにおいて、前記支
持体には前記受光部を支持体に接着剤で固定するときに
接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する手段が設
けられていることを特徴とする光ピックアップ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光ピックアップにおい
て、接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する手段
は、前記支持体の受光素子の配置される領域を平坦と
し、それ以外の領域を面取りして構成していることを特
徴とする光ピックアップ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光ピックアップにおい
て、前記接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する
手段は、前記支持体表面の受光素子が配置される領域を
一段高くして構成していることを特徴とする光ピックア
ップ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の光ピックアップにおい
て、前記接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する
手段は、前記支持体の受光素子配置領域を受光素子より
も小さい形成して構成していることを特徴とする光ピッ
クアップ。 - 【請求項５】 請求項１に記載の光ピックアップにおい
て、前記接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する
手段は、前記支持体の表面に溝を形成して構成している
ことを特徴とする光ピックアップ。 - 【請求項６】 請求項１に記載の光ピックアップにおい
て、前記接着剤が受光素子表面に回り込むのを防止する
手段は、前記支持体の受光素子の配置される領域に一個
以上の穴を形成して構成していることを特徴とする光ピ
ックアップ。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の光ピ
ックアップにおいて、前記接着剤が紫外線硬化樹脂であ
ることを特徴とする光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241981A JP2003059086A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241981A JP2003059086A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059086A true JP2003059086A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19072331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001241981A Pending JP2003059086A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003059086A (ja) |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001241981A patent/JP2003059086A/ja active Pending
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