JP2003043697A - 多層レジストパターン形成方法 - Google Patents
多層レジストパターン形成方法Info
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- JP2003043697A JP2003043697A JP2001232609A JP2001232609A JP2003043697A JP 2003043697 A JP2003043697 A JP 2003043697A JP 2001232609 A JP2001232609 A JP 2001232609A JP 2001232609 A JP2001232609 A JP 2001232609A JP 2003043697 A JP2003043697 A JP 2003043697A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便な方法で、かつ第1のフォトレジストに
ダメージを与えない透明膜の成膜を実現すること。 【解決手段】 基盤100上に第1のフォトレジスト1
01、透明膜102、第2のフォトレジスト103の順
に成膜し、2種類の深さを形成する多層レジストパター
ン形成方法において、透明膜102は、第1のフォトレ
ジスト101が形成され、所定温度で加熱されている基
盤100上に溶液を噴霧して成膜される。
ダメージを与えない透明膜の成膜を実現すること。 【解決手段】 基盤100上に第1のフォトレジスト1
01、透明膜102、第2のフォトレジスト103の順
に成膜し、2種類の深さを形成する多層レジストパター
ン形成方法において、透明膜102は、第1のフォトレ
ジスト101が形成され、所定温度で加熱されている基
盤100上に溶液を噴霧して成膜される。
Description
【0001】
【発明の属する分野】本発明は、光ディスク用スタンパ
におけるガラス基板のパターン形成などに利用され、特
にフォトレジストによる微細パターンを形成する多層レ
ジストパターン形成方法に関する。
におけるガラス基板のパターン形成などに利用され、特
にフォトレジストによる微細パターンを形成する多層レ
ジストパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基盤上にフォトレジストを2層重ねて形
成し、弱い光で上層のフォトレジストのみの露光を行な
い、強い光で上下層のフォトレジストの露光を行なっ
て、それぞれ深さの異なる潜像、すなわち形状を作り分
けするようなフォトレジストのプロセス技術(図1参
照)において、フォトレジストを2層に積層するために
フォトレジストの間に光学的に透明な膜を設けることが
必要となる。このような透明膜の形成方法としてスパッ
タリングによる方法や、プラズマCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法が用いら
れている。
成し、弱い光で上層のフォトレジストのみの露光を行な
い、強い光で上下層のフォトレジストの露光を行なっ
て、それぞれ深さの異なる潜像、すなわち形状を作り分
けするようなフォトレジストのプロセス技術(図1参
照)において、フォトレジストを2層に積層するために
フォトレジストの間に光学的に透明な膜を設けることが
必要となる。このような透明膜の形成方法としてスパッ
タリングによる方法や、プラズマCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法が用いら
れている。
【0003】なお、参考技術文献として、プラズマCV
D法を用いて中間層(透明膜)を形成する方法が、たと
えば特開平7−183194号公報、特開平7−181
688号公報に開示されている。
D法を用いて中間層(透明膜)を形成する方法が、たと
えば特開平7−183194号公報、特開平7−181
688号公報に開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
示されるような従来におけるフォトレジストの透明膜の
形成をスパッタリングにより行なう場合、下層のフォト
レジストは透明膜のスパッタリング中にプラズマや光の
影響を受けるため、フォトレジストの特性が変化する。
具体的には、フォトレジストはプラズマによりダメージ
を受け、光を照射して現像を行なっても所定の形状が形
成されなくなる。フォトレジストはスパッタリング中の
光により露光され、フォトレジスト全体に潜像が形成さ
れる影響もあるが、通常のスパッタリング装置の場合、
上述したプラズマによるダメージの影響のほうが大き
い。このように、通常のスパッタリング装置で透明膜を
形成しフォトレジストを2層重ねて形成した場合、強い
光で上下層のフォトレジストの露光を行なっても、下層
のフォトレジストがダメージを受けているので深い形状
を形成することができない。
示されるような従来におけるフォトレジストの透明膜の
形成をスパッタリングにより行なう場合、下層のフォト
レジストは透明膜のスパッタリング中にプラズマや光の
影響を受けるため、フォトレジストの特性が変化する。
具体的には、フォトレジストはプラズマによりダメージ
を受け、光を照射して現像を行なっても所定の形状が形
成されなくなる。フォトレジストはスパッタリング中の
光により露光され、フォトレジスト全体に潜像が形成さ
れる影響もあるが、通常のスパッタリング装置の場合、
上述したプラズマによるダメージの影響のほうが大き
い。このように、通常のスパッタリング装置で透明膜を
形成しフォトレジストを2層重ねて形成した場合、強い
光で上下層のフォトレジストの露光を行なっても、下層
のフォトレジストがダメージを受けているので深い形状
を形成することができない。
【0005】また、透明膜をプラズマCVDで形成した
場合、参考文献に記述されているように、プラズマ条件
や加熱条件を適正にすることにより、下層フォトレジス
トへのダメージを減少させている。しかしながら、完全
にプラズマの影響をなくすことは不可能であり、少なか
らず下層フォトレジストはダメージを受けることにな
る。また、このとき、ダメージの受け方が下層レジスト
全面において均一に受けていれば問題は生じない。とこ
ろが、図5に示すように、プラズマ密度に分布むらがあ
るため、下層レジストのダメージの受け方にばらつきが
発生し、パターンの深さに不均一さが発生する。
場合、参考文献に記述されているように、プラズマ条件
や加熱条件を適正にすることにより、下層フォトレジス
トへのダメージを減少させている。しかしながら、完全
にプラズマの影響をなくすことは不可能であり、少なか
らず下層フォトレジストはダメージを受けることにな
る。また、このとき、ダメージの受け方が下層レジスト
全面において均一に受けていれば問題は生じない。とこ
ろが、図5に示すように、プラズマ密度に分布むらがあ
るため、下層レジストのダメージの受け方にばらつきが
発生し、パターンの深さに不均一さが発生する。
【0006】すなわち、図5に示すように、中央のプラ
ズマ密度大の部分と端のプラズマ密度小の部分とでは、
第1フォトレジスト101の露光による形状が異なる。
これは大面積を必要とするパターンにおいては好ましく
ない現象である。さらに、透明膜を形成する際にプラズ
マCVDを用いると高価な設備となるので、経済的では
なかった。
ズマ密度大の部分と端のプラズマ密度小の部分とでは、
第1フォトレジスト101の露光による形状が異なる。
これは大面積を必要とするパターンにおいては好ましく
ない現象である。さらに、透明膜を形成する際にプラズ
マCVDを用いると高価な設備となるので、経済的では
なかった。
【0007】本発明は、上記に鑑みてなされたものであ
って、簡便な方法で、かつ第1のフォトレジストにダメ
ージを与えない透明膜の成膜を実現することを目的とす
る。
って、簡便な方法で、かつ第1のフォトレジストにダメ
ージを与えない透明膜の成膜を実現することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1にかかる多層レジストパターン形成方法
にあっては、基盤上に第1のフォトレジスト、透明膜、
第2のフォトレジストの順に成膜し、2種類の深さを形
成する多層レジストパターン形成方法において、前記透
明膜は、前記第1のフォトレジストが形成され、所定温
度で加熱されている前記基盤上に溶液を噴霧して成膜さ
れるものである。
めに、請求項1にかかる多層レジストパターン形成方法
にあっては、基盤上に第1のフォトレジスト、透明膜、
第2のフォトレジストの順に成膜し、2種類の深さを形
成する多層レジストパターン形成方法において、前記透
明膜は、前記第1のフォトレジストが形成され、所定温
度で加熱されている前記基盤上に溶液を噴霧して成膜さ
れるものである。
【0009】この発明によれば、第1のフォトレジスト
と第2のフォトレジストとの間に透明膜を形成する際
に、透明膜となる溶液を噴霧して所定の成膜を行なう方
法とすることにより、簡単な装置構成による成膜方法が
実現し、かつ従来のようにスパッタリングやプラズマC
VDといった成膜方法を採用しないことにより、第1の
フォトレジストに影響を及ぼすプラズマをなくすことが
可能となる。
と第2のフォトレジストとの間に透明膜を形成する際
に、透明膜となる溶液を噴霧して所定の成膜を行なう方
法とすることにより、簡単な装置構成による成膜方法が
実現し、かつ従来のようにスパッタリングやプラズマC
VDといった成膜方法を採用しないことにより、第1の
フォトレジストに影響を及ぼすプラズマをなくすことが
可能となる。
【0010】また、請求項2にかかる多層レジストパタ
ーン形成方法にあっては、前記透明膜の成膜における所
定温度は、100〜150℃とするものである。
ーン形成方法にあっては、前記透明膜の成膜における所
定温度は、100〜150℃とするものである。
【0011】この発明によれば、請求項1において、第
1のフォトレジストが形成された基盤の温度を100〜
150℃に加熱することにより、第1のフォトレジスト
に対するダメージ発生を回避することが可能になる。
1のフォトレジストが形成された基盤の温度を100〜
150℃に加熱することにより、第1のフォトレジスト
に対するダメージ発生を回避することが可能になる。
【0012】また、請求項3にかかる多層レジストパタ
ーン形成方法にあっては、前記透明膜を成膜する際、超
音波の振動作用により溶液を霧化することによって噴霧
するものである。
ーン形成方法にあっては、前記透明膜を成膜する際、超
音波の振動作用により溶液を霧化することによって噴霧
するものである。
【0013】この発明によれば、第1のフォトレジスト
の上に透明膜を成膜する際、請求項1において、超音波
の振動作用で溶液を霧化して噴霧することにより、圧縮
ガス状の溶液をキャリアガスとしてアトマイザーから噴
霧する方法に比べて微細でかつ粒径のそろった溶液の霧
化状態を得ることが可能になる。
の上に透明膜を成膜する際、請求項1において、超音波
の振動作用で溶液を霧化して噴霧することにより、圧縮
ガス状の溶液をキャリアガスとしてアトマイザーから噴
霧する方法に比べて微細でかつ粒径のそろった溶液の霧
化状態を得ることが可能になる。
【0014】また、請求項4にかかる多層レジストパタ
ーン形成方法にあっては、前記透明膜の成膜における溶
液は、テトラブチルスズが溶解されているものである。
ーン形成方法にあっては、前記透明膜の成膜における溶
液は、テトラブチルスズが溶解されているものである。
【0015】この発明によれば、透明膜の成膜における
溶液に、スズ化合物であるテトラブチルスズを溶解する
ことにより、成膜後においてたとえば低濃度の塩酸、硝
酸、しゅう酸によるエッチングが可能となる。
溶液に、スズ化合物であるテトラブチルスズを溶解する
ことにより、成膜後においてたとえば低濃度の塩酸、硝
酸、しゅう酸によるエッチングが可能となる。
【0016】また、請求項5にかかる多層レジストパタ
ーン形成方法にあっては、前記透明膜の成膜における溶
液は、ジブチルスズアセテートが溶解されているもので
ある。
ーン形成方法にあっては、前記透明膜の成膜における溶
液は、ジブチルスズアセテートが溶解されているもので
ある。
【0017】この発明によれば、前記透明膜の成膜にお
ける溶液に、スズ化合物であるジブチルスズアセテート
を溶解することにより、成膜後においてたとえば低濃度
の塩酸、硝酸、しゅう酸によるエッチングが可能とな
る。
ける溶液に、スズ化合物であるジブチルスズアセテート
を溶解することにより、成膜後においてたとえば低濃度
の塩酸、硝酸、しゅう酸によるエッチングが可能とな
る。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる多層レジス
トパターン形成方法の好適な実施の形態について添付図
面を参照し、詳細に説明する。なお、本発明はこの実施
の形態に限定されるものではない。
トパターン形成方法の好適な実施の形態について添付図
面を参照し、詳細に説明する。なお、本発明はこの実施
の形態に限定されるものではない。
【0019】図1は、多層フォトレジストの構造を示す
断面図である。図において、符号100は基盤、符号1
01は基盤100の上に形成される第1のフォトレジス
ト、符号102は第1のフォトレジスト101上に形成
される透明膜、符号103は透明膜102の上に形成さ
れる第2のフォトレジストである。この多層フォトレジ
ストの形成方法について、以下に具体例をあげて説明す
る。
断面図である。図において、符号100は基盤、符号1
01は基盤100の上に形成される第1のフォトレジス
ト、符号102は第1のフォトレジスト101上に形成
される透明膜、符号103は透明膜102の上に形成さ
れる第2のフォトレジストである。この多層フォトレジ
ストの形成方法について、以下に具体例をあげて説明す
る。
【0020】図2は、本発明の実施の形態にかかる多層
フォトレジストの形成工程の流れを示すブロック図であ
る。図3は、超音波スプレー熱分解成膜装置の概略構成
を示す説明図であり、図4は、スプレー熱分解装置の概
略構成を示す説明図である。これらの装置は、後述する
透明膜102の成膜工程において用いられる。図3にお
いて、符号10はレギュレーター、符号11は流量計、
符号12は超音波振動子、符号13はトラップ、符号1
4はホットプレート、符号15は後述する溶液である。
また、図4において、符号20は高圧ガスボンベ、符号
21はレギュレーター、符号22はアトマイザーであ
る。
フォトレジストの形成工程の流れを示すブロック図であ
る。図3は、超音波スプレー熱分解成膜装置の概略構成
を示す説明図であり、図4は、スプレー熱分解装置の概
略構成を示す説明図である。これらの装置は、後述する
透明膜102の成膜工程において用いられる。図3にお
いて、符号10はレギュレーター、符号11は流量計、
符号12は超音波振動子、符号13はトラップ、符号1
4はホットプレート、符号15は後述する溶液である。
また、図4において、符号20は高圧ガスボンベ、符号
21はレギュレーター、符号22はアトマイザーであ
る。
【0021】図2における工程例は第1の工程例(これ
をP○と記述する)と第2の工程例(これをS○と記述
する)を示すものである。第1の工程例では、図2にお
いて、基盤100に対する所定の前工程が行なった後
(P1)、まず、基盤100をホットプレート14にセ
ットし、基盤100上にポジ型でg線の低感度の第1の
フォトレジスト101を約200nmのスピンコートに
より形成する(P2)。つづいて、140℃に加熱され
ているホットプレート14で第1のフォトレジスト10
1のプリベークを行ない(P3)、第1のフォトレジス
ト101のプリベークが完了した時点で透明膜102を
成膜するため溶液15の噴霧を行なう(P4)。
をP○と記述する)と第2の工程例(これをS○と記述
する)を示すものである。第1の工程例では、図2にお
いて、基盤100に対する所定の前工程が行なった後
(P1)、まず、基盤100をホットプレート14にセ
ットし、基盤100上にポジ型でg線の低感度の第1の
フォトレジスト101を約200nmのスピンコートに
より形成する(P2)。つづいて、140℃に加熱され
ているホットプレート14で第1のフォトレジスト10
1のプリベークを行ない(P3)、第1のフォトレジス
ト101のプリベークが完了した時点で透明膜102を
成膜するため溶液15の噴霧を行なう(P4)。
【0022】上記溶液の噴霧に用いる溶液15は、エタ
ノールにスズ化合物であるジブチルスズアセテート
((C4H9)2Sn(OCOCOCH3)2)を2.0〜
3.0wt%溶解したものを使用する。
ノールにスズ化合物であるジブチルスズアセテート
((C4H9)2Sn(OCOCOCH3)2)を2.0〜
3.0wt%溶解したものを使用する。
【0023】さて、このプロセスでは露光終了後、第2
のフォトレジスト103の現像、透明膜102のエッチ
ング、第1のフォトレジスト101の現像を行なう。こ
の場合、中間層(透明膜102)に必要とされる性質は
エッチングのしやすさとなる。スズ化合物を溶液として
用いることにより、低濃度の塩酸、硝酸、しゅう酸でエ
ッチングすることが可能であるので、エッチングが容易
に行なえる。
のフォトレジスト103の現像、透明膜102のエッチ
ング、第1のフォトレジスト101の現像を行なう。こ
の場合、中間層(透明膜102)に必要とされる性質は
エッチングのしやすさとなる。スズ化合物を溶液として
用いることにより、低濃度の塩酸、硝酸、しゅう酸でエ
ッチングすることが可能であるので、エッチングが容易
に行なえる。
【0024】上述した溶液の噴霧工程に用いられる噴霧
装置は、図4に示すような高圧ガスを用いてアドマイザ
ー22から噴霧する方法でも可能であるが、図3に示す
ような超音波の振動作用を利用した装置の方が好まし
い。その理由としては、透明膜102の膜厚が5〜30
nm程度で十分であるため、溶液の粒径が小さいほうが
5〜30nmという薄い膜に適しており、均一な膜を得
ることが可能であることがあげられる。
装置は、図4に示すような高圧ガスを用いてアドマイザ
ー22から噴霧する方法でも可能であるが、図3に示す
ような超音波の振動作用を利用した装置の方が好まし
い。その理由としては、透明膜102の膜厚が5〜30
nm程度で十分であるため、溶液の粒径が小さいほうが
5〜30nmという薄い膜に適しており、均一な膜を得
ることが可能であることがあげられる。
【0025】また、図4に示すような装置の場合、噴霧
する溶液の粒径が大きいため基盤100の温度低下が発
生し、温度低下を抑制するために間欠して噴霧を制御す
る必要がある。それに対し、図3に示すような超音波ス
プレー熱分解成膜装置の場合、連続して噴霧を行なって
も温度低下はほとんど発生しない。溶液の粒径の大きさ
を推定すると、図4に示すような装置の場合、20〜4
0μmあるのに対し、図3のような装置の場合、2.0
〜5.0μmと推定され、粒径が小さくなっている。
する溶液の粒径が大きいため基盤100の温度低下が発
生し、温度低下を抑制するために間欠して噴霧を制御す
る必要がある。それに対し、図3に示すような超音波ス
プレー熱分解成膜装置の場合、連続して噴霧を行なって
も温度低下はほとんど発生しない。溶液の粒径の大きさ
を推定すると、図4に示すような装置の場合、20〜4
0μmあるのに対し、図3のような装置の場合、2.0
〜5.0μmと推定され、粒径が小さくなっている。
【0026】実際に、図3に示すような超音波スプレー
熱分解成膜装置を用い、下記の条件で5〜30nm程度
のSnOxが形成されることが検証された。 O2ガス流量:100〜300ml/min 基盤温度:140℃ 噴霧時間:1〜3min
熱分解成膜装置を用い、下記の条件で5〜30nm程度
のSnOxが形成されることが検証された。 O2ガス流量:100〜300ml/min 基盤温度:140℃ 噴霧時間:1〜3min
【0027】通常、このようなスプレー熱分解法により
透明膜102を成膜する場合、基盤温度は200〜40
0℃程度にするのが普通である。本発明においても基盤
温度を400℃程度にすることにより、透過率が高く表
面抵抗が小さいSnOx膜が形成される。しかしなが
ら、本発明で必要なSnOx膜の性質として、第2のフ
ォトレジスト103を第1のフォトレジスト101上に
形成するのに必要な遮断膜としての性質があればよいの
で、表面抵抗の値が悪くてもさほど影響がない。
透明膜102を成膜する場合、基盤温度は200〜40
0℃程度にするのが普通である。本発明においても基盤
温度を400℃程度にすることにより、透過率が高く表
面抵抗が小さいSnOx膜が形成される。しかしなが
ら、本発明で必要なSnOx膜の性質として、第2のフ
ォトレジスト103を第1のフォトレジスト101上に
形成するのに必要な遮断膜としての性質があればよいの
で、表面抵抗の値が悪くてもさほど影響がない。
【0028】透過率が高いほうが好ましいが、5〜30
nm程度の遮断膜としての性質を有するため、5〜30
nmという薄い膜厚ではある程度の光を透過するので問
題とはならない。このように、基盤温度が140℃であ
るためフォトレジストの熱によるダメージは少なくな
る。
nm程度の遮断膜としての性質を有するため、5〜30
nmという薄い膜厚ではある程度の光を透過するので問
題とはならない。このように、基盤温度が140℃であ
るためフォトレジストの熱によるダメージは少なくな
る。
【0029】ここで、フォトレジスト形成後の基盤温度
の上下限について説明する。まず、下限値100℃とす
る理由として以下のことがある。水溶性の液を噴霧する
場合、水溶液を蒸発させるのに最低限100℃を必要と
する。アルコールやその他の溶剤系の液を蒸発させる場
合、100℃以下で蒸発するが、100℃でも問題はな
い。これらを考慮すると下限が100℃となる。
の上下限について説明する。まず、下限値100℃とす
る理由として以下のことがある。水溶性の液を噴霧する
場合、水溶液を蒸発させるのに最低限100℃を必要と
する。アルコールやその他の溶剤系の液を蒸発させる場
合、100℃以下で蒸発するが、100℃でも問題はな
い。これらを考慮すると下限が100℃となる。
【0030】また、上限値150℃とする理由を以下に
記述する。東京応化製のあるレジストの場合、プリベー
ク温度とパターン形成範囲の関係はつぎのようになる。 プリベーク温度 パターン形成 140℃ 可能 150℃ 可能 160℃ 不可能 上記実験結果では、プリベーク温度が150℃以下では
パターン形成に問題が生じないことが確認された。通
常、フォトレジストは150℃以下のプリベーク温度で
あれば実使用上問題がない。また、基盤温度が120℃
以上で遮断膜としての機能を有している。
記述する。東京応化製のあるレジストの場合、プリベー
ク温度とパターン形成範囲の関係はつぎのようになる。 プリベーク温度 パターン形成 140℃ 可能 150℃ 可能 160℃ 不可能 上記実験結果では、プリベーク温度が150℃以下では
パターン形成に問題が生じないことが確認された。通
常、フォトレジストは150℃以下のプリベーク温度で
あれば実使用上問題がない。また、基盤温度が120℃
以上で遮断膜としての機能を有している。
【0031】さて,図2において、上述のように透明膜
102の成膜を溶液の噴霧によって行なった後、SnO
x膜上にポジ型でg線で高感度のフォトレジストを約2
00nmのスピンコートにより形成し(P5)、90℃
のホットプレートでプリベークを行なう(P6)。
102の成膜を溶液の噴霧によって行なった後、SnO
x膜上にポジ型でg線で高感度のフォトレジストを約2
00nmのスピンコートにより形成し(P5)、90℃
のホットプレートでプリベークを行なう(P6)。
【0032】つぎに、このようにして作成されたフォト
レジスト盤に、第1のフォトレジスト101と第2のフ
ォトレジスト103を感光させる強い光量の集光された
光と第2のフォトレジスト103のみを感光させる弱い
光量の集光された光を同時に露光し、場所により光量を
制御する(P7)。
レジスト盤に、第1のフォトレジスト101と第2のフ
ォトレジスト103を感光させる強い光量の集光された
光と第2のフォトレジスト103のみを感光させる弱い
光量の集光された光を同時に露光し、場所により光量を
制御する(P7)。
【0033】この露光に使用する光の波長は、400〜
460nmであり、光はステッパー装置のレンズ系によ
り集光限界まで縮小している。露光終了後、第2のフォ
トレジスト103の現像、透明膜102のエッチング、
第1のフォトレジスト101の現像を行ない、場所によ
り深さが異なるパターンが形成される。
460nmであり、光はステッパー装置のレンズ系によ
り集光限界まで縮小している。露光終了後、第2のフォ
トレジスト103の現像、透明膜102のエッチング、
第1のフォトレジスト101の現像を行ない、場所によ
り深さが異なるパターンが形成される。
【0034】つぎに、上記第1の工程例(P)とは異な
る第2の工程例について説明する。図2において、基盤
100に所定の前工程を行ない(S1)、まず、基盤1
00上にポジ型でi線のフォトレジストを約200nm
のスピンコートに形成する(S2)。つづいて、120
℃のホットプレート141でフォトレジストのプリベー
クを行ない(S3)、フォトレジストのプリベークが完
了した時点で透明膜102を成膜するための噴霧を行な
う(S4)。
る第2の工程例について説明する。図2において、基盤
100に所定の前工程を行ない(S1)、まず、基盤1
00上にポジ型でi線のフォトレジストを約200nm
のスピンコートに形成する(S2)。つづいて、120
℃のホットプレート141でフォトレジストのプリベー
クを行ない(S3)、フォトレジストのプリベークが完
了した時点で透明膜102を成膜するための噴霧を行な
う(S4)。
【0035】上記噴霧の溶液15には、メタノールにテ
トラブチルスズ((C4H9)4Sn)を3.0〜6.0
wt%溶解したものを用いる。また、この溶液15で
は、基盤温度が100℃以上で遮蔽膜としての機能を有
している。
トラブチルスズ((C4H9)4Sn)を3.0〜6.0
wt%溶解したものを用いる。また、この溶液15で
は、基盤温度が100℃以上で遮蔽膜としての機能を有
している。
【0036】上記噴霧工程では、図3に示すような超音
波スプレー熱分解成膜装置を用い、下記の条件で5〜3
0nm程度のSnOxが形成される。 O2ガス流量:100〜300ml/min 基盤温度:120℃ 噴霧時間:1〜3min
波スプレー熱分解成膜装置を用い、下記の条件で5〜3
0nm程度のSnOxが形成される。 O2ガス流量:100〜300ml/min 基盤温度:120℃ 噴霧時間:1〜3min
【0037】さて、図2において、上述のように透明膜
の成膜を溶液の噴霧によって行なった後、SnOx膜上
にポジ型でg線で高感度のフォトレジストを約200n
mスピンコートにより形成し(S5)、90℃のホット
プレートでプリベークを行なう(S6)。
の成膜を溶液の噴霧によって行なった後、SnOx膜上
にポジ型でg線で高感度のフォトレジストを約200n
mスピンコートにより形成し(S5)、90℃のホット
プレートでプリベークを行なう(S6)。
【0038】つぎに、このようにして作成されたフォト
レジスト盤に、第1のフォトレジスト101と第2のフ
ォトレジスト103を感光させる波長が350〜420
nmの集光された光と第2のフォトレジスト103のみ
を感光させる波長が420〜460nmの集光された光
を同時に露光し、場所により光量を制御する(S7)。
レジスト盤に、第1のフォトレジスト101と第2のフ
ォトレジスト103を感光させる波長が350〜420
nmの集光された光と第2のフォトレジスト103のみ
を感光させる波長が420〜460nmの集光された光
を同時に露光し、場所により光量を制御する(S7)。
【0039】上記光はステッパー装置のレンズ系により
集光限界まで縮小している。露光終了後、第2のフォト
レジスト103の現像、透明膜102のエッチング、第
1のフォトレジスト101の現像を行ない、場所により
深さが異なるパターンが形成される。
集光限界まで縮小している。露光終了後、第2のフォト
レジスト103の現像、透明膜102のエッチング、第
1のフォトレジスト101の現像を行ない、場所により
深さが異なるパターンが形成される。
【0040】なお、本発明は上述した上第1の工程例
(P)と第2の工程例(S)に限定されるものではな
い。たとえば、150℃以下で透明膜102が成膜され
る溶液であれば、実施の形態で用いたジブチルスズアセ
テートとテトラブチルスズ以外のものでよい。また、超
音波の噴霧工程の他に均一に成膜が可能であれば、たと
えば図4に示すような噴霧装置を用いた噴霧工程であっ
てもよい。
(P)と第2の工程例(S)に限定されるものではな
い。たとえば、150℃以下で透明膜102が成膜され
る溶液であれば、実施の形態で用いたジブチルスズアセ
テートとテトラブチルスズ以外のものでよい。また、超
音波の噴霧工程の他に均一に成膜が可能であれば、たと
えば図4に示すような噴霧装置を用いた噴霧工程であっ
てもよい。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる多
層レジストパターン形成方法(請求項1)によれば、第
1のフォトレジストと第2のフォトレジストとの間に透
明膜を形成する際に、透明膜となる溶液を噴霧して所定
の成膜を行なう方法とすることにより、簡単な装置構成
による成膜方法が実現するため経済性が高くなると共
に、従来のようにスパッタリングやプラズマCVDとい
った成膜方法を採用しないことにより、第1のフォトレ
ジストに影響を及ぼすプラズマをなくすことが可能とな
るので、第1のフォトレジストへのダメージを極小にす
ることができる。
層レジストパターン形成方法(請求項1)によれば、第
1のフォトレジストと第2のフォトレジストとの間に透
明膜を形成する際に、透明膜となる溶液を噴霧して所定
の成膜を行なう方法とすることにより、簡単な装置構成
による成膜方法が実現するため経済性が高くなると共
に、従来のようにスパッタリングやプラズマCVDとい
った成膜方法を採用しないことにより、第1のフォトレ
ジストに影響を及ぼすプラズマをなくすことが可能とな
るので、第1のフォトレジストへのダメージを極小にす
ることができる。
【0042】また、本発明にかかる多層レジストパター
ン形成方法(請求項2)によれば、請求項1において、
第1のフォトレジストが形成された基盤の温度を100
〜150℃の範囲に適正温度で加熱するので、第1のフ
ォトレジストに対するダメージ発生を回避することがで
きる。
ン形成方法(請求項2)によれば、請求項1において、
第1のフォトレジストが形成された基盤の温度を100
〜150℃の範囲に適正温度で加熱するので、第1のフ
ォトレジストに対するダメージ発生を回避することがで
きる。
【0043】また、本発明にかかる多層レジストパター
ン形成方法(請求項3)によれば、第1のフォトレジス
トの上に透明膜を成膜する際、請求項1において、超音
波の振動作用で溶液を霧化して噴霧することにより、圧
縮ガス状の溶液をキャリアガスとしてアトマイザーから
噴霧する方法に比べて微細でかつ粒径のそろった霧化状
態の溶液を得ることが可能になるので、溶液の粒子が基
盤に付着し結晶化する際における温度低下の幅が抑制さ
れ、その温度低下による膜質変化の発生を低減すること
ができると共に、溶液の粒径がそろっているため、均一
な透明膜を得ることができる。
ン形成方法(請求項3)によれば、第1のフォトレジス
トの上に透明膜を成膜する際、請求項1において、超音
波の振動作用で溶液を霧化して噴霧することにより、圧
縮ガス状の溶液をキャリアガスとしてアトマイザーから
噴霧する方法に比べて微細でかつ粒径のそろった霧化状
態の溶液を得ることが可能になるので、溶液の粒子が基
盤に付着し結晶化する際における温度低下の幅が抑制さ
れ、その温度低下による膜質変化の発生を低減すること
ができると共に、溶液の粒径がそろっているため、均一
な透明膜を得ることができる。
【0044】また、本発明にかかる多層レジストパター
ン形成方法(請求項4)によれば、透明膜の成膜におけ
る溶液に、スズ化合物であるテトラブチルスズを溶解す
ることにより、成膜後においてたとえば低濃度の塩酸、
硝酸、しゅう酸などによるエッチングが可能となるた
め、後処理であるエッチングを容易に行なうことができ
る。
ン形成方法(請求項4)によれば、透明膜の成膜におけ
る溶液に、スズ化合物であるテトラブチルスズを溶解す
ることにより、成膜後においてたとえば低濃度の塩酸、
硝酸、しゅう酸などによるエッチングが可能となるた
め、後処理であるエッチングを容易に行なうことができ
る。
【0045】また、本発明にかかる多層レジストパター
ン形成方法(請求項5)によれば、透明膜の成膜におけ
る溶液に、スズ化合物であるジブチルスズアセテートを
溶解することにより、成膜後においてたとえば低濃度の
塩酸、硝酸、しゅう酸などによるエッチングが可能とな
るため、後処理であるエッチングを容易に行なうことが
できる。
ン形成方法(請求項5)によれば、透明膜の成膜におけ
る溶液に、スズ化合物であるジブチルスズアセテートを
溶解することにより、成膜後においてたとえば低濃度の
塩酸、硝酸、しゅう酸などによるエッチングが可能とな
るため、後処理であるエッチングを容易に行なうことが
できる。
【図1】多層フォトレジストの構造を示す断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施の形態にかかる多層フォトレジス
トの形成工程の流れを示すブロック図である。
トの形成工程の流れを示すブロック図である。
【図3】超音波スプレー熱分解成膜装置の概略構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図4】スプレー熱分解装置の概略構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図5】プラズマ密度の分布むらに起因する下層レジス
トの不均一性を示す説明図である。
トの不均一性を示す説明図である。
12 超音波振動子
14 ホットプレート
15 溶液
100 基盤
101 第1のフォトレジスト
102 透明膜
103 第2のフォトレジスト
Claims (5)
- 【請求項1】 基盤上に第1のフォトレジスト、透明
膜、第2のフォトレジストの順に成膜し、2種類の深さ
を形成する多層レジストパターン形成方法において、 前記透明膜は、前記第1のフォトレジストが形成され、
所定温度で加熱されている前記基盤上に溶液を噴霧して
成膜されることを特徴とする多層レジストパターン形成
方法。 - 【請求項2】 前記透明膜の成膜における所定温度は、
100〜150℃であることを特徴とする請求項1に記
載の多層レジストパターン形成方法。 - 【請求項3】 前記透明膜を成膜する際、超音波の振動
作用により溶液を霧化することによって噴霧することを
特徴とする請求項1に記載の多層レジストパターン形成
方法。 - 【請求項4】 前記透明膜の成膜における溶液は、テト
ラブチルスズが溶解されていることを特徴とする請求項
1、2または3に記載の多層レジストパターン形成方
法。 - 【請求項5】 前記透明膜の成膜における溶液は、ジブ
チルスズアセテートが溶解されていることを特徴とする
請求項1、2または3に記載の多層レジストパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001232609A JP2003043697A (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 多層レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001232609A JP2003043697A (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 多層レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003043697A true JP2003043697A (ja) | 2003-02-13 |
Family
ID=19064505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001232609A Pending JP2003043697A (ja) | 2001-07-31 | 2001-07-31 | 多層レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003043697A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010530641A (ja) * | 2007-06-18 | 2010-09-09 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィのための溶媒支援層の形成 |
-
2001
- 2001-07-31 JP JP2001232609A patent/JP2003043697A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010530641A (ja) * | 2007-06-18 | 2010-09-09 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィのための溶媒支援層の形成 |
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