JP2003043491A - 液晶装置、その製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラビング密度を一定にして配向規制力にムラ
が生じることを防止する。 【解決手段】 ラビング処理時におけるラビングロール
１１２のラビングロール温度Ｔｒに応じてラビング条件
を可変制御するコントローラ１２４を設ける。コントロ
ーラ１２４は、所望のラビング密度ＲＳに応じて、ロー
ル回転数ｆ、ロール押し込み量Ｍ、及び環境温度Ｔを所
定の固定値に制御する。さらに、コントローラ１２４
は、各ラビング位置Ｘにおけるラビングロール温度Ｔｒ
に応じて送り速度Ｖを可変制御することにより、ラビン
グロール温度Ｔｒが摩擦熱の発生及び滞留等によって変
化した場合にも、配向膜に対して均一なラビング密度Ｒ
Ｓでラビング処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ラビング密度を一
定にして配向規制力を均一化した液晶装置、その製造装
置及び製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラ
ス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構
成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例え
ば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、Ｔ
ＦＴと称す）をマトリクス状に配置し、他方の基板に対
向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特
性を画像信号に変換させることで、画像表示を可能にす
る。

【０００３】ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基
板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。
両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わさ
れた後、液晶が封入される。

【０００４】パネル組立工程においては、先ず、各基板
工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との
対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接す
る面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行わ
れる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール
部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を
用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化
させる。シール部の一部には切り欠きが設けられてお
り、この切り欠きを介して液晶を封入する。

【０００５】配向膜を形成してラビング処理を施すこと
で、電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向
膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで
塗布することにより形成される。液晶層に対向する両基
板の面上に配向膜を形成することで、液晶分子を基板面
に沿って配向処理することができる。ラビング処理は、
形成された配向膜に異方性を発現させるものであり、配
向膜に一定方向のラビング処理を施すことで、液晶分子
の配列を規定することができる。

【０００６】図１４はラビング装置を示す模式図であ
る。

【０００７】ステージ１１０上に液晶基板１０１が載置
されている。ステージ１１０は、水平方向に移動して基
板１０１を搬送する。ステージ１１０の搬送路の上方に
はラビングロール１１２が配設されている。ラビングロ
ール１１２は周面にレーヨンのラビング布１０３が取り
付けられている。ラビングロール１１２を回転させなが
らステージ１１０を搬送させて、ラビングロール１１２
の回転及びステージ１１０の搬送によって、ラビング布
１０３で基板全面を擦ってラビングを行う。

【０００８】ラビング処理によって配向膜に付与される
液晶の配向規制力は、ラビング密度の影響を受ける。ラ
ビング密度が高い場合には強い配向規制力が得られ、ラ
ビング密度が低い場合には配向規制力は弱くなる。

【０００９】ラビング密度ＲＳは下記（１）式によって
与えられる。

【００１０】 ラビング密度ＲＳ＝ＮＭ（２πＲｆ／Ｖ−１） …（１） なお、Ｎ：擦り回数、Ｍ：ロール押し込み量、Ｒ：ロー
ル径、ｆ：ロール回転数、Ｖ：送り速度（ステージ速
度）である。

【００１１】従って、Ｎ：擦り回転数が多いほど、Ｍ：
ロール押し込み量が大きいほど、Ｒ：ロール径が大きい
ほど、ｆ：ロール回転数が多いほど、Ｖ：送り速度（ス
テージ速度）が小さいほどラビング密度は高くなる。こ
れらのパラメータＮ，Ｍ，Ｒ，ｆ，Ｖは所望のラビング
密度に対応して設定され、ラビング処理は、上記各パラ
メータが一定の条件下で行われる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）式に従って、Ｎ，Ｍ，Ｒ，ｆ，Ｖを厳密に制御し
た場合であっても、各基板の配向規制力にムラが生じて
しまうという問題があった。この配向規制力のムラの原
因として、ラビング処理時にラビングロール（ラビング
布）と液晶基板（配向膜）との間で発生する摩擦熱が考
えられる。すなわち、ラビング密度は、ラビングロール
や液晶基板の温度によっても変化し、摩擦熱によってこ
れらの温度が高くなるほどラビング密度が高くなる。

【００１３】このような摩擦熱に起因してラビング密度
にムラが生じる場合としては、以下の場合が考えられ
る。

【００１４】例えば、丸形のマザーガラス基板上に配列
された複数の液晶基板上の配向膜に対してラビング処理
を行う場合、基板に対するラビングロールの接触位置
（以下、ラビング位置と称す）によって、基板に対する
ラビングロールの接触面積が変化する。このような場
合、ラビング位置に応じて摩擦熱の放熱状態が変化し、
ラビング密度にばらつきが生じる。同様に、例えば、角
形の基板を斜め擦りする場合においても、ラビング位置
に応じて摩擦熱の放熱状態が変化し、ラビング密度にば
らつきが生じる。

【００１５】また、角形の基板を辺方向にラビング処理
する場合においても、ラビング処理開始時と終了時（ラ
ビング処理開始位置と終了位置）とでは、ラビングロー
ルに滞留される摩擦熱の熱量が異なるため、ラビング密
度にばらつきが生じる。

【００１６】さらに、複数の基板を連続してラビング処
理する場合、処理枚数が進むにつれてラビングロールに
滞留される摩擦熱の熱量が増加するため、各基板間のラ
ビング密度にもばらつきが生じる。

【００１７】そして、ラビング密度のばらつきは、液晶
のチルトのばらつきを発生させ、表示品質のばらつきを
発生させる。例えば、ラビング密度が低いと、液晶分子
は高チルトとなってムラや流動配向等が発生し、逆に、
ラビング密度が高いと、液晶チルトは低チルトとなって
リバースドメインが発生する。また、チルトのばらつき
は、液晶装置の透過率やコントラスト、ＴＶ特性にも影
響する。

【００１８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、ラビング密度を一定にして配向規制力にムラが生じ
ることを防止することのできる液晶装置、その製造装置
及び製造方法を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶装置の
製造装置は、ステージ上に載置された液晶基板上に形成
された配向膜を擦ってラビング処理を行うためのラビン
グ布が取り付けられたラビングロールと、ラビング処理
時における上記液晶基板或いは上記ラビングロール少な
くとも一方の温度変化に応じてラビング条件を可変制御
するラビング制御手段と、を具備したことを特徴とす
る。

【００２０】このような構成によれば、ラビング制御手
段によって、ラビング処理時における液晶基板或いはラ
ビングロール少なくとも一方の温度変化に応じてラビン
グ条件が可変制御される。ラビング条件の可変制御によ
って液晶基板全域のラビング密度を均一に制御すること
ができる。

【００２１】上記ラビング制御手段は、予め計測され
た、ラビング処理の進行とともに変化する上記ラビング
ロールの温度情報に基づいて上記ラビング条件を可変制
御することを特徴とする。

【００２２】このような構成によれば、ラビング制御手
段によって、予め計測された、ラビング処理の進行とと
もに変化するラビングロールの温度情報に基づいてラビ
ング条件が可変制御される。ラビング条件の可変制御に
よって液晶基板全域のラビング密度を均一に制御するこ
とができる。

【００２３】上記ラビング制御手段は、予め計測され
た、ラビング処理の直後位置での上記液晶基板の温度分
布情報に基づいて上記ラビング条件を可変制御すること
を特徴とする。

【００２４】このような構成によれば、ラビング制御手
段によって、予め計測された、ラビング処理の直後位置
での液晶基板の温度分布情報に基づいてラビング条件が
可変制御される。ラビング条件の可変制御によって液晶
基板全域のラビング密度を均一に制御することができ
る。

【００２５】上記ラビングロールの温度を検出する温度
検出手段を具備し、上記ラビング制御手段は、上記温度
検出手段で検出した温度に基づいて上記ラビング条件を
フィードバック制御することを特徴とする。

【００２６】このような構成によれば、温度検出手段に
よって、ラビングロールの温度が検出され、ラビング制
御手段によって、検出された温度に基づくフィードバッ
ク制御によるラビング条件の可変制御が行われる。ラビ
ング条件の可変制御によって液晶基板全域のラビング密
度を均一に制御することができる。

【００２７】上記ラビング処理の直後位置での上記液晶
基板の温度を検出する温度検出手段を具備し、上記ラビ
ング制御手段は、上記温度検出手段で検出した温度に基
づいて上記ラビング条件をフィードバック制御すること
を特徴とする。

【００２８】このような構成によれば、温度検出手段に
よって、ラビング処理の直後位置での液晶基板の温度が
検出され、ラビング制御手段によって、検出された温度
に基づくフィードバック制御によるラビング条件の可変
制御が行われる。ラビング条件の可変制御によって液晶
基板全域のラビング密度を均一に制御することができ
る。

【００２９】上記温度検出手段は、放射温度計であるこ
とを特徴とする。

【００３０】このような構成によれば、放射温度計によ
って、ラビングロールの温度、或いは、ラビング処理の
直後位置での液晶基板の温度を検出することができる。

【００３１】上記温度検出手段は、赤外カメラであるこ
とを特徴とする。

【００３２】このような構成によれば、赤外カメラによ
って、ラビングロールの温度、或いは、ラビング処理の
直後位置での液晶基板の温度を検出することができる。

【００３３】上記ラビング条件は、上記ステージと上記
ラビングロールとの相対速度である送り速度、上記液晶
基板と上記ラビングロールとの相対距離であるロール押
し込み量、上記ラビングロールの回転速度、或いは、環
境温度の少なくとも何れか１つを可変制御することによ
り可変制御されることを特徴とする。

【００３４】このような構成によれば、送り速度、ロー
ル押し込み量、ロール回転速度、或いは、環境温度の少
なくとも何れか１つを可変制御することによって、ラビ
ング条件の可変制御が行われる。ラビング条件の可変制
御によって液晶基板全域のラビング密度を均一に制御す
ることができる。

【００３５】本発明に係る液晶装置の製造方法は、ラビ
ング布が取り付けられたラビングロールによって、ステ
ージ上に載置された液晶基板上に形成された配向膜を擦
って行うラビング処理時に、上記液晶基板或いは上記ラ
ビングロールの少なくとも一方の温度変化に応じてラビ
ング条件を可変制御する手順を具備したことを特徴とす
る。

【００３６】このような構成によれば、ラビング処理時
に、液晶基板或いはラビングロールの少なくとも一方の
温度変化に応じてラビング条件を可変制御することによ
り、液晶基板全域のラビング密度を均一に制御すること
ができる。

【００３７】本発明に係る液晶装置は、上記液晶装置の
製造装置によって配向膜がラビング処理されて製造され
たことを特徴とする。

【００３８】このような構成によれば、ラビング密度が
均一であるので、配向規制力が一様であり、チルトムラ
やリバースドメインが防止される。

【００３９】本発明に係る液晶装置は、上記液晶装置の
製造方法によって配向膜がラビング処理されて製造され
たことを特徴とする。

【００４０】このような構成によれば、ラビング密度が
均一であるので、配向規制力が一様であり、チルトムラ
やリバースドメインが防止される。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１乃至図１１は本発明の第１の
実施の形態に係わり、図１は液晶装置の製造装置を示す
説明図、図２は液晶装置の画素領域を構成する複数の画
素における各種素子、配線等の等価回路である。図３は
ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要
素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４は素子
基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工
程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ’線の位置で切断
して示す断面図である。図５は液晶装置を詳細に示す断
面図である。図６はパネル組立工程を示すフローチャー
トである。図７はロール回転数、ロール押し込み量、及
び環境温度が一定条件下においてラビング密度を一定に
維持するためのラビングロール温度と送り速度との関係
を示す図表である。図８はマザーガラス基板にラビング
処理を行った際のラビング位置とラビングロール温度と
の関係の実験結果の一例を示す図表、コントローラに格
納された各ラビング位置での送り速度情報を示すマップ
である。図１０はロール押し込み量、送り速度、及び環
境温度が一定条件下においてラビング密度を一定に維持
するためのラビングロール温度とロール回転数との関係
を示す図表である。図１１はロール回転数、送り速度、
及び環境温度が一定条件下においてラビング密度を一定
に維持するためのラビングロール温度とロール押し込み
量との関係を示す図表である。

【００４２】先ず、図２乃至図５を参照して、液晶パネ
ルの構造について説明する。液晶パネルは、図３及び図
４に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基
板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基
板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状
に配置されている。図２は画素を構成する素子基板１０
上の素子の等価回路を示している。

【００４３】図２に示すように、画素領域においては、
複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差す
るように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画
された領域に画素電極がマトリクス状に配置される。そ
して、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応し
てＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９
ａが接続される。

【００４４】ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によっ
てオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された
画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９
ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電
圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列
に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によっ
て、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間
よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積
容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラ
スト比の高い画像表示が可能となる。

【００４５】図５は、一つの画素に着目した液晶パネル
の模式的断面図である。

【００４６】ガラスや石英等の素子基板１０には、ＬＤ
Ｄ構造をなすＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０
は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域
１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電
極をなす走査線３ａが設けられてなる。ＴＦＴ３０上に
は第１層間絶縁膜４を介してデータ線６ａが積層され、
データ線６ａはコンタクトホール５を介してソース領域
１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第２層
間絶縁膜７を介して画素電極９ａが積層され、画素電極
９ａはコンタクトホール８を介してドレイン領域１ｅに
電気的に接続される。

【００４７】走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供
給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、
ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、デ
ータ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与え
られる。

【００４８】また、半導体層にはドレイン領域１ｅから
延びる蓄積容量電極１ｆが形成されている。蓄積容量電
極１ｆは、誘電体膜である絶縁膜２を介して容量線３ｂ
が対向配置され、これにより蓄積容量７０を構成してい
る。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂から
なる配向膜１６が積層され、図１の装置によって所定方
向にラビング処理されている。

【００４９】一方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基
板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領
域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第
１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３に
よって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅ
に入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対
向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成さ
れている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂
からなる配向膜２２が積層され、図１の装置によって所
定方向にラビング処理されている。

【００５０】そして、素子基板１０と対向基板２０との
間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３
０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画
像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電
極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分
子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示
を可能にする。

【００５１】図３及び図４に示すように、対向基板２０
には表示領域を区画する額縁としての第２遮光膜４２が
設けられている。第２遮光膜４２は例えば第１遮光膜２
３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されてい
る。

【００５２】第２遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入
するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に
形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形
状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基
板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１
０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた
素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５
０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶
注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を
封止材７９で封止するようになっている。

【００５３】素子基板１０のシール材４１の外側の領域
には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基
板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接
する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられてい
る。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複
数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０の
コーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１
０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導
通材６５が設けられている。

【００５４】次に、図６を参照してパネル組立工程につ
いて説明する。素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板
２０は別々に製造される。ステップＳ１，Ｓ６で夫々用
意されたＴＦＴ基板及び対向基板に対して、次のステッ
プＳ２，Ｓ７では、配向膜１６，２２となるポリイミド
（ＰＩ）膜を形成する。次に、ステップＳ３，Ｓ８にお
いて、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０
表面の配向膜２２に対してラビング処理を施す。

【００５５】次に、ステップＳ４，Ｓ９において、洗浄
工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生
じた塵埃を除去するためのものである。

【００５６】洗浄工程が終了すると、ステップＳ５にお
いて、シール材４１、及び導通材６５（図３参照）を形
成する。次に、ステップＳ１０で、素子基板１０と対向
基板２０とを貼り合わせ、ステップＳ１１でアライメン
トを施しながら圧着し、シール材４１を硬化させる。最
後にステップＳ１２において、シール材４１の一部に設
けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶
を封止する。

【００５７】図１において、ステージ１１０は、上面に
基板１０１が配置されるようになっている。基板１０１
は、例えば、アレイ製造によって図５の素子基板１０が
多数形成されているマザーガラス基板である。基板１０
１は図６のステップＳ２における配向膜形成工程までが
終了したものである。ステージ１１０は、水平方向に移
動自在である。ステージ１１０の移動路、即ち、基板１
０１の搬送路の上方には、ラビングロール１１２が設け
られている。

【００５８】ラビングロール１１２は、円柱形状に構成
され、円中心を軸にして周方向に回動自在である。ラビ
ングロール１１２の周面には、例えばレーヨンで形成さ
れたラビング布１０３が取り付けられている。ラビング
布１０３の表面からは毛先１０４が伸びている。

【００５９】ラビング時において、ラビングロール１１
２は、ステージ１１０の進行方向（図１では紙面右方
向）の逆方向となるよう、図１中の時計方向に回転され
る。これにより、ステージ１１０上の基板１０１はラビ
ングロール１１２に対して水平方向に相対移動され、ラ
ビング布１０３は、基板１０１の表面全体を擦る。

【００６０】ここで、ラビング時において、ラビングロ
ール１１２の温度（即ち、ラビングロール１１２の表面
温度、より具体的にはラビング布１０３の温度）Ｔｒ
は、摩擦熱の発生及び滞留によって、ラビング処理の進
行とともに各ラビング位置Ｘで図８に示すように変化す
るものとする。このラビングロール温度Ｔｒの変化は、
予め実験等により計測されるものである。

【００６１】ラビング制御手段としてのコントローラ１
２４は、駆動制御部１２５及び温度制御部１２６を介し
て、基板１０１上の配向膜に対するラビング条件を制御
するようになっている。ラビング条件は、ラビング密度
ＲＳを制御するための各種パラメータで構成されるもの
あって、具体的には、送り速度（即ち、ステージ１１０
とラビングロール１１２との相対速度）Ｖ、ラビングロ
ール１１２のロール回転数ｆ、ロール押し込み量Ｍ、環
境温度（室温）Ｔ等で構成されている。ロール押し込み
量Ｍとは、基板１０１とラビングロール１１２との相対
距離であって、毛先１０４が曲げられることなく基板１
０１の表面に当接される相対距離をゼロ点として、上記
相対距離が小さくなる程増加するものである。

【００６２】コントローラ１２４には、所望のラビング
密度ＲＳに応じて設定された所定のロール回転数ｆ（固
定値）、ロール押し込み量Ｍ（固定値）、環境温度Ｔ
（固定値）等の情報が格納されている。

【００６３】さらに、コントローラ１２４には、所望の
ラビング密度ＲＳに応じて設定された送り速度Ｖの情報
が格納されている。送り速度Ｖは、均一なラビング密度
ＲＳを得るため、図９に示すように、順次ラビング処理
される各基板１０１及びそのラビング位置Ｘに応じて可
変に設定されるものである。

【００６４】即ち、図７に示すように、ロール回転数
ｆ、ロール押し込み量Ｍ、及び環境温度Ｔ等を所定の固
定値としてラビング処理を行う際に所望の均一なラビン
グ密度ＲＳを得るためのラビングロール温度Ｔｒと送り
速度Ｖとの関係が実験等によって予め求められている。
そして、各基板１０１の各ラビング位置Ｘにおける送り
速度Ｖは、例えば、上記図７に示す関係と、図８等に示
す各基板１０１の各ラビング位置Ｘとラビングロール温
度Ｔｒとの関係とに基づいて算出され、図９に示すよう
にマップ化されてコントローラ１２４に格納されてい
る。

【００６５】次に、このように構成された実施の形態の
作用について説明する。

【００６６】ラビング処理時において、コントローラ１
２４は、駆動制御部１２５を介してロール回転数ｆを所
定の固定値に制御するとともに、駆動制御部１２５を介
してラビングロール１１２の基板１０１に対する高さ位
置（相対距離）を制御することで押し込み量Ｍを所定の
固定値に制御する。また、コントローラ１２４は、温度
制御部１２６を介して環境温度Ｔを所定の固定値に制御
する。さらに、コントローラ１２４は、上記図９のマッ
プに基づき、駆動制御部１２５を介してステージ１１０
の移動速度を制御することで、ラビング位置Ｘに応じて
送り速度Ｖを可変制御する。これにより、各基板１０１
上に設けられた配向膜は、各基板１０１がラビング処理
される順序及び各基板１０１上での配設位置に関係な
く、均一なラビング密度ＲＳでラビング処理される。

【００６７】このように本実施の形態によれば、各ラビ
ング位置Ｘにおけるラビングロール温度Ｔｒに応じて送
り速度Ｖを可変制御することにより、ラビングロール温
度Ｔｒが摩擦熱の発生及び滞留等によって変化した場合
にも、配向膜に対して均一なラビング密度ＲＳでラビン
グ処理を行うことができる。換言すれば、ラビングロー
ル温度Ｔｒに応じてラビング条件を可変制御することに
より、ラビングロール温度Ｔｒが変化した場合にも、均
一なラビング密度ＲＳでラビング処理を行うことができ
る。

【００６８】従って、配向規制力のムラを低減して液晶
のチルトのばらつきを低減することができ、液晶装置の
透過率やコントラスト、ＴＶ特性等のバラツキを低減し
て歩留まりの向上を図ることができる。

【００６９】なお、上述の実施の形態では、送り速度Ｖ
を可変制御することによってラビング条件を可変制御
し、均一なラビング密度ＲＳを得る一例について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のパ
ラメータを可変制御することによりラビング条件を可変
制御してもよい。例えば、送り速度Ｖ、ロール押し込み
量Ｍ、及び環境温度Ｔ等を所定の固定値としてラビング
処理を行う際に所望の均一なラビング密度ＲＳを得るた
めのラビングロール温度Ｔｒとロール回転数ｆとの関係
を実験等によって求め（図１０参照）、この関係に基づ
いて、各基板１０１の各ラビング位置Ｘにおけるロール
回転数ｆを可変制御してもよい。また、例えば、送り速
度Ｖ、ロール回転数ｆ、及び環境温度Ｔ等を所定の固定
値としてラビング処理を行う際に所望の均一なラビング
密度ＲＳを得るためのラビングロール温度Ｔｒとロール
押し込み量Ｍとの関係を実験等によって求め（図１１参
照）、この関係に基づいて、各基板１０１の各ラビング
位置Ｘにおける押し込み量Ｍを可変制御してもよい。さ
らに、例えば、送り速度Ｖ、ロール回転数ｆ、及びロー
ル押し込み量Ｍ等を所定の固定値としてラビング処理を
行う際に所望の均一なラビング密度ＲＳを得るためのラ
ビングロール温度Ｔｒと環境温度Ｔとの関係を実験等に
よって求め、この関係に基づいて、各基板１０１の各ラ
ビング位置Ｘにおける環境温度Ｔを可変制御してもよ
い。

【００７０】さらに、上記各パラメータＶ，ｆ，Ｍ，Ｔ
の何れか２つ以上の組み合わせによってラビング条件を
可変制御してもよい。

【００７１】また、上述の実施の形態においては、各ラ
ビング位置Ｘにおけるラビングロール温度Ｔｒに基づい
てラビング条件を可変制御する一例について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
ラビング処理された直後位置での基板温度Ｔｐの分布を
予め実験等により求め、この基板温度Ｔｐの分布に基づ
いてラビング条件を可変制御してもよい。

【００７２】また、ロール押し込み量Ｍは、ステージ１
１０のラビングロール１１２に対する高さ位置を制御す
ることにより設定されるものであってもよく、さらに、
送り速度Ｖは、ラビングロール１１２の移動速度を制御
することにより設定されるものであってもよい。

【００７３】図１２，１３は本発明の第２の実施の形態
に係り、図１２は液晶装置の製造装置を示す説明図、図
１３は送り速度制御ルーチンのフローチャートである。

【００７４】本実施の形態は、ラビングロール１１２の
表面温度（即ち、ラビング布１０３の温度）Ｔｒを測定
してラビング条件をフィードバック制御することによっ
て配向規制力のムラの発生をより確実に低減するもので
ある。なお、図１２において、図１と同様の構成につい
ては同符号を付して説明を省略する。

【００７５】図１２に示すように、ラビングロール１１
２には、ラビング処理時におけるラビングロール温度Ｔ
ｒを検出するための温度検出手段としての温度センサ１
３２が対向配置されている。温度センサ１３２の検出信
号は、計測部１３１に入力されて所定の温度情報に変換
された後、コントローラ１３０に入力されるようになっ
ている。

【００７６】温度センサ１３２としては、放射温度計や
赤外カメラ等が適用されることが望ましい。

【００７７】次に、このように構成された実施の形態の
作用について説明する。

【００７８】ラビング処理時において、コントローラ１
３０は、駆動制御部１２５を介してロール回転数ｆを所
定の固定値に制御するとともに、駆動制御部１２５を介
してラビングロール１１２の基板１０１に対する高さ位
置（相対距離）を制御することで押し込み量Ｍを所定の
固定値に制御する。また、コントローラ１３０は、温度
制御部１２６を介して環境温度Ｔを所定の固定値に制御
する。

【００７９】さらに、コントローラ１３０は、図１３に
示す送り速度制御ルーチンのフローチャートに従って、
送り速度Ｖを可変制御する。コントローラ１３０は、ス
テップＳ２１において、温度センサ１３２で検出された
ラビングロール温度Ｔｒを、計測部１３１を介して読み
込む。

【００８０】続くステップＳ２２において、コントロー
ラ１３０は、ラビングロール温度Ｔｒに基づき、例えば
図７に示すマップを参照して、所望の均一なラビング密
度ＲＳを得るための送り速度Ｖを設定する。

【００８１】続くステップＳ２３において、コントロー
ラ１３０は、設定された送り速度Ｖに応じた駆動信号を
駆動制御部１２５に出力し、ステージ１１０の移動速度
を制御する。

【００８２】そして、ステップＳ２３からステップＳ２
４の処理に進むと、コントローラ１３０は、ラビング処
理が終了したか否かを調べ、ラビング処理が未だ終了さ
れていないと判定した場合には、ステップＳ２１の処理
に戻り、送り速度制御ルーチンを繰り返し実行する。一
方、ステップＳ２４において、ラビング処理が終了した
と判定した場合には、本送り速度制御ルーチンを終了す
る。

【００８３】このような実施の形態によれば、ラビング
条件の制御をフィードバック制御により行うことによっ
て、上述の第１の実施の形態よりもより効果的に配向規
制力のムラの発生を低減することができる。

【００８４】なお、本実施の形態では、送り速度Ｖをフ
ィードバック制御により可変制御することによってラビ
ング条件を可変制御する一例について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、ロール回
転数ｆ、押し込み量Ｍ、或いは環境温度Ｔの何れかを同
様の方法でフィードバック制御することによってラビン
グ条件を可変制御してもよい。また、送り速度Ｖ、ロー
ル回転数ｆ、押し込み量Ｍ、及び環境温度Ｔの何れか２
つ以上のフィードバック制御の組み合わせによってラビ
ング条件を可変制御してもよい。

【００８５】また、上述の実施の形態においては、ラビ
ングロール温度Ｔｒに基づいてラビング条件を可変制御
する一例について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、温度センサ１３２に代えて、
ラビング処理された直後の基板温度Ｔｐを検出する温度
検出手段としての温度センサ１３３を設け、基板温度Ｔ
ｐに基づいてラビング条件を可変制御してもよい。

【００８６】また、ロール押し込み量Ｍは、ステージ１
１０のラビングロール１１２に対する高さ位置を制御す
ることにより設定されるものであってもよく、さらに、
送り速度Ｖは、ラビングロール１１２の移動速度を制御
することにより設定されるものであってもよい。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ラ
ビング密度を一定にして配向規制力にムラが生じること
を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製
造装置を示す説明図

【図２】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素にお
ける各種素子、配線等の等価回路

【図３】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板側から見た平面図

【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ’線
の位置で切断して示す断面図

【図５】液晶装置を詳細に示す断面図

【図６】パネル組立工程を示すフローチャート

【図７】ロール回転数、ロール押し込み量、及び環境温
度が一定条件下においてラビング密度を一定に維持する
ためのラビングロール温度と送り速度との関係を示す図
表

【図８】マザーガラス基板にラビング処理を行った際の
ラビング位置とラビングロール温度との関係の実験結果
の一例を示す図表

【図９】コントローラに格納された各ラビング位置での
送り速度情報を示すマップ

【図１０】ロール押し込み量、送り速度、及び環境温度
が一定条件下においてラビング密度を一定に維持するた
めのラビングロール温度とロール回転数との関係を示す
図表

【図１１】ロール回転数、送り速度、及び環境温度が一
定条件下においてラビング密度を一定に維持するための
ラビングロール温度とロール押し込み量との関係を示す
図表

【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置の
製造装置を示す説明図

【図１３】送り速度制御ルーチンのフローチャート

【図１４】従来例を示す模式図

【符号の説明】

１０…素子基板（液晶基板） １６…配向膜 ２０…対向基板（液晶基板） ２２…配向膜 １０１…液晶基板 １０３…ラビング布 １１０…ステージ １１２…ラビングロール １２４…コントローラ（ラビング制御手段） １３０…コントローラ（ラビング制御手段） １３２…温度センサ（温度検出手段） １３３…温度センサ（温度検出手段） ＲＳ…ラビング密度 Ｔ…環境温度 Ｔｐ…基板温度 Ｔｒ…ラビングロール温度 Ｖ…送り速度 ｆ…ロール回転数 Ｍ…押し込み量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 JC18 JD17 LA04 MA04 MB02 MB03 MB05 MB13 MB14 3C058 AA06 AC02 BA01 BA08 BB02 BC01 BC02 CA01 CB01

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ステージ上に載置された液晶基板上に形
   成された配向膜を擦ってラビング処理を行うためのラビ
   ング布が取り付けられたラビングロールと、 ラビング処理時における上記液晶基板或いは上記ラビン
   グロール少なくとも一方の温度変化に応じてラビング条
   件を可変制御するラビング制御手段と、を具備したこと
   を特徴とする液晶装置の製造装置。
2. 【請求項２】 上記ラビング制御手段は、予め計測され
   た、ラビング処理の進行とともに変化する上記ラビング
   ロールの温度情報に基づいて上記ラビング条件を可変制
   御することを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造
   装置。
3. 【請求項３】 上記ラビング制御手段は、予め計測され
   た、ラビング処理の直後位置での上記液晶基板の温度分
   布情報に基づいて上記ラビング条件を可変制御すること
   を特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造装置。
4. 【請求項４】 上記ラビングロールの温度を検出する温
   度検出手段を具備し、上記ラビング制御手段は、上記温
   度検出手段で検出した温度に基づいて上記ラビング条件
   をフィードバック制御することを特徴とする請求項１記
   載の液晶装置の製造装置。
5. 【請求項５】 上記ラビング処理の直後位置での上記液
   晶基板の温度を検出する温度検出手段を具備し、 上記ラビング制御手段は、上記温度検出手段で検出した
   温度に基づいて上記ラビング条件をフィードバック制御
   することを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造装
   置。
6. 【請求項６】 上記温度検出手段は、放射温度計である
   ことを特徴とする請求項４または請求項５記載の液晶装
   置の製造装置。
7. 【請求項７】 上記温度検出手段は、赤外カメラである
   ことを特徴とする請求項４または請求項５記載の液晶装
   置の製造装置。
8. 【請求項８】 上記ラビング条件は、上記ステージと上
   記ラビングロールとの相対速度である送り速度、上記液
   晶基板と上記ラビングロールとの相対距離であるロール
   押し込み量、上記ラビングロールの回転速度、或いは、
   環境温度の少なくとも何れか１つを可変制御することに
   より可変制御されることを特徴とする請求項１乃至請求
   項７の何れか１つに記載の液晶装置の製造装置。
9. 【請求項９】 ラビング布が取り付けられたラビングロ
   ールによって、ステージ上に載置された液晶基板上に形
   成された配向膜を擦って行うラビング処理時に、上記液
   晶基板或いは上記ラビングロールの少なくとも一方の温
   度変化に応じてラビング条件を可変制御する手順を具備
   したことを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項８の何れか１つに
    記載の液晶装置の製造装置によって配向膜がラビング処
    理されて製造されたことを特徴とする液晶装置。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の液晶装置の製造方法
    によって配向膜がラビング処理されて製造されたことを
    特徴とする液晶装置。