JP2003043260A

JP2003043260A - 偏光素子、偏光板および液晶表示装置

Info

Publication number: JP2003043260A
Application number: JP2001233498A
Authority: JP
Inventors: Kentaro Shirato; 健太郎白土
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-08-01
Filing date: 2001-08-01
Publication date: 2003-02-13

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成により平面薄型化が可能であ
るとともに、反射型液晶表示装置の反射輝度を向上でき
液晶表示を明るくすることができる偏光素子を得る。【解決手段】直交する直線偏光の一方を散乱し、他方
を実質的に透過する偏光素子において、散乱光の偏光状
態が変化するよう、光学異方性相の複屈折および配向状
態を、分散相の粒径と共に制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、直交する直線偏光の一
方を散乱し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を含
有する偏光素子に関する。また、本発明は、光吸収型偏
光素子と光散乱型偏光素子とを積層した偏光板に関す
る。さらに、本発明は、光の利用効率を改善した液晶表
示装置にも関する。

【０００２】

【従来の技術】太陽光のような自然光やランプのような
光源からの光を偏光素子を透過させると、直線偏光、円
偏光、楕円偏光など種々の偏光状態の光を生成すること
ができる。偏光素子は、電界制御複屈折モードやツイス
トネマティック（ＴＮ）モードのような主要な液晶表示
装置の重要部材として極めて広範囲に使用されている
（佐藤進著「液晶とその応用」産業図書刊、９６〜１１
５頁に記載）。

【０００３】液晶表示装置に用いられる偏光素子として
は、一般にヨウ素系や染料系の二色性の光吸収型偏光素
子が多く使われている。光吸収型偏光素子は、直交する
偏光成分の一方のみを吸収し、透過させないことによっ
てもう一方の直交する偏光成分を透過させることによっ
て直線偏光を生成させる。ただし、光吸収によって直線
偏光を生成するので、偏光度が１００％に近い場合、原
理的に光透過率の上限は５０％となる。従って、実際の
液晶ディスプレイは半分以下の光しか利用できず、ディ
スプレイ輝度が低いという問題がある。従来より光源の
光利用効率を向上すべく、偏光変換を施す手段がいくつ
か提案されている（特開昭６３−１２１８２１号、特開
平５−２２４１７５号、同５−２３２４３３号の各公報
に記載）。異方性反射方式および異方性散乱方式は、輝
度向上フイルムとして工業化され、透過型液晶ディスプ
レイで広く使用されている。

【０００４】異方性反射方式では、一軸延伸フイルムと
未延伸フイルムを多重に積層して、延伸方向の屈折率差
を大きくすることにより反射率ならびに透過率の異方性
を有する偏光素子、そしてこの素子と通常の二色性の光
吸収型偏光素子を積層してバックライト側の偏光素子と
して用いる。これのより、バックライトの光利用効率を
高めることができる（ＷＯ９５／１７６９１号、ＷＯ９
５／１７６９２号、ＷＯ９５／１７６９９号の各明細書
記載）。具体的には、多層膜方式とコレステリック液晶
方式とがある。多層膜方式は、正面輝度向上効果が大き
いが、偏光度を大きくするため、積層数を数十層以上に
する必要があり、生産性に問題がある。コレステリック
液晶方式は、ピッチ長の異なるコレステリック液晶を垂
直配向した状態で積層し、λ／４板と組み合わせること
で容易に実施できる（欧州特許６０６９４０Ａ２号明細
書、特開平８−２７１７３１号公報記載）。コレステリ
ック液晶方式は、正面輝度の向上が、多層膜方式より低
い。

【０００５】異方性散乱方式では、高分子と液晶の複合
体を延伸したフイルムが光学的に異方性の散乱体（異方
性散乱体）となる性質を利用する（リキッドクリスタル
ズ、１９９３年、１５巻、ＮＯ．３、３９５〜４０７頁
に記載）。ＷＯ９７／３２２２３号、ＷＯ９７／３２２
２４号、ＷＯ９７／３２２２５号、ＷＯ９７／３２２２
６号の各明細書および特開平９−２７４１０８号、同１
１−１７４２３１号の各公報には、正の固有複屈折性ポ
リマーと負の固有複屈折性ポリマーをブレンドし一軸延
伸することで異方性散乱体を作製する方法が提案されて
いる。異方性散乱方式は、輝度の視野角依存性が小さい
特徴を有しているが、正面輝度の向上度は異方性反射方
式よりも小さい。

【０００６】ところで、反射型液晶表示装置は、バック
ライトが不要で消費電力が小さいために、情報携帯末
端、携帯型ゲーム機や携帯電話のような携帯装置のディ
スプレイとして利用されており、今後、急速に市場拡大
していくと予想されている。反射型液晶表示装置は、反
射板、液晶セルおよび偏光フイルムがこの順に積層され
ている基本構造を有する。液晶セルの表示モードについ
ては、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＳＴＮ（Supper Twis
ted Nematic）、ＨＡＮ（Hybrid Aligned Nematic）、
ＨＰＤＬＣ（Holographic Polymer Dispersed Liquid C
rystal)のような様々な表示モードが提案されている。
ＴＮモードおよびＳＴＮモードの反射型液晶表示装置
は、既に実用化され広範囲に使用されている。

【０００７】異方性反射方式および異方性散乱方式の輝
度向上フイルムは、透過型液晶表示装置においてはバッ
クライト側に反射もしくは後方散乱した光がバックライ
ト部分で反射した光を再利用できる。しかし、反射型液
晶表示装置では、反射もしくは後方散乱光の大部分が大
気中に出射され、前記の輝度向上フイルムでは再利用で
きない。従って、反射型液晶表示装置には、有効な輝度
向上手段がないというのが現状である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、反射
型液晶表示装置にも有効な偏光素子を提供することであ
る。また、本発明の目的は、液晶表示装置、特に、反射
型液晶表示装置の輝度を向上できる偏光板を提供するこ
とである。さらに、本発明の目的は、光の利用効率が改
善された液晶表示装置を提供することでもある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記
（１）〜（１６）の偏光素子、下記（１７）〜（２２）
の偏光板および下記（２３）〜（２７）の液晶表示装置
により達成される。（１）直交する直線偏光の一方を散乱し、他方を実質的
に透過する異方性散乱層を有する偏光素子であって、異
方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射光の少
なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少なくとも
１０％を偏光変換することを特徴とする偏光素子。

【００１０】（２）異方性散乱層が、光学的等方性連続
相と光学的異方性不連続相とからなる（１）に記載の偏
光素子。（３）異方性散乱層面内の透過軸方向において、光学的
等方性連続相と光学的異方性不連続相との屈折率差が
０．０５未満である（２）に記載の偏光素子。（４）異方性散乱層面内の散乱軸方向において、光学的
等方性連続相と光学的異方性不連続相との屈折率差が
０．０３以上である（２）に記載の偏光素子。

【００１１】（５）光学的等方性連続相が、高分子化合
物からなる（２）に記載の偏光素子。（６）光学的異方性不連続相が、０．５乃至１０μｍの
平均径を有する（２）に記載の偏光素子。

【００１２】（７）光学的異方性不連続相が、液晶性化
合物から形成される（２）に記載の偏光素子。（８）液晶性化合物が重合性基を有し、光学的異方性不
連続相が、液晶性化合物の重合により形成される（７）
に記載の偏光素子。（９）液晶性化合物が、０．１より大きい固有複屈折を
有する（７）に記載の偏光素子。

【００１３】（１０）異方性散乱層が、光学的異方性連
続相と光学的等方性不連続相とからなる（１）に記載の
偏光素子。（１１）光学的異方性連続相が、液晶性化合物から形成
される（１０）に記載の偏光素子。

【００１４】（１２）直交する直線偏光の一方を吸収
し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光吸
収型偏光素子と、直交する直線偏光の一方を散乱し、他
方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光散乱型偏
光素子とが、光吸収型偏光素子の偏光透過軸と光散乱型
偏光素子の偏光透過軸とが実質的に平行になるように配
置されている偏光板であって、光散乱型偏光素子が、異
方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射光の少
なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少なくとも
１０％を偏光変換することを特徴とする偏光板。（１３）光吸収型偏光素子の偏光度が９９％以上である
（１２）に記載の偏光板。

【００１５】（１４）少なくとも一枚の透明支持体を有
する（１２）に記載の偏光板。（１５）透明支持体が、セルローストリアセテートフイ
ルムからなる（１４）に記載の偏光板。（１６）透明支持体が、メチレンクロライドを使用せず
に製造されたセルローストリアセテートフイルムである
（１５）に記載の偏光板。

【００１６】（１７）反射板、液晶セル、λ／４板およ
び偏光板がこの順に積層されている反射型液晶表示装置
であって、偏光板が、透明支持体、直交する直線偏光の
一方を吸収し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を
有する光吸収型偏光素子および直交する直線偏光の一方
を散乱し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を有す
る光散乱型偏光素子の積層体からなり、光吸収型偏光素
子の偏光透過軸と光散乱型偏光素子の偏光透過軸とが実
質的に平行になるように配置されており、光散乱型偏光
素子が、異方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する
入射光の少なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の
少なくとも１０％を偏光変換することを特徴とする反射
型液晶表示装置。

【００１７】（１８）反射板、液晶セルおよび偏光板が
この順に積層されている反射型液晶表示装置であって、
偏光板が、λ／４板、直交する直線偏光の一方を吸収
し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光吸
収型偏光素子および直交する直線偏光の一方を散乱し、
他方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光散乱型
偏光素子の積層体からなり、光吸収型偏光素子の偏光透
過軸と光散乱型偏光素子の偏光透過軸とが実質的に平行
になるように配置されており、光散乱型偏光素子が、異
方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射光の少
なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少なくとも
１０％を偏光変換することを特徴とする反射型液晶表示
装置。

【００１８】（１９）バックライト、偏光板、ツイスト
ネマチック配向モードの液晶セル、そして偏光フイルム
がこの順で積層されている液晶表示装置であって、バッ
クライト側の偏光板が、液晶セル側より順に、ディスコ
ティック液晶性分子から形成された光学異方性層、光学
異方性透明支持体、直交する直線偏光の一方を吸収し、
他方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光吸収型
偏光素子、そして、直交する直線偏光の一方を散乱し、
他方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光散乱型
偏光素子の積層体からなり、ディスコティック液晶性分
子の円盤面の法線の光学異方性透明支持体への正射影の
平均方向と光学異方性透明支持体の面内遅相軸との角度
が実質的に平行または垂直であり、光学異方性透明支持
体の面内遅相軸と光吸収型偏光素子の偏光透過軸とが実
質的に平行または垂直であり、さらに光吸収型偏光素子
の偏光透過軸と光散乱型偏光素子の偏光透過軸が実質的
に平行となるように配置されており、光散乱型偏光素子
が、異方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射
光の少なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少な
くとも１０％を偏光変換することを特徴とするツイスト
ネマチック配向モードの液晶表示装置。

【００１９】（２０）バックライト、偏光板、ベンド配
向モードの液晶セル、そして偏光板がこの順で積層され
ている液晶表示装置であって、バックライト側の偏光板
が、液晶セル側より順に、ディスコティック液晶性分子
から形成された光学異方性層、光学異方性透明支持体、
直交する直線偏光の一方を吸収し、他方を実質的に透過
する異方性散乱層を有する光吸収型偏光素子、そして、
直交する直線偏光の一方を散乱し、他方を実質的に透過
する異方性散乱層を有する光散乱型偏光素子の積層体か
らなり、ディスコティック液晶性分子の円盤面の法線の
光学異方性透明支持体への正射影の平均方向と光学異方
性透明支持体の面内遅相軸との角度が実質的に４５度で
あり、光学異方性透明支持体の面内遅相軸と光吸収型偏
光素子の偏光透過軸とが実質的に平行または垂直であ
り、さらに光吸収型偏光素子の偏光透過軸と光散乱型偏
光素子の偏光透過軸が実質的に平行となるように配置さ
れており、光散乱型偏光素子が、異方性散乱層の散乱軸
に平行な偏光面を有する入射光の少なくとも５０％を反
対側に出射し、出射光の少なくとも１０％を偏光変換す
ることを特徴とするベンド配向モードの液晶表示装置。

【００２０】（２１）バックライト、偏光板、水平配向
モードの液晶セル、そして偏光板がこの順で積層されて
いる液晶表示装置であって、バックライト側の偏光板
が、液晶セル側より順に、ディスコティック液晶性分子
から形成された光学異方性層、光学異方性透明支持体、
直交する直線偏光の一方を吸収し、他方を実質的に透過
する異方性散乱層を有する光吸収型偏光素子、そして、
直交する直線偏光の一方を散乱し、他方を実質的に透過
する異方性散乱層を有する光散乱型偏光素子の積層体か
らなり、ディスコティック液晶性分子の円盤面の法線の
光学異方性透明支持体への正射影の平均方向と光学異方
性透明支持体の面内遅相軸との角度が実質的に４５度で
あり、光学異方性透明支持体の面内遅相軸と光吸収型偏
光素子の偏光透過軸とが実質的に平行または垂直であ
り、さらに光吸収型偏光素子の偏光透過軸と光散乱型偏
光素子の偏光透過軸が実質的に平行となるように配置さ
れており、光散乱型偏光素子が、異方性散乱層の散乱軸
に平行な偏光面を有する入射光の少なくとも５０％を反
対側に出射し、出射光の少なくとも１０％を偏光変換す
ることを特徴とする水平配向モードの液晶表示装置。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、異方性散乱層の基本的な
構成を示す模式図である。図１に示す異方性散乱層で
は、光学的等方性連続相（２）中で光学異方性不連続相
（１）が相分離して分散状態で存在している。不連続相
（１）は複屈折を有する光学異方性化合物からなり、透
過軸（４）との方位角を垂直に保ちながら、分子の長軸
方向に相当する遅相軸が、散乱軸（３）に対して平行に
なるように配向している。なお、光の入射方向（５）
は、透過軸（４）および散乱軸（３）の双方に垂直とな
る方向に設定されている。

【００２２】図２は、異方性散乱層の別の基本的な構成
を示す模式図である。図２に示す異方性散乱層では、光
学的異方性連続相（６）中で光学等方性不連続相（７）
が相分離して分散状態で存在している。連続相（６）は
複屈折を有する光学異方性化合物からなり、透過軸
（９）との方位角を垂直に保ちながら、分子の長軸方向
に相当する遅相軸（１１）が、散乱軸（８）に対して平
行になるように配向している。なお、光の入射方向（１
０）は、透過軸（９）および散乱軸（８）の双方に垂直
となる方向に設定する。

【００２３】図３は、異方性散乱層に光を入射した状態
を示す断面模式図である。図３に示すように、異方性散
乱層（１４）のフイルム面に垂直の方向で光を入射する
と、フイルムの散乱軸と直交する電界ベクトルの光（１
２）とフイルムの散乱軸に平行な電界ベクトルの光（１
３）とが生じる。フイルムの散乱軸に平行な電界ベクト
ルの光（１３）は、入射光軸に対して傾斜した角度でフ
イルムを通過する。

【００２４】図４は、偏光素子の一般的な形態を示す断
面模式図である。図４に示す偏光素子は、図１または図
２に示した異方性散乱層（１５）のみからなる。図５
は、偏光素子の別の一般的な形態を示す断面模式図であ
る。図５に示す偏光素子は、異方性散乱層（１５）が透
明支持体（１６）上に設けられている。図６は、偏光素
子のまた別の一般的な形態を示す断面模式図である。図
６に示す偏光素子は、異方性散乱層（１６）が二枚の透
明支持体（１６）でサンドイッチされた構成を有してい
る。

【００２５】図７は、光散乱型偏光素子と光吸収型偏光
素子とを組み合わせた偏光板を示す断面模式図である。
図７に示す偏光板では、光吸収型偏光層（１８）を二枚
の透明支持体（１６）でサンドイッチした光吸収型偏光
素子と、光散乱型偏光素子（１７）とを分離した形で使
用する。図８は、光散乱型偏光素子と光吸収型偏光素子
とを組み合わせた別の偏光板を示す断面模式図である。
図８に示す偏光板では、光散乱型偏光素子（１７）を、
光吸収型偏光層（１８）の一方の保護フイルムとして使
用する。他方の保護フイルムは、透明支持体（１６）で
ある。図９は、光散乱型偏光素子と光吸収型偏光素子と
を組み合わせたまた別の偏光板を示す断面模式図であ
る。図９に示す偏光板でも、光散乱型偏光素子（１７）
を、光吸収型偏光層（１８）の一方の保護フイルムとし
て使用する。他方の保護フイルムは、光学補償シート
（１９）として機能する。図１０は、光散乱型偏光素子
と光吸収型偏光素子とを組み合わせたさらに別の偏光板
を示す断面模式図である。図１０に示す偏光板でも、光
散乱型偏光素子（１７）を、光吸収型偏光層（１８）の
一方の保護フイルムとして使用する。他方の保護フイル
ムは、λ／４（２０）として機能する。

【００２６】図１１は、偏光板を含む反射型液晶表示装
置の断面模式図である。図１１に示す反射型液晶表示装
置は、ＬＥＤ（２６）を光源として横に備えた導光板
（２５）の上に、半透過膜（２４）、偏光板（２３）、
ツイステッドネマチック（ＴＮ）モードの液晶セル（２
２）、そして偏光板（２１）をこの順に配置した構造を
有する。図１１に示す反射型単純マトリックス−ツイス
テッドネマチックモードの液晶表示装置では、偏光板
（２１）として、本発明に従う偏光板を使用することが
できる。図１２は、偏光板を含む別の反射型液晶表示装
置の断面模式図である。図１２に示す反射型液晶表示装
置は、ＬＥＤ（２６）を光源として横に備えた導光板
（２５）の上に、半透過膜（２４）、偏光板（２３）、
スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）モードの液
晶セル（２８）、二枚の位相差板（２７）、そして偏光
板（２１）をこの順に配置した構造を有する。図１２に
示す反射型単純マトリックス−スーパーツイステッドネ
マチックモードの液晶表示装置では、偏光板（２１）と
して、本発明に従う偏光板を使用することができる。

【００２７】図１３は、偏光板を含むまた別の反射型液
晶表示装置の断面模式図である。図１３に示す反射型液
晶表示装置は、反射板（２９）、スーパーツイステッド
ネマチック（ＳＴＮ）モードの液晶セル（２８）、二枚
の位相差板（２７）、そして、偏光板（２１）をこの順
に配置した構造を有する。図１３に示す一枚偏光フイル
ム方式の反射型単純マトリックス−スーパーツイステッ
ドネマチックモードの液晶表示装置では、偏光板（２
１）として、本発明に従う偏光板を使用することができ
る。図１４は、偏光板を含むさらに別の反射型液晶表示
装置の断面模式図である。図１４に示す反射型液晶表示
装置は、冷陰極管（３０）を光源として横に備えた導光
板（２５）の上に、偏光板（２３）、λ／４板（３
１）、二枚の光学補償フイルム（３３）、孔開反射板付
ツイステッドネマチック（ＴＮ）モードの液晶セル（３
２）、λ／４板（３１）、そして、偏光板（２１）をこ
の順に配置した構造を有する。図１４に示す半透過型ア
クティブマトリックス−ツイステッドネマチックモード
の液晶表示装置では、偏光板（２１）として、本発明に
従う偏光板を使用することができる。

【００２８】［光学的等方性連続相と光学的異方性不連
続相とからなる異方性散乱層］光学的等方性連続相は、
光透過率が８０％以上を有する材料から形成することが
好ましい。光学等方性連続相は、一般に、ポリマーから
形成する。ポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポ
リエチレン、ポリプロピレン）、ノルボルネン樹脂、ポ
リエステル（例、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート）、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスル
ホン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、セルロ
ースエステル（例、セルロースアセテート）が含まれ
る。ポリビニルアルコールおよびポリカーボネートが好
ましい。市販のポリマー（例、ゼオネックス、ゼオノ
ア、日本ゼオン（株）製；ＡＲＴＯＮ、日本合成ゴム
（株）製；フジタック（富士写真フイルム（株）製）を
使用することもできる。フジタック（富士写真フイルム
（株）製）およびゼオノア（日本ゼオン（株）製）が好
ましい。二種類以上のポリマーを混合して用いてもよ
い。

【００２９】光学的等方性連続相の複屈折は０．０５未
満であることが好ましく、０．０３未満であることがさ
らに好ましい。異方性散乱層の厚さは、０．５乃至５０
０μｍが好ましく、１乃至２００μｍがさらに好まし
い。

【００３０】光学的異方性不連続相（分散相）は、屈折
率異方性材料を主成分として構成することができる。屈
折率異方性材料は、延伸、光照射、電場印加あるいは磁
場印加により傾斜一軸配向させることが好ましい。屈折
率異方性材料では、直線偏光の一方に対する屈折率と該
直線偏光の他方に対する屈折率が異なっている。屈折率
異方性材料として、液晶性化合物が好ましく用いられ
る。液晶性化合物は、常光屈折率（ｎ_o）と異常光屈折
率（ｎ_e）の差、すなわち固有複屈折が大きいことが好
ましい。固有複屈折は０．１より大きいことが好まし
く、０．２より大きいことがさらに好ましく、０．３よ
り大きいことが最も好ましい。該液晶性化合物のｎ₀と
光学的等方性連続相の屈折率との差は０．０５未満であ
ることが好ましく、０．０３未満であることがさらに好
ましい。また、液晶性化合物のｎ_eと光学的等方性連続
相を構成する高分子素材の屈折率との差は０．０３以上
であることが好ましく、０．０５以上であることがさら
に好ましい。

【００３１】液晶性化合物は、室温もしくは加熱するこ
とによってネマチック相もしくはスメクチック相を示す
低分子液晶、例えば、シアノビフェニル系液晶、シアノ
フェニルシクロヘキサン系液晶、シアノフェニルエステ
ル系液晶、安息香酸フェニルエステル系液晶、フェニル
ピリミジン系液晶、もしくはそれらの混合物を挙げるこ
とができる。また、室温もしくは加熱状態でネマチック
相もしくはスメクティック相を示す高分子液晶を使用す
ることもできる。

【００３２】光学異方性相には、棒状の液晶性化合物を
好ましく使用することができる。棒状液晶性化合物およ
びその組成物については、季刊化学総説第２２巻液
晶の化学（１９９４年）日本化学会編の第４章、第７
章，第１０章、および液晶デバイスハンドブック日本
学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載された化合
物および組成物を参考にすることができる。光学異方性
相では特にネマチック相およびスメクチックＣ相を示す
棒状の液晶性化合物を好ましく使用することができる。

【００３３】液晶性化合物の配向状態は長期間または温
度，湿度や機械的変形に対し，安定に維持するのが困難
な場合が多い。配向状態を長期間にわたって維持するた
め、重合性の液晶性化合物を使用し、配向状態で重合さ
せ、架橋網目構造を形成させることが望ましい。重合性
の液晶性化合物の重合手段としては、熱重合、光重合の
いずれを使用することもできるが、本発明では紫外線を
用いた光重合が好ましく用いられる。重合性基はエチレ
ン性不飽和基であることが好ましく、液晶性化合物当
り、少なくとも１個導入されていることが好ましい。耐
熱性及び配向の均一性の点から、棒状液晶分子の両末端
に光重合性基を有する二官能重合性液晶化合物が、特に
好ましく用いられる。光学異方性相に好ましく使用され
る液晶性化合物の例を、以下に挙げる。

【００３４】

【化１】

【００３５】

【化２】

【００３６】

【化３】

【００３７】

【化４】

【００３８】

【化５】

【００３９】

【化６】

【００４０】

【化７】

【００４１】

【化８】

【００４２】

【化９】

【００４３】

【化１０】

【００４４】

【化１１】

【００４５】

【化１２】

【００４６】

【化１３】

【００４７】液晶性化合物の好ましい使用量は、光学的
等方性連続相を構成する高分子素材１ｇあたり、０．０
０１乃至２．０ｇが好ましく。０．０１乃至１．５ｇが
さらに好ましい。

【００４８】光学的異方性不連続相を構成する液晶性化
合物は、光を用いてラジカル重合することが好ましい。
ラジカル重合に使用する光重合開始剤の例には、チオキ
サントン系光重合開始剤（例、２，４−ジエチルチオキ
サントン、２−クロロチオキサントン）、ベンゾフェノ
ン系光重合開始剤（例、ベンゾフェノン、（４−（メチ
ルフェニルチオ）フェニル）フェニルメタノン）および
アントラキノン系光重合開始剤（例、エチルアントラキ
ノン）が含まれる。市販の光重合開始剤（例えば、Ciba
Specialty Chemicals. Inc.製のIrgacure184、Irgacu
re369、Irgacure５０0、Irgacure651、Irgacure784、Ir
gacure819、Irgacure907、Irgacure1000、Irgacure130
0、Irgacure1700、Irgacure1800、Irgacure18５０、Irg
acure2959、Darocur 1173, Darocur 4265等）を用いて
もよい。光重合開始剤の添加量は、重合性の液晶性化合
物の総量に対し０．０１質量％以上２０質量％以下であ
ることが好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下で
あることがさらに好ましい。

【００４９】光重合性開始剤と、分光増感剤や光重合促
進剤（例、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエス
テル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル）と
を併用してもよい。分光増感剤や光重合促進剤を添加す
る場合の好ましい添加量は光重合開始剤の１０質量％以
上３００質量％未満であり、さらに好ましくは２０質量
％以上２０0質量％未満である。

【００５０】光学的等方性連続相と光学的異方性不連続
相とからなる異方性散乱層は、光学的等方性連続相を構
成する高分子素材の溶液に液晶性化合物および光重合性
開始剤などの添加剤を分散した液を塗布後、乾燥し、さ
らに配向させて光照射により配向固定させて製造するこ
とが好ましい。

【００５１】液晶性化合物をポリビニルアルコールなど
の水溶液に乳化分散する場合、分散粒径をコントロール
したり、分散安定性を付与するため界面活性剤を添加す
ることが好ましく行われる。添加する界面活性剤として
は特に限定はなく、ノニオン性およびイオン性（アニオ
ン、カチオン、ベタイン）のいずれも使用できる。

【００５２】ノニオン界面活性剤は、ポリオキシエチレ
ン、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレン、ポリ
グリシジルやソルビタンをノニオン性親水性基とする界
面活性剤であり、具体的には、ポリオキシエチレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニール
エーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン
グリコール、多価アルコール脂肪酸部分エステル、ポリ
オキシエチレン多価アルコール脂肪酸部分エステル、ポ
リオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪
酸エステル、脂肪酸ジエタノールアミド、トリエタノー
ルアミン脂肪酸部分エステルを挙げることができる。ア
ニオン界面活性剤としては、カルボン酸塩、硫酸塩、ス
ルフォン酸塩、リン酸エステル塩が使用できる。代表的
なアニオン界面活性剤は、脂肪酸塩、アルキルベンゼン
スルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフォン酸塩、
アルキルスルフォン酸塩、α―オレフィンスルフォン酸
塩、ジアルキルスルフォコハク酸塩、α―スルフォン化
脂肪酸塩、Ｎ−メチルーＮオレイルタウリン、石油スル
フォン酸塩、アルキル硫酸塩、硫酸化油脂、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン
アルキルフェニールエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレ
ンスチレン化フェニールエーテル硫酸塩、アルキルリン
酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩お
よびナフタレンスルフォン酸塩ホルムアルデヒド縮合物
である。

【００５３】カチオン界面活性剤としてはアミン塩、４
級アンモニウム塩、ピリジニウム塩を使用できる。第１
〜第３脂肪族アミンの塩および４級アンモニウム塩
（例、テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルベ
ンジルアンモニウム塩、アルキルピリジウム塩、アルキ
ルイミダゾリウム塩）が好ましい。両性界面活性剤とし
ては、カルボキシベタインおよびスルフォベタインが好
ましい。両性界面活性剤の例には、Ｎ−トリアルキル−
Ｎ−カルボキシメチルアンモニウムベタインおよびＮ−
トリアルキル−Ｎ−スルフォアルキレンアンモニウムベ
タインが含まれる。

【００５４】界面活性剤については、各種文献（例え
ば、界面活性剤の応用、幸書房、刈米孝夫著、昭和５５
年９月１日発行）に記載がある。界面活性剤の使用量
は、不連続相の液晶性化合物１ｇあたり、０．００１乃
至１ｇが好ましく。０．０１乃至０．１ｇがさらに好ま
しい。分散は、超音波分散法、ホモジナイザーなどの攪
拌機を使用する方法、サンドミル、コロイドミルのよう
な混練機を使用する方法が好ましい。水不溶性ポリマー
（例、セルロースアセテート）に液晶性化合物を分散さ
せる場合、水不溶性ポリマーの有機溶剤溶液に液晶性化
合物の有機溶剤溶液を混合し均一な透明混合液を作製
後、塗布後の乾燥工程で相分離させることが好ましく行
われる。

【００５５】異方性散乱層の散乱は、Ｍie散乱なので、
不連続相のサイズを大きくすることで顕著に前方散乱の
割合を増大させることができる。入射光と反対側への出
射光を確保するため、ある程度まで不連続相のサイズを
大きくすることが好ましい。不連続相のサイズは、各領
域をほぼ同面積の円で近似した近似円形の平均径で０．
５〜１０μｍの範囲にあることが好ましく、１〜５μｍ
の範囲にあることがさらに好ましい。

【００５６】塗布方法は、ディップコート法、エアーナ
イフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、
ワイヤーバーコート法、グラビアコート法やエクストル
ージョンコート法（米国特許２６８１２９４号明細書）
等が好ましく使用される。２層以上を同時に塗布しても
よい。同時塗布の方法は、米国特許２７６１７９１号、
同２９４１８９８号、同３５０８９４７号、同３５２６
５２８号の各明細書および原崎勇次著、コーティング工
学、２５３頁、朝倉書店（１９７３）を参照することが
できる。

【００５７】異方性散乱層の膜厚は、０．５乃至１００
μｍであることが好ましく、１乃至７０μｍであること
がさらに好ましい。

【００５８】［液晶性化合物を配向させる手段］光学的
異方性不連続相を構成する液晶性化合物は、延伸、光照
射、電場印加および磁場印加の少なくともひとつの手段
を用いて配向させることが好ましい。

【００５９】（１）延伸法延伸法を用いて液晶性化合物を配向させる場合、光学的
等方性連続相と光学的異方性不連続相とからなる異方性
散乱層は上記方法によって、バンドまたはドラムのよう
な無端支持体、あるいは透明支持体に塗布した後、剥ぎ
取ってから延伸し、透明支持体にラミネートしてもよい
し、透明支持体に塗布した後、そのまま延伸して用いる
かまたは別の透明支持体とラミネートまたは別の透明支
持体に転写して形成してもよい。延伸倍率は特に不連続
相が液晶性化合物の場合、ヨウ素系吸収型偏光フイルム
のように４乃至１０倍もの高延伸倍率は必要でないた
め、生産性の観点から３．０倍以下が好ましく、２．０
倍以下がさらに好ましい。

【００６０】（２）光配向法光照射で液晶性化合物を傾斜一軸配向させる場合、光化
学反応性基を含有する化合物を液晶性化合物および/も
しくは光学等方性バインダーに添加することが好ましく
行われる。光化学反応性基は光エネルギーを吸収して励
起した状態を経由して、光分解、光架橋、光重合、光酸
化還元、光転移、光異性化を行う官能基を意味し、本発
明では光架橋および／もしくは光異性化反応を行う官能
基を特に好ましく使用することができる。光架橋性官能
基は光照射により分子内の結合が切断されたり、あるい
は結合の一部が開裂することによって生成したラジカル
などの活性分子が互いに結合したり（光二量化）、ある
いは他の分子をラジカル化しとして結合反応をする官能
基である。このような光架橋性官能基は、例えば、シン
ナモイル基、シンナミリデン基、ジアゾ基、アジド基、
アクリロイル基、カルコン基、クマリン基などが挙げら
れるが、この中でも本発明ではシンナモイル基、シンナ
ミリデン基、カルコン基、クマリン基などの光二量化性
官能基が特に好ましい。

【００６１】光異性化反応を行う官能基としては、例え
ば、光照射によりシス-トランス異性化するアゾベンゼ
ン基(K.Ichimura et al ,Langmuir.Vol.4,2) ; K.Ichim
ura etal ,Appl.Phys.Lett.Vol.63,No.4,Page449(1993)
; N.Ishizuki,Langmuir.Vol.9,Page3298(1993); N.Ish
izuki,Langmuir.Vol.9,Page857(1993))、ヒドラゾノ−
β−ケトエステル基(S.Yamamura et al,Liquid Crysta
l,Vol.13,No.2,page189(1993))、スチルベン基(市村國
宏他、高分子論文集、第47巻、10号、771頁(1990))、お
よびスピロピラン基(K.Ichimura et al ,Chemistry Let
ters,Page1063(1992) ; K.Ichimura et al,Thin Solid
Films,Vol.235,Page101(1993))が挙げられる。アゾベン
ゼン基およびスチルベン基を好ましく使用することがで
きる。

【００６２】光化学反応性化合物の好ましい使用量は、
不連続相の液晶性化合物１ｇあたり、０．００１乃至１
ｇが好ましく。０．０１乃至０．１ｇがさらに好まし
い。光化学反応性化合物の好ましい例を以下に挙げる。

【００６３】

【化１４】

【００６４】光配向は、直線偏光照射もしくは斜め非偏
光照射により好ましく行われる。照射光の波長は用いる
光化学反応性化合物が光学吸収を有する波長領域を好ま
しく使用することができる。１９０ｎｍ以上、５００ｎ
ｍ未満であることが好ましく、さらに好ましくは２５０
ｎｍ以上、４５０ｎｍ未満である。光源は、超高圧水銀
ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、低圧
水銀ランプ、低圧水銀ランプ、ＤｅｅｐＵＶランプ、
クセノンランプ、クセノンフラッシュランプ、メタルハ
ライドランプを好ましく使用することができる。直線偏
光を用いて光配向させる場合、光源から出射された紫外
線は偏光素子を通過させて直線偏光とすることが好まし
い。偏光素子としてはグランテーラー型プリズムやグラ
ントムソン型プリズムなどのプリズム系素子もしくはブ
リュースター角を利用した反射型偏光素子であることが
好ましい。照射光量は、１〜２０００ｍＪ／ｃｍ²であ
ることが好ましく、さらに好ましくは５〜１０００ｍＪ
／ｃｍ²である。短時間で光学的異方性を発現させるた
め、加熱しながら直線偏光を照射することも本発明では
好ましく行われる。直線偏光照射時の好ましい基板の温
度範囲は０℃以上２００℃未満であり、さらに好ましく
は１０℃以上１５０℃未満である。また、斜め非偏光照
射を用いて光配向させる場合、Polym. Mater. Sci. En
g. , 66, p263(1992)に記載されているような方法を好
ましく使用することができる。

【００６５】（３）電場配向法光学的等方性連続相に液晶性化合物を分散したフイルム
の傾斜した電極間に挿入し、１Ｖ以上２０００Ｖ未満の
電圧を印加することで不連続相の液晶性化合物を傾斜一
軸配向することができる。電極の傾斜角は１０度以上８
０度未満が好ましい。また、電圧印加は液晶性化合物が
液晶相を形成する温度範囲で行い、配向状態で紫外線照
射して傾斜配向状態を固定化することが好ましく行われ
る。

【００６６】（４）磁場配向法光学的等方性連続相に液晶性化合物を分散したフイルム
の傾斜した電磁コイルを備えた磁場配向装置の磁極間に
挿入し、０．２Ｔ以上１０Ｔ未満の磁場を印加すること
で不連続相の液晶性化合物を傾斜一軸配向することがで
きる。磁極の傾斜角は１０度以上８０度未満が好まし
い。また、磁場印加は液晶性化合物が液晶相を形成する
温度範囲で行い、配向状態で紫外線照射して傾斜配向状
態を固定化することが好ましく行われる。

【００６７】上記（１）〜（４）の少なくともひとつの
手段を用いて傾斜一軸配向させる。液晶性化合物の好ま
しい傾斜角度は１０度以上８０度未満であり、さらに好
ましくは２０度以上６０度未満である。液晶性化合物の
傾斜配向後は、紫外線照射して傾斜配向状態を固定化す
ることが好ましい。紫外線照射重合の照射光波長、照射
光量、光源、照射時の基板温度は、前述の光配向法の場
合と同じである。光配向法を用いる場合、光配向に使用
する照射光波長と重合性の液晶性化合物を光重合させる
ための照射光波長は異なっている方が好ましい。

【００６８】以上のように分散物を作製し、透明支持体
上に塗設し、直線偏光照射により液晶性分子を配向さ
せ、さらに必要に応じ配向状態の液晶性分子を光重合す
ることで異方性散乱層を作製することができる。異方性
散乱層を透明支持体上に設けることも好ましく行われ
る。

【００６９】［透明支持体］透明支持体は、光透過率が
８０％以上を有する材料から形成することが好ましい。
透明支持体としては、ポリマーフイルムを用いることが
できる。ポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリ
エチレン）、ノルボルネン樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアリレート、ポ
リスルフォン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリビニルアルコール、セルロースエステル（例、
セルロースアセテート）が含まれる。二種類以上のポリ
マーの混合したフイルムを用いてもよい。市販のポリマ
ー（例、ゼオネックス、ゼオノア、日本ゼオン（株）
製；ＡＲＴＯＮ、日本合成ゴム（株）製；フジタック
（富士写真フイルム（株）製）を使用することもでき
る。この中でもフジタック（富士写真フイルム（株）
製）、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート、ポリカーボネート、ゼオノア（日本ゼオン
（株）製）が特に好ましい。透明支持体には、透明性、
適度な透湿度、低複屈折性、適度な剛性といった物性が
求められ、セルロースアシレートが好ましく、特にセル
ロースアセテートが好ましい。

【００７０】透明支持体の物性は、用途に応じ任意の値
が可能であるが、通常の透過型ＬＣＤに用いる場合の代
表的な好ましい値を以下に示す。膜厚は取り扱い性や耐
久性の観点から５〜５００μｍが好ましく、２０〜２０
０μｍがより好ましく、２０〜１００μｍが特に好まし
い。レターデーション値は６３２．８ｎｍにおいて０〜
１５０ｎｍが好ましく、０〜２０ｎｍがより好ましく、
０〜５ｎｍが特に好ましい。透明支持体の遅相軸は、偏
光フイルムの吸収軸と実質的に平行または直交させるこ
とが、直線偏光の楕円化を避ける観点から好ましい。た
だし、透明支持体に位相差板等、偏光性を変化させる機
能を持たせる場合には、この限りではなく、偏光フイル
ムの吸収軸と透明支持体の遅相軸は任意の角度をとるこ
とができる。可視光線透過率は６０％以上が好ましく、
９０％以上が特に好ましい。９０℃１２０時間処理後の
寸度減少は、０．３〜０．０１％であることが好まし
く、０．１５〜０．０１％であることが特に好ましい。
フイルムの引っ張り試験による抗張力値は、５０〜１０
００ＭＰａが好ましく、１００〜３００ＭＰaが特に好
ましい。フイルムの透湿度は、１００〜８００ｇ／ｍ²
・ｄａｙが好ましく、３００〜６００ｇ／ｍ²・ｄａｙ
が特に好ましい。

【００７１】透明支持体として好ましいセルロースアシ
レートは、セルロースの水酸基への置換度が下記式
（Ｉ）〜（III)の全てを満足するものである。

【００７２】（Ｉ）２．６≦Ａ＋Ｂ≦３．０（II）２．０≦Ａ≦３．０（III）０≦Ｂ≦０．８式中、ＡおよびＢはセルロースの水酸基に置換されてい
るアシル基の置換基を表し、Ａはアセチル基の置換度、
またＢは炭素原子数３〜５のアシル基の置換度である。
セルロースには１グルコース単位に３個の水酸基があ
り、上記の数字はその水酸基３．０に対する置換度を表
すもので、最大の置換度が３．０である。セルロースト
リアセテートは一般にＡの置換度が２．６以上３．０以
下であり（この場合、置換されなかった水酸基が最大
０．４もある）、Ｂ＝０の場合がセルローストリアセテ
ートである。偏光フイルム透明支持体として用いるセル
ロースアシレートは、アシル基が全部アセチル基のセル
ローストリアセテート、及びアセチル基が２．０以上
で、炭素原子数が３〜５のアシル基が０．８以下、置換
されなかった水酸基が０．４以下のものが好ましい。炭
素原子数３〜５のアシル基の場合、０．３以下が物性の
点から特に好ましい。なお、置換度は、セルロースの水
酸基に置換する酢酸及び炭素原子数３〜５の脂肪酸の結
合度を測定し、計算によって得られる。測定方法として
は、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施すること
が出来る。

【００７３】アセチル基の他の炭素原子数３〜５のアシ
ル基はプロピオニル基（Ｃ₂Ｈ₅ＣＯ−）、ブチリル基
（Ｃ₃Ｈ₇ＣＯ−）（ｎ−、iso-）、バレリル基（Ｃ₄
Ｈ₉ＣＯ−）（ｎ−、iso-、sec-、tert−）で、これら
のうちｎ−置換のものがフイルムにした時の機械的強
さ、溶解し易さ等から好ましく、特にｎ−プロピオニル
基が好ましい。また、アセチル基の置換度が低いと機械
的強さ、耐湿熱性が低下する。炭素原子数３〜５のアシ
ル基の置換度が高いと有機溶媒への溶解性は向上する
が、それぞれの置換度が前記の範囲であれば良好な物性
を示す。

【００７４】セルロースアシレートの重合度（粘度平
均）は２００〜７００が好ましく、特に２５０〜５５０
のものが好ましい。粘度平均重合度はオストワルド粘度
計で測定することができ、測定されたセルロースアシレ
ートの固有粘度［η］から下記式により求められる。ＤＰ＝［η］／Ｋｍ（式中ＤＰは粘度平均重合度、Ｋｍ
は定数６×１０^-4）

【００７５】セルロースアシレート原料のセルロースと
しては、綿花リンターや木材パルプを用いることができ
る。綿花リンターと木材パルプとを混合して使用しても
よい。セルロースアシレートは、通常はソルベントキャ
スト法により製造される。ソルベントキャスト法は、セ
ルロースアシレートおよび各種添加剤を溶媒に溶解して
濃厚溶液（以下、ドープと称する）を調製し、これをド
ラムまたはバンドのような無端支持体上に流延し、溶媒
を蒸発させてフイルムを形成するものである。ドープ
は、固形分量が１０〜４０質量％となるように濃度を調
整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、
鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ソルベントキ
ャスト法における流延および乾燥方法については、米国
特許２３３６３１０号、同２３６７６０３号、同２４９
２０７８号、同２４９２９７７号、同２４９２９７８
号、同２６０７７０４号、同２７３９０６９号、同２７
３９０７０号、英国特許６４０７３１号、同７３６８９
２号の各明細書、特公昭４５−４５５４号、同４９−５
６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０
３４３０号、同６２−１１５０３５号の各公報に記載が
ある。

【００７６】２層以上のドープを流延する方法も好まし
く用いられる。複数のドープを流延する場合、支持体の
進行方向に間隔を置いて設けた複数の流延口からドープ
を含む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフイル
ムを作製してもよく、例えば特開昭６１−１５８４１４
号、特開平１−１２２４１９号、特開平１１−１９８２
８５号、などに記載の方法が適応できる。また、２つの
流延口からセルロースアシレート溶液を流延することに
よってもフイルム化することでもよく、例えば特公昭６
０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭
６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、
特開昭６１−１５８４１３号、特開平６−１３４９３３
号、に記載の方法で実施できる。また、特開昭５６−１
６２６１７号に記載の高粘度ドープの流れを低粘度のド
ープで包み込み、その高，低粘度のドープを同時に押出
す流延方法も好ましく用いられる。

【００７７】セルロースアシレートを溶解する有機溶媒
の例には、炭化水素（例、ベンゼン、トルエン）、ハロ
ゲン化炭化水素（例、メチレンクロライド、クロロベン
ゼン）、アルコール（例、メタノール、エタノール、ジ
エチレングリコール）、ケトン（例、アセトン）、エス
テル（例、酢酸エチル、酢酸プロピル）およびエーテル
（例、テトラヒドロフラン、メチルセロソルブ）が含ま
れる。炭素原子数１〜７のハロゲン化炭化水素が好まし
く用いられ、メチレンクロライドが最も好ましく用いら
れる。セルロースアシレートの溶解性、支持体からの剥
取り性、フイルムの機械強度等、光学特性等の物性の観
点から、メチレンクロライドの他に炭素原子数１〜５の
アルコールを一種、ないし数種類混合することが好まし
い。アルコールの含有量は、溶媒全体に対し２〜２５質
量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。アル
コールの例には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、イソプロパノールおよびｎ−ブタノールが含ま
れる。メタノール、エタノール、ｎ−ブタノールあるい
はこれらの混合物が好ましい。

【００７８】セルロースアシレートの他に乾燥後固形分
となる成分には、可塑剤、紫外線吸収剤、無機微粒子、
熱安定剤、帯電防止剤、難燃剤、滑剤、油剤、支持体か
らの剥離促進剤やセルロースアシレートの加水分解防止
剤が含まれる。熱安定剤としては、アルカリ土類金属
（カルシウム、マグネシウム）の塩を用いることができ
る。

【００７９】可塑剤としては、リン酸エステルまたはカ
ルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例に
は、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）およびトリ
クレジルフォスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニ
ルフォスフェート、オクチルジフェニルフォスフェー
ト、ジフェニルビフェニルフォスフェート、トリオクチ
ルフォスフェート、トリブチルホスフェートが含まれ
る。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステルお
よびクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステ
ルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチル
フタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢ
Ｐ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフ
タレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシルフタレート
（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、
Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）および
Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエ
ン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチ
ル、が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例に
は、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、
セバシン酸ジブチル、トリメチルトリメリテート等のト
リメリット酸エステルが含まれる。グリコール酸エステ
ルの例には、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタ
リルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコ
レート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフ
タリルブチルグリコレートが含まれる。

【００８０】トリフェニルフォスフェート、ビフェニル
ジフェニルフォスフェート、トリクレジルフォスフェー
ト、クレジルジフェニルフォスフェート、トリブチルフ
ォスフェート、ジメチルフタレート、ジエチルフタレー
ト、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエ
チルヘキシルフタレート、トリアセチン、エチルフタリ
ルエチルグリコレートおよびトリメチルトリメリテート
が好ましいく、トリフェニルホスフェート、ビフェニル
ジフェニルフォスフェート、ジエチルフタレート、エチ
ルフタリルエチルグリコレートおよびトリメチルトリメ
リテートがさらに好ましい。二種以上の可塑剤を併用し
てもよい。可塑剤の添加量はセルロースアシレートに対
して５〜３０質量％が好ましく、８〜１６質量％がさら
に好ましい。可塑剤は、セルロースアシレート溶液の調
製の際に、セルロースアシレートや溶媒と共に添加して
もよいし、溶液調製中や調製後に添加してもよい。

【００８１】紫外線吸収剤は、サリチル酸エステル系、
ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエー
ト系、シアノアクリレート系やニッケル錯塩系の紫外線
吸収剤を用いることができる。ベンゾフェノン系、ベン
ゾトリアゾール系、サリチル酸エステル系の紫外線吸収
剤が好ましい。ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例に
は、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロ
キシ−４−アセトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロ
キシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒ
ドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２−ヒ
ドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒ
ドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒ
ドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキ
シ）プロポキシベンゾフェノンが含まれる。ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤の例には、２−（２’−ヒドロ
キシ−３’−tert−ブチル−５’−メチルフェニル）−
５−クロルベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキ
シ−５’−tert−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−tert−
アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒ
ドロキシ−３’，５’−ジ−tert−ブチルフェニル）−
５−クロルベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキ
シ−５’−tert−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾー
ルが含まれる。サリチル酸エステル系紫外線吸収剤の例
には、フェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサ
リシレート、ｐ−tert−ブチルフェニルサリシレートが
含まれる。２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノ
ン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベ
ンゾフェノン、２−（２’−ヒドロキシ−３’−tert−
ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロルベンゾト
リアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−tert−ブ
チルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒド
ロキシ−３’，５’−ジ−tert−アミルフェニル）ベン
ゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾ
トリアゾールが特に好ましい。吸収波長の異なる複数の
吸収剤を複合して用いることが、広い波長範囲で高い遮
断効果を得ることができ、特に好ましい。紫外線吸収剤
の量はセルロースアシレートに対し０．０１〜５質量％
が好ましく、０．１〜３質量％が特に好ましい。紫外線
吸収剤はセルロースアシレート溶解時に同時に添加して
も良いし、溶解後のドープに添加しても良い。特にスタ
ティックミキサ等を用い、流延直前にドープに紫外線吸
収剤溶液を添加する形態が好ましい。

【００８２】セルロースアシレートに添加する無機微粒
子としては、シリカ、カオリン、タルク、ケイソウ土、
石英、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化チタン、ア
ルミナなどを目的に応じ、任意に用いることができる。
これら微粒子はドープに添加する前に、高速ミキサー、
ボールミル、アトライター、超音波分散機等、任意の手
段でバインダー溶液中に分散を行うことが好ましい。バ
インダーとしてはセルロースアシレートが好ましい。紫
外線吸収剤等、他の添加物と共に分散を行うことも好ま
しい。分散溶媒は任意であるが、ドープ溶剤と近い組成
であることが好ましい。分散粒子の数平均粒径は０．０
１〜１００μｍが好ましく、０．１〜１０μｍが特に好
ましい。上記の分散液はセルロースアシレート溶解工程
に同時に添加しても良いし、任意の工程でドープに添加
できるが、紫外線吸収剤同様に、攪拌機（例、スタティ
ックミキサー）を用い、流延直前に添加する形態が好ま
しい。

【００８３】支持体からの剥離促進剤としては、界面活
性剤が有効でありリン酸系、スルフォン酸系、カルボン
酸系、ノニオン系、カチオン系など特に限定されない。
剥離促進剤として使用できる界面活性剤については、特
開昭６１−２４３８３７号公報に記載がある。

【００８４】セルロースアシレートフイルムを透明支持
体に用いる場合、偏光膜の構成ポリマー（例えば、ポリ
ビニルアルコール系樹脂）との密着性を高めるため、フ
イルムを表面処理して親水性を付与することが好まし
い。親水化表面処理には、ケン化処理、コロナ処理、火
炎処理およびグロー放電処理が含まれる。また、親水性
樹脂をセルロースアシレートと親和性のある溶媒に分散
し、薄層塗布しても良い。以上の手段の中では、フイル
ムの平面性、物性が損なわれないため、ケン化処理が特
に好ましい。ケン化処理は、例えば苛性ソーダのような
アルカリ水溶液にフイルムを浸漬することで行われる。
処理後は過剰のアルカリを除くため、低濃度の酸で中和
し、水洗を十分行うことが好ましい。

【００８５】偏光素子の透明支持体表面には、ＬＣＤの
視野角補償のための光学異方性層（特開平４−２２９８
２８号、同６−７５１１５号、同８−５０２０６号の各
公報に記載）や、ディスプレイの視認性向上のための防
眩層や反射防止層、偏光フイルムの耐傷性を高めるため
のハードコート層、水分や酸素の拡散を抑えるガスバリ
ア層、偏光フイルムあるいは接着剤、粘着剤との密着力
を高める易接着層、スベリ性を付与する層、その他の任
意の機能層を設けることができる。光学異方性層は、デ
ィスコティック液晶性分子から形成することが好まし
い。機能層は偏光層側に設けても良いし、偏光層と反対
面に設けても良く、目的に応じ適宜に選択できる。

【００８６】偏光素子には、各種機能膜を透明支持体と
して直接片面または両面に貼合することができる。機能
膜の例としては、λ／４板、λ／２板などの位相差膜、
光拡散膜、偏光素子と反対面に導電層を設けたプラスチ
ックセル、異方性散乱や異方性光学干渉機能等をもつ輝
度向上膜、反射板や半透過機能を持つ反射板が含まれ
る。

【００８７】透明支持体と、異方性散乱層の高分子媒体
との接着強度を増大させるために下塗り層、もしくは表
面処理を施すことが好ましい。好ましい下塗り層用素材
は、ゼラチン、スチレン−ブタジエンラバー、ポリビニ
ルアルコールである。また、好ましい表面処理は、火炎
処理、コロナ処理、グロー処理、鹸化処理である。

【００８８】［光学的異方性連続相と光学的等方性不連
続相とからなる異方性散乱層］光学的異方性連続相は、
前述の光学的異方性不連続相と同じ棒状の液晶性化合物
を傾斜一軸配向させて構成されることが好ましい。使用
する化合物の種類は、前述の光学的異方性不連続相と同
じである。配向方法は、延伸法は使用できないが、光配
向法、電場配向法、磁場配向法を前述の光学的異方性不
連続相の配向と同様に好ましく使用することができる。
また、光学的異方性相を連続相とする場合、透明支持体
上にポリイミドもしくはポリビニルアルコールのような
ポリマーを配向膜として塗設し、ラビングもしくは直線
偏光照射によりチルト角の大きな配向性を付与すること
も好ましく行われる。配向膜の好ましい膜厚は０．０１
μｍ以上５μｍ以下である。光学的等方性不連続相は、
ポリメチルメタクリレートやポリスチレン等の架橋もし
くは非架橋ポリマー粒子やシリカ、二酸化チタン、酸化
亜鉛、酸化タングステン、酸化錫等の無機粒子を好まし
く使用することができる。光学的等方性不連続相の好ま
しい粒径は前述の光学的異方性不連続相と同じである。
光学的等方性不連続相の好ましい使用量は、光学的異方
性連続相を構成する素材１ｇあたり、０．００１乃至
２．０ｇが好ましく。０．０１乃至１．５ｇがさらに好
ましい。光学的異方性連続相を傾斜配向後、紫外線照射
により配向固定する方法も前述の光学的異方性不連続相
と同様に好ましく行われる。本発明の異方性散乱層を透
明支持体上に設けることも好ましく行われる。使用する
透明支持体は前述のものと同じである。

【００８９】異方性散乱層を有する偏光素子は光散乱型
偏光素子として、光吸収型偏光素子と組み合わせて好ま
しく使用される。光吸収型偏光素子は、直交する直線偏
光の一方を吸収し、他方を実質的に透過する偏光素子で
あり、５倍以上に延伸したポリビニルアルコールフイル
ム中にＩ₃ ^-やＩ₅ ^-および／もしくは有機二色性色素を高
度に一軸配向させ、ホウ酸で架橋したものをセルロース
トリアセテートのような保護フイルムでサンドイッチし
たものが一般に使用されている。このような光吸収型偏
光素子の偏光度（以下の式で定義）は、９９％以上であ
ることが好ましく、４００ｎｍ〜７００ｎｍの平均光線
透過率は４０％以上であることが望ましい。

【００９０】

【数１】

【００９１】式中、Ｐは透過軸を平行にした２枚の偏光
素子を透過する光の透過率であり；そして、Ｃは透過軸
を直交させた２枚の偏光素子を透過する光の透過率であ
る。

【００９２】異方性散乱層を有する光学フイルムとの組
み合わせは、図７に示されるように光吸収型偏光素子と
別々の偏光素子として使用してもよいし、図８〜１０の
ように光吸収型偏光素子の保護フイルムの一方を置換し
て光吸収型素子に一体化して使用してもよい。その際、
異方性散乱層を有する偏光素子の透過軸と光吸収型偏光
素子の透過軸とが実質的に平行になるように配置して使
用することが望ましい。また、異方性散乱層の透過軸異
方性散乱層を有する偏光素子は異方性散乱層が光吸収型
偏光素子よりも外側（液晶セルの反対側）となるように
配置することが望ましい。

【００９３】外光もしくはフロントライトから液晶表示
装置に入射した光は、異方性散乱層を有する偏光素子を
通過する際、直交する直線偏光の一方を散乱し、他方を
実質的に透過する。透過した直線偏光は、次に光吸収型
偏光素子を通過し、液晶セルに入射する。本発明の偏光
素子は散乱したもう一方の直線偏光のうち、５０％以上
は前方散乱することが好ましく、７０％以上は前方散乱
することがさらに好ましい。散乱光は配向した異方性不
連続相もしくは連続相を通過する際に、異方性不連続相
もしくは連続層のレタデーションの大きさに依存する形
で偏光状態が変化する。本発明では、次の式で定義され
る偏光変化率において、散乱軸の偏光変換率において、
散乱軸の偏光変換率が１０％以上であることが好まし
く、１５％以上であることがさらに好ましい。また、透
過軸の偏光変換率は２０％未満であることが好ましく、
１０％未満であることがさらに好ましい。

【００９４】

【数２】

【００９５】散乱軸偏光変換率は、散乱軸（遅相軸およ
び液晶配向方向と同じ）に平行な直線偏光をサンプルに
入射した場合の、散乱軸平行方向の透過率（Ｔ_//）、散
乱軸と直交方向の透過率（Ｔ⊥）から算出される。透
過軸偏光変換率は散乱軸（遅相軸および液晶配向方向と
同じ）と直交する直線偏光をサンプルに入射した場合
の、散乱軸平行方向の透過率（Ｔ_//）、散乱軸と直交方
向の透過率（Ｔ⊥）から算出される。Ｔ_//およびＴ⊥
は、例えば、分光光度計の積分球もしくは受光機とサン
プルの間に偏光板の透過軸をサンプルの散乱軸と平行も
しくは直交させておくことにより測定できる。

【００９６】偏光素子は、図９に示したように液晶表示
装置の光学補償フイルムと組み合わせると、広視野角
化、高輝度化を図ることができる。光学補償フイルムと
しては、特許第２５８７３９８号公報に記載のディスコ
ティック化合物を用いることが好ましい。また、光学補
償フイルムを偏光素子と一体型化したものも好ましく使
用することができる（特開平７−１９１２１７号公報記
載）。さらに、偏光素子は図１０に示したようにλ／４
板と組み合わせることで、反射型液晶表示装置の薄型化
を図ることもできる。ここで、（光散乱型および光吸収
型）偏光素子の透過軸とλ／４板の遅相軸とが実質的に
４５°となるように配置することが好ましい。

【００９７】偏光素子の表面に反射防止層を付与するこ
ともできる。反射防止層により表面反射が減少し、結果
としてディスプレイの輝度を上昇させることができる。
この反射防止層は例えば日本写真学会誌，２９，Ｐ．１
３７（１９６６）に知られているような低屈折率層と高
屈折率層の積層体でも、低屈折率層を一層のみ設けたも
のでも良い。

【００９８】（液晶表示装置）偏光板は、液晶表示装置
に組み込んで使用する。本発明は、液晶表示装置がツイ
ストネマチック配向モードの液晶セル、ベンド配向モー
ドの液晶セルまたは水平配向モードの液晶セルを有する
場合に、特に効果がある。透過型液晶表示装置では、液
晶セルの両側（バックライト側と観察者側）に二枚の偏
光板を使用する。偏光板をバックライト側の偏光板とし
て使用すると、液晶表示装置の光の利用効率を改善でき
る。本発明に従う偏光板は、バックライト付き透過型の
液晶表示装置のバックライト側の偏光板として、光散乱
型偏光素子が光吸収型偏光素子よりバックライト側にな
るように配置して用いる。これにより、光吸収型偏光素
子のみからなる偏光板を用いた液晶表示装置よりもバッ
クライト光の偏光板透過率を高くなる。その結果、明る
く鮮明な画像を表示できる。光吸収型偏光素子の光吸収
軸に平行な偏光成分は、偏光素子内部でその１００％近
くが吸収される。本発明に従う偏光板においては、光吸
収型偏光素子の光吸収軸と光散乱型偏光素子の散乱軸が
平行に配置されている。そのため、バックライトの光吸
収軸に平行な偏光成分は、最初に入射する異方性散乱層
で強く散乱を受け、後方散乱光がバックライト側に戻さ
れる。

【００９９】後方散乱光の大部分は、バックライト部分
（例えば、導光板、光拡散板、集光シート）で散乱反射
された後に再び異方性散乱層に入射する。この再入射し
た光は、散乱に基づく偏光解消を受けて楕円偏光になる
ため、偏光素子の光透過軸に平行な偏光成分が出現す
る。また、前方散乱光についても僅かに散乱解消によっ
て楕円偏光となるため、光透過軸に平行な偏光成分が出
現する。これらの結果として、偏光素子の光透過軸に平
行な偏光成分が増加し、トータルでバックライト光の偏
光素子透過率が上昇する。一体型の偏光板の偏光度につ
いては、一体化された偏光板の高い偏光度がそのまま維
持され、偏光素子単独の偏光度と同等以上の値を得るこ
とができる。ツイストネマチック（ＴＮ）配向モードの
液晶セルは、最も普通に（特に、ＴＦＴ液晶表示装置
に）用いられている液晶セルであって、様々な文献に記
載がある。本発明の偏光板と光学異方性透明支持体上に
ディスコティック液晶性化合物から形成した光学異方性
層を有する光学補償シートとを一体化した積層体を、ツ
イストネマチック配向モードの液晶表示装置に組み込む
場合、ディスコティック液晶性化合物の円盤面の法線の
光学異方性透明支持体面への正射影の平均方向と光学異
方性透明支持体の面内遅相軸との角度が実質的に平行ま
たは実質的に垂直になるように、光学異方性層と光学異
方性透明支持体とを配置する。また、光学異方性透明支
持体の面内遅相軸と偏光素子の面内透過軸とは、実質的
に平行または実質的に垂直になるように、光学異方性透
明支持体と偏光素子とを配置する。

【０１００】ベンド配向モードの液晶セルは、セル中央
部の液晶分子がねじれ配向していてもよい。ベンド配向
液晶セルでは、液晶性化合物の屈折率異方性ｎと、液晶
セルの液晶層の厚みｄとの積（ｎｄ）は、輝度と視野角
を両立させるために、１００乃至２０００ｎｍの範囲で
あることが好ましく、１５０乃至１７００ｎｍの範囲で
あることがさらに好ましく、５００乃至１５００ｎｍの
範囲であることが最も好ましい。偏光板と光学異方性透
明支持体上にディスコティック液晶性化合物から形成し
た光学異方性層を有する光学補償シートとを一体化した
積層体を、ベンド配向モードの液晶表示装置に組み込む
場合、ディスコティック液晶性化合物の円盤面の法線の
光学異方性透明支持体面への正射影の平均方向と光学異
方性透明支持体の面内遅相軸との角度が実質的に４５゜
になるように、光学異方性層と光学異方性透明支持体と
を配置する。また、光学異方性透明支持体の面内遅相軸
と偏光素子の面内透過軸とが実質的に平行または実質的
に垂直になるように、透明支持体と偏光素子とを配置す
る。

【０１０１】水平配向液晶セルでは、液晶性化合物の屈
折率異方性ｎと、液晶セルの液晶層の厚みｄとの積（ｎ
ｄ）は、輝度と視野角を両立させるために、１００乃至
２０００ｎｍの範囲にあることが好ましく、１００乃至
１０００ｎｍの範囲にあることがさらに好ましく、１０
０乃至７００ｎｍの範囲にあることが最も好ましい。本
発明の偏光素子と光学異方性透明支持体上にディスコテ
ィック液晶性化合物から形成した光学異方性層を有する
光学補償シートとを一体化した積層体を、水平配向モー
ドの液晶表示装置に組み込む場合、ディスコティック液
晶性化合物の円盤面の法線の光学異方性透明支持体面へ
の正射影の平均方向と光学異方性透明支持体の面内遅相
軸との角度が実質的に４５゜になるように、光学異方性
層と光学異方性透明支持体とを配置する。また、光学異
方性透明支持体の面内遅相軸と偏光素子の面内透過軸と
が実質的に平行または実質的に垂直になるように、光学
異方性透明支持体と偏光素子とを配置する。液晶セル
は、いずれも、ノーマリーホワイトモード（ＮＷモー
ド）またはノーマリーブラックモード（ＮＢモード）で
用いることができる。

【０１０２】偏光素子を反射型液晶表示装置に用いるこ
とにより、光の利用効率が大きくなり、結果として表示
画像の輝度が上昇する。

【０１０３】

【実施例】[実施例１] （異方性散乱層用塗布液の調製）重合性液晶化合物Ｎ４
１（Δｎ＝０．３７、ｎ₀＝１．８７）２ｇ、重合性液
晶化合物Ｎ４２（Δｎ＝０．３７、ｎ₀＝１．５０）２
ｇ、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物（Ｄ
ＰＨＡ、日本化薬（株）製）０．１ｇ、光重合開始剤
（イルガキュア９０７、チバガイギー社製）０．１ｇを
酢酸エチル２ｇに溶解し、孔径３０μｍのポリプロピレ
ン製フィルターでろ過して、不連続相用重合性液晶溶液
を調製した。一方、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ２０
５、クラレ（株）製）０．６質量％水溶液５３．３ｇ
に、界面活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸ナト
リウム２質量％水溶液０．８ｇを添加、溶解後、孔径３
０μｍのポリプロピレン製フィルターでろ過して、連続
相用水溶液を調製した。不連続相用重合性液晶溶液と連
続相用水溶液とを混合し、ホモジナイザーにより９００
０ｒｐｍで１０分間攪拌した。ポリビニルアルコール
（ＰＶＡ２０５、クラレ（株）製）２０質量％水溶液５
８．４ｇを加え、スターラーで１５分間攪拌して異方性
散乱層用塗布液を調製した。不連続相の平均分散径は
１．１μｍであった。連続相成分のポリビニルアルコー
ルの屈折率は、１．５２であった。

【０１０４】（塗布膜の調製および延伸法による傾斜配
向）異方性散乱層用塗布液をダイを用いてバンド流延、
乾燥し、厚み４０μｍとなるようにした。このフイルム
をバンドから剥ぎ取り、４０℃、相対湿度６０％で１．
５倍延伸の後、１００℃で２分間熟成した。１６０Ｗ／
ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス
（株）製、波長範囲２００〜５００ｎｍ、最大波長３６
５ｎｍ）を用いて、照度２００ｍＷ／ｃｍ²、照射量４
００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線を照射して不連続相を硬化さ
せ、偏光素子を作製した。

【０１０５】[実施例２] （異方性散乱層用塗布液の調製）液晶性化合物Ｎ４１
（Δｎ＝０．３７）４ｇ、光化学反応性化合物（ＷＰ−
１）０．４ｇ、光重合開始剤（イルガキュア９０７、チ
バガイギー社製）０．１ｇおよび酢酸エチル２ｇをポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ２０５、クラレ（株）製）の
１０質量％水溶液１２０ｇに混合し、ホモジナイザーを
用いてこの液を分散して異方性散乱層用塗布液を調製し
た。不連続相の平均径は１．５μｍであった。

【０１０６】（微粒子分散液の調製）下記の組成からな
る微粒子分散液を調製し、アトライターにて体積平均粒
径が０．７μｍになるように分散した。

【０１０７】 ──────────────────────────────────── 微粒子分散液組成 ──────────────────────────────────── シリカ（アエロジルＲ９７２、日本アエロジル（株）製）０．６７質量％セルロースアセテート（置換度２．８）２．９３質量％トリフェニルフォスフェート０．２３質量％ビフェニルジフェニルフォスフェート０．１２質量％メチレンクロライド８８．３７質量％メタノール７．６８質量％ ────────────────────────────────────

【０１０８】（原料ドープの調製）下記の組成からなる
セルローストリアセテート原料を調製した。

【０１０９】 ──────────────────────────────────── セルローストリアセテート原料組成 ──────────────────────────────────── 置換度２．８のセルローストリアセテート８９．３質量％トリフェニルフォスフェート７．１質量％ビフェニルジフェニルフォスフェート３．６質量％ ────────────────────────────────────

【０１１０】固形分１００質量部のセルローストリアセ
テート原料に対し、微粒子分散液１７．９質量部を添加
し、さらにジクロロメタン９２質量％とメタノール８質
量％からなる混合溶媒を適宜添加し、攪拌溶解しドープ
を調製した。ドープの固形分濃度は１８．５質量％であ
った。このドープを濾紙（東洋濾紙（株）製、＃６３）
にてろ過し、さらに燒結金属フィルター（日本精線
（株）製０６Ｎ、公称孔径１０μｍ）でろ過し、さらに
メッシュフィルター（日本ポール（株）製ＲＭ、公称孔
径４５μｍ）でろ過した。

【０１１１】（紫外線吸収剤溶液の調製）下記の組成か
らなる紫外線吸収剤溶液を調製し、フィルター（アスト
ロポア１０フィルタ、富士写真フイルム（株）製）にて
ろ過した。

【０１１２】 ──────────────────────────────────── 紫外線吸収剤溶液組成 ──────────────────────────────────── ２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−tert−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール５．８３質量％２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−tert−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール１１．６６質量％置換度２．８のセルロースアセテート１．４８質量％トリフェニルフォスフェート０．１２質量％ビフェニルジフェニルフォスフェート０．０６質量％メチレンクロライド７４．３８質量％メタノール６．４７質量％ ────────────────────────────────────

【０１１３】（透明支持体の作製）原料ドープに対し、
スタティックミキサを用い、上記紫外線吸収剤溶液を、
ドープ中の固形分に対し紫外線吸収剤量が１．０４質量
％になるよう調節しつつ、ドープの配管経路において添
加、混合した。このドープをエンドレスベルト上に流延
し、自己支持性を持つまで熱風乾燥し、フイルムとして
剥離した。剥離した時点の残留溶剤は、３８質量％であ
った。このフイルムをテンター式乾燥機に導入し、両端
を保持して張力を与えつつ乾燥し、残留溶剤が１４質量
％になるまで乾燥した。以降ローラー乾燥ゾーンにて乾
燥し、残留溶剤が０．１質量％になるまで乾燥した。完
成フイルムの膜厚は８０μｍ、レターデーションは３．
１ｎｍ、フイルム長手方向の抗張力は１４０ＭＰａであ
った。

【０１１４】（残留溶剤量の測定）残留溶剤は、島津製
作所製ＧＣ−１８Ａを用い、メチレンクロライド、メタ
ノール、ｎ−ブタノールを定量した。残量溶剤量は湿量
基準であり、これら溶剤の総和が、溶剤を含むサンプル
総質量に占める割合を示す。

【０１１５】（ドープ固形分濃度の測定）ドープ固形分
濃度（％）は、湿量基準で（ドープを１２０℃２時間加
熱した減量分質量）／（元のドープ質量）×１００で求
めた。

【０１１６】（粒子分散粒径の測定）ＭＡＬＶＥＲＮ社
製マスターサイザーＭＳ２０にて測定した。

【０１１７】（フイルムのレターデーションの測定）レ
ターデーションは王子計測（株）製自動複屈折計ＫＯＢ
ＲＡ２１ＤＨにて、６３２．８ｎｍにおける値を測定し
た。

【０１１８】（フイルムの抗張力の測定）抗張力はオリ
エンテック（株）製ＲＴＡ−１００引張試験機にて、初
期試料長１００ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎの条
件にて、２３℃、６５％ＲＨにて測定した。

【０１１９】（塗布膜の調製および光配向法による傾斜
配向）作製した厚さ８０μｍのトリアセチルセルロース
フイルムを透明支持体として用い、その上に、調製した
異方性散乱層用塗布液をバーコーターを用いて塗布し、
１００℃で５分間乾燥した。膜厚は８μｍであった。こ
の後、紫外線露光装置を用いて、３１３ｎｍの直線偏光
を、基板に対し斜め８５度上方向から照射光強度１０ｍ
Ｗ／ｃｍ²で基板温度を７０℃とした状態で１０分間照
射した。このフイルムを支持体ごと１００℃の恒温槽に
２分間放置し、熟成してから、１６０Ｗ／ｃｍの空冷メ
タルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製、波
長範囲２００〜５００ｎｍ、最大波長３６５ｎｍ）を用
いて、照度２００ｍＷ／ｃｍ²、照射量４００ｍＪ／ｃ
ｍ²の紫外線を照射して不連続相の傾斜配向状態を保っ
たまま硬化させ、偏光素子を作製した。

【０１２０】[実施例３] （異方性散乱層用塗布液の調製）室温において、液晶性
化合物Ｎ４５（Δｎ＝０．４０）４ｇ、光重合開始剤
（イルガキュア９０７、チバガイギー社製）０．１ｇ、
平均酢化度５９．０％のセルロースアセテート１２ｇ、
メチレンクロリド５４.３ｇ、メタノール９.９ｇおよび
ｎ−ブタノール２.０ｇを混合して、塗布液を調製し
た。

【０１２１】（塗布膜の調製および電場による傾斜配
向）異方性散乱層用塗布液を、ガラス板上に流延し、室
温で１分間乾燥後、４５℃で５分間乾燥させた。乾燥後
の溶剤残留量は３０質量％であった。セルロースアセテ
ートフイルムをガラス板から剥離し、適当な大きさに切
断した後、そのまま１２０℃で３０分間乾燥したとこ
ろ、溶剤残留量は０．１質量％で、フイルムの厚さは、
９７μｍだった。フイルム断面の超薄切片を透過型電子
顕微鏡で観察したところ、液晶性化合物からなる不連続
相の平均径は２．３μｍだった。この後、基板温度８０
℃でフイルム上に電極を２本置いて、２０ｋＶの電圧印
加を５分間行った。電圧印加を３分間行った時点で、１
６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフ
ィックス（株）製、波長範囲２００〜５００ｎｍ、最大
波長３６５ｎｍ）を用いて、照度２００ｍＷ／ｃｍ²、
照射量４００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線をフイルムに照射し
て不連続相の配向状態を保ったまま硬化させ、偏光素子
を作製した。

【０１２２】[実施例４] （異方性散乱層用塗布液の調製）室温において、液晶性
化合物Ｎ４３（Δｎ＝０．４５）４ｇ、光重合開始剤
（イルガキュア９０７、チバガイギー社製）０．１ｇ、
平均粒径２．１μｍのシリカ粒子１．３ｇ、メチルエチ
ルケトン２７ｇ、シクロヘキサノン２７ｇを混合、分散
して、塗布液を調製した。

【０１２３】（塗布膜の調製および磁場による傾斜配
向）公技（発明協会公開技報）番号２００１−１７４５
号の実施例１に記載の試料１０１と同様に作製した厚さ
８０μｍのトリアセチルセルロースフイルムに、ポリビ
ニルアルコールを配向膜として０．２μｍ塗布し、ラビ
ングした。この上に上記の異方性散乱層用塗布液Ｄをバ
ーコーターを用いて塗布し、１００℃で５分間乾燥し
た。膜厚は９μｍだった。この後、基板温度９０℃でフ
イルムを基板に対し４５度傾斜した磁極間に挿入し、２
Ｔの磁場印加を５分間行った。磁場印加を３分間行った
時点で、１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ
（アイグラフィックス（株）製、波長範囲２００〜５０
０ｎｍ、最大波長３６５ｎｍ）を用いて、照度２００ｍ
Ｗ／ｃｍ²、照射量４００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線をフイ
ルムに照射して不連続相の傾斜配向状態を保ったまま硬
化させ、偏光素子を作製した。

【０１２４】（偏光素子の評価）実施例１〜４で作製し
た偏光素子の光線透過率および光散乱性（ヘイズ）をヘ
イズメーターＭＯＤＥＬ１００１ＤＰ（日本電色工業
（株）製）を用いて測定した。測定は光源とフイルムの
間に光吸収型偏光素子と作製した光散乱型偏光素子とを
挿入して行い、光吸収型偏光素子の透過軸と光散乱型偏
光素子の透過軸を同じにしたものを平行、直交させたも
のを直交とした。光線透過率は全光線透過率を、光散乱
性はヘイズを指標として評価した。結果を第１表に示
す。本発明に従う偏光素子は、平行および直交透過率が
いずれも高く、ヘイズは直交方向で大きかったが、平行
方向は小さかった。従って、異方性散乱層に入射した透
過軸方向の光は散乱の影響をあまり受けず大部分が透過
し、散乱軸方向の光は大部分が散乱されたが後方散乱す
ることなく前方（入射面の反対側）に出射したことがわ
かった。

【０１２５】

【表１】第１表 ──────────────────────────────────── 全光線透過率ヘイズ偏光素子平行直交平行直交 ──────────────────────────────────── 実施例１９０．５％８６．２％５．４％８９．３％実施例２８８．７％８１．０％７．３％９１．８％実施例３８５．４％７９．６％１２．１％９３．４％実施例４８３．４％７６．５％１３．６％７３．２％ ────────────────────────────────────

【０１２６】（偏光変換率の評価）次に、実施例１〜４
で作製した偏光素子の偏光変換率を測定した。ヘイズメ
ーターＭＯＤＥＬ１００１ＤＰ（日本電色工業（株）
製）を用いて光線透過率を測定する際に、光源とフィル
ムの間、およびフイルムと受光機の間に偏光子を挿入し
て測定を行った。光源側偏光子の透過軸と異方性散乱層
の透過軸を同じにしたものを透過軸透過率、直交させた
ものを散乱軸透過率とした。偏光変換率は前述の式を用
いて算出したが、透過軸偏光変換率は、透過軸と平行な
偏光の入射に対し、フイルムと受光機の間に挿入した偏
光子の透過軸が入射偏光と平行な透過率（Ｔ_//）と直交
する透過率（Ｔ⊥）を用いて算出した。この場合、Ｔ
⊥が偏光変換した成分に対応する。散乱軸偏光変換率
は散乱軸と平行な偏光の入射に対し、フイルムと受光機
の間に挿入した偏光子の透過軸が入射偏光と平行な透過
率（Ｔ_//）と直交する透過率（Ｔ⊥）を用いて算出し
た。この場合もＴ⊥が偏光偏光した成分に対応する。
結果を第２表に示す。実施例１〜４で作製した偏光素子
は、透過軸の偏光に対する偏光変換率が小さく、散乱軸
の偏光に対する偏光変換率が大きかった。従って、異方
性散乱層に入射した透過軸方向の光は偏光状態を変化さ
せずに大部分が透過し、散乱軸方向の光は大部分が少な
くとも１５％以上が直交する偏光に変換されて出射する
ことがわかった。

【０１２７】

【表２】第２表 ──────────────────────────────────── 偏光透過軸偏光透過率⊥→_// 透過軸偏光透過率_//→⊥ 素子Ｔ_// Ｔ⊥ 偏光変換率Ｔ_// Ｔ⊥ 偏光変換率 ──────────────────────────────────── 実１８８．２％２．３％２．５％４３．８％４２．４％４９．２％実２８４．１％４．６％５．２％６３．８％１７．２％２１．２％実３７８．６％６．８％８．０％６４．２％１５．４％１９．３％実４７７．４％６．０％７．２％６４．３％１２．２％１５．９％ ────────────────────────────────────

【０１２８】[実施例５] （光吸収型偏光素子と光散乱型偏光素子との一体化）ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）フイルムをヨウ素５．０
ｇ／リットル、ヨウ化カリウム１０．０ｇ／リットルの
水溶液に２５℃にて９０秒浸漬し、さらにホウ酸１０ｇ
／リットルの水溶液に２５℃にて６０秒浸漬後、ロール
延伸機を用いて７．０倍に延伸した。この偏光フイルム
の単板透過率は４１．２％、偏光度は９９．７％であっ
た。この後、延伸したフイルムの片側に、実施例１で作
製した偏光素子を重ね、さらに重ねた２枚のフイルム
を、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ１１７、クラレ
（株））５質量％水溶液を糊として用い、両面ケン化し
たトリアセチルセルロースフイルム（富士写真フイルム
（株）製）２枚をラミネートした。ラミネートの際、光
散乱型偏光素子の透過軸と光吸収型偏光素子の透過軸が
ほぼ平行となるように配置した。この後７０℃で５分間
乾燥して、偏光板を作製した。

【０１２９】[実施例６] （光吸収型偏光素子と異方性偏光素子との一体化）ポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）フイルムをヨウ素５．０ｇ
／リットル、ヨウ化カリウム１０．０ｇ／リットルの水
溶液に２５℃にて９０秒浸漬し、さらにホウ酸１０ｇ／
リットルの水溶液に２５℃にて６０秒浸漬後、ロール延
伸機を用いて７．０倍に延伸した。この後、延伸したフ
イルムを実施例２で作製した偏光素子およびケン化した
トリアセチルセルロースフイルム（富士写真フイルム
（株）製）と、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ１１７、
クラレ（株））５質量％水溶液を糊として用いラミネー
トした。ラミネートの際、光散乱型偏光素子の透過軸と
光吸収型偏光素子の透過軸がほぼ平行となり、また、光
散乱型偏光素子が光吸収型偏光素子と接触するように配
置した。この後７０℃で５分間乾燥して、偏光板を得
た。

【０１３０】[実施例７] （光吸収型偏光素子と異方性偏光素子との一体化）実施
例６の偏光板の作製においてラミネートする偏光素子を
実施例３で作製した偏光素子に変更した以外は、実施例
６に記載した方法に従って偏光板を作製した。

【０１３１】[実施例８］（光吸収型偏光素子と異方性偏光素子との一体化）実施
例６の偏光板の作製においてラミネートする偏光素子を
実施例４で作製した偏光素子に変更した以外は、実施例
６に記載した方法に従って偏光板を作製した。

【０１３２】[比較例１]実施例６の偏光板の作製におい
てラミネートする偏光素子を、ケン化処理したセルロー
ストリアセテートフイルム（富士写真フイルム（株）
製）に変更した以外は、実施例６に記載した方法に従っ
て偏光板を作製した。

【０１３３】[比較例２]比較例１で作製した偏光板と、
光学干渉による偏光選択層を有する市販の輝度上昇フイ
ルム（ＤＢＥＦ、３Ｍ製）とを、両フイルムの透過軸が
ほぼ平行となるように配置して偏光板を作製した。

【０１３４】（拡散透過率の異方性評価）実施例５〜８
および比較例１、２で作製した偏光板のの拡散透過率
を、６０φ積分球付の分光光度計（ＵＶ−３１００Ｐ
Ｃ、島津製作所製）に、大型偏光子（Ａｓｓｙ）を備え
た装置を用いて測定した。測定は光源とフイルムの間に
大型偏光子を挿入して行い、偏光子の透過軸と異方性散
乱型偏光素子の透過軸を合わせたものを平行透過率、直
交させたものを直交透過率として測定した。測定は４０
０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で行い、平均値を算出した。

【０１３５】評価結果を第３表に示す。本発明に従う偏
光板は、比較例の偏光板と比べ、直交透過率が大きい。
従って、反射や後方散乱を使用できない環境において
も、液晶セルへの入射光量を増大できる。

【０１３６】

【表３】第３表 ──────────────────────────────────── 偏光板平行の場合の全光線透過率直交の場合の全光線透過率 ──────────────────────────────────── 実施例５７９．６％７５．９％実施例６７８．１％７１．３％実施例７７５．２％７０．０％実施例８７３．４％６７．３％比較例１８７．８％０％比較例２８１．５％２．１％ ────────────────────────────────────

【０１３７】[実施例９] （反射型液晶表示装置の作製）市販の反射型液晶表示装
置（カラーザウルスＭＩ−３１０、シャープ（株）製）
の偏光フイルムを剥ぎ取り、代わりに実施例５で作製し
た偏光板を貼り付けた。作製した反射型液晶表示装置に
ついて、目視で評価を行ったところ、白表示、黒表示、
そして中間調のいずれにおいても、色味がなく、ニュー
トラルグレイが表示されていることが確認できた。次
に、測定機（ＥＺcontrast160D、Ｅｌｄｉｍ社製）を用
いて反射輝度を測定した。結果を第３表に示す。

【０１３８】[実施例１０] （反射型液晶表示装置の作製）実施例６で作製した偏光
板を用いた以外は、実施例９と同様にして、反射型液晶
表示装置を作製した評価した。結果を第４表に示す。

【０１３９】[実施例１１] （反射型液晶表示装置の作製）実施例７で作製した偏光
板を用いた以外は、実施例９と同様にして、反射型液晶
表示装置を作製した評価した。結果を第４表に示す。

【０１４０】[実施例１２] （反射型液晶表示装置の作製）実施例８で作製した偏光
板を用いた以外は、実施例９と同様にして、反射型液晶
表示装置を作製した評価した。結果を第４表に示す。

【０１４１】[比較例３] （反射型液晶表示装置の作製）比較例１で作製した偏光
板を用いた以外は、実施例９と同様にして、反射型液晶
表示装置を作製した評価した。結果を第４表に示す。

【０１４２】[比較例４] （反射型液晶表示装置の作製）比較例２で作製した偏光
板を用いた以外は、実施例９と同様にして、反射型液晶
表示装置を作製した評価した。結果を第４表に示す。

【０１４３】

【表４】第４表 ──────────────────────────────────── 反射型液晶表示装置反射輝度（相対値） ──────────────────────────────────── 実施例９１．４０実施例１０１．３４実施例１１１．３１実施例１２１．２７比較例３１．００比較例４０．９０ ────────────────────────────────────

【０１４４】第４表に示されるように、本発明に従う液
晶表示装置は、従来の偏光素子を用いた液晶表示装置と
比較して、正面輝度が明らかに向上した。正面からのコ
ントラスト比が２０であり、コントラスト比３となる視
野角は、上下１２０゜以上、左右１２０゜以上であっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】異方性散乱層の基本的な構成を示す模式図であ
る。

【図２】異方性散乱層の別の基本的な構成を示す模式図
である。

【図３】異方性散乱層に光を入射した状態を示す断面模
式図である。

【図４】偏光素子の一般的な形態を示す断面模式図であ
る。

【図５】偏光素子の別の一般的な形態を示す断面模式図
である。

【図６】偏光素子のまた別の一般的な形態を示す断面模
式図である。

【図７】光散乱型偏光素子と光吸収型偏光素子とを組み
合わせた偏光板を示す断面模式図である。

【図８】光散乱型偏光素子と光吸収型偏光素子とを組み
合わせた別の偏光板を示す断面模式図である。

【図９】光散乱型偏光素子と光吸収型偏光素子とを組み
合わせたまた別の偏光板を示す断面模式図である。

【図１０】光散乱型偏光素子と光吸収型偏光素子とを組
み合わせたさらに別の偏光板を示す断面模式図である。

【図１１】偏光板を含む反射型液晶表示装置の断面模式
図である。

【図１２】偏光板を含む別の反射型液晶表示装置の断面
模式図である。

【図１３】偏光板を含むまた別の反射型液晶表示装置の
断面模式図である。

【図１４】偏光板を含むさらに別の反射型液晶表示装置
の断面模式図である。

【符号の説明】

１光学的異方性不連続相２光学的等方性連続相３、８散乱軸４、９透過軸５、１０光の入射方向１１遅相軸６光学的異方性連続相７光学的等方性不連続相１２散乱軸と直交する電界ベクトルの光が通過する軌
跡１３散乱軸と平行な電界ベクトルの光が通過する軌跡１４、１５異方性散乱層１６透明支持体１７光散乱型偏光素子１８光吸収型偏光層１９、３３光学補償シート２０、３１ λ／４板２１、２３偏光板２２ＴＮモード液晶セル２４半透過膜２５導光板２６ＬＥＤ２７位相差板２８ＳＴＮモードの液晶セル２９反射板３０冷陰極管３２孔開反射板付ＴＮモードの液晶セル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直交する直線偏光の一方を散乱し、他方
を実質的に透過する異方性散乱層を有する偏光素子であ
って、異方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入
射光の少なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少
なくとも１０％を偏光変換することを特徴とする偏光素
子。
【請求項２】異方性散乱層が、光学的等方性連続相と
光学的異方性不連続相とからなる請求項１に記載の偏光
素子。
【請求項３】異方性散乱層面内の透過軸方向におい
て、光学的等方性連続相と光学的異方性不連続相との屈
折率差が０．０５未満である請求項２に記載の偏光素
子。
【請求項４】異方性散乱層面内の散乱軸方向におい
て、光学的等方性連続相と光学的異方性不連続相との屈
折率差が０．０３以上である請求項２に記載の偏光素
子。
【請求項５】光学的等方性連続相が、高分子化合物か
らなる請求項２に記載の偏光素子。
【請求項６】光学的異方性不連続相が、０．５乃至１
０μｍの平均径を有する請求項２に記載の偏光素子。
【請求項７】光学的異方性不連続相が、液晶性化合物
から形成される請求項２に記載の偏光素子。
【請求項８】液晶性化合物が重合性基を有し、光学的
異方性不連続相が、液晶性化合物の重合により形成され
る請求項７に記載の偏光素子。
【請求項９】液晶性化合物が、０．１より大きい固有
複屈折を有する請求項７に記載の偏光素子。
【請求項１０】異方性散乱層が、光学的異方性連続相
と光学的等方性不連続相とからなる請求項１に記載の偏
光素子。
【請求項１１】光学的異方性連続相が、液晶性化合物
から形成される請求項１０に記載の偏光素子。
【請求項１２】直交する直線偏光の一方を吸収し、他
方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光吸収型偏
光素子と、直交する直線偏光の一方を散乱し、他方を実
質的に透過する異方性散乱層を有する光散乱型偏光素子
とが、光吸収型偏光素子の偏光透過軸と光散乱型偏光素
子の偏光透過軸とが実質的に平行になるように配置され
ている偏光板であって、光散乱型偏光素子が、異方性散
乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射光の少なくと
も５０％を反対側に出射し、出射光の少なくとも１０％
を偏光変換することを特徴とする偏光板。
【請求項１３】光吸収型偏光素子の偏光度が９９％以
上である請求項１２に記載の偏光板。
【請求項１４】少なくとも一枚の透明支持体を有する
請求項１２に記載の偏光板。
【請求項１５】透明支持体が、セルローストリアセテ
ートフイルムからなる請求項１４に記載の偏光板。
【請求項１６】透明支持体が、メチレンクロライドを
使用せずに製造されたセルローストリアセテートフイル
ムである請求項１５に記載の偏光板。
【請求項１７】反射板、液晶セル、λ／４板および偏
光板がこの順に積層されている反射型液晶表示装置であ
って、偏光板が、透明支持体、直交する直線偏光の一方
を吸収し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を有す
る光吸収型偏光素子および直交する直線偏光の一方を散
乱し、他方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光
散乱型偏光素子の積層体からなり、光吸収型偏光素子の
偏光透過軸と光散乱型偏光素子の偏光透過軸とが実質的
に平行になるように配置されており、光散乱型偏光素子
が、異方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射
光の少なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少な
くとも１０％を偏光変換することを特徴とする反射型液
晶表示装置。
【請求項１８】反射板、液晶セルおよび偏光板がこの
順に積層されている反射型液晶表示装置であって、偏光
板が、λ／４板、直交する直線偏光の一方を吸収し、他
方を実質的に透過する異方性散乱層を有する光吸収型偏
光素子および直交する直線偏光の一方を散乱し、他方を
実質的に透過する異方性散乱層を有する光散乱型偏光素
子の積層体からなり、光吸収型偏光素子の偏光透過軸と
光散乱型偏光素子の偏光透過軸とが実質的に平行になる
ように配置されており、光散乱型偏光素子が、異方性散
乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射光の少なくと
も５０％を反対側に出射し、出射光の少なくとも１０％
を偏光変換することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項１９】バックライト、偏光板、ツイストネマ
チック配向モードの液晶セル、そして偏光フイルムがこ
の順で積層されている液晶表示装置であって、バックラ
イト側の偏光板が、液晶セル側より順に、ディスコティ
ック液晶性分子から形成された光学異方性層、光学異方
性透明支持体、直交する直線偏光の一方を吸収し、他方
を実質的に透過する異方性散乱層を有する光吸収型偏光
素子、そして、直交する直線偏光の一方を散乱し、他方
を実質的に透過する異方性散乱層を有する光散乱型偏光
素子の積層体からなり、ディスコティック液晶性分子の
円盤面の法線の光学異方性透明支持体への正射影の平均
方向と光学異方性透明支持体の面内遅相軸との角度が実
質的に平行または垂直であり、光学異方性透明支持体の
面内遅相軸と光吸収型偏光素子の偏光透過軸とが実質的
に平行または垂直であり、さらに光吸収型偏光素子の偏
光透過軸と光散乱型偏光素子の偏光透過軸が実質的に平
行となるように配置されており、光散乱型偏光素子が、
異方性散乱層の散乱軸に平行な偏光面を有する入射光の
少なくとも５０％を反対側に出射し、出射光の少なくと
も１０％を偏光変換することを特徴とするツイストネマ
チック配向モードの液晶表示装置。
【請求項２０】バックライト、偏光板、ベンド配向モ
ードの液晶セル、そして偏光板がこの順で積層されてい
る液晶表示装置であって、バックライト側の偏光板が、
液晶セル側より順に、ディスコティック液晶性分子から
形成された光学異方性層、光学異方性透明支持体、直交
する直線偏光の一方を吸収し、他方を実質的に透過する
異方性散乱層を有する光吸収型偏光素子、そして、直交
する直線偏光の一方を散乱し、他方を実質的に透過する
異方性散乱層を有する光散乱型偏光素子の積層体からな
り、ディスコティック液晶性分子の円盤面の法線の光学
異方性透明支持体への正射影の平均方向と光学異方性透
明支持体の面内遅相軸との角度が実質的に４５度であ
り、光学異方性透明支持体の面内遅相軸と光吸収型偏光
素子の偏光透過軸とが実質的に平行または垂直であり、
さらに光吸収型偏光素子の偏光透過軸と光散乱型偏光素
子の偏光透過軸が実質的に平行となるように配置されて
おり、光散乱型偏光素子が、異方性散乱層の散乱軸に平
行な偏光面を有する入射光の少なくとも５０％を反対側
に出射し、出射光の少なくとも１０％を偏光変換するこ
とを特徴とするベンド配向モードの液晶表示装置。
【請求項２１】バックライト、偏光板、水平配向モー
ドの液晶セル、そして偏光板がこの順で積層されている
液晶表示装置であって、バックライト側の偏光板が、液
晶セル側より順に、ディスコティック液晶性分子から形
成された光学異方性層、光学異方性透明支持体、直交す
る直線偏光の一方を吸収し、他方を実質的に透過する異
方性散乱層を有する光吸収型偏光素子、そして、直交す
る直線偏光の一方を散乱し、他方を実質的に透過する異
方性散乱層を有する光散乱型偏光素子の積層体からな
り、ディスコティック液晶性分子の円盤面の法線の光学
異方性透明支持体への正射影の平均方向と光学異方性透
明支持体の面内遅相軸との角度が実質的に４５度であ
り、光学異方性透明支持体の面内遅相軸と光吸収型偏光
素子の偏光透過軸とが実質的に平行または垂直であり、
さらに光吸収型偏光素子の偏光透過軸と光散乱型偏光素
子の偏光透過軸が実質的に平行となるように配置されて
おり、光散乱型偏光素子が、異方性散乱層の散乱軸に平
行な偏光面を有する入射光の少なくとも５０％を反対側
に出射し、出射光の少なくとも１０％を偏光変換するこ
とを特徴とする水平配向モードの液晶表示装置。