JP2003037349A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属マスクを用いる簡易なパターニング方法
で、基板の表裏両面に多数個の回路ユニットが連結され
たパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路基板
上の電極部位と、配線部位とでそれぞれ異なるパターニ
ングを、一度セットした金属マスクを交換することな
く、物理蒸着にて実現する。 【解決手段】 基板１の表裏両面に、電極部３と配線部
４のパターン形成部５，６を有し且つ配線部４のパター
ン形成部６の一部に橋状の補強部８が設けられた下部金
属マスク９を挟み込み、下部金属マスク９の非パターン
部７を基板１に密着させて薄膜形成する工程と、基板１
の表裏両面に下部金属マスク９を残したまま一方の下部
金属マスク９上に、少なくとも下部金属マスク９の橋状
の補強部８上に対向する配線部用パターン形成部１１を
有し且つ電極部３が非パターン部１２となっている上部
金属マスク１０を配置して薄膜形成する工程とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属マスクを用い
て基板に回路形成する方法の一つで、特に一続きの回路
を基板の表裏に形成する回路基板の製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板上に回路を形成する方法は多
種多様あり、基板上にあらかじめ設けられた蒸着粒子を
回路となる部分だけを残して除去する方法と、基板上に
必要部分のみ露出させてそれ以外をマスキングして蒸着
粒子を露出部に析出させることで回路とする方法とに大
別される。後者の場合、一般的には、レジストを用いた
フォトリソグラフィ法を用いるか、或いは金属マスクを
用いて、マスキングをする方法がある。フォトリソグラ
フィは、パターン形成の微細化・多層化・複雑な回路の
引回しに有利であるが、その反面、レジスト形成および
剥離工程を必要とするために基板の種類やコスト・環境
対策などに課題がある。

【０００３】一方、金属マスクによるパターニングは、
基板へのセッティングが容易であること、マスクを繰り
返し使用できコストに有利であることから、従来より簡
易なパターニングに使用されてきたが、パターンの微細
化や複雑な回路の引き回しには課題が多いのが現状であ
る。

【０００４】先ず、微細化の点では、エッチングによる
金属マスクの加工精度上、パターン幅（金属マスクの開
口部幅）は、金属マスクの板厚程度までしか安定して作
製できず、例えばパターンの最小幅が１５０μｍの場
合、板厚は１５０μｍ以下を使用せざるを得ない。従っ
て、さらに微細パターンを形成しようとすれば、板厚を
さらに薄くしなければならず、マスクの強度的な問題が
出てくる。

【０００５】一方、複雑な回路の引き回しとして、例え
ば図１９に示すような閉回路もしくは略閉回路状のパタ
ーンがある。図１９中の２は回路ユニット、４は配線部
である。この閉回路状のパターンを形成する方法とし
て、特開昭５３−９７７９５号に示されるように、金属
マスクのパターンの一部を残して片側からのみエッチン
グした部位を作り、ほぼ閉回路状のパターンを形成する
方法が知られている。しかし、微細パターンを形成する
場合、上記に述べたように板厚を薄くする必要があるた
め補強部の厚みも十分えられなくなり、またマスクの作
製及び使用に耐え得る厚みは１００μｍ程度であるた
め、マスクの強度的な問題が顕著になり、他の従来例と
して、特許１０−８３４５８号では、パターンを形成し
たマスクにパターンを横断する補強部を設けているが、
スペーサーによりマスクを基板から浮かせて保持し、さ
らに蒸着の際に蒸着源から基板を傾けることでその補強
部の下にも蒸着粒子を届かせることで、閉回路パターン
を形成できることを提案している。しかしこの方法で
は、回路に必要な部位が基板に密着しておらず全ての回
路の輪郭において蒸着粒子が入り込み、任意のパターン
幅（特に微細な幅である程）の回路を形成することが難
しい。また、上記の特開昭５３−９７７９５号、特許１
０−８３４５８号の提案においても、パターン形成部に
必要とする膜厚が薄くなるとその補強部の下でのパター
ンのつながりは不十分となり、例えば後にそのパターン
形成部を用いて電気的処理を必要とする場合（電気メッ
キや、分極処理など）に、導電体パターンとしての役目
をなさない可能性がある。

【０００６】更に他の従来例として、特開昭５６−５１
５７１号には、単純な回路の組み合わせで、回数を分け
てパターニングすることで上記課題を解決することが提
案されているが、例えば基板として機能性材料を用いて
センサ等を構成する場合は、両面に位置決めされたパタ
ーンを必要とし、金属マスクを基板の両側から精度よく
挟み込む必要があり、一度形成されたパターンに別のパ
ターンが描かれた金属マスクを精度良くセッティングす
ることは難しく、また煩雑な機構が必要となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
例の問題点に鑑みて発明したものであって、その目的と
するところは、金属マスクを用いる簡易なパターニング
方法で、基板の表裏両面に多数個の回路ユニットが連結
されたパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路
基板上の電極部位と、配線部位とでそれぞれ異なるパタ
ーニングを、一度セットした金属マスクを交換すること
なく、物理蒸着にて実現できる回路基板の製造方法を提
供するにあり、他の目的とするところは、パターン幅を
微細化するために金属マスクの板厚を薄くした場合でも
その強度を確保できる回路基板の製造方法を提供するに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の発明にあっては、１枚の基板１上に多
数個の回路ユニット２を閉回路パターンもしくは略閉回
路パターンで形成するにあたって、センサなどの電極部
３と配線部４とを基板１の表裏両面に物理蒸着により薄
膜形成するようにした回路基板の製造方法において、基
板１の表裏両面に、電極部３のパターン形成部５と配線
部４のパターン形成部６とを有し且つ配線部４のパター
ン形成部６の一部に非パターン部７間に接続される橋状
の補強部８が設けられた下部金属マスク９を挟み込み、
下部金属マスク９の非パターン部７を基板１に密着させ
た状態で基板１上に電極部３と配線部４とを薄膜形成す
る工程と、基板１の表裏両面に下部金属マスク９を配置
した状態で一方の下部金属マスク９上に、少なくとも下
部金属マスク９の橋状の補強部８上に対向する配線部用
パターン形成部１１を有し且つ電極部３が非パターン部
１２となっている上部金属マスク１０を配置して、配線
部４を薄膜形成する工程とを備えていることを特徴とし
ており、このように構成することで、上記２段階の工程
で、下部金属マスク９と上部金属マスク１０とを基板１
に一度セットするだけで、基板１の表裏両面に電極部３
と配線部４とを異なるパターニングで形成することがで
きる。しかも、金属マスク９，１０を一度セットするだ
けでよく、そのうえ一度セットした金属マスク９，１０
を交換する必要がなく、さらに下部金属マスク９に設け
られる橋状の補強部８の上方に、上部金属マスク１０の
配線部用パターン形成部１１を配置することで、薄膜パ
ターンのつながり性が良くなり、閉回路もしくは略閉回
路状のパターンを容易に形成できるようになる。

【０００９】また請求項２記載の発明は、請求項１にお
いて、橋状の補強部８を、各回路ユニット２の配線部４
の接続部位における１ユニットとして切り出される切り
代部６０に配置したことを特徴とするのが好ましく、こ
の場合、下部金属マスク９の橋状の補強部８において物
理蒸着による膜の厚み、質が異なる場合でも、この箇所
を回路ユニット２の切り代部６０とすることで、回路ユ
ニット２の配線信頼性を確保できる。

【００１０】また請求項３記載の発明は、請求項１又は
請求項２において、橋状の補強部８を二股状に形成する
と共に、その間隔を下部金属マスク９の板厚Ｄ以上とし
たことを特徴とするのが好ましく、この場合、橋状の補
強部８を二股に分けることで橋状の補強部８の強度を上
げることができると共に、薄膜パターンのつながり性を
確保できる。

【００１１】また請求項４記載の発明は、請求項１〜請
求項３のいずれかにおいて、橋状の補強部８の断面形状
が基板１側に向かって先細状となるように、橋状の補強
部８の側面８ａを傾斜させることを特徴とするのが好ま
しく、この場合、蒸着源５０からの蒸着粒子が橋状の補
強部８の傾斜した側面８ａを回り込んで基板１側に蒸着
され易くなる。

【００１２】また請求項５記載の発明は、請求項１〜請
求項４のいずれかにおいて、橋状の補強部８の断面形状
を、蒸着源５０側に膨らんだアーチ状としたことを特徴
とするのが好ましく、この場合、蒸着源５０からの蒸着
粒子が橋状の補強部８を一層回り込み易くすることがで
きる。

【００１３】また請求項６記載の発明は、請求項１〜請
求項５のいずれかにおいて、橋状の補強部８の上に被せ
られる上部金属マスク１０の配線部用パターン形成部１
１の大きさを、橋状の補強部８の端部８ｂから少なくと
も上部金属マスク１０の板厚ｄ以上の広がりを持つ大き
さにしたことを特徴とするのが好ましく、この場合、上
部金属マスク１０の配線部用パターン形成部１１が下部
金属マスク９の補強部８の上方から位置ずれしないよう
に配置でき、上下２枚の金属マスク９，１０の位置関係
に精度を持たせることができるようになる。

【００１４】また請求項７記載の発明は、請求項１〜請
求項６のいずれかにおいて、橋状の補強部８を含む下部
金属マスク９全体を、下部金属マスク９の板厚Ｄの１／
２以下の太さでメッシュ状に織られた支持体１３にて支
持したことを特徴とするのが好ましく、この場合、メッ
シュ状の支持体１３を用いて細い橋状の補強部８を含む
下部金属マスク９全体を支持することによって、パター
ン幅を微細化するために金属マスク９，１０の板厚を薄
くした場合でも、橋状の補強部８の部位の強度を上げる
ことができると共に、物理蒸着に支障をきたさないよう
にしながら、金属マスク９，１０による薄膜形成が行え
るようになる。

【００１５】また請求項８記載の発明は、請求項１にお
いて、基板１上の１つの回路ユニット２に対して２箇所
以上の隣接する回路ユニット２からの配線を行うことを
特徴とするのが好ましく、この場合、閉回路もしくは略
閉回路のパターンを形成するにあたって、配線部４のつ
ながり信頼性を向上させることができる。

【００１６】また請求項９記載の発明は、請求項１にお
いて、基板１の表裏両面の下部金属マスク９を基板１に
対して各々位置決めし且つ上部金属マスク１０を位置決
めするための位置決めガイド１４を備えたマスク固定治
具１５を設けたことを特徴とするのが好ましく、この場
合、基板１の表裏両面の金属マスク９，１０がマスク固
定治具１５により基板１に対して各々位置決めされるよ
うになり、金属マスク９，１０の位置合わせ精度が良く
なる。

【００１７】また請求項１０記載の発明は、請求項１に
おいて、基板１の表裏両面に下部金属マスク９を挟み込
むと共に一方の下部金属マスク９上に上部金属マスク１
０を配置して基板１上に配線部４を薄膜形成し、その
後、上部金属マスク１０のみを取り外して、基板１上に
電極部３と配線部４とを薄膜形成することを特徴とする
のが好ましく、この場合、上部金属マスク１０の脱着が
容易で且つ位置ずれもしにくなり、薄膜パターンの精度
向上を図ることができる。

【００１８】また請求項１１記載の発明は、請求項１に
おいて、上部金属マスク１０及び下部金属マスク９を各
々磁性体とし、非蒸着面１６側に配置した磁石１７によ
り基板１と各金属マスク９，１０とを吸着保持すること
を特徴とするのが好ましく、この場合、上部金属マスク
１０と下部金属マスク９とを重ねて基板１上にセットす
る作業を、磁石１７を利用して簡易且つ精度良く行うこ
とができると共に、基板１に対する金属マスク９，１０
の位置ずれも防止できる。

【００１９】また請求項１２記載の発明は、請求項１１
において、剛性の高い非磁性体からなるプレート１８を
非蒸着面１６側の下部金属マスク９と磁石１７との間に
配置し、蒸着面側の上部金属マスク１０の脱着時におい
てプレート１８を仮固定して磁石１７を上部金属マスク
１０から離反する方向に移動させるためのプレート押さ
え用治具８０を設けたことを特徴とするのが好ましく、
この場合、プレート１８が磁石１７に引き付けられない
ように、プレート押さえ用治具８０によってプレート１
８を保持したまま、上部金属マスク１０の取り付け或い
は取り外しができ、しかも上部金属マスク１０を取り付
ける際には位置ずれなく取り付け可能となる。また磁石
１７が移動することによって、上部金属マスク１０が磁
石１７に引き付けられて撓むことがないため、基板１の
破損を引き起こすこともなくなる。

【００２０】また請求項１３記載の発明は、請求項１１
において、上部金属マスク１０の脱着時において磁石１
７を上部金属マスク１０から一時的に遠ざけるための手
段を設けたことを特徴とするのが好ましく、この場合、
上部金属マスク１０の脱着時に上部金属マスク１０を磁
石１７から一時的に切り離すことができ、上部金属マス
ク１０が磁石１７に引き付けられなくなり、上部金属マ
スク１０の取り付け或いは取り外しが容易に行えると共
に、取り付けの際には上部金属マスク１０を位置ずれな
く取り付け可能となり、基板１の破損を引き起こすこと
もなくなる。

【００２１】また請求項１４記載の発明は、請求項１に
おいて、蒸着源５０に対して基板１の表裏方向が入れ替
わるように基板１を回転させるための回転軸２０を設
け、基板１を回転させながら薄膜形成を行うことを特徴
とするのが好ましく、この場合、基板１の表裏両面とも
薄膜形成を行いながら、同時に配線部４の橋状の補強部
８の下方における薄膜パターンのつながり性を良くする
ことができる。

【００２２】また請求項１５記載の発明は、請求項１に
おいて、薄膜形成用の蒸着粒子の平均自由行程が金属マ
スク９，１０のパターン形成部５，６の開口幅より小さ
い雰囲気ガス中にて薄膜形成を行うことを特徴とするの
が好ましく、この場合、蒸着粒子が金属マスク９，１０
のパターン形成部５，６を通過して基板１上に届きやす
くなり、膜厚の均一性が向上すると共に、蒸着粒子を橋
状の補強部８の下方の橋状部位にも十分に届かせること
ができ、薄膜パターンのつながり性が良くなる。

【００２３】また請求項１６記載の発明は、請求項１に
おいて、焦電効果のある基板１のの表裏両面に赤外線セ
ンサ２ａの電極部３と配線部４とを薄膜形成することを
特徴とするのが好ましく、この場合、赤外線の取り込み
量が増える結果、検出性能が良くなる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に示す実
施形態に基づいて説明する。

【００２５】図１（ａ）（ｂ）は製造途中の断面図を示
し、図２（ａ）は下部金属マスク９の配線部４のパター
ン形成部６付近の斜視図を示し、図２（ｂ）は赤外線セ
ンサ２ａの電極部３と配線部４の斜視図を示している。

【００２６】１枚の基板１上には、多数個の回路ユニッ
ト２（図１０）が配置され、各回路ユニット２は配線部
４を介してすべて連結されており、閉回路もしくは略閉
回路パターンとなっている。赤外線センサ２ａ（図１
８）などの電極部３と配線部４とを基板１の表裏両面に
薄膜形成形成するにあたって、予め基板１の表裏両面に
下部金属マスク９をそれぞれ挟み込むと共に、一方の下
部金属マスク９の上に上部金属マスク１０を配置するよ
うにしている。

【００２７】ここで、下部金属マスク９は、図１に示す
ように、電極部３のパターン形成部５と配線部４のパタ
ーン形成部６とを有し且つ配線部４のパターン形成部６
の一部に非パターン部７間に接続される橋状の補強部８
が設けられている。この下部金属マスク９の作製方法と
して、金属マスク９，１０のエッチングによる方法があ
る。このとき橋状の補強部８の部位は、金属マスク９，
１０の両面に貼るレジストパターンを片側のみ開口させ
てエッチングを行う。なおこれは一例であり、他の方法
で形成されてもよいものである。

【００２８】上部金属マスク１０には、少なくとも下部
金属マスク９の橋状の補強部８上に対向する配線部用パ
ターン形成部１１が開口しており、上記電極部３に対応
する部位は非パターン部７となっている。ここで下部金
属マスク９の橋状の補強部８の下側に形成される薄膜
は、他の回路部分（補強部位以外の配線部４）の薄膜と
は異なるため、上部金属マスク１０の補強部８との対向
位置に配線部用パターン形成部１１を開口しており、こ
れによって、橋状の補強部８の下側における薄膜パター
ンのつながり性（物理蒸着膜のつながり）を確保できる
ようにしている。なお、上部金属マスク１０の配線部用
パターン形成部１１は最低限、橋状の補強部８の上方に
設けられる必要があるが、橋状の補強部８以外の配線部
４全体に亘って設けられてもよいものである。ここで、
基板１上に形成される回路ユニット２が赤外線センサ２
ａ（図１８）の場合、電極部３は例えば、３００Å以下
の極薄膜、配線部４は例えば３００Å以上とされる。こ
の配線部４は隣接する回路ユニット２の配線パターンと
の接続用を兼ねている。

【００２９】しかして、基板１の表裏両面に下部金属マ
スク９と上部金属マスク１０とを相対的に位置決めし、
物理蒸着によって基板１上にセンサユニットの電極部３
と配線部４とを各々形成する。このとき最初に図１
（ｂ）に示すように、下部金属マスク９の非パターン部
７を基板１に密着させて、物理蒸着により電極部３と配
線部４とを薄膜形成する工程を行い、次に図１（ａ）に
示すように、下部金属マスク９を基板１上に残したまま
で、基板１の表裏両面のいずれか一方の下部金属マスク
９上に上部金属マスク１０を重ねて、物理蒸着により配
線部４を薄膜形成する工程を行う。これにより、基板１
への金属マスク９，１０の一度のセッティングで、電極
部３と配線部４とを異なるパターンで形成できるように
なる。つまり、金属マスク９，１０を基板１の表裏両面
から精度良く挟み込むことができるため、従来のように
一度形成されたパターンに別のパターンを精度良くセッ
トするという困難な作業を省略でき、またセッティング
のための煩雑な機構を別途用意する必要もなくなる。

【００３０】なお、図１（ａ）に示す工程と図１（ｂ）
に示す工程の順序はどちらを先にしてもよいが、いずれ
の場合においても、２種類の金属マスク９，１０を基板
１の表裏両面に１度セットするだけで、基板１の表裏両
面に電極部３と配線部４とを異なるパターンで形成でき
る。

【００３１】また、上記のように金属マスク９，１０を
一度セットするだけでよく、また一度セットした金属マ
スク９，１０を交換する必要がないため、回路（特に配
線部４）の微細化を実現できると共に、金属マスク９，
１０の非パターン部７（非開口部）を基板１に密着させ
ているため、回路に必要な部位が基板１に密着すること
となり、全ての回路の輪郭において蒸着粒子が入り込む
おそれがなく、任意のパターン幅（特に微細な幅である
程）の回路を形成することが容易となる。この結果、例
えばコンデンサなどの各回路ユニット２の配置面積の省
スペース化、配線部４の接続パターンの変更に容易に対
応できるものとなる。

【００３２】さらに、下部金属マスク９に橋状の補強部
８を設けることで、閉回路もしくは略閉回路状のパター
ンが形成可能となる。ここで、下部金属マスク９のみに
よる薄膜形成では、橋状の補強部８の下でのパターンの
つながりが不十分となるが、上部金属マスク１０の配線
部用パターン形成部１１を橋状の補強部８の上方に配置
して、ここからも物理蒸着を行うことで、パターンのつ
ながりが十分となり、従って、パターン形成部を用いて
電気的処理を必要とする場合（電気メッキや、分極処理
など）において、導電体パターンとしての役目を十分に
果すことができるようになる。

【００３３】この結果、金属マスク９，１０を用いる簡
易なパターニング方法で、基板１の表裏両面に多数個の
回路ユニット２が連結されたパターンを接続信頼性のあ
る方法で、且つ、基板１上の電極部位と配線部位とでそ
れぞれ異なるパターニングを、一度セットした金属マス
ク９，１０を交換することなく、物理蒸着にて容易に実
現できるものである。

【００３４】ところで、図２（ｂ）において、橋状の補
強部８が、各回路ユニット２の配線部４の接続部位にお
ける１ユニットとして切り出される切り代部６０に配置
されているのが望ましい。本例では、センサユニットと
しての赤外線センサ２ａ（図１８）は、基板１の表裏両
面の電極部３と配線部４とからなり、この配線部４と隣
り合う回路ユニット２の配線部４との間が切り代部６０
となっている。また各回路ユニット２の切り離しは、例
えば、ダイシング・カッター、レーザ、サンドブラス
ト、劈開などの方法が挙げられる。しかして、下部金属
マスク９の橋状の補強部８において物理蒸着による膜形
成を行う場合、補強部８の下方の膜の厚み、質は他の配
線部位と異なる可能性が大きいため、１つの回路ユニッ
ト２の中にそのような箇所を設けることが望ましくない
場合がある。これを回避するため、本例では、隣り合う
回路ユニット２間の配線部４を切り代部６０としてい
る。これにより、橋状の補強部８が回路ユニット２内に
位置しなくなり、回路ユニット２内の配線信頼性を確保
できるようになる。

【００３５】図３は、橋状の補強部８を二股状に形成す
ると共に、その間隔Ｅを下部金属マスク９の板厚Ｄ以上
とした場合を示している。図３（ａ）中のＣはパターン
幅である。橋状の補強部８が長細くなると強度上の問題
が生じるため、本例では橋状の補強部８を二股に分ける
ようにしている。これにより、橋状の補強部８の強度を
上げることができる。さらに、「橋状の補強部８の間隔
Ｅ＞下部金属マスク９の板厚Ｄ」とすることにより、橋
状の補強部８間の間隔Ｅが広がって、薄膜パターンのつ
ながり性を確保できるようになる。

【００３６】図４は、橋状の補強部８の断面形状が基板
１側に向かって先細状となるように、橋状の補強部８の
両側面８ａを傾斜させた場合を示している。なお図４
（ａ）中のＨは補強部８の高さ、Ｄは下部金属マスク９
の板厚、Ｃはパターン幅である。本例の下部金属マスク
９の作製方法の一例を図５に示す。フォトレジスト２１
を金属マスク９，１０の両面に配置してエッチングす
る。このとき橋状の補強部８の箇所には、金属マスク
９，１０の片面をレジスト部２１ａで被い、もう片面は
フォトレジスト２１に開口部２１ｃを形成し、この開口
部２１ｃが形成されている片側からのみエッチングを行
う。その際、橋状の補強部８となる橋状部位の断面の中
心部のみわずかにレジスト部２１ｂを残した状態でエッ
チングすることで、エッチング速度が橋状部位の断面の
中央と端で異なるようにすることができ、最終的に図４
（ｂ）に示す断面形状の金属マスク（下部金属マスク
９）を得ることができる。なお、エッチングの際におい
て、橋状の補強部８形成のためフォトレジスト２１に開
口部２１ｃを有する側からのエッチング液の圧力を高く
してもよいものである。しかして、橋状の補強部８の断
面形状を基板１側に向かって先細状としたことで、蒸着
源からの蒸着粒子が橋状の補強部８の傾斜した側面８ａ
を回り込んで基板１側に蒸着され易くなり、これによ
り、薄膜パターンのつながり性を良くすることができ
る。

【００３７】図６は橋状の補強部８の断面形状を、蒸着
源側（図６（ｂ）の上方側）に膨らんだアーチ状とした
場合の一例を示している。図６（ａ）中のＥは補強部８
の幅、Ｈは補強部８の高さ、Ｄは下部金属マスク９の板
厚、Ｃはパターン幅である。本例では、下部金属マスク
９を作製した後に、橋状の補強部８をプレス等で、基板
１と反対側に向かって凸となる形状に加工する。これに
より、蒸着源からの蒸着粒子が橋状の補強部８を一層回
り込み易くなり、基板１上に薄膜形成される薄膜パター
ンのつながり性を良くすることができる。

【００３８】図７、図８は、下部金属マスク９の橋状の
補強部８の上に被せられる上部金属マスク１０の配線部
用パターン形成部１１の大きさを、橋状の補強部８の端
部８ｂから少なくとも上部金属マスク１０の板厚ｄ以上
の広がりを持つ大きさにした場合の一例を示している。
なお図８中のＪは上部金属マスク１０の配線部用パター
ン形成部１１の幅、Ｇは橋状の補強部８の端部８ｂから
配線部用パターン形成部１１に至る横方向の距離であ
り、このＧは上部金属マスク１０の板厚ｄ以上とされて
いる。しかして、下部金属マスク９の上に上部金属マス
ク１０をセットする。このとき下部金属マスク９の橋状
の補強部８の端部８ｂから上部金属マスク１０の配線部
用パターン形成部１１までの距離Ｇが、上部金属マスク
１０の板厚ｄよりも大きくなっているため、上部金属マ
スク１０の配線部用パターン形成部１１が下部金属マス
ク９の補強部８の上方から位置ずれしないように配置で
き、これにより２枚の金属マスク９，１０の位置関係に
精度を持たせることができると共に、蒸着源５０からの
蒸着粒子が橋状の補強部８周辺に十分に行き渡るように
なり、基板１上に形成される薄膜パターンのつながり性
を良くすることができる。

【００３９】図９は、下部金属マスク９全体を、下部金
属マスク９の板厚Ｄ（図４）の１／２以下の太さでメッ
シュ状に織られた支持体１３にて支持した場合を示して
いる。メッシュ状の支持体１３は下部金属マスク９と一
体形成されている場合と、別体で形成されている場合の
いずれであってもよい。前者の場合の作製方法として
は、例えば、メッシュに電鋳やメッキなどにより下部金
属マスク９のパターン形成部を析出させる方法、或いは
レーザなどによりスポット状に溶接する方法などがあ
る。しかして、メッシュ状の支持体１３を用いて細い橋
状の補強部８を含む下部金属マスク９全体を支持するこ
とによって、橋状の補強部８の部位の強度を上げること
ができる。従って、パターン幅を微細化するために、下
部金属マスク９の板厚を薄くした場合でも、下部金属マ
スク９の強度的な問題は生じなくなる。さらに、下部金
属マスク９と支持体１３とを一体形成した場合は、基板
１へのセッティングが容易となる。しかも、支持体１３
をメッシュ状としたことにより、蒸着源５０からの蒸着
粒子が支持体１３を通過して基板１上に到達できるよう
になり、従って、物理蒸着に支障をきたさないようにし
ながら、薄膜形成を行えるようになる。

【００４０】図１０は、基板１上の１つの回路ユニット
２に対して２箇所以上の隣接する回路ユニット２からの
配線を行う場合の一例を示している。図１０（ａ）は、
複数個の回路ユニットからなるユニット例を３列配置
し、ユニット列内部の配線部４’と、ユニット列端部間
の配線部４”とを閉回路状に連続させた場合の一例を示
し、図１０（ｂ）は、ユニット列内部の配線部４’と、
ユニット列端部間の配線部４”とを閉回路状に連続さ
せ、さらに配線部４ｃにて配線部４’間を接続した場合
の一例を示している。いずれの場合も、閉回路パターン
を形成するにあたって、配線部４（４’，４”）のつな
がり信頼性を向上させることができると共に、配線部４
のパターン形成後の電気的処理（分極など）が確実に行
えるようになる。

【００４１】図１１は、基板１の表裏両面の下部金属マ
スク９を位置決めすると共に、上部金属マスク１０を位
置決めする位置決めガイド１４を備えたマスク固定治具
１５を設けた場合を示している。本例のマスク固定治具
１５は、基板１の外周部に外嵌されるリング形状の下側
治具１５ａと、リング形状の上側治具１５ｂとに分かれ
ている。下側治具１５ａの両側２箇所には、基板１に対
して垂直方向に位置決めガイド１４が各々突設されてお
り、各位置決めガイド１４が基板１の表裏両面に配置さ
れる各下部金属マスク９（一方の下部金属マスクは図示
せず）の外周部の両側２箇所に設けたガイド孔２２と、
上部金属マスク１０の外周部の両側２箇所に設けたガイ
ド孔２３とを各々貫通して、上側治具の両側２箇所に設
けたガイド溝２４に各々嵌合している。これにより、基
板１の表裏両面の金属マスク９，１０が、マスク固定治
具１５により基板１に対して各々位置決めされるように
なり、金属マスク９，１０の位置合わせ精度が良くな
る。また金属マスク９，１０のセッティング作業がはか
どると共に、薄膜パターンの精度向上を図ることができ
る。

【００４２】図１２は、最初に、基板１の表裏両面に下
部金属マスク９を挟み込むと共に一方の下部金属マスク
９上に上部金属マスク１０を配置して基板１上に配線部
４を薄膜形成する工程を行い、その後、上部金属マスク
１０のみを取り外して、基板１上に電極部３と配線部４
とを薄膜形成する工程を行う場合を示している。本例で
は、下部金属マスク９と上部金属マスク１０とを基板１
にセッティングして薄膜パターンを形成した後に、上部
金属マスク１０を取り外すという図１２（ａ）→図１２
（ｂ）の工程手順を踏むため、上部金属マスク１０の脱
着が容易で、位置ずれもしにくなり、薄膜パターンの精
度向上を図ることができる。

【００４３】図１３は、上部金属マスク１０及び下部金
属マスク９を各々磁性体とし、非蒸着面１６側から磁石
１７により基板１と各金属マスク９，１０とを吸着保持
する場合を示している。本例では、マスク固定治具１５
にて上下の金属マスク９，１０を基板１に対して位置決
めしている。マスク固定治具１５の構造は図１１の実施
形態と同様である。また金属マスク９，１０を形成する
磁性体材料として、例えば、マルテンサイト系ステンレ
ス鋼が使用される。磁石１７は、永久磁石、電磁石のい
ずれでもよい。このことは以下の実施形態においても同
様である。しかして、上部金属マスク１０と下部金属マ
スク９とを重ねて基板１上にセットする作業を、磁石１
７を利用して簡易且つ精度良く行うことができると共
に、基板１に対する金属マスク９，１０の密着性に優れ
たものとなる。さらに磁石１７によって金属マスク９，
１０に対して基板１が位置ずれしないため、薄膜パター
ンの精度が向上する。なお、磁石１７は金属マスク９，
１０の非蒸着面１６側に配置されるため、物理蒸着の妨
げとはならないものである。なお磁石１７は１つではな
く、金属マスク９，１０を同一面内で均等に保持できる
ようにするために、極性を互い違いに配置した複数の磁
石で構成してもよいものである。

【００４４】図１４は、剛性の高い非磁性体からなるプ
レート１８を非蒸着面１６側の下部金属マスク９と磁石
１７との間に配置し、蒸着面側の上部金属マスク１０の
脱着時においてプレート押さえ用治具８０によりプレー
ト１８を仮固定して磁石１７を上部金属マスク１０から
離反する方向イに移動させる場合を示している。本例で
は、マスク固定治具１５にて上下の金属マスク９，１０
を基板１に対して位置決めしている。マスク固定治具１
５の構造は図１１の実施形態と同様である。プレート押
さえ用治具８０は、磁石１７を嵌め込む開口部３０と、
開口部の縁部から突設して先端がプレート１８に当接す
るガイド部３１とを備えている。しかして、前記図１３
の実施形態と同様、磁石１７によって上部金属マスク１
０と下部金属マスク９とを吸着保持できるという効果が
得られ、さらに加えて上部金属マスク１０の取り付け或
いは取り外しをする際に、非磁鋼製のプレート１８を非
蒸着面１６側の下部金属マスク９と磁石１７との間に配
置し、プレート押さえ用治具８０の開口部３０を磁石１
７の外周に嵌め込み、ガイド部３１をプレート１８の下
面に当接させて、磁石１７をプレート１８から図１４の
矢印イ方向に浮かせるようにする。これにより、非磁鋼
製のプレート１８が磁石１７に引き付けられないように
プレート押さえ用治具８０によってプレート１８を保持
したまま、上部金属マスク１０の取り付け或いは取り外
しが容易に行えるようになると共に、取り付けの際には
上部金属マスク１０を位置ずれなく取り付け可能とな
る。しかも磁石１７の切り離し時に、上部金属マスク１
０が磁石１７に引き付けられて撓むことがないため、基
板１の破損を引き起こすことがなくないものである。

【００４５】図１５は上部金属マスク１０の脱着時にお
いて磁石１７を上部金属マスク１０から一時的に遠ざけ
るためのホルダー押さえ用治具３８を設けた場合の例を
示している。なお、マスク固定治具１５にて上下の金属
マスク９，１０を基板１に対して位置決めしている点は
図１１の実施形態と同様である。本例では、金属マスク
９，１０を吸着保持するための磁石１７の下面には磁石
ホルダー３５が固着されており、磁石ホルダー３５の両
端部が引っ張りコイルバネ３６によってホルダーケース
３７の天井面に連結されている。磁石ホルダー３５の端
部は基板１の端部よりも外側方に突出し、その突出した
部分を上方から棒状のホルダー押さえ用治具３８にて押
圧することで、磁石ホルダー３５を下方にスライドさせ
るようにしている（図１（ｂ）の状態）。これにより磁
石ホルダー３５と一体の磁石１７が非蒸着面１６側の下
部金属マスク９から一時的に切り離されるようになる。
このように、上部金属マスク１０を磁石１７から一時的
に切り離すことで、上部金属マスク１０が磁石１７に引
き付けられなくなり、上部金属マスク１０の取り付け或
いは取り外しが容易にできるようになる。また上部金属
マスク１０を取り付ける際には位置ずれなく取り付け可
能となる。しかも磁石１７を矢印イ方向に切り離す時
に、上部金属マスク１０が磁石１７に引き付けられて撓
むことがないため、基板１の破損を引き起こすこともな
くなる。また、上部金属マスク１０の脱着後に、ホルダ
ー押さえ用治具３８による押さえを解除すると、磁石ホ
ルダー３５は引っ張りコイルバネ３６のバネ力によって
元の位置に復帰できるので（図１５（ａ）の状態）、磁
石１７によって金属マスク９，１０を吸着保持できる状
態に自動的に戻すことができる。

【００４６】図１６は、蒸着源５０に対して基板１の表
裏方向が入れ替わるように基板１を回転させるための回
転軸２０を設け、基板１を回転させながら薄膜形成を行
う場合を示している。本例では、真空槽４０の内部に、
上下の金属マスク９，１０が設けられた回転可能な基板
１と蒸着源５０とを収納し、基板１を蒸着源５０に対し
て表裏両面が入れ替わるように回転軸２０回りに回転さ
せながら、真空蒸着法により基板１の表裏両面に同時に
薄膜形成を行うものである。なお、基板１の回転方向は
同じでもよいが、膜厚の均一性を向上させためには、物
理蒸着時間の半ばで反対方向に回転させるのが望まし
い。また本例では、基板１の表裏両面に配置されている
下部金属マスク９の橋状の補強部８が回転することによ
り、蒸着源５０からの蒸着粒子を橋状の補強部８の下方
における基板１上の橋状部位にも十分に届かせることが
できるため、薄膜パターンのつながり性が良くなる。つ
まり、基板１の表裏両面とも薄膜形成を行いながら、同
時に配線部４における橋状部位のつながり性を良くする
ことができるようになる。しかも、基板１の回転によっ
て多方向から蒸着粒子が吹きつけられる形となり、これ
により特に微細なパターンを均一に且つ精度良く形成で
きるという利点もある。

【００４７】図１７は、薄膜形成用の蒸着粒子ロの平均
自由行程が金属マスク（図示せず）のパターン形成部の
開口幅ハより小さい雰囲気ガス中にて薄膜形成を行う場
合を示している。本例では、真空槽４０の圧力を例えば
１０²〜１０^-2（Ｐａ）とし、その内部に表裏両面に金
属マスクが取り付けられた基板１と、蒸着源５０とを収
納し、真空蒸着法により基板１上に薄膜形成を行うもの
である。この場合において、真空槽４０内部の雰囲気ガ
スとして、不活性ガス（Ｎ₂，Ａｒなど）を導入して圧
力を高くしてもよい。しかして、蒸着粒子ロの平均自由
行程が金属マスクのパターン形成部の開口幅ハより小さ
い雰囲気ガス中にて薄膜形成を行うことで、蒸着粒子ロ
が金属マスクのパターン形成部を通過して基板１上に届
きやすくなり、真空蒸着による薄膜形成が可能となる。
またこのとき、蒸着源５０からの蒸着粒子ロを橋状の補
強部８（図１）の下方の橋状部位にも十分に届かせるこ
とができるため、薄膜パターンのつながり性が良くな
る。さらに、蒸着源５０の位置に関係なく、基板１をセ
ッティングできるため、セッティング作業がはかどると
いう利点もある。なお、真空蒸着法に代えて、スパッタ
法などのプラズマを用いて薄膜形成してもよく、この場
合、槽内部にプラズマを維持させるのに必要なスパッタ
用ガスを導入する方法であってもよい。

【００４８】図１８は、焦電効果のある基板１の表裏両
面に赤外線センサ２ａの電極部３と配線部４とを薄膜形
成する場合を示している。本例では、焦電効果のある基
板１として、ＬｉＴａＯ₃，ＰＺＴなどの焦電材料を用
いる。また配線部４の材料と電極部３の材料とを異種に
している。電極部３はＮｉＣｒ，Ｎｉ、金黒、硫化銀な
どで形成し、配線部４をＮｉＣｒ，Ｎｉ、Ａｕ，Ｐｔ，
Ａｌなどで形成する。さらに、配線部４と電極部３の２
つの膜形成工程において、その膜厚を異ならせている。
ここでは、図１８に示す上側の電極部３の膜を配線部４
より薄い膜とすることで、赤外線の反射率を低下させる
と共に、下側の電極部３を厚くして赤外線の反射率を高
めている。これにより赤外線が上側の電極部３から吸収
され、下側の電極部３で反射されることで、赤外線の取
り込み量が増える結果、検出性能が良くなり、小型で感
度のよい赤外線センサ２ａを製造することができる。

【００４９】

【発明の効果】上述のように請求項１記載の発明にあっ
ては、基板の表裏両面に、電極部のパターン形成部と配
線部のパターン形成部とを有し且つ配線部のパターン形
成部の一部に非パターン部間に接続される橋状の補強部
が設けられた下部金属マスクを挟み込み、下部金属マス
クの非パターン部を基板に密着させた状態で基板上に電
極部と配線部とを薄膜形成する工程と、基板の表裏両面
に下部金属マスクを配置した状態で一方の下部金属マス
ク上に、少なくとも下部金属マスクの橋状の補強部上に
対向する配線部のパターン形成部を有し且つ電極部が非
パターン部となっている上部金属マスクを配置して、配
線部を薄膜形成する工程とを備えているので、上記２段
階の工程で、下部金属マスクと上部金属マスクとを基板
に一度セットするだけで、基板の表裏両面に電極部と配
線部とを異なるパターニングで形成することができる。
しかも、金属マスクを一度セットするだけでよく、その
うえ一度セットした金属マスクを交換する必要がないた
め、薄膜パターン精度が向上し、回路（特に配線部）の
微細化を実現できると共に、下部金属マスクに設けられ
る橋状の補強部の上方に、上部金属マスクのパターン形
成部を配置したことにより、薄膜パターンのつながり性
が良くなり、閉回路もしくは略閉回路状のパターンの形
成が容易となる。この結果、金属マスクを用いる簡易な
パターニング方法でありながら、基板の表裏両面に多数
個の回路ユニットが連結された閉回路もしくは略閉回路
のパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路基板
上の電極部位と配線部位とでそれぞれ異なるパターニン
グを、一度セットした金属マスクを交換することなく、
物理蒸着にて簡単に且つ精度良く形成できるものであ
る。

【００５０】また請求項２記載の発明は、請求項１記載
の効果に加えて、橋状の補強部を、各回路ユニットの配
線部の接続部位における１ユニットとして切り出される
切り代部に配置したので、下部金属マスクの橋状の補強
部において物理蒸着による膜の厚み、質が異なる場合で
も、この箇所を回路ユニットの切り代部とすることで、
回路ユニットの配線信頼性を確保できるものである。

【００５１】また請求項３記載の発明は、請求項１又は
請求項２記載の効果に加えて、橋状の補強部を二股状に
形成すると共に、その間隔を下部金属マスクの板厚以上
としたので、橋状の補強部を二股に分けることで橋状の
補強部の強度を上げることができると共に、橋状の補強
部の間隔＞下部金属マスクの板厚とすることで、橋状の
補強部間の間隔が広がって、薄膜パターンのつながり性
を確保できるようになる。

【００５２】また請求項４記載の発明は、請求項１〜請
求項３のいずれかに記載の効果に加えて、橋状の補強部
の断面形状が基板側に向かって先細状となるように、橋
状の補強部の側面を傾斜させたので、蒸着源からの蒸着
粒子が橋状の補強部の傾斜した側面を回り込んで基板側
に蒸着され易くなり、薄膜パターンのつながり性を良く
することができる。

【００５３】また請求項５記載の発明は、請求項１〜請
求項４のいずれかに記載の効果に加えて、橋状の補強部
の断面形状を、蒸着源側に膨らんだアーチ状としたの
で、蒸着源からの蒸着粒子が橋状の補強部を一層回り込
み易くなり、基板上に形成される薄膜パターンのつなが
り性を良くすることができる。

【００５４】また請求項６記載の発明は、請求項１〜請
求項５のいずれかに記載の効果に加えて、橋状の補強部
の上に被せられる上部金属マスクの配線部用パターン形
成部の大きさを、橋状の補強部の端部から少なくとも上
部金属マスクの板厚以上の広がりを持つ大きさにしたの
で、配線部用パターン形成部が下部金属マスクの補強部
の上方から位置ずれしないように配置でき、これにより
上下２枚の金属マスクの位置関係に精度を持たせること
ができると共に、蒸着源からの蒸着粒子が橋状の補強部
周辺に十分に行き渡るようになり、基板上に形成される
薄膜パターンのつながり性を良くすることができる。

【００５５】また請求項７記載の発明は、請求項１〜請
求項６のいずれかに記載の効果に加えて、橋状の補強部
を含む下部金属マスク全体を、下部金属マスクの板厚の
１／２以下の太さでメッシュ状に織られた支持体にて支
持したので、メッシュ状の支持体を用いて細い橋状の補
強部を含む下部金属マスク全体を支持することによっ
て、パターン幅を微細化するために金属マスクの板厚を
薄くした場合でも、橋状の補強部の部位の強度を上げる
ことができると共に、支持体をメッシュ状としたこと
で、蒸着粒子が支持体を通過して基板上に到達できるよ
うになり、従って、物理蒸着に支障をきたさないように
しながら、金属マスクによる薄膜パターンが形成できる
ものである。

【００５６】また請求項８記載の発明は、請求項１記載
の効果に加えて、基板上の１つの回路ユニットに対して
２箇所以上の隣接する回路ユニットからの配線を行うの
で、閉回路もしくは略閉回路のパターンを形成するにあ
たって、配線部のつながり信頼性を向上させることがで
き、そのうえ配線部のパターン形成後の電気的処理（分
極など）が確実に行えるようになる。

【００５７】また請求項９記載の発明は、請求項１記載
の効果に加えて、基板の表裏両面の下部金属マスクを基
板に対して各々位置決めし且つ上部金属マスクを位置決
めするための位置決めガイドを備えたマスク固定治具を
設けたので、基板の表裏両面の金属マスクがマスク固定
治具により基板に対して各々位置決めされるようにな
り、上下の金属マスクの位置合わせ精度が良くなり、金
属マスクのセッティング作業がはかどると共に、薄膜パ
ターンの精度向上を図ることができる。

【００５８】また請求項１０記載の発明は、請求項１記
載の効果に加えて、基板の表裏両面に下部金属マスクを
挟み込むと共に一方の下部金属マスク上に上部金属マス
クを配置して基板上に配線部を薄膜形成し、その後、上
部金属マスクのみを取り外して、基板上に電極部と配線
部とを薄膜形成するので、下部金属マスクと上部金属マ
スクとを基板にセッティングして薄膜形成を行った後
に、上部金属マスクのみを取り外して、下部金属マスク
による薄膜形成を行うことにより、上部金属マスクの脱
着が容易で且つ位置ずれもしにくなる。

【００５９】また請求項１１記載の発明は、請求項１記
載の効果に加えて、上部金属マスク及び下部金属マスク
を各々磁性体とし、非蒸着面側に配置した磁石により基
板と各金属マスクとを吸着保持するので、上部金属マス
クと下部金属マスクとを重ねて基板上にセットする作業
を、磁石を利用して簡易且つ精度良く行うことができる
と共に、基板に対する金属マスクの密着性が良好とな
る。また、磁石の吸引力で金属マスクに対して基板が位
置ずれしないため、薄膜パターンの精度を一層向上させ
ることができる。

【００６０】また請求項１２記載の発明は、請求項１１
記載の効果に加えて、剛性の高い非磁性体からなるプレ
ートを非蒸着面側の下部金属マスクと磁石との間に配置
し、プレートを仮固定して磁石を上部金属マスクから離
反する方向に移動させるためのプレート押さえ用治具を
設けたので、上部金属マスクの取り付け或いは取り外し
をする際に、プレート押さえ用治具にてプレートを仮固
定して、磁石をプレートから切り離して上部金属マスク
から離反する方向に移動させることで、プレートが磁石
に引き付けられないように、プレート押さえ用治具によ
ってプレートを保持したまま、上部金属マスクの取り付
け或いは取り外しができるようになる。従って、上部金
属マスクを取り付ける際には位置ずれなく取り付け可能
となる。また磁石が移動することによって、上部金属マ
スクが磁石に引き付けられて撓むことがないため、基板
の破損を引き起こすこともなくなり、基板を充分に保護
できるようになる。

【００６１】また請求項１３記載の発明は、請求項１１
記載の効果に加えて、上部金属マスクの脱着時において
磁石を上部金属マスクから一時的に遠ざけるための手段
を設けたので、上部金属マスクの脱着時に上部金属マス
クを磁石から一時的に切り離すことにより、上部金属マ
スクが磁石に引き付けられなくなり、上部金属マスクの
取り付け或いは取り外しが容易に行えると共に、取り付
けの際には上部金属マスクを位置ずれなく取り付け可能
となる。しかも磁石の移動の際に、上部金属マスクが磁
石に引き付けられて撓むことがないため、基板の破損を
引き起こすこともなくなる。

【００６２】また請求項１４記載の発明は、請求項１記
載の効果に加えて、蒸着源に対して基板の表裏方向が入
れ替わるように基板を回転させるための回転軸を設け、
基板を回転させながら薄膜形成を行うので、基板の表裏
両面とも薄膜形成を行いながら、同時に配線部の橋状の
補強部の下方における薄膜パターンのつながり性を良く
することができる。しかも、基板の回転によって多方向
から蒸着粒子が吹きつけられる形となり、これにより膜
厚の均一性が向上し、微細なパターンを均一に且つ精度
良く形成することが可能となる。

【００６３】また請求項１５記載の発明は、請求項１記
載の効果に加えて、薄膜形成用の蒸着粒子の平均自由行
程が金属マスクのパターン形成部の開口幅より小さい雰
囲気ガス中にて薄膜形成を行うので、蒸着粒子が金属マ
スクのパターン形成部を通過して基板上に届きやすくな
り、膜厚の均一性が向上する。さらに蒸着粒子を橋状の
補強部の下方の橋状部位にも十分に届かせることができ
るため、薄膜パターンのつながり性が良くなる。しか
も、蒸着源の位置に関係なく、基板をセッティングでき
るため、セッティング作業がはかどるという利点もあ
る。

【００６４】また請求項１６記載の発明は、請求項１記
載の効果に加えて、焦電効果のある基板の表裏両面に赤
外線センサの電極部と配線部とを薄膜形成するので、赤
外線の取り込み量が増える結果、検出性能が良くなり、
小型で感度のよい赤外線センサを容易に製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の一例を示し、（ａ）は上部
金属マスクと下部金属マスクとをセッティングした場合
の断面図、（ｂ）は上部金属マスクを取り外した場合の
断面図である。

【図２】（ａ）は同上の下部金属マスクの斜視図、
（ｂ）は電極部と配線部とが薄膜形成されている回路基
板の斜視図である。

【図３】（ａ）は他の実施形態を示す斜視図、（ｂ）は
補強部位の説明図である。

【図４】更に他の実施形態を示し、（ａ）は橋状の補強
部付近の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線断面図で
ある。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は同上の下部金属マスクの形成
方法の説明図である。

【図６】更に他の実施形態を示し、（ａ）は橋状の補強
部付近の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＢ―Ｂ’線断面図で
ある。

【図７】更に他の実施形態を示す平面図である。

【図８】（ａ）は同上の上部金属マスクの斜視図、
（ｂ）は下部金属マスクの斜視図である。

【図９】更に他の実施形態を示す斜視図である。

【図１０】（ａ）（ｂ）は更に他の実施形態を示すパタ
ーン例の説明図である。

【図１１】更に他の実施形態を示す分解斜視図である。

【図１２】（ａ）（ｂ）は更に他の実施形態を示す工程
説明図である。

【図１３】更に他の実施形態を示す断面図である。

【図１４】更に他の実施形態を示し、（ａ）は磁石によ
る金属マスクの吸着保持状態の説明図、（ｂ）はプレー
ト押さえ用治具にて磁石を浮かせる場合の説明図であ
る。

【図１５】更に他の実施形態を示し、（ａ）（ｂ）は磁
石を移動させる場合の説明図である。

【図１６】更に他の実施形態の説明図である。

【図１７】更に他の実施形態の説明図である。

【図１８】更に他の実施形態の説明図である。

【図１９】従来例の説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 回路ユニット ２ａ 赤外線センサ ３ 電極部 ４ 配線部 ５ 電極部のパターン形成部 ６ 配線部のパターン形成部 ７ 非パターン部 ８ 橋状の補強部 ８ａ 側面 ８ｂ 端部 ９ 下部金属マスク １０ 上部金属マスク １１ 上部金属マスクのパターン形成部 １２ 上部金属マスクの非パターン部 １３ 支持体 １４ 位置決めガイド １５ マスク固定治具 １６ 非蒸着面 １７ 磁石 １８ プレート ２０ 回転軸 ３８ プレート押さえ用治具 ５０ 蒸着源 ｄ 上部金属マスクの板厚 Ｄ 下部金属マスクの板厚

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 BB04 BD02 HA02 HA03 HA04 5E343 AA02 AA11 BB71 DD23 FF12 FF30 GG11

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １枚の基板上に多数個の回路ユニットを
   閉回路パターンもしくは略閉回路パターンで形成するに
   あたって、センサなどの電極部と配線部とを基板の表裏
   両面に物理蒸着により薄膜形成するようにした回路基板
   の製造方法において、基板の表裏両面に、電極部のパタ
   ーン形成部と配線部のパターン形成部とを有し且つ配線
   部のパターン形成部の一部に非パターン部間に接続され
   る橋状の補強部が設けられた下部金属マスクを挟み込
   み、下部金属マスクの非パターン部を基板に密着させた
   状態で基板上に電極部と配線部とを薄膜形成する工程
   と、基板の表裏両面に下部金属マスクを各々配置した状
   態で、一方の下部金属マスク上に、少なくとも下部金属
   マスクの橋状の補強部上に対向する配線部のパターン形
   成部を有し且つ電極部が非パターン部となっている上部
   金属マスクを配置して、配線部を薄膜形成する工程とを
   備えていることを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 橋状の補強部を、各回路ユニットの配線
   部の接続部位における１ユニットとして切り出される切
   り代部に配置したことを特徴とする請求項１記載の回路
   基板の製造方法。
3. 【請求項３】 橋状の補強部を二股状に形成すると共
   に、その間隔を下部金属マスクの板厚以上としたことを
   特徴とする請求項１又は請求項２記載の回路基板の製造
   方法。
4. 【請求項４】 橋状の補強部の断面形状が基板側に向か
   って先細状となるように、橋状の補強部の側面を傾斜さ
   せたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに
   記載の回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 橋状の補強部の断面形状を、蒸着源側に
   膨らんだアーチ状としたことを特徴とする請求項１〜請
   求項４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
6. 【請求項６】 橋状の補強部の上に被せられる上部金属
   マスクの配線部用パターン形成部の大きさを、橋状の補
   強部の端部から少なくとも上部金属マスクの板厚以上の
   広がりを持つ大きさにしたことを特徴とする請求項１〜
   請求項５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
7. 【請求項７】 橋状の補強部を含む下部金属マスク全体
   を、下部金属マスクの板厚の１／２以下の太さでメッシ
   ュ状に織られた支持体にて支持することを特徴とする請
   求項１〜請求項６のいずれかに記載の回路基板の製造方
   法。
8. 【請求項８】 基板上の１つの回路ユニットに対して２
   箇所以上の隣接する回路ユニットからの配線を行うこと
   を特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
9. 【請求項９】 基板の表裏両面の下部金属マスクを基板
   に対して各々位置決めし且つ上部金属マスクを位置決め
   するための位置決めガイドを備えたマスク固定治具を設
   けたことを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 基板の表裏両面に下部金属マスクを挟
    み込むと共に一方の下部金属マスク上に上部金属マスク
    を配置して基板上に配線部を薄膜形成し、その後、上部
    金属マスクのみを取り外して、基板上に電極部と配線部
    とを薄膜形成することを特徴とする請求項１記載の回路
    基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 上部金属マスク及び下部金属マスクを
    各々磁性体とし、非蒸着面側に配置した磁石により基板
    と各金属マスクとを吸着保持することを特徴とする請求
    項１記載の回路基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 剛性の高い非磁性体からなるプレート
    を非蒸着面側の下部金属マスクと磁石との間に配置し、
    蒸着面側の上部金属マスクの脱着時においてプレートを
    仮固定して磁石を上部金属マスクから離反する方向に移
    動させるためのプレート押さえ用治具を設けたことを特
    徴とする請求項１１記載の回路基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 上部金属マスクの脱着時において磁石
    を上部金属マスクから一時的に遠ざけるための手段を設
    けたことを特徴とする請求項１１記載の回路基板の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 蒸着源に対して基板の表裏方向が入れ
    替わるように基板を回転させるための回転軸を設け、基
    板を回転させながら薄膜形成を行うことを特徴とする請
    求項１記載の回路基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 薄膜形成用の蒸着粒子の平均自由行程
    が金属マスクのパターン形成部の開口幅より小さい雰囲
    気ガス中にて薄膜形成を行うことを特徴とする請求項１
    記載の回路基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 焦電効果のある基板の表裏両面に赤外
    線センサの電極部と配線部とを薄膜形成することを特徴
    とする請求項１記載の回路基板の製造方法。