JP2003034883A

JP2003034883A - 金属膜の形成方法

Info

Publication number: JP2003034883A
Application number: JP2001226690A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Kimura; 俊之木村
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2001-07-26
Filing date: 2001-07-26
Publication date: 2003-02-07

Abstract

(57)【要約】【課題】金属膜の密着性を安定して向上させることが
でき、また樹脂基体にダメージを与えたり金属膜にフク
レや剥離を生じさせたりすることを未然に防ぐことがで
きる金属膜の形成方法を提供する【解決手段】樹脂基体１の表面にポリイミド樹脂を蒸
着重合して中間膜２を形成する。この後、中間膜２の表
面に金属膜３を形成する。ポリイミド樹脂による中間膜
２は金属膜３との密着性が高く、ポリイミド樹脂による
中間膜２を介して、樹脂基体１に対する金属膜３の密着
性を高く得ることができる。そして中間膜２はポリイミ
ド樹脂の蒸着重合で、溶剤を用いる必要なく樹脂基体１
の表面に均一に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂成形体や樹脂
フィルムなどの樹脂基体への金属膜の形成方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】樹脂成形体や樹脂フィルムなど樹脂基体
の表面に金属膜を形成して、回路基板や反射板などを作
製するにあたって、樹脂基体と金属膜との密着性を高め
るために、従来から種々の方法が検討されている。

【０００３】例えば、樹脂基体の表面をプラズマ処理す
ることによって、樹脂基体の表面を粗面化したり、極性
基を付与したり、表面の分子を開裂させたりして、樹脂
基体の表面を改質し、この後に樹脂基体の表面に金属膜
を形成することによって、樹脂基体に対する金属膜の密
着性を高めることが行なわれている。

【０００４】しかしこの方法では、樹脂基体の種類によ
ってはプラズマ処理による改質効果が低い場合があり、
材質的な制限を受けるので、金属膜の密着性を確保する
ことが困難なことがあるという問題があった。

【０００５】また例えば樹脂基体の表面にＣｕなどの金
属膜を形成する場合、樹脂に対する密着性がＣｕよりも
高い金属、例えばＴｉやＣｒなどを樹脂基体の表面に中
間金属膜として形成しておき、この中間金属膜の上に金
属膜を形成することによって、中間金属膜を介して樹脂
基体に対する金属膜の密着性を高める方法もある。

【０００６】しかしこの場合、樹脂基体に形成した金属
膜を導体回路等にパターンニング加工する際に、表層の
Ｃｕの他に中間金属膜もエッチングする必要があるが、
中間金属膜がＴｉやＣｒであるときには、Ｔｉは難溶解
性でエッチングが困難であるという問題があり、またＣ
ｒは排出されると環境問題となるものであった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の方法の他に、樹
脂基体の樹脂と金属膜との密着性よりも、金属膜に対す
る密着性が高い樹脂を樹脂基体の表面に設けて中間膜を
形成し、この中間膜の上に金属膜を形成することによっ
て、中間膜を介して樹脂基体に対する金属膜の密着性を
高める方法が検討されている。

【０００８】この方法によれば、中間膜の樹脂の選択で
金属膜の密着性を向上することができるので、樹脂基体
の材質的な制限を受けることがなくなるものであり、ま
た金属膜をエッチングしてパターンニングするにあたっ
て、樹脂の中間膜はエッチングする必要がないので、中
間金属膜の場合のような問題もなくなるものである。

【０００９】しかし、樹脂基体の表面に樹脂の中間膜を
形成するにあたっては、樹脂液を樹脂基体の表面にスピ
ンコートしたり、樹脂基体を樹脂液にデッピングしたり
して行なわれており、樹脂基体の表面に液溜まりや液流
れ等が発生し易く、特に樹脂基体の表面が凹凸等の三次
元形状を有する場合には、樹脂基体の表面に均一に中間
膜を形成することが困難であって、密着力を向上させる
効果にバラツキがあるという問題があった。また中間膜
を形成する樹脂液には溶剤が含有されているため、樹脂
基体がこの溶剤によってダメージを受けたり、中間膜に
残留している溶剤によって、中間膜の上に形成した金属
膜にフクレや剥がれが発生するおそれがあるという問題
もあった。

【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、金属膜の密着性を安定して向上させることがで
き、また樹脂基体にダメージを与えたり金属膜にフクレ
や剥離を生じさせたりすることを未然に防ぐことができ
る金属膜の形成方法を提供することを目的とするもので
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
金属膜の形成方法は、樹脂基体１の表面にポリイミド樹
脂を蒸着重合して中間膜２を形成し、中間膜２の表面に
金属膜３を形成することを特徴とするものである。

【００１２】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、中間膜２を形成するポリイミド樹脂はガラス転移温
度が２３０℃以下であることを特徴とするものである。

【００１３】また請求項３の発明は、請求項１又は２に
おいて、樹脂基体１の表面にポリイミド樹脂を蒸着重合
して中間膜２を形成するに先だって、樹脂基体１をプラ
ズマ処理して樹脂基体１の表面を粗面化することを特徴
とするものである。

【００１４】また請求項４の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、樹脂基体１の表面にポリイミド樹脂
を蒸着重合して中間膜２を形成するに先だって、樹脂基
体１をプラズマ処理して樹脂基体１の表層の分子の結合
を開裂させることを特徴とするものである。

【００１５】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、樹脂基体１の表面にポリイミド樹脂
を蒸着重合して中間膜２を形成した後、中間膜２をプラ
ズマ処理し、この後に中間膜２の表面に金属膜３を形成
することを特徴とするものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１７】樹脂基体１としては、樹脂成形体や樹脂フ
ィルムなど任意の形態のものを用いることができるもの
である。その材質は特に制限されるものではないが、金
属膜３との密着性が、金属膜３とポリイミド樹脂との密
着性よりも低いものを用いるのが、発明の効果をより高
く得るうえで望ましいものであり、例えば液晶ポリマー
やポリフェニレンサルファイド樹脂などを用いることが
できる。

【００１８】しかして本発明では、図１（ａ）（ｂ）に
示すように、まず樹脂基体１の表面にポリイミド樹脂の
中間膜２を形成する。ポリイミド樹脂は樹脂分子に多く
の極性基が存在するので、他の一般的な樹脂よりも金属
との相互作用が大きく、金属との密着性が高いものであ
る。またポリイミド樹脂は耐熱性等の特性にも優れてお
り、樹脂基体１の表面に形成する中間膜２で樹脂基体１
の特性を低下させることもなくなるものである。

【００１９】そして本発明では、樹脂基体１の表面でポ
リイミド樹脂を蒸着重合させることによって、樹脂基体
１の表面に中間膜２を形成するようにしてある。ポリイ
ミド樹脂の蒸着重合は、樹脂基体１を真空チャンバー内
にセットし、真空チャンバー内を真空引きすると共に、
酸無水物とジアミンを蒸発させたモノマーガスを真空チ
ャンバー内に供給し、酸無水物とジアミンとを重合反応
させながら樹脂基体１の表面に蒸着させることによって
行なうことができるものである。このように樹脂基体１
の表面にポリイミド樹脂を蒸着重合する気相法で中間膜
２を形成することによって、樹脂液を用いて樹脂基体１
の表面に中間膜２を形成する場合のような、液溜まりや
液流れなどの問題がなく、樹脂基体１の表面が三次元形
状を有していても均一に中間膜２を形成することができ
るものであり、また溶剤を含有させることなく中間膜２
を形成することができ、後述のように中間膜２の上に形
成される金属膜３にフクレや剥がれが発生することがな
くなるものである。

【００２０】このように樹脂基体１の表面にポリイミド
樹脂の中間膜２を形成した後、図１（ｃ）のように中間
膜２の表面に金属膜３を形成する。金属膜３の形成は、
スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなど
のＰＶＤ法で行なうことができるものである。ポリイミ
ド樹脂による中間膜２と金属膜３との密着性は高く、ま
た中間膜２と樹脂基体１とは樹脂同士であるので密着性
は良好である。従ってポリイミド樹脂による中間膜２を
介して、樹脂基体１の表面に対する金属膜３の密着性を
高く得ることができるものである。しかも中間膜２はポ
リイミド樹脂の蒸着重合で樹脂基体１の表面に均一に形
成されているので、金属膜３の密着性を安定して向上さ
せることができるものである。また、樹脂基体１に設け
た金属膜３を導体回路等にパターンニング加工するにあ
たって、中間膜２は電気絶縁体であるので、中間膜２を
エッチングするような必要はないものである。

【００２１】ここで、ポリイミド樹脂の中間膜２の膜厚
は、金属膜３の密着性を向上させる効果を確保するため
に、０．５μｍ以上であることが望ましい。しかしポリ
イミド樹脂の中間膜２の膜厚が厚過ぎると、樹脂基体１
の電気的特性などの特性が悪影響を受けるおそれがある
ので、ポリイミド樹脂の中間膜２の膜厚は１０μｍ以下
であることが望ましい。また、金属膜３の厚みは、用途
に応じて種々設定されるが、一般的には０．３〜１５μ
ｍの範囲が好ましい。

【００２２】そして、中間膜２を形成するポリイミド樹
脂は、ガラス転移温度が２３０℃以下であることが好ま
しい。このようにガラス転移温度が２３０℃以下のポリ
アミド樹脂で中間膜２を形成することによって、金属膜
３の密着性をより向上することができるものである。金
属膜３の密着性をこのように向上できる理由は明らかで
はないが、中間膜２の表面に金属膜３を製膜する際の温
度上昇で中間膜２が軟化し易くなり、樹脂基体１の表面
の微細な凹凸に中間膜２の一部が浸透してアンカー効果
が高まることや、中間膜２のポリイミド樹脂の分子運動
が活発化して分子鎖同士の架橋反応が起こり、中間膜２
の強度が増加することなどがその理由ではないかと考え
られる。ポリイミド樹脂のガラス転移温度が低くなり過
ぎると、中間膜２の耐熱性が低下するので、中間膜２を
形成するポリイミド樹脂のガラス転移温度は２００℃以
上であることが望ましい。

【００２３】また本発明において、樹脂基体１の表面に
ポリイミド樹脂を蒸着重合して中間膜２を形成するに先
だって、樹脂基体１をプラズマ処理するのが好ましい。
樹脂基体１をプラズマ処理することによって、樹脂基体
１の表面を粗面化することができる。このように樹脂基
体１の表面をプラズマ処理して粗面化した後に中間膜２
を形成することによって、粗面によるアンカー効果で樹
脂基体１に対する中間膜２の密着性を高めることがで
き、樹脂基体１と金属膜３との密着性を一層向上させる
ことができるものである。このように樹脂基体１の表面
をプラズマ処理して粗面化する場合、プラズマの雰囲気
ガスはＮ₂ガスやＯ₂ガス、オゾンなどを用いるのがよ
い。

【００２４】また、樹脂基体１をプラズマ処理すること
によって、樹脂基体１の表層の樹脂の分子の結合を開裂
させることができる。このように樹脂基体１の表面をプ
ラズマ処理して樹脂の分子の結合を開裂させることによ
って、樹脂成形体１の表層の樹脂と中間膜２のポリイミ
ド樹脂との結合性を高め、樹脂基体１に対する中間膜２
の密着性を高めることができるものであり、樹脂基体１
と金属膜３との密着性を一層向上させることができるも
のである。このように樹脂基体１の表面をプラズマ処理
して樹脂分子の結合を開裂させる場合、プラズマの雰囲
気ガスはＡｒなどの不活性ガスを用いるのがよい。

【００２５】さらに本発明では、樹脂基体１の表面にポ
リイミド樹脂を蒸着重合して中間膜２を形成した後、中
間膜２の表面をプラズマ処理するのが好ましい。このよ
うにプラズマ処理することによって、樹脂基体１の表面
を粗面化したり、表面の異物を除去する処理や、あるい
は樹脂基体１の表層の分子を開裂させたり、開裂した分
子に他の原子や分子を反応させて官能基を導入したりす
る改質処理をすることができるものであり、中間膜２に
対する金属膜３の密着性を高めることができるものであ
る。ポリイミド樹脂は多くの極性基を有するので、プラ
ズマ等による改質処理が容易である。例えばＯ₂ガスや
オゾンなどで中間膜２をプラズマ処理することによっ
て、樹脂基体１の表面をエッチングして粗面化したり異
物を除去する処理をした後に、Ｎ₂ガスやＡｒガスなど
で中間膜２をプラズマ処理することによって、樹脂基体
１の表層の分子を開裂させたり、官能基を導入したりす
る改質処理をすることができるものである。

【００２６】図２は樹脂基体１に中間膜２及び金属膜３
を形成するための装置の一例を示すものであり、ポリイ
ミド樹脂を蒸着重合するための真空チャンバー６、プラ
ズマ処理をするための真空チャンバー７、金属膜３を形
成するための真空チャンバー８から形成してある。各チ
ャンバー６，７，８にはそれぞれ真空ポンプ９，１０，
１１が接続してあり、真空チャンバー６には導入ゲート
１２が、真空チャンバー６と真空チャンバー７の間及び
真空チャンバー７と真空チャンバー８の間には移載ゲー
ト１３，１４が、真空チャンバー８には取出しゲート１
５が、それぞれ設けてある。

【００２７】真空チャンバー６内には加熱装置を備えた
一対の原料蒸発容器１７，１８が配置してあり、各原料
蒸発容器１７，１８には下方へ向けて開口する蒸気供給
口１７ａ，１８ａが設けてある。この原料蒸発容器１
７，１８の下方位置にはシャッター１９を介してホルダ
ー２０が配置してある。一対の原料蒸発容器１７，１８
のうち、一方の原料蒸発容器１７には酸無水物２１が、
他方の原料蒸発容器１８にはジアミン２２がそれぞれ充
填してある。酸無水物としては、［化１］に示す（１）
〜（６）などを用いることができるものであり、ジアミ
ンとしては［化２］に示す（Ａ）〜（Ｌ）などを用いる
ことができる。

【００２８】

【化１】

【００２９】

【化２】

【００３０】そして導入ゲート１２から樹脂基材１を真
空チャンバー６内に導入してホルダー２０の上にセット
し、真空ポンプ１０を作動させて真空チャンバー６内を
減圧し、原料蒸発容器１７，１８を加熱して各原料蒸発
容器１７，１８内の酸無水物やジアミンを気化させ、蒸
気供給口１７ａ，１８ａから供給させる。そしてシャッ
ター１９を開いてこの酸無水物やジアミンの蒸気を樹脂
基体１の表面に供給することによって、酸無水物とジア
ミンを樹脂基体１の表面で重合反応させると共に蒸着さ
せ、樹脂基体１の表面にポリアミド樹脂の中間膜２を形
成することができるものである。

【００３１】このように樹脂基体１の表面にポリイミド
樹脂の中間膜２を形成した後、真空チャンバー６内の減
圧を解除し、移載ゲート１３を開いて真空チャンバー６
内の樹脂基体１を移載ゲート１３を通して真空チャンバ
ー７に移す。この真空チャンバー７内には一対の電極２
４，２５が上下に対向させて配置してあり、下の電極２
４には高周波電源２６が接続してあると共に、上の電極
２５は真空チャンバー７に接続することによって接地し
てある。また真空チャンバー７にはガス導入管２７が接
続してあり、真空チャンバー７内にプラズマ生成用の雰
囲気ガスを導入できるようにしてある。

【００３２】そして真空チャンバー６から真空チャンバ
ー７に移された樹脂基材１を下の電極２４の上にセット
し、真空ポンプ１０を作動させて真空チャンバー７内を
減圧すると共に、ガス導入管２７からプラズマ生成用ガ
スを真空チャンバー７内に導入し、さらに高周波電源２
６から電極２４，２５に高周波電圧を印加することによ
って、電極２４，２５間での高周波グロー放電による気
体放電現象によってプラズマを発生させ、このプラズマ
によって、樹脂基体１の表面に被覆されたポリイミド樹
脂の中間膜２の表面をプラズマ処理するものである。

【００３３】このように樹脂基体１の表面のポリイミド
樹脂の中間膜２にプラズマ処理を施した後、真空チャン
バー７内の減圧を解除し、移載ゲート１４を開いて真空
チャンバー７内の樹脂基体１を移載ゲート１４を通して
真空チャンバー８に移す。この真空チャンバー８内には
一対の電極２９，３０が上下に対向させて配置してあ
り、上の電極２９の下面にＣｕなどのターゲット金属３
１がセットしてある。この上の電極２９には直流電源３
２が接続してあると共に、下の電極３０は真空チャンバ
ー８に接続することによって接地してある。また真空チ
ャンバー８にはガス導入管３３が接続してあり、真空チ
ャンバー８内にスパッタガスを導入できるようにしてあ
る。

【００３４】そして真空チャンバー７から真空チャンバ
ー８に移された樹脂基材１を下の電極３０の上にセット
し、真空ポンプ１１を作動させて真空チャンバー８内を
減圧すると共に、ガス導入管２７からスパッタガスを真
空チャンバー８内に導入し、さらに直流電源３２から電
極２９，３０に直流電圧を印加することによって、電極
２９，３０間でグロー放電を発生させてターゲット金属
３１から構成原子をはじき飛ばし、このはじき飛ばされ
た原子を樹脂基材１の表面の中間膜２の上に付着堆積さ
せることによって、中間膜２の表面に金属膜３を形成す
ることができる。このように樹脂基体１の中間膜２の表
面に金属膜３を形成した後、真空チャンバー８内の減圧
を解除し、取出しゲート１５を開いて真空チャンバー８
から樹脂基体１を取り出すことができるものである。

【００３５】

【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。

【００３６】（実施例１〜２）樹脂基材１としてポリプ
ラスチック社製液晶ポリマー「ベクトラＣ８２０」を成
形して得たものを用いた。そして、まず図２の装置の真
空チャンバー６に樹脂基材１をセットし、ポリイミド樹
脂を蒸着重合して樹脂基材１の表面に中間膜２を形成し
た。この蒸着重合の際の、真空チャンバー６内の圧力、
酸無水物の種類（［化１］中の符号で示す）及び加熱温
度、ジアミンの種類（［化２］中の符号で示す）及び加
熱温度、蒸着時間を、表１の「中間膜形成」の欄に示
す。そして得られた中間膜２の膜厚と、中間膜２を形成
するポリイミド樹脂のガラス転移温度を表１の同欄に示
す。

【００３７】次に、中間膜２を形成した樹脂基材１を真
空チャンバー７にセットし、中間膜２の表面をプラズマ
処理した。このプラズマ処理の際の、使用ガスの種類、
真空チャンバー７内の圧力、処理時間、高周波（ＲＦ）
出力を、表１の「中間膜形成後プラズマ処理」の欄に示
す。

【００３８】次に、プラズマ処理をした樹脂基材１を真
空チャンバー８にセットし、中間膜２の上にＣｕをスパ
ッタリングして金属膜３を形成した。このスパッタの際
の、使用ガスの種類、真空チャンバー８内の圧力、ＤＣ
出力、処理時間を、表１の「Ｃｕスパッタ」の欄に示
す。そして得られた金属膜３の膜厚を表１の同欄に示
す。

【００３９】（実施例３）樹脂基材１にポリイミド樹脂
を蒸着重合して中間膜２を形成する前に、図２の真空チ
ャンバー７と同様な装置を用いて樹脂基材１の表面をプ
ラズマ処理した。このプラズマ処理の際の、使用ガスの
種類、圧力、処理時間、高周波（ＲＦ）出力を、表１の
「中間膜形成前プラズマ処理」の欄に示す。このように
樹脂基材１の表面をプラズマ処理した後、あとは上記の
（実施例１〜２）と同様に、表１の条件で中間膜２の形
成、中間膜２の表面のプラズマ処理、金属膜３の形成を
行なった。

【００４０】（実施例４）樹脂基材１として東レ社製ポ
リフェニレンサルファイドフィルム「トレリナフィル
ム」を用いた。そして、あとは上記の（実施例１〜２）
と同様に、表１の条件で中間膜２の形成、中間膜２の表
面のプラズマ処理、金属膜３の形成を行なった。

【００４１】（比較例１）樹脂基材１としてポリプラス
チック社製液晶ポリマー「ベクトラＣ８２０」を成形し
て得たものを用い、表１の条件で樹脂基材１の表面をプ
ラズマ処理した後、表１の条件で樹脂基材１の表面にＣ
ｕをスパッタリングして金属膜３を形成した。

【００４２】（比較例２）樹脂基材１として東レ社製ポ
リフェニレンサルファイドフィルム「トレリナフィル
ム」を成形して得たものを用い、表１の条件で樹脂基材
１の表面をプラズマ処理した後、表１の条件で樹脂基材
１の表面にＣｕをスパッタリングして金属膜３を形成し
た。

【００４３】上記の実施例１〜４及び比較例１〜２にお
いて、樹脂基体１の表面に設けた金属膜３のピール強度
を測定した。結果を表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】表１にみられるように、各実施例のものは
比較例のものよりも金属膜３のピール強度が高く、樹脂
基体１に対する金属膜２の密着性が向上していることが
確認される。

【００４６】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る金
属膜の形成方法は、樹脂基体の表面にポリイミド樹脂を
蒸着重合して中間膜を形成し、中間膜の表面に金属膜を
形成するようにしたので、ポリイミド樹脂による中間膜
は金属膜との密着性が高く、中間膜と樹脂基体とは樹脂
同士であって密着性が良好であり、ポリイミド樹脂によ
る中間膜を介して、樹脂基体に対する金属膜の密着性を
高く得ることができるものである。そして中間膜はポリ
イミド樹脂の蒸着重合で、溶剤を用いる必要なく樹脂基
体の表面に均一に形成することができるものであり、金
属膜の密着性を安定して向上させることができると共
に、また溶剤を用いる場合のように樹脂基体にダメージ
を与えたり金属膜にフクレや剥離を生じさせたりするこ
とを未然に防ぐことができるものである。

【００４７】また請求項２の発明は、中間膜を形成する
ポリイミド樹脂はガラス転移温度が２３０℃以下である
ので、このようなガラス転移温度の低いポリアミド樹脂
による中間膜によって、金属膜の密着性をより向上する
ことができるものである。

【００４８】また請求項３の発明は、樹脂基体の表面に
ポリイミド樹脂を蒸着重合して中間膜を形成するに先だ
って、樹脂基体をプラズマ処理して樹脂基体の表面を粗
面化するようにしたので、樹脂基体とポリイミド樹脂の
中間膜との密着性を一層高めることができ、中間膜を介
した金属膜の密着性をより向上することができるもので
ある。

【００４９】また請求項４の発明は、樹脂基体の表面に
ポリイミド樹脂を蒸着重合して中間膜を形成するに先だ
って、樹脂基体をプラズマ処理して樹脂基体の表層の分
子の結合を開裂させるようにしたので、樹脂基体とポリ
イミド樹脂の中間膜との密着性を一層高めることがで
き、中間膜を介した樹脂基体への金属膜の密着性をより
向上することができるものである。

【００５０】また請求項５の発明は、樹脂基体の表面に
ポリイミド樹脂を蒸着重合して中間膜を形成した後、中
間膜をプラズマ処理し、この後に中間膜の表面に金属膜
を形成するようにしたので、ポリイミド樹脂の中間膜と
金属膜との密着性を一層高めることができ、中間膜を介
した樹脂基体への金属膜の密着性をより向上することが
できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ概略図である。

【図２】本発明において用いる装置の一例を示す概略図
である。

【符号の説明】

１樹脂基体２中間膜３金属膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂基体の表面にポリイミド樹脂を蒸着
重合して中間膜を形成し、中間膜の表面に金属膜を形成
することを特徴とする金属膜の形成方法。
【請求項２】中間膜を形成するポリイミド樹脂はガラ
ス転移温度が２３０℃以下であることを特徴とする請求
項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項３】樹脂基体の表面にポリイミド樹脂を蒸着
重合して中間膜を形成するに先だって、樹脂基体をプラ
ズマ処理して樹脂基体の表面を粗面化することを特徴と
する請求項１又は２に記載の金属膜の形成方法。
【請求項４】樹脂基体の表面にポリイミド樹脂を蒸着
重合して中間膜を形成するに先だって、樹脂基体をプラ
ズマ処理して樹脂基体の表層の分子の結合を開裂させる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の金
属膜の形成方法。
【請求項５】樹脂基体の表面にポリイミド樹脂を蒸着
重合して中間膜を形成した後、中間膜をプラズマ処理
し、この後に中間膜の表面に金属膜を形成することを特
徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の金属膜の形
成方法。