KR100998731B1 - 고분자 소재 표면의 금속 증착방법 - Google Patents

고분자 소재 표면의 금속 증착방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고분자 소재 표면에 저항가열식 진공증착에 의해 금속층을 증착하는데 있어서 고분자 소재의 표면에 프라이머층을 형성시키지 않고도 금속층의 밀착력 및 접착력을 확보할 수 있으며, 증착되는 금속층이 보다 박막화되고, 공정 및 재료와 생산 시간을 절감하여 생산성 향상과 제조비용이 절감될 뿐만 아니라 친환경적인 고분자 소재 표면의 금속 증착방법에 관한 것이다.
본 발명은 고분자 소재 표면의 금속 증착방법에 관한 것으로, (a) 금속 물질의 입자 간 또는 입자들의 집합체 간에 미세간극을 갖도록 금속 물질을 고분자 소재 표면에 증착하여 금속층을 형성하는 단계와, (b) 금속층이 형성된 고분자 소재의 표면에 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
고분자 소재, 금속 증착, 플라즈마, 저항가열식, 금속층, 미세간극

Description

고분자 소재 표면의 금속 증착방법{Method for Metal Deposition on the Surface of Polymer}
본 발명은 고분자 소재 표면의 금속 증착방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 저항가열식 진공증착 방법을 이용하여 고분자 소재 표면에 금속 물질을 박막으로 직접 증착시키는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 플라스틱 수지 재료는 가공이 용이하고 가벼우면서도 내충격성이 우수하며 비교적 저가로 원하는 제품을 제조할 수 있기 때문에, 최근 각종 전자기기의 부품 및 IT제품의 부품과 자동차 부품 및 헬멧 등 각종 산업용품에서 금속 재료 대용으로 널리 이용되고 있으며 나아가, 최근에는 플라스틱 수지 재료를 이용하여 사출 성형된 사출품으로서의 고분자 소재 표면에 금속물질을 증착시켜 금속 질감을 부여함으로써, 제품의 외관 디자인 향상 및 고급스런 이미지를 표현하는 다양한 기술이 개발되고 있다.
여기서, 상기한 고분자 소재 표면에 금속물질을 증착시키는 방법으로는, 다 양한 물질계에 여러 형태의 금속재료 및 다층 증착이 용이한 물리적 증착방법(PVD:Physical Vapor Deposition)이 널리 이용되고 있다.
이러한 물리적 증착방법은 스퍼터링(sputtering), 이온플레이팅(ionplating), 아크증착(arc deposition), 이온빔 보조증착(ion beamassisted deposition), 저항가열식 진공증착(evaporation) 등으로 구별되는데, 이 중 저항 가열식 진공증착은 장치의 구성이 비교적 간단하여 설비비가 절감되고, 매우 많은 물질에 쉽게 적용할 수 있으며, 금속 증착층을 박막화 할 수 있는 메카니즘이 비교적 단순하기 때문에 고분자 소재 표면에 금속 증착층을 형성하는 방법으로 애용되고 있다.
이에, 상기한 저항가열식 진공증착을 이용하여 종래의 고분자 소재 표면에 금속층을 증착하는 방법을 살펴보면, 고분자 소재 표면을 세척하는 단계와, 세척된 고분자 소재 표면에 프라이머층을 도장하는 단계와, 프라이머층 상에 금속층을 증착하는 단계와, 금속층 상에 투과성 보호층을 형성하는 단계로 이루어졌었다.
이 중 상기 프라이머층를 도장하는 단계는 세척된 고분자 소재 표면에 비휘발성의 극성을 지닌 프라이머 재료를 약 10 ~ 20μm의 두께로 도포하여 건조시키는 공정으로서, 사출된 고분자 소재 표면에 도포된 프라이머층은 후속공정인 금속층의 증착 단계에서 금속물질에 대한 밀착력 및 접착력을 극대화함과 동시에 금속층의 광택도를 향상시키는 역할을 한다.
그런데, 이러한 종래의 저항가열식 진공증착을 이용하여 고분자 소재 표면에 금속층을 증착하는 방법에 있어서는, 저항 가열식 진공증착의 특성 상 고분자 소재 표면에 반드시 프라이머층을 형성해야 금속층의 밀착력 및 접착력을 확보할 수 있기 때문에, 전체적인 증착층의 박막화에 한계를 갖는 문제점이 발생하였다.
또한, 프라이머 도장 단계에서 도장 및 건조 과정을 거쳐야 하기 때문에, 공정 및 재료 증가에 따른 생산시간 증가 및 비용 상승 등의 생산성 저하를 초래하는 문제점이 있었으며 프라이머 도장 단계에서 휘발성유기화합물(VOCs) 및 폐수발생과 분진이 발생하기 때문에 친환경적이지 못한 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 고분자 소재 표면에 프라이머층을 형성시키지 않고도 금속층의 밀착력 및 접착력을 확보하여 전체적인 증착층을 박막화 할 수 있으며, 프라이머층을 도장하는 공정을 제외하였기 때문에 전체 공정을 간소화하고 또한 재료를 절감하여 생산성을 향상시킬 수 있음과 동시에 제조비용을 절감할 수 있는 고분자 소재 표면의 금속 증착방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 프라이머공정을 하지 않아 프라이머공정에서 발생하는 불량을 없앨 수 있기 때문에 제품의 품질을 향상시킬 수 있으며, 휘발성유기화합물(VOCs), 폐수발생 및 분진이 발생하는 프라이머 도장 단계를 거치지 않기 때문에 친환경적인 고분자 소재 표면의 금속 증착방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 고분자 소재 표면의 금속 증착방법은, (a) 상기 금속 물질의 입자 간 또는 입자들의 집합체 간에 미세간극을 갖도록 상기 금속 물질을 상기 고분자 소재 표면에 증착하여 금속층을 형성하는 단계와, (b) 상기 금속층이 형성된 상기 고분자 소재의 표면에 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 (b)단계의 상기 보호층은 상기 금속층의 미세간극에 충전되면서 적층되는 것이 좋다.
또한, 상기 (a)단계의 상기 고분자 소재 표면에 상기 금속층을 형성하는 단계는, 저항 가열식 진공증착 시스템의 진공챔버 내에서 상기 금속 물질을 기상 증착시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 (a)단계 전에, 상기 고분자 소재에 대한 상기 금속층 또는 상기 보호층의 결합력을 향상시키기 위하여, 상기 고분자 소재를 표면처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 표면처리하는 과정은, 상기 고분자 소재의 표면을 플라즈마 처리하는 것이 좋다.
여기서, 상기 플라즈마처리 과정에서의 반응가스는 불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 헬륨(He), 질소(N2), 산소(O2) 중 적어도 어느 하나 또는 이들 중 복수의 혼합가스일 수 있다.
한편, 상기 금속층의 두께는 50㎚~300㎚인 것이 바람직하다.
더불어, 본 발명은 상기 고분자 소재를 표면처리하기 전에 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같은 과제 해결 수단을 통하여, 본 발명에 따른 고분자 소재 표면의 금속 증착방법은 다음과 같은 효과를 제공할 수 있다.
첫째, 고분자 소재 표면에 프라이머층을 형성시키지 않고도 금속층의 밀착력 및 접착력을 확보하여 전체적인 증착층을 박막화 할 수 있다.
둘째, 프라이머층을 도장하는 공정을 제외하여 전체 공정이 간소화 되고 또한 재료를 절감할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있음과 동시에 제조비용을 절감할 수 있다.
셋째, 프라이머공정을 없앴기 때문에 프라이머공정에서 빈번하게 발생하는 불량자체를 줄일 수 있어 제품의 불량을 크게 감소시킬 수 있다.
넷째, 휘발성유기화합물(VOCs), 폐수발생 및 분진이 발생하는 프라이머 도장 단계를 거치지 않기 때문에 친환경적이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대형 실 린더 로드 변위 측정장치를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 고분자 소재 표면의 금속 증착방법에 대한 공정순서도이고, 도 2는 도 1의 고분자 소재 표면의 금속 증착 과정을 나타낸 공정도이며,도 3은 본 발명에 따라 고분자 소재 표면에 금속층을 증착한 후 전자현미경으로 단면촬영한 사진이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 고분자 소재 표면의 금속 증착방법은, 고분자 소재(10)의 표면에 금속 물질(21)을 증착하되, 증착될 금속 물질(21)의 입자 간 또는 입자들의 집합체 간에 미세간극(t; 도 2참조)을 갖도록 고분자 소재(10) 표면에 상기 금속 물질(21)을 증착하여 금속층(20)을 형성하는 단계(S03)와, 금속층(20)이 형성된 고분자 소재(10) 표면에 보호층(30)을 형성하는 단계(S04)를 포함한다.
더불어, 본 발명은 고분자 소재(10)에 금속층(20)을 형성하기에 앞서, 고분자 소재(10)에 대한 상기 금속층(20) 또는 보호층(30)과의 결합력을 향상시키기 위하여 고분자 소재(10)를 표면처리하는 단계(S02)를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이에, 상기한 본 발명에 따른 고분자 소재(10) 표면의 금속 증착방법에 대하여 살펴보면, 먼저 상기 고분자 소재(10)에 실시하는 표면처리 단계(S02)는, 진공증착 시스템의 진공챔버 내에서 플라즈마 발생기(50)를 이용하여 고분자 소재(10) 표면을 플라즈마 처리를 한다.
상기한 바와 같이, 고분자 소재(10)의 표면에 플라즈마 처리를 실시하면, 고분자 소재(10)는 표면이 활성화되어 증착될 금속 물질(21)에 대한 극성관능기가 부여되고, 세정 및 미세요철이 형성되어, 고분자 소재(10)와 후속공정에서 증착될 금속 물질(21)간의 결합력을 증대시킬 수 있으며, 동시에 금속층(20)의 미세간극(t) 사이에 충전되어 고분자 소재(10)와 접촉하는 보호층(30)과의 결합력도 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기한 플라즈마처리를 실시하고 난 후, 고분자 소재(10)가 극성관능기가 부여되는 것에 대하여 도 2를 참조하여 상세히 살펴보면, 상기 고분자 소재(10) 표면에 플라즈마처리를 실시하면 플라즈마처리를 실시하기 전 극성을 갖지 않는 고분자 소재(10)는 그 표면개질이 활성화 되면서 고분자 소재(10)의 재질에 따라 고분자 소재(10) 표면에 OH- 및 H+등의 극성관능기가 생성된다. 그러면, 이에 의하여 후속 공정에서 금속물질이 증착될 때 극성관능기가 부여된 고분자 소재(10) 표면과 극성을 가지고 있던 금속 물질(21) 간의 결합이 가능하게 되며, 더불어 상기 고분자 소재(10)와 금속 물질(21)간의 결합력도 강해져 고분자 소재(10)와 금속 물질(21)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 고분자 소재(10) 표면에 실시하는 플라즈마 표면처리 단계(S02)는, D.C 플라즈마 및 Plused D.C 플라즈마를 이용하고, 반응가스로는 불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 제논(Xe), 헬륨(He), 질소(N2), 산소(O2) 중 적어도 어느 하나 또는 이들 중 복수의 혼합가스를 이용하는 것이 바람직하다.
그리고, 플라즈마 발생은 진공펌프를 이용하여 미리 지정된 압력으로 배기시킨 후 상기의 가스를 주입하여 상기 압력을 유지시킨 후에 D.C 및 Plused D.C 전원을 보조음극에 인가하여 플라즈마를 발생시킴으로서 구현되며, 이러한 플라즈마 발생 후 대략 1분~10분의 처리를 통하여 고분자 소재(10) 표면은 세정 및 활성화된다.
상기한 바와 같이, 고분자 소재(10)를 플라즈마 표면처리를 실시하여 고분자 소재(10)에 극성관능기를 부여한 후에는, 플라즈마 표면처리된 고분자 소재(10) 표면에 금속 물질(21)을 증착하되, 증착될 금속 물질(21)의 입자 간 또는 입자들의 집합체 간에 미세간극(t)을 갖는 금속층(20)을 형성하는 단계를 거친다(S03).
여기서, 상기 고분자 소재(10) 표면에 금속층(20)을 증착하는 단계(S03)는, 저항가열식으로 금속 물질(21)을 증착하여 금속층(20)을 형성하며, 상세하게는 저항가열식 진공증착 시스템의 진공챔버 내에서 증착하고자 하는 금속층(20)을 형성시킬 수 있는 크롬(Cr)이나 니켈(Ni) 등의 각종 금속이나 합금 물질 등의 금속증착 재료를 저항 가열하여 기상으로 증발시키고, 이렇게 기상으로 증발된 금속 물질(21)의 입자가 고분자 소재(10)의 표면에 증착되어 이루어진다.
이때, 상기한 금속층(20)은 증착되는 금속 물질(21)의 입자 간 또는 입자들 의 집합체 간에 불규칙한 미세간극(t)을 가지고 있으며, 이를 위해서는 상기 금속층(20)의 두께는 50㎚~300㎚로 하여야 한다.
그 이유는, 고분자 소재(10)의 표면에 금속 입자를 증착하여 불규칙한 미세간극(t)을 가지도록 금속층(20)을 형성하기 위한 중요한 요인으로는 금속층(20)의 밀도 다시 말해 금속층(20)의 두께가 중요한데, 이와 관련하여 상기 금속층(20)의 두께가 50nm미만인 경우에는 금속층(20)이 너무 얇아 실효성이 떨어지고, 금속층(20)의 두께가 300nm를 초과하게 되면 미세간극(t)에 금속 입자가 메워지게 되어 본 발명에서 요구하는 미세간극(t)이 형성된 금속층(20)을 얻을 수 없기 때문이다.
한편, 상기한 바와 같이 미세간극(t)을 가지는 금속층(20)을 형성하기 위해 금속층(20)의 두께를 상기한 50㎚~300㎚로 형성시키기 위해서는 금속 물질 증착시 금속층(20)의 두께를 확인하면서 전류량이나 피증착물질 즉 금속의 양 등을 조절함으로써 구현할 수 있으며, 이때 상기 금속에 따른 전류량이나 금속의 양은 금속층(20)의 두께가 50㎚~300㎚로 형성되는 목적만 달성할 수 있다면 모두 가능하다. 마찬가지로, 상기 플라즈마처리단계와 금속층의 형성단계에서의 플라즈마처리장치와 금속 증착장치 또한 상기한 목적을 달성할 수 있다면 일반적인 장치를 포함하여 모두 사용가능하다.
이렇게 표면처리된 고분자 소재(10)의 표면에 금속층(20)을 형성한 후에는, 금속층(20)이 형성된 고분자 소재(10) 표면에 보호층(30)을 형성시키는 단계를 거 친다(S04).
상기 보호층(30)을 형성시키는 단계는 수지를 금속층(20)상에 적층 건조하여 실시하며, 이때 상기 보호층(30)을 이루는 것으로는 UV수지 등의 투과성 수지를 사용하는 것이 바람직하지만 이외 상기한 목적을 달성할 수 있는 소재라면 모두 적용가능하다.
나아가, 상기 보호층(30)은 금속 입자 또는 금속 입자들의 집합체 간에 형성된 미세간극(t)이 형성된 금속층(20)의 상면에 적층되는데, 이때 보호층(30)은 금속층(20)의 상면에 적층되어 금속입자의 상부뿐만 아니라 미세간극(t) 내에 충전되어 고분자 소재(10)와 직접 접촉하며, 이렇게 금속층(20)의 미세간극(t) 내에 충전되는 보호층(30)의 수지는 고분자 소재(10)에 밀착 및 접착됨으로써 금속층(20) 상면을 덮는 수지층과 함께 금속층(20)이 고분자 소재(10) 표면으로부터 박리되지 못하도록 하여 금속층(20)의 증착 상태를 보다 견고하게 유지시킬 수 있다.
부가하여, 본 발명은 상기한 모든 과정을 실시하기 전에 고분자 소재(10) 표면을 세척하는 단계(S01)를 더 포함할 수 있으며, 고분자 소재(10)를 세척하는 단계(S01)는, 각종 전자기기의 부품 및 IT제품의 부품과 자동차 부품 및 헬멧 등의 해당 고분자 소재(10)를 성형제품으로 마련한 뒤 이를 세척하는 단계로서, 고분자 소재(10)의 세척은 초음파세척이나 세척수를 이용하여 세척한 후 건조시키는 과정으로 이루어질 수 있다.
아울러, 상기 고분자 소재(10)는, ABS, 폴리카보네디트(PC), 폴리에틸렌(PE), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP) 등을 적용할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따라 고분자 소재 표면에 금속층을 증착한 후 전자현미경으로 단면촬영한 사진으로 사진을 참조하면, 상기한 본 발명에 따라 고분자 소재(10)의 표면에 저항가열식으로 금속 물질(21)을 증착시키고 두께가 50㎚~300㎚인 금속층(20)은, 금속 입자 간 또는 입자들의 집합체 간에 육안으로 확인되지 않는 불규칙적인 미세간극(t)을 가지고 있는 것을 확인할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 상기 금속층(20)이 미세간극(t)을 이룸으로써, 후속 공정인 금속층(20)상에 수지 보호층(30)을 적층하여 형성시킬 때, 수지 보호층(30)이 금속입자 상부뿐 아니라 상기 미세간극(t)에도 충전되면서 수지 보호층이(30)이 고분자 소재(10)에도 직접 밀착 및 접착되게 하여 결과적으로 전체 금속층(20)을 보호할 뿐만 아니라 금속층(20)이 보다 견고하게 고분자 소재(10) 표면에 증착된 상태로 유지시킬 수 있으며, 고분자 소재(10)와도 접착력이 좋아 별도의 프라이머층이 없어도 금속층(20)의 밀착력 및 접착력을 확보하여 전체적인 증착층을 박막화할 수 있다.
진공챔버내에 저항가열 증발원을 수냉이 되는 증발원 홀더에 장착하고 4g~7g 의 알루미늄(Al)을 장입한다.
여기서, 상기 저항가열 증발원은 텅스텐 필라멘트를 이용하지만, 상기 텅스텐 필라멘트 외 BN 보트 또는 텅스텐 보트 등도 사용가능함은 물론이다.
그런 다음, 고분자 소재로 플라스틱 기판을 기판홀더에 장착하고 진공펌프를 이용하여 진공도가 7× 10-5 torr ~ 9× 10-5 torr 이하가 되도록 배기한다.
배기가 완료되면, 플라스틱 기판에 진공실 내에 장착된 플라즈마발생장치를 이용하여 플라스틱 기판의 표면처리를 수행한다. 이때의, 반응가스는 불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 제논(Xe), 헬륨(He), 질소(N2), 산소(O2) 중 적어도 어느 하나 또는 이들 중 복수의 혼합가스를 사용하며, 선택된 반응가스는 플라즈마 발생장치 내부에 주입한 후 플라즈마를 발생시켜 미리 지정된 에너지로 플라스틱 기판에 조사함으로써 플라스틱 기판의 청정 및 활성화가 이루어진다.
상기한 바에 의해 플라스틱 기판의 세정 및 활성화가 완료되면, 플라스틱의 기판 표면에 알루미늄을 증발시켜 알루미늄 입자를 증착시킨다. 여기서, 알루미늄의 증발은 전원장치에 전력을 인가하여 증발원 홀더를 통해 저항가열 증발원을 가열하여 이루어진다.
여기서, 전원장치에 인가하는 전력은 5kw~10kw의 범위 내에서 인가하는 것이 바람직하며, 전원유지시간은 15초 내지 30초간 유지하고, 이를 통해 플라스틱 표면에 알루미늄을 용해 및 증발시킴으로서 알루미늄 피막을 형성시킨다.
이때, 상기 알루미늄 피막의 두께는 두께측정기를 이용하여 50nm~300nm내에서 유지하도록 하고, 두께측정은 일반적인 옵티컬 두께측정기를 통해 실시간 측정하면서 이루어진다.
즉, 상기한 바와 같이 플라스틱 표면에 알루미늄입자를 증착시켜 알루미늄 피막을 형성시키는 과정은, 먼저 알루미늄의 양을 4g~7g으로 조절하고, 전력인가를 5kw~10kw로 하며, 알루미늄 피막 증착두께를 50nm~300nm로 조절함으로서 이루어졌으며, 이와 같은 과정에 의해 형성된 알루미늄 증착 금속층을 전자현미경으로 단면촬영한 결과 본 발명이 요구하는 미세간극이 형성되어 있었다.
상기한 미세간극이 형성된 알루미늄 금속층을 플라스틱 표면에 증착시킨 후에는 수지 보호층을 적층시켰으며, 이러한 알루미늄 증착과정을 통해 제조된 플라스틱은 그 결과 알루미늄 금속층의 상부와 미세간극 사이로 수지층이 적층되어 프라이머층이 없어도 금속층에 박리되지 않았으며, 전체 증착층의 박막화를 이룰 수 있었다.
이와 같이, 본 발명에 따른 고분자 소재 표면의 금속 증착방법에 따르면, 고분자 소재(10)에 저항가열식으로 금속 물질(21)을 증착시키는 방법에 꼭 수반되어 야 할 프라이머 도포공정 없이도, 사출된 고분자 소재(10)에 플라즈마 표면처리를 실시하여 고분자 소재(10) 표면에 증착될 금속 물질(21)과 보호층(30)에 대한 밀착력 및 접착력을 확보하고, 미세간극(t)이 형성된 금속층을 형성시켜 보호층(30)이 미세간극(t)에 충전되면서 적층되도록 하여 보호층(30)이 고분자소재에 직접 접촉하여 밀착결합하게 하여 프라이머층이 없어도 고분자 소재 표면에 금속 물질(21)을 바로 증착할 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 전체 고분자 소재 표면의 증착층을 더욱 박막화 할 수 있으며, 프라이머 도장 공정을 배제하였기 때문에 전체공정에서 공정, 재료 및 생산시간 등을 절감할 수 있어 비용절감 등의 생산성이 향상되며, 프라이머 도장 단계에서 발생하던 불량을 없앨 수 있어 품질을 향상시킬 수 있음은 물론, 휘발성유기화합물 및 폐수와 분진이 발생하지 않아 친환경적인 증착 공정이 구현될 수 있다.
상기한 실시예는 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 고분자 소재 표면의 금속 증착 공정순서도,
도 2는 도 1의 고분자 소재 표면의 금속 증착 과정을 나타낸 공정도,
도 3은 본 발명에 따라 고분자 소재 표면에 금속층을 증착한 후 전자현미경으로 단면촬영한 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 고분자 소재 20 : 금속층
21 : 금속 물질 30 : 보호층
50 : 플라즈마 발생기 t : 미세간극

Claims (8)

  1. 고분자 소재 표면의 금속 증착방법에 있어서,
    상기 고분자 소재의 표면을 플라즈마 처리하는 표면 처리 단계;
    저항 가열식 진공증착 시스템의 진공챔버 내에서 금속 물질을 기상 증착시켜 상기 고분자 소재의 표면에 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층이 형성된 상기 고분자 소재의 표면에 투과성 수지 재질의 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 금속층은 상기 금속 물질의 입자 간 또는 입자들의 집합체 간에 미세간극을 갖도록 형성되고, 상기 미세간극의 형성이 가능하도록 50㎚~300㎚의 두께를 가지며,
    상기 보호층은 상기 금속층의 미세간극에 충전되면서 적층되는 것을 특징으로 하는 고분자 소재 표면의 금속 증착방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마처리 과정에서의 반응가스는 불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 헬륨(He), 질소(N2), 산소(O2) 중 적어도 어느 하나 또는 이들 중 복수의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 고분자 소재 표면의 금속 증착방법.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 소재를 표면처리하기 전에 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 소재 표면의 금속 증착방법.
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