JP2003034782A - 半導体部品用シリコーン接着剤 - Google Patents
半導体部品用シリコーン接着剤Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 充填剤として、比表面積が５０ｍ2／ｇ
以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が１μｍ以上
５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシリカ粉末か
ら選ばれる少なくとも１種とを含有してなり、これら充
填剤の配合割合が接着剤全体の３０〜７５重量％である
ことを特徴とする半導体部品用シリコーン接着剤。 【効果】 本発明の半導体部品用シリコーン接着剤は、
低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコーンゴ
ム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低下せ
ず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレームを
接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、緩和
することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及びク
ラックを防止することができる。
以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が１μｍ以上
５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシリカ粉末か
ら選ばれる少なくとも１種とを含有してなり、これら充
填剤の配合割合が接着剤全体の３０〜７５重量％である
ことを特徴とする半導体部品用シリコーン接着剤。 【効果】 本発明の半導体部品用シリコーン接着剤は、
低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコーンゴ
ム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低下せ
ず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレームを
接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、緩和
することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及びク
ラックを防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体部品用シリ
コーン接着剤に関し、特に、半導体ペレットとタブ等の
半導体ペレット取付部材を接合するためのシリコーン接
着剤（ダイボンド剤）に関するものである。
コーン接着剤に関し、特に、半導体ペレットとタブ等の
半導体ペレット取付部材を接合するためのシリコーン接
着剤（ダイボンド剤）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
装置は、例えば、シリコンからなる半導体ペレットがそ
の支持体であるタブ等の半導体ペレット取付部材にエポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の接着剤（ダイボンド剤）
等により接合され、更に半導体ペレットと金属製リード
フレームを電気的に接合し、これらの一体化物がエポキ
シ樹脂などの封止樹脂により封止されてなる構造体であ
る。このように、半導体装置は各種の素材により構成さ
れているので、封止樹脂による封止時の加熱、又は半導
体ペレットの温度上昇に伴う素材の熱膨張率の差や機械
的応力に起因する内部歪の増大により、半導体ペレット
や封止樹脂にクラックが発生し、半導体装置としての性
能に変動をきたし、その信頼性が低下するという欠点が
あった。
装置は、例えば、シリコンからなる半導体ペレットがそ
の支持体であるタブ等の半導体ペレット取付部材にエポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等の接着剤（ダイボンド剤）
等により接合され、更に半導体ペレットと金属製リード
フレームを電気的に接合し、これらの一体化物がエポキ
シ樹脂などの封止樹脂により封止されてなる構造体であ
る。このように、半導体装置は各種の素材により構成さ
れているので、封止樹脂による封止時の加熱、又は半導
体ペレットの温度上昇に伴う素材の熱膨張率の差や機械
的応力に起因する内部歪の増大により、半導体ペレット
や封止樹脂にクラックが発生し、半導体装置としての性
能に変動をきたし、その信頼性が低下するという欠点が
あった。
【０００３】特に、最近は半導体ペレットの集積度や実
装密度の向上が要求されており、それに伴って半導体ペ
レットの大型化により内部歪が助長され、また半導体装
置の熱伝導性、加工性の向上及びコスト低下のため、タ
ブ等の半導体ペレット取付部材、リードフレーム材料に
おいても、熱膨張係数の比較的小さいＮｉ−Ｆｅ合金か
ら、比較的熱膨張係数の大きい銅合金に移行する傾向に
あるので、上記のような欠点が益々問題視されるように
なってきた。
装密度の向上が要求されており、それに伴って半導体ペ
レットの大型化により内部歪が助長され、また半導体装
置の熱伝導性、加工性の向上及びコスト低下のため、タ
ブ等の半導体ペレット取付部材、リードフレーム材料に
おいても、熱膨張係数の比較的小さいＮｉ−Ｆｅ合金か
ら、比較的熱膨張係数の大きい銅合金に移行する傾向に
あるので、上記のような欠点が益々問題視されるように
なってきた。
【０００４】即ち、シリコンの大型半導体ペレットをエ
ポキシ樹脂やポリイミド樹脂接着剤のような従来のダイ
ボンド剤により銅製タブに固着すると、この銅製タブと
半導体ペレットとの熱膨張率の差により、応力が発生
し、半導体ペレットの反りが大となり、その特性が変動
し、はなはだしい場合はペレットにクラックが発生し、
半導体装置としての信頼性が従来にまして低下するから
である。
ポキシ樹脂やポリイミド樹脂接着剤のような従来のダイ
ボンド剤により銅製タブに固着すると、この銅製タブと
半導体ペレットとの熱膨張率の差により、応力が発生
し、半導体ペレットの反りが大となり、その特性が変動
し、はなはだしい場合はペレットにクラックが発生し、
半導体装置としての信頼性が従来にまして低下するから
である。
【０００５】従来、かかる問題点を解決するため、シリ
コーンゴム接着剤により半導体ペレットとタブとを接着
した半導体装置が提案されている（特開昭６１−５５３
０号公報参照）。これは半導体ペレットとタブとの熱膨
張率の差に起因する内部歪をシリコーンゴム弾性体によ
り緩和しようとしたものである。
コーンゴム接着剤により半導体ペレットとタブとを接着
した半導体装置が提案されている（特開昭６１−５５３
０号公報参照）。これは半導体ペレットとタブとの熱膨
張率の差に起因する内部歪をシリコーンゴム弾性体によ
り緩和しようとしたものである。
【０００６】しかしながら、シリコーンゴムには、低分
子のシロキサンが存在し、これが接着等に悪影響を及ぼ
すことが特開昭６３−２９３９２５号公報に開示されて
いる。この低分子シロキサンを低減したタイプの付加反
応硬化型シリコーンゴム組成物接着剤（特許第２８８２
８２３号公報参照）も提案され、これには硬化時に発生
する低分子シロキサン量が従来の付加反応硬化型シリコ
ーンゴム組成物と比較して、少ないために、接着特性が
変化しにくいことが開示されている。
子のシロキサンが存在し、これが接着等に悪影響を及ぼ
すことが特開昭６３−２９３９２５号公報に開示されて
いる。この低分子シロキサンを低減したタイプの付加反
応硬化型シリコーンゴム組成物接着剤（特許第２８８２
８２３号公報参照）も提案され、これには硬化時に発生
する低分子シロキサン量が従来の付加反応硬化型シリコ
ーンゴム組成物と比較して、少ないために、接着特性が
変化しにくいことが開示されている。
【０００７】しかし、上記特開昭６１−５５３０号公報
で提案された発明においては、シリコーンゴムで半導体
ペレットをタブに接着した後、半導体ペレットとリード
フレームとを、金線等のボンディングワイヤで接続する
際に、半導体ペレットとボンディングワイヤあるいはリ
ードフレームとボンディングワイヤとの接合性（ワイヤ
ボンダビリティー）が低下して半導体装置の信頼性が低
下するという欠点があった。また、半導体ペレット，タ
ブ，リードフレームと封止樹脂との接着性不良による耐
湿性の低下等が発生するという問題点があった。
で提案された発明においては、シリコーンゴムで半導体
ペレットをタブに接着した後、半導体ペレットとリード
フレームとを、金線等のボンディングワイヤで接続する
際に、半導体ペレットとボンディングワイヤあるいはリ
ードフレームとボンディングワイヤとの接合性（ワイヤ
ボンダビリティー）が低下して半導体装置の信頼性が低
下するという欠点があった。また、半導体ペレット，タ
ブ，リードフレームと封止樹脂との接着性不良による耐
湿性の低下等が発生するという問題点があった。
【０００８】また、アセンブリの形態によっては、特許
第２８８２８２３号公報で開示されたような一般的なシ
リコーン付加硬化型組成物から低分子シロキサンを除去
したような組成物においては、流動性、接着耐久性、更
には半田ボール接着性などの問題点を解決できなかっ
た。
第２８８２８２３号公報で開示されたような一般的なシ
リコーン付加硬化型組成物から低分子シロキサンを除去
したような組成物においては、流動性、接着耐久性、更
には半田ボール接着性などの問題点を解決できなかっ
た。
【０００９】従って、本発明の目的は、ダイボンディン
グ後、ワイヤボンダビリティーが阻害されず、かつ、半
導体ペレット，タブ，リードフレームなど半導体部材と
封止樹脂との接着性不良による耐湿性を低下させないと
いう特徴を有する、半導体ペレットと該ペレット取付部
材を接合するための半導体部品用シリコーン接着剤を提
供することにある。
グ後、ワイヤボンダビリティーが阻害されず、かつ、半
導体ペレット，タブ，リードフレームなど半導体部材と
封止樹脂との接着性不良による耐湿性を低下させないと
いう特徴を有する、半導体ペレットと該ペレット取付部
材を接合するための半導体部品用シリコーン接着剤を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究した結
果、シリコーン接着剤に配合する充填剤として、比表面
積が５０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均
粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末
及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１種とを接着剤
全体の３０〜７５重量％となるように使用することによ
り、低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低
下せず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレー
ムを接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、
緩和することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及
びクラックを防止することができ、上述した問題点を一
挙に解決し得ることを知見し、本発明をなすに至った。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究した結
果、シリコーン接着剤に配合する充填剤として、比表面
積が５０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均
粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末
及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１種とを接着剤
全体の３０〜７５重量％となるように使用することによ
り、低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低
下せず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレー
ムを接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、
緩和することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及
びクラックを防止することができ、上述した問題点を一
挙に解決し得ることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１１】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の半導体部品用シリコーン接着剤は、充填剤とし
て、比表面積が５０ｍ 2／ｇ以上である無定形シリカ粉
末と、平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミ
ニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１種
とを含有してなり、これら充填剤の配合割合が全体の３
０〜７５重量％であることを特徴とする。
本発明の半導体部品用シリコーン接着剤は、充填剤とし
て、比表面積が５０ｍ 2／ｇ以上である無定形シリカ粉
末と、平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミ
ニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１種
とを含有してなり、これら充填剤の配合割合が全体の３
０〜７５重量％であることを特徴とする。
【００１２】この場合、シリコーン接着剤としては、付
加反応硬化型のシリコーン組成物であることが好まし
く、特には、下記成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有する半導体
部品用シリコーン接着剤を用いることが好ましい。 （Ａ）一分子中にアルケニル基を平均して０．５個以上
含んでいるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン：
１００重量部、 （Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少な
くとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン：（Ａ）成分中のアルケニル基に対する（Ｂ）成
分中のケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５
／１．０〜４．０／１．０となる量、 （Ｃ）白金族金属系触媒：（Ａ）成分に対して白金族金
属換算で０．１〜１，０００ｐｐｍとなる量、 （Ｄ）接着促進剤：０〜２０重量部、及び （Ｅ）比表面積が５０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ
粉末と、平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アル
ミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１
種とからなる充填剤：接着剤全体の３０〜７５重量％と
なる量。
加反応硬化型のシリコーン組成物であることが好まし
く、特には、下記成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有する半導体
部品用シリコーン接着剤を用いることが好ましい。 （Ａ）一分子中にアルケニル基を平均して０．５個以上
含んでいるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン：
１００重量部、 （Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少な
くとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン：（Ａ）成分中のアルケニル基に対する（Ｂ）成
分中のケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５
／１．０〜４．０／１．０となる量、 （Ｃ）白金族金属系触媒：（Ａ）成分に対して白金族金
属換算で０．１〜１，０００ｐｐｍとなる量、 （Ｄ）接着促進剤：０〜２０重量部、及び （Ｅ）比表面積が５０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ
粉末と、平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アル
ミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１
種とからなる充填剤：接着剤全体の３０〜７５重量％と
なる量。
【００１３】この点につき以下に詳述する。（Ａ）アルケニル基含有オルガノポリシロキサン
（Ａ）成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン
は、付加硬化型シリコーン組成物の主剤（ベースポリマ
ー）であり、平均組成式（１） ＲaＳｉＯ(4-a)/2 （１） （式中、Ｒは炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２の非
置換又は置換の一価炭化水素基を示し、ａは１．５〜
２．８の正数である。）で示され、一分子中にアルケニ
ル基を平均して０．５個以上含んでいるオルガノポリシ
ロキサンである。
は、付加硬化型シリコーン組成物の主剤（ベースポリマ
ー）であり、平均組成式（１） ＲaＳｉＯ(4-a)/2 （１） （式中、Ｒは炭素数１〜２０、好ましくは１〜１２の非
置換又は置換の一価炭化水素基を示し、ａは１．５〜
２．８の正数である。）で示され、一分子中にアルケニ
ル基を平均して０．５個以上含んでいるオルガノポリシ
ロキサンである。
【００１４】上記Ｒで示されるケイ素原子に結合した非
置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル
基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シ
クロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、
これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、
塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例
えば、クロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチ
ル基、トリフロロプロピル基、Ｃ4Ｆ9ＣＨ2ＣＨ2基、Ｃ
8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2基、シアノエチル基等のハロゲン置換
炭化水素基、シアノ置換炭化水素基のほか、Ｃ3Ｆ7Ｏ
［ＣＦ2（ＣＦ3）ＣＦ−Ｏ−］ kＣＨ2ＣＨ2基（ｋ＝０
〜５の整数）等で表されるハロゲン置換ポリエーテル基
で置換されたアルキル基などが挙げられる。
置換又は置換の一価炭化水素基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル
基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シ
クロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、
これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、
塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例
えば、クロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチ
ル基、トリフロロプロピル基、Ｃ4Ｆ9ＣＨ2ＣＨ2基、Ｃ
8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2基、シアノエチル基等のハロゲン置換
炭化水素基、シアノ置換炭化水素基のほか、Ｃ3Ｆ7Ｏ
［ＣＦ2（ＣＦ3）ＣＦ−Ｏ−］ kＣＨ2ＣＨ2基（ｋ＝０
〜５の整数）等で表されるハロゲン置換ポリエーテル基
で置換されたアルキル基などが挙げられる。
【００１５】また、ａは１．５〜２．８、好ましくは
１．８〜２．５、より好ましくは１．９５〜２．０５の
範囲の正数であり、上記平均組成式（１）で表されるア
ルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、主鎖がジオ
ルガノシロキサン単位（Ｒ2ＳｉＯ単位）の繰り返しか
らなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ単位（Ｒ
3ＳｉＯ1/2単位）で封鎖された直鎖状のジオルガノポリ
シロキサンであってもよく、また、分子中にこれらの単
位の他にＲＳｉＯ3/2単位及び／又はＳｉＯ4/2単位を含
む分岐状の分子であってもよい。
１．８〜２．５、より好ましくは１．９５〜２．０５の
範囲の正数であり、上記平均組成式（１）で表されるア
ルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、主鎖がジオ
ルガノシロキサン単位（Ｒ2ＳｉＯ単位）の繰り返しか
らなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ単位（Ｒ
3ＳｉＯ1/2単位）で封鎖された直鎖状のジオルガノポリ
シロキサンであってもよく、また、分子中にこれらの単
位の他にＲＳｉＯ3/2単位及び／又はＳｉＯ4/2単位を含
む分岐状の分子であってもよい。
【００１６】この（Ａ）成分は、一分子中にビニル基な
どのアルケニル基を平均して０．５個以上、好ましくは
平均して１個以上、より好ましくは平均して２個以上含
んでいることが必要である。なお、このようなアルケニ
ル基は本発明の組成物の硬化時に架橋点となるため、基
本的には、このアルケニル基を一分子中に２個以上含ん
でいる分子が（Ａ）成分中にないと本発明の組成物は硬
化しない。従って、ここでいうアルケニル基の数は、
（Ａ）成分が一分子中にアルケニル基を０，１，２個又
はそれ以上含んでいる分子の混合物である場合の平均的
なアルケニル基の数であり、（Ａ）成分が単独の化合物
からなる場合には、一分子中にアルケニル基を２個以上
含んでいることが必要である。
どのアルケニル基を平均して０．５個以上、好ましくは
平均して１個以上、より好ましくは平均して２個以上含
んでいることが必要である。なお、このようなアルケニ
ル基は本発明の組成物の硬化時に架橋点となるため、基
本的には、このアルケニル基を一分子中に２個以上含ん
でいる分子が（Ａ）成分中にないと本発明の組成物は硬
化しない。従って、ここでいうアルケニル基の数は、
（Ａ）成分が一分子中にアルケニル基を０，１，２個又
はそれ以上含んでいる分子の混合物である場合の平均的
なアルケニル基の数であり、（Ａ）成分が単独の化合物
からなる場合には、一分子中にアルケニル基を２個以上
含んでいることが必要である。
【００１７】前記のＲは、基本的には前述のいずれの基
であってもよいが、アルケニル基としてはビニル基が好
ましく、その他の基としては置換又は非置換のアルキル
基、アリール基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
耐溶剤性が必要な場合には、前記したようなフッ素置換
アルキル基、フッ素置換ポリエーテル基で置換されたア
ルキル基などのフッ素含有基を含んだ基が好ましい。ま
た、低温における可撓性が必要な場合には、従来から知
られているように分子中に１〜１０ｍｏｌ％程度のフェ
ニルメチルシロキサン単位又はジフェニルシロキサン単
位を導入することが有効であり、また、トリフルオロプ
ロピルメチルシロキサン単位を５〜８０ｍｏｌ％導入す
ることも有効である。更には、主鎖にＲＳｉＯ3/2単位
を１〜５ｍｏｌ％程度導入することも有効であるが、分
子量が大きくなるとゲル化することがあるため、２〜３
ｍｏｌ％程度導入するのが他の特性とのバランス上最も
有効であり、その場合には硬化速度も著しく改善され
る。なお、アルケニル基の含有量は、ケイ素原子に結合
する全有機基中（即ち、前記平均組成式（１）における
Ｒとしての非置換又は置換の一価炭化水素基中）０．０
１〜２０ｍｏｌ％、特に０．１〜１０ｍｏｌ％とするこ
とが好ましい。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ
素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結
合していても、両者に結合していてもよいが、組成物の
硬化速度、硬化物の物性等の点から、本発明で用いるオ
ルガノポリシロキサンは、少なくとも分子鎖末端のケイ
素原子に結合したアルケニル基を含んだものであること
が好ましい。
であってもよいが、アルケニル基としてはビニル基が好
ましく、その他の基としては置換又は非置換のアルキル
基、アリール基が好ましく、特にメチル基が好ましい。
耐溶剤性が必要な場合には、前記したようなフッ素置換
アルキル基、フッ素置換ポリエーテル基で置換されたア
ルキル基などのフッ素含有基を含んだ基が好ましい。ま
た、低温における可撓性が必要な場合には、従来から知
られているように分子中に１〜１０ｍｏｌ％程度のフェ
ニルメチルシロキサン単位又はジフェニルシロキサン単
位を導入することが有効であり、また、トリフルオロプ
ロピルメチルシロキサン単位を５〜８０ｍｏｌ％導入す
ることも有効である。更には、主鎖にＲＳｉＯ3/2単位
を１〜５ｍｏｌ％程度導入することも有効であるが、分
子量が大きくなるとゲル化することがあるため、２〜３
ｍｏｌ％程度導入するのが他の特性とのバランス上最も
有効であり、その場合には硬化速度も著しく改善され
る。なお、アルケニル基の含有量は、ケイ素原子に結合
する全有機基中（即ち、前記平均組成式（１）における
Ｒとしての非置換又は置換の一価炭化水素基中）０．０
１〜２０ｍｏｌ％、特に０．１〜１０ｍｏｌ％とするこ
とが好ましい。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ
素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結
合していても、両者に結合していてもよいが、組成物の
硬化速度、硬化物の物性等の点から、本発明で用いるオ
ルガノポリシロキサンは、少なくとも分子鎖末端のケイ
素原子に結合したアルケニル基を含んだものであること
が好ましい。
【００１８】また、この式（１）のオルガノポリシロキ
サンは、２５℃の粘度が５０〜５００，０００ｃｐｓ
（センチポイズ）、特に４００〜１００，０００ｃｐｓ
のものが好ましく、平均重合度（重量平均重合度）は８
０〜１，７００、特に１２０〜１，０８０程度のものが
好ましい。
サンは、２５℃の粘度が５０〜５００，０００ｃｐｓ
（センチポイズ）、特に４００〜１００，０００ｃｐｓ
のものが好ましく、平均重合度（重量平均重合度）は８
０〜１，７００、特に１２０〜１，０８０程度のものが
好ましい。
【００１９】このようなアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンは、公知の製造方法、例えば、オルガノシク
ロポリシロキサンと末端基となるＲ3ＳｉＯ1/2単位を有
する化合物とをアルカリ又は酸触媒の存在下で平衡化反
応させることにより得られる。
シロキサンは、公知の製造方法、例えば、オルガノシク
ロポリシロキサンと末端基となるＲ3ＳｉＯ1/2単位を有
する化合物とをアルカリ又は酸触媒の存在下で平衡化反
応させることにより得られる。
【００２０】具体的には、ジメチルビニルシロキシ片末
端封鎖のオルガノポリシロキサンは、例えば、トリメチ
ルシロキシリチウムを開始剤として１，３，５−トリス
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメチルシク
ロトリシロキサン又はヘキサメチルシクロトリシロキサ
ン等の環状シロキサン三量体を、加熱又はテトラヒドロ
フラン、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミ
ド等の極性溶媒の存在下の比較的低温下で開環重合し、
ジメチルビニルクロロシランで中和することによって得
られる。
端封鎖のオルガノポリシロキサンは、例えば、トリメチ
ルシロキシリチウムを開始剤として１，３，５−トリス
（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメチルシク
ロトリシロキサン又はヘキサメチルシクロトリシロキサ
ン等の環状シロキサン三量体を、加熱又はテトラヒドロ
フラン、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミ
ド等の極性溶媒の存在下の比較的低温下で開環重合し、
ジメチルビニルクロロシランで中和することによって得
られる。
【００２１】また、特公昭４５−１０７０号公報に開示
されているようなケイ素五配位化合物、例えば
されているようなケイ素五配位化合物、例えば
【化１】
の存在下において、０〜５０℃の温度範囲でアセトニト
リル等の極性溶媒を用い、トリメチルヒドロキシルシラ
ン等を開始剤として、３，３，５−トリス（３，３，３
−トリフルオロプロピル）トリメチルシクロトリシロキ
サン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン等の環状シロ
キサン三量体を開環重合し、ジメチルビニルクロロシラ
ンで中和することによって、あるいは同様の方法におい
て開始剤としてジメチルビニルヒドロキシルシランを用
いて開環重合を酢酸で中和することによっても得られ
る。
リル等の極性溶媒を用い、トリメチルヒドロキシルシラ
ン等を開始剤として、３，３，５−トリス（３，３，３
−トリフルオロプロピル）トリメチルシクロトリシロキ
サン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン等の環状シロ
キサン三量体を開環重合し、ジメチルビニルクロロシラ
ンで中和することによって、あるいは同様の方法におい
て開始剤としてジメチルビニルヒドロキシルシランを用
いて開環重合を酢酸で中和することによっても得られ
る。
【００２２】更に、（Ａ）成分の製造方法としては、上
記の方法のようにアルケニル基含有シロキシ基で片末端
封鎖されたオルガノポリシロキサンのみが合成される方
法だけでなく、複数種のアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンの混合物として合成される方法もある。この
ような合成方法としては、例えば、末端基となるＣＨ 2
＝ＣＨＳｉ（Ｒ）2Ｏ1/2単位及び／又はＲ3ＳｉＯ1/2単
位を有する化合物と、オクタメチルシクロテトラシロキ
サン等の環状シロキサンとをアルカリ触媒又は酸触媒の
存在下で平衡化させる方法などがある。しかし、この方
法で合成する場合には、生成する全てのアルケニル基含
有オルガノポリシロキサンの構造を予め把握しておく必
要がある。上記の方法で生成するアルケニル基含有オル
ガノポリシロキサンとしては、例えば、式：
記の方法のようにアルケニル基含有シロキシ基で片末端
封鎖されたオルガノポリシロキサンのみが合成される方
法だけでなく、複数種のアルケニル基含有オルガノポリ
シロキサンの混合物として合成される方法もある。この
ような合成方法としては、例えば、末端基となるＣＨ 2
＝ＣＨＳｉ（Ｒ）2Ｏ1/2単位及び／又はＲ3ＳｉＯ1/2単
位を有する化合物と、オクタメチルシクロテトラシロキ
サン等の環状シロキサンとをアルカリ触媒又は酸触媒の
存在下で平衡化させる方法などがある。しかし、この方
法で合成する場合には、生成する全てのアルケニル基含
有オルガノポリシロキサンの構造を予め把握しておく必
要がある。上記の方法で生成するアルケニル基含有オル
ガノポリシロキサンとしては、例えば、式：
【化２】
で表されるものなどが挙げられる。式中、Ｒ’は、前記
の末端基となるシロキサン単位に含まれている置換基
Ｒ、又は前記環状シロキサンが有している置換基であ
り、アルケニル基以外の基である。具体的には、この
Ｒ’は、水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基等のアリール基；３，３，３
−トリフルオロプロピル基又は式：Ｃ4Ｆ9ＣＨ2ＣＨ
2−、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2−等で表されるハロゲン置換炭
化水素基；式：Ｃ3Ｆ7Ｏ［ＣＦ2（ＣＦ3）ＣＦ−Ｏ−］
kＣＨ2ＣＨ2−（ｋ＝０〜５の整数）等で表されるハロ
ゲン置換ポリエーテル基で置換されたアルキル基であ
る。また、ｍ及びｎは正の整数である。
の末端基となるシロキサン単位に含まれている置換基
Ｒ、又は前記環状シロキサンが有している置換基であ
り、アルケニル基以外の基である。具体的には、この
Ｒ’は、水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基等のアリール基；３，３，３
−トリフルオロプロピル基又は式：Ｃ4Ｆ9ＣＨ2ＣＨ
2−、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2−等で表されるハロゲン置換炭
化水素基；式：Ｃ3Ｆ7Ｏ［ＣＦ2（ＣＦ3）ＣＦ−Ｏ−］
kＣＨ2ＣＨ2−（ｋ＝０〜５の整数）等で表されるハロ
ゲン置換ポリエーテル基で置換されたアルキル基であ
る。また、ｍ及びｎは正の整数である。
【００２３】（Ｂ）オルガノハイドロジェンポリシロキ
サン （Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
は、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（即ち、
ＳｉＨ基）を少なくとも２個含んでいる、直鎖状、分岐
状、環状又は三次元網状の分子からなるシリコーンであ
る。この（Ｂ）成分は、前記の（Ａ）成分と反応し、架
橋剤として作用するものである。
サン （Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
は、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（即ち、
ＳｉＨ基）を少なくとも２個含んでいる、直鎖状、分岐
状、環状又は三次元網状の分子からなるシリコーンであ
る。この（Ｂ）成分は、前記の（Ａ）成分と反応し、架
橋剤として作用するものである。
【００２４】この（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェン
ポリシロキサンとしては、下記平均組成式（２） Ｒ1 bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2 （２） で示され、一分子中に少なくとも２個、好ましくは２〜
２００個、より好ましくは３〜１００個のケイ素原子結
合水素原子（即ち、ＳｉＨ基）を有することが必要であ
る。
ポリシロキサンとしては、下記平均組成式（２） Ｒ1 bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2 （２） で示され、一分子中に少なくとも２個、好ましくは２〜
２００個、より好ましくは３〜１００個のケイ素原子結
合水素原子（即ち、ＳｉＨ基）を有することが必要であ
る。
【００２５】上記式（２）中、Ｒ1は炭素数１〜１０の
置換又は非置換の一価炭化水素基であり、好ましくは脂
肪族不飽和結合を除く、非置換又は置換の一価炭化水素
基であり、このＲ1としては、上記式（１）中のＲと同
様の基を挙げることができる。また、ｂは０．７〜２．
１、ｃは０．００１〜１．０で、かつｂ＋ｃは０．８〜
３．０を満足する正数であり、好ましくはｂは１．０〜
２．０、ｃは０．０１〜１．０、ｂ＋ｃは１．５〜２．
５である。
置換又は非置換の一価炭化水素基であり、好ましくは脂
肪族不飽和結合を除く、非置換又は置換の一価炭化水素
基であり、このＲ1としては、上記式（１）中のＲと同
様の基を挙げることができる。また、ｂは０．７〜２．
１、ｃは０．００１〜１．０で、かつｂ＋ｃは０．８〜
３．０を満足する正数であり、好ましくはｂは１．０〜
２．０、ｃは０．０１〜１．０、ｂ＋ｃは１．５〜２．
５である。
【００２６】一分子中に少なくとも２個、好ましくは３
個以上含有されるＳｉＨ基は、分子鎖末端、分子鎖途中
のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置す
るものであってもよい。また、このオルガノハイドロジ
ェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐
状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、一分子
中のケイ素原子の数（又は重合度）は、通常３〜３００
個、好ましくは４〜１５０個程度の室温（２５℃）で液
状のものが望ましい。
個以上含有されるＳｉＨ基は、分子鎖末端、分子鎖途中
のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置す
るものであってもよい。また、このオルガノハイドロジ
ェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐
状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、一分子
中のケイ素原子の数（又は重合度）は、通常３〜３００
個、好ましくは４〜１５０個程度の室温（２５℃）で液
状のものが望ましい。
【００２７】式（２）のオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとして具体的には、例えば、１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェンシク
ロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・
ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシ
ロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチ
ルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメ
チルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重
合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロ
ジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシ
ロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン
共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサ
ン・ジフェニルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉ
Ｏ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位
とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳ
ｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ
1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ1 /2単位と
からなる共重合体などが挙げられる。
ロキサンとして具体的には、例えば、１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェンシク
ロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・
ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシ
ロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチ
ルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメ
チルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重
合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロ
ジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシ
ロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン
共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサ
ン・ジフェニルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉ
Ｏ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位
とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳ
ｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ
1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ1 /2単位と
からなる共重合体などが挙げられる。
【００２８】この（Ｂ）成分の添加量は、（Ａ）成分中
に含まれるケイ素原子に結合したアルケニル基１モルに
対して、（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子
（ＳｉＨ基）が通常０．５〜４．０当量（即ち、０．５
〜４．０モル）となる量、好ましくは１．５〜３．５当
量（１．５〜３．５モル）となる量である。この（Ａ）
成分中のアルケニル基に対する（Ｂ）成分中のＳｉＨ基
（ヒドロシリル基）のモル比が、０．５当量より少ない
場合には、架橋密度が少なくなりすぎ、硬化したシリコ
ーンの耐熱性に悪影響を与える。また、４．０当量より
多い場合には、脱水素反応による発泡の問題が生じた
り、耐熱性に影響を与えたりする。
に含まれるケイ素原子に結合したアルケニル基１モルに
対して、（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子
（ＳｉＨ基）が通常０．５〜４．０当量（即ち、０．５
〜４．０モル）となる量、好ましくは１．５〜３．５当
量（１．５〜３．５モル）となる量である。この（Ａ）
成分中のアルケニル基に対する（Ｂ）成分中のＳｉＨ基
（ヒドロシリル基）のモル比が、０．５当量より少ない
場合には、架橋密度が少なくなりすぎ、硬化したシリコ
ーンの耐熱性に悪影響を与える。また、４．０当量より
多い場合には、脱水素反応による発泡の問題が生じた
り、耐熱性に影響を与えたりする。
【００２９】このようなオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンは、公知の製造方法により容易に得られる。一
般的には、例えば、テトラハイドロテトラメチルシクロ
テトラシロキサン及び／又はオクタメチルシクロテトラ
シロキサンと、末端基となる（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位
及び／又はＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位を有する化合物
とを、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンス
ルホン酸等の触媒の存在下、−１０〜４０℃程度で平衡
化させることによって製造する。
ロキサンは、公知の製造方法により容易に得られる。一
般的には、例えば、テトラハイドロテトラメチルシクロ
テトラシロキサン及び／又はオクタメチルシクロテトラ
シロキサンと、末端基となる（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位
及び／又はＨ（ＣＨ3）2ＳｉＯ1/2単位を有する化合物
とを、硫酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンス
ルホン酸等の触媒の存在下、−１０〜４０℃程度で平衡
化させることによって製造する。
【００３０】このオルガノハイドロジェンポリシロキサ
ンの一分子中のケイ素原子の数が１０未満の場合、蒸気
圧が低いために組成物の加熱硬化時（１５０〜２００
℃）に硬化炉中に揮発、飛散してしまう。分子鎖末端に
ヒドロシリル基を有しない化合物は飛散しても問題は発
生しないが、分子鎖末端にヒドロシリル基を有するオル
ガノハイドロジェンポリシロキサンは近傍にある半導体
素子への汚染などを誘発し、特に接点用の半田ボール搭
載部の変色、更には半田ボールの接合不良を発生させ
る。
ンの一分子中のケイ素原子の数が１０未満の場合、蒸気
圧が低いために組成物の加熱硬化時（１５０〜２００
℃）に硬化炉中に揮発、飛散してしまう。分子鎖末端に
ヒドロシリル基を有しない化合物は飛散しても問題は発
生しないが、分子鎖末端にヒドロシリル基を有するオル
ガノハイドロジェンポリシロキサンは近傍にある半導体
素子への汚染などを誘発し、特に接点用の半田ボール搭
載部の変色、更には半田ボールの接合不良を発生させ
る。
【００３１】従って、本用途に用いられる架橋剤として
の（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
は、末端にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を有する場合、
一分子中のケイ素原子の数が１０以上であることが好ま
しい。また、末端にヒドロシリル基を有さないオルガノ
ハイドロジェンポリシロキサンは一分子中のケイ素原子
数が１０以下であっても半田ボールの接着不良は生じな
いが、シリコンウエハーの変色などの影響を生じるた
め、好ましくはこれもケイ素原子数１０以上の化合物を
用いることが好ましい。
の（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
は、末端にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を有する場合、
一分子中のケイ素原子の数が１０以上であることが好ま
しい。また、末端にヒドロシリル基を有さないオルガノ
ハイドロジェンポリシロキサンは一分子中のケイ素原子
数が１０以下であっても半田ボールの接着不良は生じな
いが、シリコンウエハーの変色などの影響を生じるた
め、好ましくはこれもケイ素原子数１０以上の化合物を
用いることが好ましい。
【００３２】例えば、特許第２８８２８２３号公報の実
施例に用いられているようなケイ素原子が４個からなる
ハイドロジェンポリシロキサンは、官能基を有するため
に硬化した接着剤中に固定されるはずであるが、実質的
には半田ボールの接着阻害を起こし得る。
施例に用いられているようなケイ素原子が４個からなる
ハイドロジェンポリシロキサンは、官能基を有するため
に硬化した接着剤中に固定されるはずであるが、実質的
には半田ボールの接着阻害を起こし得る。
【００３３】（Ｃ）白金族金属系触媒
（Ｃ）成分である白金族金属系触媒は、前記（Ａ）成分
中のケイ素原子に結合したアルケニル基と（Ｂ）成分中
のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）との付加
反応（ハイドロサイレーション）を促進させるための触
媒であり、この種の付加反応触媒として公知のものであ
る。具体的には、この（Ｃ）成分は、白金、ロジウム、
ルテニウム、パラジウム等の白金族元素から選択される
金属又はこれら金属の化合物である。これらの（Ｃ）成
分のうち特に好ましいものは白金系触媒であり、具体的
には、例えば、白金ブラック、塩化白金酸、塩化白金酸
のアルコール変成物、塩化白金酸とオレフィン、アルデ
ヒド、ビニルシロキサン又はアセチレンアルコール類と
の錯体など、従来付加硬化型シリコーン組成物の硬化触
媒として用いられている化合物が挙げられる。
中のケイ素原子に結合したアルケニル基と（Ｂ）成分中
のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）との付加
反応（ハイドロサイレーション）を促進させるための触
媒であり、この種の付加反応触媒として公知のものであ
る。具体的には、この（Ｃ）成分は、白金、ロジウム、
ルテニウム、パラジウム等の白金族元素から選択される
金属又はこれら金属の化合物である。これらの（Ｃ）成
分のうち特に好ましいものは白金系触媒であり、具体的
には、例えば、白金ブラック、塩化白金酸、塩化白金酸
のアルコール変成物、塩化白金酸とオレフィン、アルデ
ヒド、ビニルシロキサン又はアセチレンアルコール類と
の錯体など、従来付加硬化型シリコーン組成物の硬化触
媒として用いられている化合物が挙げられる。
【００３４】この（Ｃ）成分の添加量は、希望する硬化
速度に応じて適宜選択すればよいが、通常は、（Ａ）成
分に対して白金族金属量換算で０．１〜１，０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１〜２００ｐｐｍの範囲とすればよい。
速度に応じて適宜選択すればよいが、通常は、（Ａ）成
分に対して白金族金属量換算で０．１〜１，０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１〜２００ｐｐｍの範囲とすればよい。
【００３５】（Ｄ）接着促進剤
（Ｄ）成分の接着促進剤は、本発明の接着剤に接着性を
付与するための成分であり、接着剤近傍の半導体部品に
影響を与えないものであれば使用が可能であるが、本発
明者らは、この接着成分に関しても、一分子中にヒドロ
シリル基を少なくとも１個含みかつアルコキシシリル
基、エポキシ基、酸無水物基、アクリル基から選択され
る基を１種以上含み、ケイ素原子の数が１０以下の化合
物を接着促進剤として使用する場合は、このケイ素原子
の数が１０以下の化合物は、蒸気圧が低いために組成物
の加熱硬化時に揮発、飛散してしまい、近傍にある半導
体素子への汚染などを誘発し、特に接点用の半田ボール
搭載部の変色、更には半田ボールの接合不良が発生して
しまい、半田ボール脱落などの悪影響を与えることを見
出し、本発明の組成物には通常の付加硬化型シリコーン
接着剤に多用される下記の接着成分を使用しないこと
で、本発明の目的を効果的に達成できることを見出し
た。
付与するための成分であり、接着剤近傍の半導体部品に
影響を与えないものであれば使用が可能であるが、本発
明者らは、この接着成分に関しても、一分子中にヒドロ
シリル基を少なくとも１個含みかつアルコキシシリル
基、エポキシ基、酸無水物基、アクリル基から選択され
る基を１種以上含み、ケイ素原子の数が１０以下の化合
物を接着促進剤として使用する場合は、このケイ素原子
の数が１０以下の化合物は、蒸気圧が低いために組成物
の加熱硬化時に揮発、飛散してしまい、近傍にある半導
体素子への汚染などを誘発し、特に接点用の半田ボール
搭載部の変色、更には半田ボールの接合不良が発生して
しまい、半田ボール脱落などの悪影響を与えることを見
出し、本発明の組成物には通常の付加硬化型シリコーン
接着剤に多用される下記の接着成分を使用しないこと
で、本発明の目的を効果的に達成できることを見出し
た。
【００３６】このような半田ボール脱落などの悪影響を
与える接着成分としては、下記のものが挙げられる。な
お、下記例でＭｅはメチル基を示す。
与える接着成分としては、下記のものが挙げられる。な
お、下記例でＭｅはメチル基を示す。
【００３７】
【化３】
【００３８】一方、半田ボール脱落などの悪影響を与え
ない接着促進剤としては、一分子中にヒドロシリル基
（即ち、ＳｉＨ基）を少なくとも１個含みかつアルコキ
シシリル基、エポキシ基、酸無水物基、アクリル基から
選択される基を１種以上含み、ケイ素原子の数が１０を
超える有機ケイ素化合物（例えば、オルガノポリシロキ
サン）（好ましくはケイ素原子数が２０以上、より好ま
しくは２０〜４０の有機ケイ素化合物）、あるいはヒド
ロシリル基を含まず、アルコキシシリル基、エポキシ
基、酸無水物基、アクリル基から選択される基を１種以
上、好ましくは２種以上含み、ケイ素原子の数が２０〜
４０、特に２５〜３５の有機ケイ素化合物（例えば、オ
ルガノポリシロキサン）又はケイ素原子を含まない非ケ
イ素系有機ケイ素化合物が挙げられる。
ない接着促進剤としては、一分子中にヒドロシリル基
（即ち、ＳｉＨ基）を少なくとも１個含みかつアルコキ
シシリル基、エポキシ基、酸無水物基、アクリル基から
選択される基を１種以上含み、ケイ素原子の数が１０を
超える有機ケイ素化合物（例えば、オルガノポリシロキ
サン）（好ましくはケイ素原子数が２０以上、より好ま
しくは２０〜４０の有機ケイ素化合物）、あるいはヒド
ロシリル基を含まず、アルコキシシリル基、エポキシ
基、酸無水物基、アクリル基から選択される基を１種以
上、好ましくは２種以上含み、ケイ素原子の数が２０〜
４０、特に２５〜３５の有機ケイ素化合物（例えば、オ
ルガノポリシロキサン）又はケイ素原子を含まない非ケ
イ素系有機ケイ素化合物が挙げられる。
【００３９】例えば、半田ボール脱落などの悪影響を与
えない接着促進剤成分としては、以下のものが挙げられ
る。
えない接着促進剤成分としては、以下のものが挙げられ
る。
【００４０】
【化４】
【００４１】また、この（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）
成分１００重量部に対し、０〜２０重量部の範囲であ
り、好ましくは０．５〜２０重量部、特に０．５〜５重
量部の範囲である。
成分１００重量部に対し、０〜２０重量部の範囲であ
り、好ましくは０．５〜２０重量部、特に０．５〜５重
量部の範囲である。
【００４２】（Ｅ）充填剤
本発明において、（Ｅ）成分の充填剤は、比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が
１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシ
リカ粉末から選ばれる１種以上の粉末との２種以上の混
合物であって、本発明の半導体部品用シリコーン接着剤
に適当な硬度と強度と作業性、更には接着安定性を付与
するための充填剤である。
０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が
１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシ
リカ粉末から選ばれる１種以上の粉末との２種以上の混
合物であって、本発明の半導体部品用シリコーン接着剤
に適当な硬度と強度と作業性、更には接着安定性を付与
するための充填剤である。
【００４３】この（Ｅ）成分は、前記の（Ａ）アルケニ
ル基含有オルガノポリシロキサン及び（Ｂ）オルガノハ
イドロジェンポリシロキサンの熱膨張による素子などへ
の物理的損傷を軽減するために、ＢＥＴ比表面積が５０
ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が１
μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシリ
カ粉末から選ばれる１種以上の粉末との２種以上を含有
し、更にその配合割合が接着剤全体の３０〜７５重量
％、特に３５〜７０重量％であることが重要である。こ
こで、その配合割合が３０重量％未満であると、得られ
たシリコーン接着剤の熱膨張係数が半導体素子と比較し
て大きいため、発生する応力を十分に緩和することがで
きず、半導体素子自体の破損などを起こしてしまう。ま
た、その配合割合が７５重量％を超えると、得られるシ
リコーン接着剤の熱膨張係数は、より半導体素子のそれ
に近くなるが、シリコーン接着剤中の充填剤の割合が多
いために弾性率が上昇してしまい、発生する応力に追従
できず、半導体素子自体にクラックや破損などが発生し
てしまう。
ル基含有オルガノポリシロキサン及び（Ｂ）オルガノハ
イドロジェンポリシロキサンの熱膨張による素子などへ
の物理的損傷を軽減するために、ＢＥＴ比表面積が５０
ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が１
μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシリ
カ粉末から選ばれる１種以上の粉末との２種以上を含有
し、更にその配合割合が接着剤全体の３０〜７５重量
％、特に３５〜７０重量％であることが重要である。こ
こで、その配合割合が３０重量％未満であると、得られ
たシリコーン接着剤の熱膨張係数が半導体素子と比較し
て大きいため、発生する応力を十分に緩和することがで
きず、半導体素子自体の破損などを起こしてしまう。ま
た、その配合割合が７５重量％を超えると、得られるシ
リコーン接着剤の熱膨張係数は、より半導体素子のそれ
に近くなるが、シリコーン接着剤中の充填剤の割合が多
いために弾性率が上昇してしまい、発生する応力に追従
できず、半導体素子自体にクラックや破損などが発生し
てしまう。
【００４４】本発明においては、ＢＥＴ比表面積が５０
ｍ2／ｇ以上、好ましくは５０〜４００ｍ2／ｇ、より好
ましくは１００〜３００ｍ2／ｇである無定形シリカ粉
末（通常、平均粒径が０．００５〜０．５μｍ、好まし
くは０．０１〜０．１μｍ程度に相当する）と、平均粒
径が１〜５０μｍ、好ましくは２〜２０μｍ、より好ま
しくは５〜１５μｍの酸化アルミニウム粉末及びシリカ
粉末から選ばれる１種以上の粉末を配合する。この場
合、この平均粒径１〜５０μｍのシリカ粉末のＢＥＴ比
表面積は５０ｍ2／ｇ未満であり、通常１〜１０ｍ2／
ｇ、特に２〜５ｍ2／ｇのものである。また、本発明に
おいて、平均粒径は、例えば、レーザー光回折法による
粒度分布測定により得ることができ、重量平均値（又は
メジアン径）等として求めることができる。
ｍ2／ｇ以上、好ましくは５０〜４００ｍ2／ｇ、より好
ましくは１００〜３００ｍ2／ｇである無定形シリカ粉
末（通常、平均粒径が０．００５〜０．５μｍ、好まし
くは０．０１〜０．１μｍ程度に相当する）と、平均粒
径が１〜５０μｍ、好ましくは２〜２０μｍ、より好ま
しくは５〜１５μｍの酸化アルミニウム粉末及びシリカ
粉末から選ばれる１種以上の粉末を配合する。この場
合、この平均粒径１〜５０μｍのシリカ粉末のＢＥＴ比
表面積は５０ｍ2／ｇ未満であり、通常１〜１０ｍ2／
ｇ、特に２〜５ｍ2／ｇのものである。また、本発明に
おいて、平均粒径は、例えば、レーザー光回折法による
粒度分布測定により得ることができ、重量平均値（又は
メジアン径）等として求めることができる。
【００４５】即ち、本発明では、充填剤として、酸化ア
ルミニウム粉末と無定形シリカ粉末、又は、平均粒径１
〜５０μｍのシリカ粉末と無定形シリカ粉末という２種
類のフィラーを必ず配合しているため、酸化アルミニウ
ム粉末又はシリカ粉末からなる群から選ばれた１種の充
填剤を含有するシリコーン接着剤と比較して、経時によ
るこれら充填剤の沈降を防止することが可能であること
は勿論、更に塗膜の均一性、接着耐久性の向上に特段に
寄与するということも併せて見出した。
ルミニウム粉末と無定形シリカ粉末、又は、平均粒径１
〜５０μｍのシリカ粉末と無定形シリカ粉末という２種
類のフィラーを必ず配合しているため、酸化アルミニウ
ム粉末又はシリカ粉末からなる群から選ばれた１種の充
填剤を含有するシリコーン接着剤と比較して、経時によ
るこれら充填剤の沈降を防止することが可能であること
は勿論、更に塗膜の均一性、接着耐久性の向上に特段に
寄与するということも併せて見出した。
【００４６】（Ｅ）成分の充填剤のうち、平均粒径１〜
５０μｍの酸化アルミニウム粉末及びシリカ粉末から選
ばれる粉末の配合量は、（Ａ）成分のアルケニル基含有
オルガノポリシロキサンと（Ｂ）成分のオルガノハイド
ロジェンポリシロキサンとの合計１００重量部に対して
４０〜３００重量部、特に５０〜２５０重量部程度が好
ましく、この配合量が少なすぎると得られるシリコーン
接着剤の熱膨張係数が半導体素子と比較して大きいた
め、発生する応力を十分に緩和することができず、半導
体素子自体の破損などを起こしてしまう場合があり、こ
の配合量が多すぎると得られるシリコーン接着剤の熱膨
張係数は、より半導体素子のそれに近くなるが、シリコ
ーン接着剤中の充填剤の割合が多いために弾性率が上昇
してしまい、発生する応力に追従できず、半導体素子自
体にクラックや破損などが発生してしまう場合がある。
５０μｍの酸化アルミニウム粉末及びシリカ粉末から選
ばれる粉末の配合量は、（Ａ）成分のアルケニル基含有
オルガノポリシロキサンと（Ｂ）成分のオルガノハイド
ロジェンポリシロキサンとの合計１００重量部に対して
４０〜３００重量部、特に５０〜２５０重量部程度が好
ましく、この配合量が少なすぎると得られるシリコーン
接着剤の熱膨張係数が半導体素子と比較して大きいた
め、発生する応力を十分に緩和することができず、半導
体素子自体の破損などを起こしてしまう場合があり、こ
の配合量が多すぎると得られるシリコーン接着剤の熱膨
張係数は、より半導体素子のそれに近くなるが、シリコ
ーン接着剤中の充填剤の割合が多いために弾性率が上昇
してしまい、発生する応力に追従できず、半導体素子自
体にクラックや破損などが発生してしまう場合がある。
【００４７】（Ｅ）成分の充填剤のうち、ＢＥＴ比表面
積が５０ｍ2／ｇ以上の無定形シリカ粉末の配合量は、
（Ａ）成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン
と（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
との合計１００重量部に対して０．５〜１０重量部、特
に１〜５重量部程度が好ましく、この配合量が少なすぎ
ると、充填剤として上記した平均粒径１〜５０μｍの酸
化アルミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる粉末と
無定形シリカを併用して配合する効果が十分発揮され
ず、接着耐久性、塗膜の均一性に劣ったものとなる場合
があり、またこの配合量が多すぎると、接着剤組成物に
チキソ性が発現し、流動性、作業性に劣ったものとなる
場合がある。なお、ＢＥＴ比表面積が５０ｍ2／ｇ以上
の無定形シリカ粉末と、平均粒径が１〜５０μｍの酸化
アルミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる粉末の配
合割合は、上記と同様の理由で重量比として、１：１０
〜１：４００、特に１：２０〜１：２００程度とするこ
とが好ましい。
積が５０ｍ2／ｇ以上の無定形シリカ粉末の配合量は、
（Ａ）成分のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン
と（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサン
との合計１００重量部に対して０．５〜１０重量部、特
に１〜５重量部程度が好ましく、この配合量が少なすぎ
ると、充填剤として上記した平均粒径１〜５０μｍの酸
化アルミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる粉末と
無定形シリカを併用して配合する効果が十分発揮され
ず、接着耐久性、塗膜の均一性に劣ったものとなる場合
があり、またこの配合量が多すぎると、接着剤組成物に
チキソ性が発現し、流動性、作業性に劣ったものとなる
場合がある。なお、ＢＥＴ比表面積が５０ｍ2／ｇ以上
の無定形シリカ粉末と、平均粒径が１〜５０μｍの酸化
アルミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる粉末の配
合割合は、上記と同様の理由で重量比として、１：１０
〜１：４００、特に１：２０〜１：２００程度とするこ
とが好ましい。
【００４８】また、半導体素子などの腐食を防止するた
めに、組成物としてイオン性不純物が少ないことが必要
である。例えば代表的なイオン性不純物であるナトリウ
ムイオンや塩素イオンの含有量を５ｐｐｍ以下に調整す
ることが望ましい。更に、本発明における組成物は、半
導体素子に直接触れるものであるから、誤作動の防止と
いう観点から、（Ｅ）成分の粉末は、例えば５ｇの量の
粉末から１２１℃において５０ｍｌの水で２０時間で抽
出されるウランイオン及びトリウムイオンのそれぞれの
含有量が０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．３ｐｐｍ以
下とすることが好ましい。
めに、組成物としてイオン性不純物が少ないことが必要
である。例えば代表的なイオン性不純物であるナトリウ
ムイオンや塩素イオンの含有量を５ｐｐｍ以下に調整す
ることが望ましい。更に、本発明における組成物は、半
導体素子に直接触れるものであるから、誤作動の防止と
いう観点から、（Ｅ）成分の粉末は、例えば５ｇの量の
粉末から１２１℃において５０ｍｌの水で２０時間で抽
出されるウランイオン及びトリウムイオンのそれぞれの
含有量が０．５ｐｐｍ以下、好ましくは０．３ｐｐｍ以
下とすることが好ましい。
【００４９】このような不純物は充填剤中に含まれるも
のが多いことから、（Ｅ）成分のうち、例えば、シリカ
粉末は、合成石英粉末を溶融させ、更に高純度化処理す
るか、ゾル−ゲル法により液相法から合成するなどして
得たものが好適に用いられ、また酸化アルミニウム粉末
は金属アルミニウム粉末を溶融して酸化させ、更に高純
度化処理すること、又はゾル−ゲル法により液相法から
合成することにより得られたものが好適に用いられる。
また、無定形シリカ粉末は、例えば、四塩化ケイ素を酸
水素炎により酸化させることにより得られたものが使用
し得、使用する用途に合わせて、表面のＳｉ−ＯＨ基を
処理した処理フィラーであってもかまわない。好ましい
（Ｅ）成分としては、例えば、アドマテックス社（株）
製の高純度合成球状シリカＳＯ−２５Ｒ、ＳＯ−２５
Ｈ、及び高純度アルミナ、更に（株）日本アエロジル社
製のアエロジル５０、アエロジル１３０、アエロジル２
００、アエロジル３００、アエロジルＲ８２００などが
挙げられる。
のが多いことから、（Ｅ）成分のうち、例えば、シリカ
粉末は、合成石英粉末を溶融させ、更に高純度化処理す
るか、ゾル−ゲル法により液相法から合成するなどして
得たものが好適に用いられ、また酸化アルミニウム粉末
は金属アルミニウム粉末を溶融して酸化させ、更に高純
度化処理すること、又はゾル−ゲル法により液相法から
合成することにより得られたものが好適に用いられる。
また、無定形シリカ粉末は、例えば、四塩化ケイ素を酸
水素炎により酸化させることにより得られたものが使用
し得、使用する用途に合わせて、表面のＳｉ−ＯＨ基を
処理した処理フィラーであってもかまわない。好ましい
（Ｅ）成分としては、例えば、アドマテックス社（株）
製の高純度合成球状シリカＳＯ−２５Ｒ、ＳＯ−２５
Ｈ、及び高純度アルミナ、更に（株）日本アエロジル社
製のアエロジル５０、アエロジル１３０、アエロジル２
００、アエロジル３００、アエロジルＲ８２００などが
挙げられる。
【００５０】その他の成分
本発明の半導体部品用シリコーン接着剤は、前記
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）成分の他
に、該組成物の硬化速度、保存安定性等を調節する目的
で、各種の添加剤を加えることも可能である。加えるこ
とができる添加剤としては、例えば、メチルビニルシク
ロテトラシロキサン等のビニル基含有オルガノポリシロ
キサン：トリアリルイソシアヌレート、アルキルマレエ
ート、アセチレンアルコール、及びそのシラン変性物又
はシロキサン変性物：ハイドロパーオキサイド、テトラ
メチルエチレンジアミン、及びそれらの混合物などが挙
げられる。これら添加剤の組成物中における好ましい添
加量は、１００〜１００，０００ｐｐｍである。
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）成分の他
に、該組成物の硬化速度、保存安定性等を調節する目的
で、各種の添加剤を加えることも可能である。加えるこ
とができる添加剤としては、例えば、メチルビニルシク
ロテトラシロキサン等のビニル基含有オルガノポリシロ
キサン：トリアリルイソシアヌレート、アルキルマレエ
ート、アセチレンアルコール、及びそのシラン変性物又
はシロキサン変性物：ハイドロパーオキサイド、テトラ
メチルエチレンジアミン、及びそれらの混合物などが挙
げられる。これら添加剤の組成物中における好ましい添
加量は、１００〜１００，０００ｐｐｍである。
【００５１】半導体部品用シリコーン接着剤の製造方法
本発明の半導体部品用シリコーン接着剤を製造する場合
には、前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）
の各成分を所定量配合することにより得られる。具体的
には、例えば、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び
（Ｅ）成分を単に混合することにより得ることができ、
各成分の添加順序は特に限定されない。なお、混合物製
造時に熱処理工程を入れることが好ましく、この場合
は、予め、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｅ）成分、あるいは
（Ａ）及び（Ｅ）成分を混合し、熱処理を行うことが望
ましい。熱処理温度は、通常１００〜１８０℃で行うこ
とができ、このような熱処理工程を導入すると、熱伝導
率や粘度などの特性がより安定した組成物を得ることが
できる。
には、前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）
の各成分を所定量配合することにより得られる。具体的
には、例えば、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び
（Ｅ）成分を単に混合することにより得ることができ、
各成分の添加順序は特に限定されない。なお、混合物製
造時に熱処理工程を入れることが好ましく、この場合
は、予め、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｅ）成分、あるいは
（Ａ）及び（Ｅ）成分を混合し、熱処理を行うことが望
ましい。熱処理温度は、通常１００〜１８０℃で行うこ
とができ、このような熱処理工程を導入すると、熱伝導
率や粘度などの特性がより安定した組成物を得ることが
できる。
【００５２】本発明の接着剤は、特に半導体ペレットと
タブ等の半導体ペレット取付部材とを接合するためのダ
イボンド剤として用いられ、その使用法は公知の方法が
採用し得るが、その硬化は、例えば１００〜１５０℃で
３０〜６０分程度加熱硬化させる方法が好ましい。
タブ等の半導体ペレット取付部材とを接合するためのダ
イボンド剤として用いられ、その使用法は公知の方法が
採用し得るが、その硬化は、例えば１００〜１５０℃で
３０〜６０分程度加熱硬化させる方法が好ましい。
【００５３】本発明の半導体部品用シリコーン接着剤
は、低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低
下せず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレー
ムを接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、
緩和することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及
びクラックを防止することができ、また、比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が
１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシ
リカ粉末から選ばれる少なくとも１種を含有しているた
め、組成物中の充填剤の経時による沈降も防止される。
更には、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少
なくとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとして、分子鎖末端にヒドロシリル基を含まな
いオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び分子鎖末
端に少なくとも１個のヒドロシリル基を含みかつケイ素
原子の数が１０以上であるオルガノハイドロジェンポリ
シロキサンの１種以上から選択し、また接着促進剤とし
て、ケイ素原子に直結した水素原子を有しかつケイ素原
子の数が１０以下である化合物を使用しないようにした
場合、半田ボール搭載部の変色、半田ボールの接合不良
も発生せず、半導体部品用のシリコーン接着剤として非
常に有用である。
は、低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低
下せず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレー
ムを接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、
緩和することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及
びクラックを防止することができ、また、比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が
１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシ
リカ粉末から選ばれる少なくとも１種を含有しているた
め、組成物中の充填剤の経時による沈降も防止される。
更には、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少
なくとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとして、分子鎖末端にヒドロシリル基を含まな
いオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び分子鎖末
端に少なくとも１個のヒドロシリル基を含みかつケイ素
原子の数が１０以上であるオルガノハイドロジェンポリ
シロキサンの１種以上から選択し、また接着促進剤とし
て、ケイ素原子に直結した水素原子を有しかつケイ素原
子の数が１０以下である化合物を使用しないようにした
場合、半田ボール搭載部の変色、半田ボールの接合不良
も発生せず、半導体部品用のシリコーン接着剤として非
常に有用である。
【００５４】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、下記の例において、Ｍｅはメチル
基、Ｖｉはビニル基を示す。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、下記の例において、Ｍｅはメチル
基、Ｖｉはビニル基を示す。
【００５５】［実施例１］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍのシリカ粉末２００重量部を１
５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロヘキ
サノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩化白
金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量％）
０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に下記平均
分子式（３）
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍのシリカ粉末２００重量部を１
５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロヘキ
サノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩化白
金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量％）
０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に下記平均
分子式（３）
【化５】
で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）で、ケイ素原子に結
合した水素原子を０．３４モル／１００ｇ含有するトリ
メチルシロキシ基両末端封鎖のメチルハイドロジェンポ
リシロキサン３重量部を均一に混合し、更に接着促進剤
として分子中のケイ素原子数が平均２３個である下記式
（ｉ）に示した化合物３重量部を均一に混合して、半導
体部品用シリコーン接着剤を調製した。この組成物を１
５０℃で３０分間加熱し、硬化させたところ、デュロメ
ータータイプＡ硬度計にて５０の硬化物となり、この組
成物を接着剤として半導体ペレットを取付部材（タブ）
に接着させた半導体部品の接着性を評価すると共に、こ
れを顕微鏡にて観察したところ、半田ボール搭載部のＡ
ｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分に半田ボール
を搭載し、２２０℃にて溶着させたところ、５００個搭
載したが、搭載不良は発生しなかった。
合した水素原子を０．３４モル／１００ｇ含有するトリ
メチルシロキシ基両末端封鎖のメチルハイドロジェンポ
リシロキサン３重量部を均一に混合し、更に接着促進剤
として分子中のケイ素原子数が平均２３個である下記式
（ｉ）に示した化合物３重量部を均一に混合して、半導
体部品用シリコーン接着剤を調製した。この組成物を１
５０℃で３０分間加熱し、硬化させたところ、デュロメ
ータータイプＡ硬度計にて５０の硬化物となり、この組
成物を接着剤として半導体ペレットを取付部材（タブ）
に接着させた半導体部品の接着性を評価すると共に、こ
れを顕微鏡にて観察したところ、半田ボール搭載部のＡ
ｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分に半田ボール
を搭載し、２２０℃にて溶着させたところ、５００個搭
載したが、搭載不良は発生しなかった。
【００５６】
【化６】
【００５７】［実施例２］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍの酸化アルミニウム粉末２００
重量部を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニル
シクロヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合した
後に塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１
重量％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に
前記の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５
℃）で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル
／１００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖の
メチルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に
混合し、更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化合物３
重量部を均一に混合して、半導体部品用シリコーン接着
剤を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱
し、硬化させたところ、デュロメータータイプＡ硬度計
にて６５の硬化物となり、この組成物を接着剤として半
導体ペレットを取付部材（タブ）に接着させた半導体部
品の接着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察し
たところ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は
発生せず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃に
て溶着させたところ、５００個搭載したが、搭載不良は
発生しなかった。
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍの酸化アルミニウム粉末２００
重量部を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニル
シクロヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合した
後に塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１
重量％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に
前記の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５
℃）で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル
／１００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖の
メチルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に
混合し、更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化合物３
重量部を均一に混合して、半導体部品用シリコーン接着
剤を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱
し、硬化させたところ、デュロメータータイプＡ硬度計
にて６５の硬化物となり、この組成物を接着剤として半
導体ペレットを取付部材（タブ）に接着させた半導体部
品の接着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察し
たところ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は
発生せず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃に
て溶着させたところ、５００個搭載したが、搭載不良は
発生しなかった。
【００５８】［実施例３］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジルＲ８２００）３
重量部、及び平均粒径５μｍのシリカ粉末２００重量部
を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロ
ヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩
化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量
％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に前記
の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）
で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル／１
００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖のメチ
ルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に混合
し、更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化合物３重量
部を均一に混合して、半導体部品用シリコーン接着剤を
調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱し、硬
化させたところ、デュロメータータイプＡ硬度計にて５
０の硬化物となり、この組成物を接着剤として半導体ペ
レットを取付部材（タブ）に接着させた半導体部品の接
着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察したとこ
ろ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は発生せ
ず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃にて溶着
させたところ、５００個搭載したが、搭載不良は発生し
なかった。
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジルＲ８２００）３
重量部、及び平均粒径５μｍのシリカ粉末２００重量部
を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロ
ヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩
化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量
％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に前記
の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）
で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル／１
００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖のメチ
ルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に混合
し、更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化合物３重量
部を均一に混合して、半導体部品用シリコーン接着剤を
調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱し、硬
化させたところ、デュロメータータイプＡ硬度計にて５
０の硬化物となり、この組成物を接着剤として半導体ペ
レットを取付部材（タブ）に接着させた半導体部品の接
着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察したとこ
ろ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は発生せ
ず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃にて溶着
させたところ、５００個搭載したが、搭載不良は発生し
なかった。
【００５９】［実施例４］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジルＲ８２００）３
重量部、及び平均粒径５μｍの酸化アルミニウム粉末２
００重量部を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチ
ニルシクロヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合
した後に塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有
量１重量％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、
更に前記の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ
（２５℃）で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３
４モル／１００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端
封鎖のメチルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を
均一に混合し、更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化
合物３重量部を均一に混合して、半導体部品用シリコー
ン接着剤を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間
加熱し、硬化させたところ、デュロメータータイプＡ硬
度計にて６５の硬化物となり、この組成物を接着剤とし
て半導体ペレットを取付部材（タブ）に接着させた半導
体部品の接着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観
察したところ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変
色は発生せず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０
℃にて溶着させたところ、５００個搭載したが、搭載不
良は発生しなかった。
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジルＲ８２００）３
重量部、及び平均粒径５μｍの酸化アルミニウム粉末２
００重量部を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチ
ニルシクロヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合
した後に塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有
量１重量％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、
更に前記の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ
（２５℃）で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３
４モル／１００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端
封鎖のメチルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を
均一に混合し、更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化
合物３重量部を均一に混合して、半導体部品用シリコー
ン接着剤を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間
加熱し、硬化させたところ、デュロメータータイプＡ硬
度計にて６５の硬化物となり、この組成物を接着剤とし
て半導体ペレットを取付部材（タブ）に接着させた半導
体部品の接着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観
察したところ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変
色は発生せず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０
℃にて溶着させたところ、５００個搭載したが、搭載不
良は発生しなかった。
【００６０】［実施例５］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍのシリカ粉末２００重量部を１
５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロヘキ
サノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩化白
金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量％）
０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に前記の平
均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）で、
ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル／１００
ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖のメチルハ
イドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に混合し、
更に接着促進剤として分子中のケイ素原子数が平均２２
個である下記式（ｉｉ）の化合物３重量部を均一に混合
して、半導体部品用シリコーン接着剤を調製した。この
組成物を１５０℃で３０分間加熱し、硬化させたとこ
ろ、デュロメータータイプＡ硬度計にて５０の硬化物と
なり、この組成物を接着剤として半導体ペレットを取付
部材（タブ）に接着させた半導体部品の接着性を評価す
ると共に、これを顕微鏡にて観察したところ、半田ボー
ル搭載部のＡｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分
に半田ボールを搭載し、２２０℃にて溶着させたとこ
ろ、５００個搭載したが、搭載不良は発生しなかった。
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍのシリカ粉末２００重量部を１
５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロヘキ
サノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩化白
金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量％）
０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に前記の平
均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）で、
ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル／１００
ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖のメチルハ
イドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に混合し、
更に接着促進剤として分子中のケイ素原子数が平均２２
個である下記式（ｉｉ）の化合物３重量部を均一に混合
して、半導体部品用シリコーン接着剤を調製した。この
組成物を１５０℃で３０分間加熱し、硬化させたとこ
ろ、デュロメータータイプＡ硬度計にて５０の硬化物と
なり、この組成物を接着剤として半導体ペレットを取付
部材（タブ）に接着させた半導体部品の接着性を評価す
ると共に、これを顕微鏡にて観察したところ、半田ボー
ル搭載部のＡｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分
に半田ボールを搭載し、２２０℃にて溶着させたとこ
ろ、５００個搭載したが、搭載不良は発生しなかった。
【００６１】
【化７】
【００６２】［実施例６］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍの酸化アルミニウム粉末２００
重量部を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニル
シクロヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合した
後に塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１
重量％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に
前記の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５
℃）で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル
／１００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖の
メチルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に
混合し、更に接着促進剤として上記式（ｉｉ）の化合物
３重量部を均一に混合して、半導体部品用シリコーン接
着剤を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱
し、硬化させたところ、デュロメータータイプＡ硬度計
にて６５の硬化物となり、この組成物を接着剤として半
導体ペレットを取付部材（タブ）に接着させた半導体部
品の接着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察し
たところ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は
発生せず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃に
て溶着させたところ、５００個搭載したが、搭載不良は
発生しなかった。
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、比表面積２００ｍ
2／ｇの無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量
部、及び平均粒径５μｍの酸化アルミニウム粉末２００
重量部を１５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニル
シクロヘキサノール０．０１５重量部を均一に混合した
後に塩化白金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１
重量％）０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に
前記の平均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５
℃）で、ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル
／１００ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖の
メチルハイドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に
混合し、更に接着促進剤として上記式（ｉｉ）の化合物
３重量部を均一に混合して、半導体部品用シリコーン接
着剤を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱
し、硬化させたところ、デュロメータータイプＡ硬度計
にて６５の硬化物となり、この組成物を接着剤として半
導体ペレットを取付部材（タブ）に接着させた半導体部
品の接着性を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察し
たところ、半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は
発生せず、この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃に
て溶着させたところ、５００個搭載したが、搭載不良は
発生しなかった。
【００６３】［比較例１］実施例１において充填剤とし
て平均粒径５μｍのシリカ粉末のみを用いた以外は全て
実施例１と同様にして組成物を調製した。この組成物を
１５０℃で３０分間加熱し、硬化させたところ、デュロ
メータータイプＡ硬度計にて４２の硬化物となり、この
組成物を接着剤として半導体ペレットを取付部材（タ
ブ）に接着させた半導体部品の接着性を評価すると共
に、これを顕微鏡にて観察したところ、半田ボール搭載
部のＡｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分に半田
ボールを搭載し、２２０℃にて溶着させたところ、５０
０個搭載したが、搭載不良は発生しなかった。
て平均粒径５μｍのシリカ粉末のみを用いた以外は全て
実施例１と同様にして組成物を調製した。この組成物を
１５０℃で３０分間加熱し、硬化させたところ、デュロ
メータータイプＡ硬度計にて４２の硬化物となり、この
組成物を接着剤として半導体ペレットを取付部材（タ
ブ）に接着させた半導体部品の接着性を評価すると共
に、これを顕微鏡にて観察したところ、半田ボール搭載
部のＡｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分に半田
ボールを搭載し、２２０℃にて溶着させたところ、５０
０個搭載したが、搭載不良は発生しなかった。
【００６４】［比較例２］実施例２において平均粒径５
μｍの酸化アルミニウム粉末のみを用いた以外は全て実
施例２と同様にして組成物を調製した。この組成物を１
５０℃で３０分間加熱し、硬化させたところ、デュロメ
ータータイプＡ硬度計にて５８の硬化物となり、この組
成物を接着剤として半導体ペレットを取付部材（タブ）
に接着させた半導体部品の接着性を評価すると共に、こ
れを顕微鏡にて観察したところ、半田ボール搭載部のＡ
ｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分に半田ボール
を搭載し、２２０℃にて溶着させたところ、５００個搭
載したが、搭載不良は発生しなかった。
μｍの酸化アルミニウム粉末のみを用いた以外は全て実
施例２と同様にして組成物を調製した。この組成物を１
５０℃で３０分間加熱し、硬化させたところ、デュロメ
ータータイプＡ硬度計にて５８の硬化物となり、この組
成物を接着剤として半導体ペレットを取付部材（タブ）
に接着させた半導体部品の接着性を評価すると共に、こ
れを顕微鏡にて観察したところ、半田ボール搭載部のＡ
ｕメッキ表面の変色は発生せず、この部分に半田ボール
を搭載し、２２０℃にて溶着させたところ、５００個搭
載したが、搭載不良は発生しなかった。
【００６５】［比較例３］２５℃において粘度１０，０
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、平均粒径５μｍの
シリカ粉末４００重量部、及び比表面積２００ｍ2／ｇ
の無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量部を１
５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロヘキ
サノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩化白
金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量％）
０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に前記の平
均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）で、
ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル／１００
ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖のメチルハ
イドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に混合し、
更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化合物３重量部を
均一に混合して、半導体部品用シリコーン接着剤を調製
した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱し、硬化さ
せたところ、デュロメータータイプＡ硬度計にて９５の
硬化物となり、この組成物を接着剤として半導体ペレッ
トを取付部材（タブ）に接着させた半導体部品の接着性
を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察したところ、
半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は発生せず、
この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃にて溶着させ
たところ、５００個搭載したが、搭載不良は発生しなか
った。
００ｃｐｓのジメチルビニルシロキシ基両末端封鎖のポ
リジメチルシロキサン１００重量部、平均粒径５μｍの
シリカ粉末４００重量部、及び比表面積２００ｍ2／ｇ
の無定形シリカ粉末（アエロジル２００）３重量部を１
５０℃で２時間混練した。冷却後、エチニルシクロヘキ
サノール０．０１５重量部を均一に混合した後に塩化白
金酸のビニルシロキサン錯体（白金含有量１重量％）
０．０５重量部を添加して均一に混合し、更に前記の平
均分子式（３）で示される粘度８ｃｐｓ（２５℃）で、
ケイ素原子に結合した水素原子を０．３４モル／１００
ｇ含有するトリメチルシロキシ基両末端封鎖のメチルハ
イドロジェンポリシロキサン３重量部を均一に混合し、
更に接着促進剤として上記式（ｉ）の化合物３重量部を
均一に混合して、半導体部品用シリコーン接着剤を調製
した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱し、硬化さ
せたところ、デュロメータータイプＡ硬度計にて９５の
硬化物となり、この組成物を接着剤として半導体ペレッ
トを取付部材（タブ）に接着させた半導体部品の接着性
を評価すると共に、これを顕微鏡にて観察したところ、
半田ボール搭載部のＡｕメッキ表面の変色は発生せず、
この部分に半田ボールを搭載し、２２０℃にて溶着させ
たところ、５００個搭載したが、搭載不良は発生しなか
った。
【００６６】実施例１〜６及び比較例１〜３にて得られ
た半導体部品用シリコーン接着剤を使用して半導体部品
を製造し、半導体素子のクラック、ワイヤボンダビリテ
ィーを下記方法で確認した。この結果を表１に示す。評価方法 半導体素子のクラック：顕微鏡にてクラックの有無を確
認した。 ワイヤボンディング不良率：ワイヤーボンドの溶着不良
箇所を顕微鏡にて確認し、不良個数をカウントして不良
率を算出した。 半田ボール搭載部の変色：半田ボール搭載部の金メッキ
部分を顕微鏡又は目視にて確認し、変色の有無を判断し
た。 半田ボール搭載不良個数：半田ボール搭載部の溶着不良
部（搭載不良部）を顕微鏡又は目視にて確認し、不良個
数をカウントした。 充填剤の沈降：経時において、充填剤の沈降が発生する
かどうか目視にて確認した。 接着性：顕微鏡下にて接着層（シリコーン接着剤層と半
導体ペレット又は基材（タブ）との接着界面の状態）を
観察し、剥離の有無を確認した。 実施例１〜６：接着性（初期）及び１８０℃×５００時
間での促進劣化試験後の接着層の状況を確認したとこ
ろ、いずれも剥離は観察されなかった。 比較例１〜３：接着性（初期）では接着層の剥離は観察
されなかったが、１８０℃×５００時間での促進劣化試
験後ではいずれも剥離が観察された。これは比較例１及
び２では無定型シリカが添加されていないことによる接
着力の低下が原因と推測される。比較例３では結晶性シ
リカの含有量が多すぎるため硬度が高くなってしまい、
発生した応力を緩和できなかったためと推測される。
た半導体部品用シリコーン接着剤を使用して半導体部品
を製造し、半導体素子のクラック、ワイヤボンダビリテ
ィーを下記方法で確認した。この結果を表１に示す。評価方法 半導体素子のクラック：顕微鏡にてクラックの有無を確
認した。 ワイヤボンディング不良率：ワイヤーボンドの溶着不良
箇所を顕微鏡にて確認し、不良個数をカウントして不良
率を算出した。 半田ボール搭載部の変色：半田ボール搭載部の金メッキ
部分を顕微鏡又は目視にて確認し、変色の有無を判断し
た。 半田ボール搭載不良個数：半田ボール搭載部の溶着不良
部（搭載不良部）を顕微鏡又は目視にて確認し、不良個
数をカウントした。 充填剤の沈降：経時において、充填剤の沈降が発生する
かどうか目視にて確認した。 接着性：顕微鏡下にて接着層（シリコーン接着剤層と半
導体ペレット又は基材（タブ）との接着界面の状態）を
観察し、剥離の有無を確認した。 実施例１〜６：接着性（初期）及び１８０℃×５００時
間での促進劣化試験後の接着層の状況を確認したとこ
ろ、いずれも剥離は観察されなかった。 比較例１〜３：接着性（初期）では接着層の剥離は観察
されなかったが、１８０℃×５００時間での促進劣化試
験後ではいずれも剥離が観察された。これは比較例１及
び２では無定型シリカが添加されていないことによる接
着力の低下が原因と推測される。比較例３では結晶性シ
リカの含有量が多すぎるため硬度が高くなってしまい、
発生した応力を緩和できなかったためと推測される。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【発明の効果】本発明の半導体部品用シリコーン接着剤
は、低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低
下せず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレー
ムを接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、
緩和することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及
びクラックを防止することができ、また、比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が
１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシ
リカ粉末から選ばれる少なくとも１種を含有しているた
め、組成物中の充填剤の経時による沈降も防止される。
更には、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少
なくとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとして、分子鎖末端にヒドロシリル基を含まな
いオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び分子鎖末
端に少なくとも１個のヒドロシリル基を含みかつケイ素
原子の数が１０以上であるオルガノハイドロジェンポリ
シロキサンの１種以上から選択すること、また接着促進
剤として、ケイ素原子に直結した水素原子を有しかつケ
イ素原子の数が１０以下である化合物以外のものを使用
することにより、半田ボール搭載部の変色、半田ボール
の接合不良の発生を効果的に防止し得、半導体部品用の
シリコーン接着剤として非常に有用である。
は、低膨張であるため、通常の付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物と比較して、ワイヤボンダビリティーが低
下せず、熱膨張係数が異なる半導体部品とリードフレー
ムを接着一体化しても両者の間に発生する応力を吸収、
緩和することが可能であるため、半導体部品の屈曲、及
びクラックを防止することができ、また、比表面積が５
０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が
１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシ
リカ粉末から選ばれる少なくとも１種を含有しているた
め、組成物中の充填剤の経時による沈降も防止される。
更には、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少
なくとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシ
ロキサンとして、分子鎖末端にヒドロシリル基を含まな
いオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び分子鎖末
端に少なくとも１個のヒドロシリル基を含みかつケイ素
原子の数が１０以上であるオルガノハイドロジェンポリ
シロキサンの１種以上から選択すること、また接着促進
剤として、ケイ素原子に直結した水素原子を有しかつケ
イ素原子の数が１０以下である化合物以外のものを使用
することにより、半田ボール搭載部の変色、半田ボール
の接合不良の発生を効果的に防止し得、半導体部品用の
シリコーン接着剤として非常に有用である。
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フロントページの続き
(72)発明者 井上 義文
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
(72)発明者 藤木 弘直
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
Ｆターム(参考） 4J040 EK032 EK041 EK081 EK091
GA01 GA11 GA30 HA09 HA136
HA17 HA306 HD43 KA14
KA42 LA06 NA20
5F047 AA11 BA40 BA52 BA54 BB13
BB16
Claims (4)
- 【請求項１】 充填剤として、比表面積が５０ｍ2／ｇ
以上である無定形シリカ粉末と、平均粒径が１μｍ以上
５０μｍ以下の酸化アルミニウム粉末及びシリカ粉末か
ら選ばれる少なくとも１種とを含有してなり、これら充
填剤の配合割合が接着剤全体の３０〜７５重量％である
ことを特徴とする半導体部品用シリコーン接着剤。 - 【請求項２】 （Ａ）一分子中にアルケニル基を平均し
て０．５個以上含んでいるアルケニル基含有オルガノポ
リシロキサン：１００重量部、 （Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少な
くとも２個含んでいるオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン：（Ａ）成分中のアルケニル基に対する（Ｂ）成
分中のケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５
／１．０〜４．０／１．０となる量、 （Ｃ）白金族金属系触媒：（Ａ）成分に対して白金族金
属換算で０．１〜１，０００ｐｐｍとなる量、 （Ｄ）接着促進剤：０〜２０重量部、及び （Ｅ）比表面積が５０ｍ2／ｇ以上である無定形シリカ
粉末と、平均粒径が１μｍ以上５０μｍ以下の酸化アル
ミニウム粉末及びシリカ粉末から選ばれる少なくとも１
種とからなる充填剤：接着剤全体の３０〜７５重量％と
なる量を含有する半導体部品用シリコーン接着剤。 - 【請求項３】 （Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合した
水素原子を少なくとも２個含んでいるオルガノハイドロ
ジェンポリシロキサンが、分子鎖末端にヒドロシリル基
を含まないオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び
分子鎖末端に少なくとも１個のヒドロシリル基を含みか
つケイ素原子の数が１０以上であるオルガノハイドロジ
ェンポリシロキサンの１種以上から選択される請求項２
記載の半導体部品用シリコーン接着剤。 - 【請求項４】 接着促進剤として、ケイ素原子に直結し
た水素原子を有しかつケイ素原子の数が１０以下である
化合物以外の接着促進剤を使用する請求項２又は３記載
の半導体部品用シリコーン接着剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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