JP2003029257A - 反射型表示装置 - Google Patents
反射型表示装置Info
- Publication number
- JP2003029257A JP2003029257A JP2001219634A JP2001219634A JP2003029257A JP 2003029257 A JP2003029257 A JP 2003029257A JP 2001219634 A JP2001219634 A JP 2001219634A JP 2001219634 A JP2001219634 A JP 2001219634A JP 2003029257 A JP2003029257 A JP 2003029257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- substrate
- transmission layer
- reflective display
- color filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
トラストの低下のない反射型表示装置を提供する。 【解決手段】 反射型表示装置は、所定の間隙を介して
互いに接合した一対の基板1,2と、この間隙に保持さ
れた電気光学物質3とからなる。一方の基板1は、複数
の画素電極4とこれを駆動するスイッチング素子TFT
とが形成されているとともに、各画素電極4が形成され
る領域の少くとも一部には光を散乱反射するために凹凸
パタンを有した拡散反射層5が配されている。他方の基
板2は、各画素電極4に対面する対向電極7が形成され
ているとともに、光を散乱透過するために透明粒子8a
を分散した拡散透過層8が配されている。
Description
する。より詳しくは、拡散反射層と拡散透過層を組み合
わせて画像の表示品位を改善する技術に関する。
を示す模式的な断面図である。(a)に示した従来例
は、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板1,
2と、この間隙に保持された液晶3などの電気光学物質
とで構成された反射型表示装置である。一方の基板1に
は、複数の画素電極4とこれを駆動する薄膜トランジス
タTFTなどのスイッチング素子とが形成されている。
具体的には、TFTの凹凸を埋める様に樹脂膜(平坦化
膜)6が形成されており、その上に画素電極4が形成さ
れている。画素電極4はアルミニウムなどの金属反射層
5aで形成されている。他方の基板2には、各画素電極
4に対面する透明な対向電極7が形成されている。又、
各画素電極4に対応して着色されたカラーフィルタ9を
有している。この基板2の外面側には拡散透過層8が取
り付けられている。以上の説明から明らかな様に、この
従来例は、一方の基板に形成された鏡面反射層5aと他
方の基板2に配された拡散透過層8とを組み合わせた反
射型表示装置となっている。
容易にする為(a)に示した先の従来例と対応する部分
には対応する参照番号を付してある。(a)に示した従
来例と異なる点は、拡散フィルムなどからなる拡散透過
層8が、下側の基板1の外面に取り付けられていること
である。更にこの拡散透過層8の表面には、鏡面反射層
5bが全面的に形成されている。一方、画素電極4は光
反射性ではなく単純に透明導電膜で形成されている。こ
の従来例は、拡散透過層8と鏡面反射層5bとを組み合
わせた拡散反射層を、画素電極側の基板に設けている。
(a)に示した従来例と対応する部分には対応する参照
番号を付して理解を容易にしている。この従来例は、画
素電極4に光拡散性及び光反射性を付与した構成となっ
ている。具体的には、TFTを被覆する樹脂膜6の表面
にフォトリソグラフィで微細な凹凸を形成し、その上を
アルミニウムなどからなる金属膜で被覆し、所定の形状
にパタニングして画素電極4としている。従って、画素
電極4は光拡散反射層5となっている。即ち、この従来
例は樹脂膜6上に凹凸パタンを形成し、その上に金属膜
を形成して拡散、反射、電極の機能を集約した構成とな
っている。
では、上側の基板2から入射した光が鏡面反射層5aで
反射され、再び基板2から出射する時、光拡散透過層8
で拡散される構造となっている。しかしながら、この構
造では拡散フィルムなどからなる拡散透過層8による後
方散乱と、鏡面反射層5aからの反射光が重なり合って
画像ボケが生じるという課題がある。これにより、コン
トラストの高いクリアな画像を得ることが困難である。
加えて、光拡散透過層8の散乱特性が正規分布的である
場合には、視角によって画像の明るさが変化するという
問題がある。
外面に配された拡散透過層8と鏡面反射層5bとで入射
光を散乱反射し、液晶層3で所望の変調をかける方式で
ある。しかしながら、この従来例はガラス基板1の厚み
の影響により、反射層5bで反射した像と透明な画素電
極4で反射した像が重なり合ってダブルイメージが生じ
てしまう。加えて、ガラス基板1の厚み分だけ視差が生
じ、ある画素に向けて入射した光が別の画素から出射し
てしまう為、カラーフィルタを用いた場合など混色が問
題となり、高精細化には不向きである。
機能を画素電極に集約している為、高精細でコントラス
トの高いクリアな画像を得る為には有利な構造である。
通常、樹脂膜6の表面にはピッチが4〜12μmで段差
が0.4〜1.0μm程度の凹凸パタンが形成されてお
り、その上に銀もしくはアルミニウムの様な金属膜が形
成され、これが画素電極4になるとともに拡散反射層5
を構成している。凹凸パタンの配置や段差は可能な限り
ランダムになる様に設計されているものの、完全なラン
ダム性を実現することは困難であり、強い平行光が入射
するとその周期性に依存して干渉縞が見えてしまう。干
渉縞は画像の着色となって現われる。特に、凹凸パタン
の頂部と谷部でそれぞれ反射する光が干渉し合って画像
に着色が生ずるという不具合がある。
題に鑑み、本発明は干渉縞の解消を図るとともに画像ボ
ケやコントラストの低下のない反射型表示装置を提供す
ることを目的とする。係る目的を達成するために以下の
手段を講じた。即ち、本発明に係る反射型表示装置は、
所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板と、該間
隙に保持された電気光学物質とからなり、一方の基板
は、複数の画素電極とこれを駆動するスイッチング素子
とが形成されているとともに、各画素電極が形成される
領域の少くとも一部には光を散乱反射するために凹凸パ
タンを有した拡散反射層が配されており、他方の基板
は、各画素電極に対面する対向電極が形成されていると
ともに、光を散乱透過するために透明粒子を分散した拡
散透過層が配されていることを特徴とする。好ましく
は、前記拡散透過層は、ヘイズ10%以上の散乱性能を
有して該拡散反射層の光干渉を抑制するとともに、ヘイ
ズ100%以下の散乱性能を有して該拡散反射層によっ
て写し出される画像のボケを抑制する。一態様では、前
記拡散透過層は各画素電極に対応して着色されており、
カラーフィルタとしても機能する。或いは、前記他方の
基板は、各画素電極に対応して着色されたカラーフィル
タを有しており、前記拡散透過層は該カラーフィルタを
被覆する様に形成されておりオーバコートとしても機能
する。或いは、前記他方の基板は、各画素電極に対応し
て着色されたカラーフィルタと、該カラーフィルタを被
覆するオーバコートとを有し、前記拡散透過層は該カラ
ーフィルタと該オーバコートとの間に配されている。或
いは、前記他方の基板は各画素電極に対応して着色され
たカラーフィルタを有しており、前記拡散透過層は該他
方の基板と該カラーフィルタとの間に配されている。或
いは、前記拡散透過層は、該他方の基板を間にして該電
気光学物質とは反対側に配されている。或いは、前記拡
散透過層は、接着層を兼ねている。
側に拡散反射層を形成する一方、対向電極を形成した基
板側には透明粒子を分散した拡散透過層を設けている。
この拡散透過層の散乱特性を最適化することにより、拡
散反射層側の干渉縞の解消を図るとともに、拡散透過層
自体の後方散乱による画像ボケやコントラストの低下を
防いでいる。
の形態を詳細に説明する。図1は本発明に係る反射型表
示装置の実施形態を示す模式的な部分断面図である。図
示する様に、本反射型表示装置は、所定の間隙を介して
互いに接合した一対の基板1,2と、この間隙に保持さ
れた電気光学物質とからなるパネル構造を有している。
本実施形態ではこの電気光学物質は液晶3で構成されて
いるが、本発明はこれに限られるものではない。一方の
基板1は、複数の画素電極4(図では一個のみを示し、
他は省略してある)と、これを駆動するスイッチング素
子とが形成されている。本実施形態では、このスイッチ
ング素子は薄膜トランジスタTFTで構成されている。
画素電極4の少くとも一部は拡散反射層5を形成してい
る。この拡散反射層5は光を散乱反射する為に凹凸パタ
ンを有している。本実施形態では、TFTを樹脂膜6で
被覆し、その表面をフォトリソグラフィで凹凸パタンに
加工し、これを被覆する様にアルミニウムなどの金属膜
を成膜して拡散反射層5としている。
透明な対向電極7が形成されている。加えて、光を散乱
透過する為に透明粒子8aを分散した拡散透過層8が配
されている。拡散透過層8は、基本的にアクリル、ポリ
イミド、エポキシ樹脂などのベース基材中に、これとは
屈折率の異なる例えばSiO2やポリスチレンビーズな
どからなる透明粒子8aを分散した構成となっている。
透明粒子8aの粒径は例えば2μm〜3μmである。こ
の拡散透過層8はヘイズ10%以上の散乱性能を有して
拡散反射層5の光干渉を抑制するとともに、ヘイズ10
0%以下の散乱性能を有して拡散反射層5によって写し
出される画像のボケを抑制している。本実施形態では、
拡散透過層8は下側の基板1に形成された各画素電極4
に対応して着色されており、カラーフィルタ9としても
機能する。尚、カラーフィルタ9の表面はオーバコート
10で被覆されており、その上に前述した透明導電膜か
らなる対向電極7が形成されている。又ガラス基板2の
外面には接着層11を介してλ/4板12、λ/2板1
3及び偏光板14がこの順で重ねられている。λ/4板
12とλ/2板13の組み合わせにより、広帯域のλ/
4板が構成される。従って、この実施形態は、反射型と
して代表的な一枚偏光板ECBモードとなっている。
乱特性を示すヘイズ(%)と、干渉縞及び画像ボケとの
関係を示した表図である。ヘイズ(%)は、拡散透過層
で散乱を受けながら出射した散乱光量をBとし、散乱を
受けることなく拡散透過層を透過した非散乱光量をAと
した場合、B/A×100で計算される量であり、拡散
透過層の散乱度合を表わしている。ヘイズ(%)が大き
くなる程、拡散透過層8の散乱性が強くなる。具体的に
は、透明樹脂からなるベース基材中に屈折率の異なる微
粒子を混入して拡散透過層を作る場合、微粒子の混入量
が多くなる程ヘイズ(%)の値も大きくなる。図2は、
ヘイズ(%)の値を種々変えた拡散透過層8を用いてパ
ネルを組み立て、干渉縞や画像ボケの有無を実際に観察
した結果を表わしている。ヘイズが5%の場合、散乱性
能が不十分である為、干渉縞を十分に抑制することがで
きず虹状に現われてしまっている。ヘイズを10%に上
げると散乱性が高くなり、干渉縞は見えなくなる。一
方、散乱性能を強めてヘイズが150%になると、逆に
画像ボケが発生してしまう。具体的には、100ppi
クラスの画面を肉眼で観察した場合、個々の画素を肉眼
で判別できない程画像ボケが顕著になる。ヘイズが10
0%では画像ボケは発生していない。従って、拡散透過
層8のヘイズを10〜100%の範囲で最適化すること
により、干渉縞の解消を図るとともに、拡散反射層5か
らの後方散乱による画像ボケやコントラストの低下を防
ぐことができる。
型表示装置の各構成要素を詳細に説明する。前述した様
に、基板2の表面には偏光板14が配されている。偏光
板14と基板2との間にはλ/4板12及びλ/2板1
3を重ねた広帯域の四分の一波長板が介在している。こ
の四分の一波長板は例えば一軸延伸された高分子フィル
ムを重ねたものであり、常光と異常光との間で四分の一
波長分の位相差を与える。広帯域四分の一波長板の光学
軸は偏光板14の偏光軸(透過軸)と45度の角度を成
す様に配されている。外光は偏光板14を通過すると直
線偏光になる。この直線偏光は広帯域四分の一波長板を
通過すると円偏光になる。更にもう一度、四分の一波長
板を通過すると直線偏光になる。この場合、偏光方向は
元の偏光方向から90度回転する。以上の様に、四分の
一波長板は偏光板と組み合わせることで偏光方向を回転
させることができ、これを表示に利用している。
方性が正のネマティック液晶分子からなる液晶3を電気
光学物質として用いている。この液晶3はその厚みを適
当に設定することで四分の一波長板として機能する。本
例では液晶3の屈折率異方性Δnは0.7程度であり、
ネマティック液晶3の厚みは3μm程度である。従っ
て、液晶3のリターデーションΔn・dは0.2〜0.
25μmとなる。例えばネマティック液晶分子をツイス
ト配向することで、上述したリターデーションの値は実
質的に0.15μm(150nm)程度となる。この値
は外光の中心波長(600nm程度)のほぼ1/4とな
り、ネマティック液晶3が光学的に四分の一波長板とし
て機能することが可能になる。
ルタ9が形成されている。前述した様に、このカラーフ
ィルタ9は拡散透過層8としても機能する。拡散透過層
8は、例えばアクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂など
のベース基材中に、屈折率の異なる微粒子8aを分散さ
せたものである。微粒子8aとしては、例えばSiO 2
やポリスチレンビーズを利用でき、その粒径は例えば2
μm〜3μmである。これに対し反射側に位置する基板
1側には画素電極4を兼ねた拡散反射層5が形成されて
いる。拡散反射層5は表面に凹凸を有し光散乱性を備え
ている。従って、ペーパーホワイトの外観を呈し表示背
景として好ましいばかりでなく、入射光を比較的広い角
度範囲で反射する為、視野角が拡大し表示が見易くなる
とともに広い視角範囲で表示の明るさが増す。図示する
様に、拡散反射層5は凹凸が形成された樹脂膜6とその
表面に成膜された金属膜とからなる。前述した様に、金
属膜は画素電極4を兼ねている。樹脂膜6は例えば感光
性を有するアクリル樹脂からなり、フォトリソグラフィ
で表面に所望の凹凸を形成することが可能である。凹凸
パタンは可能な限りランダム化することが好ましく、ピ
ッチは4〜12μm、段差は0.4〜1.0μm程度で
ある。
ランジスタTFTが集積形成されている。TFTはボト
ムゲート構造を有しており、下から順にゲート電極2
1、二層のゲート絶縁膜22,23、多結晶シリコンな
どからなる半導体薄膜24を重ねた積層構造である。ゲ
ート電極21の直上に位置する半導体薄膜24の領域に
チャネル領域が設けられている。各チャネル領域はスト
ッパ25により保護されている。この薄膜トランジスタ
TFTと同一の層構造で補助容量Csも形成されてい
る。補助容量Csはゲート電極21と同一層に属する一
方の電極21aと半導体薄膜24からなる他方の電極と
の間に挟まれたゲート絶縁膜22,23を誘電体膜とし
ている。係る構成を有するTFT及びCsは二層の層間
絶縁膜26,27により被覆されている。層間絶縁膜2
6,27にはTFTのソース領域及びドレイン領域に連
通するコンクタトホールが開口している。層間絶縁膜2
6,27の上には配線28S及び28Dが形成されてお
り、各コンクタトホールを介してTFTのソース領域及
びドレイン領域に接続している。これらの配線28S,
28Dは前述した樹脂膜6により被覆されている。その
上に、前述した画素電極4がパタニング形成されてい
る。画素電極4は樹脂膜6に開口したコンクタトホール
及び配線28Dを介してTFTのドレイン領域に電気接
続している。
の実施形態を示す模式的な部分断面図である。図1に示
した先の実施形態と対応する部分には対応する参照番号
を付して理解を容易にしている。本実施形態では、拡散
透過層8がオーバコート10を兼ねている。即ち、基板
2には各画素電極4に対応して着色されたカラーフィル
タ9が形成されており、拡散透過層8はこのカラーフィ
ルタ9を被覆する様に形成されており、オーバコート1
0としても機能する。但し、本発明はこれに限られるも
のではなく、拡散透過層8を他の層と兼用することなく
独立した機能層として設けることもできる。例えば、拡
散透過層8はカラーフィルタ9とオーバコート10との
間に配する様にしてもよい。あるいは、拡散透過層8
は、基板2とカラーフィルタ9との間に独立して挿入し
てもよい。但し、拡散透過層8をカラーフィルタ9やオ
ーバコート10と兼用した場合、独立して拡散透過層8
を設ける場合に比べ、工程の合理化につながることにな
る。
の実施形態を示す模式的な部分断面図である。図1及び
図3に示した先の実施形態と対応する部分には対応する
参照番号を付して理解を容易にしている。本実施形態で
は、拡散透過層8は基板2の内面側ではなく外面側に取
り付けられている。更に、この拡散透過層8は接着層1
1としても機能し、基板2に対して四分の一波長板や偏
光板を接着する役目も担っている。
が、本発明はこれに限られることはなく反射型と透過型
を組み合わせたいわゆるハイブリッド型の表示装置にも
適用可能である。ハイブリッド型の表示装置は、各画素
を領域分割し、一部を反射領域とする一方、残りの部分
を透過領域としている。反射領域には、本発明に従って
拡散反射層5を設けるとともに、対向側には拡散透過層
8を設ける。一方透過領域に対しては、背面側からバッ
クライトの照明光を照射して、画像を写し出す様にして
いる。ハイブリッド型の画像表示装置は、十分な明るさ
の外光(自然光や室内照明光など)が得られる時は前面
側から入射する外光を背面側の拡散反射層で反射させて
外光を利用する反射型表示を行ない、十分な明るさの外
光が得られない時は、画像表示装置の背面側に配置され
たバックライトの照明光を利用した透過型表示を行な
う。このハイブリッド型表示装置は、基本的に、マトリ
クス状に配された画素を備え、前面側からの外光を反射
するか後面側からの照明光を透過して画像を表示する表
示パネルと、表示パネルの後面側に重ねて配され照明光
を出射する平面型のバックライトとから構成されてい
る。係るハイブリッド型の画像表示装置は、特に携帯情
報端末装置や携帯電話端末装置のディスプレイに好適で
ある。周囲が明るい時には外光を利用できる為、バック
ライトを点灯する必要がなく、消費電力を節約可能であ
る。電源供給に制限のある携帯情報端末装置や携帯電話
端末装置では、消費電力の低減化が最重要点となってい
る。
素電極を形成した基板側に拡散反射層を設けるととも
に、対向電極を形成した基板側には拡散透過層を設けて
いる。この拡散透過層を加えることで、拡散反射層によ
る干渉縞が解消され、高画質な表示が可能になる。拡散
透過層の散乱性能を最適化することで、画像ボケやコン
トラストの低下を防ぐことも可能である。拡散透過層は
カラーフィルタやオーバコートと兼用することが可能で
あり、工程を追加することなく散乱機能を付与すること
が可能になる。
模式的な部分断面図である。
した表図である。
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
画素電極、5・・・拡散反射層、6・・・樹脂膜、7・
・・対向電極、8・・・拡散透過層、9・・・カラーフ
ィルタ、10・・・オーバコート
Claims (8)
- 【請求項1】 所定の間隙を介して互いに接合した一対
の基板と、該間隙に保持された電気光学物質とからな
り、 一方の基板は、複数の画素電極とこれを駆動するスイッ
チング素子とが形成されているとともに、各画素電極が
形成される領域の少くとも一部には光を散乱反射するた
めに凹凸パタンを有した拡散反射層が配されており、 他方の基板は、各画素電極に対面する対向電極が形成さ
れているとともに、光を散乱透過するために透明粒子を
分散した拡散透過層が配されていることを特徴とする反
射型表示装置。 - 【請求項2】 前記拡散透過層は、ヘイズ10%以上の
散乱性能を有して該拡散反射層の光干渉を抑制するとと
もに、ヘイズ100%以下の散乱性能を有して該拡散反
射層によって写し出される画像のボケを抑制することを
特徴とする請求項1記載の反射型表示装置。 - 【請求項3】 前記拡散透過層は各画素電極に対応して
着色されており、カラーフィルタとしても機能すること
を特徴とする請求項1記載の反射型表示装置。 - 【請求項4】 前記他方の基板は、各画素電極に対応し
て着色されたカラーフィルタを有しており、前記拡散透
過層は該カラーフィルタを被覆する様に形成されており
オーバコートとしても機能することを特徴とする請求項
1記載の反射型表示装置。 - 【請求項5】 前記他方の基板は、各画素電極に対応し
て着色されたカラーフィルタと、該カラーフィルタを被
覆するオーバコートとを有し、前記拡散透過層は該カラ
ーフィルタと該オーバコートとの間に配されていること
を特徴とする請求項1記載の反射型表示装置。 - 【請求項6】 前記他方の基板は各画素電極に対応して
着色されたカラーフィルタを有しており、前記拡散透過
層は該他方の基板と該カラーフィルタとの間に配されて
いることを特徴とする請求項1記載の反射型表示装置。 - 【請求項7】 前記拡散透過層は、該他方の基板を間に
して該電気光学物質とは反対側に配されていることを特
徴とする請求項1記載の反射型表示装置。 - 【請求項8】 前記拡散透過層は、接着層を兼ねている
ことを特徴とする請求項1記載の反射型表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001219634A JP2003029257A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 反射型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001219634A JP2003029257A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 反射型表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003029257A true JP2003029257A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19053602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001219634A Pending JP2003029257A (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 反射型表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003029257A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005086179A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置 |
KR100672655B1 (ko) | 2004-10-01 | 2007-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2012118296A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Sony Corp | 液晶装置および電子機器 |
WO2017024547A1 (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 半透反式蓝相液晶显示器及其液晶显示模组 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10111502A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
JP2000199809A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-07-18 | Kimoto & Co Ltd | 前方散乱フィルム |
JP2000330106A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-11-30 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置用電極基板及びそれを用いた反射型液晶表示装置 |
JP2002107714A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-10 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-07-19 JP JP2001219634A patent/JP2003029257A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10111502A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
JP2000199809A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-07-18 | Kimoto & Co Ltd | 前方散乱フィルム |
JP2000330106A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-11-30 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置用電極基板及びそれを用いた反射型液晶表示装置 |
JP2002107714A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-10 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005086179A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置 |
US7612850B2 (en) | 2004-03-05 | 2009-11-03 | Kazuyoshi Inoue | Semi-transmissive/semi-reflective electrode substrate, method for manufacturing same, and liquid crystal display using such semi-transmissive/semi-reflective electrode substrate |
KR100672655B1 (ko) | 2004-10-01 | 2007-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2012118296A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Sony Corp | 液晶装置および電子機器 |
WO2017024547A1 (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 半透反式蓝相液晶显示器及其液晶显示模组 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3324119B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
KR100430873B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
JP4412388B2 (ja) | 光学素子、液晶装置及び電子機器 | |
US8619215B2 (en) | Optical element, method for manufacturing the same, liquid crystal device, and electronic apparatus | |
JP2001272674A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2003015133A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2003156756A (ja) | 半透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 | |
JPH103078A (ja) | 反射型液晶装置及びこれを用いた電子機器 | |
JP2001083494A (ja) | 半透過反射型の液晶装置及びそれを用いた電子機器 | |
KR100500482B1 (ko) | 액정 장치 및 이를 사용한 전자 기기 | |
JP2003029257A (ja) | 反射型表示装置 | |
JP3726569B2 (ja) | 半透過反射型及び反射型液晶装置並びにこれらを用いた電子機器 | |
TWI326785B (ja) | ||
JP3280931B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4066746B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JPH10111502A (ja) | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 | |
JP2003195288A (ja) | 半透過型の液晶表示装置 | |
JP4205303B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP3340073B2 (ja) | カラー液晶表示装置 | |
JPH09211496A (ja) | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 | |
JP3799883B2 (ja) | 半透過反射型及び反射型の液晶装置並びにこれらを用いた電子機器 | |
JP2003195287A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
JP3085291B2 (ja) | 反射型液晶表示装置及び反射型液晶表示方法 | |
JP2002296582A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP2000111894A (ja) | 反射型カラー液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080704 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090223 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090223 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110816 |