JP2003020232A

JP2003020232A - 回折光学素子成形用型及びその製造方法

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Publication number: JP2003020232A
Application number: JP2001208153A
Authority: JP
Inventors: Keiji Hirabayashi; 敬二平林
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-07-09
Filing date: 2001-07-09
Publication date: 2003-01-24

Abstract

(57)【要約】【課題】離型性と耐久性を十分に確保することができる
回折光学素子成形用型の製造方法を提供する。【解決手段】回折光学素子成形用型の製造方法であっ
て、回折光学素子成形用型の母材３５を、少なくとも炭
素原子を含むプラズマ中に置き、母材に１ｋＶ以上４ｋ
Ｖ以下の直流パルス電圧を印加して、母材の成形面に硬
質炭素膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主として、ガラス
素材のプレス成形により、回折型光学素子を製造する際
に使用される光学素子成形用型及びその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】研磨工程を必要としないで、ガラス素材
のプレス成形によってレンズを製造する技術は、従来の
製造方法において必要とされた複雑な工程をなくし、簡
単かつ安価にレンズを製造することを可能とし、近年レ
ンズのみならず、プリズム、その他のガラスよりなる光
学素子の製造に使用されるようになってきた。

【０００３】このような、ガラス製光学素子のプレス成
形に使用される型材に要求される性質としては、硬度、
耐熱性、離型性、鏡面加工性などに優れていることが挙
げられる。従来、この種の型材として、金属、セラミッ
クス、および、それらをコーティングした材料など、数
多くの提案がなされている。

【０００４】幾つかの例を挙げるならば、特開昭４９−
５１１１２号公報には、１３Ｃｒマルテンサイト鋼が、
特開昭５２−４５６１３号公報には、ＳｉＣ及びＳｉ₃
Ｎ₄が、特開昭６０−２４６２３０号公報には、超硬合
金に貴金属をコーティングした材料が、また、特開昭６
１−１８３１３４号公報、特開昭６１−２８１０３０号
公報、特開平１−３０１８６４号公報には、それぞれ、
ダイヤモンド薄膜もしくはダイヤモンド状炭素膜が、特
開昭６４−８３５２９号公報には、硬質炭素膜をコーテ
ィングした材料が提案されている。

【０００５】また、特公平２−３１０１２号公報には、
レンズまたは型のどちらか一方に５〜５００ｎｍの炭素
膜を形成することが提案されている。更に、本願出願人
が既に出願している特開平６−７２７２８号公報には、
高イオンエネルギーの炭素イオンビームを用いて、炭素
と型母材もしくは母材表面に形成した中間層を構成す
る、少なくとも一種類以上の元素よりなるミキシング層
を形成することにより、膜の剥離およびクラックの発生
を生じない型を製造する方法が記載されている。

【０００６】また、近年、回折光学素子と呼ばれる光学
素子もプレス成形で製造されている。回折光学素子は、
色分解効果を持つ回折格子や、色収差を補正するバイナ
リーレンズや、微細フレネルレンズなどのように、表面
に微細なパターンが形成されることで特有の効果を発揮
する光学素子である。この微細パターンは、通常深さが
数μｍ以下となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１３Ｃ
ｒマルテンサイト鋼は酸化し易く、更に、高温でＦｅが
ガラス中に拡散して、ガラスが着色される欠点を持つ。
ＳｉＣ及びＳｉ₃Ｎ₄ は、一般的に酸化されにくいとさ
れているが、高温では酸化が起こり、表面にＳｉＯ₂ が
形成され、ガラスの融着を生じる。貴金属をコーティン
グした材料は、融着を起こしにくいが、極めて柔らかい
ために、傷がつき易く、変形し易いという欠点をもって
いる。

【０００８】また、一般的にダイヤモンド状炭素膜、ａ
−Ｃ：Ｈ膜、硬質炭素膜を用いた型は、型とガラスとの
離型性が良く、ガラスとの融着を起こしにくいが、型と
膜の密着性が一般に低く、成形操作を、数百回以上繰り
返して行うと、前記膜が部分的に剥離し、成形品におい
て、十分な成形性能が得られないことがあるなど、耐久
性に問題があった。また、ダイヤモンド薄膜は、高硬度
で、熱的安定性にも優れているが、ダイヤモンド状炭素
膜、ａ−Ｃ：Ｈ膜、硬質炭素膜など、非晶質の炭素膜に
比べると、型とガラスとの離型性が悪く、更なる離型性
の向上が望まれていた。

【０００９】また、特開平１−３０１８６４号公報にお
いて、炭素源ガス濃度を３％以上として、ダイヤモンド
結晶、グラファイト結晶、アモルファス状カーボンより
なる膜を形成し、最大面粗さ２０ｎｍ以下とすることが
提案されているが、膜中のグラファイト結晶の存在は、
硬度と耐酸化性の劣化を生じ、型の耐久性を劣化させる
原因となる。

【００１０】また、特公平２−３１０１２号公報の実施
例で用いられている形成方法（真空蒸着法）で得られる
炭素膜は、一般的には、膜と基板との密着力が弱く、成
形中に膜が剥離するなどの耐久性に問題がある場合があ
る。

【００１１】また、特開平６−７２７２８号公報に記載
の方法は、他の光学素子成型用型の製造方法に比べて好
適な方法であるが、高いイオンエネルギーの炭素イオン
を用いるため、型材表面の荒れが生じる場合があり、レ
ンズの透過率が低下したり、ハローなどが生じる場合が
ある。

【００１２】また、回折光学素子用の成形用型材に硬質
炭素膜を形成しようとすると、例えば、図４（微細パタ
ーンを模式的に示したもので実際の高さや幅とは異な
る）のように、型母材４１上に硬質炭素膜４２が均一に
成膜されるのが理想であるが、通常の成膜方法で硬質炭
素膜を形成すると、図５のように微細パターンの先端で
硬質炭素膜の膜厚が厚くなり、更に微細パターン側面や
下部で膜厚が薄くなる傾向が見られる。このような型材
でガラスを成形しようとすると、微細パターン先端の膨
らんだ部分がガラスに食い込み、離型する時にガラスが
割れる等の問題点があった。また、高いイオンエネルギ
ーの炭素イオンを用いる成膜方法では、微細パターンの
先端部がエッチングされ、所望の形状からずれ、光学的
性能が損なわれる場合もあった。

【００１３】したがって、本発明は上述した課題に鑑み
てなされたものであり、その目的は、離型性と耐久性を
十分に確保することができる回折光学素子成形用型及び
その製造方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するために、本発明に係わる回折光学素子成
形用型の製造方法は、回折光学素子成形用型の製造方法
であって、前記回折光学素子成形用型の母材を、少なく
とも炭素原子を含むプラズマ中に置き、前記母材に１ｋ
Ｖ以上４ｋＶ以下の直流パルス電圧を印加して、前記母
材の成形面に硬質炭素膜を形成することを特徴としてい
る。

【００１５】また、本発明に係わる回折光学素子成形用
型は、上記の製造方法によって製造されたことを特徴と
している。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な一実施形態
について説明するが、まず、一実施形態の概要について
説明する。

【００１７】本実施形態では、回折光学素子成形用型材
の製造方法において、少なくとも炭素原子を含むプラズ
マ中で、前記型材に１ｋＶ以上で４ｋＶ以下の直流パル
ス電圧を印加して硬質炭素膜を形成する。

【００１８】次に、本実施形態の作用を、以下に説明す
る。

【００１９】本願発明者は、従来の光学素子成形用型の
問題点に鑑み、離型層として形成される硬質炭素膜を型
材に密着力良く形成し、更に所望の形状を損なわずに均
一に成膜する成膜方法及び条件について、詳細な実験を
続けた結果、以下の結論を見出した。

【００２０】つまり、回折光学素子成形用型材の製造方
法において、少なくとも炭素原子を含むプラズマ中で、
前記型材に１ｋＶ以上で４ｋＶ以下の直流パルス電圧を
印加して硬質炭素膜を形成することにより、型材に密着
力良く形成し、更に所望の形状を損なわずに均一に成膜
することが可能となった。

【００２１】従来の、非晶質を主成分とする硬質炭素膜
は、他のセラミックスおよび金属薄膜よりは、ガラスと
の密着力が小さく、離型性に優れているが、型母材と膜
の密着力が弱く、膜の応力や、熱膨張係数の差、更に、
成形時の圧力により、膜の剥離が生じることがあった。
これは、硬質炭素膜のような炭素材料は、ガラスとの離
型性が良好であるが、これらの膜は一般的に大きな膜応
力があり、熱や成形時の力により、容易に剥離が生じる
ためと考えられる。また、成膜方法及び条件によって
は、微細パターン形状どおりに均一に成膜されず、パタ
ーン先端が厚くなったり、パターンの側面や下部が薄く
なったりすることがあった。

【００２２】また、特開平６−７２７２８号公報に記載
の、炭素イオンをイオン注入する方法により、膜と型母
材との密着力を上げることができるが、非常に高い電圧
を印加する必要があるため製造装置が非常に高価となり
やすいと言う欠点があった。更に、高い加速電圧のイオ
ンを基体表面に照射するため、特にパターンの先端部が
エッチングされてしまうと言う問題点があった。

【００２３】このため、本実施形態ではパルス放電型成
膜法により硬質炭素膜を形成する。このパルス放電型の
成膜方法は特開２０００−２４３２２１号公報に記載が
あるように、基体に直流のパルスバイアスを印加して硬
質炭素膜を作製するものであるが、これにより、基体と
密着性良く硬質炭素膜を形成することができる。

【００２４】さらに、本願発明者の実験及び評価によれ
ば、パルス放電型成膜装置で型材に１ｋＶ以上で４ｋＶ
以下の直流パルス電圧を印加して成膜を行うことで、微
細なパターン形状に沿って非常に均一に硬質炭素膜が形
成されることが明らかになった。

【００２５】通常の硬質炭素膜を密着性良く形成しよう
とすると、非常に高いイオンエネルギー（例えば、５ｋ
Ｖ以上）でイオンを打ち込まなければならなかったが、
パルス放電型の成膜装置を用いれば、比較的低加速電圧
で密着力が高い硬質炭素膜が形成できるため、基体の損
傷が少なく、所望のパターン形状を損なわずに成膜する
ことができる。

【００２６】また、硬質炭素膜の密着力向上のために、
型母材と硬質炭素膜の間に中間層を形成することもでき
る。また、更なる硬質炭素膜の密着力向上のために、型
母材と硬質炭素膜の間に中間層を形成したのち、アモル
ファスSi膜及びアモルファス炭化シリコン（a-SiCx）膜
などを形成すると更に密着力向上の効果が高い。

【００２７】このアモルファスSi膜及びアモルファス炭
化シリコン膜の膜厚は、１０ｎｍ以上で、２００ｎｍ以
下とする。１０ｎｍ未満では効果がなく、２００ｎｍよ
り厚い場合は、膜の硬度が比較的低いため、傷が付きや
すくなることがある。なお、このアモルファスSi膜及び
アモルファス炭化シリコン膜の膜厚は、このように１０
〜２００ｎｍ程度と薄いが、十分な耐久性と密着力向上
の効果を得ることができる。

【００２８】さらに硬質炭素膜の成膜条件として、イオ
ンエネルギーが高いと表面粗さが悪化するため、直流パ
ルス電圧は１ｋＶ以上で、４ｋＶ以下とする。４ｋＶよ
り大きいと、イオンの衝撃で微細なパターン形状を損な
う場合があり、１ｋＶ未満だと型母材との密着力の低下
が生じ、硬質炭素膜の剥離などが生じることがある。

【００２９】また、、直流パルス電圧の繰り返し周波数
やデューティー比は、印加電圧や成膜する膜厚などの条
件により最適条件は異なるが、代表的には５００〜２０
ｋＨｚの繰り返し周波数で、かつデューティー比２〜４
０％で行う。

【００３０】上述した本実施形態により、色分解効果を
持つ回折格子や、色収差を補正するバイナリーレンズ
や、微細フレネルレンズなどのように、表面に微細なパ
ターンが形成されることで特有の効果を発揮する光学素
子など、従来、パターン形状の不均一やガラスの割れな
どの問題のあったレンズの成形に効果がある。

【００３１】以下、本発明の一実施形態について、図面
を参照しながら、具体的に説明する。

【００３２】図１は、本発明の光学素子成形用型の模式
的断面図である。図１において、１１は成形面に硬質炭
素膜がある型母材である。なお、図１では、上型が球
面、下型が微細な回折格子形状の回折光学素子を示した
が、本発明は、この形状に限定されるものではなく、種
々の形状の回折光学素子の成形用型に適用可能である。

【００３３】本実施形態で言う、硬質炭素膜とは、基本
的には非晶質であり、硬度が高く、赤外領域で透明性が
高いことから、ダイヤモンド状炭素膜とも呼ばれている
ものである。この硬質炭素膜は、非晶質であるため、非
常に平滑な表面を有しており、型母材表面に形成するこ
とにより、型母材の表面の平滑性と同様、あるいは、そ
れ以上の平滑性を得ることができる。

【００３４】また、硬質炭素膜は、通常、いかなる結晶
性も有していないが、電子顕微鏡などで、微小領域（ｎ
ｍオーダー）を詳細に観察すると、数ｎｍ程度の大きさ
の、微結晶のダイヤモンドまたはグラファイトが観察さ
れることがある。これらの微結晶の量も、見積もるのは
非常に困難であるが、全体積のせいぜい数％以下であろ
うと思われる。

【００３５】なお、本実施形態で言うところの「硬質炭
素膜」とは、ほとんど無視できる量以下の炭素結晶相
（ダイヤモンド、グラファイト）のみを含有する炭素膜
である。この硬質炭素膜の形成には、イオンビーム蒸着
法及びイオンプレーティング法などと呼ばれる方法を用
いる。上記成膜方法は、炭素源ガス、および、水素、酸
素、塩素、フッ素、希ガスなどの希釈ガスを、熱フィラ
メントまたは高周波、更には、磁場などを印加すること
で、プラズマ化し、このプラズマから、電界を用いてイ
オンを加速して引出し、このイオンを型母材上に照射し
て、その成形面に硬質炭素膜を形成する方法である。

【００３６】本実施形態の硬質炭素膜の形成方法では、
炭素源として、種々の炭素含有ガスや液体有機化合物を
気化して用いることができる。液体有機化合物として
は、メタノール、エタノールなどのアルコール類、アセ
トンなどのケトン類、ベンゼン、トルエンなどの芳香族
炭化水素、ジメチルエーテルなどのエーテル類、ギ酸、
酢酸などの有機酸を用いることができる。炭素含有ガス
としては、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、シ
クロヘキサンなどの炭化水素ガス、一酸化炭素、また
は、ハロゲン化炭素などを用いることができる。

【００３７】本実施形態で用いられる型母材としては、
アルミナ・ジルコニアのような酸化物系セラミックス、
炭化珪素・窒化珪素・炭化チタン・窒化チタン・炭化タ
ングステンなどの炭化物・窒化物系セラミックス、更
に、ＷＣ系の超硬合金、モリブデン・タングステン・タ
ンタルなどの金属を用いることができる。型母材（基
体）の形状は、成形装置や成形レンズの形状により任意
に決めることができるが、例えば、レンズを成形する場
合、成形面を、そのレンズの曲率に合わせて、曲面形状
にし、その曲面上に硬質炭素膜を形成する。

【００３８】また、本実施形態では硬質炭素膜は、型母
材上に直接形成しても良いが、中間層を介して形成する
こともできる。中間層としては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ等の
炭化物、窒化物、炭窒化物の、少なくとも一種類以上の
化合物、混合物などを用いることができる。これらの膜
は硬度が高く、化学的安定性にも優れているので中間層
として最適である。また、型母材として超硬材料などの
焼結体を用いた場合、粒子の脱落、ポアなどにより表面
の平滑性が十分に上がらない場合があるが、これらの中
間層は、表面の平滑性を向上させるのに有効である。こ
の中間層の最適な厚さは、一般的には０．５μｍ以上、
望ましくは０．８μｍ以上である。上記中間層は公知の
イオンプレーティング法、スパッタリング法、CVD法
（化学的気相成長法）などにより形成することができ
る。

【００３９】また、中間層の表面にアモルファスSi膜及
びアモルファス炭化シリコン（SiCx）膜を形成すると、
型母材と硬質炭素膜の密着力の向上に、更に好適であ
る。これらの膜は、代表的には公知のスパッタ法やプラ
ズマＣＶＤ法で形成される。

【００４０】図３は、本実施形態で用いることができる
アモルファスシリコン膜と硬質炭素膜を形成する成膜装
置を示す模式図である。

【００４１】図３において、３１は真空チャンバー、３
２はイオン源で、加熱されたフィラメントと電場を用い
て炭素含有ガスをイオン化することができる。３３は直
流パルス発生源で型材３５及び基板ホルダー３８に直流
パルスバイアスを印加することができる。３４はイオン
ビームを模式的に示したもの、更に、３５は型材であ
る。また、３６はガス排気口で、バルブ、ターボ分子ポ
ンプ、ロータリーポンプ（何れも図示せず）が接続され
ている。また、イオン源３２には不図示のバルブ、ガス
流量調整器、圧力調整器、ガスボンベが接続されてい
る。３７は、スパッタターゲットであり、不図示の高周
波電源、高周波整合器が接続されている。３８は基体ホ
ルダーで型材を固定することができ、モーター３９を用
いて回転することができる。この成膜装置を用いて、ス
パッタターゲット３７でアモルファスシリコン膜を、イ
オン源を用いて硬質炭素膜を形成する。なお。本発明で
用いられる成膜装置は、上記装置に限定されるものでは
ない。

【００４２】以下、本実施形態の具体的な実施例につい
て説明する。

【００４３】（実施例１）図１および図２は、本発明に
係る光学素子成形用型の一つの実施様態を示す図であ
る。なお、図１は光学素子のプレス成形前の状態を示
し、図２は光学素子成形後の状態を示す。ここで、符号
１１は型母材で、成形表面には本実施例の硬質炭素膜よ
りなる離型膜が形成されている。１２はガラス素材であ
る。また、図２における、符号２１は光学素子である。
図１に示すように、型の間に置かれたガラス素材１２を
プレス成形することにより、レンズなどの光学素子２１
が形成される。

【００４４】次に、本実施例の光学素子成形用型につい
て詳細に説明する。型母材として、バインダーレスＷＣ
系超硬合金焼結体（フジダイス製、商品名ＴＪ−０５）
を所定の形状に加工した後、成形面に公知のイオンプレ
ーティング法により、中間層として、窒化タンタル（Ta
N）膜を１μｍの厚さで形成した。

【００４５】次に、型母材を図３の成膜装置に配置し、
イオン源を用いて硬質炭素膜を形成する。ガス流量はア
セチレン：２０ｍｌ／ｍｉｎ、水素：５ｍｌ／ｍｉｎと
し、基板温度：２００℃で、圧力：４×１０^-2Ｐａとし
た。また、型母材へ直流パルス電源を用いて直流パルス
バイアスを印加した。電圧は、−３．５ｋＶとして、繰
り返し周波数：２ｋＨｚ、デューティー比：２５％とし
て、約１２０ｎｍの硬質炭素膜の成膜を行った。

【００４６】次に、この光学素子成形用型材を用いて光
学レンズの成形を行った。

【００４７】成形ガラスは、クラウン系光学ガラスＳＫ
１２（軟化点Ｓｐ＝６７２℃、転移点Ｔｇ＝５５０℃）
で、直径：φ３２ｍｍで、上面が凸面(球面)で、下面が
微細パタ−ン形状を有する回折光学素子を成形する。成
形条件は、窒素雰囲気下、プレス温度６２０℃で行っ
た。成形中、型と成形された光学素子との離型性は良好
であった。また、成形後の型表面を走査型電子顕微鏡で
観察した所、微細パターン形状に沿って均一に硬質炭素
膜が形成されているのが確認された。また、膜剥離、ク
ラックの発生、更には、ガラスの融着が認められず、良
好な型表面性を有していた。また、成形ガラスレンズ
も、ガラスの割れが見られず、良好な表面粗さであり、
良好な光学特性を有していた。

【００４８】なお、直流パルス電圧を通常の直流電圧と
する以外は、上記と同様にして光学素子成形用型材を製
造し、成形を行った。成形中、型と成形された光学素子
との離型性に問題があり、微細パタ−ン形状の上部での
ガラスの割れが認められ、成形された光学素子は所望の
光学性能を得ることができなかった。また、成形後の型
表面を走査型電子顕微鏡で観察した所、硬質炭素膜の形
成が不均一で微細パターン形状の上部で膜厚が厚くな
り、微細パターン側面で膜厚が薄くなっているのが確認
された。

【００４９】（実施例２）型母材として、ＷＣ系超硬合
金を所定の形状に加工した後、公知のイオンプレーティ
ング法により、中間層として、窒化チタン（TiN）膜を
１．２μｍ厚さで形成した。

【００５０】この型母材を良く洗浄した後、図３に示す
成膜装置に設置した。まず、Siのスパッタターゲットを
用いて、アモルファスシリコン膜を形成する。ガス流量
をアルゴンガス：４０ｍｌ／ｍｉｎとして、圧力：０．
５Ｐａ、高周波出力：５００Ｗとして、約８０ｎｍのア
モルファスシリコン膜を形成した。

【００５１】次に、イオンビーム源を用いて硬質炭素膜
を形成する。ガス流量はベンゼン：３０ｍｌ／ｍｉｎ、
水素：１０ｍｌ／ｍｉｎとし、基板温度：３００℃で、
圧力：７×１０^-2Ｐａとした。また、加速電圧を、−３
ｋＶ、繰り返し周波数：４ｋＨｚ、デューティー比：５
％とした。この成膜により約１００ｎｍの硬質炭素膜の
成膜を行った。

【００５２】次に、この光学素子成形用型材を用いて光
学レンズの成形を行った。

【００５３】成形ガラスは、クラウン系光学ガラスＳＫ
１２（軟化点Ｓｐ＝６７２℃、転移点Ｔｇ＝５５０℃）
で、直径：φ３２ｍｍの色収差補正用のバイナリーレン
ズを成形する。成形条件は、窒素雰囲気下、プレス温度
６２０℃で行った。成形中、型と成形された光学素子と
の離型性は良好であった。また、成形後の型表面を走査
型電子顕微鏡で観察した所、微細パターン形状に沿って
均一に硬質炭素膜が形成されているのが確認された。ま
た、膜剥離、クラックの発生、更には、ガラスの融着が
認められず、良好な型表面性を有していた。また、成形
ガラスレンズも、ガラスの割れが見られず、光学特性も
良好であった。

【００５４】（実施例３〜５、比較例１〜２）直流パル
スバイアス電圧を種々変更する以外は、実施例２と同様
にして、光学素子成形用型材を形成し、光学素子を成形
した。その結果を以下に示す。

【００５５】直流パルス電圧光学素子の光学特性型の耐久性実施例３ −１．２ｋV ◎ △ 実施例４ −２．５ｋV ○ ○ 実施例５ −３．８ｋV △ ◎ 比較例１ −４．５ｋV × ◎ 比較例２ −０．７５ｋV ◎ × 但し、◎：非常に良好、○：良好、△：実用上可、×：不可である。

【００５６】硬質炭素膜の成膜条件で、直流パルス電圧
を本実施形態の範囲内とすることで、光学素子の光学特
性及び型の耐久性は良好となる。これに対して、直流パ
ルス電圧を本実施形態の範囲以下とすると、型母材と硬
質炭素膜の密着力が低下し、硬質炭素膜の剥離が生じ、
型の耐久性が悪化する。更に、直流パルス電圧を本実施
形態の範囲以上にすると、型母材の微細パターン先端部
でのエッチングが生じ、所望の形状が損なわれる。この
ため、成形した光学素子の形状も所望の形状からずれる
ことになり、光学性能が悪化する。

【００５７】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、離
型層として形成される硬質炭素膜を型材に密着力良く形
成し、更に微細パターン形状に沿って均一に成膜された
光学素子成形用型材を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学素子成形用型の模式的断面図であ
り、光学素子を成形する前の状態を示す図である。

【図２】本発明の光学素子成形用型の模式的断面図であ
り、光学素子を成形した後の状態を示す図である。

【図３】アモルファスシリコン膜と硬質炭素膜を形成す
る成膜装置を示す模式図である。

【図４】硬質炭素膜が理想的に成膜されている状態を示
す図である。

【図５】硬質炭素膜が不均一に成膜されている状態を示
す図である。

【符号の説明】

１１型母材１２ガラス素材２１光学素子３１真空チャンバー３２イオン源３３直流パルス発生源３４イオンビーム３５型材３６ガス排気口３７スパッタターゲット３８基板ホルダー３９モーター４１型母材４２硬質炭素膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回折光学素子成形用型の製造方法であっ
て、前記回折光学素子成形用型の母材を、少なくとも炭素原
子を含むプラズマ中に置き、前記母材に１ｋＶ以上４ｋ
Ｖ以下の直流パルス電圧を印加して、前記母材の成形面
に硬質炭素膜を形成することを特徴とする回折光学素子
成形用型の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の製造方法によって製造
されたことを特徴とする回折光学素子成形用型。