JP2003018468A - 信号処理装置、その制御方法、およびそのプログラム - Google Patents

信号処理装置、その制御方法、およびそのプログラム

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JP2003018468A JP2001203387A JP2001203387A JP2003018468A JP 2003018468 A JP2003018468 A JP 2003018468A JP 2001203387 A JP2001203387 A JP 2001203387A JP 2001203387 A JP2001203387 A JP 2001203387A JP 2003018468 A JP2003018468 A JP 2003018468A
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信二 黒川
Yasuyuki Yamazaki
康之 山崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 強い光が入射した場合でも、適正な画像が得
られる信号処理装置、その制御方法、及びそのプログラ
ムを提供することを課題とする。 【解決手段】 固体撮像素子からの信号からノイズを除
去する相関二重サンプリング回路と、OB期間でクラン
プするクランプ回路と、A/D変換機と、クランプ回路
にクランプパルスを供給するクランプパルス供給回路
と、画像右側への光量に応じてクランプパルスの発生を
制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号処理装置に関
し、特に撮像手段からの信号の読み出し、及びその制御
方法、プログラムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、撮像手段としての固体撮像素
子(例えばCCD:Charge coupled device)を用いた
固体撮像装置が提案されている。図12は信号処理装置
としての固体撮像装置の固体撮像素子からクランプ回路
部までのブロック図を示している。このような固体撮像
装置はレンズを介して入射する被写体光を固体撮像素子
3で受光し、固体撮像素子3の出力信号を相関二重サン
プリング(以下CDSとも表す)を行うCDS部4に入
力し、クロックの除去やノイズの軽減を行う。CDS部
4の出力信号はクランプ回路部5に入力され、固体撮像
素子3の遮光された画素の出力で黒レベルに対応したオ
プティカルブラック(以下OBとも表す)部を、クラン
プパルスCPOBの制御により一定の直流電位にクラン
プする。これにより黒の基準となる信号レベルを生成す
る。その後画像信号は、A/D変換部でA/D変換さ
れ、変換された画像データは後段の信号処理部へ入力す
る。そして、表示または記録など所望の形式となるよう
に種々の信号処理や変換を行う。
【0003】ここで、固体撮像素子の基本的な構成を図
13(a)、(b)に示す。固体撮像素子には被写体光
を受光可能な有効画素領域111と、アルミ等で遮光を
施したオプティカルブラック領域112を有する。有効
画素領域111とオプティカルブラック領域112に
は、各画素に対応してそれぞれフォトダイオード11
3、114が設けられている。フォトダイオード114
からの出力は光学的な黒レベルの基準として用いられ
る。更にフォトダイオード113および114の各列に
沿って設けられた垂直転送レジスタ115と垂直転送レ
ジスタ115からの電荷を出力回路117に転送する水
平転送レジスタ116を有している。これにより、フォ
トダイオード113で光電変換された電荷は、対応する
垂直転送レジスタ115に送られる。そして、垂直転送
パルスVφ1〜Vφ4に同期して順次水平転送レジスタ
116へと送られる。水平転送レジスタ116へ送られ
た電荷は、水平転送パルスHφ1、Hφ2に同期して出
力回路117へ順次送られ、後段回路へと出力される。
また、118は水平転送レジスタのうちで垂直転送レジ
スタから電荷を転送されない部分所謂ダミー部である。
【0004】ここで図14により現象を追ってみると、
(a)のように通常動作時のCCD出力は、有効画素期
間に被写体光に相当する電荷が蓄積され、OB期間は遮
光されているため電荷は発生しない。これをCDS部4
において相関二重サンプリングを行なう。すなわち、サ
ンプルホールドパルスSH1でリセットレベルをサンプ
ルホールドし、サンプルホールドパルスSH2で信号レ
ベルをサンプルホールドし、その差を信号レベルとして
取り出す。これにより、図示のようなCDS出力信号が
得られる。なお、図示のCDS出力波形は、信号レベル
が高い(CCDにおいて多くの電荷が蓄積されたとき)
と上方向となるように変換されている。このCDS出力
信号をクランプ回路部5でクランプパルスがLOWとな
る期間でOB部をクランプすることにより、一定の直流
電位になり後段のA/D変換や種々の信号処理を行う際
の基準レベルとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固体撮
像素子3にスポット光や太陽光などの非常に強い光が入
射した場合には、受光可能な有効画素領域で発生した電
荷がオーバーフローを起こし垂直転送レジスタおよび水
平転送レジスタまでに至る。したがって、本来電荷がほ
とんど転送されないOB部に対応する電荷の転送期間つ
まりOB期間にも多くの電荷が転送されることになる。
その結果CDS部4から出力される信号のOBレベル
は、本来の黒レベルとは異なった通常よりも高いレベル
となってしまう。
【0006】具体的には、スポット光や太陽光などの非
常に強い光が入射しOB期間にも電荷が転送されると、
図14(b)のようにCDS出力のOB期間の信号レベ
ルは本来の黒レベルよりも高いものとなってしまう。こ
の状態でクランプ回路部5によりOB部をクランプして
しまうと、この高くなってしまったレベルが信号の基準
レベルとなる。したがって、図に示すCDS出力のよう
に有効画素部の信号とのレベル差が少なくなり、結果的
に暗い映像信号が得られることになる。更にOB部の電
位が高くなり有効画素部と同電位となってしまった場合
には、結果的に得られるものは真っ黒な映像信号となっ
てしまう。
【0007】図15は図14を時間軸を1水平期間まで
表したものである。通常時のCDS出力のようにOBレ
ベルが本来のレベルにあれば有効画素期間の信号レベル
は正しく処理されるが、OB期間電荷漏れ込み時のCD
S出力に示したような変動した黒レベルでクランプすれ
ば、変動した黒レベル以下の信号は黒とみなされ暗い映
像信号が得られることが容易に理解できる。更にOB期
間に多くの電荷が漏れこんでしまい、OB期間と有効画
素部の最も高いところとが同電位となってしまった場合
には、結果として得られる画像は真黒となってしまうこ
とも容易に理解できる。
【0008】本発明は、上記のような問題を解決するた
めに成されたもので、強い光が入射した場合でも、適正
な画像が得られる信号処理装置、その制御方法、及びそ
のプログラムを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本出願に係る請求項1に記載の信号処理装置は、光
を受光して信号を発生する光電変換手段を有する撮像手
段と、前記撮像手段から出力される信号をクランプする
ためのクランプパルスを発生するクランプパルス発生手
段と、前記撮像手段に照射される光量に関連して、前記
クランプパルス発生手段から出力されるクランプパルス
の発生を制御する制御手段と、を有する。
【0010】また、請求項2に記載の信号処理装置は、
請求項1の記載に加え、前記制御手段が、前記撮像手段
に照射される光量に関連して、前記クランプパルス発生
手段から出力されるクランプパルスのパルス位置を制御
する。
【0011】また、請求項3に記載の信号処理装置は、
請求項2の記載に加え、前記制御手段が、光量増加に伴
いクランプパルスの発生を遅らせるよう制御する。
【0012】また、請求項4に記載の信号処理装置は、
請求項2の記載に加え、前記制御手段が、前記撮像手段
に照射される光量の増加に伴いオプティカルブラック期
間の経過後にクランプパルスを発生させる。
【0013】また、請求項5に記載の信号処理装置は、
請求項1の記載に加え、前記制御手段が、前記撮像手段
に照射される光量に関連して、前記クランプパルス発生
手段から出力されるクランプパルスのパルス幅を制御す
る。
【0014】また、請求項6に記載の信号処理装置は、
請求項5の記載に加え、前記制御手段が、前記撮像手段
に照射される光量の増加に伴いクランプパルス幅を狭く
するよう制御することを特徴とする請求項5に記載の信
号処理装置。
【0015】また、請求項7に記載の信号処理装置は、
請求項1乃至6のいずれかの記載に加え、前記撮像手段
が遮光領域を有し、前記制御手段は、該遮光領域近傍に
照射される光量に応じて光量に関連して、前記クランプ
パルス発生手段から出力されるクランプパルスの発生を
制御する。
【0016】また、請求項8に記載の信号処理装置は、
請求項7の記載に加え、前記制御手段が、該遮光領域近
傍以外に照射される光量の変化に対して、前記クランプ
パルス発生手段から出力されるクランプパルスの発生を
固定する。
【0017】また、請求項9に記載の信号処理装置は、
被写体光を受光して信号を発生する撮像手段と、前記撮
像手段から出力される前記信号をクランプするためのク
ランプパルスを発生する第1、第2のクランプパルス発
生手段と、前記光電変換手段に照射される光量に関連し
て、前記第1のクランプパルス発生手段と前記第2のク
ランプパルス発生手段との選択を制御する制御手段と、
を有する。
【0018】また、請求項10に記載の信号処理装置の
制御方法は、光を受光した撮像手段から発生した信号を
処理する信号処理装置の制御方法であって、前記撮像手
段から出力される信号をクランプするためのクランプパ
ルスを発生させるよう制御するとともに、前記撮像手段
に所定領域に照射される光量に関連して、前記クランプ
パルス発生手段から出力されるクランプパルスの発生を
制御する。
【0019】また、請求項11に記載のプログラムは、
請求項10に記載の信号処理装置の制御方法を実現する
ためのプログラムである。
【0020】
【発明の実施の形態】<第1の実施の形態>本発明の実
施の好適な一形態について、図1から図6に基づいて説
明すると以下のとおりである。
【0021】本実施形態における固体撮像装置の構成を
図1に示す。1は被写体の光学像を固体撮像素子3に結
像させるレンズ、2はシャッター機能を有しレンズ1を
通った光量を制御するための絞りを兼ねた絞り・シャッ
ター、3はレンズ1で結像された被写体光を電気信号と
して取り込むための固体撮像素子、4は固体撮像素子3
より出力される電気信号のクロックの除去やノイズの軽
減するための相関二重サンプリングを行うCDS部、5
はCDS部4の出力信号を後述のタイミング発生部8か
ら供給されるクランプパルスのタイミングで所定の基準
電圧にクランプするクランプ回路部、6はクランプ出力
の信号をアナログ信号からデジタル信号に変換するA/
D変換部、7は表示や記録などをするために所望の形式
となるように種々の信号処理や変換を行う信号処理部、
8は固体撮像素子3・CDS部4・クランプ回路部5お
よびA/D変換部6へ必要なパルスを発生するタイミン
グパルス発生部、9はレンズ1や絞り・シャッター2を
駆動するための光学系駆動部、10は撮像装置全体の制
御及び各種演算を行うシステム制御部、11は信号処理
部7からの信号を受けLCD等に表示する表示部、12
は画像データの記録又は読み出しを行うための半導体メ
モリー等の記録媒体である。次に、本発明の固体撮像装
置の基本動作を図2のフローチャートを用いて簡単に説
明する。撮像装置は、メインスイッチオンする(S30
1)とメイン電源およびコントロール系の電源がオンさ
れる。モードが撮影または再生かを判断し(S302)
撮影モードであれば撮影シーケンスに入る。再生モード
であった場合は再生シーケンスに行き、記録媒体12か
らデータを一旦信号処理部7に取り込み(S317)表
示のための信号処理を行い、LCD等に画像を表示する
(S318)。その後、メインスイッチがオフされるま
で画像を表示し、メインスイッチがオフされたら(S3
19)画像の表示を中止し電源をオフする。
【0022】S302の判断において撮影シーケンスに
入った場合は、AFレンズのレンズ位置をリセット位置
まで駆動し、固体撮像素子3やタイミングパルス発生部
7など撮像系回路の電源をオンする。システム制御部1
0の制御により光学系駆動部9からの信号で絞り・シャ
ッター2をまず開放にした後(S304)測光シーケン
スに入り、固体撮像素子3を通った信号をCDS部4で
相関二重サンプリング、クランプ回路部5でOB部をク
ランプ、A/D変換部6でA/D変換を行う。その変換
された画像データを信号処理部7で処理し、更にシステ
ム制御10に入力しここで測光値から露出制御値を演算
する(S600)。この演算結果に応じてシステム制御
10はプログラム線図により、絞り、シャッタースピー
ド決定し制御する(S305)。表示モードを確認し
(S306)、表示ONのモードであればLCD等の表
示を行い(S307)、そうでない場合はレリーズスイ
ッチの第1のスイッチがオンされるまで待機する。第1
のスイッチがオンされると(S308)、再び測光シー
ケンスに入り測光および演算を行い(S600)、その
結果に応じてシステム制御10は再度プログラム線図に
より、絞り、シャッタースピード決定し再度制御する
(S309)。次に、固体撮像素子3、CDS部4、ク
ランプ部5、A/D変換部6を通った信号から信号処理
部7で高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を
システム制御10で行う(S310)。その後レンズを
駆動して合焦か否かを判断し(S311)、合焦してい
ないと判断したときは再びレンズを駆動し測距を行う。
合焦後、レリーズスイッチの第2のスイッチがオンされ
るまで待機し、第2のスイッチがオンされたら(S31
2)静止画の露光を行う(S313)。露光が終了する
と、固体撮像素子3、CDS部4、クランプ部5、A/
D変換部6を通った画像データは信号処理部7で所望の
信号処理を行い、システム制御10の制御により半導体
メモリー等の記録媒体12に記録される。この時第2の
スイッチが押され続けていた場合は(S314)、LC
D等に画像を表示し(S315)第2のスイッチがオフ
されるまで表示し続け、オフされた時には表示を止めて
撮影を終了する。S316ではじめから第2のスイッチ
がオフだった場合は、表示は行わずに撮影を終了する。
メインスイッチがオフされていなければ(S316)、
レリーズスイッチの第1のスイッチが押されるまでのシ
ーケンスを再度行い、レリーズスイッチの第1のスイッ
チがオンされるまで待機する。メインスイッチがオフさ
れれば光学ブロックの各メカは所定の位置に戻りメイン
の電源を切る。
【0023】以下、本発明の実施の形態1の動作につい
て図3の固体撮像素子からクランプ回路部までのブロッ
ク図、図4のタイミング図、図5の測光領域図、図6の
測光シーケンスのフローチャートを用いて説明する。
【0024】図3においてVφ1、Vφ3は読み出しパ
ルスを有する垂直転送パルスで、固体撮像素子3へ出力
する。SH1、SH2はCDS部4で相関二重サンプリ
ングを行うためのパルスで、サンプルホールドパルスS
H1でリセットレベルを、サンプルホールドパルスSH
2で信号レベルをサンプルホールドする。101はクラ
ンプ回路部5へ出力するクランプパルスCPOBのパル
スを設定するパルス設定部であり、システム制御部10
からのパルス制御信号により制御される。CPOBは図
4に示すようにOB期間にLOWとなりCDS出力のO
B部をクランプするためのパルスである。
【0025】図5は測光時における測光領域の区分けを
固体撮像素子上に示した図である。有効画素領域111
を縦に8行、横に8列の合計64の測光領域に分け、各
測光領域から光量に応じた値を測光値として得る。な
お、測光領域を縦横8*8に分けたのは1例でありこの
数字に限定するものではなく、8より多くても少なくて
も構わないし縦横が同数でなくとも良い。ただし、一般
的には測光領域を細分化した方が処理の自由度が大きく
なる。112はアルミ等で遮光を施したOB期間を示
し、102は水平期間の終わりのOB期間(図4に示し
たOB期間)に隣接している8個の測光領域を示す。
【0026】次に図6の測光シーケンスのフローチャー
トに従って説明する。測光シーケンスに入ると、レンズ
を介して入射した被写体光を固体撮像素子3で受光し、
その出力信号をCDS部4で相関二重サンプリング、ク
ランプ回路部5でクランプ、A/D変換部6でA/D変
換を行い、その変換された画像データを信号処理部7で
処理し、更にシステム制御10に入力し図5に示した測
光領域毎に光量に応じた測光値を取得する(S60
1)。複数の測光領域のうち水平期間の終わりのOB部
に隣接する8個の測光領域102の各々の測光値を所定
値Aと比較する(S602)。前記8個の測光領域のう
ち少なくとも1個が所定値Aよりも大きい場合は所定値
2と比較する(S603)。そうでない場合は、所定の
演算式に基づき演算を行い露出条件を求める(S60
6)。S603の所定値Bとの比較において前記8個の
測光領域のすべてが所定値Bよりも小さい場合は、シス
テム制御部10からのパルス制御信号によりタイミング
発生部8のパルス発生回路から出力するCPOBを、図
4のCPOB切り替え1のようにLOWパルスの出力位
置の設定をOB期間内の後方へと変更する(S60
4)。逆にS603の所定値2との比較において前記8
個の測光領域のうち少なくとも1個が所定値2よりも大
きい場合は、システム制御部10からのパルス制御信号
によりタイミング発生部8のパルス発生回路から出力す
るCPOBを、図4のCPOB切り替え2のようにLO
Wパルスの出力位置の設定を更にOB期間内の後方へと
変更する(S605)。S604またはS605でパル
スの設定変更をおこなった後は所定の演算式に基づく演
算により露出条件を求め、測光シーケンスを終了する。
【0027】ここで、図4を用いてCPOBの設定変更
について説明する。CPOBは通常(a)に示すように
OB期間のある期間がLOWとなるパルスである。とこ
ろで、スポット光や太陽光などの非常に強い光が入射し
図14(b)のCCD出力図に示すようにOB部へ電荷
の漏れ込みが発生した場合、OB部への電荷の漏れ込み
は有効画素側から徐々におこる。
【0028】そこで、水平期間の終わりのOB部に隣接
する8個の測光領域102の各々の測光値を所定値Aと
比較し、所定値Aを超えている領域が少なくとも1個以
上あるときは、OB部に電荷が漏れ込む可能性があると
判断し、図のCPOB切り換え1のようにパルス位置を
後方に変更する。更に所定値Bと比較して所定値Bを超
えている領域が少なくとも1個以上のときは、OB部に
さらに電荷が漏れ込む可能性があると判断し、図4に示
すCPOB切り替え2のようにパルス位置を更にOB期
間内の後方に変更する。上記に示した所定値Aと所定値
Bの大小関係は所定値2の方が大きい。このように画面
右側に入射する光量に応じてクランプパルスの位置の設
定を変更することにより、OB期間に電荷の漏れ込みが
発生する可能性がある場合においても電荷の漏れ込みの
ない本来の基準となるべきOB部をクランプすることが
可能となる効果を有する。
【0029】また、OB期間に電荷が漏れ込む現象に対
してOB期間のクランプパルスで対応する方法には、図
7に示す方法もある。図7において通常時のクランプパ
ルスはOB期間のほぼ全体をクランプするパルス幅の設
定になっている。図4に示した場合と同様に、水平期間
の終わりのOB部に隣接する8個の測光領域102の各
々の測光値を所定値Aと比較する。そして、所定値Aを
超えている領域が少なくとも1個以上あるときはCPO
B切り換え1のようにパルス幅をOB期間内の後方に狭
くなるように変更する。更に所定値Bと比較して所定値
Bを超えている領域が少なくとも1個以上あるときは、
図のCPOB切り換え2のようにパルス幅を更にOB期
間内の後方に狭くなるように変更する。図7に示したこ
の方法においても図4に示した方法と同様に、OB期間
に電荷の漏れ込みが発生する可能性がある場合にいても
電荷の漏れ込みのない本来の基準となるべきOB部をク
ランプすることが可能となる効果を有する。また、図7
に示した方法の場合には、次の場合に特に有効である。
すなわち、撮像装置のクランプ回路において、クランプ
の時定数を短くした場合、ライン間で異なるOBレベル
をサンプルホールドしてクランプすることになり、結果
として画面上に水平方向の筋状のノイズとなり画質に影
響を与えてしまうことがある。従って、従来の撮像装置
のクランプ回路においては、画質と応答スピードを考慮
してOBクランプ時の時定数はある程度長くする必要が
ある。かかる場合にOB期間への電荷の漏れ込みが発生
する可能性がある場合にいても有効にクランプすること
ができる。
【0030】また、本実施の形態においてはクランプパ
ルスの位置設定および幅設定は、回路的な構成を変更す
ることなくシステム制御部10からのパルス制御信号の
みで実現可能であるので、コストをかけずに実現できる
という効果も有する。
【0031】なお、上記実施の形態では、図4,図7に
示したように、クランプパルスの位置、幅を制御した
が、このコンビネーションでも構わない。たとえば、測
光値が大きくなるに伴い、パルスの位置を有効画素から
遠ざけるように制御すると共に、パルスの幅を狭めるよ
うに制御する。また、測光値が小さくなるに伴い、パル
スの位置を有効画素から近づけるようにすると共に、パ
ルスの幅を広めるように制御するといった具合である。
【0032】<第2の実施の形態>次に本発明の第2の
実施の形態について述べる。本実施の形態においては、
実施の形態1に記載と同様の構成については、同一図面
を使用する。したがって、信号処理装置としての固体撮
像装置の構成を示す図1、固体撮像装置の基本動作を示
す図2および測光時の測光領域の区分けを示した図5は
本発明の実施の形態2をも示し説明は省略する。
【0033】以下、本発明の第2の実施の形態の動作に
ついて図8のブロック図、図9のタイミング図および図
10の測光シーケンスのフローチャートを用いて説明す
る。
【0034】図8において図3と同じ機能を有するブロ
ックには同じ番号を付加してあり、機能が同じであるも
のの説明は省略する。103はクランプ回路部5へ出力
するクランプパルスCPOBを、CPOB1またはCP
OB2のどちらかに切り換えるためのスイッチであり、
システム制御部10からの切り換えパルスにより制御さ
れる。図9に示すように、CPOB1はOB期間にLO
Wとなるパルスであり、CPOB2は水平帰線期間と有
効画素期間の間にある所謂ダミー期間にLOWとなるパ
ルスである。ダミー期間は水平転送レジスタのうちで垂
直転送レジスタから電荷を転送されない部分である。別
言すれば、本来の光学的黒レベルと全く一致するもので
はないが擬似的な黒レベルと見なすことができる期間で
ある。
【0035】次に図10の測光シーケンスのフローチャ
ートに従って説明する。図10において図6と同じ機能
を有するステップには同じ番号を付加してある。測光シ
ーケンスに入ると、レンズを介して入射した被写体光を
固体撮像素子3で受光し、その出力信号をCDS部4で
相関二重サンプリング、クランプ回路部5でクランプ、
A/D変換部6でA/D変換を行い、その変換された画
像データを信号処理部7で処理し、更にシステム制御1
0に入力し図5に示した測光領域毎に光量に応じた測光
値を取得する(S601)。複数の測光領域のうち水平
期間の終わりのOB部に隣接する8個の測光領域102
の各々の測光値を所定値Aと比較する(S602)。前
記8個の測光領域のうち少なくとも1個が所定値Aより
も大きい場合は所定値Bと比較する(S603)。そう
でない場合は、所定の演算式に基づき演算を行い露出条
件を求める(S606)。S603の所定値Bとの比較
において前記8個の測光領域のすべてが所定値Bよりも
小さい場合は、システム制御部10からのパルス制御信
号によりタイミング発生部8のパルス発生回路から出力
するCPOBを、図9のCPOB切り換え1のようにL
OWパルスの出力位置の設定をOB期間の後方へと変更
する(S604)。S603で所定値Bとの比較におい
て前記8個の測光領域のうち少なくとも1個が所定値B
よりも大きい場合は、更に所定値Cと比較する(S90
1)。S901での所定値Cとの比較において前記8個
の測光領域のすべてが所定値Cよりも小さい場合は、更
にOB期間の後方へと変更する(S605)。すなわ
ち、システム制御部10からのパルス制御信号によりタ
イミング発生部8のパルス発生回路から出力するCPO
Bを、図9のCPOB切り換え2のようにLOWパルス
の出力位置の設定を更にOB期間の後方へと変更する。
逆にS901での所定値3との比較において、前記8個
の測光領域のうち少なくとも1個が所定値3よりも大き
い場合は、クランプパルスをCPOB1からCPOB2
へ切り換える(S902)。すなわち、大幅にOB期間
に電荷が漏れこんでしまう可能性があると判断し、シス
テム制御部10からの切り換えパルスによりスイッチ1
03を制御しクランプ回路部5へのクランプパルスをC
POB1からCPOB2へ切り換える。CPOB2は図
9に示すように水平帰線期間と有効画素期間の間にある
所謂ダミー期間にLOWとなるパルスである。このダミ
ー期間は水平転送レジスタのうちで垂直転送レジスタか
ら電荷を転送されない部分で、本来の光学的黒レベルと
全く一致するものではないが擬似的な黒レベルと見なす
ことができる。従ってクランプ回路部5にCPOB2を
入力したときも正常時にほぼ等しいクランプ電位でクラ
ンプすることが可能となる。つまり、OB部に電荷が漏
れこまない正常時はクランプパルスを本来のCPOB1
とすることにより本来の黒レベルをクランプすることが
できる。一方、OB期間全体に電荷が漏れむ可能性があ
る場合はクランプパルスをCPOB2とすることにより
本来の光学的黒レベルと全く一致するものではないが擬
似的な黒レベルのダミー期間をクランプすることにより
ほぼ正常なクランプ電位でクランプできる効果を有す
る。
【0036】なお、ダミー期間とOB期間とのレベル差
が無視できない場合は、正常時のクランプ電位とダミー
期間のクランプ電位のレベル差を知っておくことによ
り、クランプ回路部5またはA/D変換部6でレベル差
を補正しても良い。
【0037】また、所定値A、BおよびCの値の設定次
第では、クランプパルスCPOB1のパルス位置の設定
変更を行なわずに、クランプ手段へ供給するクランプパ
ルスを直ちにCPOB1からCPOB2へと切り換えら
れることは明らかである。
【0038】そして、S604またはS605でパルス
設定変更をおこなった場合かまたはS902でパルスの
切り換えをおこなった後は、所定の演算式に基づく演算
により露出条件を求め測光シーケンスを終了する。
【0039】上記の実施の形態における信号処理として
の固体撮像装置によれば、クランプ手段に入力するクラ
ンプパルスのパルス位置またはパルス幅を画面の右側に
入射する光量に応じてOB期間内の後方に設定変更する
ことにより、電荷の漏れがないOB期間後方のOB部を
クランプさせることができる効果を有する。
【0040】また、画面の右側に入射する光量が所定値
以上となりOB期間全体に電荷が漏れむ可能性がある場
合においては、前記クランプ手段に入力するクランプパ
ルスを、OB期間をクランプするパルスからダミー期間
をクランプするパルスに切り換えることにより、本来の
黒レベルに擬似的に等しいレベルにクランプさせること
ができる効果を有する。
【0041】またクランプパルスの位置、幅の設定およ
びクランプパルス他のクランプパルスに切り換える方法
は、回路的な変更を行うことなしに実現できるためコス
ト的にも有用である。
【0042】また、本実施の形態においては回路的な構
成を変更することなくシステム制御部10からの切り換
えパルスの制御のみでクランプパルスの切り換えが可能
であるので、コストをかけずに実現できるという効果も
有する。
【0043】なお、上記第1、及び第2の実施の形態で
は、測光値と所定値A、Bとの比較において、クランプ
パルスの制御を行なったところ、測光により得られた値
に相関してパルスの位置、幅を制御するようにしても構
わない。例えば、測光値が大きくなるに伴い、パルスの
位置を有効画素から遠ざけるように制御したり、あるい
は、パルスの幅を狭めるように制御する。また、測光値
が小さくなるに伴い、パルスの位置を有効画素から近づ
けるように制御したり、あるいは、パルスの幅を広める
ように制御するといった具合である。この場合、測光値
に対して線形的に対応することができる。
【0044】また、上記第1、第2の実施の形態では、
図13に示された固体撮像装置が有する固体撮像素子の
チップの構成を用いて説明したがこれに限るものではな
い。例えば、図11に示した固体撮像素子のチップの構
成でも構わない。すなわち、図13にあるように、OB
領域112と出力回路117が向かって左右対称の位置
にあるところ、図13では、向かって右にOB領域11
2、左に出力回路117がある。この場合においても、
測光値が高い場合には有効画素期間からなるべく遠いと
ころをクランプしたいという考えがある。したがって、
出力回路117とOB領域112が同じ場合、信号とし
ての電荷の水平転送は右方向となり電荷の漏れ込みは左
側の画素へとる。つまり、OBへの漏れこみは左側の画
素すべて漏れこんだ後になる。そうすると有効画素のそ
ばのOBが一番最後に漏れこむことになる。したがっ
て、1水平期間後のOB期間において、上記第1、第2
の実施の形態と同様のパルス制御が有効となる。
【0045】<その他の実施の形態>本発明の目的は、
第1及び第2及び第3の実施の形態のホスト及び端末の
機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶
した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシ
ステム或いは装置のコンピュータ(又はCPUやMP
U)が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読みだ
して実行することによっても、達成されることは言うま
でもない。
【0046】この場合、記憶媒体から読み出されたプロ
グラムコード自体が第1及び第2の実施の形態の機能を
実現することとなり、そのプログラムコードを記憶した
記憶媒体は本発明を構成することとなる。
【0047】プログラムコードを供給するための記憶媒
体としては、ROM、フロッピー(登録商標)ディス
ク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、C
D−ROM、CD−R、磁気テープ、不揮発性のメモリ
カード等を用いることができる。
【0048】また、コンピュータが読みだしたプログラ
ムコードを実行することにより、第1及び第2及び第3
の実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプロ
グラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動し
ているOS等が実際の処理の一部又は全部を行い、その
処理によって第1及び第2の実施の形態の機能が実現さ
れる場合も含まれることは言うまでもない。
【0049】さらに、記憶媒体から読み出されたプログ
ラムコードが、コンピュータに挿入された拡張機能ボー
ドやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わ
るメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指
示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに
備わるCPU、システム制御部などが実際の処理の一部
又は全部を行い、その処理によって第1及び第2の実施
の形態の機能が実現される場合も含まれることは言うま
でもない。
【0050】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、強い光が
入射した場合でも、適正な画像が得られる信号処理装
置、その制御方法、及びそのプログラムを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態のフローチャートである。
【図3】第1の実施の形態における固体撮像素子からク
ランプ回路までのブロック図である。
【図4】第1の実施の形態のタイミング図である。
【図5】本発明の実施の形態の測光領域を示す図であ
る。
【図6】本発明の実施の形態1の測光シーケンスのフロ
ーチャートである。
【図7】第1の実施の形態のタイミング図である。
【図8】本発明の実施の形態2の固体撮像素子からクラ
ンプ回路までのブロック図である。
【図9】本発明の実施の形態2のタイミング図である。
【図10】本発明の実施の形態2の測光シーケンスのフ
ローチャートである。
【図11】別の固体撮像素子のチップの構成を示す説明
図である。
【図12】固体撮像装置の固体撮像素子からクランプ回
路までのブロック図である。
【図13】固体撮像素子のチップの構成を示す説明図で
ある。
【図14】(a)は通常動作時の波形図であり、(b)
はOB部に電荷が漏れ込んだときの波形図である。
【図15】1水平期間における通常動作時とOB部に電
荷が漏れ込んだときのCDS出力を示す波形図である。
【符号の説明】
1 レンズ 2 シャッタ機能付き絞り 3 固体撮像素子 4 CDS部 5 クランプ回路部 6 A/D変換部 7 信号処理部 8 タイミング発生部 9 光学系駆動部 10 システム制御部 11 表示部 12 記録媒体

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光を受光して信号を発生する光電変換手
    段を有する撮像手段と、 前記撮像手段から出力される信号をクランプするための
    クランプパルスを発生するクランプパルス発生手段と、 前記撮像手段に照射される光量に関連して、前記クラン
    プパルス発生手段から出力されるクランプパルスの発生
    を制御する制御手段と、を有することを特徴とする信号
    処理装置。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、前記撮像手段に照射さ
    れる光量に関連して、前記クランプパルス発生手段から
    出力されるクランプパルスのパルス位置を制御すること
    を特徴とする請求項1に記載の信号処理装置。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、光量増加に伴いクラン
    プパルスの発生を遅らせるよう制御することを特徴とす
    る請求項2に記載の信号処理装置。
  4. 【請求項4】 前記制御手段は、前記撮像手段に照射さ
    れる光量の増加に伴いオプティカルブラック期間の経過
    後にクランプパルスを発生させることを特徴とする請求
    項2に記載の信号処理装置。
  5. 【請求項5】 前記制御手段は、前記撮像手段に照射さ
    れる光量に関連して、前記クランプパルス発生手段から
    出力されるクランプパルスのパルス幅を制御することを
    特徴とする請求項1に記載の信号処理装置。
  6. 【請求項6】 前記制御手段は、前記撮像手段に照射さ
    れる光量の増加に伴いクランプパルス幅を狭くするよう
    制御することを特徴とする請求項5に記載の信号処理装
    置。
  7. 【請求項7】 前記撮像手段は遮光領域を有し、前記制
    御手段は、該遮光領域近傍に照射される光量に応じて光
    量に関連して、前記クランプパルス発生手段から出力さ
    れるクランプパルスの発生を制御することを特徴とする
    請求項1乃至6のいずれかに記載の信号処理装置。
  8. 【請求項8】 前記制御手段は、該遮光領域近傍以外に
    照射される光量の変化に対して、前記クランプパルス発
    生手段から出力されるクランプパルスの発生を固定する
    ことを特徴とする請求項7に記載の信号処理装置。
  9. 【請求項9】 被写体光を受光して信号を発生する撮像
    手段と、 前記撮像手段から出力される前記信号をクランプするた
    めのクランプパルスを発生する第1、第2のクランプパ
    ルス発生手段と、 前記光電変換手段に照射される光量に関連して、前記第
    1のクランプパルス発生手段と前記第2のクランプパル
    ス発生手段との選択を制御する制御手段と、を有するこ
    とを特徴とする信号処理装置。
  10. 【請求項10】 光を受光した撮像手段から発生した信
    号を処理する信号処理装置の制御方法であって、 前記撮像手段から出力される信号をクランプするための
    クランプパルスを発生させるよう制御するとともに、 前記撮像手段に所定領域に照射される光量に関連して、
    前記クランプパルス発生手段から出力されるクランプパ
    ルスの発生を制御することを特徴とする制御方法。
  11. 【請求項11】 請求項10に記載の信号処理装置の制
    御方法を実現するためのプログラム。
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