JP2003017720A

JP2003017720A - 光電変換装置

Info

Publication number: JP2003017720A
Application number: JP2001195878A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kyoda; 豪京田; Jun Fukuda; 潤福田; Shinya Kawai; 信也川井; Hisao Arimune; 久雄有宗
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】低コストで信頼性の高い光電変換装置を提供
することを目的とする。【解決手段】一方の電極層を有する基板上に一導電形
を呈する粒状結晶半導体を多数配設して基板と接合し、
この粒状結晶半導体間に絶縁体を充填してこの粒状結晶
半導体上に逆導電形を呈する半導体層を設けるととも
に、逆導電形を呈する半導体層に他方の電極を接続して
設けた光電変換装置において、前記粒状結晶半導体がシ
リコンから成り、前記絶縁体を酸化錫を１ｗｔ％以上２
０ｗｔ％以下で含有するガラス材料で形成したことか
ら、粒状結晶半導体間を埋め、クラック、発泡及び異常
析出等の欠陥の発生を防止した良好な絶縁体を形成で
き、よって信頼性の高い光電変換装置を提供することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は太陽光発電などに使
用される光電変換装置に関し、特に粒状結晶半導体を用
いた光電変換装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の粒状結晶半導体を用いた光電変換
装置を図３〜図５に示す。例えば図３に示すように、第
１のアルミニウム箔１０に開口を形成し、その開口にｐ
形の上にｎ形表皮部９を持つシリコン球２を結合し、球
２の裏側のｎ形表皮部９を除去し、第１のアルミニウム
箔１０の裏面側に酸化物絶縁層３を形成し、シリコン球
２の裏側の酸化物絶縁層３を除去し、シリコン球１と第
２のアルミニウム箔８とを接合する光電変換装置が開示
されている（例えば特開昭６１−１２４１７９号公報参
照）。

【０００３】また、図４に示すように、基板１上に低融
点金属層１１を形成し、この低融点金属層１１上に第１
導電形の粒状結晶半導体２を配設し、この粒状結晶半導
体２上に第２導電形のアモルファス半導体層７を上記低
融点金属層１１との間に絶縁層３を介して形成する光電
変換装置が開示されている（例えば特許第２６４１８０
０号公報参照）。

【０００４】また、図５に示すように、基板１上に高融
点金属層１２と低融点金属層１１と半導体微小結晶粒と
を堆積し、半導体の微小結晶粒を融解させて飽和させた
上で徐々に冷却して半導体を液相エピタキシャル成長さ
せることによって多結晶薄膜１３を形成する方法が開示
されている（例えば特公平８−３４１７７号公報参
照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すような光電変換装置においては、第１のアルミニウ
ム箔１０に開口を形成し、その開口にシリコン球２を押
し込んでシリコン球を第１のアルミニウム箔１０に接合
させる必要があるため、シリコン球２の球径に均一性が
要求され、高コストになるという問題点があった。ま
た、接合させるときの処理温度がアルミニウムとシリコ
ンの共晶温度である５７７℃以下であるため、接合が不
安定になるという問題があった。

【０００６】また、図４に示すような光電変換装置によ
れば、第１導電形の粒状結晶半導体２上に第２導電形の
アモルファス半導体層７を設けるため、安定なｐｎ接合
を形成するにはアモルファス導電層７の形成前に粒状結
晶半導体２の表面を十分にエッチングおよび洗浄する必
要があった。また、アモルファス半導体層７の光吸収が
大きいことに起因して膜厚を薄くしなければならず、ア
モルファス半導体層７の膜厚が薄い場合、欠陥に対する
許容度も小さくなり、洗浄工程や製造環境の管理を厳し
くする必要があり、その結果、高コストになるという問
題があった。

【０００７】また、図５に示すような光電変換装置によ
れば、低融点金属層１１が第１導電形の液相エピタキシ
ャル多結晶層１３中に混入するために性能が落ち、絶縁
体がないために下部電極１２との間にリークが発生する
という問題があった。

【０００８】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的は、低コストで高性能な光
電変換装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る光電変換装置は、一方の電極層を有
する基板上に一導電形を呈する粒状結晶半導体を多数配
設して基板と接合し、この粒状結晶半導体間に絶縁体を
充填してこの粒状結晶半導体上に逆導電形を呈する半導
体層を設けるとともに、逆導電形を呈する半導体層に他
方の電極を接続して設けた光電変換装置において、前記
粒状結晶半導体がシリコンから成り、前記絶縁体が含有
量１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化錫を含むガラス材
料から成ることを特徴とする。

【００１０】また、前記絶縁体の熱膨張係数が、３０〜
３００℃の温度範囲で３０〜６５×１０^-7／℃であるこ
とを特徴とする。

【００１１】また、前記絶縁体の軟化点が５６０℃以下
であることを特徴とする。

【００１２】また、前記基板の一方の電極層がアルミニ
ウムから成ることを特徴とする。

【００１３】また、前記粒状結晶半導体の平均粒径が
０．２〜０．６ｍｍであることを特徴とする。

【００１４】また、前記絶縁体が酸化鉛を実質的に含ま
ないことを特徴とする。

【００１５】本発明の光電変換装置によれば、基板上に
粒状結晶半導体を多数配置して加熱して両者の溶融した
合金部によって接合し、この多数の粒状結晶半導体の間
に絶縁体を充填した構造において、絶縁体が露出してい
る基板の全面を欠陥なく覆い、なお且つ絶縁体及び粒状
結晶半導体におけるクラック発生を防止することによっ
て、従来の特開昭６１−１２４１７９号公報、特許第２
６４１８００号公報、特公平８−３４１７７号公報、特
公昭６１−５９６７８号公報、特開平１０−２３３５１
８号公報で開示されている光電変換装置と比較して製造
マージンが大きく、低コストの製造が可能となる。つま
り、粒状結晶半導体をより低い粒径精度で製造すればよ
く、絶縁体によって正電極と負電極の分離を確実に行う
ことができる。更に絶縁体に酸化錫を含有するガラス材
料を用いることによって溶融したガラスと粒状結晶半導
体のシリコンが極度に反応することを防止し、低コスト
の製造が可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。図１および図２は、請求項１に係る光電
変換装置の一実施形態を示す図である。図１および図２
において、１は基板、２は粒状結晶半導体、３はガラス
材料から成る絶縁体、４は半導体層、５は保護層、６は
導電層（他方の電極層）、１５は基板１と粒状結晶半導
体の合金層である。

【００１７】基板１はアルミニウム以上の融点の金属、
セラミックであればよく、例えばアルミニウム、アルミ
ニウム合金、鉄、ステンレス、ニッケル、アルミナ等が
用いられる。

【００１８】基板１がアルミニウム以外の材料の場合
は、その材料とアルミニウムから成る電極層１’の構成
とし、アルミニウムから成る層１’には更に第２の添加
元素としてシリコン、マグネシウム、マンガン、クロ
ム、チタン、ニッケル、亜鉛、銀、銅から選ばれた１種
もしくは複数種の元素を添加してもよく、結晶半導体粒
子２の接合時の溶融過多の防止を維持することができ
る。アルミニウムから成る層１’膜厚は、２０μｍ以上
とする。２０μｍ未満では結晶半導体粒子２との接合を
行う際に膜厚が不足して十分な接合ができなくなる。

【００１９】基板１上には、第一導電型の結晶半導体粒
子２を多数配設する。この結晶半導体粒子２は、Ｓｉに
ｐ形を呈するＢ、Ａｌ、Ｇａ等、又はｎ形を呈するＰ、
Ａｓ等が微量元素含まれているものである。結晶半導体
粒子２の形状としては多角形を持つもの、曲面を持つも
の等があり、粒径分布としては均一、不均一を問わない
が、均一の場合は粒径を揃えるための工程が必要になる
ため、より安価にするためには不均一の方が有利であ
る。更に凸曲面を持つことによって光の光線角度の依存
性も小さい。

【００２０】結晶半導体粒子２の粒径としては、０．２
〜０．８ｍｍがよく、０．８ｍｍを越えると切削部も含
めた従来の結晶板型の光電変換装置のシリコン使用量と
変わらなくなり、結晶半導体粒子を用いるメリットがな
くなる。また、０．２ｍｍよりも小さいと基板１へのア
ッセンブルがしにくくなるという別の問題が発生してし
まう。より好適にはシリコン使用量の関係から０．２〜
０．６ｍｍがよい。

【００２１】結晶半導体粒子２を基板１上に多数配設す
る方法としては、結晶半導体粒子２を基板１の表面に接
着して固定する働きを持つ接合助層を形成した後、その
上から結晶半導体粒子２を散布し、余分な結晶半導体粒
子２を落とすことによって、結晶半導体粒子２を粒径の
大小によらずに安定して密に配置し、その後、一定の荷
重を結晶半導体粒子２上に掛けて、基板１のアルミニウ
ムと結晶半導体粒子２のシリコンとの共晶温度５７７℃
以上に加熱することによって、接合助層を焼飛しながら
基板と結晶半導体粒子の合金層１５を介して基板１と結
晶半導体粒子２を接合させる。このとき、基板１又は電
極層１’のアルミニウムは全て合金層１５となる。

【００２２】なお、合金層１５に接触している第１導電
形の領域では、基板１の材料であるアルミニウムが拡散
してｐ⁺層を形成している。しかしながら、単に導電性
拡散領域を形成するのであれば、ＡｌとＳｉとの共晶温
度である５７７℃以下でもできるが、基板１と粒状結晶
半導体２の接合が弱いために基板１から粒状結晶半導体
２が離脱し、太陽電池としての構造を維持できなくな
る。

【００２３】前述の接合助層の材質としては３００℃以
上で、基板１と結晶半導体粒子２との接合温度以下で焼
飛するものであればよく、酸化雰囲気で処理する場合に
は、例えばブチラール樹脂、メチルセルロース、エチル
セルロース、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエ
チレングリコール（ＰＥＧ）等の樹脂を溶媒で溶解させ
た有機系の樹脂が上げられ、形成方法は、スクリーン印
刷法、ドクターブレード法、スプレー法、ディッピング
法等で基板１の表面上に１０〜１００μｍの厚みに塗布
形成する。

【００２４】絶縁体３は、正極と負極の分離を行うため
の絶縁材料からなり、例えばＳｉＯ ₂、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ
₃、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｐ₂Ｏ₅、Ｌｉ₂Ｏ、ＳｎＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＢａＯ、ＴｉＯ₂等を任意な成分とする主材料の低
温焼成用ガラス材料単体あるいは上記材料の１種又は複
数から成るフィラーを複合した絶縁体がある。上記材料
の粉末を溶媒或いはバインダーを用いてペーストとし、
基板１に配設された粒状結晶半導体２の上から塗布した
後に、アルミニウムとシリコンの共晶温度である５７７
℃以下の温度で加熱することによってガラス材料を溶融
して絶縁体３を形成する。加熱温度が５７７℃を越える
と、アルミニウムとシリコンの合金層１５が溶融し始め
るために、基板１と粒状結晶半導体２との接合が不安定
となり、場合によっては粒状結晶半導体２が基板１から
離脱してしまい、発電電流を取り出せなくなる。ガラス
材料を溶融して絶縁体３を形成する際、溶融したガラス
材料と粒状結晶半導体２のシリコンとが極度に反応する
と発泡現象が現れ、発泡によって絶縁体に欠陥が生じて
リークの問題が発生する。そこで、溶融したガラス材料
と粒状結晶半導体２のシリコンとの反応を抑制するため
に、ガラス材料に酸化錫を添加する。添加量は１ｗｔ％
以上２０ｗｔ％以下であればよく、１ｗｔ％未満では発
泡現象を抑制できず、２０ｗｔ％を越えるとガラス材料
の軟化点が上昇してしまい、５７７℃で溶けなくなるた
めに粒状結晶半導体間を埋めることができなくなる。

【００２５】ガラス材料の特性として熱膨張係数が３０
〜３００℃の温度範囲で３０〜６５×１０^-7／℃の材料
を用いる。熱膨張係数が３０×１０^-7／℃以下だとアル
ミニウムを用いた基板（Ａｌの熱膨張係数：２４０×１
０^-7／℃）との熱膨張係数差が大きくなるために、絶縁
体３を形成した後に絶縁体表面にクラックが発生してし
まい、６５×１０^-7／℃を越えると、粒状結晶半導体２
（例えばＳｉの熱膨張係数：２６×１０^-7／℃）との熱
膨張係数差が大きくなるために、粒状結晶半導体２及び
その周辺の絶縁体３にクラックが発生してしまう。ま
た、軟化点においては、半導体層を形成する際の温度で
融解又は分解しないことが必要であり、且つ軟化点が５
６０℃を越えると、基板１と粒状結晶半導体２の接合温
度である５７７℃近辺の温度において材料が溶けずに粒
状結晶半導体間を埋めることができなくなり、絶縁体と
しての機能が果たせなくなる。よって軟化点の範囲は非
晶質の半導体層を形成する温度を考慮して２００〜５６
０℃、好適には非晶質と結晶質の混晶から成る半導体層
を形成する温度を考慮して３５０〜５６０℃がよい。

【００２６】絶縁体を形成した後、粒状結晶半導体２の
表面を洗浄するために、弗酸を含む洗浄液で洗浄する
が、そのときに、絶縁体３中に鉛成分が含有している
と、洗浄時に鉛成分が還元されて金属鉛が絶縁体３の表
面に析出して、リークの原因となることから、絶縁体３
は酸化鉛を含まないガラス材料を用いることがよい。

【００２７】絶縁体３の材料は上記の条件を満たすもの
であればよい。なお、絶縁体３の形成はここでは基板１
上に少なくとも粒状結晶半導体２を接合後に形成する方
法で説明したが、基板１上に少なくとも粒状結晶半導体
２を多数配置して基板と接合するときに同時に形成して
もよい。

【００２８】半導体層４は例えばＳｉから成り、気相成
長法等で例えばシラン化合物の気相にｎ形を呈するリン
系化合物の気相、又はｐ形を呈するホウ素系化合物の気
相を微量導入して形成する。膜質としては結晶質、非晶
質、結晶質と非晶質とが混在するのどちらでもよいが、
光線透過率を考慮すると結晶質又は結晶質と非晶質とが
混在するものがよく、光線透過率については、粒状結晶
半導体２がない部分で入射光の一部が半導体層４を透過
し、下部の基板１で反射して粒状結晶半導体２に照射さ
れることで、光電変換装置全体に照射される光エネルギ
ーを効率よく粒状結晶半導体２に照射することが可能と
なる。

【００２９】導電性については、層中の微量元素の濃度
は高くてもよく、例えば１×１０¹⁶〜１０²¹ａｔｍ／ｃ
ｍ³台程度である。

【００３０】更に、半導体層４は粒状結晶半導体２の表
面に沿って形成し、粒状結晶半導体２の凸曲面形状に沿
って形成することが望ましい。粒状結晶半導体２の凸曲
面状の表面に沿って形成することによってｐｎ接合の面
積を広く稼ぐことができ、粒状結晶半導体２の内部で生
成したキャリアを効率よく収集することが可能となる。
なお、その外郭にｎ形を呈するＰ、Ａｓ等、又はｐ形を
呈するＢ、Ａｌ、Ｇａ等が微量含まれている粒状結晶半
導体２を用いる場合には、半導体層４はなくてもよく、
その上に下記の導電層６を形成してもよい。

【００３１】半導体層４上には導電層（他方の電極層）
６を形成してもよい。導電層６はスパッタリング法や気
相成長法等の成膜方法あるいは塗布焼成等によって形成
し、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂等か
ら選ばれる１種又は複数の酸化物系膜、又はＴｉ、Ｐ
ｔ、Ａｕ等から選ばれる１種又は複数の金属系膜を形成
する。なお、導電層６は透明であることが必要であり、
粒状結晶半導体２がない部分で入射光の一部が導電層６
を透過し、下部の基板１で反射して粒状結晶半導体２に
照射されることで、光電変換装置全体に照射される光エ
ネルギーを効率よく粒状結晶半導体２に照射することが
可能となる。透明導電層は膜厚を選べば反射防止膜とし
ての効果も期待できる。更に、導電層６は半導体層４あ
るいは粒状結晶半導体２の表面に沿って形成し、粒状結
晶半導体２の凸曲面形状に沿って形成することが望まし
い。粒状結晶半導体２の凸曲面状の表面に沿って形成す
ることによってｐｎ接合の面積を広く稼ぐことができ、
粒状結晶半導体２の内部で生成したキャリアを効率よく
収集することが可能となる。

【００３２】半導体層４あるいは導電層６上に保護層５
を形成してもよい。このような保護層５としては透明誘
電体の特性を持つものがよく、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等で
例えば酸化珪素、酸化セシウム、酸化アルミニウム、窒
化珪素、酸化チタン、ＳｉＯ ₂−ＴｉＯ₂、酸化タンタ
ル、酸化イットリウム等を単一組成又は複数組成で単層
又は組み合わせて半導体層４又は導電層６上に形成す
る。保護層５は、光の入射面に接しているために、透明
性が必要であり、また半導体層４又は導電層６と外部と
の間のリークを防止するために、誘電体であることが必
要である。なお、保護層５の膜厚を最適化すれば反射防
止膜としての機能も期待できる。

【００３３】また、直列抵抗値を低くするために、半導
体層４又は導電層６の上に一定間隔のフィンガーやバス
バーといったパターン電極を設けて直接又は間接的に半
導体層４と接続し、変換効率を向上させることも可能で
ある。

【００３４】

【実施例】次に、本発明の光電変換装置の実施例を説明
する。〔例１〕実施例として以下のようにして作製した試料１
を用いた。アルミニウム合金をステンレス基材上に５０
μｍの厚みで冷間圧着で形成した基板を用い、接合助層
としてブチラール樹脂を有機溶媒で溶解させ、スクリー
ン印刷又はドクターブレードで塗布して形成した。その
上に直径約０．２〜０．６ｍｍのｐ形シリコン粒子を数
回散布して接合助層にｐ形シリコン粒子を十分に接着さ
せ、その後基板を傾けて余分なｐ形シリコン粒子を取り
除いた。その後、ｐ形シリコン粒子が動かないように一
定の荷重をかけて押し付けた状態で、大気中でアルミニ
ウムとシリコンの共晶温度である５７７℃以上の温度で
５〜３０分加熱してシリコン粒子をアルミニウム合金に
接合させた。その上に絶縁体３を形成するためのＳｉＯ
₂、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｌｉ₂Ｏ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯを成
分とする表１に示す低温焼成用ガラス粒子（平均粒径
０．５〜５μｍ）をペースト化したものを焼成後の厚み
がシリコン粒子２の粒径の半分近くになるように塗布し
て形成し、大気中でアルミニウムとシリコンの共晶温度
である５７７℃以上の温度で５〜３０分加熱して絶縁体
３を形成した。なお、比較例６、７には更にＰｂＯを添
加したものを用いた。

【００３５】以上の方法で絶縁体３の材料を変えて作製
した試料（ｎ＝５）のシリコン粒子２と絶縁体３の応力
クラック及び絶縁体３の融解状態等を確認した結果を表
２に示す。その後ｐ形シリコン粒子の上部表面をクリー
ニングするために弗酸水溶液（ＨＦ：純水＝１：１０
０）で２〜５分洗浄した外観結果も表２に示す。次に、
シリコン粒子２と絶縁体３の上にｎ形結晶質シリコンと
非晶質シリコンとの混晶の半導体層４を３００ｎｍの厚
みに形成し、更に保護層５として窒化珪素膜を６００ｎ
ｍの厚みに形成した。そして、保護層５の一部をエッチ
ング除去したところにパターン電極を設けて半導体層４
と接続させて他方の電極とした。以上のようにして作製
した試料に垂直に光を入射させて測定した変換効率の結
果を表２に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】比較例１は絶縁体３が５７７℃で溶けなか
った。これは、絶縁体３への酸化錫の含有量が２２ｗｔ
％と高いためと考えられる。また、比較例２、３ではシ
リコン粒子２と絶縁体３との境界で発泡し、ガラス中の
酸化錫の含有量が１ｗｔ％未満であるために、シリコン
粒子２と絶縁体３とで激しい反応が起こったものと考え
られる。一方実施例１〜５ではシリコン粒子２と絶縁体
３との境界には発泡が見られず、絶縁体３はシリコン粒
子２間の隙間を埋めることができ、ガラス中の酸化錫が
１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下で良好な結果が得られた。

【００３９】比較例４では熱膨張係数が６８×１０^-7／
℃でシリコン粒子２及び絶縁体３にクラックが発生した
が、実施例１〜５では熱膨張係数が６５×１０^-7／℃以
下であり、クラックは見られなかった。このことから、
熱膨張係数は６５×１０^-7／℃以下がよいことがわかっ
た。

【００４０】比較例５では軟化点が５７０℃と高いため
に、ガラス粒子が溶けなかったが、実施例１〜５では軟
化点が５６０℃以下でガラス粒子が溶けてシリコン粒子
２間を埋めることができた。このことから、軟化点とし
ては５６０℃以下がよいことがわかった。

【００４１】比較例６、７では絶縁体３を形成した後に
弗酸水溶液（ＨＦ：純水＝１：１００）で２〜５分洗浄
した際に、絶縁体３の表面に金属鉛の異常析出が見ら
れ、変換効率を測定すると極度にリークが発生して測定
不可能であった。一方、実施例１〜５では金属等の異常
析出は見られず、変換効率も正常に測定できた。このこ
とから、絶縁体３のガラス材料には酸化鉛は含有しない
方がよいことがわかった。

【００４２】実施例６、７ではシリコン粒子２の粒子径
を０．２ｍｍと０．６ｍｍに変えて試料を作製したが、
実施例１〜４と同様の変換効率が得られた。

【００４３】以上のことより、本発明の光電変換装置に
よれば、シリコン粒子２間を埋め、クラック、発泡及び
異常析出等の欠陥の発生を防止した良好な絶縁体を形成
できることが確認できた。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、請求項１に係る光電変換
装置によれば、シリコンから成る粒状結晶半導体間に充
填する絶縁体として酸化錫を１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以
下で含有するガラス材料を用いることから、粒状結晶半
導体を埋め、クラック、発泡及び異常析出等の欠陥の発
生を防止した良好な絶縁体を形成でき、よって信頼性の
高い光電変換装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電変換装置の実施の形態の一例を示
す断面図である。

【図２】本発明の光電変換装置のその他の実施の形態の
一例を示す断面図である。

【図３】従来例１の光電変換装置を示す断面図である。

【図４】従来例２の光電変換装置を示す断面図である。

【図５】従来例３の光電変換装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・・基板１’・・・アルミニウムから成る電極層２・・・・第一導電形の粒状結晶半導体３・・・・絶縁体４・・・・逆導電形の半導体層５・・・・保護層６・・・・透明導電膜７・・・・アモルファス半導体層８・・・・第２のアルミニウム箔９・・・・ｎ形表皮部１０・・・第１のアルミニウム箔１１・・・低融点金属層１２・・・高融点金属層１３・・・第一導電形の液相エピタキシャル多結晶層１４・・・第二導電形の多結晶あるいはアモルファス層１５・・・基板のアルミニウムと粒状結晶半導体のシリ
コンとの合金層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者有宗久雄滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６京セラ株式会社滋賀八日市工場内Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA20 CB21 DA03 GA02 GA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の電極層を有する基板上に一導電形
を呈する粒状結晶半導体を多数配設して基板と接合し、
この粒状結晶半導体間に絶縁体を充填してこの粒状結晶
半導体上に逆導電形を呈する半導体層を設けるととも
に、逆導電形を呈する半導体層に他方の電極を接続して
設けた光電変換装置において、前記粒状結晶半導体がシ
リコンから成り、前記絶縁体が酸化錫を１ｗｔ％以上２
０ｗｔ％以下で含有するガラス材料から成ることを特徴
とする光電変換装置。
【請求項２】前記絶縁体の熱膨張係数が、３０〜３０
０℃の温度範囲で３０〜６５×１０^-7／℃であることを
特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】前記絶縁体の軟化点が５６０℃以下であ
ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】前記基板の一方の電極層がアルミニウム
から成ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装
置。
【請求項５】前記粒状結晶半導体の平均粒径が０．２
〜０．６ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の
光電変換装置。
【請求項６】前記絶縁体が酸化鉛を実質的に含まないこ
とを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。