JP2003017632A - 半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管 - Google Patents
半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管Info
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- JP2003017632A JP2003017632A JP2001197340A JP2001197340A JP2003017632A JP 2003017632 A JP2003017632 A JP 2003017632A JP 2001197340 A JP2001197340 A JP 2001197340A JP 2001197340 A JP2001197340 A JP 2001197340A JP 2003017632 A JP2003017632 A JP 2003017632A
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- semiconductor
- encapsulating
- sro
- bao
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実質的に鉛やその他の有害成分を含まないガ
ラスでありながら、７１０℃以下の温度で半導体素子を
封入可能な半導体封入用ガラスを提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ
土類金属元素）−Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）
系の組成を有する無鉛ガラスからなり、Ｒ’2Ｏとして
２種以上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる
１種以上を各々含有することを特徴とする。
ラスでありながら、７１０℃以下の温度で半導体素子を
封入可能な半導体封入用ガラスを提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ
土類金属元素）−Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）
系の組成を有する無鉛ガラスからなり、Ｒ’2Ｏとして
２種以上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる
１種以上を各々含有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体封入用ガラス、
すなわち、シリコンダイオード、発光ダイオード、サー
ミスタなどの素子と、それに電気的に接続するジュメッ
ト線などの電極材料を気密封入するためのガラスと、こ
れを用いて作製した半導体封入用外套管に関する。
すなわち、シリコンダイオード、発光ダイオード、サー
ミスタなどの素子と、それに電気的に接続するジュメッ
ト線などの電極材料を気密封入するためのガラスと、こ
れを用いて作製した半導体封入用外套管に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンダイオード、発光ダイオード、
サーミスタなどの小型の電子部品は、それらの半導体素
子をジュメット線などの電極材料で両側から挟み、ガラ
ス製の外套管で囲んだ後に全体を所定の温度に加熱し、
外套管を軟化変形させて気密封入した構造（ＤＨＤ型）
が広く採用されている。この加熱温度は、一般的にはガ
ラスの粘度が１０6ｄＰａ・ｓとなる温度であり、封入温
度と言う。ここで、ガラスの封入温度に求められる条件
は、半導体の電気特性が封入温度で失われないように、
封入する半導体の耐熱温度以下で有ることである。半導
体の耐熱温度はその種類や設計に応じて多岐に渡るが、
最も耐熱性の高いものでも７１０℃程度なので、封入温
度は７１０℃以下で有ることが重要になる。また、ガラ
スに求められる特性として、熱膨張係数がある。これ
は、電極材料として最も一般的に用いられているジュメ
ット線の熱膨張係数に整合することであり、８５〜１０
５×１０-7／℃（３０〜３８０℃間）の熱膨張係数が必
要である。
サーミスタなどの小型の電子部品は、それらの半導体素
子をジュメット線などの電極材料で両側から挟み、ガラ
ス製の外套管で囲んだ後に全体を所定の温度に加熱し、
外套管を軟化変形させて気密封入した構造（ＤＨＤ型）
が広く採用されている。この加熱温度は、一般的にはガ
ラスの粘度が１０6ｄＰａ・ｓとなる温度であり、封入温
度と言う。ここで、ガラスの封入温度に求められる条件
は、半導体の電気特性が封入温度で失われないように、
封入する半導体の耐熱温度以下で有ることである。半導
体の耐熱温度はその種類や設計に応じて多岐に渡るが、
最も耐熱性の高いものでも７１０℃程度なので、封入温
度は７１０℃以下で有ることが重要になる。また、ガラ
スに求められる特性として、熱膨張係数がある。これ
は、電極材料として最も一般的に用いられているジュメ
ット線の熱膨張係数に整合することであり、８５〜１０
５×１０-7／℃（３０〜３８０℃間）の熱膨張係数が必
要である。
【０００３】従来、このような条件を満たす半導体封入
用ガラスとしては、ＰｂＯを４５〜７５重量％と多量に
含む鉛ケイ酸塩ガラスが使われている。ＰｂＯは、ケイ
酸塩ガラスにおいて安定したガラスを形成しつつ、ガラ
スの粘度を下げる効果が極めて大きいためである。例え
ばＰｂＯを４６％含有する半導体封入用ガラスの封入温
度は約７００℃、また、ＰｂＯを６０％含有する半導体
封入用ガラスの封入温度は約６５５℃である。
用ガラスとしては、ＰｂＯを４５〜７５重量％と多量に
含む鉛ケイ酸塩ガラスが使われている。ＰｂＯは、ケイ
酸塩ガラスにおいて安定したガラスを形成しつつ、ガラ
スの粘度を下げる効果が極めて大きいためである。例え
ばＰｂＯを４６％含有する半導体封入用ガラスの封入温
度は約７００℃、また、ＰｂＯを６０％含有する半導体
封入用ガラスの封入温度は約６５５℃である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、鉛やカドミニウ
ム、砒素などの有害成分による環境汚染が問題視され、
工業製品にそれらの有害成分を含まないことが要求され
てきている。電子部品においても、先ず半田の無鉛化が
積極的に取り組まれており、次いで、半導体封入用ガラ
スにもＰｂＯを含まないことが望まれている。
ム、砒素などの有害成分による環境汚染が問題視され、
工業製品にそれらの有害成分を含まないことが要求され
てきている。電子部品においても、先ず半田の無鉛化が
積極的に取り組まれており、次いで、半導体封入用ガラ
スにもＰｂＯを含まないことが望まれている。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、実質的に鉛やその他の有害成分を含まないガラス
でありながら、７１０℃以下の温度で半導体素子を封入
可能な半導体封入用ガラスと、これを用いて作製した封
入用外套管を提供することを目的とする。
あり、実質的に鉛やその他の有害成分を含まないガラス
でありながら、７１０℃以下の温度で半導体素子を封入
可能な半導体封入用ガラスと、これを用いて作製した封
入用外套管を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体封入用ガ
ラスは、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金
属元素）−Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）系の組
成を有する無鉛ガラスからなり、Ｒ’2Ｏとして２種以
上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる１種以
上を各々含有することを特徴とする。
ラスは、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金
属元素）−Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）系の組
成を有する無鉛ガラスからなり、Ｒ’2Ｏとして２種以
上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる１種以
上を各々含有することを特徴とする。
【０００７】また本発明の半導体封入用外套管は、Ｓｉ
Ｏ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属元素）−
Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）系の組成を有し、
Ｒ’2Ｏとして２種以上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａ
Ｏから選ばれる１種以上を各々含有する無鉛ガラスから
なることを特徴とする。
Ｏ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属元素）−
Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）系の組成を有し、
Ｒ’2Ｏとして２種以上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａ
Ｏから選ばれる１種以上を各々含有する無鉛ガラスから
なることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の半導体封入用ガラスは、実質的に鉛を
含まない無鉛ガラスからなる。「実質的に鉛を含まな
い」とは、積極的にガラス原料に鉛を使用しないという
意味であるが、不純物等からの混入も極力避けるべきで
ある。鉛の許容範囲は、具体的にはＰｂＯの含有量とし
て５０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０００ｐｐｍ以
下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
含まない無鉛ガラスからなる。「実質的に鉛を含まな
い」とは、積極的にガラス原料に鉛を使用しないという
意味であるが、不純物等からの混入も極力避けるべきで
ある。鉛の許容範囲は、具体的にはＰｂＯの含有量とし
て５０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０００ｐｐｍ以
下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
【０００９】また本発明のガラスは、２種以上のアルカ
リ金属酸化物と、ＳｒＯ及びＢａＯの１種以上と、Ｂ2
Ｏ3を必須成分として含むことにより、ガラスの粘度を
低下させ、７１０℃以下で封入することを可能にしてい
る。
リ金属酸化物と、ＳｒＯ及びＢａＯの１種以上と、Ｂ2
Ｏ3を必須成分として含むことにより、ガラスの粘度を
低下させ、７１０℃以下で封入することを可能にしてい
る。
【００１０】また半導体封入用ガラスの体積抵抗が低く
なってしまうと電極間にわずかに電気が流れるようにな
り、あたかもダイオードに平行して抵抗体を設置したよ
うな回路を生じてしまう。このため、ガラスの体積抵抗
は極力高いことが好ましい。本発明では２種以上のアル
カリ金属酸化物を使用するため、混合アルカリ効果によ
ってガラスの体積抵抗が高くなる。なお体積抵抗値は、
具体的には１５０℃でＬｏｇρ（Ω・ｃｍ）が１１以
上、特に１２以上であることが好ましい。また２００℃
程度の高温でダイオードを好適に使用する場合には、２
５０℃における抵抗値がＬｏｇρ（Ω・ｃｍ）で７以
上、特に８以上であることが好ましい。さらに３５０℃
での抵抗値がＬｏｇρ（Ω・ｃｍ）で７以上であれば３
００℃の作動温度に耐えることができる。
なってしまうと電極間にわずかに電気が流れるようにな
り、あたかもダイオードに平行して抵抗体を設置したよ
うな回路を生じてしまう。このため、ガラスの体積抵抗
は極力高いことが好ましい。本発明では２種以上のアル
カリ金属酸化物を使用するため、混合アルカリ効果によ
ってガラスの体積抵抗が高くなる。なお体積抵抗値は、
具体的には１５０℃でＬｏｇρ（Ω・ｃｍ）が１１以
上、特に１２以上であることが好ましい。また２００℃
程度の高温でダイオードを好適に使用する場合には、２
５０℃における抵抗値がＬｏｇρ（Ω・ｃｍ）で７以
上、特に８以上であることが好ましい。さらに３５０℃
での抵抗値がＬｏｇρ（Ω・ｃｍ）で７以上であれば３
００℃の作動温度に耐えることができる。
【００１１】本発明において、（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓｒ
Ｏ＋ＢａＯ）／（Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ）を、０．
２〜４．０の範囲に調整することが好ましい。この比を
０．２以上、好ましくは０．４以上、より好ましくは
０．５以上に調整すれば、イオン伝導し易いＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋの移動が制限され、体積抵抗を高めることができ
る。またこの比が４．０以下、好ましくは３．０以下、
より好ましくは２．０以下であれば、安定性が高く、ブ
ツや脈理のないガラスが得やすくなる。
Ｏ＋ＢａＯ）／（Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ）を、０．
２〜４．０の範囲に調整することが好ましい。この比を
０．２以上、好ましくは０．４以上、より好ましくは
０．５以上に調整すれば、イオン伝導し易いＬｉ、Ｎ
ａ、Ｋの移動が制限され、体積抵抗を高めることができ
る。またこの比が４．０以下、好ましくは３．０以下、
より好ましくは２．０以下であれば、安定性が高く、ブ
ツや脈理のないガラスが得やすくなる。
【００１２】また本発明において、質量比で（ＳｒＯ＋
ＢａＯ）／ＳｉＯ2が０．１以上、好ましくは０．２以
上、より好ましくは０．３以上であれば、封入温度を７
１０℃以下に保つことが容易となる。またこの比が１．
５以下、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９
以下であれば、結晶のないガラスが得易くなる。
ＢａＯ）／ＳｉＯ2が０．１以上、好ましくは０．２以
上、より好ましくは０．３以上であれば、封入温度を７
１０℃以下に保つことが容易となる。またこの比が１．
５以下、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９
以下であれば、結晶のないガラスが得易くなる。
【００１３】同様に（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ2Ｏ3が０．
５以上、好ましくは１以上であれば、封入温度を７１０
℃以下保つことが容易となる。またこの比が１０．０以
下、好ましくは９．０以下、より好ましくは７．０以下
であれば、ブツや脈理のないガラスが得易くなる。
５以上、好ましくは１以上であれば、封入温度を７１０
℃以下保つことが容易となる。またこの比が１０．０以
下、好ましくは９．０以下、より好ましくは７．０以下
であれば、ブツや脈理のないガラスが得易くなる。
【００１４】上記半導体封入用ガラスの具体的な組成範
囲は、質量百分率で、ＳｉＯ2 ３５〜６０％、Ａｌ2Ｏ
3 ０〜１５％、Ｂ2Ｏ3 １〜２５％、ＭｇＯ ０〜１
０％、ＣａＯ ０〜１５％、ＳｒＯ ０〜３０％、Ｂａ
Ｏ ０〜３０％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜４５％、ＺｎＯ
０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜１５％、Ｎａ2Ｏ ０〜１
５％、Ｋ2Ｏ ０〜２０％、Ｒｂ2Ｏ ０〜２０％、Ｃｓ
2Ｏ ０〜３０％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＋Ｒｂ2Ｏ
＋Ｃｓ2Ｏ ５〜３５％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ
2 ０〜１０％である。
囲は、質量百分率で、ＳｉＯ2 ３５〜６０％、Ａｌ2Ｏ
3 ０〜１５％、Ｂ2Ｏ3 １〜２５％、ＭｇＯ ０〜１
０％、ＣａＯ ０〜１５％、ＳｒＯ ０〜３０％、Ｂａ
Ｏ ０〜３０％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜４５％、ＺｎＯ
０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜１５％、Ｎａ2Ｏ ０〜１
５％、Ｋ2Ｏ ０〜２０％、Ｒｂ2Ｏ ０〜２０％、Ｃｓ
2Ｏ ０〜３０％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＋Ｒｂ2Ｏ
＋Ｃｓ2Ｏ ５〜３５％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ
2 ０〜１０％である。
【００１５】各成分の含有量を上記のように限定した理
由は以下の通りである。
由は以下の通りである。
【００１６】ＳｉＯ2は、ガラスの骨格を構成するため
に必要な主成分であり、その含有量は３５〜６０％、好
ましくは４０〜５７％、さらに好ましくは４３〜５３％
である。ＳｉＯ2 が６０％以下であれば熱膨張係数が小
さくなりすぎず、ジュメットのそれと適合するため良好
なシールができる。また３５％以上であれば実用上十分
な化学的耐久性が得られる。化学的耐久性が悪化する
と、電子部品製造工程中の種々の薬液や、電子部品の長
期の使用においてガラスが変質して破損や気密が保てな
い等、電子部品の信頼性の低下を招く。またガラスの熱
膨張係数がジュメットのそれと適合するため良好なシー
ルができる。
に必要な主成分であり、その含有量は３５〜６０％、好
ましくは４０〜５７％、さらに好ましくは４３〜５３％
である。ＳｉＯ2 が６０％以下であれば熱膨張係数が小
さくなりすぎず、ジュメットのそれと適合するため良好
なシールができる。また３５％以上であれば実用上十分
な化学的耐久性が得られる。化学的耐久性が悪化する
と、電子部品製造工程中の種々の薬液や、電子部品の長
期の使用においてガラスが変質して破損や気密が保てな
い等、電子部品の信頼性の低下を招く。またガラスの熱
膨張係数がジュメットのそれと適合するため良好なシー
ルができる。
【００１７】Ａｌ2Ｏ3は、ガラスの耐久性を改善する成
分であり、その含有量は０〜１５％、好ましくは０〜５
％、さらに好ましくは０〜３％である。Ａｌ2Ｏ3が１５
％以下であればガラスの溶融が容易であり、また失透性
も低くなるため、ブツや脈理のないガラスが得易くな
る。ガラスにブツや脈理があると、封入形状が不揃いに
なったり、破損の原因になり、電子部品の信頼性が大き
く後退する。
分であり、その含有量は０〜１５％、好ましくは０〜５
％、さらに好ましくは０〜３％である。Ａｌ2Ｏ3が１５
％以下であればガラスの溶融が容易であり、また失透性
も低くなるため、ブツや脈理のないガラスが得易くな
る。ガラスにブツや脈理があると、封入形状が不揃いに
なったり、破損の原因になり、電子部品の信頼性が大き
く後退する。
【００１８】Ｂ2Ｏ3は溶融性の向上、封入温度の低温
化、化学的耐久性の向上、及び失透性の改善のために必
要な成分であり、その含有量は１〜２５％、好ましくは
３〜２０％、さらに好ましくは７〜１５％である。Ｂ2
Ｏ3が２５％以下であればガラス融液からの蒸発が少な
くなるために均質なガラスが得られる。また実用上十分
な化学的耐久性が得られる。一方、１％以上であれば７
００℃付近での粘度が低くなり、封入温度の低温化が達
成できる。
化、化学的耐久性の向上、及び失透性の改善のために必
要な成分であり、その含有量は１〜２５％、好ましくは
３〜２０％、さらに好ましくは７〜１５％である。Ｂ2
Ｏ3が２５％以下であればガラス融液からの蒸発が少な
くなるために均質なガラスが得られる。また実用上十分
な化学的耐久性が得られる。一方、１％以上であれば７
００℃付近での粘度が低くなり、封入温度の低温化が達
成できる。
【００１９】ＭｇＯはガラス融液の粘度を下げて溶融を
容易にし、ガラス構造を引き締めて耐候性を改善し封入
温度をさげる。その含有量は０〜１０％、好ましくは０
〜８％、より好ましくは０〜３％である。ＭｇＯが１０
％以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理のな
いガラスが得易くなる。
容易にし、ガラス構造を引き締めて耐候性を改善し封入
温度をさげる。その含有量は０〜１０％、好ましくは０
〜８％、より好ましくは０〜３％である。ＭｇＯが１０
％以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理のな
いガラスが得易くなる。
【００２０】ＣａＯはガラス融液の粘度を下げて溶融を
容易にする。その含有量は０〜１５％、好ましくは０〜
８％、より好ましくは０〜３％である。ＣａＯが１５％
以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理のない
ガラスが得易くなる。
容易にする。その含有量は０〜１５％、好ましくは０〜
８％、より好ましくは０〜３％である。ＣａＯが１５％
以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理のない
ガラスが得易くなる。
【００２１】ＳｒＯとＢａＯは特にガラスを均質化させ
安定化させる効果が大きく、ガラス融液の粘度を下げて
溶融を容易にし、封入温度をさげる成分であるため、少
なくとも何れか１種を含有する。その含有量は合計で５
〜４５％、好ましくは１０〜４５％、より好ましくは１
５〜４５％である。これらの合量が５％以上であればガ
ラスの均質性を大幅に向上でき、また粘度が低下して封
入温度の低温化が達成できる。４５％以下であれば失透
性が低くなり、ブツや脈理のないガラスが得やすくな
る。
安定化させる効果が大きく、ガラス融液の粘度を下げて
溶融を容易にし、封入温度をさげる成分であるため、少
なくとも何れか１種を含有する。その含有量は合計で５
〜４５％、好ましくは１０〜４５％、より好ましくは１
５〜４５％である。これらの合量が５％以上であればガ
ラスの均質性を大幅に向上でき、また粘度が低下して封
入温度の低温化が達成できる。４５％以下であれば失透
性が低くなり、ブツや脈理のないガラスが得やすくな
る。
【００２２】ＳｒＯの含有量は０〜３０％、好ましくは
５〜３０％、より好ましくは５〜２５％である。５％以
上入れることがガラスの均質性向上の点で望ましく。３
０％以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理の
ないガラスが得易くなる。
５〜３０％、より好ましくは５〜２５％である。５％以
上入れることがガラスの均質性向上の点で望ましく。３
０％以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理の
ないガラスが得易くなる。
【００２３】ＢａＯの含有量は０〜３０％、好ましくは
５〜２５％、より好ましくは１１〜２５％である。５％
以上入れることがガラスの均質性向上の点で望ましく。
３０％以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理
のないガラスが得易くなる。
５〜２５％、より好ましくは１１〜２５％である。５％
以上入れることがガラスの均質性向上の点で望ましく。
３０％以下であれば失透性が低くなるため、ブツや脈理
のないガラスが得易くなる。
【００２４】なおこれらのアルカリ土類金属酸化物（Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）は、アルカリの移動を
制限する働きがあり、体積抵抗の向上にも寄与する。
ｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）は、アルカリの移動を
制限する働きがあり、体積抵抗の向上にも寄与する。
【００２５】ＺｎＯは、ガラス融液の粘度を下げて溶融
を容易にし、封入温度をさげる。さらに、ガラスの化学
耐久性を向上させる効果があり、その含有量の合量は０
〜２０％、好ましくは１〜１５％、より好ましくは３〜
１５％である。１％以上入れることがガラスの均質性向
上の点で望ましく、２０％以下であると失透や分相が殆
どない均質性の高いガラスを得ることができる。
を容易にし、封入温度をさげる。さらに、ガラスの化学
耐久性を向上させる効果があり、その含有量の合量は０
〜２０％、好ましくは１〜１５％、より好ましくは３〜
１５％である。１％以上入れることがガラスの均質性向
上の点で望ましく、２０％以下であると失透や分相が殆
どない均質性の高いガラスを得ることができる。
【００２６】アルカリ金属酸化物であるＬｉ2Ｏ、Ｎａ2
Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｒｂ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏはガラスの溶融を容易に
し、７１０℃以下の封入温度の達成と、ジュメットシー
ルに必要な熱膨張係数を得るのに必須の成分である。こ
れらのアルカリ金属酸化物は２種以上混合して使用する
ことが重要である。つまりアルカリ金属酸化物の含有量
が多いほど封入温度が下がるが、逆に耐候性や電気絶縁
性が悪化する傾向にある。そこでアルカリ金属酸化物の
混合効果を利用するために、２種以上を混合して使用
し、耐候性や電気絶縁性の悪化を防止する。
Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｒｂ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏはガラスの溶融を容易に
し、７１０℃以下の封入温度の達成と、ジュメットシー
ルに必要な熱膨張係数を得るのに必須の成分である。こ
れらのアルカリ金属酸化物は２種以上混合して使用する
ことが重要である。つまりアルカリ金属酸化物の含有量
が多いほど封入温度が下がるが、逆に耐候性や電気絶縁
性が悪化する傾向にある。そこでアルカリ金属酸化物の
混合効果を利用するために、２種以上を混合して使用
し、耐候性や電気絶縁性の悪化を防止する。
【００２７】各アルカリ金属酸化物の含有量は、それぞ
れＬｉ2Ｏ ０〜１５％（好ましくは０．５〜１０％、
より好ましくは０．５〜６％）、Ｎａ2Ｏ ０〜１５
（好ましくは０〜８％、より好ましくは０〜６％）、Ｋ
2Ｏ ０〜２０％（好ましくは０〜１５％、より好まし
くは１〜１５％）、Ｒｂ2Ｏ ０〜２０％（好ましくは
０〜１５％）、Ｃｓ2Ｏ ０〜３０％（好ましくは０〜
２５％）であることが好ましい。各成分の含有量がその
範囲内にあれば、混合アルカリ効果により耐候性や電気
絶縁性が悪化することがない。なお、Ｌｉ2Ｏは、封入
温度を低下させる効果が最も高いため、必須成分として
含有させることが望ましい。
れＬｉ2Ｏ ０〜１５％（好ましくは０．５〜１０％、
より好ましくは０．５〜６％）、Ｎａ2Ｏ ０〜１５
（好ましくは０〜８％、より好ましくは０〜６％）、Ｋ
2Ｏ ０〜２０％（好ましくは０〜１５％、より好まし
くは１〜１５％）、Ｒｂ2Ｏ ０〜２０％（好ましくは
０〜１５％）、Ｃｓ2Ｏ ０〜３０％（好ましくは０〜
２５％）であることが好ましい。各成分の含有量がその
範囲内にあれば、混合アルカリ効果により耐候性や電気
絶縁性が悪化することがない。なお、Ｌｉ2Ｏは、封入
温度を低下させる効果が最も高いため、必須成分として
含有させることが望ましい。
【００２８】またこれらアルカリ金属酸化物の合量は５
〜３５％、好ましくは７〜２５％、さらに好ましくは８
〜２５％である。これら成分の合量が３５％以下であれ
ば熱膨張係数が高くなりすぎず、ジュメットシールが可
能である。また化学的耐久性の低下が殆どない。一方、
５％以上であれば低温封着が達成でき、また熱膨張係数
が小さくなり過ぎない。
〜３５％、好ましくは７〜２５％、さらに好ましくは８
〜２５％である。これら成分の合量が３５％以下であれ
ば熱膨張係数が高くなりすぎず、ジュメットシールが可
能である。また化学的耐久性の低下が殆どない。一方、
５％以上であれば低温封着が達成でき、また熱膨張係数
が小さくなり過ぎない。
【００２９】ＴｉＯ2とＺｒＯ2はガラスの耐薬品性を向
上させるのに有効な成分で、半導体封入後のリード線メ
ッキ工程や洗浄工程でガラスの劣化を防止できる。その
含有量は各々０〜１０％、好ましくは０〜５％、より好
ましくは０〜３％である。ＴｉＯ2やＺｒＯ2が１０％以
下であればブツや脈理のない均質なガラスを得ることが
できる。
上させるのに有効な成分で、半導体封入後のリード線メ
ッキ工程や洗浄工程でガラスの劣化を防止できる。その
含有量は各々０〜１０％、好ましくは０〜５％、より好
ましくは０〜３％である。ＴｉＯ2やＺｒＯ2が１０％以
下であればブツや脈理のない均質なガラスを得ることが
できる。
【００３０】また上記以外にも、ガラスの粘度の調整や
耐候性、溶融性、清澄性等を改善する目的で、Ｐ2Ｏ5、
Ｆｅ2Ｏ3、ＳＯ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｆ、Ｃｌ等の成分を酸化
物換算で各々８％以下添加することが可能である。
耐候性、溶融性、清澄性等を改善する目的で、Ｐ2Ｏ5、
Ｆｅ2Ｏ3、ＳＯ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｆ、Ｃｌ等の成分を酸化
物換算で各々８％以下添加することが可能である。
【００３１】なお本発明のガラスは、多成分であればあ
るほどガラスの安定性の面から好ましく、１％以上含有
される成分が７種類以上、特に８種類以上、さらには１
０種類以上であることが望ましい。７種類以上の成分か
ら構成されていればガラスが安定し、ブツのない均質な
ガラスが得やすくなる。
るほどガラスの安定性の面から好ましく、１％以上含有
される成分が７種類以上、特に８種類以上、さらには１
０種類以上であることが望ましい。７種類以上の成分か
ら構成されていればガラスが安定し、ブツのない均質な
ガラスが得やすくなる。
【００３２】上記組成を有する本発明の半導体封入用ガ
ラスは、１０6ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が７１
０℃以下、１５０℃における体積抵抗がｌｏｇρ（Ω・
ｃｍ）で１１以上、３０〜３８０℃における熱膨張係数
が８５〜１０５×１０-7／℃の特性を有することができ
る。
ラスは、１０6ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が７１
０℃以下、１５０℃における体積抵抗がｌｏｇρ（Ω・
ｃｍ）で１１以上、３０〜３８０℃における熱膨張係数
が８５〜１０５×１０-7／℃の特性を有することができ
る。
【００３３】次に本発明の半導体封入用ガラスからなる
半導体封入用外套管の製造方法を説明する。
半導体封入用外套管の製造方法を説明する。
【００３４】工業的規模での外套管の製造方法は、ガラ
スを形成する成分を含有する鉱物や精製結晶粉末を計測
混合し、炉に投入する原料を調合する調合混合工程と、
原料を溶融ガラス化する溶融工程と、溶融したガラスを
管の形に成形する成形工程と、管を所定の寸法に切断す
る加工工程からなっている。
スを形成する成分を含有する鉱物や精製結晶粉末を計測
混合し、炉に投入する原料を調合する調合混合工程と、
原料を溶融ガラス化する溶融工程と、溶融したガラスを
管の形に成形する成形工程と、管を所定の寸法に切断す
る加工工程からなっている。
【００３５】まずガラス原料を調合混合する。原料は、
酸化物や炭酸塩など複数の成分からなる鉱物や不純物か
らなっており、分析値を考慮して調合すればよく、原料
は限定されない。これらを重量で計測し、Ｖミキサーや
ロッキングミキサー、攪拌羽根のついたミキサーなど規
模に応じた適当な混合機で混合し、投入原料を得る。
酸化物や炭酸塩など複数の成分からなる鉱物や不純物か
らなっており、分析値を考慮して調合すればよく、原料
は限定されない。これらを重量で計測し、Ｖミキサーや
ロッキングミキサー、攪拌羽根のついたミキサーなど規
模に応じた適当な混合機で混合し、投入原料を得る。
【００３６】次に原料をガラス溶融炉に投入し、ガラス
化する。溶融炉はガラス原料を溶融しガラス化するため
の溶融槽と、ガラス中の泡を上昇除去するための清澄槽
と、清澄されたガラスを成形に適当な粘度まで下げ、成
形装置に導くための通路（フィーダー）よりなる。溶融
炉は、耐火物や内部を白金で覆った炉が使用され、バー
ナーによる加熱やガラスへの電気通電によって加熱され
る。投入された原料は通常１３００℃〜１６００℃の溶
解槽でガラス化され、さらに１４００℃〜１６００℃の
清澄槽に入る。ここでガラス中の泡を浮上させて泡を除
去する。清澄糟から出たガラスは、フィーダーを通って
成形装置に移動するうちに温度が下がり、ガラスの成形
に適した粘度１０4〜１０6ｄＰａ・Ｓになる。
化する。溶融炉はガラス原料を溶融しガラス化するため
の溶融槽と、ガラス中の泡を上昇除去するための清澄槽
と、清澄されたガラスを成形に適当な粘度まで下げ、成
形装置に導くための通路（フィーダー）よりなる。溶融
炉は、耐火物や内部を白金で覆った炉が使用され、バー
ナーによる加熱やガラスへの電気通電によって加熱され
る。投入された原料は通常１３００℃〜１６００℃の溶
解槽でガラス化され、さらに１４００℃〜１６００℃の
清澄槽に入る。ここでガラス中の泡を浮上させて泡を除
去する。清澄糟から出たガラスは、フィーダーを通って
成形装置に移動するうちに温度が下がり、ガラスの成形
に適した粘度１０4〜１０6ｄＰａ・Ｓになる。
【００３７】次いで成形装置にてガラスを管状に成形す
る。成形法としてはダンナー法、ベロ法、ダウンドロー
法、アップドロー法が適用可能である。
る。成形法としてはダンナー法、ベロ法、ダウンドロー
法、アップドロー法が適用可能である。
【００３８】その後、ガラス管を所定の寸法に切断する
ことにより、半導体封入用外套管を得ることができる。
ガラス管の切断加工は、管１本ずつをダイヤモンドカッ
ターで切断することも可能であるが、大量生産に適した
方法として、多数の管ガラスを１本に結束してからダイ
ヤモンドホイールカッターで切断する方法のように、一
度に多数の管ガラスを切断する方法が一般的に用いられ
ている。
ことにより、半導体封入用外套管を得ることができる。
ガラス管の切断加工は、管１本ずつをダイヤモンドカッ
ターで切断することも可能であるが、大量生産に適した
方法として、多数の管ガラスを１本に結束してからダイ
ヤモンドホイールカッターで切断する方法のように、一
度に多数の管ガラスを切断する方法が一般的に用いられ
ている。
【００３９】次に本発明のガラスからなる外套管を用い
た半導体素子の封入方法を述べる。
た半導体素子の封入方法を述べる。
【００４０】まず外套管内でジュメット線などの電極材
料が半導体素子を両側から挟み込んだ状態となるように
冶具を用いてセットする。その後、全体を７１０℃以下
の温度に加熱し、外套管を軟化変形させて気密封入す
る。このような方法でシリコンダイオード、発光ダイオ
ード、サーミスタなどの小型の電子部品を作製すること
ができる。
料が半導体素子を両側から挟み込んだ状態となるように
冶具を用いてセットする。その後、全体を７１０℃以下
の温度に加熱し、外套管を軟化変形させて気密封入す
る。このような方法でシリコンダイオード、発光ダイオ
ード、サーミスタなどの小型の電子部品を作製すること
ができる。
【００４１】なお本発明の半導体封入用ガラスは、ガラ
ス管として使用する以外にも、例えば、粉末状にしてペ
ースト化し、半導体素子に巻き付けて焼成することで半
導体素子を封入することもできる。
ス管として使用する以外にも、例えば、粉末状にしてペ
ースト化し、半導体素子に巻き付けて焼成することで半
導体素子を封入することもできる。
【００４２】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を説明する。
【００４３】表１〜３は本発明のガラスの実施例（試料
Ｎｏ．１〜１２）及び比較例（試料Ｎｏ．１３）を示し
ている。なおＮｏ．１３の試料は鉛を含む従来の半導体
封入用ガラスである。
Ｎｏ．１〜１２）及び比較例（試料Ｎｏ．１３）を示し
ている。なおＮｏ．１３の試料は鉛を含む従来の半導体
封入用ガラスである。
【００４４】まず、石粉、酸化アルミニウム、硼酸、酸
化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウ
ム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、炭酸リチウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウ
ム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化鉄、リン酸ア
ンモニウム、三酸化アンチモンを所定の割合になるよう
に、得率や不純物量を考慮して決定された原料調合表に
基づいて５００ｋｇの原料を調合し、Ｖ型ミキサーでよ
く混合した。
化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウ
ム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、炭酸リチウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウ
ム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化鉄、リン酸ア
ンモニウム、三酸化アンチモンを所定の割合になるよう
に、得率や不純物量を考慮して決定された原料調合表に
基づいて５００ｋｇの原料を調合し、Ｖ型ミキサーでよ
く混合した。
【００４５】この原料を容量５００リットルのガラス溶
融炉で溶融し、ダウンドロー法で管状に成形した。ガラ
ス溶融炉の溶融糟は１４５０℃であり、溶融槽からでた
ガラスは清澄槽を通り、フィーダーに入る。フィーダー
内のガラスは成形装置であるフィーダー底面の開口リン
グ（Orifice ring）と同心上に配置されたベル軸（Bel
shaft）の隙間から炉外に流出し、ベル軸から吹き込
まれた空気圧を管内部に受けながら、下方に引きのばさ
れ管に成形される。必要な管寸法（内径と管肉厚）は、
ガラスの流下速度と空気圧と引っ張り速度で決定され
る。
融炉で溶融し、ダウンドロー法で管状に成形した。ガラ
ス溶融炉の溶融糟は１４５０℃であり、溶融槽からでた
ガラスは清澄槽を通り、フィーダーに入る。フィーダー
内のガラスは成形装置であるフィーダー底面の開口リン
グ（Orifice ring）と同心上に配置されたベル軸（Bel
shaft）の隙間から炉外に流出し、ベル軸から吹き込
まれた空気圧を管内部に受けながら、下方に引きのばさ
れ管に成形される。必要な管寸法（内径と管肉厚）は、
ガラスの流下速度と空気圧と引っ張り速度で決定され
る。
【００４６】このようにして得られた管状ガラスを切断
し、適当な長さ（例えば１ｍ）のガラス管を得た。
し、適当な長さ（例えば１ｍ）のガラス管を得た。
【００４７】次に結束器具を用いてガラス管１０００本
を一体的に固定し、松ヤニなどの樹脂が管の間に入り込
むように樹脂槽につけ、取り出して冷却することで、１
本の棒状体とした。これをダイヤモンドカッターで所定
の長さに切断し、一度の切断で１０００本の管ガラスが
一体化したペレットを得た。その後、樹脂を除去して管
同士の結束を外し、洗浄、乾燥することで所定の長さの
外套管を得た。なおこのようにして得られる外套管は、
例えばダイオード用外套管の場合、内径０．６〜２．１
ｍｍ、肉厚０．２〜０．８ｍｍ、長さ１〜４ｍｍであ
る。
を一体的に固定し、松ヤニなどの樹脂が管の間に入り込
むように樹脂槽につけ、取り出して冷却することで、１
本の棒状体とした。これをダイヤモンドカッターで所定
の長さに切断し、一度の切断で１０００本の管ガラスが
一体化したペレットを得た。その後、樹脂を除去して管
同士の結束を外し、洗浄、乾燥することで所定の長さの
外套管を得た。なおこのようにして得られる外套管は、
例えばダイオード用外套管の場合、内径０．６〜２．１
ｍｍ、肉厚０．２〜０．８ｍｍ、長さ１〜４ｍｍであ
る。
【００４８】また各試料について、１０6ｄＰａ・ｓの
粘度に相当する温度（封入温度）、熱膨張係数、及び体
積抵抗率（１５０℃、２５０℃、３５０℃）を測定し
た。結果を各表に示す。
粘度に相当する温度（封入温度）、熱膨張係数、及び体
積抵抗率（１５０℃、２５０℃、３５０℃）を測定し
た。結果を各表に示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
【表３】
【００５２】表から明らかなように、本発明の実施例で
あるＮｏ．１〜１２の各試料は、封入温度が７１０℃以
下、熱膨張係数が８８．０〜１０１．６×１０-7／℃で
あり、従来の鉛系半導体封入用ガラスと同等の特性を有
していた。
あるＮｏ．１〜１２の各試料は、封入温度が７１０℃以
下、熱膨張係数が８８．０〜１０１．６×１０-7／℃で
あり、従来の鉛系半導体封入用ガラスと同等の特性を有
していた。
【００５３】なお各試料の評価に当たっては、まず表に
示す組成となるようにガラス原料を調合し、白金坩堝を
用いて１４００℃で５時間溶融した後、融液を所定の形
状に成形、加工してから各評価に供した。
示す組成となるようにガラス原料を調合し、白金坩堝を
用いて１４００℃で５時間溶融した後、融液を所定の形
状に成形、加工してから各評価に供した。
【００５４】１０6ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度
（封入温度）は次のようにして求めた。先ず、ＡＳＴＭ
Ｃ３３８に準拠するファイバ法でガラスの軟化点を測
定し、白金球引き上げ法によって作業点領域の粘度に対
する温度を求めた。次いで、これらの温度と粘度の値を
Ｆｕｌｃｈｅｒの式にあてはめて、粘度が１０6ｄＰａ
・ｓになる温度を算出して、封入温度とした。
（封入温度）は次のようにして求めた。先ず、ＡＳＴＭ
Ｃ３３８に準拠するファイバ法でガラスの軟化点を測
定し、白金球引き上げ法によって作業点領域の粘度に対
する温度を求めた。次いで、これらの温度と粘度の値を
Ｆｕｌｃｈｅｒの式にあてはめて、粘度が１０6ｄＰａ
・ｓになる温度を算出して、封入温度とした。
【００５５】熱膨張係数は、ガラスを直径約３ｍｍ、長
さ約５０ｍｍの円柱に加工した後に、自記示差熱膨張計
で、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線膨張係数
を測定したものである。
さ約５０ｍｍの円柱に加工した後に、自記示差熱膨張計
で、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線膨張係数
を測定したものである。
【００５６】体積抵抗率は、ＡＳＴＭ Ｃ−６５７に準
拠する方法で測定した。なお半導体封入用ガラスは絶縁
性が高いことが望ましい。
拠する方法で測定した。なお半導体封入用ガラスは絶縁
性が高いことが望ましい。
【００５７】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体封入用ガラ
スは、ＰｂＯを全く含まないにも拘わらず、７１０℃以
下の温度で半導体素子を封入可能であるため、半導体封
入用外套管材質として好適である。
スは、ＰｂＯを全く含まないにも拘わらず、７１０℃以
下の温度で半導体素子を封入可能であるため、半導体封
入用外套管材質として好適である。
【００５８】また本発明の半導体封入用外套管を用いれ
ば、シリコンダイオード、発光ダイオード、サーミスタ
などの小型の電子部品の無鉛化が可能となる。
ば、シリコンダイオード、発光ダイオード、サーミスタ
などの小型の電子部品の無鉛化が可能となる。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０３Ｃ 3/093 Ｃ０３Ｂ 23/04
Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｇ
// Ｃ０３Ｂ 23/04
Ｆターム(参考） 4G015 BA04
4G062 AA09 BB01 DA05 DA06 DB01
DB02 DB03 DB04 DC03 DC04
DD01 DD02 DD03 DE01 DE02
DE03 DE04 DF01 EA01 EA02
EA03 EA04 EA10 EB01 EB02
EB03 EB04 EC01 EC02 EC03
EC04 ED01 ED02 ED03 EE01
EE02 EE03 EE04 EF01 EF02
EF03 EF04 EG01 EG02 EG03
EG04 FA01 FA10 FB01 FB02
FB03 FC01 FC02 FC03 FD01
FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01
FK01 FL01 GA01 GA10 GB01
GB02 GB03 GC01 GD01 GE01
GE02 GE03 HH01 HH02 HH03
HH05 HH07 HH09 HH11 HH12
HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01
JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 JJ07
JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07
KK10 MM08 NN29 NN32
4M109 AA03 EA17 EA18
Claims (10)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ
土類金属元素）−Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）
系の組成を有する無鉛ガラスからなり、Ｒ’2Ｏとして
２種以上を、ＲＯとしてＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる
１種以上を各々含有することを特徴とする半導体封入用
ガラス。 - 【請求項２】 （ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／
（Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ）が、モル比で０．２〜
４．０の範囲にあることを特徴とする請求項１の半導体
封入用ガラス。 - 【請求項３】 （ＳｒＯ＋ＢａＯ）／ＳｉＯ2が、質量
比で０．１〜１．５の範囲にあることを特徴とする請求
項１の半導体封入用ガラス。 - 【請求項４】 （ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ2Ｏ3が、質量比
で０．５〜１０．０の範囲にあることを特徴とする請求
項１の半導体封入用ガラス。 - 【請求項５】 質量百分率で、ＳｉＯ2 ３５〜６０
％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜１５％、Ｂ2Ｏ3 １〜２５％、Ｍｇ
Ｏ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１５％、ＳｒＯ０〜３０
％、ＢａＯ ０〜３０％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜４５
％、ＺｎＯ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜１５％、Ｎａ2
Ｏ ０〜１５％、Ｋ2Ｏ ０〜２０％、Ｒｂ2Ｏ ０〜２
０％、Ｃｓ2Ｏ ０〜３０％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ
＋Ｒｂ2Ｏ＋Ｃｓ2Ｏ ５〜３５％、ＴｉＯ2 ０〜１０
％、ＺｒＯ2 ０〜１０％の組成を有することを特徴と
する請求項１の半導体封入用ガラス。 - 【請求項６】 ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ（Ｒはアルカリ
土類金属元素）−Ｒ’2Ｏ（Ｒ’はアルカリ金属元素）
系の組成を有し、Ｒ’2Ｏとして２種以上を、ＲＯとし
てＳｒＯ及びＢａＯから選ばれる１種以上を各々含有す
る無鉛ガラスからなることを特徴とする半導体封入用外
套管。 - 【請求項７】 （ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／
（Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ）が、モル比で０．２〜
４．０の範囲にあるガラスからなることを特徴とする請
求項６の半導体封入用外套管。 - 【請求項８】 （ＳｒＯ＋ＢａＯ）／ＳｉＯ2が質量比
で０．１〜１．５の範囲にあるガラスからなることを特
徴とする請求項６の半導体封入用外套管。 - 【請求項９】 （ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ2Ｏ3が質量比で
０．５〜１０．０の範囲にあるガラスからなることを特
徴とする請求項６の半導体封入用外套管。 - 【請求項１０】 質量百分率で、ＳｉＯ2 ３５〜６０
％、Ａｌ2Ｏ3 ０〜１５％、Ｂ2Ｏ3 １〜２５％、Ｍｇ
Ｏ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１５％、ＳｒＯ ０〜３
０％、ＢａＯ ０〜３０％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜４５
％、ＺｎＯ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜１５％、Ｎａ2Ｏ
０〜１５％、Ｋ2Ｏ ０〜２０％、Ｒｂ2Ｏ ０〜２０
％、Ｃｓ2Ｏ ０〜３０％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ＋
Ｒｂ2Ｏ＋Ｃｓ2Ｏ ５〜３５％、ＴｉＯ2 ０〜１０
％、ＺｒＯ2 ０〜１０％の組成を有するガラスからな
ることを特徴とする請求項６の半導体封入用外套管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001197340A JP5088914B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001197340A JP5088914B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017632A true JP2003017632A (ja) | 2003-01-17 |
| JP5088914B2 JP5088914B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=19034960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001197340A Expired - Lifetime JP5088914B2 (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | 半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5088914B2 (ja) |
Cited By (9)
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-
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- 2001-06-28 JP JP2001197340A patent/JP5088914B2/ja not_active Expired - Lifetime
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