JP2003015154A - 非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置 - Google Patents
非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 411
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 209
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 235
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 235
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 569
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 165
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 146
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 75
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 72
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 156
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 88
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 58
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 56
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 42
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- WMYWOWFOOVUPFY-UHFFFAOYSA-L dihydroxy(dioxo)chromium;phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O.O[Cr](O)(=O)=O WMYWOWFOOVUPFY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＩＭ素子等の非線形素子を有する素子基板
およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光
学装置に係り、配線抵抗を低減することを目的とする。 【解決手段】 基板１上に第１の導電体１１と非線形電
気伝導体１２および第２の導電体１３とを順に積層して
なり、それ等の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を
有する非線形素子が前記第２の導電体１３と同材質で形
成された信号入力用配線２と画素電極３との間に設けら
れたものにおいて、前記第２の導電体１３と同材質で形
成された前記信号入力用配線２の上には、更に個別に前
記信号入力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けら
れていることを特徴とする。
およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光
学装置に係り、配線抵抗を低減することを目的とする。 【解決手段】 基板１上に第１の導電体１１と非線形電
気伝導体１２および第２の導電体１３とを順に積層して
なり、それ等の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を
有する非線形素子が前記第２の導電体１３と同材質で形
成された信号入力用配線２と画素電極３との間に設けら
れたものにおいて、前記第２の導電体１３と同材質で形
成された前記信号入力用配線２の上には、更に個別に前
記信号入力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けら
れていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示装置等
の電気光学装置に用いる素子基板、特に非線形素子を備
えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を
用いた電気光学装置に関する。
の電気光学装置に用いる素子基板、特に非線形素子を備
えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を
用いた電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば液晶表示装置において、液
晶パネルの液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に画素電極をマトリックス状に多数配置し、その各画素
電極を、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を
介して駆動するものは知られている。
晶パネルの液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に画素電極をマトリックス状に多数配置し、その各画素
電極を、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を
介して駆動するものは知られている。
【０００３】〔従来例１〕図６８は上記のような液晶表
示装置等に用いる従来の素子基板の一例を示す一部の平
面図、図６９は図６８におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の
拡大断面図である。本例は非線形素子として通常のＭＩ
Ｍ素子を各画素に１つずつ備えたものである。図におい
て、１は透明のガラス板等よりなる絶縁性基板、２はそ
の基板１上にストライプ状に多数設けた信号入力用配
線、３はその隣り合う配線２・２間に設けた画素電極で
ある。
示装置等に用いる従来の素子基板の一例を示す一部の平
面図、図６９は図６８におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の
拡大断面図である。本例は非線形素子として通常のＭＩ
Ｍ素子を各画素に１つずつ備えたものである。図におい
て、１は透明のガラス板等よりなる絶縁性基板、２はそ
の基板１上にストライプ状に多数設けた信号入力用配
線、３はその隣り合う配線２・２間に設けた画素電極で
ある。
【０００４】上記の配線２は、第１の導電体１１と非線
形電気伝導体１２とで構成され、その非線形電気伝導体
１２の一部を覆うようにして設けた第２の導電体１３に
画素電極３が導電接続されている。上記第１の導電体１
１と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３は、
その一部が重なるようにして設けられ、その重なる部分
が、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子として
のＭＩＭ（Metal Insulator Metal)素子Ｓを構成してい
る。
形電気伝導体１２とで構成され、その非線形電気伝導体
１２の一部を覆うようにして設けた第２の導電体１３に
画素電極３が導電接続されている。上記第１の導電体１
１と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３は、
その一部が重なるようにして設けられ、その重なる部分
が、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子として
のＭＩＭ（Metal Insulator Metal)素子Ｓを構成してい
る。
【０００５】上記第１の導電体１１の材質としては、従
来一般にタンタル（Ｔａ）が多く用いられ、非線形電気
伝導体１２としては酸化タンタル（ＴａＯｘ）、また第
２の導電体１３としては、電流電圧特性の正負の対称性
がよく液晶と組合せやすいクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔ
ｉ）等が多く用いられている。また画素電極３としては
透明のＩＴＯ等が多く用いられている。
来一般にタンタル（Ｔａ）が多く用いられ、非線形電気
伝導体１２としては酸化タンタル（ＴａＯｘ）、また第
２の導電体１３としては、電流電圧特性の正負の対称性
がよく液晶と組合せやすいクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔ
ｉ）等が多く用いられている。また画素電極３としては
透明のＩＴＯ等が多く用いられている。
【０００６】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７０
〜図７３は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７０
〜図７３は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【０００７】（１）先ず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７０に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化等することによっ
て、その表面に図７１に示すように酸化タンタル等の非
線形電気伝導体層１２を形成する。 （３）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図７２に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （４）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図７３に示
すように画素電極３を形成するものである。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７０に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化等することによっ
て、その表面に図７１に示すように酸化タンタル等の非
線形電気伝導体層１２を形成する。 （３）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図７２に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （４）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図７３に示
すように画素電極３を形成するものである。
【０００８】〔従来例２〕図７４は他の従来例を示す素
子基板の一部の平面図、図７５は図７４におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。前記従来例１と同
様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
子基板の一部の平面図、図７５は図７４におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。前記従来例１と同
様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
【０００９】本例は第１の導電体の側面を素子として利
用するいわゆるラテラル型のＭＩＭ素子を各画素に１つ
ずつ備えたもので、特に図の場合は配線２の側面にＭＩ
Ｍ素子Ｓを設けたものである。
用するいわゆるラテラル型のＭＩＭ素子を各画素に１つ
ずつ備えたもので、特に図の場合は配線２の側面にＭＩ
Ｍ素子Ｓを設けたものである。
【００１０】配線２は前記従来例１と同様に第１の導電
体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その非線
形電気伝導体１２の一部を覆うようにして設けた第２の
導電体１３に画素電極３が導電接続されている。そして
上記第１の導電体１１の上面の非線形電気伝導体１２を
厚く形成して絶縁層（バリア層）１２’とし、第１の導
電体１１とその側面の非線形電気伝導体１２および第２
の導電体１３の重なる部分をＭＩＭ素子Ｓとしたもので
ある。上記各部材の材質は前記従来例１と同様である。
体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その非線
形電気伝導体１２の一部を覆うようにして設けた第２の
導電体１３に画素電極３が導電接続されている。そして
上記第１の導電体１１の上面の非線形電気伝導体１２を
厚く形成して絶縁層（バリア層）１２’とし、第１の導
電体１１とその側面の非線形電気伝導体１２および第２
の導電体１３の重なる部分をＭＩＭ素子Ｓとしたもので
ある。上記各部材の材質は前記従来例１と同様である。
【００１１】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７６
〜図８１は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７６
〜図８１は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００１２】（１）先ず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７６に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図７７に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図７８に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等してその側面に図７９に示すように非線形電気伝導体
１２を形成する。 （５）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図８０に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図８１に示
すように画素電極３を形成するものである。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７６に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図７７に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図７８に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等してその側面に図７９に示すように非線形電気伝導体
１２を形成する。 （５）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図８０に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図８１に示
すように画素電極３を形成するものである。
【００１３】或いは、図８２に示すように上記（１）と
同様の要領で基板１上に配線２の一部を構成する導電体
１１を形成した後、その導電体１１上にポリイミド膜等
の絶縁膜を形成することによって図８３に示すように絶
縁層１２’を形成し、次いで上記導電体１１を陽極酸化
または熱酸化等して図８４に示すように導電体１１の側
面に非線形電気伝導体層１２を形成する。その後、上記
（５）および（６）と同様の要領で第２の導電体１３お
よび画素電極３を形成することによって、前記図７４お
よび図７５に示すようなラテラル型のＭＩＭ素子を有す
る素子基板を製造している。
同様の要領で基板１上に配線２の一部を構成する導電体
１１を形成した後、その導電体１１上にポリイミド膜等
の絶縁膜を形成することによって図８３に示すように絶
縁層１２’を形成し、次いで上記導電体１１を陽極酸化
または熱酸化等して図８４に示すように導電体１１の側
面に非線形電気伝導体層１２を形成する。その後、上記
（５）および（６）と同様の要領で第２の導電体１３お
よび画素電極３を形成することによって、前記図７４お
よび図７５に示すようなラテラル型のＭＩＭ素子を有す
る素子基板を製造している。
【００１４】〔従来例３〕図８５は更に他の従来例を示
す素子基板の一部の平面図、図８６は図８５におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
す素子基板の一部の平面図、図８６は図８５におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００１５】本例は配線２と各画素電極３との間に、２
つの通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２をいわゆるバック・ト
ゥ・バック方式で直列に設けたもので、配線２からの信
号は素子Ｓ１においては第１の導電体１１・非線形電気
伝導体１２・第２の導電体１３の順に伝達され、素子Ｓ
２においては第２の導電体１３・非線形電気伝導体１２
・第１の導電体１１の順に伝達される。そして、その素
子Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に入力される
構成である。
つの通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２をいわゆるバック・ト
ゥ・バック方式で直列に設けたもので、配線２からの信
号は素子Ｓ１においては第１の導電体１１・非線形電気
伝導体１２・第２の導電体１３の順に伝達され、素子Ｓ
２においては第２の導電体１３・非線形電気伝導体１２
・第１の導電体１１の順に伝達される。そして、その素
子Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に入力される
構成である。
【００１６】上記の配線２は、本例においては第１の導
電体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その配
線２および上記の素子Ｓ１・Ｓ２を構成する導電体１１
・１３および非線形電気伝導体１２並びに画素電極３の
材質は、前記従来例１の場合と同様のものが用いられて
いる。
電体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その配
線２および上記の素子Ｓ１・Ｓ２を構成する導電体１１
・１３および非線形電気伝導体１２並びに画素電極３の
材質は、前記従来例１の場合と同様のものが用いられて
いる。
【００１７】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図８７
〜図９２は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図８７
〜図９２は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００１８】（１）まず基板１上に導電体１１を構成す
るタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図８７に示す
ようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を構成
する第１の導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化して、その表面に図
８８に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体１
２を形成する。 （３）次に、図８９に示すように２つの素子Ｓ１・Ｓ２
の間の導電体および非線形電気伝導体とをフォトエッチ
ング等により切除する。 （４）また後述する画素電極と導電接続するために、図
９０に示すように一方の素子Ｓ２側の非線形電気伝導体
１２の一部をエッチング等により剥離して第１の導電体
１１を露出させる。 （５）次いで第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図９１に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）そして画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付けし、
その膜を所定の形状にパターニングして図９２に示すよ
うに画素電極３を形成するものである。
るタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図８７に示す
ようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を構成
する第１の導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化して、その表面に図
８８に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体１
２を形成する。 （３）次に、図８９に示すように２つの素子Ｓ１・Ｓ２
の間の導電体および非線形電気伝導体とをフォトエッチ
ング等により切除する。 （４）また後述する画素電極と導電接続するために、図
９０に示すように一方の素子Ｓ２側の非線形電気伝導体
１２の一部をエッチング等により剥離して第１の導電体
１１を露出させる。 （５）次いで第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図９１に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）そして画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付けし、
その膜を所定の形状にパターニングして図９２に示すよ
うに画素電極３を形成するものである。
【００１９】〔従来例４〕図９３は更に他の従来例を示
す素子基板の平面図、図９４は図９３におけるＡ−Ａ線
に沿う素子部の拡大断面図である。本例は配線２と各画
素電極３との間に、２つのラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１
・Ｓ２をバック・トゥ・バック方式で直列に設けたもの
で、その各ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２は配線２と各画素電極
３との間に形成した第１の導電体１１の左右両側面に設
けられている。
す素子基板の平面図、図９４は図９３におけるＡ−Ａ線
に沿う素子部の拡大断面図である。本例は配線２と各画
素電極３との間に、２つのラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１
・Ｓ２をバック・トゥ・バック方式で直列に設けたもの
で、その各ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２は配線２と各画素電極
３との間に形成した第１の導電体１１の左右両側面に設
けられている。
【００２０】配線２は本例においては第１の導電体１１
と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３とで構
成され、信号は主としてその第２の導電体１３を通って
伝達される。その配線２からの信号は、素子Ｓ１におい
ては上記配線２の第２の導電体１３から非線形電気伝導
体１２を経て配線２と各画素電極３との間の第１の導電
体１１に伝達され、素子Ｓ２においては上記第１の導電
体１１から非線形電気伝導体１２を経て画素電極３との
間の第１の導電体１１に伝達される。そして、その素子
Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に上記の信号が
入力される構成である。上記の各構成部材の材質は前記
例と同様である。
と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３とで構
成され、信号は主としてその第２の導電体１３を通って
伝達される。その配線２からの信号は、素子Ｓ１におい
ては上記配線２の第２の導電体１３から非線形電気伝導
体１２を経て配線２と各画素電極３との間の第１の導電
体１１に伝達され、素子Ｓ２においては上記第１の導電
体１１から非線形電気伝導体１２を経て画素電極３との
間の第１の導電体１１に伝達される。そして、その素子
Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に上記の信号が
入力される構成である。上記の各構成部材の材質は前記
例と同様である。
【００２１】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図９５
〜図１０１はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図９５
〜図１０１はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００２２】（１）先ず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図９５に
示すようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を
構成する導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図９６に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図９７に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’をを残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図９８に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （５）次に、図９９に示すように素子を構成する部分と
配線２を構成する部分との間の導電体１１と絶縁層およ
び非線形電気伝導体１２をフォトエッチング等により切
除する。 （６）そして第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図１００に示すように第２の
導電体１３を形成する。 （７）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図１０１に
示すように画素電極３を形成するものである。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図９５に
示すようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を
構成する導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図９６に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図９７に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’をを残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図９８に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （５）次に、図９９に示すように素子を構成する部分と
配線２を構成する部分との間の導電体１１と絶縁層およ
び非線形電気伝導体１２をフォトエッチング等により切
除する。 （６）そして第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図１００に示すように第２の
導電体１３を形成する。 （７）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図１０１に
示すように画素電極３を形成するものである。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に信号入力用配線をタンタル等の導電体と、それを陽極
酸化した酸化タンタルとで形成するものは、配線抵抗が
比較的大きく、特に大画面化に際しては、クロストーク
等による画質の劣化が激しい。また駆動電圧が高くなる
等の不具合があった。
に信号入力用配線をタンタル等の導電体と、それを陽極
酸化した酸化タンタルとで形成するものは、配線抵抗が
比較的大きく、特に大画面化に際しては、クロストーク
等による画質の劣化が激しい。また駆動電圧が高くなる
等の不具合があった。
【００２４】本発明は上記の問題点に鑑みて提案された
もので、配線抵抗が小さくてクロストーク等の発生が少
なく、しかも低電圧で駆動することのできる素子基板お
よびそれを用いた電気光学装置を提供すると共に、上記
のような素子基板を容易・安価に製造することのできる
素子基板の製造方法を提供ことを目的とする。
もので、配線抵抗が小さくてクロストーク等の発生が少
なく、しかも低電圧で駆動することのできる素子基板お
よびそれを用いた電気光学装置を提供すると共に、上記
のような素子基板を容易・安価に製造することのできる
素子基板の製造方法を提供ことを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明による素子基板およびその製造方法並びに該
素子基板を用いた電気光学装置は、以下の構成としたも
のである。即ち、基板上に第１の導電体と非線形電気伝
導体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等
の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形
素子が前記第２の導電体と同材質で形成された信号入力
用配線と画素電極との間に設けられたものにおいて、前
記第２の導電体と同材質で形成された前記信号入力用配
線の上には、更に個別に前記信号入力用配線に沿って高
導電性金属層が設けられていることを特徴とする。
めに本発明による素子基板およびその製造方法並びに該
素子基板を用いた電気光学装置は、以下の構成としたも
のである。即ち、基板上に第１の導電体と非線形電気伝
導体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等
の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形
素子が前記第２の導電体と同材質で形成された信号入力
用配線と画素電極との間に設けられたものにおいて、前
記第２の導電体と同材質で形成された前記信号入力用配
線の上には、更に個別に前記信号入力用配線に沿って高
導電性金属層が設けられていることを特徴とする。
【００２６】
【実施例】以下、本発明による素子基板およびその製造
方法並びに該素子基板を用いた電気光学装置を、図の実
施例に基づいて具体的に説明する。
方法並びに該素子基板を用いた電気光学装置を、図の実
施例に基づいて具体的に説明する。
【００２７】〔実施例１〕図１は本発明の一実施例を示
す素子基板の平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ線に沿
う素子部の拡大断面図である。以下、前記の従来例と同
様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
す素子基板の平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ線に沿
う素子部の拡大断面図である。以下、前記の従来例と同
様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
【００２８】本実施例は前記従来例１と同様に非線形素
子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けた
ものにおいて、配線２を構成する導電体１１の内方に、
配線２の長手方向に沿って高導電性金属層４を形成した
ものである。特に本例においては高導電性金属層４とし
てアルミニウムを用いたものである。
子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けた
ものにおいて、配線２を構成する導電体１１の内方に、
配線２の長手方向に沿って高導電性金属層４を形成した
ものである。特に本例においては高導電性金属層４とし
てアルミニウムを用いたものである。
【００２９】上記のアルミニウムとしては、アルミニウ
ム単体でもアルミニウム合金でもよく、アルミニウム合
金としては、アルミニウムを主体とした例えばＡｌ−Ｃ
ｕ合金やＡｌ−Ｍｇ合金等を用いることができる。また
アルミニウムに限らず銅単体もしくは銅合金その他の高
導電性金属材料を用いてもよい。他の部材の材質は従来
例と同様のものを用いることができる。
ム単体でもアルミニウム合金でもよく、アルミニウム合
金としては、アルミニウムを主体とした例えばＡｌ−Ｃ
ｕ合金やＡｌ−Ｍｇ合金等を用いることができる。また
アルミニウムに限らず銅単体もしくは銅合金その他の高
導電性金属材料を用いてもよい。他の部材の材質は従来
例と同様のものを用いることができる。
【００３０】上記のように配線２に沿って高導電性金属
層４を設けることによって、配線２の配線抵抗を低減す
ることが可能となる。
層４を設けることによって、配線２の配線抵抗を低減す
ることが可能となる。
【００３１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず図３に
示すように基板１上に、高導電性金属層４を構成するア
ルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリン
グ等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状
にパターニングして高導電性金属層４を形成する。
例えば以下の要領で製造することができる。まず図３に
示すように基板１上に、高導電性金属層４を構成するア
ルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリン
グ等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状
にパターニングして高導電性金属層４を形成する。
【００３２】その高導電性金属層４の上に前記従来例１
と同様に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付
けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状
に成形して図４に示すように第１の導電体１１を形成す
る。以後は前記従来例１と同様の要領で非線形電気伝導
体層１２、第２の導電体１３、画素電極３を順に形成す
ればよい。
と同様に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付
けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状
に成形して図４に示すように第１の導電体１１を形成す
る。以後は前記従来例１と同様の要領で非線形電気伝導
体層１２、第２の導電体１３、画素電極３を順に形成す
ればよい。
【００３３】図５は上記の素子基板を用いて電気光学装
置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図で
ある。図において、１は前記図１および図２のように構
成した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて配
置した対向基板で、その内面には対向電極５２が設けら
れ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた構
成である。
置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図で
ある。図において、１は前記図１および図２のように構
成した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて配
置した対向基板で、その内面には対向電極５２が設けら
れ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた構
成である。
【００３４】上記の素子基板１には前述のように信号入
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
【００３５】〔実施例２〕図６は本発明による他の実施
例を示す素子基板の平面図、図７は図６におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。
例を示す素子基板の平面図、図７は図６におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００３６】本実施例は前記従来例２と同様に非線形素
子として単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設
けたものにおいて、上記実施例１と同様に配線２を構成
する導電体１１の内方に、配線２の長手方向に沿ってア
ルミニウムとよりなる高導電性金属層４を形成したもの
である。
子として単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設
けたものにおいて、上記実施例１と同様に配線２を構成
する導電体１１の内方に、配線２の長手方向に沿ってア
ルミニウムとよりなる高導電性金属層４を形成したもの
である。
【００３７】上記の素子基板を製造するに当たっては、
図には省略したが、例えば上記実施例１と同様に予め基
板１上に高導電性金属層４を形成し、以後は従来例２に
おける前記図７６〜図８１に示すプロセスを前記と同様
の要領で順に実行して第１の導電体１１、絶縁層１
２’、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画
素電極３を形成すればよい。また前記従来例２と同様に
上記図７６〜図７９に示すプロセスに替えて前記図８２
〜図８４に示すプロセスによって製造することもでき
る。
図には省略したが、例えば上記実施例１と同様に予め基
板１上に高導電性金属層４を形成し、以後は従来例２に
おける前記図７６〜図８１に示すプロセスを前記と同様
の要領で順に実行して第１の導電体１１、絶縁層１
２’、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画
素電極３を形成すればよい。また前記従来例２と同様に
上記図７６〜図７９に示すプロセスに替えて前記図８２
〜図８４に示すプロセスによって製造することもでき
る。
【００３８】上記高導電性金属層４の材質は、上記実施
例１の場合と同様に適宜変更可能であり、他の部材の材
質は従来例と同様のものを用いることができる。後述す
る実施例においても同様である。また本例においても上
記の素子基板を用いて前記図５と同様の液晶表示装置等
の電気光学装置を構成することができるもので、低電圧
で良好な表示を得ることが可能となる。
例１の場合と同様に適宜変更可能であり、他の部材の材
質は従来例と同様のものを用いることができる。後述す
る実施例においても同様である。また本例においても上
記の素子基板を用いて前記図５と同様の液晶表示装置等
の電気光学装置を構成することができるもので、低電圧
で良好な表示を得ることが可能となる。
【００３９】〔実施例３〕図８は本発明による更に他の
実施例を示す素子基板の平面図、図９は図８におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の断面図である。
実施例を示す素子基板の平面図、図９は図８におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の断面図である。
【００４０】本実施例は前記従来例３と同様に非線形素
子としてバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子
Ｓ１・Ｓ２を設けたものにおいて、上記実施例１と同様
に配線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手
方向に沿ってアルミニウムとよりなる高導電性金属層４
を形成したものである。
子としてバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子
Ｓ１・Ｓ２を設けたものにおいて、上記実施例１と同様
に配線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手
方向に沿ってアルミニウムとよりなる高導電性金属層４
を形成したものである。
【００４１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
本例においても図には省略したが、例えば上記実施例１
と同様に予め基板１上に高導電性金属層４を形成し、以
後は従来例３における前記図８７〜図９２に示すプロセ
スを前記と同様の要領で順に実行して第１の導電体１
１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画素
電極３を形成すればよい。
本例においても図には省略したが、例えば上記実施例１
と同様に予め基板１上に高導電性金属層４を形成し、以
後は従来例３における前記図８７〜図９２に示すプロセ
スを前記と同様の要領で順に実行して第１の導電体１
１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画素
電極３を形成すればよい。
【００４２】本例においても上記の素子基板を用いて前
記図５と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成す
ることができるもので、低電圧で良好な表示を得ること
が可能となる。
記図５と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成す
ることができるもので、低電圧で良好な表示を得ること
が可能となる。
【００４３】〔実施例４〕図１０は本発明による更に他
の実施例を示す素子基板の平面図、図１１は図１０にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
の実施例を示す素子基板の平面図、図１１は図１０にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００４４】本実施例は前記従来例４と同様に非線形素
子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型のＭＩ
Ｍ素子Ｓ１・Ｓ２を設けたものにおいて、前記例と同様
に配線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手
方向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４
を形成したものである。上記のように配線２に沿って高
導電性金属層４を設けることによって、配線２の配線抵
抗を低減することができるものである。
子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型のＭＩ
Ｍ素子Ｓ１・Ｓ２を設けたものにおいて、前記例と同様
に配線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手
方向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４
を形成したものである。上記のように配線２に沿って高
導電性金属層４を設けることによって、配線２の配線抵
抗を低減することができるものである。
【００４５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。図１２〜図
１９はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
例えば以下の要領で製造することができる。図１２〜図
１９はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
【００４６】（１）まず基板１上に、高導電性金属層４
を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜を
スパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等
で所定の形状にパターニングして図１２に示すように高
導電性金属層４を基板１上に形成する。 （２）その高導電性金属層４の上に前記従来例１と同様
に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付けし、
その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形
して図１３に示すように第１の導電体１１を形成する。 （３）その第１の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化
等して第１の導電体１１の表面に図１４に示すように酸
化タンタル等の絶縁層１２’を形成する。 （４）上記第１の導電体１１の側面の絶縁層１２’を図
１５に示すようにフォトエッチング等により除去する。 （５）次いで、図１６に示すように第１の導電体１１の
側面に非線形電気伝導体１２を形成する。 （６）そして、素子を構成する部分と配線２を構成する
部分との間の第１の導電体１１および非線形電気伝導体
１２を、図１７に示すようにフォトエッチング等により
切除する。その際、同時に高導電性金属層４と第２の導
電体１３とを導電接続するためのコンタクトホールＨを
上記のフォトエッチングにより形成するもので、そのと
き高導電性金属層４をエッチングストッパとして利用す
ることができる。 （７）次に第２の導電体１３を構成するクロム等を膜付
けし、その膜をフォトエッチング等により所定の平面形
状に成形して図１８に示すように第２の導電体１３を形
成する。 （８）そして最後に画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付
けし、その膜をエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図１９に示すように画素電極３を形成すればよ
い。
を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜を
スパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等
で所定の形状にパターニングして図１２に示すように高
導電性金属層４を基板１上に形成する。 （２）その高導電性金属層４の上に前記従来例１と同様
に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付けし、
その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形
して図１３に示すように第１の導電体１１を形成する。 （３）その第１の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化
等して第１の導電体１１の表面に図１４に示すように酸
化タンタル等の絶縁層１２’を形成する。 （４）上記第１の導電体１１の側面の絶縁層１２’を図
１５に示すようにフォトエッチング等により除去する。 （５）次いで、図１６に示すように第１の導電体１１の
側面に非線形電気伝導体１２を形成する。 （６）そして、素子を構成する部分と配線２を構成する
部分との間の第１の導電体１１および非線形電気伝導体
１２を、図１７に示すようにフォトエッチング等により
切除する。その際、同時に高導電性金属層４と第２の導
電体１３とを導電接続するためのコンタクトホールＨを
上記のフォトエッチングにより形成するもので、そのと
き高導電性金属層４をエッチングストッパとして利用す
ることができる。 （７）次に第２の導電体１３を構成するクロム等を膜付
けし、その膜をフォトエッチング等により所定の平面形
状に成形して図１８に示すように第２の導電体１３を形
成する。 （８）そして最後に画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付
けし、その膜をエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図１９に示すように画素電極３を形成すればよ
い。
【００４７】なお上記の画素電極３をエッチングする際
に前記のアルミニウム等よりなる高導電性金属層４が外
部に露出していると、エッチング材料の選択が難しい
が、図示例のように第１の導電体１１等で被覆されてい
ると、上記のような不都合がなく、また液晶表示装置等
に用いる場合のラビング耐性にも問題が生じない等の利
点がある。
に前記のアルミニウム等よりなる高導電性金属層４が外
部に露出していると、エッチング材料の選択が難しい
が、図示例のように第１の導電体１１等で被覆されてい
ると、上記のような不都合がなく、また液晶表示装置等
に用いる場合のラビング耐性にも問題が生じない等の利
点がある。
【００４８】また本実施例においても前記従来例２と同
様に絶縁層１２’を熱酸化によって形成する、あるいは
ポリイミド膜等の絶縁性部材で形成することもできる。
さらに上記実施例では、高導電性金属層４と第２の導電
体１３とを導電接続するためにコンタクトホールＨを形
成したが、配線２部分の絶縁体１２を剥離し、その上に
第２の導電体１３を直接密着させて接続することもでき
る。
様に絶縁層１２’を熱酸化によって形成する、あるいは
ポリイミド膜等の絶縁性部材で形成することもできる。
さらに上記実施例では、高導電性金属層４と第２の導電
体１３とを導電接続するためにコンタクトホールＨを形
成したが、配線２部分の絶縁体１２を剥離し、その上に
第２の導電体１３を直接密着させて接続することもでき
る。
【００４９】図２０は上記の素子基板を用いて電気光学
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図１０および図１１のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図１０および図１１のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
【００５０】上記の素子基板１には前述のように信号入
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
【００５１】〔実施例５〕図２１は本発明による更に他
の実施例を示す素子基板の平面図、図２２は図２１にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
の実施例を示す素子基板の平面図、図２２は図２１にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００５２】本実施例は前記実施例４と同様に配線２の
導電体１１の内方に、その配線２の長手方向に沿ってア
ルミニウム等よりなる高導電性金属層４を形成すると共
に、実施例４におけるバック・トゥ・バック方式でラテ
ラル型の２つの素子Ｓ１・Ｓ２を上記配線２の側面と、
その配線２と画素電極３との間の導電体１１の一方の側
面とに設けたものである。
導電体１１の内方に、その配線２の長手方向に沿ってア
ルミニウム等よりなる高導電性金属層４を形成すると共
に、実施例４におけるバック・トゥ・バック方式でラテ
ラル型の２つの素子Ｓ１・Ｓ２を上記配線２の側面と、
その配線２と画素電極３との間の導電体１１の一方の側
面とに設けたものである。
【００５３】即ち、一方の素子Ｓ１は、配線２を構成す
る導電体１１の側面と、その表面に形成した非線形電気
伝導体１２および第２の導電体１３とで構成され、他方
の素子Ｓ２は配線２と画素電極３との間の導電体１１
と、その表面に形成した非線形電気伝導体１２および第
２の導電体１３とで構成されている。また画素電極３は
配線２と画素電極３との間の導電体１１の表面に直接導
電接続させた構成であり、その画素電極３および上記導
電体１１、非線形電気伝導体１２、導電体１３の材質は
前記従来例と同様のものが用いられている。
る導電体１１の側面と、その表面に形成した非線形電気
伝導体１２および第２の導電体１３とで構成され、他方
の素子Ｓ２は配線２と画素電極３との間の導電体１１
と、その表面に形成した非線形電気伝導体１２および第
２の導電体１３とで構成されている。また画素電極３は
配線２と画素電極３との間の導電体１１の表面に直接導
電接続させた構成であり、その画素電極３および上記導
電体１１、非線形電気伝導体１２、導電体１３の材質は
前記従来例と同様のものが用いられている。
【００５４】上記のように構成すると、前記実施例４の
ように配線２の導電体１１と第２の導電体１３とを導電
接続するためのコンタクトホールＨが不要となる等の利
点がある。
ように配線２の導電体１１と第２の導電体１３とを導電
接続するためのコンタクトホールＨが不要となる等の利
点がある。
【００５５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
実施例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と非線形電気伝導
体１２を形成する。そして図２３に示すように素子Ｓ２
を構成する導電体１１上の絶縁層１２’および非線形電
気伝導体１２の一部をフォトエッチング等で剥離すると
共に、素子Ｓ２を構成する部分と配線２との間の導電体
１１および非線形電気伝導体１２とをフォトエッチング
等で切除する。次いで、図２４に示すように第２の導電
体１３を形成した後、図２５に示すように画素電極３を
形成して導電体１１と接続すればよい。
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
実施例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と非線形電気伝導
体１２を形成する。そして図２３に示すように素子Ｓ２
を構成する導電体１１上の絶縁層１２’および非線形電
気伝導体１２の一部をフォトエッチング等で剥離すると
共に、素子Ｓ２を構成する部分と配線２との間の導電体
１１および非線形電気伝導体１２とをフォトエッチング
等で切除する。次いで、図２４に示すように第２の導電
体１３を形成した後、図２５に示すように画素電極３を
形成して導電体１１と接続すればよい。
【００５６】なお上記実施例は第１の導電体１１上の非
線形電気伝導体１２の一部を剥離して画素電極３と第１
の導電体１１とを接続するようにしたが、第１の導電体
１１上の非線形電気伝導体１２に前記実施例１と同様の
コンタクトホールを形成することによって画素電極３と
第１の導電体１１とを接続することもできる。また本実
施例においても前記従来例２と同様に絶縁層１２’を熱
酸化によって形成する、あるいはポリイミド膜等の絶縁
性部材で形成することもできる。
線形電気伝導体１２の一部を剥離して画素電極３と第１
の導電体１１とを接続するようにしたが、第１の導電体
１１上の非線形電気伝導体１２に前記実施例１と同様の
コンタクトホールを形成することによって画素電極３と
第１の導電体１１とを接続することもできる。また本実
施例においても前記従来例２と同様に絶縁層１２’を熱
酸化によって形成する、あるいはポリイミド膜等の絶縁
性部材で形成することもできる。
【００５７】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図２０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で
良好な表示を得ることが可能となる。
素子基板を用いて前記図２０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で
良好な表示を得ることが可能となる。
【００５８】〔実施例６〕図２６は本発明による更に他
の実施例を示す素子基板の平面図、図２７は図２６にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
の実施例を示す素子基板の平面図、図２７は図２６にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００５９】本実施例は前記従来例１と同様に非線形素
子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けた
ものにおいて、実施例１と同様に配線２を構成する導電
体１１の内方に、配線２の長手方向に沿って高導電性金
属層４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層
４と同材質の金属で形成したものである。
子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けた
ものにおいて、実施例１と同様に配線２を構成する導電
体１１の内方に、配線２の長手方向に沿って高導電性金
属層４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層
４と同材質の金属で形成したものである。
【００６０】上記のように配線２を構成する導電体１１
の内方に高導電性金属層４を設けると、配線抵抗を低減
できると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材質
の金属で形成すると、画素電極３を反射層として利用す
ることができる。上記の高導電性金属層４と画素電極３
の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよいが、同材
質のものを用いると、後述のように１回のプロセスで同
時に容易に形成することができる。
の内方に高導電性金属層４を設けると、配線抵抗を低減
できると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材質
の金属で形成すると、画素電極３を反射層として利用す
ることができる。上記の高導電性金属層４と画素電極３
の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよいが、同材
質のものを用いると、後述のように１回のプロセスで同
時に容易に形成することができる。
【００６１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば図２８に示すように基板１上に、高導電性金属層
４と画素電極３とを構成するアルミニウム等よりなる高
導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして高導
電性金属層４および画素電極３を形成する。その高導電
性金属層４の上に前記従来例１と同様に第１の導電体１
１を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図２９に示す
ように第１の導電体１１を形成する。以後は前記従来例
１と同様の要領で非線形電気伝導体層１２、第２の導電
体１３を順に形成すればよい。
例えば図２８に示すように基板１上に、高導電性金属層
４と画素電極３とを構成するアルミニウム等よりなる高
導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして高導
電性金属層４および画素電極３を形成する。その高導電
性金属層４の上に前記従来例１と同様に第１の導電体１
１を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図２９に示す
ように第１の導電体１１を形成する。以後は前記従来例
１と同様の要領で非線形電気伝導体層１２、第２の導電
体１３を順に形成すればよい。
【００６２】図３０は上記の素子基板を用いて電気光学
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図２６および図２７のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図２６および図２７のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
【００６３】上記の素子基板１には前述のように信号入
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となると共に、画素電極３を
高導電性金属層４と同材質の金属で形成したことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となると共に、画素電極３を
高導電性金属層４と同材質の金属で形成したことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。
【００６４】なお上記の電気光学装置の背面側すなわち
素子基板１の図で下側には、図３０に示すように必要に
応じて鏡等の反射板６または光散乱板もしくは遮光板等
を設けるとよく、そのようにすると、隣り合う画素電極
間の隙間から背面側に光が洩れたり、あるいは背面側か
ら不要な光が侵入して表示性能等が低下するのを防ぐこ
とができる。
素子基板１の図で下側には、図３０に示すように必要に
応じて鏡等の反射板６または光散乱板もしくは遮光板等
を設けるとよく、そのようにすると、隣り合う画素電極
間の隙間から背面側に光が洩れたり、あるいは背面側か
ら不要な光が侵入して表示性能等が低下するのを防ぐこ
とができる。
【００６５】〔実施例７〕上記実施例６は前記従来例１
と同様に非線形素子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを
用いた場合を例にして説明したが、前記従来例２のよう
に非線形素子として単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを用
いたもの、または前記従来例３のように非線形素子とし
てバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・
Ｓ２を用いたもの、あるいは前記従来例４のように非線
形素子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型の
ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を用いたものにおいても、上記実
施例６と同様に配線２の長手方向に沿って高導電性金属
層４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４
と同材質もしくは別材質の金属で形成することもでき
る。
と同様に非線形素子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを
用いた場合を例にして説明したが、前記従来例２のよう
に非線形素子として単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを用
いたもの、または前記従来例３のように非線形素子とし
てバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・
Ｓ２を用いたもの、あるいは前記従来例４のように非線
形素子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型の
ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を用いたものにおいても、上記実
施例６と同様に配線２の長手方向に沿って高導電性金属
層４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４
と同材質もしくは別材質の金属で形成することもでき
る。
【００６６】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、上記実施例６と同様に基板１上に、高導電性金属
層４と画素電極３とを形成し、その後、前記従来例２ま
たは従来例３もしくは従来例４と同様の要領で第１の導
電体１１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３
を形成すればよい。また上記のように構成した素子基板
を用いて実施例６と同様に前記図２０に示すような液晶
表示装置等の電気光学装置を構成することが可能であ
り、実施例６と同様に配線抵抗が少ない反射型の装置が
得られる。
ては、上記実施例６と同様に基板１上に、高導電性金属
層４と画素電極３とを形成し、その後、前記従来例２ま
たは従来例３もしくは従来例４と同様の要領で第１の導
電体１１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３
を形成すればよい。また上記のように構成した素子基板
を用いて実施例６と同様に前記図２０に示すような液晶
表示装置等の電気光学装置を構成することが可能であ
り、実施例６と同様に配線抵抗が少ない反射型の装置が
得られる。
【００６７】〔実施例８〕前記実施例５におけるバック
・トゥ・バック方式でラテラル型の２つの素子Ｓ１・Ｓ
２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との間の
導電体１１の一方の側面とに設けたものにおいても、上
記実施例６と同様に構成ことができる。
・トゥ・バック方式でラテラル型の２つの素子Ｓ１・Ｓ
２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との間の
導電体１１の一方の側面とに設けたものにおいても、上
記実施例６と同様に構成ことができる。
【００６８】図３１はその一例を示す素子基板の平面
図、図３２は図３１におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡
大断面図であり、上記実施例６と同様に配線２の長手方
向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４を
形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材
質の金属で形成したものである。ただし、別材質の金属
で形成することもできる。
図、図３２は図３１におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡
大断面図であり、上記実施例６と同様に配線２の長手方
向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４を
形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材
質の金属で形成したものである。ただし、別材質の金属
で形成することもできる。
【００６９】上記のように画素電極３を金属で形成する
と、前記実施例６と同様に画素電極３を反射層として利
用することができる。また配線２の高導電性金属層４と
画素電極３の金属層４とを同材質のものを用いると、後
述のように１回のプロセスで同時に容易に形成すること
が可能となる。
と、前記実施例６と同様に画素電極３を反射層として利
用することができる。また配線２の高導電性金属層４と
画素電極３の金属層４とを同材質のものを用いると、後
述のように１回のプロセスで同時に容易に形成すること
が可能となる。
【００７０】さらに上記実施例のように２つの素子Ｓ１
・Ｓ２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との
間の導電体１１の一方の側面とに設けると共に、金属よ
りなる画素電極３を基板１上に設けると、前記実施例４
のように配線２の導電体１１と導電体１３とを導電接続
するためのコンタクトホールを設けたり、前記実施例３
のように配線２と画素電極３との間の導電体１１と画素
電極３とを導電接続するために導電体１１上の非線形電
気伝導体１２の一部を剥離する面倒がない等の利点があ
る。
・Ｓ２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との
間の導電体１１の一方の側面とに設けると共に、金属よ
りなる画素電極３を基板１上に設けると、前記実施例４
のように配線２の導電体１１と導電体１３とを導電接続
するためのコンタクトホールを設けたり、前記実施例３
のように配線２と画素電極３との間の導電体１１と画素
電極３とを導電接続するために導電体１１上の非線形電
気伝導体１２の一部を剥離する面倒がない等の利点があ
る。
【００７１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。図３３〜図
３８はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
例えば以下の要領で製造することができる。図３３〜図
３８はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
【００７２】（１）まず、基板１の表面に、高導電性金
属層４および画素電極３を構成するアルミニウム等より
なる高導電性金属膜をスパッタリング等で形成し、その
金属膜をフォトエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図３３に示すように配線２に沿う高導電性金属層
４とそれと同材質の金属よりなる画素電極３を形成す
る。 （２）次いで、その上に導電体１１を構成するタンタル
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングに
より所定の平面形状にパターニングして図３４に示すよ
うにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１と、配線２
の一部を構成する導電体１１とを形成する。 （３）その導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等し
て、その表面に図３５に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （４）次に、上記導電体１１の側面の絶縁層１２’をフ
ォトエッチング等により除去して図３６に示すように該
導電体１１の上面の絶縁層１２’を残す。 （５）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図３７に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （６）そして図３８に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１と絶縁層１２’および非線形
電気伝導体１２とをフォトエッチング等により切除する
と共に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導電膜
を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定
の平面形状に成形して第２の導電体１３を形成すればよ
い。
属層４および画素電極３を構成するアルミニウム等より
なる高導電性金属膜をスパッタリング等で形成し、その
金属膜をフォトエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図３３に示すように配線２に沿う高導電性金属層
４とそれと同材質の金属よりなる画素電極３を形成す
る。 （２）次いで、その上に導電体１１を構成するタンタル
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングに
より所定の平面形状にパターニングして図３４に示すよ
うにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１と、配線２
の一部を構成する導電体１１とを形成する。 （３）その導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等し
て、その表面に図３５に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （４）次に、上記導電体１１の側面の絶縁層１２’をフ
ォトエッチング等により除去して図３６に示すように該
導電体１１の上面の絶縁層１２’を残す。 （５）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図３７に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （６）そして図３８に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１と絶縁層１２’および非線形
電気伝導体１２とをフォトエッチング等により切除する
と共に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導電膜
を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定
の平面形状に成形して第２の導電体１３を形成すればよ
い。
【００７３】なお上記の製造プロセス（３）および
（５）で、導電体１１を陽極酸化して絶縁層１２’およ
び非線形電気伝導体１２を形成する際に、アルミニウム
等よりなる画素電極３の露出部分が酸化されて、表面に
アルミナ等の酸化被膜が生成されるが、画素電極３を反
射層として利用するには殆ど支障がなく、むしろ上記の
酸化被膜が保護膜となって液晶表示装置等の電気光学装
置に用いた場合に対向電極との間の短絡を防止できると
共に、膜残り等による不良に対する冗長性を高めること
ができる等の利点がある。上記実施例７においてラテラ
ル型のＭＩＭ素子を陽極酸化により形成する場合も同様
である。
（５）で、導電体１１を陽極酸化して絶縁層１２’およ
び非線形電気伝導体１２を形成する際に、アルミニウム
等よりなる画素電極３の露出部分が酸化されて、表面に
アルミナ等の酸化被膜が生成されるが、画素電極３を反
射層として利用するには殆ど支障がなく、むしろ上記の
酸化被膜が保護膜となって液晶表示装置等の電気光学装
置に用いた場合に対向電極との間の短絡を防止できると
共に、膜残り等による不良に対する冗長性を高めること
ができる等の利点がある。上記実施例７においてラテラ
ル型のＭＩＭ素子を陽極酸化により形成する場合も同様
である。
【００７４】また上記の酸化被膜が不必要な場合には、
その全部もしくは一部を選択的に除去することも可能で
あり、例えばアルミナにあっては燐酸−クロム酸（ＡＲ
Ｓ２３４１）等を用いることによって容易に除去するこ
とができる。
その全部もしくは一部を選択的に除去することも可能で
あり、例えばアルミナにあっては燐酸−クロム酸（ＡＲ
Ｓ２３４１）等を用いることによって容易に除去するこ
とができる。
【００７５】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、上記実施
例６と同様の効果が得られる。
素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、上記実施
例６と同様の効果が得られる。
【００７６】〔実施例９〕図３９は配線に沿って高導電
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
他の実施例を示す素子基板の平面図、図４０は図３９に
おけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
他の実施例を示す素子基板の平面図、図４０は図３９に
おけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００７７】本実施例は非線形素子としてバック・トゥ
・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配線２と
画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２をタン
タル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非
線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電体１３
とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上記素子
Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質のクロ
ム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性金属層
４とで構成したものである。
・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配線２と
画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２をタン
タル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非
線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電体１３
とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上記素子
Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質のクロ
ム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性金属層
４とで構成したものである。
【００７８】上記のように配線２を高導電性金属層４で
構成すると、配線抵抗を低減できると共に、画素電極３
の表面を上記のような金属層４で構成すると、画素電極
３を反射層として利用することができる。
構成すると、配線抵抗を低減できると共に、画素電極３
の表面を上記のような金属層４で構成すると、画素電極
３を反射層として利用することができる。
【００７９】なお上記配線２上の高導電性金属層４と画
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよい
が、同材質のものを用いると、後述のように１回のプロ
セスで同時に容易に形成することができる。また上記の
クロム等よりなる導電体１３を省略して配線２および画
素電極３をアルミニウム等よりなる高導電性金属層４の
みで形成すると共に、素子Ｓ１・Ｓ２をタンタル等より
なる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝
導体１２および金属層４とで構成することもできる。ま
た上記のアルミニウムの代わりに例えばニッケルと金と
の合金を、前記のクロム等よりなる導電体１３の上に形
成することもできる。
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよい
が、同材質のものを用いると、後述のように１回のプロ
セスで同時に容易に形成することができる。また上記の
クロム等よりなる導電体１３を省略して配線２および画
素電極３をアルミニウム等よりなる高導電性金属層４の
みで形成すると共に、素子Ｓ１・Ｓ２をタンタル等より
なる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝
導体１２および金属層４とで構成することもできる。ま
た上記のアルミニウムの代わりに例えばニッケルと金と
の合金を、前記のクロム等よりなる導電体１３の上に形
成することもできる。
【００８０】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
１〜図４３はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
１〜図４３はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００８１】（１）まず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４１に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面に
図４２に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体
層１２を形成する。 （３）次いで、第２の導電体１３を構成するクロム等の
導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４とをスパ
ッタリング等で形成し、その導電膜および高導電性金属
層４とをフォトエッチング等により所定の平面形状にパ
ターニングして図４３に示すように素子Ｓ１・Ｓ２を構
成する第２の導電体１３と、配線２および画素電極３と
を形成すればよい。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４１に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面に
図４２に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体
層１２を形成する。 （３）次いで、第２の導電体１３を構成するクロム等の
導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４とをスパ
ッタリング等で形成し、その導電膜および高導電性金属
層４とをフォトエッチング等により所定の平面形状にパ
ターニングして図４３に示すように素子Ｓ１・Ｓ２を構
成する第２の導電体１３と、配線２および画素電極３と
を形成すればよい。
【００８２】なお前記のようにクロム等よりなる導電体
１３を省略する場合には、上記のクロム等の金属膜の形
成を省略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１
の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それ
をフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニン
グすればよい。
１３を省略する場合には、上記のクロム等の金属膜の形
成を省略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１
の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それ
をフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニン
グすればよい。
【００８３】また前記のようにアルミニウムの代わりに
ニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２
の導電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によ
って形成することもできる。
ニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２
の導電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によ
って形成することもできる。
【００８４】上記のように構成された素子基板を用いて
前記図３０と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構
成することができるもので、同様の効果が得られる。
前記図３０と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構
成することができるもので、同様の効果が得られる。
【００８５】〔実施例１０〕図４４は配線に沿って高導
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図４５は図
４４におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図４５は図
４４におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
【００８６】本実施例は非線形素子としてバック・トゥ
・バック方式のラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配
線２と画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２
をタンタル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等より
なる非線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電
体１３とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上
記素子Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質
のクロム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性
金属層４とで構成したものである。
・バック方式のラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配
線２と画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２
をタンタル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等より
なる非線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電
体１３とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上
記素子Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質
のクロム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性
金属層４とで構成したものである。
【００８７】上記のように配線２を高導電性金属層４で
構成すると、上記実施例９と同様に配線抵抗を低減でき
ると共に、画素電極３の表面を上記のような金属層４で
構成すると、画素電極３を反射層として利用することが
できる。
構成すると、上記実施例９と同様に配線抵抗を低減でき
ると共に、画素電極３の表面を上記のような金属層４で
構成すると、画素電極３を反射層として利用することが
できる。
【００８８】なお上記配線２上の高導電性金属層４と画
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記実施例の場合と同様であ
る。
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記実施例の場合と同様であ
る。
【００８９】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
６〜図４９はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
６〜図４９はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００９０】（１）まず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４６に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面前
面に絶縁層１２’を形成し、導電体１１の側面の絶縁層
１２’をフォトエッチング等により除去して図４７に示
すように酸化タンタル等よりなる絶縁層１２’を導電体
１１上に形成する。あるいは導電体１１上にポリイミド
膜等の絶縁膜１２’を形成する。 （３）次いで、上記導電体１１を熱酸化してその側面に
図４８に示すように非線形電気導電体層１２を形成す
る。 （４）そして最後に、第２の導電体１３を構成するクロ
ム等の導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４と
をスパッタリング等で形成し、その導電膜および高導電
性金属層４とをフォトエッチング等により所定の平面形
状にパターニングして図４９に示すように素子Ｓ１・Ｓ
２を構成する第２の導電体１３と、配線２および画素電
極３とを形成すればよい。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４６に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面前
面に絶縁層１２’を形成し、導電体１１の側面の絶縁層
１２’をフォトエッチング等により除去して図４７に示
すように酸化タンタル等よりなる絶縁層１２’を導電体
１１上に形成する。あるいは導電体１１上にポリイミド
膜等の絶縁膜１２’を形成する。 （３）次いで、上記導電体１１を熱酸化してその側面に
図４８に示すように非線形電気導電体層１２を形成す
る。 （４）そして最後に、第２の導電体１３を構成するクロ
ム等の導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４と
をスパッタリング等で形成し、その導電膜および高導電
性金属層４とをフォトエッチング等により所定の平面形
状にパターニングして図４９に示すように素子Ｓ１・Ｓ
２を構成する第２の導電体１３と、配線２および画素電
極３とを形成すればよい。
【００９１】なお前記のようにクロム等よりなる導電体
１３を省略する場合には、前記の非線形電気伝導体１２
を含む基板１の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を
形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時
にパターニングすればよく、また前記のようにアルミニ
ウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム
等よりなる第２の導電体１３の上に形成する場合には、
めっき法等によっても形成可能であることは前記例の場
合と同様である。
１３を省略する場合には、前記の非線形電気伝導体１２
を含む基板１の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を
形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時
にパターニングすればよく、また前記のようにアルミニ
ウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム
等よりなる第２の導電体１３の上に形成する場合には、
めっき法等によっても形成可能であることは前記例の場
合と同様である。
【００９２】本実施例においても上記のように構成され
た素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等
の電気光学装置を構成することができるもので、同様の
効果が得られる。
た素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等
の電気光学装置を構成することができるもので、同様の
効果が得られる。
【００９３】〔実施例１１〕図５０は配線に沿って高導
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５１は図
５０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５１は図
５０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
【００９４】本実施例は前記従来例４と同様にラテラル
型でバック・トゥ・バック方式の素子Ｓ１・Ｓ２と配線
２とを、タンタル等よりなる第１の導電体１１と酸化タ
ンタル等よりなる非線形電気伝導体１２およびクロム等
よりなる第２の導電体１３とで構成すると共に、画素電
極３を上記第２の導電体と同材質のクロム等よりなる導
電体１３で形成し、かつ、それ等の導電体１３上にアル
ミニウム等よりなる高導電性金属層４を設けたものであ
る。
型でバック・トゥ・バック方式の素子Ｓ１・Ｓ２と配線
２とを、タンタル等よりなる第１の導電体１１と酸化タ
ンタル等よりなる非線形電気伝導体１２およびクロム等
よりなる第２の導電体１３とで構成すると共に、画素電
極３を上記第２の導電体と同材質のクロム等よりなる導
電体１３で形成し、かつ、それ等の導電体１３上にアル
ミニウム等よりなる高導電性金属層４を設けたものであ
る。
【００９５】本実施例においても上記のように配線２を
構成する導電体１３上に高導電性金属層４を設けたこと
によって配線抵抗を低減できると共に、画素電極３の表
面に金属層４を設けたことによって画素電極３を反射層
として利用することができるものである。
構成する導電体１３上に高導電性金属層４を設けたこと
によって配線抵抗を低減できると共に、画素電極３の表
面に金属層４を設けたことによって画素電極３を反射層
として利用することができるものである。
【００９６】なお上記配線２上の高導電性金属層４と画
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記実施例の場合と同様であ
る。
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記実施例の場合と同様であ
る。
【００９７】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に配線２を構成する導電体１１
と非線形電気伝導体１２および素子Ｓ１・Ｓ２を構成す
る第１の伝導体１１と非線形電気伝導体１２を形成する
と共に、図５２に示すように素子を構成する部分と配線
２との間の導電体１１と絶縁体１２’および非線形電気
伝導体１２とを切除する。
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に配線２を構成する導電体１１
と非線形電気伝導体１２および素子Ｓ１・Ｓ２を構成す
る第１の伝導体１１と非線形電気伝導体１２を形成する
と共に、図５２に示すように素子を構成する部分と配線
２との間の導電体１１と絶縁体１２’および非線形電気
伝導体１２とを切除する。
【００９８】次いで、図５３に示すように非線形電気伝
導体１２を含む基板１の上面に、導電体１３を構成する
クロム等の金属膜とアルミニウム等の金属膜とをスパッ
タリング等で形成すると共に、フォトエッチング等で所
定の形状にパターニングすればよい。その際、上記の導
電体１３を構成するクロム等の金属膜とアルミニウム等
の金属膜とを図示例のように同一の平面形状にする場合
には同時にパターニングすることができる。
導体１２を含む基板１の上面に、導電体１３を構成する
クロム等の金属膜とアルミニウム等の金属膜とをスパッ
タリング等で形成すると共に、フォトエッチング等で所
定の形状にパターニングすればよい。その際、上記の導
電体１３を構成するクロム等の金属膜とアルミニウム等
の金属膜とを図示例のように同一の平面形状にする場合
には同時にパターニングすることができる。
【００９９】なお前記のようにクロム等よりなる導電体
１３を省略する場合には、上記のクロム等の膜形成を省
略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１の上面
に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォ
トエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすれ
ばよい。また前記のようにアルミニウムの代わりにニッ
ケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２の導
電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によって
形成することもできることは前記例の場合と同様であ
る。
１３を省略する場合には、上記のクロム等の膜形成を省
略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１の上面
に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォ
トエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすれ
ばよい。また前記のようにアルミニウムの代わりにニッ
ケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２の導
電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によって
形成することもできることは前記例の場合と同様であ
る。
【０１００】図５４は上記の素子基板を用いて電気光学
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図２１および図２２のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図２１および図２２のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
【０１０１】上記の素子基板１は、前述のように配線２
に沿って高導電性金属層４を設けると共に、画素電極３
の表面に金属層４を設けた構成であり、配線２に沿って
高導電性金属層４を設けたことによって配線抵抗が低減
され低電圧で良好な表示を得ることが可能となると共
に、画素電極３の表面に金属層４を設けたことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。また前記図３０と同様に必要に応じて基板１の背面
側に反射板等を設けることができる。
に沿って高導電性金属層４を設けると共に、画素電極３
の表面に金属層４を設けた構成であり、配線２に沿って
高導電性金属層４を設けたことによって配線抵抗が低減
され低電圧で良好な表示を得ることが可能となると共
に、画素電極３の表面に金属層４を設けたことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。また前記図３０と同様に必要に応じて基板１の背面
側に反射板等を設けることができる。
【０１０２】〔実施例１２〕図５５は配線に沿って高導
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５６は図
５５におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５６は図
５５におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
【０１０３】本実施例は前記従来例４における素子Ｓ１
・Ｓ２と配線２を構成する第２の導電体としてアルミニ
ウム等よりなる高導電性金属４を用いると共に、画素電
極３を上記と同材質の高導電性金属４で形成し、かつ、
その高導電性金属層４上にＩＴＯ等よりなる透明の導電
体層５を設けたものである。その導電体層５の表面に
は、必要に応じて微細な凹凸を形成するとよい。他の構
成は前記従来例４と同様である。
・Ｓ２と配線２を構成する第２の導電体としてアルミニ
ウム等よりなる高導電性金属４を用いると共に、画素電
極３を上記と同材質の高導電性金属４で形成し、かつ、
その高導電性金属層４上にＩＴＯ等よりなる透明の導電
体層５を設けたものである。その導電体層５の表面に
は、必要に応じて微細な凹凸を形成するとよい。他の構
成は前記従来例４と同様である。
【０１０４】なお上記の高導電性金属４としては、アル
ミニウム単体またはアルミニウム合金のいずれでもよ
く、また銅単体もしくは銅合金、あるいは他の金属を用
いることもできる。また透明導電体層５は、ＩＴＯに限
らず、他の透明もしくは半透明の導電体を用いてもよ
い。
ミニウム単体またはアルミニウム合金のいずれでもよ
く、また銅単体もしくは銅合金、あるいは他の金属を用
いることもできる。また透明導電体層５は、ＩＴＯに限
らず、他の透明もしくは半透明の導電体を用いてもよ
い。
【０１０５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と絶縁体１２’お
よび非線形電気伝導体１２とを形成すると共に、図５７
に示すように素子を構成する部分と配線２との間の導電
体１１と絶縁体１２’および非線形電気伝導体１２とを
切除する。
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と絶縁体１２’お
よび非線形電気伝導体１２とを形成すると共に、図５７
に示すように素子を構成する部分と配線２との間の導電
体１１と絶縁体１２’および非線形電気伝導体１２とを
切除する。
【０１０６】次いで、上記の非線形電気伝導体１２を含
む基板１の上面に、第２の導電体１３を構成するクロム
等よりなる膜をスパッタリング等で形成し、その膜をフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図５
８に示すように配線部の非線形電気伝導体１２上に第２
の導電体１３を形成すると共に、それと同材質の導電体
１３よりなる画素電極３を形成する。そして、その画素
電極３上にＩＴＯ等よりなる透明の導電膜をスパッタリ
ング等で形成し、それを図５９に示すようにフォトエッ
チング等で所定の形状にパターニングして導電体層５を
形成すればよい。
む基板１の上面に、第２の導電体１３を構成するクロム
等よりなる膜をスパッタリング等で形成し、その膜をフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図５
８に示すように配線部の非線形電気伝導体１２上に第２
の導電体１３を形成すると共に、それと同材質の導電体
１３よりなる画素電極３を形成する。そして、その画素
電極３上にＩＴＯ等よりなる透明の導電膜をスパッタリ
ング等で形成し、それを図５９に示すようにフォトエッ
チング等で所定の形状にパターニングして導電体層５を
形成すればよい。
【０１０７】なお、その導電体層５の表面に前述のよう
に微細な凹凸を形成する場合には、上記の導電体層５を
形成する際のスパッタリング条件を適宜調整するか、あ
るいはスパッタリング後にライトコーチング等の表面処
理を行えばよい。上記のスパッタリング条件としては、
例えば、温度を低くしてレートを上げる方向で行うとよ
い。
に微細な凹凸を形成する場合には、上記の導電体層５を
形成する際のスパッタリング条件を適宜調整するか、あ
るいはスパッタリング後にライトコーチング等の表面処
理を行えばよい。上記のスパッタリング条件としては、
例えば、温度を低くしてレートを上げる方向で行うとよ
い。
【０１０８】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、金属よりなる画素電極３の
表面に透明の導電体層５を設けたことによって反射効率
を高めることができる。
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、金属よりなる画素電極３の
表面に透明の導電体層５を設けたことによって反射効率
を高めることができる。
【０１０９】この場合、金属よりなる画素電極３の表面
の反射面と、上記の透明導電体層５による光の干渉によ
り最も反射率がかせげるように、透明導電体層５の膜厚
を設定するのが望ましく、例えばＩＴＯを用いる場合の
膜厚は、１００〜１５００オングストローム程度が好適
である。
の反射面と、上記の透明導電体層５による光の干渉によ
り最も反射率がかせげるように、透明導電体層５の膜厚
を設定するのが望ましく、例えばＩＴＯを用いる場合の
膜厚は、１００〜１５００オングストローム程度が好適
である。
【０１１０】また上記の干渉効果を利用して反射光の色
調をコントロールすることも可能であり、例えば透明導
電体層５としてＩＴＯを用いた場合に、その膜厚が５０
０オングストロームのときの反射光は薄青色、１０００
オングストロームのときは黄色、１５００オングストロ
ームのときは茶色の反射光が得られる。
調をコントロールすることも可能であり、例えば透明導
電体層５としてＩＴＯを用いた場合に、その膜厚が５０
０オングストロームのときの反射光は薄青色、１０００
オングストロームのときは黄色、１５００オングストロ
ームのときは茶色の反射光が得られる。
【０１１１】上記のように反射光の色調をコントロール
することにより、視認性を高めることも可能であり、特
にゲストホストモードの液晶との組合せた場合の色調を
調整するのに有効である。
することにより、視認性を高めることも可能であり、特
にゲストホストモードの液晶との組合せた場合の色調を
調整するのに有効である。
【０１１２】〔実施例１３〕図６０は配線に沿って高導
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図６１は図
６０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
電性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせ
た更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図６１は図
６０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
【０１１３】本実施例は前記従来例４における第２の導
電体１３をアルミニウム等の高導電性金属で形成すると
共に、画素電極３を第１の導電体１１と同材質のタンタ
ルで形成する。そして、そのタンタルよりなる画素電極
３の表面に微細な凹部Ｇを形成し、その上に上記第２の
導電体１３と同材質の金属層１３を被覆したもので、他
の構成は前記従来例１と同様である。
電体１３をアルミニウム等の高導電性金属で形成すると
共に、画素電極３を第１の導電体１１と同材質のタンタ
ルで形成する。そして、そのタンタルよりなる画素電極
３の表面に微細な凹部Ｇを形成し、その上に上記第２の
導電体１３と同材質の金属層１３を被覆したもので、他
の構成は前記従来例１と同様である。
【０１１４】上記の画素電極３としてタンタルを用いる
代わりに他の材料、例えば樹脂系のものや金属材料でも
よいが、本実施例のように第１の導電体１１と同材質の
ものを用いると、その第１の導電体１１を形成する際に
同時に容易に形成することがでる。
代わりに他の材料、例えば樹脂系のものや金属材料でも
よいが、本実施例のように第１の導電体１１と同材質の
ものを用いると、その第１の導電体１１を形成する際に
同時に容易に形成することがでる。
【０１１５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。図６２〜図
６７はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
例えば以下の要領で製造することができる。図６２〜図
６７はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
【０１１６】（１）まず、基板１上にタンタル等の導電
膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定
の平面形状にパターニングして図６２に示すよう素子と
配線を構成する導電体１１と、画素電極３を構成する導
電体１１を形成し、その画素電極３を構成する導電体１
１の表面にフォトエッチング等によって凹部Ｇを形成す
る。 （２）その画素電極３を構成する導電体１１を除く素子
部と配線部の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化し
て、その表面に図６３に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （３）その導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォトエ
ッチング等により除去して図６４に示すように該導電体
１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
してその側面に図６５に示すように非線形電気伝導体１
２を形成する。 （５）次に、図６６に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１および非線形電気伝導体１２
とをフォトエッチング等により切除する。 （６）最後に第２の導電体１３を構成するアルミニウム
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等
により所定の平面形状に成形して図６７に示すように素
子部と配線部に第２の導電体１３を形成すると共に、タ
ンタル等よりなる画素電極３の表面に導電体１３を形成
すればよい。
膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定
の平面形状にパターニングして図６２に示すよう素子と
配線を構成する導電体１１と、画素電極３を構成する導
電体１１を形成し、その画素電極３を構成する導電体１
１の表面にフォトエッチング等によって凹部Ｇを形成す
る。 （２）その画素電極３を構成する導電体１１を除く素子
部と配線部の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化し
て、その表面に図６３に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （３）その導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォトエ
ッチング等により除去して図６４に示すように該導電体
１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
してその側面に図６５に示すように非線形電気伝導体１
２を形成する。 （５）次に、図６６に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１および非線形電気伝導体１２
とをフォトエッチング等により切除する。 （６）最後に第２の導電体１３を構成するアルミニウム
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等
により所定の平面形状に成形して図６７に示すように素
子部と配線部に第２の導電体１３を形成すると共に、タ
ンタル等よりなる画素電極３の表面に導電体１３を形成
すればよい。
【０１１７】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、画素電極３の表面に図６０
および図６１に示すように微細な凹部Ｇを形成したこと
によって、反射光が散乱して反射効率を高めることがで
きるものである。
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、画素電極３の表面に図６０
および図６１に示すように微細な凹部Ｇを形成したこと
によって、反射光が散乱して反射効率を高めることがで
きるものである。
【０１１８】なお上記の凹部Ｇの幅ｗは、製造プロセス
や散乱効果を考慮して０．５〜５０μｍ程度が好まし
く、又その深さｄは０．１〜２μｍ程度が望ましい。さ
らに上記凹部Ｇは散乱効果を高めるために、なるべくな
だらかな曲面形状にするのがよい。また液晶表示装置等
の電気光学装置を構成したときに、特定の干渉縞が出な
いように凹部Ｇのパターンは、なるべくランダムな形状
にするのが望ましい。
や散乱効果を考慮して０．５〜５０μｍ程度が好まし
く、又その深さｄは０．１〜２μｍ程度が望ましい。さ
らに上記凹部Ｇは散乱効果を高めるために、なるべくな
だらかな曲面形状にするのがよい。また液晶表示装置等
の電気光学装置を構成したときに、特定の干渉縞が出な
いように凹部Ｇのパターンは、なるべくランダムな形状
にするのが望ましい。
【０１１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明による素子基
板およびその製造方法並びに該素子基板を用いた電気光
学装置は、基板上に第１の導電体と非線形電気伝導体お
よび第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の重な
る部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子が
前記第２の導電体と同材質で形成された信号入力用配線
と画素電極との間に設けられたものにおいて、前記第２
の導電体と同材質で形成された前記信号入力用配線の上
には、更に個別に前記信号入力用配線に沿って高導電性
金属層が設けられているので、配線抵抗を小さくするこ
とが可能となり、前述従来のようにクロストーク等によ
って画質が劣化するのを防止できると共に、高精密化す
るときにも開口率を大きく取ることができる。しかも駆
動電圧を下げることができるので、低電圧で良好な表示
特性を有する液晶表示装置等の電気光学装置を提供でき
る等の効果がある。
板およびその製造方法並びに該素子基板を用いた電気光
学装置は、基板上に第１の導電体と非線形電気伝導体お
よび第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の重な
る部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子が
前記第２の導電体と同材質で形成された信号入力用配線
と画素電極との間に設けられたものにおいて、前記第２
の導電体と同材質で形成された前記信号入力用配線の上
には、更に個別に前記信号入力用配線に沿って高導電性
金属層が設けられているので、配線抵抗を小さくするこ
とが可能となり、前述従来のようにクロストーク等によ
って画質が劣化するのを防止できると共に、高精密化す
るときにも開口率を大きく取ることができる。しかも駆
動電圧を下げることができるので、低電圧で良好な表示
特性を有する液晶表示装置等の電気光学装置を提供でき
る等の効果がある。
【図１】本発明による一実施例を示す素子基板の平面
図。
図。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図３】上記実施例における素子基板の製造工程の一例
を示すプロセス説明図。
を示すプロセス説明図。
【図４】上記実施例における素子基板の製造工程の一例
を示すプロセス説明図。
を示すプロセス説明図。
【図５】上記実施例における素子基板を用いた電気光学
装置の縦断面図。
装置の縦断面図。
【図６】本発明による他の実施例を示す素子基板の平面
図。
図。
【図７】図６におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図８】本発明による更に他の実施例を示す素子基板の
平面図。
平面図。
【図９】図８におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図１０】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図１１】図１０におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図１２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１４】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１５】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１６】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１９】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図２０】上記実施例における素子基板を用いた電気光
学装置の縦断面図。
学装置の縦断面図。
【図２１】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図２２】図２１におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図２３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図２４】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図２５】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図２６】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図２７】図２６におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図２８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図２９】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３０】上記実施例における素子基板を用いた電気光
学装置の縦断面図。
学装置の縦断面図。
【図３１】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図３２】図３１におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図３３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３４】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３５】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３６】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図３９】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図４０】図３９におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図４１】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４４】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図４５】図４４におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図４６】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４９】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５０】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図５１】図５０におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図５２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５４】上記実施例における素子基板を用いた電気光
学装置の縦断面図。
学装置の縦断面図。
【図５５】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図５６】図５５におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図５７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５９】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６０】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図６１】図６０におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図６２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６４】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６５】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６６】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６８】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図６９】図６８におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図７０】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７１】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７４】従来の素子基板の一例を示す平面図。
【図７５】図７４におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図７６】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７７】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７８】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７９】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８０】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８１】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８２】上記従来例における素子基板の製造工程の他
の例を示すプロセス説明図。
の例を示すプロセス説明図。
【図８３】上記従来例における素子基板の製造工程の他
の例を示すプロセス説明図。
の例を示すプロセス説明図。
【図８４】上記従来例における素子基板の製造工程の他
の例を示すプロセス説明図。
の例を示すプロセス説明図。
【図８５】従来の素子基板の他の例を示す平面図。
【図８６】図８５におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図８７】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８８】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８９】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９０】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９１】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９２】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９３】従来の素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図９４】図９３におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図９５】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９６】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９７】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９８】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９９】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１００】上記従来例における素子基板の製造工程の
一例を示すプロセス説明図。
一例を示すプロセス説明図。
【図１０１】上記従来例における素子基板の製造工程の
一例を示すプロセス説明図。
一例を示すプロセス説明図。
１ 基板
２ 配線
３ 画素電極
１１、１３、２１、２３ 導電体
１２、２２ 非線形電気伝導体
４ 高導電性金属層
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ 非線形素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年５月１５日（２００２．５．１
５）
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 非線形素子を備えた素子基板およびそ
の製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置
の製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示装置等
の電気光学装置に用いる素子基板、特に非線形素子を備
えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を
用いた電気光学装置に関する。
の電気光学装置に用いる素子基板、特に非線形素子を備
えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を
用いた電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば液晶表示装置において、液
晶パネルの液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に画素電極をマトリックス状に多数配置し、その各画素
電極を、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を
介して駆動するものは知られている。
晶パネルの液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に画素電極をマトリックス状に多数配置し、その各画素
電極を、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を
介して駆動するものは知られている。
【０００３】〔従来例１〕図６８は上記のような液晶表
示装置等に用いる従来の素子基板の一例を示す一部の平
面図、図６９は図６８におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の
拡大断面図である。本例は非線形素子として通常のＭＩ
Ｍ素子を各画素に１つずつ備えたものである。図におい
て、１は透明のガラス板等よりなる絶縁性基板、２はそ
の基板１上にストライプ状に多数設けた信号入力用配
線、３はその隣り合う配線２・２間に設けた画素電極で
ある。
示装置等に用いる従来の素子基板の一例を示す一部の平
面図、図６９は図６８におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の
拡大断面図である。本例は非線形素子として通常のＭＩ
Ｍ素子を各画素に１つずつ備えたものである。図におい
て、１は透明のガラス板等よりなる絶縁性基板、２はそ
の基板１上にストライプ状に多数設けた信号入力用配
線、３はその隣り合う配線２・２間に設けた画素電極で
ある。
【０００４】上記の配線２は、第１の導電体１１と非線
形電気伝導体１２とで構成され、その非線形電気伝導体
１２の一部を覆うようにして設けた第２の導電体１３に
画素電極３が導電接続されている。上記第１の導電体１
１と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３は、
その一部が重なるようにして設けられ、その重なる部分
が、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子として
のＭＩＭ（Metal Insulator Metal)素子Ｓを構成してい
る。
形電気伝導体１２とで構成され、その非線形電気伝導体
１２の一部を覆うようにして設けた第２の導電体１３に
画素電極３が導電接続されている。上記第１の導電体１
１と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３は、
その一部が重なるようにして設けられ、その重なる部分
が、電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子として
のＭＩＭ（Metal Insulator Metal)素子Ｓを構成してい
る。
【０００５】上記第１の導電体１１の材質としては、従
来一般にタンタル（Ｔａ）が多く用いられ、非線形電気
伝導体１２としては酸化タンタル（ＴａＯｘ）、また第
２の導電体１３としては、電流電圧特性の正負の対称性
がよく液晶と組合せやすいクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔ
ｉ）等が多く用いられている。また画素電極３としては
透明のＩＴＯ等が多く用いられている。
来一般にタンタル（Ｔａ）が多く用いられ、非線形電気
伝導体１２としては酸化タンタル（ＴａＯｘ）、また第
２の導電体１３としては、電流電圧特性の正負の対称性
がよく液晶と組合せやすいクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔ
ｉ）等が多く用いられている。また画素電極３としては
透明のＩＴＯ等が多く用いられている。
【０００６】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７０
〜図７３は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７０
〜図７３は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【０００７】（１）先ず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７０に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化等することによっ
て、その表面に図７１に示すように酸化タンタル等の非
線形電気伝導体層１２を形成する。 （３）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図７２に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （４）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図７３に示
すように画素電極３を形成するものである。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７０に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化等することによっ
て、その表面に図７１に示すように酸化タンタル等の非
線形電気伝導体層１２を形成する。 （３）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図７２に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （４）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図７３に示
すように画素電極３を形成するものである。
【０００８】〔従来例２〕図７４は他の従来例を示す素
子基板の一部の平面図、図７５は図７４におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。前記従来例１と同
様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
子基板の一部の平面図、図７５は図７４におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。前記従来例１と同
様の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
【０００９】本例は第１の導電体の側面を素子として利
用するいわゆるラテラル型のＭＩＭ素子を各画素に１つ
ずつ備えたもので、特に図の場合は配線２の側面にＭＩ
Ｍ素子Ｓを設けたものである。
用するいわゆるラテラル型のＭＩＭ素子を各画素に１つ
ずつ備えたもので、特に図の場合は配線２の側面にＭＩ
Ｍ素子Ｓを設けたものである。
【００１０】配線２は前記従来例１と同様に第１の導電
体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その非線
形電気伝導体１２の一部を覆うようにして設けた第２の
導電体１３に画素電極３が導電接続されている。そして
上記第１の導電体１１の上面の非線形電気伝導体１２を
厚く形成して絶縁層（バリア層）１２’とし、第１の導
電体１１とその側面の非線形電気伝導体１２および第２
の導電体１３の重なる部分をＭＩＭ素子Ｓとしたもので
ある。上記各部材の材質は前記従来例１と同様である。
体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その非線
形電気伝導体１２の一部を覆うようにして設けた第２の
導電体１３に画素電極３が導電接続されている。そして
上記第１の導電体１１の上面の非線形電気伝導体１２を
厚く形成して絶縁層（バリア層）１２’とし、第１の導
電体１１とその側面の非線形電気伝導体１２および第２
の導電体１３の重なる部分をＭＩＭ素子Ｓとしたもので
ある。上記各部材の材質は前記従来例１と同様である。
【００１１】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７６
〜図８１は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図７６
〜図８１は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００１２】（１）先ず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７６に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図７７に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図７８に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等してその側面に図７９に示すように非線形電気伝導体
１２を形成する。 （５）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図８０に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図８１に示
すように画素電極３を形成するものである。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図７６に
示すように配線２の一部を構成する導電体１１を形成す
る。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図７７に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図７８に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等してその側面に図７９に示すように非線形電気伝導体
１２を形成する。 （５）次に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図８０に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図８１に示
すように画素電極３を形成するものである。
【００１３】或いは、図８２に示すように上記（１）と
同様の要領で基板１上に配線２の一部を構成する導電体
１１を形成した後、その導電体１１上にポリイミド膜等
の絶縁膜を形成することによって図８３に示すように絶
縁層１２’を形成し、次いで上記導電体１１を陽極酸化
または熱酸化等して図８４に示すように導電体１１の側
面に非線形電気伝導体層１２を形成する。その後、上記
（５）および（６）と同様の要領で第２の導電体１３お
よび画素電極３を形成することによって、前記図７４お
よび図７５に示すようなラテラル型のＭＩＭ素子を有す
る素子基板を製造している。
同様の要領で基板１上に配線２の一部を構成する導電体
１１を形成した後、その導電体１１上にポリイミド膜等
の絶縁膜を形成することによって図８３に示すように絶
縁層１２’を形成し、次いで上記導電体１１を陽極酸化
または熱酸化等して図８４に示すように導電体１１の側
面に非線形電気伝導体層１２を形成する。その後、上記
（５）および（６）と同様の要領で第２の導電体１３お
よび画素電極３を形成することによって、前記図７４お
よび図７５に示すようなラテラル型のＭＩＭ素子を有す
る素子基板を製造している。
【００１４】〔従来例３〕図８５は更に他の従来例を示
す素子基板の一部の平面図、図８６は図８５におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
す素子基板の一部の平面図、図８６は図８５におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００１５】本例は配線２と各画素電極３との間に、２
つの通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２をいわゆるバック・ト
ゥ・バック方式で直列に設けたもので、配線２からの信
号は素子Ｓ１においては第１の導電体１１・非線形電気
伝導体１２・第２の導電体１３の順に伝達され、素子Ｓ
２においては第２の導電体１３・非線形電気伝導体１２
・第１の導電体１１の順に伝達される。そして、その素
子Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に入力される
構成である。
つの通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２をいわゆるバック・ト
ゥ・バック方式で直列に設けたもので、配線２からの信
号は素子Ｓ１においては第１の導電体１１・非線形電気
伝導体１２・第２の導電体１３の順に伝達され、素子Ｓ
２においては第２の導電体１３・非線形電気伝導体１２
・第１の導電体１１の順に伝達される。そして、その素
子Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に入力される
構成である。
【００１６】上記の配線２は、本例においては第１の導
電体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その配
線２および上記の素子Ｓ１・Ｓ２を構成する導電体１１
・１３および非線形電気伝導体１２並びに画素電極３の
材質は、前記従来例１の場合と同様のものが用いられて
いる。
電体１１と非線形電気伝導体１２とで構成され、その配
線２および上記の素子Ｓ１・Ｓ２を構成する導電体１１
・１３および非線形電気伝導体１２並びに画素電極３の
材質は、前記従来例１の場合と同様のものが用いられて
いる。
【００１７】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図８７
〜図９２は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図８７
〜図９２は、その製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００１８】（１）まず基板１上に導電体１１を構成す
るタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図８７に示す
ようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を構成
する第１の導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化して、その表面に図
８８に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体１
２を形成する。 （３）次に、図８９に示すように２つの素子Ｓ１・Ｓ２
の間の導電体および非線形電気伝導体とをフォトエッチ
ング等により切除する。 （４）また後述する画素電極と導電接続するために、図
９０に示すように一方の素子Ｓ２側の非線形電気伝導体
１２の一部をエッチング等により剥離して第１の導電体
１１を露出させる。 （５）次いで第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図９１に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）そして画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付けし、
その膜を所定の形状にパターニングして図９２に示すよ
うに画素電極３を形成するものである。
るタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図８７に示す
ようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を構成
する第１の導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化して、その表面に図
８８に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体１
２を形成する。 （３）次に、図８９に示すように２つの素子Ｓ１・Ｓ２
の間の導電体および非線形電気伝導体とをフォトエッチ
ング等により切除する。 （４）また後述する画素電極と導電接続するために、図
９０に示すように一方の素子Ｓ２側の非線形電気伝導体
１２の一部をエッチング等により剥離して第１の導電体
１１を露出させる。 （５）次いで第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図９１に示すように第２の導
電体１３を形成する。 （６）そして画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付けし、
その膜を所定の形状にパターニングして図９２に示すよ
うに画素電極３を形成するものである。
【００１９】〔従来例４〕図９３は更に他の従来例を示
す素子基板の平面図、図９４は図９３におけるＡ−Ａ線
に沿う素子部の拡大断面図である。本例は配線２と各画
素電極３との間に、２つのラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１
・Ｓ２をバック・トゥ・バック方式で直列に設けたもの
で、その各ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２は配線２と各画素電極
３との間に形成した第１の導電体１１の左右両側面に設
けられている。
す素子基板の平面図、図９４は図９３におけるＡ−Ａ線
に沿う素子部の拡大断面図である。本例は配線２と各画
素電極３との間に、２つのラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１
・Ｓ２をバック・トゥ・バック方式で直列に設けたもの
で、その各ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２は配線２と各画素電極
３との間に形成した第１の導電体１１の左右両側面に設
けられている。
【００２０】配線２は本例においては第１の導電体１１
と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３とで構
成され、信号は主としてその第２の導電体１３を通って
伝達される。その配線２からの信号は、素子Ｓ１におい
ては上記配線２の第２の導電体１３から非線形電気伝導
体１２を経て配線２と各画素電極３との間の第１の導電
体１１に伝達され、素子Ｓ２においては上記第１の導電
体１１から非線形電気伝導体１２を経て画素電極３との
間の第１の導電体１１に伝達される。そして、その素子
Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に上記の信号が
入力される構成である。上記の各構成部材の材質は前記
例と同様である。
と非線形電気伝導体１２および第２の導電体１３とで構
成され、信号は主としてその第２の導電体１３を通って
伝達される。その配線２からの信号は、素子Ｓ１におい
ては上記配線２の第２の導電体１３から非線形電気伝導
体１２を経て配線２と各画素電極３との間の第１の導電
体１１に伝達され、素子Ｓ２においては上記第１の導電
体１１から非線形電気伝導体１２を経て画素電極３との
間の第１の導電体１１に伝達される。そして、その素子
Ｓ２の第１の導電体１１から画素電極３に上記の信号が
入力される構成である。上記の各構成部材の材質は前記
例と同様である。
【００２１】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図９５
〜図１０１はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、従来は例えば以下の要領で製造している。図９５
〜図１０１はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００２２】（１）先ず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図９５に
示すようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を
構成する導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図９６に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図９７に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’をを残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図９８に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （５）次に、図９９に示すように素子を構成する部分と
配線２を構成する部分との間の導電体１１と絶縁層およ
び非線形電気伝導体１２をフォトエッチング等により切
除する。 （６）そして第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図１００に示すように第２の
導電体１３を形成する。 （７）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図１０１に
示すように画素電極３を形成するものである。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチング等により所定の平面形状に成形して図９５に
示すようにＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２および配線２の一部を
構成する導電体１１を形成する。 （２）その両導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等に
よって、その表面に図９６に示すように酸化タンタル等
の絶縁層１２’を形成する。 （３）上記の導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォト
エッチング等により除去して図９７に示すように該導電
体１１の上面にのみ絶縁層１２’をを残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図９８に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （５）次に、図９９に示すように素子を構成する部分と
配線２を構成する部分との間の導電体１１と絶縁層およ
び非線形電気伝導体１２をフォトエッチング等により切
除する。 （６）そして第２の導電体１３を構成するクロム等の導
電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により
所定の平面形状に成形して図１００に示すように第２の
導電体１３を形成する。 （７）次いで、画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付け
し、その膜を所定の形状にパターニングして図１０１に
示すように画素電極３を形成するものである。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に信号入力用配線をタンタル等の導電体と、それを陽極
酸化した酸化タンタルとで形成するものは、配線抵抗が
比較的大きく、特に大画面化に際しては、クロストーク
等による画質の劣化が激しい。また駆動電圧が高くなる
等の不具合があった。
に信号入力用配線をタンタル等の導電体と、それを陽極
酸化した酸化タンタルとで形成するものは、配線抵抗が
比較的大きく、特に大画面化に際しては、クロストーク
等による画質の劣化が激しい。また駆動電圧が高くなる
等の不具合があった。
【００２４】本発明は上記の問題点に鑑みて提案された
もので、配線抵抗が小さくてクロストーク等の発生が少
なく、しかも低電圧で駆動することのできる素子基板お
よびそれを用いた電気光学装置を提供すると共に、上記
のような素子基板を容易・安価に製造することのできる
素子基板の製造方法を提供ことを目的とする。
もので、配線抵抗が小さくてクロストーク等の発生が少
なく、しかも低電圧で駆動することのできる素子基板お
よびそれを用いた電気光学装置を提供すると共に、上記
のような素子基板を容易・安価に製造することのできる
素子基板の製造方法を提供ことを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明による素子基板およびその製造方法並びに該
素子基板を用いた電気光学装置は、以下の構成としたも
のである。即ち、基板上に第１の導電体と非線形電気伝
導体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等
の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形
素子を信号入力用配線と画素電極との間に設け、前記信
号入力用配線に沿って高導電性金属層を設けると共に、
前記画素電極に高導電性金属層を設けたことを特徴とす
る。
めに本発明による素子基板およびその製造方法並びに該
素子基板を用いた電気光学装置は、以下の構成としたも
のである。即ち、基板上に第１の導電体と非線形電気伝
導体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等
の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形
素子を信号入力用配線と画素電極との間に設け、前記信
号入力用配線に沿って高導電性金属層を設けると共に、
前記画素電極に高導電性金属層を設けたことを特徴とす
る。
【００２６】
【実施例】以下、本発明による素子基板およびその製造
方法並びに該素子基板を用いた電気光学装置を説明する
に当たり、いくつかの参考例を説明したのち本発明の実
施例を具体的に説明する。
方法並びに該素子基板を用いた電気光学装置を説明する
に当たり、いくつかの参考例を説明したのち本発明の実
施例を具体的に説明する。
【００２７】〔参考例１〕図１は本発明の参考例を示す
素子基板の平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ線に沿う
素子部の拡大断面図である。以下、前記の従来例と同様
の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
素子基板の平面図、図２は図１におけるＡ−Ａ線に沿う
素子部の拡大断面図である。以下、前記の従来例と同様
の機能を有する部材には、同一の符号を付して説明す
る。
【００２８】本例は前記従来例１と同様に非線形素子と
して単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けたもの
において、配線２を構成する導電体１１の内方に、配線
２の長手方向に沿って高導電性金属層４を形成したもの
である。特に本例においては高導電性金属層４としてア
ルミニウムを用いたものである。
して単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けたもの
において、配線２を構成する導電体１１の内方に、配線
２の長手方向に沿って高導電性金属層４を形成したもの
である。特に本例においては高導電性金属層４としてア
ルミニウムを用いたものである。
【００２９】上記のアルミニウムとしては、アルミニウ
ム単体でもアルミニウム合金でもよく、アルミニウム合
金としては、アルミニウムを主体とした例えばＡｌ−Ｃ
ｕ合金やＡｌ−Ｍｇ合金等を用いることができる。また
アルミニウムに限らず銅単体もしくは銅合金その他の高
導電性金属材料を用いてもよい。他の部材の材質は従来
例と同様のものを用いることができる。
ム単体でもアルミニウム合金でもよく、アルミニウム合
金としては、アルミニウムを主体とした例えばＡｌ−Ｃ
ｕ合金やＡｌ−Ｍｇ合金等を用いることができる。また
アルミニウムに限らず銅単体もしくは銅合金その他の高
導電性金属材料を用いてもよい。他の部材の材質は従来
例と同様のものを用いることができる。
【００３０】上記のように配線２に沿って高導電性金属
層４を設けることによって、配線２の配線抵抗を低減す
ることが可能となる。
層４を設けることによって、配線２の配線抵抗を低減す
ることが可能となる。
【００３１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず図３に
示すように基板１上に、高導電性金属層４を構成するア
ルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリン
グ等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状
にパターニングして高導電性金属層４を形成する。
例えば以下の要領で製造することができる。まず図３に
示すように基板１上に、高導電性金属層４を構成するア
ルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜をスパッタリン
グ等で形成し、これをフォトエッチング等で所定の形状
にパターニングして高導電性金属層４を形成する。
【００３２】その高導電性金属層４の上に前記従来例１
と同様に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付
けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状
に成形して図４に示すように第１の導電体１１を形成す
る。以後は前記従来例１と同様の要領で非線形電気伝導
体層１２、第２の導電体１３、画素電極３を順に形成す
ればよい。
と同様に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付
けし、その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状
に成形して図４に示すように第１の導電体１１を形成す
る。以後は前記従来例１と同様の要領で非線形電気伝導
体層１２、第２の導電体１３、画素電極３を順に形成す
ればよい。
【００３３】図５は上記の素子基板を用いて電気光学装
置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図であ
る。図において、１は前記図１および図２のように構成
した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて配置
した対向基板で、その内面には対向電極５２が設けら
れ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた構
成である。
置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図であ
る。図において、１は前記図１および図２のように構成
した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて配置
した対向基板で、その内面には対向電極５２が設けら
れ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた構
成である。
【００３４】上記の素子基板１には前述のように信号入
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
【００３５】〔参考例２〕図６は本発明による他の参考
例を示す素子基板の平面図、図７は図６におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。
例を示す素子基板の平面図、図７は図６におけるＡ−Ａ
線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００３６】本例は前記従来例２と同様に非線形素子と
して単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けた
ものにおいて、上記参考例１と同様に配線２を構成する
導電体１１の内方に、配線２の長手方向に沿ってアルミ
ニウムとよりなる高導電性金属層４を形成したものであ
る。
して単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けた
ものにおいて、上記参考例１と同様に配線２を構成する
導電体１１の内方に、配線２の長手方向に沿ってアルミ
ニウムとよりなる高導電性金属層４を形成したものであ
る。
【００３７】上記の素子基板を製造するに当たっては、
図には省略したが、例えば上記参考例１と同様に予め基
板１上に高導電性金属層４を形成し、以後は従来例２に
おける前記図７６〜図８１に示すプロセスを前記と同様
の要領で順に実行して第１の導電体１１、絶縁層１
２’、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画
素電極３を形成すればよい。また前記従来例２と同様に
上記図７６〜図７９に示すプロセスに替えて前記図８２
〜図８４に示すプロセスによって製造することもでき
る。
図には省略したが、例えば上記参考例１と同様に予め基
板１上に高導電性金属層４を形成し、以後は従来例２に
おける前記図７６〜図８１に示すプロセスを前記と同様
の要領で順に実行して第１の導電体１１、絶縁層１
２’、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画
素電極３を形成すればよい。また前記従来例２と同様に
上記図７６〜図７９に示すプロセスに替えて前記図８２
〜図８４に示すプロセスによって製造することもでき
る。
【００３８】上記高導電性金属層４の材質は、上記参考
例１の場合と同様に適宜変更可能であり、他の部材の材
質は従来例と同様のものを用いることができる。後述す
る参考例および実施例においても同様である。また本例
においても上記の素子基板を用いて前記図５と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるも
ので、低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
例１の場合と同様に適宜変更可能であり、他の部材の材
質は従来例と同様のものを用いることができる。後述す
る参考例および実施例においても同様である。また本例
においても上記の素子基板を用いて前記図５と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができるも
ので、低電圧で良好な表示を得ることが可能となる。
【００３９】〔参考例３〕図８は本発明による更に他の
参考例を示す素子基板の平面図、図９は図８におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の断面図である。
参考例を示す素子基板の平面図、図９は図８におけるＡ
−Ａ線に沿う素子部の断面図である。
【００４０】本例は前記従来例３と同様に非線形素子と
してバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１
・Ｓ２を設けたものにおいて、上記参考例１と同様に配
線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手方向
に沿ってアルミニウムとよりなる高導電性金属層４を形
成したものである。
してバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１
・Ｓ２を設けたものにおいて、上記参考例１と同様に配
線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手方向
に沿ってアルミニウムとよりなる高導電性金属層４を形
成したものである。
【００４１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
本例においても図には省略したが、例えば上記参考例１
と同様に予め基板１上に高導電性金属層４を形成し、以
後は従来例３における前記図８７〜図９２に示すプロセ
スを前記と同様の要領で順に実行して第１の導電体１
１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画素
電極３を形成すればよい。
本例においても図には省略したが、例えば上記参考例１
と同様に予め基板１上に高導電性金属層４を形成し、以
後は従来例３における前記図８７〜図９２に示すプロセ
スを前記と同様の要領で順に実行して第１の導電体１
１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３、画素
電極３を形成すればよい。
【００４２】本例においても上記の素子基板を用いて前
記図５と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成す
ることができるもので、低電圧で良好な表示を得ること
が可能となる。
記図５と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構成す
ることができるもので、低電圧で良好な表示を得ること
が可能となる。
【００４３】〔参考例４〕図１０は本発明による更に他
の参考例を示す素子基板の平面図、図１１は図１０にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
の参考例を示す素子基板の平面図、図１１は図１０にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００４４】本例は前記従来例４と同様に非線形素子と
してバック・トゥ・バック方式でラテラル型のＭＩＭ素
子Ｓ１・Ｓ２を設けたものにおいて、前記例と同様に配
線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手方向
に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４を形
成したものである。上記のように配線２に沿って高導電
性金属層４を設けることによって、配線２の配線抵抗を
低減することができるものである。
してバック・トゥ・バック方式でラテラル型のＭＩＭ素
子Ｓ１・Ｓ２を設けたものにおいて、前記例と同様に配
線２を構成する導電体１１の内方に、配線２の長手方向
に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４を形
成したものである。上記のように配線２に沿って高導電
性金属層４を設けることによって、配線２の配線抵抗を
低減することができるものである。
【００４５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。図１２〜図
１９はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
例えば以下の要領で製造することができる。図１２〜図
１９はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
【００４６】（１）まず基板１上に、高導電性金属層４
を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜を
スパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等
で所定の形状にパターニングして図１２に示すように高
導電性金属層４を基板１上に形成する。 （２）その高導電性金属層４の上に前記従来例１と同様
に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付けし、
その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形
して図１３に示すように第１の導電体１１を形成する。 （３）その第１の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化
等して第１の導電体１１の表面に図１４に示すように酸
化タンタル等の絶縁層１２’を形成する。 （４）上記第１の導電体１１の側面の絶縁層１２’を図
１５に示すようにフォトエッチング等により除去する。 （５）次いで、図１６に示すように第１の導電体１１の
側面に非線形電気伝導体１２を形成する。 （６）そして、素子を構成する部分と配線２を構成する
部分との間の第１の導電体１１および非線形電気伝導体
１２を、図１７に示すようにフォトエッチング等により
切除する。その際、同時に高導電性金属層４と第２の導
電体１３とを導電接続するためのコンタクトホールＨを
上記のフォトエッチングにより形成するもので、そのと
き高導電性金属層４をエッチングストッパとして利用す
ることができる。 （７）次に第２の導電体１３を構成するクロム等を膜付
けし、その膜をフォトエッチング等により所定の平面形
状に成形して図１８に示すように第２の導電体１３を形
成する。 （８）そして最後に画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付
けし、その膜をエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図１９に示すように画素電極３を形成すればよ
い。
を構成するアルミニウム等よりなる高導電性金属薄膜を
スパッタリング等で形成し、これをフォトエッチング等
で所定の形状にパターニングして図１２に示すように高
導電性金属層４を基板１上に形成する。 （２）その高導電性金属層４の上に前記従来例１と同様
に第１の導電体１１を構成するタンタル等を膜付けし、
その膜をフォトエッチングにより所定の平面形状に成形
して図１３に示すように第１の導電体１１を形成する。 （３）その第１の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化
等して第１の導電体１１の表面に図１４に示すように酸
化タンタル等の絶縁層１２’を形成する。 （４）上記第１の導電体１１の側面の絶縁層１２’を図
１５に示すようにフォトエッチング等により除去する。 （５）次いで、図１６に示すように第１の導電体１１の
側面に非線形電気伝導体１２を形成する。 （６）そして、素子を構成する部分と配線２を構成する
部分との間の第１の導電体１１および非線形電気伝導体
１２を、図１７に示すようにフォトエッチング等により
切除する。その際、同時に高導電性金属層４と第２の導
電体１３とを導電接続するためのコンタクトホールＨを
上記のフォトエッチングにより形成するもので、そのと
き高導電性金属層４をエッチングストッパとして利用す
ることができる。 （７）次に第２の導電体１３を構成するクロム等を膜付
けし、その膜をフォトエッチング等により所定の平面形
状に成形して図１８に示すように第２の導電体１３を形
成する。 （８）そして最後に画素電極を構成するＩＴＯ等を膜付
けし、その膜をエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図１９に示すように画素電極３を形成すればよ
い。
【００４７】なお上記の画素電極３をエッチングする際
に前記のアルミニウム等よりなる高導電性金属層４が外
部に露出していると、エッチング材料の選択が難しい
が、図示例のように第１の導電体１１等で被覆されてい
ると、上記のような不都合がなく、また液晶表示装置等
に用いる場合のラビング耐性にも問題が生じない等の利
点がある。
に前記のアルミニウム等よりなる高導電性金属層４が外
部に露出していると、エッチング材料の選択が難しい
が、図示例のように第１の導電体１１等で被覆されてい
ると、上記のような不都合がなく、また液晶表示装置等
に用いる場合のラビング耐性にも問題が生じない等の利
点がある。
【００４８】また本例においても前記従来例２と同様に
絶縁層１２’を熱酸化によって形成する、あるいはポリ
イミド膜等の絶縁性部材で形成することもできる。さら
に上記参考例では、高導電性金属層４と第２の導電体１
３とを導電接続するためにコンタクトホールＨを形成し
たが、配線２部分の絶縁体１２を剥離し、その上に第２
の導電体１３を直接密着させて接続することもできる。
絶縁層１２’を熱酸化によって形成する、あるいはポリ
イミド膜等の絶縁性部材で形成することもできる。さら
に上記参考例では、高導電性金属層４と第２の導電体１
３とを導電接続するためにコンタクトホールＨを形成し
たが、配線２部分の絶縁体１２を剥離し、その上に第２
の導電体１３を直接密着させて接続することもできる。
【００４９】図２０は上記の素子基板を用いて電気光学
装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図であ
る。図において、１は前記図１０および図１１のように
構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて
配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が設け
られ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた
構成である。
装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図であ
る。図において、１は前記図１０および図１１のように
構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて
配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が設け
られ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた
構成である。
【００５０】上記の素子基板１には前述のように信号入
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となる。
【００５１】〔参考例５〕図２１は本発明による更に他
の参考例を示す素子基板の平面図、図２２は図２１にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
の参考例を示す素子基板の平面図、図２２は図２１にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００５２】本例は前記参考例４と同様に配線２の導電
体１１の内方に、その配線２の長手方向に沿ってアルミ
ニウム等よりなる高導電性金属層４を形成すると共に、
参考例４におけるバック・トゥ・バック方式でラテラル
型の２つの素子Ｓ１・Ｓ２を上記配線２の側面と、その
配線２と画素電極３との間の導電体１１の一方の側面と
に設けたものである。
体１１の内方に、その配線２の長手方向に沿ってアルミ
ニウム等よりなる高導電性金属層４を形成すると共に、
参考例４におけるバック・トゥ・バック方式でラテラル
型の２つの素子Ｓ１・Ｓ２を上記配線２の側面と、その
配線２と画素電極３との間の導電体１１の一方の側面と
に設けたものである。
【００５３】即ち、一方の素子Ｓ１は、配線２を構成す
る導電体１１の側面と、その表面に形成した非線形電気
伝導体１２および第２の導電体１３とで構成され、他方
の素子Ｓ２は配線２と画素電極３との間の導電体１１
と、その表面に形成した非線形電気伝導体１２および第
２の導電体１３とで構成されている。また画素電極３は
配線２と画素電極３との間の導電体１１の表面に直接導
電接続させた構成であり、その画素電極３および上記導
電体１１、非線形電気伝導体１２、導電体１３の材質は
前記従来例と同様のものが用いられている。
る導電体１１の側面と、その表面に形成した非線形電気
伝導体１２および第２の導電体１３とで構成され、他方
の素子Ｓ２は配線２と画素電極３との間の導電体１１
と、その表面に形成した非線形電気伝導体１２および第
２の導電体１３とで構成されている。また画素電極３は
配線２と画素電極３との間の導電体１１の表面に直接導
電接続させた構成であり、その画素電極３および上記導
電体１１、非線形電気伝導体１２、導電体１３の材質は
前記従来例と同様のものが用いられている。
【００５４】上記のように構成すると、前記参考例４の
ように配線２の導電体１１と第２の導電体１３とを導電
接続するためのコンタクトホールＨが不要となる等の利
点がある。
ように配線２の導電体１１と第２の導電体１３とを導電
接続するためのコンタクトホールＨが不要となる等の利
点がある。
【００５５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
参考例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と非線形電気伝導
体１２を形成する。そして図２３に示すように素子Ｓ２
を構成する導電体１１上の絶縁層１２’および非線形電
気伝導体１２の一部をフォトエッチング等で剥離すると
共に、素子Ｓ２を構成する部分と配線２との間の導電体
１１および非線形電気伝導体１２とをフォトエッチング
等で切除する。次いで、図２４に示すように第２の導電
体１３を形成した後、図２５に示すように画素電極３を
形成して導電体１１と接続すればよい。
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
参考例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と非線形電気伝導
体１２を形成する。そして図２３に示すように素子Ｓ２
を構成する導電体１１上の絶縁層１２’および非線形電
気伝導体１２の一部をフォトエッチング等で剥離すると
共に、素子Ｓ２を構成する部分と配線２との間の導電体
１１および非線形電気伝導体１２とをフォトエッチング
等で切除する。次いで、図２４に示すように第２の導電
体１３を形成した後、図２５に示すように画素電極３を
形成して導電体１１と接続すればよい。
【００５６】なお上記参考例は第１の導電体１１上の非
線形電気伝導体１２の一部を剥離して画素電極３と第１
の導電体１１とを接続するようにしたが、第１の導電体
１１上の非線形電気伝導体１２に前記参考例１と同様の
コンタクトホールを形成することによって画素電極３と
第１の導電体１１とを接続することもできる。また本例
においても前記従来例２と同様に絶縁層１２’を熱酸化
によって形成する、あるいはポリイミド膜等の絶縁性部
材で形成することもできる。
線形電気伝導体１２の一部を剥離して画素電極３と第１
の導電体１１とを接続するようにしたが、第１の導電体
１１上の非線形電気伝導体１２に前記参考例１と同様の
コンタクトホールを形成することによって画素電極３と
第１の導電体１１とを接続することもできる。また本例
においても前記従来例２と同様に絶縁層１２’を熱酸化
によって形成する、あるいはポリイミド膜等の絶縁性部
材で形成することもできる。
【００５７】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図２０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で
良好な表示を得ることが可能となる。
素子基板を用いて前記図２０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、低電圧で
良好な表示を得ることが可能となる。
【００５８】〔参考例６〕図２６は本発明による更に他
の参考例を示す素子基板の平面図、図２７は図２６にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
の参考例を示す素子基板の平面図、図２７は図２６にお
けるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００５９】本例は前記従来例１と同様に非線形素子と
して単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けたもの
において、参考例１と同様に配線２を構成する導電体１
１の内方に、配線２の長手方向に沿って高導電性金属層
４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４と
同材質の金属で形成したものである。
して単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを各画素毎に設けたもの
において、参考例１と同様に配線２を構成する導電体１
１の内方に、配線２の長手方向に沿って高導電性金属層
４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４と
同材質の金属で形成したものである。
【００６０】上記のように配線２を構成する導電体１１
の内方に高導電性金属層４を設けると、配線抵抗を低減
できると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材質
の金属で形成すると、画素電極３を反射層として利用す
ることができる。上記の高導電性金属層４と画素電極３
の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよいが、同材
質のものを用いると、後述のように１回のプロセスで同
時に容易に形成することができる。
の内方に高導電性金属層４を設けると、配線抵抗を低減
できると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材質
の金属で形成すると、画素電極３を反射層として利用す
ることができる。上記の高導電性金属層４と画素電極３
の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよいが、同材
質のものを用いると、後述のように１回のプロセスで同
時に容易に形成することができる。
【００６１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば図２８に示すように基板１上に、高導電性金属層
４と画素電極３とを構成するアルミニウム等よりなる高
導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして高導
電性金属層４および画素電極３を形成する。その高導電
性金属層４の上に前記従来例１と同様に第１の導電体１
１を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図２９に示す
ように第１の導電体１１を形成する。以後は前記従来例
１と同様の要領で非線形電気伝導体層１２、第２の導電
体１３を順に形成すればよい。
例えば図２８に示すように基板１上に、高導電性金属層
４と画素電極３とを構成するアルミニウム等よりなる高
導電性金属薄膜をスパッタリング等で形成し、これをフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして高導
電性金属層４および画素電極３を形成する。その高導電
性金属層４の上に前記従来例１と同様に第１の導電体１
１を構成するタンタル等を膜付けし、その膜をフォトエ
ッチングにより所定の平面形状に成形して図２９に示す
ように第１の導電体１１を形成する。以後は前記従来例
１と同様の要領で非線形電気伝導体層１２、第２の導電
体１３を順に形成すればよい。
【００６２】図３０は上記の素子基板を用いて電気光学
装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図であ
る。図において、１は前記図２６および図２７のように
構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて
配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が設け
られ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた
構成である。
装置としての液晶表示装置を構成した例の縦断面図であ
る。図において、１は前記図２６および図２７のように
構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向させて
配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が設け
られ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在させた
構成である。
【００６３】上記の素子基板１には前述のように信号入
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となると共に、画素電極３を
高導電性金属層４と同材質の金属で形成したことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。
力用配線２に沿って高導電性金属層４が設けられてお
り、それによって配線抵抗が低減されるため低電圧で良
好な表示を得ることが可能となると共に、画素電極３を
高導電性金属層４と同材質の金属で形成したことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。
【００６４】なお上記の電気光学装置の背面側すなわち
素子基板１の図で下側には、図３０に示すように必要に
応じて鏡等の反射板６または光散乱板もしくは遮光板等
を設けるとよく、そのようにすると、隣り合う画素電極
間の隙間から背面側に光が洩れたり、あるいは背面側か
ら不要な光が侵入して表示性能等が低下するのを防ぐこ
とができる。
素子基板１の図で下側には、図３０に示すように必要に
応じて鏡等の反射板６または光散乱板もしくは遮光板等
を設けるとよく、そのようにすると、隣り合う画素電極
間の隙間から背面側に光が洩れたり、あるいは背面側か
ら不要な光が侵入して表示性能等が低下するのを防ぐこ
とができる。
【００６５】〔参考例７〕上記参考例６は前記従来例１
と同様に非線形素子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを
用いた場合を例にして説明したが、前記従来例２のよう
に非線形素子として単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを用
いたもの、または前記従来例３のように非線形素子とし
てバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・
Ｓ２を用いたもの、あるいは前記従来例４のように非線
形素子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型の
ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を用いたものにおいても、上記参
考例６と同様に配線２の長手方向に沿って高導電性金属
層４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４
と同材質もしくは別材質の金属で形成することもでき
る。
と同様に非線形素子として単一の通常のＭＩＭ素子Ｓを
用いた場合を例にして説明したが、前記従来例２のよう
に非線形素子として単一のラテラル型ＭＩＭ素子Ｓを用
いたもの、または前記従来例３のように非線形素子とし
てバック・トゥ・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・
Ｓ２を用いたもの、あるいは前記従来例４のように非線
形素子としてバック・トゥ・バック方式でラテラル型の
ＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を用いたものにおいても、上記参
考例６と同様に配線２の長手方向に沿って高導電性金属
層４を形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４
と同材質もしくは別材質の金属で形成することもでき
る。
【００６６】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、上記参考例６と同様に基板１上に、高導電性金属
層４と画素電極３とを形成し、その後、前記従来例２ま
たは従来例３もしくは従来例４と同様の要領で第１の導
電体１１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３
を形成すればよい。また上記のように構成した素子基板
を用いて参考例６と同様に前記図２０に示すような液晶
表示装置等の電気光学装置を構成することが可能であ
り、参考例６と同様に配線抵抗が少ない反射型の装置が
得られる。
ては、上記参考例６と同様に基板１上に、高導電性金属
層４と画素電極３とを形成し、その後、前記従来例２ま
たは従来例３もしくは従来例４と同様の要領で第１の導
電体１１、非線形電気伝導体層１２、第２の導電体１３
を形成すればよい。また上記のように構成した素子基板
を用いて参考例６と同様に前記図２０に示すような液晶
表示装置等の電気光学装置を構成することが可能であ
り、参考例６と同様に配線抵抗が少ない反射型の装置が
得られる。
【００６７】〔参考例８〕前記参考例５におけるバック
・トゥ・バック方式でラテラル型の２つの素子Ｓ１・Ｓ
２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との間の
導電体１１の一方の側面とに設けたものにおいても、上
記参考例６と同様に構成ことができる。
・トゥ・バック方式でラテラル型の２つの素子Ｓ１・Ｓ
２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との間の
導電体１１の一方の側面とに設けたものにおいても、上
記参考例６と同様に構成ことができる。
【００６８】図３１はその一例を示す素子基板の平面
図、図３２は図３１におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡
大断面図であり、上記参考例６と同様に配線２の長手方
向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４を
形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材
質の金属で形成したものである。ただし、別材質の金属
で形成することもできる。
図、図３２は図３１におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡
大断面図であり、上記参考例６と同様に配線２の長手方
向に沿ってアルミニウム等よりなる高導電性金属層４を
形成すると共に、画素電極３を高導電性金属層４と同材
質の金属で形成したものである。ただし、別材質の金属
で形成することもできる。
【００６９】上記のように画素電極３を金属で形成する
と、前記参考例６と同様に画素電極３を反射層として利
用することができる。また配線２の高導電性金属層４と
画素電極３の金属層４とを同材質のものを用いると、後
述のように１回のプロセスで同時に容易に形成すること
が可能となる。
と、前記参考例６と同様に画素電極３を反射層として利
用することができる。また配線２の高導電性金属層４と
画素電極３の金属層４とを同材質のものを用いると、後
述のように１回のプロセスで同時に容易に形成すること
が可能となる。
【００７０】さらに上記参考例のように２つの素子Ｓ１
・Ｓ２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との
間の導電体１１の一方の側面とに設けると共に、金属よ
りなる画素電極３を基板１上に設けると、前記参考例４
のように配線２の導電体１１と導電体１３とを導電接続
するためのコンタクトホールを設けたり、前記参考例３
のように配線２と画素電極３との間の導電体１１と画素
電極３とを導電接続するために導電体１１上の非線形電
気伝導体１２の一部を剥離する面倒がない等の利点があ
る。
・Ｓ２を配線２の側面と、その配線２と画素電極３との
間の導電体１１の一方の側面とに設けると共に、金属よ
りなる画素電極３を基板１上に設けると、前記参考例４
のように配線２の導電体１１と導電体１３とを導電接続
するためのコンタクトホールを設けたり、前記参考例３
のように配線２と画素電極３との間の導電体１１と画素
電極３とを導電接続するために導電体１１上の非線形電
気伝導体１２の一部を剥離する面倒がない等の利点があ
る。
【００７１】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。図３３〜図
３８はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
例えば以下の要領で製造することができる。図３３〜図
３８はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
【００７２】（１）まず、基板１の表面に、高導電性金
属層４および画素電極３を構成するアルミニウム等より
なる高導電性金属膜をスパッタリング等で形成し、その
金属膜をフォトエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図３３に示すように配線２に沿う高導電性金属層
４とそれと同材質の金属よりなる画素電極３を形成す
る。 （２）次いで、その上に導電体１１を構成するタンタル
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングに
より所定の平面形状にパターニングして図３４に示すよ
うにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１と、配線２
の一部を構成する導電体１１とを形成する。 （３）その導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等し
て、その表面に図３５に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （４）次に、上記導電体１１の側面の絶縁層１２’をフ
ォトエッチング等により除去して図３６に示すように該
導電体１１の上面の絶縁層１２’を残す。 （５）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図３７に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （６）そして図３８に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１と絶縁層１２’および非線形
電気伝導体１２とをフォトエッチング等により切除する
と共に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導電膜
を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定
の平面形状に成形して第２の導電体１３を形成すればよ
い。
属層４および画素電極３を構成するアルミニウム等より
なる高導電性金属膜をスパッタリング等で形成し、その
金属膜をフォトエッチング等で所定の形状にパターニン
グして図３３に示すように配線２に沿う高導電性金属層
４とそれと同材質の金属よりなる画素電極３を形成す
る。 （２）次いで、その上に導電体１１を構成するタンタル
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングに
より所定の平面形状にパターニングして図３４に示すよ
うにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１と、配線２
の一部を構成する導電体１１とを形成する。 （３）その導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化等し
て、その表面に図３５に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （４）次に、上記導電体１１の側面の絶縁層１２’をフ
ォトエッチング等により除去して図３６に示すように該
導電体１１の上面の絶縁層１２’を残す。 （５）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
等して、その側面に図３７に示すように非線形電気伝導
体１２を形成する。 （６）そして図３８に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１と絶縁層１２’および非線形
電気伝導体１２とをフォトエッチング等により切除する
と共に、第２の導電体１３を構成するクロム等の導電膜
を形成し、その導電膜をフォトエッチング等により所定
の平面形状に成形して第２の導電体１３を形成すればよ
い。
【００７３】なお上記の製造プロセス（３）および
（５）で、導電体１１を陽極酸化して絶縁層１２’およ
び非線形電気伝導体１２を形成する際に、アルミニウム
等よりなる画素電極３の露出部分が酸化されて、表面に
アルミナ等の酸化被膜が生成されるが、画素電極３を反
射層として利用するには殆ど支障がなく、むしろ上記の
酸化被膜が保護膜となって液晶表示装置等の電気光学装
置に用いた場合に対向電極との間の短絡を防止できると
共に、膜残り等による不良に対する冗長性を高めること
ができる等の利点がある。上記参考例７においてラテラ
ル型のＭＩＭ素子を陽極酸化により形成する場合も同様
である。
（５）で、導電体１１を陽極酸化して絶縁層１２’およ
び非線形電気伝導体１２を形成する際に、アルミニウム
等よりなる画素電極３の露出部分が酸化されて、表面に
アルミナ等の酸化被膜が生成されるが、画素電極３を反
射層として利用するには殆ど支障がなく、むしろ上記の
酸化被膜が保護膜となって液晶表示装置等の電気光学装
置に用いた場合に対向電極との間の短絡を防止できると
共に、膜残り等による不良に対する冗長性を高めること
ができる等の利点がある。上記参考例７においてラテラ
ル型のＭＩＭ素子を陽極酸化により形成する場合も同様
である。
【００７４】また上記の酸化被膜が不必要な場合には、
その全部もしくは一部を選択的に除去することも可能で
あり、例えばアルミナにあっては燐酸−クロム酸（ＡＲ
Ｓ２３４１）等を用いることによって容易に除去するこ
とができる。
その全部もしくは一部を選択的に除去することも可能で
あり、例えばアルミナにあっては燐酸−クロム酸（ＡＲ
Ｓ２３４１）等を用いることによって容易に除去するこ
とができる。
【００７５】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、上記参考
例６と同様の効果が得られる。
素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等の
電気光学装置を構成することができるもので、上記参考
例６と同様の効果が得られる。
【００７６】〔実施例１〕図３９は配線に沿って高導電
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
本発明による実施例を示す素子基板の平面図、図４０は
図３９におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
本発明による実施例を示す素子基板の平面図、図４０は
図３９におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図であ
る。
【００７７】本実施例は非線形素子としてバック・トゥ
・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配線２と
画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２をタン
タル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非
線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電体１３
とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上記素子
Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質のクロ
ム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性金属層
４とで構成したものである。
・バック方式の通常のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配線２と
画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２をタン
タル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非
線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電体１３
とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上記素子
Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質のクロ
ム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性金属層
４とで構成したものである。
【００７８】上記のように配線２を高導電性金属層４で
構成すると、配線抵抗を低減できると共に、画素電極３
の表面を上記のような金属層４で構成すると、画素電極
３を反射層として利用することができる。
構成すると、配線抵抗を低減できると共に、画素電極３
の表面を上記のような金属層４で構成すると、画素電極
３を反射層として利用することができる。
【００７９】なお上記配線２上の高導電性金属層４と画
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよい
が、同材質のものを用いると、後述のように１回のプロ
セスで同時に容易に形成することができる。また上記の
クロム等よりなる導電体１３を省略して配線２および画
素電極３をアルミニウム等よりなる高導電性金属層４の
みで形成すると共に、素子Ｓ１・Ｓ２をタンタル等より
なる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝
導体１２および金属層４とで構成することもできる。ま
た上記のアルミニウムの代わりに例えばニッケルと金と
の合金を、前記のクロム等よりなる導電体１３の上に形
成することもできる。
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよい
が、同材質のものを用いると、後述のように１回のプロ
セスで同時に容易に形成することができる。また上記の
クロム等よりなる導電体１３を省略して配線２および画
素電極３をアルミニウム等よりなる高導電性金属層４の
みで形成すると共に、素子Ｓ１・Ｓ２をタンタル等より
なる導電体１１と酸化タンタル等よりなる非線形電気伝
導体１２および金属層４とで構成することもできる。ま
た上記のアルミニウムの代わりに例えばニッケルと金と
の合金を、前記のクロム等よりなる導電体１３の上に形
成することもできる。
【００８０】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
１〜図４３はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
１〜図４３はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００８１】（１）まず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４１に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面に
図４２に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体
層１２を形成する。 （３）次いで、第２の導電体１３を構成するクロム等の
導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４とをスパ
ッタリング等で形成し、その導電膜および高導電性金属
層４とをフォトエッチング等により所定の平面形状にパ
ターニングして図４３に示すように素子Ｓ１・Ｓ２を構
成する第２の導電体１３と、配線２および画素電極３と
を形成すればよい。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４１に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面に
図４２に示すように酸化タンタル等の非線形電気伝導体
層１２を形成する。 （３）次いで、第２の導電体１３を構成するクロム等の
導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４とをスパ
ッタリング等で形成し、その導電膜および高導電性金属
層４とをフォトエッチング等により所定の平面形状にパ
ターニングして図４３に示すように素子Ｓ１・Ｓ２を構
成する第２の導電体１３と、配線２および画素電極３と
を形成すればよい。
【００８２】なお前記のようにクロム等よりなる導電体
１３を省略する場合には、上記のクロム等の金属膜の形
成を省略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１
の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それ
をフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニン
グすればよい。
１３を省略する場合には、上記のクロム等の金属膜の形
成を省略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１
の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それ
をフォトエッチング等で所定の形状に同時にパターニン
グすればよい。
【００８３】また前記のようにアルミニウムの代わりに
ニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２
の導電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によ
って形成することもできる。
ニッケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２
の導電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によ
って形成することもできる。
【００８４】上記のように構成された素子基板を用いて
前記図３０と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構
成することができるもので、同様の効果が得られる。
前記図３０と同様の液晶表示装置等の電気光学装置を構
成することができるもので、同様の効果が得られる。
【００８５】〔実施例２〕図４４は配線に沿って高導電
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
他の実施例を示す素子基板の平面図、図４５は図４４に
おけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
他の実施例を示す素子基板の平面図、図４５は図４４に
おけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００８６】本実施例は非線形素子としてバック・トゥ
・バック方式のラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配
線２と画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２
をタンタル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等より
なる非線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電
体１３とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上
記素子Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質
のクロム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性
金属層４とで構成したものである。
・バック方式のラテラル型のＭＩＭ素子Ｓ１・Ｓ２を配
線２と画素電極３との間に設け、その両素子Ｓ１・Ｓ２
をタンタル等よりなる導電体１１と酸化タンタル等より
なる非線形電気伝導体１２およびクロム等よりなる導電
体１３とで構成すると共に、配線２と画素電極３とを上
記素子Ｓ１・Ｓ２を構成する第２の導電体１３と同材質
のクロム等よりなる導電体とアルミニウム等の高導電性
金属層４とで構成したものである。
【００８７】上記のように配線２を高導電性金属層４で
構成すると、上記実施例１と同様に配線抵抗を低減でき
ると共に、画素電極３の表面を上記のような金属層４で
構成すると、画素電極３を反射層として利用することが
できる。
構成すると、上記実施例１と同様に配線抵抗を低減でき
ると共に、画素電極３の表面を上記のような金属層４で
構成すると、画素電極３を反射層として利用することが
できる。
【００８８】なお上記配線２上の高導電性金属層４と画
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記参考例および実施例の場
合と同様である。
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記参考例および実施例の場
合と同様である。
【００８９】上記のような素子基板を製造するに当たっ
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
６〜図４９はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
ては、例えば以下の要領で製造することができる。図４
６〜図４９はその製造プロセスの一例を示すもので、各
図中（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿
う素子部の断面図である。
【００９０】（１）まず、基板１上に導電体１１を構成
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４６に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面前
面に絶縁層１２’を形成し、導電体１１の側面の絶縁層
１２’をフォトエッチング等により除去して図４７に示
すように酸化タンタル等よりなる絶縁層１２’を導電体
１１上に形成する。あるいは導電体１１上にポリイミド
膜等の絶縁膜１２’を形成する。 （３）次いで、上記導電体１１を熱酸化してその側面に
図４８に示すように非線形電気導電体層１２を形成す
る。 （４）そして最後に、第２の導電体１３を構成するクロ
ム等の導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４と
をスパッタリング等で形成し、その導電膜および高導電
性金属層４とをフォトエッチング等により所定の平面形
状にパターニングして図４９に示すように素子Ｓ１・Ｓ
２を構成する第２の導電体１３と、配線２および画素電
極３とを形成すればよい。
するタンタル等の導電膜を形成し、その導電膜をフォト
エッチングにより所定の平面形状に成形して図４６に示
すようにＭＩＭ素子の一部を構成する導電体１１を形成
する。 （２）その導電体１１を例えば熱酸化して、その表面前
面に絶縁層１２’を形成し、導電体１１の側面の絶縁層
１２’をフォトエッチング等により除去して図４７に示
すように酸化タンタル等よりなる絶縁層１２’を導電体
１１上に形成する。あるいは導電体１１上にポリイミド
膜等の絶縁膜１２’を形成する。 （３）次いで、上記導電体１１を熱酸化してその側面に
図４８に示すように非線形電気導電体層１２を形成す
る。 （４）そして最後に、第２の導電体１３を構成するクロ
ム等の導電膜と、アルミニウム等の高導電性金属層４と
をスパッタリング等で形成し、その導電膜および高導電
性金属層４とをフォトエッチング等により所定の平面形
状にパターニングして図４９に示すように素子Ｓ１・Ｓ
２を構成する第２の導電体１３と、配線２および画素電
極３とを形成すればよい。
【００９１】なお前記のようにクロム等よりなる導電体
１３を省略する場合には、前記の非線形電気伝導体１２
を含む基板１の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を
形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時
にパターニングすればよく、また前記のようにアルミニ
ウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム
等よりなる第２の導電体１３の上に形成する場合には、
めっき法等によっても形成可能であることは前記例の場
合と同様である。
１３を省略する場合には、前記の非線形電気伝導体１２
を含む基板１の上面に、直接アルミニウム等の金属膜を
形成し、それをフォトエッチング等で所定の形状に同時
にパターニングすればよく、また前記のようにアルミニ
ウムの代わりにニッケルと金との合金を、前記のクロム
等よりなる第２の導電体１３の上に形成する場合には、
めっき法等によっても形成可能であることは前記例の場
合と同様である。
【００９２】本実施例においても上記のように構成され
た素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等
の電気光学装置を構成することができるもので、同様の
効果が得られる。
た素子基板を用いて前記図３０と同様の液晶表示装置等
の電気光学装置を構成することができるもので、同様の
効果が得られる。
【００９３】〔実施例３〕図５０は配線に沿って高導電
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５１は図５
０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５１は図５
０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【００９４】本実施例は前記従来例４と同様にラテラル
型でバック・トゥ・バック方式の素子Ｓ１・Ｓ２と配線
２とを、タンタル等よりなる第１の導電体１１と酸化タ
ンタル等よりなる非線形電気伝導体１２およびクロム等
よりなる第２の導電体１３とで構成すると共に、画素電
極３を上記第２の導電体と同材質のクロム等よりなる導
電体１３で形成し、かつ、それ等の導電体１３上にアル
ミニウム等よりなる高導電性金属層４を設けたものであ
る。
型でバック・トゥ・バック方式の素子Ｓ１・Ｓ２と配線
２とを、タンタル等よりなる第１の導電体１１と酸化タ
ンタル等よりなる非線形電気伝導体１２およびクロム等
よりなる第２の導電体１３とで構成すると共に、画素電
極３を上記第２の導電体と同材質のクロム等よりなる導
電体１３で形成し、かつ、それ等の導電体１３上にアル
ミニウム等よりなる高導電性金属層４を設けたものであ
る。
【００９５】本実施例においても上記のように配線２を
構成する導電体１３上に高導電性金属層４を設けたこと
によって配線抵抗を低減できると共に、画素電極３の表
面に金属層４を設けたことによって画素電極３を反射層
として利用することができるものである。
構成する導電体１３上に高導電性金属層４を設けたこと
によって配線抵抗を低減できると共に、画素電極３の表
面に金属層４を設けたことによって画素電極３を反射層
として利用することができるものである。
【００９６】なお上記配線２上の高導電性金属層４と画
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記参考例および実施例の場
合と同様である。
素電極３の金属層４とは必ずしも同材質でなくてもよ
く、またクロム等よりなる導電体１３を省略してもよ
く、さらに高導電性金属層４としてアルミニウム以外の
材料を用いてもよいことは前記参考例および実施例の場
合と同様である。
【００９７】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に配線２を構成する導電体１１
と非線形電気伝導体１２および素子Ｓ１・Ｓ２を構成す
る第１の伝導体１１と非線形電気伝導体１２を形成する
と共に、図５２に示すように素子を構成する部分と配線
２との間の導電体１１と絶縁体１２’および非線形電気
伝導体１２とを切除する。
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に配線２を構成する導電体１１
と非線形電気伝導体１２および素子Ｓ１・Ｓ２を構成す
る第１の伝導体１１と非線形電気伝導体１２を形成する
と共に、図５２に示すように素子を構成する部分と配線
２との間の導電体１１と絶縁体１２’および非線形電気
伝導体１２とを切除する。
【００９８】次いで、図５３に示すように非線形電気伝
導体１２を含む基板１の上面に、導電体１３を構成する
クロム等の金属膜とアルミニウム等の金属膜とをスパッ
タリング等で形成すると共に、フォトエッチング等で所
定の形状にパターニングすればよい。その際、上記の導
電体１３を構成するクロム等の金属膜とアルミニウム等
の金属膜とを図示例のように同一の平面形状にする場合
には同時にパターニングすることができる。
導体１２を含む基板１の上面に、導電体１３を構成する
クロム等の金属膜とアルミニウム等の金属膜とをスパッ
タリング等で形成すると共に、フォトエッチング等で所
定の形状にパターニングすればよい。その際、上記の導
電体１３を構成するクロム等の金属膜とアルミニウム等
の金属膜とを図示例のように同一の平面形状にする場合
には同時にパターニングすることができる。
【００９９】なお前記のようにクロム等よりなる導電体
１３を省略する場合には、上記のクロム等の膜形成を省
略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１の上面
に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォ
トエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすれ
ばよい。また前記のようにアルミニウムの代わりにニッ
ケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２の導
電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によって
形成することもできることは前記例の場合と同様であ
る。
１３を省略する場合には、上記のクロム等の膜形成を省
略して前記の非線形電気伝導体１２を含む基板１の上面
に、直接アルミニウム等の金属膜を形成し、それをフォ
トエッチング等で所定の形状に同時にパターニングすれ
ばよい。また前記のようにアルミニウムの代わりにニッ
ケルと金との合金を、前記のクロム等よりなる第２の導
電体１３の上に形成する場合には、めっき法等によって
形成することもできることは前記例の場合と同様であ
る。
【０１００】図５４は上記の素子基板を用いて電気光学
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図２１および図２２のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
装置としての液晶表示装置を構成した実施例の縦断面図
である。図において、１は前記図２１および図２２のよ
うに構成した素子基板、５１はその素子基板１に対向さ
せて配置した対向基板で、その内面には対向電極５２が
設けられ、上記両基板１・５１間に液晶層５３を介在さ
せた構成である。
【０１０１】上記の素子基板１は、前述のように配線２
に沿って高導電性金属層４を設けると共に、画素電極３
の表面に金属層４を設けた構成であり、配線２に沿って
高導電性金属層４を設けたことによって配線抵抗が低減
され低電圧で良好な表示を得ることが可能となると共
に、画素電極３の表面に金属層４を設けたことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。また前記図３０と同様に必要に応じて基板１の背面
側に反射板等を設けることができる。
に沿って高導電性金属層４を設けると共に、画素電極３
の表面に金属層４を設けた構成であり、配線２に沿って
高導電性金属層４を設けたことによって配線抵抗が低減
され低電圧で良好な表示を得ることが可能となると共
に、画素電極３の表面に金属層４を設けたことによっ
て、別途反射板等を設けることなく反射型の液晶表示装
置等の電気光学装置を構成することができる。特に、上
記の液晶層５３として高分子分散型液晶やゲストホスト
モード等の液晶を用い、表示に際して偏光板を必要とし
ないタイプの液晶表示装置等の電気光学装置に有効であ
る。また前記図３０と同様に必要に応じて基板１の背面
側に反射板等を設けることができる。
【０１０２】〔実施例４〕図５５は配線に沿って高導電
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５６は図５
５におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図５６は図５
５におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【０１０３】本実施例は前記従来例４における素子Ｓ１
・Ｓ２と配線２を構成する第２の導電体としてアルミニ
ウム等よりなる高導電性金属４を用いると共に、画素電
極３を上記と同材質の高導電性金属４で形成し、かつ、
その高導電性金属層４上にＩＴＯ等よりなる透明の導電
体層５を設けたものである。その導電体層５の表面に
は、必要に応じて微細な凹凸を形成するとよい。他の構
成は前記従来例４と同様である。
・Ｓ２と配線２を構成する第２の導電体としてアルミニ
ウム等よりなる高導電性金属４を用いると共に、画素電
極３を上記と同材質の高導電性金属４で形成し、かつ、
その高導電性金属層４上にＩＴＯ等よりなる透明の導電
体層５を設けたものである。その導電体層５の表面に
は、必要に応じて微細な凹凸を形成するとよい。他の構
成は前記従来例４と同様である。
【０１０４】なお上記の高導電性金属４としては、アル
ミニウム単体またはアルミニウム合金のいずれでもよ
く、また銅単体もしくは銅合金、あるいは他の金属を用
いることもできる。また透明導電体層５は、ＩＴＯに限
らず、他の透明もしくは半透明の導電体を用いてもよ
い。
ミニウム単体またはアルミニウム合金のいずれでもよ
く、また銅単体もしくは銅合金、あるいは他の金属を用
いることもできる。また透明導電体層５は、ＩＴＯに限
らず、他の透明もしくは半透明の導電体を用いてもよ
い。
【０１０５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と絶縁体１２’お
よび非線形電気伝導体１２とを形成すると共に、図５７
に示すように素子を構成する部分と配線２との間の導電
体１１と絶縁体１２’および非線形電気伝導体１２とを
切除する。
例えば以下の要領で製造することができる。まず、前記
従来例４における製造プロセス（１）〜（５）に従って
同様の要領で、基板１上に導電体１１と絶縁体１２’お
よび非線形電気伝導体１２とを形成すると共に、図５７
に示すように素子を構成する部分と配線２との間の導電
体１１と絶縁体１２’および非線形電気伝導体１２とを
切除する。
【０１０６】次いで、上記の非線形電気伝導体１２を含
む基板１の上面に、第２の導電体１３を構成するクロム
等よりなる膜をスパッタリング等で形成し、その膜をフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図５
８に示すように配線部の非線形電気伝導体１２上に第２
の導電体１３を形成すると共に、それと同材質の導電体
１３よりなる画素電極３を形成する。そして、その画素
電極３上にＩＴＯ等よりなる透明の導電膜をスパッタリ
ング等で形成し、それを図５９に示すようにフォトエッ
チング等で所定の形状にパターニングして導電体層５を
形成すればよい。
む基板１の上面に、第２の導電体１３を構成するクロム
等よりなる膜をスパッタリング等で形成し、その膜をフ
ォトエッチング等で所定の形状にパターニングして図５
８に示すように配線部の非線形電気伝導体１２上に第２
の導電体１３を形成すると共に、それと同材質の導電体
１３よりなる画素電極３を形成する。そして、その画素
電極３上にＩＴＯ等よりなる透明の導電膜をスパッタリ
ング等で形成し、それを図５９に示すようにフォトエッ
チング等で所定の形状にパターニングして導電体層５を
形成すればよい。
【０１０７】なお、その導電体層５の表面に前述のよう
に微細な凹凸を形成する場合には、上記の導電体層５を
形成する際のスパッタリング条件を適宜調整するか、あ
るいはスパッタリング後にライトコーチング等の表面処
理を行えばよい。上記のスパッタリング条件としては、
例えば、温度を低くしてレートを上げる方向で行うとよ
い。
に微細な凹凸を形成する場合には、上記の導電体層５を
形成する際のスパッタリング条件を適宜調整するか、あ
るいはスパッタリング後にライトコーチング等の表面処
理を行えばよい。上記のスパッタリング条件としては、
例えば、温度を低くしてレートを上げる方向で行うとよ
い。
【０１０８】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、金属よりなる画素電極３の
表面に透明の導電体層５を設けたことによって反射効率
を高めることができる。
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、金属よりなる画素電極３の
表面に透明の導電体層５を設けたことによって反射効率
を高めることができる。
【０１０９】この場合、金属よりなる画素電極３の表面
の反射面と、上記の透明導電体層５による光の干渉によ
り最も反射率がかせげるように、透明導電体層５の膜厚
を設定するのが望ましく、例えばＩＴＯを用いる場合の
膜厚は、１００〜１５００オングストローム程度が好適
である。
の反射面と、上記の透明導電体層５による光の干渉によ
り最も反射率がかせげるように、透明導電体層５の膜厚
を設定するのが望ましく、例えばＩＴＯを用いる場合の
膜厚は、１００〜１５００オングストローム程度が好適
である。
【０１１０】また上記の干渉効果を利用して反射光の色
調をコントロールすることも可能であり、例えば透明導
電体層５としてＩＴＯを用いた場合に、その膜厚が５０
０オングストロームのときの反射光は薄青色、１０００
オングストロームのときは黄色、１５００オングストロ
ームのときは茶色の反射光が得られる。
調をコントロールすることも可能であり、例えば透明導
電体層５としてＩＴＯを用いた場合に、その膜厚が５０
０オングストロームのときの反射光は薄青色、１０００
オングストロームのときは黄色、１５００オングストロ
ームのときは茶色の反射光が得られる。
【０１１１】上記のように反射光の色調をコントロール
することにより、視認性を高めることも可能であり、特
にゲストホストモードの液晶との組合せた場合の色調を
調整するのに有効である。
することにより、視認性を高めることも可能であり、特
にゲストホストモードの液晶との組合せた場合の色調を
調整するのに有効である。
【０１１２】〔実施例５〕図６０は配線に沿って高導電
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図６１は図６
０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
性金属層を設けると共に画素電極に反射機能を持たせた
更に他の実施例を示す素子基板の平面図、図６１は図６
０におけるＡ−Ａ線に沿う素子部の拡大断面図である。
【０１１３】本実施例は前記従来例４における第２の導
電体１３をアルミニウム等の高導電性金属で形成すると
共に、画素電極３を第１の導電体１１と同材質のタンタ
ルで形成する。そして、そのタンタルよりなる画素電極
３の表面に微細な凹部Ｇを形成し、その上に上記第２の
導電体１３と同材質の金属層１３を被覆したもので、他
の構成は前記従来例１と同様である。
電体１３をアルミニウム等の高導電性金属で形成すると
共に、画素電極３を第１の導電体１１と同材質のタンタ
ルで形成する。そして、そのタンタルよりなる画素電極
３の表面に微細な凹部Ｇを形成し、その上に上記第２の
導電体１３と同材質の金属層１３を被覆したもので、他
の構成は前記従来例１と同様である。
【０１１４】上記の画素電極３としてタンタルを用いる
代わりに他の材料、例えば樹脂系のものや金属材料でも
よいが、本実施例のように第１の導電体１１と同材質の
ものを用いると、その第１の導電体１１を形成する際に
同時に容易に形成することがでる。
代わりに他の材料、例えば樹脂系のものや金属材料でも
よいが、本実施例のように第１の導電体１１と同材質の
ものを用いると、その第１の導電体１１を形成する際に
同時に容易に形成することがでる。
【０１１５】上記の素子基板を製造するに当たっては、
例えば以下の要領で製造することができる。図６２〜図
６７はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
例えば以下の要領で製造することができる。図６２〜図
６７はその製造プロセスの一例を示すもので、各図中
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）における破線に沿う素
子部の断面図である。
【０１１６】（１）まず、基板１上にタンタル等の導電
膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定
の平面形状にパターニングして図６２に示すよう素子と
配線を構成する導電体１１と、画素電極３を構成する導
電体１１を形成し、その画素電極３を構成する導電体１
１の表面にフォトエッチング等によって凹部Ｇを形成す
る。 （２）その画素電極３を構成する導電体１１を除く素子
部と配線部の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化し
て、その表面に図６３に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （３）その導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォトエ
ッチング等により除去して図６４に示すように該導電体
１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
してその側面に図６５に示すように非線形電気伝導体１
２を形成する。 （５）次に、図６６に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１および非線形電気伝導体１２
とをフォトエッチング等により切除する。 （６）最後に第２の導電体１３を構成するアルミニウム
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等
により所定の平面形状に成形して図６７に示すように素
子部と配線部に第２の導電体１３を形成すると共に、タ
ンタル等よりなる画素電極３の表面に導電体１３を形成
すればよい。
膜を形成し、その導電膜をフォトエッチングにより所定
の平面形状にパターニングして図６２に示すよう素子と
配線を構成する導電体１１と、画素電極３を構成する導
電体１１を形成し、その画素電極３を構成する導電体１
１の表面にフォトエッチング等によって凹部Ｇを形成す
る。 （２）その画素電極３を構成する導電体１１を除く素子
部と配線部の導電体１１を陽極酸化もしくは熱酸化し
て、その表面に図６３に示すように酸化タンタル等の絶
縁層１２’を形成する。 （３）その導電体１１の側面の絶縁層１２’をフォトエ
ッチング等により除去して図６４に示すように該導電体
１１の上面にのみ絶縁層１２’を残す。 （４）上記の導電体１１を再度陽極酸化もしくは熱酸化
してその側面に図６５に示すように非線形電気伝導体１
２を形成する。 （５）次に、図６６に示すように素子を構成する部分と
配線２との間の導電体１１および非線形電気伝導体１２
とをフォトエッチング等により切除する。 （６）最後に第２の導電体１３を構成するアルミニウム
等の導電膜を形成し、その導電膜をフォトエッチング等
により所定の平面形状に成形して図６７に示すように素
子部と配線部に第２の導電体１３を形成すると共に、タ
ンタル等よりなる画素電極３の表面に導電体１３を形成
すればよい。
【０１１７】本例においても図には省略したが、上記の
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、画素電極３の表面に図６０
および図６１に示すように微細な凹部Ｇを形成したこと
によって、反射光が散乱して反射効率を高めることがで
きるものである。
素子基板を用いて前記図３０もしくは図５４と同様の液
晶表示装置等の電気光学装置を構成することができ、同
様の効果が得られる。特に、画素電極３の表面に図６０
および図６１に示すように微細な凹部Ｇを形成したこと
によって、反射光が散乱して反射効率を高めることがで
きるものである。
【０１１８】なお上記の凹部Ｇの幅ｗは、製造プロセス
や散乱効果を考慮して０．５〜５０μｍ程度が好まし
く、又その深さｄは０．１〜２μｍ程度が望ましい。さ
らに上記凹部Ｇは散乱効果を高めるために、なるべくな
だらかな曲面形状にするのがよい。また液晶表示装置等
の電気光学装置を構成したときに、特定の干渉縞が出な
いように凹部Ｇのパターンは、なるべくランダムな形状
にするのが望ましい。
や散乱効果を考慮して０．５〜５０μｍ程度が好まし
く、又その深さｄは０．１〜２μｍ程度が望ましい。さ
らに上記凹部Ｇは散乱効果を高めるために、なるべくな
だらかな曲面形状にするのがよい。また液晶表示装置等
の電気光学装置を構成したときに、特定の干渉縞が出な
いように凹部Ｇのパターンは、なるべくランダムな形状
にするのが望ましい。
【０１１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明による素子基
板およびその製造方法並びに該素子基板を用いた電気光
学装置は、基板上に第１の導電体と非線形電気伝導体お
よび第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の重な
る部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を
信号入力用配線と画素電極との間に設け、前記信号入力
用配線に沿って高導電性金属層を設けると共に、前記画
素電極に高導電性金属層を設けたから、上記の信号入力
用配線に沿う高導電性金属層によって配線抵抗を小さく
することが可能となり、前述従来のようにクロストーク
等によって画質が劣化するのを防止できると共に、高精
密化するときにも開口率を大きく取ることができる。し
かも駆動電圧を下げることができるので、低電圧で良好
な表示特性が得られ、さらに画素電極に高導電性金属層
を設けたことによって別途反射板等を設けることなく反
射型の液晶表示装置等の電気光学装置を構成できると共
に、上記の信号入力用配線に沿う高導電性金属層と、画
素電極に設けた高導電性金属層とは基板製造時に同時に
形成できるので液晶表示装置等の電気光学装置を容易・
安価に製作できる等の効果がある。
板およびその製造方法並びに該素子基板を用いた電気光
学装置は、基板上に第１の導電体と非線形電気伝導体お
よび第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の重な
る部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素子を
信号入力用配線と画素電極との間に設け、前記信号入力
用配線に沿って高導電性金属層を設けると共に、前記画
素電極に高導電性金属層を設けたから、上記の信号入力
用配線に沿う高導電性金属層によって配線抵抗を小さく
することが可能となり、前述従来のようにクロストーク
等によって画質が劣化するのを防止できると共に、高精
密化するときにも開口率を大きく取ることができる。し
かも駆動電圧を下げることができるので、低電圧で良好
な表示特性が得られ、さらに画素電極に高導電性金属層
を設けたことによって別途反射板等を設けることなく反
射型の液晶表示装置等の電気光学装置を構成できると共
に、上記の信号入力用配線に沿う高導電性金属層と、画
素電極に設けた高導電性金属層とは基板製造時に同時に
形成できるので液晶表示装置等の電気光学装置を容易・
安価に製作できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】素子基板の参考例を示す平面図。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図３】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス
説明図。
説明図。
【図４】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセス
説明図。
説明図。
【図５】上記素子基板を用いた電気光学装置の縦断面
図。
図。
【図６】素子基板の他の参考例を示す平面図。
【図７】図６におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図８】素子基板の更に他の参考例を示す平面図。
【図９】図８におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図１０】素子基板の更に他の参考例を示す平面図。
【図１１】図１０におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図１２】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１３】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１４】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１５】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１６】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１７】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１８】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図１９】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図２０】上記素子基板を用いた電気光学装置の縦断面
図。
図。
【図２１】素子基板の更に他の参考例を示す平面図。
【図２２】図２１におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図２３】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図２４】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図２５】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図２６】素子基板の更に他の参考例を示す平面図。
【図２７】図２６におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図２８】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図２９】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３０】上記素子基板を用いた電気光学装置の縦断面
図。
図。
【図３１】素子基板の更に他の参考例を示す平面図。
【図３２】図３１におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図３３】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３４】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３５】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３６】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３７】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３８】上記素子基板の製造工程の一例を示すプロセ
ス説明図。
ス説明図。
【図３９】本発明による実施例を示す素子基板の平面
図。
図。
【図４０】図３９におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図４１】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４４】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図４５】図４４におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図４６】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図４９】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５０】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図５１】図５０におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図５２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５４】上記実施例における素子基板を用いた電気光
学装置の縦断面図。
学装置の縦断面図。
【図５５】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図５６】図５５におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図５７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５８】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図５９】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６０】本発明による更に他の実施例を示す素子基板
の平面図。
の平面図。
【図６１】図６０におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図６２】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６３】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６４】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６５】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６６】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６７】上記実施例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図６８】従来の素子基板の一例を示す平面図。
【図６９】図６８におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図７０】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７１】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７２】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７３】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７４】従来の素子基板の他の例を示す平面図。
【図７５】図７４におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図７６】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７７】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７８】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図７９】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８０】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８１】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８２】上記従来例における素子基板の製造工程の他
の例を示すプロセス説明図。
の例を示すプロセス説明図。
【図８３】上記従来例における素子基板の製造工程の他
の例を示すプロセス説明図。
の例を示すプロセス説明図。
【図８４】上記従来例における素子基板の製造工程の他
の例を示すプロセス説明図。
の例を示すプロセス説明図。
【図８５】従来の素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図８６】図８５におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図８７】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８８】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図８９】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９０】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９１】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９２】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９３】従来の素子基板の更に他の例を示す平面図。
【図９４】図９３におけるＡ−Ａ線拡大断面図。
【図９５】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９６】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９７】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９８】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図９９】上記従来例における素子基板の製造工程の一
例を示すプロセス説明図。
例を示すプロセス説明図。
【図１００】上記従来例における素子基板の製造工程の
一例を示すプロセス説明図。
一例を示すプロセス説明図。
【図１０１】上記従来例における素子基板の製造工程の
一例を示すプロセス説明図。
一例を示すプロセス説明図。
【符号の説明】
１ 基板
２ 配線
３ 画素電極
１１、１３、２１、２３ 導電体
１２、２２ 非線形電気伝導体
４ 高導電性金属層
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ 非線形素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 宇敷 武義
長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ
ーエプソン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H092 JA03 JB31 KB04 NA28
5C094 AA04 AA09 AA10 AA43 AA53
AA55 BA04 BA43 CA19 DA13
EA04 FA01 FA02 FB12
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に第１の導電体と非線形電気伝導
体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の
重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素
子が前記第２の導電体と同材質で形成された信号入力用
配線と画素電極との間に設けられた素子基板において、 前記第２の導電体と同材質で形成された前記信号入力用
配線の上には、更に個別に前記信号入力用配線に沿って
高導電性金属層が設けられていることを特徴とする非線
形素子を備えた素子基板。 - 【請求項２】 前記画素電極が前記高導電性金属層と同
材質の金属で形成されていることを特徴とする請求項１
記載の非線形素子を備えた素子基板。 - 【請求項３】 前記高導電性金属層はアルミニウム単体
もしくはアルミニウム合金よりなることを特徴とする請
求項１または２に記載の非線形素子を備えた素子基板。 - 【請求項４】 基板上に第１の導電体と非線形電気伝導
体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の
重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素
子が前記第２の導電体と同材質で形成された信号入力用
配線と画素電極との間に設けられ、前記信号入力用配線
上に該信号入力用配線に沿って高導電性金属層が設けら
れている素子基板の製造方法であって、 前記基板上に前記第１の導電体を形成すると共に該第１
の導電体上に前記非線形電気伝導体を形成するプロセス
と、前記非線形電気伝導体上に前記第２の伝導体を形成
すると同時に前記信号入力配線を形成するプロセスと、
しかる後、前記信号入力用配線上に前記高導電性金属層
を形成するプロセスとを含むことを特徴とする素子基板
の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に第１の導電体と非線形電気伝導
体および第２の導電体とを順に積層してなり、それ等の
重なる部分が電流電圧特性に非線形性を有する非線形素
子を前記第１の導電体と同材質で形成された信号入力用
配線と画素電極との間に設け、前記第２の導電体と同材
質で形成された前記信号入力用配線の上に更に個別に前
記信号入力用配線に沿って高導電性金属層を設けた素子
基板を備え、該素子基板に対向して内面に電極を有する
対向基板を配置すると共に、その両基板間に液晶層を介
在させたことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項６】 前記画素電極の少なくとも一部が前記高
導電性金属層と同材質の金属で形成されていることを特
徴とする請求項５記載の電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111676A JP3498797B2 (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111676A JP3498797B2 (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23529492A Division JP3324613B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 非線形素子を備えた素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003015154A true JP2003015154A (ja) | 2003-01-15 |
| JP3498797B2 JP3498797B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=19193929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498797B2 (ja) |
-
2002
- 2002-04-15 JP JP2002111676A patent/JP3498797B2/ja not_active Expired - Fee Related
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