JPH05273598A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH05273598A JPH05273598A JP6700292A JP6700292A JPH05273598A JP H05273598 A JPH05273598 A JP H05273598A JP 6700292 A JP6700292 A JP 6700292A JP 6700292 A JP6700292 A JP 6700292A JP H05273598 A JPH05273598 A JP H05273598A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- shielding layer
- mim
- crystal display
- light
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 点欠陥冗長のために画素電極がいくつかに分
割されている液晶表示装置において、分割された画素電
極上に遮光層を設ける。 【効果】 透過率の損失を最小限にして、光もれを防
ぎ、高いコントラストを確保する。
割されている液晶表示装置において、分割された画素電
極上に遮光層を設ける。 【効果】 透過率の損失を最小限にして、光もれを防
ぎ、高いコントラストを確保する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＭＩＭ素子を用いた液晶
表示装置に懸かり、分割された電極上に遮光層を設ける
ことにより、製造コストを上昇させずに、高コントラス
トで明るい表示品質を提供する液晶表示装置に関する。
表示装置に懸かり、分割された電極上に遮光層を設ける
ことにより、製造コストを上昇させずに、高コントラス
トで明るい表示品質を提供する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】２図は従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表
示装置（以下ＭＩＭ−ＬＣＤと呼ぶ）を示す図である。
１は信号配線を兼ねるＭＩＭ素子の１方の電極、２はＭ
ＩＭ素子の絶縁膜、３は画素電極への接続リード線を兼
ねるＭＩＭ素子の他方の電極、４は画素電極、５はＭＩ
Ｍ素子の形成された基板（以下ＭＩＭ基板と呼ぶ）。図
に示された２組のＭＩＭ素子と画素電極及び、対向する
基板に設けられた電極に依って１つの画素が構成され、
ＭＩＭ基板上の電極と、対向する基板上に設けられた電
極間の電位差を変化させることにより、液晶の光学特性
を制御し、情報が表示される。ここでＭＩＭ基板上に作
られた２組のＭＩＭ素子と電極のうち１組に欠陥が生じ
情報を表示することが出来なくなっても残りの１組のＭ
ＩＭ素子と電極により情報の表示がなされ、情報の欠落
は回避される。
示装置（以下ＭＩＭ−ＬＣＤと呼ぶ）を示す図である。
１は信号配線を兼ねるＭＩＭ素子の１方の電極、２はＭ
ＩＭ素子の絶縁膜、３は画素電極への接続リード線を兼
ねるＭＩＭ素子の他方の電極、４は画素電極、５はＭＩ
Ｍ素子の形成された基板（以下ＭＩＭ基板と呼ぶ）。図
に示された２組のＭＩＭ素子と画素電極及び、対向する
基板に設けられた電極に依って１つの画素が構成され、
ＭＩＭ基板上の電極と、対向する基板上に設けられた電
極間の電位差を変化させることにより、液晶の光学特性
を制御し、情報が表示される。ここでＭＩＭ基板上に作
られた２組のＭＩＭ素子と電極のうち１組に欠陥が生じ
情報を表示することが出来なくなっても残りの１組のＭ
ＩＭ素子と電極により情報の表示がなされ、情報の欠落
は回避される。
【０００３】前述のごとく液晶表示体は液晶の電気光学
特性により、光の透過量を制御することによって情報表
示がなされる。従って、電極のない 部分は液晶の制御
がなされないため情報表示の役割は果たさない。更に、
ノーマリーホワイト表示の場合には、電極間の液晶の制
御がなされない部分からは、光が洩れるために液晶表示
装置のコントラストは極端に低下してしまう。そこで従
来は図３に示すように、液晶をはさんでＭＩＭ基板に対
向する基板（以下対向基板と呼ぶ）に遮光層を設け光洩
れを防いでいた。図３符号７斜線で示す部分がＭＩＭ基
板に対向する基板に設けられた遮光層である。
特性により、光の透過量を制御することによって情報表
示がなされる。従って、電極のない 部分は液晶の制御
がなされないため情報表示の役割は果たさない。更に、
ノーマリーホワイト表示の場合には、電極間の液晶の制
御がなされない部分からは、光が洩れるために液晶表示
装置のコントラストは極端に低下してしまう。そこで従
来は図３に示すように、液晶をはさんでＭＩＭ基板に対
向する基板（以下対向基板と呼ぶ）に遮光層を設け光洩
れを防いでいた。図３符号７斜線で示す部分がＭＩＭ基
板に対向する基板に設けられた遮光層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】当然の事ながら遮光層
７は液晶の状態に関わらず光を透過しないため、図３に
示す液晶表示装置の情報表示に与る部分は斜線の引かれ
ていない空白部分のみである。液晶表示装置の有効画面
の面積に対する、この情報表示に与る空白部分の面積の
比率を開口率と呼ぶが、開口率が少ないと、液晶表示装
置の表示画像は暗くなってしまい表示品質が損なわれ
る。開口率を大きくするためには遮光層７と画素電極４
との重なり部分の面積をできる限り小さくすれば良いの
だが、ＭＩＭ基板と対向基板の重ね合わせ精度が１０数
μｍと余り良くないため、開口率は３０％強となってし
まう。
７は液晶の状態に関わらず光を透過しないため、図３に
示す液晶表示装置の情報表示に与る部分は斜線の引かれ
ていない空白部分のみである。液晶表示装置の有効画面
の面積に対する、この情報表示に与る空白部分の面積の
比率を開口率と呼ぶが、開口率が少ないと、液晶表示装
置の表示画像は暗くなってしまい表示品質が損なわれ
る。開口率を大きくするためには遮光層７と画素電極４
との重なり部分の面積をできる限り小さくすれば良いの
だが、ＭＩＭ基板と対向基板の重ね合わせ精度が１０数
μｍと余り良くないため、開口率は３０％強となってし
まう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】開口率が小さくなってし
まう原因は、ＭＩＭ基板と対向基板の重ね合わせ精度が
悪いためである。そこで遮光層をＭＩＭ基板側に設けれ
ば重ね合わせ精度の問題は回避できる。ＭＩＭ基板上の
パターンはフォトリソグラフィーの技術を用いて形成さ
れるため精度は数μである。図４のごとく、１画素を構
成する分割された電極の間隙に遮光層６を設け、対向基
板上の対応する部分の遮光層を省略することにより開口
率は４０％以上確保できる。また図４符号６で示すＭＩ
Ｍ基板上の遮光層は、１画素を構成する電極の間隙に設
けられた遮光層であるため、たとえ多少の電気伝導度を
もっていて、分割された画素電極間の信号が互いに洩れ
ても画像に全く影響はない。従って遮光層の材質、遮光
層を作る工程に選択の幅があり、コストを上昇させずに
作ることが出来る。
まう原因は、ＭＩＭ基板と対向基板の重ね合わせ精度が
悪いためである。そこで遮光層をＭＩＭ基板側に設けれ
ば重ね合わせ精度の問題は回避できる。ＭＩＭ基板上の
パターンはフォトリソグラフィーの技術を用いて形成さ
れるため精度は数μである。図４のごとく、１画素を構
成する分割された電極の間隙に遮光層６を設け、対向基
板上の対応する部分の遮光層を省略することにより開口
率は４０％以上確保できる。また図４符号６で示すＭＩ
Ｍ基板上の遮光層は、１画素を構成する電極の間隙に設
けられた遮光層であるため、たとえ多少の電気伝導度を
もっていて、分割された画素電極間の信号が互いに洩れ
ても画像に全く影響はない。従って遮光層の材質、遮光
層を作る工程に選択の幅があり、コストを上昇させずに
作ることが出来る。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【０００７】（実施例１）図１は本発明によるＭＩＭ素
子を用いた液晶表示装置を示す図である。符号６が２つ
に分割された画素電極間に設けられた絶縁性の遮光層で
ある。本図面では１画素は２分割されているが、２分割
以上なされている場合でも分割された画素電極間に遮光
層を設けることが出来る。
子を用いた液晶表示装置を示す図である。符号６が２つ
に分割された画素電極間に設けられた絶縁性の遮光層で
ある。本図面では１画素は２分割されているが、２分割
以上なされている場合でも分割された画素電極間に遮光
層を設けることが出来る。
【０００８】（実施例２）図５は請求項２及び３による
本発明によるＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の実施例
を示す図である。符号７はＭＩＭ素子の電極１と同一素
材で、同時に形成されたＭＩＭ素子の電極である。符号
８は絶縁膜を得るための陽極酸化用のラインである。こ
こで図５に示されるＭＩＭ素子は、”金属（１）−絶縁
膜（２）−金属（３）−絶縁膜（２）−金属（７）”構
造をしている、ようするに２つのＭＩＭ素子が直列に接
続された構造となっている。図６は本発明による液晶表
示装置の特徴である電気絶縁性の遮光層を作る工程を示
す図である。図６（ａ）においては、ＭＩＭ素子の電極
３及び遮光層６は陽極酸化用ライン８と接続されてお
り、同一の金属で形成されている。陽極酸化により絶縁
膜が形成され、ＭＩＭ素子素子の電極３上に形成された
絶縁膜はＭＩＭ素子の絶縁膜２となり、遮光層６は絶縁
膜で皮膜されることにより絶縁性となる。次に図６
（ｂ）のごとくエッチングにより陽極酸化用ライン８か
ら切り離すことにより、ＭＩＭ素子の一方の電極３及び
絶縁膜、絶縁性の遮光層６が形成される。
本発明によるＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の実施例
を示す図である。符号７はＭＩＭ素子の電極１と同一素
材で、同時に形成されたＭＩＭ素子の電極である。符号
８は絶縁膜を得るための陽極酸化用のラインである。こ
こで図５に示されるＭＩＭ素子は、”金属（１）−絶縁
膜（２）−金属（３）−絶縁膜（２）−金属（７）”構
造をしている、ようするに２つのＭＩＭ素子が直列に接
続された構造となっている。図６は本発明による液晶表
示装置の特徴である電気絶縁性の遮光層を作る工程を示
す図である。図６（ａ）においては、ＭＩＭ素子の電極
３及び遮光層６は陽極酸化用ライン８と接続されてお
り、同一の金属で形成されている。陽極酸化により絶縁
膜が形成され、ＭＩＭ素子素子の電極３上に形成された
絶縁膜はＭＩＭ素子の絶縁膜２となり、遮光層６は絶縁
膜で皮膜されることにより絶縁性となる。次に図６
（ｂ）のごとくエッチングにより陽極酸化用ライン８か
ら切り離すことにより、ＭＩＭ素子の一方の電極３及び
絶縁膜、絶縁性の遮光層６が形成される。
【０００９】（実施例３）図７は請求項２及び３による
本発明によるＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の他の実
施例を示す図である。符号９はＭＩＭ素子の絶縁膜２に
比べ十分抵抗の高い絶縁膜である。従って電極３の上面
にはＭＩＭ素子は形成されず、電極３の両側面に見にＭ
ＩＭ素子は形成される。遮光層６の上面には絶縁膜９と
同一の絶縁膜が、側面には絶縁膜２と同一の絶縁膜が形
成されている。図７における遮光層６の絶縁性は、実施
例２図５における遮光層６に比べて絶縁性が高いためよ
り理想的である。
本発明によるＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の他の実
施例を示す図である。符号９はＭＩＭ素子の絶縁膜２に
比べ十分抵抗の高い絶縁膜である。従って電極３の上面
にはＭＩＭ素子は形成されず、電極３の両側面に見にＭ
ＩＭ素子は形成される。遮光層６の上面には絶縁膜９と
同一の絶縁膜が、側面には絶縁膜２と同一の絶縁膜が形
成されている。図７における遮光層６の絶縁性は、実施
例２図５における遮光層６に比べて絶縁性が高いためよ
り理想的である。
【００１０】（実施例４）図８は請求項４による本発明
によるＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の実施例を示す
図である。図８（ａ）においては、ＭＩＭ素子の電極３
及び遮光層６は陽極酸化用ライン８と接続されており、
同一の金属で形成されている。遮光層６の陽極酸化用ラ
イン８との接続部分は遮光層６の他の部分に比べて狭く
なっている。
によるＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の実施例を示す
図である。図８（ａ）においては、ＭＩＭ素子の電極３
及び遮光層６は陽極酸化用ライン８と接続されており、
同一の金属で形成されている。遮光層６の陽極酸化用ラ
イン８との接続部分は遮光層６の他の部分に比べて狭く
なっている。
【００１１】陽極酸化により絶縁膜が形成され、ＭＩＭ
素子素子の電極３上に形成された絶縁膜はＭＩＭ素子の
絶縁膜２となり、遮光層６は絶縁膜で皮膜されることに
より絶縁性となる。次に図６（ｂ）のごとくエッチング
により陽極酸化用ライン８から切り離すことにより、Ｍ
ＩＭ素子の一方の電極３及び絶縁膜、絶縁性の遮光層６
が形成される。エッチングにさらされた部分は、エッチ
ングによる再付着物により電気抵抗が低くなっており信
号洩れの経路となるしたがって、陽極酸化ライン８と遮
光層６との接続部分はなるべく狭い方が信号ラインから
画素への信号洩れが起こらず良い画像を提供できる。
素子素子の電極３上に形成された絶縁膜はＭＩＭ素子の
絶縁膜２となり、遮光層６は絶縁膜で皮膜されることに
より絶縁性となる。次に図６（ｂ）のごとくエッチング
により陽極酸化用ライン８から切り離すことにより、Ｍ
ＩＭ素子の一方の電極３及び絶縁膜、絶縁性の遮光層６
が形成される。エッチングにさらされた部分は、エッチ
ングによる再付着物により電気抵抗が低くなっており信
号洩れの経路となるしたがって、陽極酸化ライン８と遮
光層６との接続部分はなるべく狭い方が信号ラインから
画素への信号洩れが起こらず良い画像を提供できる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置の１つの
画素が、いくつかの分割された画素電極によって構成さ
れている場合に、分割された画素電極の間隙に電気絶縁
性の遮光層を設けることにより、明るく、高コントラス
トの液晶表示装置を得ることが出来る。
画素が、いくつかの分割された画素電極によって構成さ
れている場合に、分割された画素電極の間隙に電気絶縁
性の遮光層を設けることにより、明るく、高コントラス
トの液晶表示装置を得ることが出来る。
【図１】本発明による液晶表示装置の実施例を示す図。
【図２】従来の液晶表示装置を示す図。
【図３】従来の液晶表示装置を示す図。
【図４】本発明による液晶表示装置を示す図。
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
図。
図。
【図６】本発明実施例２による液晶表示装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
図。
図。
【図８】本発明実施例４による液晶表示装置及び、その
の製造工程を示す図。
の製造工程を示す図。
１ ＭＩＭ素子の信号配線を兼ねる１方の電極。 ２ ＭＩＭ素子の絶縁膜。 ３ ＭＩＭ素子の他方の絶縁膜。 ４ 画素電極 ５ ＭＩＭ基板 ６ 本発明による液晶表示装置の遮光層。 ７ 対向基板に設けられた遮光層。 ８ 陽極酸化用ライン。 ９ ＭＩＭ素子の絶縁膜に比べて十分抵抗の大きい絶
縁膜。
縁膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の対向する基板の間に液晶が狭持さ
れ、各基板には電極がマトリクス状に形成され、一方の
基板上の各電極はスイッチ素子となる導体（以下ＭＩＭ
素子の電極と呼ぶ）−絶縁体または半導体またはその両
者（以下ＭＩＭ素子の絶縁膜と呼ぶ）−導体（以下ＭＩ
Ｍ素子の電極と呼ぶ）構造の薄膜素子（以下ＭＩＭ素子
と呼ぶ）を介して信号配線に直列に接続され、基板間で
対向する電極に依って情報表示のための画素が規定され
る液晶表示装置において、ＭＩＭ素子を有する基板（以
下ＭＩＭ基板と呼ぶ）においては、複数個の電極と各電
極に接続されるＭＩＭ素子によって一つの画素を形成し
ており且つ、一つの画素を構成する分割された各電極の
間隙には電気絶縁性の遮光層が設けられている事を特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 一つの画素を構成する分割された各画素
電極の間隙に設けられた電気絶縁性の遮光層がＭＩＭ素
子を構成する金属の陽極酸化によって作られている事を
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の電気絶縁性の遮光層がＭ
ＩＭ素子を構成する金属の陽極酸化によって作られてい
る液晶表示装置に於て、ＭＩＭ素子の絶縁層は金属の陽
極酸化に依って得られ且つ、該遮光層は初めＭＩＭ素子
の絶縁層を得るための陽極酸化用ラインに接続されてお
り、陽極酸化により該遮光層に絶縁膜が形成された後、
エッチングにより該遮光層は、該陽極酸化用ラインから
切り離される事を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の液晶表示装置に於て、陽
極酸化後エッチングされる部分の幅がエッチング後残さ
れ遮光層となる部分の幅に比べて細いことを特徴とする
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700292A JPH05273598A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6700292A JPH05273598A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273598A true JPH05273598A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13332299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6700292A Pending JPH05273598A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273598A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034190A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| US6476900B1 (en) | 1997-12-17 | 2002-11-05 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display |
| KR100580387B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100840312B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP6700292A patent/JPH05273598A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034190A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| KR100493491B1 (ko) * | 1996-03-12 | 2005-08-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정표시장치 |
| US6476900B1 (en) | 1997-12-17 | 2002-11-05 | Hyundai Display Technology Inc. | Liquid crystal display |
| KR100580387B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100840312B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
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