JP2003014219A

JP2003014219A - 排ガス中のダイオキシン類の除害方法とその装置

Info

Publication number: JP2003014219A
Application number: JP2001197049A
Authority: JP
Inventors: Kiyobumi Kawai; 清文川井; Susumu Fujimoto; 進藤本
Original assignee: Daiki Aluminium Industry Co Ltd
Current assignee: Daiki Aluminium Industry Co Ltd
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-15

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、通常の操業において今まで具
体化されていなかった排ガス規制を経済的にクリアする
ことができるような方法を開発することにある。【解決手段】ダイオキシン類発生物質(1)を加熱した
時に発生するダイオキシン類含有排ガス(3)を８３０〜
９００℃で０.５〜１.５秒間加熱して排ガス(3)中のダ
イオキシン類を熱分解し、続いて前記ダイオキシン類分
解生成物を含む排ガス(6)を３５０〜６００℃に急冷
し、然る後、急冷排ガス(8)を１.５秒以下で１９０℃以
下に強制冷却することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオキシン類発
生物質、特にアルミニウム二次製錬におけるアルミダラ
イ粉乾燥設備から排出される発生排ガス中のダイオキシ
ン類の除害を効果的に行う方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ごみ問題や環境ホルモンその他化
学物質による環境汚染が深刻化しつつあり、これを受け
て新たに規制措置がとられるようになってきた。環境汚
染物質の中で最も人体にとって危険なもののひとつとし
てダイオキシン類がある。これらダイオキシン類にはダ
イオキシン、フラン及びコプラナＰＣＢの３者を含めて
ダイオキシン類と称している。ダイオキシンには例えば
ＴｅＣＤＤ(テトラクロロジベンゾパラジオキシン)、Ｔ
ｅＣＤＦ(テトラクロロジベンゾフラン)或いはＰｅＣＢ
(ペンタクロロビフェニール)などがあり、その内、２、
３、７、８ＴｅＣＤＤはダイオキシン中最も有害な物質
である。

【０００３】前記ダイオキシン類は廃棄物を焼却した場
合に発生するもので、ごみ焼却炉を始めアルミニウム二
次精錬におけるアルミダライ粉乾燥設備からも発生す
る。ここではアルミニウム二次精錬におけるアルミダラ
イ粉乾燥設備から発生する排ガス中のダイオキシン類を
その代表例として説明する。アルミニウム二次精錬にお
けるアルミダライ粉乾燥設備からの排ガス中には大量の
ダイオキシン類が含まれており、「ダイオキシン類対策
特別措置法」で特定施設に指定され、排ガス基準が決め
られ、これを守ることが義務づけられている。

【０００４】これらダイオキシン類の分析費用は高く、
一件当たりの分析費用は２０万円を越え、前記排ガス基
準を遵守するために多くの条件のテストを大量に行う必
要があり、このことは企業に多大な経済的負担を強いる
だけでなく、規制では、「ガス温度８３０℃以上で、滞
留時間２秒以上を保てる条件下でダイオキシン類を含む
排ガスを処理すること。」及び「この条件を経たガスを
急冷することが望ましい。」となっており、具体性に乏
しく、そのまま実行すると設備が莫大なものとなり、経
済的でなく、企業の存続を左右する設備投資が余儀なく
される可能性がある。換言すれば、前記排ガス規制をわ
ずかな設備投資や検査費用でクリアすることができるよ
うな方法はなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、通常の操業
において前記排ガス規制を経済的にクリアすることがで
きるような方法を開発することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】「請求項１」は本発明の
ダイオキシン除去方法に関し「ダイオキシン類発生物質
(1)を加熱した時に発生するダイオキシン類含有排ガス
(3)を８３０〜９００℃で０.５〜１.５秒間加熱して排
ガス(3)中のダイオキシン類を熱分解し、続いて前記ダ
イオキシン類分解生成物を含む排ガス(6)を３５０〜６
００℃に急冷し、然る後、急冷排ガス(8)を１.５秒以下
で１９０℃以下に強制冷却する」ことを特徴とする。

【０００７】ダイオキシン類発生物質(1)は、８３０〜
９００℃の雰囲気温度で０.５〜１.５秒間加熱する(最
低でも８３０℃の雰囲気温度で０.５秒間加熱する)こと
によって完全に熱分解することができる。このダイオキ
シン類分解成分を含有する排ガス(6)を、特にダイオキ
シン類の再合成領域である３２５℃近辺を強制急冷し短
時間に通過させることで、排ガス(10)中のダイオキシン
類の濃度を基準値以下にすることができるものである。
特に、本発明方法の特徴部分はダイオキシン類の含有排
ガス(3)の２次燃焼温度とその加熱時間および冷却速度
のベストな関係を見いだした処にある。

【０００８】「請求項２」はダイオキシン類発生物質
(1)の材質に関し「ダイオキシン類発生物質が油分含有
アルミダライ粉である」ことを特徴とする。アルミダラ
イ粉はアルミニウムの機械加工によって発生するアルミ
屑などで、切削油にまみれておりある程度塩分も含んで
いる。これを再生アルミニウム用材料として使用する場
合、これら油分や塩分を除去しておく必要がある。その
ために、加熱装置(2)によってダイオキシン類発生物質
(1)のひとつであるアルミダライ粉を加熱乾燥するので
あるが、その際に大量のダイオキシン類を含む排ガスが
発生することになる。

【０００９】「請求項３」は排ガス中に含まれるＣＯ濃
度と排ガス中のダイオキシン類の濃度が相関関係を有す
ることを利用して排ガス中のダイオキシンの濃度を簡易
に測定する方法で「排ガス中に含まれるＣＯ濃度を測定
することによって排ガス中に含まれるダイオキシン類の
濃度を推定する」ことを特徴とするものである。

【００１０】「請求項４」は前述の本発明方法を実施す
るためのダイオキシン除去装置(A)で「ダイオキシン類
発生物質(1)の加熱装置(2)と、加熱装置(2)から排出さ
れたダイオキシン含有排ガス(3)を２次燃焼させて含有
ダイオキシンを熱分解する２次燃焼炉(4)と、２次燃焼
炉(4)の出口部分(5)に設置され、２次燃焼炉(4)から出
た排ガス(6)を３５０〜６００℃に急冷する一次冷却部
(5)と、一次冷却部(5)の出口に設置され、一次冷却され
た排ガス(8)を１.５秒以下の時間で１９０℃以下に急冷
する強制冷却装置(9)とで構成された」ことを特徴とす
る。また、「請求項５」はダイオキシン類発生物質の種
類に関し「ダイオキシン類発生物質(1)が油分含有アル
ミダライ粉である」ことを特徴とする。

【００１１】ここでは、油分含有アルミダライ粉のよう
なダイオキシン類発生物質(1)を加熱する加熱装置(2)か
ら排出された排ガス(3)中の含有ダイオキシンを２次燃
焼炉(4)で完全に分解し、このダイオキシン分解成分を
含有した排ガス(6)を一次冷却部(5)でダイオキシン類再
合成温度以上の３５０〜６００℃まで冷却した後、続く
二次冷却部(9)で１９０℃以下まで急冷してダイオキシ
ンの再合成しやすい３２５℃近辺を短時間で通過させ、
ダイオキシン類の再合成を阻害してダイオキシン類を含
まない排ガスとすることができるものである。

【００１２】「請求項６」は請求項４または５に記載の
ダイオキシン除去装置(A)の改良に関し「２次燃焼炉(4)
が、２次燃焼部(4a)とその出口部分に設けられた熱交換
部(4b)とで構成されていることを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施例に従っ
て詳述する。従来から、(a)ダイオキシン類は化学平衡
論から高温の弱還元性雰囲気中で生成されやすい。(b)
雰囲気温度を高くするとダイオキシン類は分解される。
(c)３２５℃近辺の温度で再合成反応が最も盛んであ
る、(d)排ガス中のダイオキシン濃度とＣＯ濃度とはあ
る種の相関関係を有するということがよく知られてい
る。しかしながら、ダイオキシン類を含む排ガス(3)を
加熱してダイオキシン類を分解するための雰囲気温度と
その雰囲気内での滞留時間、ダイオキシン類を分解した
後のダイオキシン類の再合成を阻害するための冷却速度
(則ち、ダイオキシン類の再合成温度領域の通過時間)に
ついての明確な条件が今まで知られていなかった。本発
明はその雰囲気温度と滞留時間、ダイオキシン類の再合
成温度領域の通過時間に関して最善の関係を見つけ出し
たことにある。

【００１４】図１は加熱装置(2)とダイオキシン除去装
置(A)が設置された排ガス処理設備である。ここではダ
イオキシン類発生物質(1)としてアルミダライ粉をその
代表例とし、加熱装置(2)としてアルミダライ粉乾燥工
程における乾燥キルンをその代表例して説明するが、勿
論、これに限られるものではない。乾燥キルン(2)の両
端にはチャンバ(11)(12)が設けられており、上流側のチ
ャンバ(1)にはアルミダライ粉投入口(13)及び排ガス排
出口(14)とが設けられており、下流側のチャンバ(12)に
は乾燥キルン(2)内の圧力を一定に保つ圧力保持装置(PI
C)、温度計(T)、バーナー(15)と乾燥ダライ粉取り出し
口(16)とが設けられている。乾燥キルン(2)内は、３０
０〜６００℃の高温に保たれ、圧力保持装置(PIC)の働
きで炉内圧力は一定に保たれている。ここで、炉内温度
が３００℃以下の場合、アルミダライ粉(1)に含まれて
いる油分の除去が不十分であり、６００℃以上であると
アルミダライ粉(1)が酸化・溶融して歩留まりを低下さ
せることになる。

【００１５】排ガス排出口(14)にはダクトが接続されて
おり、例えばサイクロンのようなダスト除去装置(17)、
排ガス(3)の二次燃焼炉(4)、二次燃焼炉(4)に併設され
た熱交換部(4b)及び一次冷却部(5)、熱交換方式の排ガ
ス急冷用二次冷却部(9)、集塵機(10)、ブロアー(18)の
順で排ガス処理設備が設置されており、前記ブロアー(1
8)を経て大気放出されるようになっている。乾燥キルン
(2)から排出された排ガス(3)は油ミストや粉塵を多量に
含む他、問題のダイオキシンの多量に含む問題の排ガス
である。排ガス温度は２５０〜６００℃である。

【００１６】前記熱交換部(4b)は２５℃程度の外気を取
り込み、隔壁を介して高温排ガス(3)と熱交換を行い、
外気を３００℃程度の熱風に変え、二次燃焼炉(4)の二
次燃焼部(4a)に設置されたバーナー(4c)にその一部を供
給すると共に残量を二次燃焼部(4a)に送り込み、燃焼部
(4a)における排ガス(3)の燃焼を助ける。前記熱交換部
(4b)の出口側には一次冷却部(5)が設置されており、前
記熱交換部(4b)から出た排ガスはここで外気の混入を受
け３５０〜６００℃程度に冷却される。外気の混入量は
併設されたダンパ(19)にてコントロールされるようにな
っている。前記ダンパ(19)のコントロールは一次冷却部
(5)から排出される排ガス(8)の温度を測定している温度
計(T)によって行われる。なお、前記熱交換部(4b)は必
ず必要なものではなく、一次冷却部(5)で十分な急冷が
行えるのであれば熱交換部(4b)を省略し、二次燃焼部(4
a)から出た排ガスを一次冷却部(5)に直接導入するよう
にしても良い。

【００１７】二次冷却部(9)は非常に重要な部分で、ダ
イオキシン類の再合成温度近辺を短時間で通り抜けるよ
うに急冷しなければならない。二次冷却部(9)の排ガス
(8)の入り口温度は、３５０〜６００℃であり、ここで
通過時間が１.５秒以下(好ましくは１.２秒以下)でその
出口温度が１９０℃以下(好ましくは１５０℃以下)とな
るように急冷される。急冷用の外気は、二次冷却部(9)
に接続された冷却空気供給ダクトに設置されたダンパ(2
0)を制御するようになっている。このダンパ(20)は二次
冷却部(9)の出口の排ガス温度測定している温度計(T)に
よってコントロールされている。

【００１８】集塵機(10)は、二次冷却部(9)から排出さ
れたダイオキシン類を基準値以上含まない排ガス(22)中
の粉塵・塵埃を除去するためのもので、一般的に図示し
ないバグフィルタに排ガスを通過させることで排ガス(2
2)中の粉塵・塵埃を濾過・除去するものである。集塵機
(10)の出口にもダンパ(23)が設置されており、乾燥キル
ン(2)の炉内圧力が一定に保たれるように圧力保持装置
(PIC)からの指令により制御装置(cont)を介して前記集
塵機(10)の出口に設置されたダンパ(22)の開度が制御さ
れるようになっている。

【００１９】次にアルミダライ粉(1)の乾燥手順とその
排ガスの処理手順とを図１に従って説明する。アルミダ
ライ粉(1)は乾燥キルン(2)の上流側のチャンバ(11)のア
ルミダライ粉投入口(13)から投入され、回転している乾
燥キルン(2)中を上流側から下流側に向かってゆっくり
と移動してゆき、この間に含まれている油分等が高温雰
囲気によって燃焼され、油分などを含まない乾燥ダライ
粉(1a)となって下流側チャンバ(12)から排出される。こ
の乾燥ダライ粉(1a)は図示しないアルミニウム溶解炉で
溶解してもダイオキシンを発生しない。

【００２０】一方、上流側チャンバ(11)の排ガス排出口
(14)から排出された排ガス(3)は、前述のように油ミス
ト及び粉塵・塵埃のほか多量のダイオキシン類を含む。
そこでまず、サイクロンのようなダスト除去装置(17)に
よって排ガス(3)中の粉塵・塵埃が除去され、続いて二
次燃焼炉(4)に導入される。二次燃焼炉(4)の二次燃焼部
(4a)の炉内雰囲気は８３０〜９００℃に保たれており、
排ガス(3)中のダイオキシン類は急速に分解する。

【００２１】二次燃焼部(4a)で分解されたダイオキシン
分解生成物を含む排ガス(6)が二次燃焼部(4a)の出口側
に並設された熱交換部(4b)によって７８０℃前後まで急
冷される。続いて、熱交換部(4b)に続いて設置された一
次冷却部(4c)に導入され、冷却空気取り入れによって３
５０〜６００℃まで急冷される。ここで、排ガス温度が
６００℃であると一次冷却部(4c)の構成部材が排ガス
(6)によって腐食され、設備寿命が短くなるという問題
があり、逆に３５０℃以下であれば、二次燃焼部(4a)で
分解されたダイオキシン分解生成物が再合成してダイオ
キシン類を再度生成させてしまうことになる。従って、
この部分では排ガス温度を３５０℃以下にしないことが
重要である。

【００２２】続いて、二次冷却部(9)に導入されこの部
分で一気に１９０℃以下(冷却温度は低いほど好まし
い。)まで急冷される。冷却時間は前述のように１.５秒
以下(好ましくは１.２秒以下)で、３５０〜６００℃か
ら１９０℃以下まで急冷される。これにより、ダイオキ
シン類の再合成温度領域を素早く通過することになるの
で殆ど再合成が起こらず、二次冷却部(9)から排出され
る排ガス(22)中には基準値以下の極く僅かなダイオキシ
ン類しか含まれないことになる。二次冷却部(9)に供給
され、熱交換を行う外気の風量調整は、フロア(21)の出
口に設置された前記ダンパ(20)によって行われる。

【００２３】二次冷却部(9)から出たダイオキシン類を
殆ど含まない排ガス(22)は集塵機(10)に導入され、排ガ
ス(22)中の粉塵・塵埃が効果的に除去され、集塵機(10)
の出口に設置されたブロア(18)によって大気放出される
ようになっている。また、集塵機(10)とブロア(18)との
間にはダンパ(23)が設置されており、圧力保持装置(PI
C)にて乾燥キルン(2)の炉内圧力が一定に保たれるよう
にその開度が制御されるようになっている。

【００２４】なお、この排ガス処理工程において、二次
冷却部(9)から排出される排ガス(22)中のＣＯ濃度が常
時測定されており、ＣＯ濃度によって排ガス(22)中のダ
イオキシン類の濃度が推定される。図２は二次冷却部
(9)の入口におけるダイオキシン類の濃度とＣＯ濃度と
の関係を示すグラフで、非常に良い比例関係にあること
がわかる。また、図３は二次燃焼炉(4)の二次燃焼部(4
a)内におけるＣＯ濃度で、炉内温度が８００℃を超える
と急激にＣＯ濃度の低下、即ちダイオキシン類の濃度の
低下が見られる。

【００２５】「比較例」ダライ粉乾燥キルンの排ガスを
容積５ｍ³の２次燃焼炉に入れ、温度８７５℃に制御し
た。この２次燃焼炉の滞留時間は０.５秒であった。２
次燃焼炉の出口に冷風取り入れ孔を設け、排ガス温度を
５００℃まで冷却した。冷却された排ガスは自然空冷塔
にて１７０℃まで冷却された後、集塵機に導かれる。排
ガスの自然空冷塔の滞留時間は８秒であった。ダイオキ
シン類は温度８７５℃、滞留時間０.５秒で熱分解し、
２次燃焼炉の出口濃度は０.１４ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³ま
で低下したが、自然空冷塔の出口のダイオキシン類の濃
度は４３ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³であり、明らかに再合成
が行われていた。ダイオキシン類の集塵機の出口濃度
は、８.６ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³であった。これは自然空
冷塔での排ガス滞留時間が８秒と長く、空冷塔(9)内で
ダイオキシン類が再合成が行われていたためである。

【００２６】「実施例１＝この場合は遠心分離機を利用
してダライ粉(1)から切削油を予めある程度除去した場
合である。」付着している切削油を遠心分離機である程
度取り除いたダライ粉原料３,０００ｋｇ／時間を(直
径；２,３００ｍｍφ×長さ；１２,０００ｍｍＬ)のダ
ライ粉乾燥キルン(2)に投入し、乾燥温度３００℃にな
るようにコントロールしてダライ粉の乾燥を行った。該
乾燥キルン(2)の排ガスは、チャンバ(11)及びサイクロ
ン(17)を経由して、２次燃焼炉(4)へ供給される。排ガ
スの温度は２次燃焼炉(4)の入口で３００〜３５０℃と
なり、風量９,２００Ｎｍ³／時間、ダイオキシン類を２
６６ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³含有していた。この排ガスを
容積１１ｍ³の２次燃焼炉(4)に入れ、重油炊きバーナー
(4c)を用い、炉内温度８５０℃に制御した。この２次燃
焼炉(4)の滞留時間は１.２秒であった。該２次燃焼炉
(4)の出口に熱交換器(4b)を取り付け熱交換を行った。
熱交換によって冷風は約３００℃まで予熱され、２次燃
焼炉用バーナー(4c)の燃焼用空気として供給した。熱交
換器(4b)の出口部分「即ち、１次冷却部(5)」に冷風取
り入れ孔を設け、排ガス温度を４５０℃まで冷却した。
排ガス温度の制御は冷風取り入れダンパ(19)の開閉より
行った。冷却された排ガスは２次冷却部(9)である強制
空冷塔にて１７０℃まで冷却された後、集塵機(10)に導
かれる。強制空冷塔(9)の滞留時間は１.２秒であった。
このようにダイオキシン類を温度８５０℃、滞留時間
１.２秒で熱分解し、その排ガスを空気導入と強制空冷
を行うことにより集塵機(10)からの排ガス濃度を０.１
３ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³まで低下させることができた。
なお、ダイオキシン類はポリ塩化ジベンゾ−パラジオキ
シン(ＰＣＤＤｓ)、ポリ塩化ジベンゾフラン(ＰＣＤＦ
ｓ)、コプラナ−ポリ塩化ビフェニル(コプラナ−ＰＣ
Ｂ)の各毒性等量の合計値である。

【００２７】「実施例２＝この場合は遠心分離機がなく
切削油を含有するダライ粉(1)をそのまま使用した場合
である。」遠心分離機を使用せず、従って切削油をその
まま含有するダライ粉原料３,０００ｋｇ／時間を(直
径；２,３００ｍｍφ×長さ；１２,０００ｍｍＬ)のダ
ライ粉乾燥キルン(2)に投入し、乾燥温度３００℃にな
るようにコントロールしてダライ粉の乾燥を行った。該
乾燥キルン(2)の排ガスは、チャンバ(11)及びサイクロ
ン(17)を経由して、２次燃焼炉(4)へ供給される。排ガ
スの温度は２次燃焼炉(4)の入口で３００〜３５０℃と
なり、風量９,２００Ｎｍ³／時間、ダイオキシン類を
２,１１０ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³含有していた。この排ガ
スを容積１１ｍ³の２次燃焼炉(4)に入れ、重油炊きバー
ナー(4c)を用い、炉内温度８５０℃に制御した。この２
次燃焼炉(4)の滞留時間は１.２秒であった。該２次燃焼
炉(4)の出口部分「即ち、１次冷却部(5)」に熱交換器(4
b)を取り付け熱交換を行った。熱交換によって冷風は約
３００℃まで予熱され、２次燃焼炉用バーナー(4c)の燃
焼用空気として供給された。熱交換器(4b)の出口に冷風
取り入れ孔を設け、排ガス温度を４５０℃まで冷却し
た。排ガス温度の制御は冷風取り入れダンパ(19)の開閉
より行った。冷却された排ガスは２次冷却部(9)である
強制空冷塔にて１７０℃まで冷却された後、集塵機(10)
に導かれる。強制空冷塔(9)の滞留時間は１.２秒であっ
た。このようにダイオキシン類を温度８５０℃、滞留時
間１.２秒で熱分解し、その排ガスを空気導入と強制空
冷を行うことにより集塵機(10)からの排ガス濃度を０.
１１ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³まで低下させることができ
た。なお、ダイオキシン類はポリ塩化ジベンゾ−パラジ
オキシン(ＰＣＤＤｓ)、ポリ塩化ジベンゾフラン(ＰＣ
ＤＦｓ)、コプラナ−ポリ塩化ビフェニル(コプラナ−Ｐ
ＣＢ)の各毒性等量の合計値である。

【００２８】「実施例３」ダライ粉乾燥キルン(2)の排
ガスを容量５ｍ³の２次燃焼炉(4)に入れ、温度８５０℃
に制御した。この２次燃焼炉の滞留時間は０.５秒であ
った。２次燃焼炉(4)の出口部分「即ち、１次冷却部
(5)」に冷風取り入れ孔を設け、排ガス温度を５００℃
まで冷却した。冷却された排ガスは強制空冷塔(9)にて
１７０℃まで冷却された後、集塵機(10)に導かれる。強
制空冷塔(9)の滞留時間は１.２秒であった。このように
ダイオキシン類を温度８５０℃、滞留時間１.２秒で熱
分解し、その排ガスを空気導入と強制空冷を行うことに
よりダイオキシン類の集塵機の出口濃度を、０.５１ｎ
ｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ³まで低下させることができた。

【００２９】なお、上記システムは乾燥キルン内炉圧を
チャンバ(11)に設置された炉圧保持装置(PIC)で検知
し、その信号により集塵機(10)の出口ダンパ(23)を開閉
し、乾燥時の煙などが大気中に漏れないようにするた
め、乾燥キルン(2)内の炉圧が一定となるようにコント
ロールしている。その他、集塵機(10)の出口ダンパ(23)
を手動電気信号で開閉できる回路も組み込まれている。

【００３０】

【発明の効果】本発明にあっては、ダイオキシン類を含
む排ガスを８３０〜９００℃の雰囲気温度で０.５〜１.
５秒間加熱することによって完全に熱分解し、続く冷却
工程でダイオキシン類分解成分を含有する排ガスを、特
にダイオキシン類の再合成領域である３２５℃近辺を強
制急冷して短時間に通過させることで、ダイオキシン類
の再合成を阻害することが出来、これにより排ガス中の
ダイオキシン類の濃度を基準値以下にすることができる
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置のフローチャート

【図２】本発明装置の２次冷却部の入り口で測定したダ
イオキシン類の濃度とＣＯ濃度との関係を示すグラフ

【図３】本発明装置の２次燃焼部における燃焼温度とＣ
Ｏ濃度との関係を示すグラフ

【符号の説明】

(1)ダイオキシン類発生物質 (2)加熱装置 (3)ダイオキシン類含有排ガス (4)２次燃焼炉 (5)１次冷却部 (6)ダイオキシン類分解生成物を含む２次燃焼排ガス (8)急冷排ガス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G042 AA01 BB04 BD20 CA01 CB01 DA05 GA01 HA02 3K070 DA05 DA35 DA52 DA83 3K078 AA01 BA08 BA26 CA02 CA07 CA22 CA25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイオキシン類発生物質を加熱した時に
発生するダイオキシン類含有排ガスを８３０〜９００℃
で０.５〜１.５秒間加熱して排ガス中のダイオキシン類
を熱分解し、続いて前記ダイオキシン類分解生成物を含
む排ガスを３５０〜６００℃に冷却し、然る後、急冷排
ガスを１.５秒以下で１９０℃以下に強制冷却すること
を特徴とする排ガス中のダイオキシン類の除害方法。
【請求項２】ダイオキシン類発生物質が油分含有アル
ミダライ粉であることを特徴とする請求項１に記載の排
ガス中のダイオキシン類の除害方法。
【請求項３】排ガス中に含まれるＣＯ濃度を測定する
ことによって排ガス中に含まれるダイオキシン類の濃度
を推定すること特徴とする請求項１または２に記載の排
ガス中のダイオキシン類の除害方法。
【請求項４】ダイオキシン類発生物質の加熱装置と、
加熱装置から排出されたダイオキシン含有排ガスを２次
燃焼させて含有ダイオキシンを熱分解する２次燃焼炉
と、２次燃焼炉の出口部分に接続され、２次燃焼炉から
出た排ガスを３５０〜６００℃に急冷する一次冷却部
と、一次冷却部の出口に設置され、一次冷却された排ガ
スを１.５秒以下の時間で１９０℃以下に急冷する強制
冷却装置とで構成されたことを特徴とする排ガス中のダ
イオキシン類の除害装置。
【請求項５】ダイオキシン類発生物質が油分含有アル
ミダライ粉であることを特徴とする請求項４に記載の排
ガス中のダイオキシン類の除害装置。
【請求項６】２次燃焼炉が、２次燃焼部とその出口部
分に設けられた熱交換部とで構成されていることを特徴
とする請求項４又は５に記載の排ガス中のダイオキシン
類の除害装置。