JP2003013209A - スパッタターゲット、スパッタターゲットの製造方法、合金膜の製造方法及びプローブピンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 組成が均一な合金膜を形成する。 【解決手段】 スパッタターゲット１０は、スパッタタ
ーゲットプレート１２と、第１の材料により形成され、
スパッタターゲットプレート１２上に配置された第１ス
パッタ部材１４と、第２の材料により形成され、スパッ
タターゲットプレート１２上の第１スパッタ部材１４が
配置された位置とは異なる位置に配置された第２スパッ
タ部材１６とを有する。スパッタターゲット１０を回転
させるステップと、スパッタターゲット１０を回転させ
ながら、スパッタリングするステップとにより第１の材
料と第２の材料とを含む合金膜を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタターゲッ
ト、スパッタターゲットの製造方法、合金膜の製造方法
及びプローブピンの製造方法に関する。特に本発明は、
スパッタリングにより複数の金属の組成が均一な合金膜
を得るために用いるスパッタターゲット及びそのスパッ
タターゲットの製造方法に関する。また本発明は、複数
の金属の組成が均一な合金膜の製造方法及びプローブピ
ンの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、スパッタリングにより複数の金属
元素を含む合金膜を形成する場合、予めその複数の金属
元素を溶融させて合金化したスパッタ剤を含むスパッタ
ターゲットを用いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、複数の金属元
素を加熱して溶融させた場合、部分的な温度差又は複数
の金属元素の比重差により溶融液体に対流が生じる。そ
のため、溶融液体の温度を下げて固化させたときに複数
の金属元素の組成が不均一になるという問題があった。
そこで、合金中の金属元素の組成を均一にするために、
溶融液体を撹拌しながら溶融させたり、溶融液体を急冷
させたりする方法が用いられる。

【０００４】また、複数の金属を溶融させて混合させる
方法は、融点の差が大きい複数の金属に適用することが
できない。また、複数の金属の相図が複雑な場合、形成
される合金中の金属元素の組成を制御するのが困難だと
いう問題があった。

【０００５】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできるスパッタターゲット、スパッタターゲットの
製造方法、合金膜の製造方法及びプローブピンの製造方
法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の
範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達
成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を
規定する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、スパッタターゲットプレートと、第１の材
料により形成され、スパッタターゲットプレート上に配
置された第１スパッタ部材と、第２の材料により形成さ
れ、スパッタターゲットプレート上の第１スパッタ部材
が配置された位置とは異なる位置に配置された第２スパ
ッタ部材とを備えることを特徴とするスパッタターゲッ
トを提供する。

【０００７】第１スパッタ部材及び第２スパッタ部材
は、スパッタターゲットプレートのほぼ中心を通る線で
接するように配置されるのが好ましい。スパッタターゲ
ットは、複数の第１スパッタ部材及び複数の第２スパッ
タ部材を有してよく、複数の第１スパッタ部材及び複数
の第２スパッタ部材が、スパッタターゲットプレート上
に交互に接するように配置されてよい。

【０００８】第１スパッタ部材及び第２スパッタ部材が
スパッタターゲットプレート上に配置される面積比は、
第１の材料及び第２の材料のスパッタ率に反比例してよ
い。第１の材料及び／又は第２の材料は複数の金属元素
を含む合金であってよい。

【０００９】スパッタターゲットプレートは、第１の材
料及び第２の材料のうち、スパッタ率の高い方の材料に
より形成されてよい。スパッタターゲットプレートは、
第１の材料及び第２の材料のうち、スパッタターゲット
を用いて形成する合金膜における組成比が高い方の材料
により形成されてもよい。

【００１０】本発明の第２の形態によると、第１の材料
により形成された第１スパッタ部材をスパッタターゲッ
トプレート上に配置するステップと、第２の材料により
形成された第２スパッタ部材をスパッタターゲットプレ
ート上の第１スパッタ部材が配置された位置とは異なる
位置に配置するステップとを備えることを特徴とするス
パッタターゲットの製造方法を提供する。

【００１１】第１スパッタ部材を配置するステップ及び
第２スパッタ部材を配置するステップは、形成される合
金膜の所望の組成比に基づいて、第１スパッタ部材及び
第２スパッタ部材がスパッタターゲットプレート上に配
置される面積を定めるステップを有してよい。

【００１２】第１スパッタ部材を配置するステップ及び
第２スパッタ部材を配置するステップは、第１の材料及
び第２の材料のスパッタ率に基づいて、第１スパッタ部
材及び第２スパッタ部材がスパッタターゲットプレート
上に配置される面積を定めるステップを有してもよい。

【００１３】スパッタターゲットの製造方法は、第１の
材料を含む略円形の第１基材を形成するステップと、第
２の材料を含む略円形の第２基材を形成するステップ
と、第１スパッタ部材及び第２スパッタ部材がスパッタ
ターゲットプレート上に配置される面積に基づいて、第
１基板及び第２基板から第１スパッタ部材及び第２スパ
ッタ部材を切り出すステップとをさらに備えてもよい。

【００１４】第１スパッタ部材を配置するステップ及び
第２スパッタ部材を配置するステップは、第１スパッタ
部材及び第２スパッタ部材をスパッタターゲットプレー
トに貼り付けるステップをさらに有してもよい。

【００１５】スパッタターゲットの製造方法は、スパッ
タターゲットプレート上に配置した第１スパッタ部材と
第２スパッタ部材とを焼結するステップをさらに備えて
もよい。

【００１６】本発明の第３の形態によると、第１の材料
と第２の材料とを含む合金膜を製造する方法であって、
第１の材料により形成された第１スパッタ部材と第２の
材料により形成された第２スパッタ部材とをスパッタタ
ーゲットプレート上のそれぞれ異なる位置に配置したス
パッタターゲットを回転させるステップと、スパッタタ
ーゲットを回転させながら、スパッタリングするステッ
プとを備えることを特徴とする合金膜の製造方法を提供
する。

【００１７】本発明の第４の形態によると、第１の材料
と第２の材料とを含む合金膜により形成されるプローブ
ピンを製造する方法であって、第１の材料により形成さ
れた第１スパッタ部材と第２の材料により形成された第
２スパッタ部材とをスパッタターゲットプレート上のそ
れぞれ異なる位置に配置したスパッタターゲットを用い
てウェハ基板に所定の形状を有する合金膜をスパッタリ
ングするステップと、合金膜と接しているウェハ基板の
少なくとも一部を除去するステップとを備えることを特
徴とするプローブピンの製造方法を提供する。なお上記
の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙した
ものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーション
も又発明となりうる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。

【００１９】図１は、本発明の一実施形態に係るスパッ
タターゲットを示す側面図である。スパッタターゲット
１０は、スパッタターゲットプレート１２と、スパッタ
ターゲットプレート１２上に配置された第１の材料によ
り形成された第１スパッタ部材１４と、スパッタターゲ
ットプレート１２上の第１スパッタ部材１４が配置され
た位置とは異なる位置に配置された第２の材料を含む第
２スパッタ部材１６とを有する。本実施形態のスパッタ
ターゲット１０は、例えばスパッタリングにより第１の
材料及び第２の材料を含む合金膜を形成するのに用いら
れるのが好ましい。第１スパッタ部材１４及び第２スパ
ッタ部材１６は、接着剤１８によりスパッタターゲット
プレート１２に接着されるのが好ましい。また、第１の
材料及び第２の材料は金属元素であってよい。第１の材
料及び第２の材料は融点の差が大きい材料であるのが好
ましい。さらに、第１の材料及び第２の材料は相図が複
雑な材料であってもよい。また、第１の材料及び／又は
第２の材料は、複数の金属元素を含む合金であってもよ
い。接着剤１８は、形成される合金膜に影響を与えない
材料であるのが好ましい。接着剤１８は、例えばカーボ
ンペースト等であってよい。

【００２０】スパッタターゲットプレート１２は、スパ
ッタされにくい材料により形成されるのが好ましい。ま
た、スパッタターゲットプレート１２は、第１の材料又
は第２の材料により形成されてもよい。この場合、第１
の材料及び第２の材料のうち、スパッタ率の高い方の材
料により形成されるのが好ましい。スパッタターゲット
プレート１２をスパッタ率の高い方の材料により形成す
ることにより、スパッタ率の高い方の材料により形成さ
れたスパッタ部材がスパッタ率の低い方の材料により形
成されたスパッタ部材よりも早く使い果たされても、ス
パッタターゲットプレート１２がスパッタ部材の役割を
果たすので、形成する合金膜の組成比を一定に保つこと
ができる。

【００２１】 他の例において、スパッタターゲットプレ
ート１２は、第１の材料及び第２の材料のうち、スパッ
タターゲット１０を用いて形成する合金膜における組成
比が高い方の材料により形成されてもよい。スパッタタ
ーゲットプレート１２を、目的とする合金膜における組
成比の高い方の材料により形成するので、スパッタター
ゲットプレート１２に含まれる材料がスパッタされて
も、組成比に大きな影響を与えることなく目的とする合
金膜を形成することができる。さらに、他の例におい
て、第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ部材１６の
うち、スパッタターゲットプレート１２上における面積
の大きい方のスパッタ部材に含まれる第１の材料又は第
２の材料により形成されてもよい。また、スパッタター
ゲットプレート１２をスパッタされにくい材料又は第１
の材料及び第２の材料により形成することにより、不純
物の混入を低減させることができる。

【００２２】図２は、図１に示したスパッタターゲット
１０の上面図である。第１スパッタ部材１４及び第２ス
パッタ部材１６は、スパッタターゲットプレート１２の
ほぼ中心を通る線で接するように配置されるのが好まし
い。スパッタターゲット１０は、複数の第１スパッタ部
材１４及び複数の第２スパッタ部材１６を有するのが好
ましい。この場合、複数の第１スパッタ部材１４及び複
数の第２スパッタ部材１６は、スパッタターゲットプレ
ート１２上に交互に接するように配置されるのが好まし
い。第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ部材１６
は、扇形状に形成されるのが好ましい。また、複数の第
１スパッタ部材１４及び複数の第２スパッタ部材１６
は、スパッタターゲットプレート１２上に放射状に配置
されるのが好ましい。本実施形態において、スパッタタ
ーゲット１０は、第１スパッタ部材１４及び第２スパッ
タ部材１６をそれぞれ２つずつ含む。

【００２３】本実施形態において、第１スパッタ部材１
４及び第２スパッタ部材１６がスパッタターゲットプレ
ート１２のほぼ中心を通る線で接するように放射状に配
置されるので、スパッタする過程において、スパッタタ
ーゲット１０の中心からの距離に応じてスパッタ部材が
スパッタされる量が異なっても形成する合金膜の組成を
一定にすることができる。

【００２４】第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ部
材１６がスパッタターゲットプレート１２上に配置され
る面積は、第１の材料及び第２の材料のスパッタ率に反
比例するのが好ましい。また、第１スパッタ部材１４及
び第２スパッタ部材１６がスパッタターゲットプレート
１２上に配置される面積は、スパッタターゲット１０を
用いて形成する合金膜における第１の材料及び第２の材
料の所望の組成比に比例するのが好ましい。

【００２５】例えば、スパッタターゲット１０を用い
て、第１の材料及び第２の材料により形成される合金膜
を形成する場合を例として説明する。目的とする合金膜
における第１の材料及び第２の材料の組成比がａ：ｂ、
第１の材料及び第２の材料のスパッタ率がそれぞれα、
βとすると、スパッタターゲットプレート１２上におけ
る第１スパッタ部材１４の面積及び第２スパッタ部材１
６の面積比は以下の式に示すようにｘ：ｙとなる。

【数１】

【００２６】次に、スパッタターゲット１０を用いて、
第１の材料としてＴｉ（チタン）元素、第２の材料とし
てＮｉ（ニッケル）元素を含み、組成比がＴｉ：Ｎｉ＝
５０：５０の合金膜を形成する場合を例として説明す
る。ここで、第１の材料であるＴｉ元素のスパッタ率は
１ｋｅＶのＡｒ＋に対して１．２ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、
第２の材料であるＮｉ元素のスパッタ率は１ｋｅＶのＡ
ｒ＋に対して２．２ａｔｏｍｓ／ｉｏｎである。上述し
た式（１）に従うと、スパッタターゲットプレート１２
上における第１の材料であるＴｉ元素を含む第１スパッ
タ部材１４及び第２の材料であるＮｉ元素を含む第２ス
パッタ部材１６の面積比は６４．７：３５．３となる。
第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ部材１６は、こ
のようにして算出された面積比に基づいて、それぞれ扇
形状を有するように形成される。

【００２７】図３は、図２に示したスパッタターゲット
１０の他の例を示す上面図である。図３（ａ）及び図３
（ｂ）に示すように、第１スパッタ部材１４及び第２ス
パッタ部材１６は、スパッタターゲットプレート１２の
ほぼ中心を通る曲線で接するように配置されてもよい。
また、図３（ｂ）に示すように、第１スパッタ部材１４
及び第２スパッタ部材１６は、スパッタターゲットプレ
ート１２のほぼ中心からの距離に沿って、異なる面積比
を有するように配置されてもよい。第１スパッタ部材１
４及び第２スパッタ部材１６は、形成される合金膜にお
ける位置的な組成の変化に対応するように、調整してス
パッタターゲットプレート１２上に配置されるのが好ま
しい。このようにすると、全体にわたって均一な組成を
有する合金膜を形成することができる。

【００２８】図４は、図２に示したスパッタターゲット
１０のさらに他の例を示す上面図である。本実施例にお
いて、スパッタターゲット１０は、第１の材料により形
成された第１スパッタ部材１４、第２の材料により形成
された第２スパッタ部材１６及び第３の材料により形成
された第３スパッタ部材４０を有する。目的とする合金
膜における第１の材料、第２の材料、第３の材料の組成
比がａ：ｂ：ｃ、第１の材料、第２の材料及び第３の材
料のスパッタ率がそれぞれα、β、γとすると、スパッ
タターゲットプレート１２上における第１スパッタ部材
１４の面積、第２スパッタ部材１６及び第３スパッタ部
材４０の面積比は以下の式に示すようにｘ：ｙ：ｚとな
る。

【数２】

【００２９】次に、第１の材料としてＰｄ（パラジウ
ム）元素、第２の材料としてＣｕ（銅）元素、第３の材
料としてＳｉ（ケイ素）元素含み、組成比がＰｄ：Ｃ
ｕ：Ｓｉ＝７６：６：１８の合金膜を形成する場合を例
として説明する。ここで、第１の材料であるＰｄ元素、
第２の材料であるＣｕ元素、第３の材料であるＳｉ元素
のスパッタ率は、１ｋｅＶのＡｒ＋に対してそれぞれ
１．６ａｔｏｍｓ／ｉｏｎ、２．４ａｔｏｍｓ／ｉｏ
ｎ、０．９８ａｔｏｍｓ／ｉｏｎである。上述した式
（２）に従うと、スパッタターゲットプレート１２上に
おける第１の材料であるＰｄ元素を含む第１スパッタ部
材１４、第２の材料であるＣｕ元素を含む第２スパッタ
部材１６及び第３の材料であるＳｉ元素を含む第３スパ
ッタ部材４０の面積比は、６９．５：３．７：２６．８
となる。第１スパッタ部材１４、第２スパッタ部材１６
及び第３スパッタ部材４０は、このようにして算出され
た面積比に基づいて、それぞれ扇形状を有するように形
成される。図５は、図１及び図２に示したスパッタター
ゲット１０を製造する工程を示す図である。

【００３０】まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、第１の材料を含む略円形の第１基材２０及び第２
の材料を含む略円形の第２基材２２を形成する。そし
て、スパッタターゲット１０を用いて形成される合金膜
の所望の組成比及び／又は第１の材料及び第２の材料の
スパッタ率に基づいて、第１スパッタ部材１４及び第２
スパッタ部材１６がスパッタターゲットプレート１２上
に配置される面積を定める。第１スパッタ部材１４及び
第２スパッタ部材１６がスパッタターゲットプレート１
２上に配置される面積に基づいて、第１基板２０及び第
２基板２２から第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ
部材１６を切り出す。

【００３１】そして、図５（ｃ）に示すように、スパッ
タターゲットプレート１２上に第１の材料を含む第１ス
パッタ部材１４を配置する。続いて、図５（ｄ）に示す
ように、スパッタターゲットプレート１２上の第１スパ
ッタ部材１４が配置された位置とは異なる位置に第２の
材料を含む第２スパッタ部材１６を配置する。同様に、
第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ部材１６をスパ
ッタターゲットプレート１２上に放射状に配置する。そ
の後、第１スパッタ部材１４及び第２スパッタ部材１６
をスパッタターゲットプレート１２に貼り付ける。さら
に、スパッタターゲットプレート１２上に配置した第１
スパッタ部材１４と第２スパッタ部材１６とを焼結す
る。本実施形態において、第１スパッタ部材１４と第２
スパッタ部材１６とを焼結させるので、第１スパッタ部
材１４と第２スパッタ部材１６との間の隙間を埋めるこ
とができる。また、他の例において、第１スパッタ部材
１４と第２スパッタ部材１６との間の隙間をカーボンペ
ースト等のスパッタされにくい材料により埋めてもよ
い。

【００３２】また、スパッタターゲット１０をスパッタ
する過程において、複数のスパッタ部材のうち、一のス
パッタ部材が先に使い果たされた場合又は消尽が早い場
合、そのスパッタ部材のみを独立に交換してもよい。こ
の場合も、新しいスパッタ部材をスパッタターゲットプ
レート１２に貼り付けた後にスパッタ部材を焼結させて
他のスパッタ部材との隙間を埋めるのが好ましい。さら
に、この場合も、複数のスパッタ部材の間の隙間をカー
ボンペースト等の材料で埋めてもよい。

【００３３】図６は、スパッタターゲット１０を用いて
プローブピンを製造する工程を示す図である。まず、図
６（ａ）に示すように、ウェハ基板３０を準備する。ウ
ェハ基板３０はシリコン基板であってよい。

【００３４】続いて、図６（ｂ）に示すように、スパッ
タターゲット１０を用いたスパッタリングにより、ウェ
ハ基板３０に所定の形状を有する合金膜３２を形成す
る。このとき、スパッタターゲット１０を回転させなが
らスパッタリングするのが好ましい。また、スパッタリ
ングする際に、ウェハ基板３０を所定の温度に加熱する
のが好ましい。合金膜３２は、例えばウェハ基板３０に
レジスト等の犠牲層を形成し、リフトオフにより所定の
形状に形成するのが好ましい。また他の例において、合
金膜３２は、ウェハ基板３０の一面に合金膜を形成した
後に、エッチングにより余分な部分の合金膜を除去して
所定の形状に形成してもよい。本実施形態における合金
膜３２は、Ｐｄ（パラジウム）−Ｃｏ（コバルト）合金
であってよい。

【００３５】本実施形態において、スパッタターゲット
１０を回転させながら合金膜３２を形成するので、合金
膜３２の組成を一定にすることができる。また、本実施
形態において、スパッタリングにより合金膜３２を形成
するので、融点の異なる複数の材料を含む合金膜を形成
することができる。さらに、相図の複雑な複数の材料で
あっても、スパッタターゲットプレート１２上における
スパッタ部材の面積を制御することにより、所望の組成
比を有する合金膜を形成することができる。

【００３６】その後、図６（ｃ）に示すように、合金膜
３２と接しているウェハ基板３０の少なくとも一部を除
去してプローブピンを形成する。ウェハ基板３０はエッ
チングにより除去するのが好ましい。他の例において、
例えば合金膜３２のウェハ基板３０に接する面と反対側
の面において、保持基板を接着させてもよい。この場
合、合金膜３２に保持基板を接着させた後にウェハ基板
３０を除去することにより保持基板に保持されるプロー
ブピンを形成してもよい。

【００３７】以上、本発明を実施形態を用いて説明した
が、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に
は限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改
良を加えることができる。そのような変更または改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。

【００３８】

【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば合金膜の組成を一定にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るスパッタターゲット
を示す側面図である。

【図２】図１に示したスパッタターゲットの上面図であ
る。

【図３】図２に示したスパッタターゲットの他の例を示
す上面図である。

【図４】図２に示したスパッタターゲットの他の例を示
す上面図である。

【図５】図１及び図２に示したスパッタターゲット１０
を製造する工程を示す図である。

【図６】スパッタターゲットを用いてプローブピンを製
造する工程を示す図である。

【符号の説明】

１０・・スパッタターゲット、１２・・スパッタターゲ
ットプレート、１４・・第１スパッタ部材、１６・・第
２スパッタ部材、１８・・スパッタターゲットプレー
ト、２０・・第１基板、２２・・第２基板、３０・・ウ
ェハ基板、３２・・合金膜、４０・・第３スパッタ部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本山 慎一 東京都練馬区旭町１丁目32番１号株式会社 アドバンテスト内 Ｆターム(参考） 4K029 BA21 BD00 CA05 DC09 DC15 DC21

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパッタターゲットプレートと、 第１の材料により形成され、前記スパッタターゲットプ
   レート上に配置された第１スパッタ部材と、 第２の材料により形成され、前記スパッタターゲットプ
   レート上の前記第１スパッタ部材が配置された位置とは
   異なる位置に配置された第２スパッタ部材とを備えるこ
   とを特徴とするスパッタターゲット。
2. 【請求項２】 前記第１スパッタ部材及び前記第２スパ
   ッタ部材は、前記スパッタターゲットプレートのほぼ中
   心を通る線で接するように配置されたことを特徴とする
   請求項１に記載のスパッタターゲット。
3. 【請求項３】 複数の前記第１スパッタ部材及び複数の
   前記第２スパッタ部材を有し、前記複数の第１スパッタ
   部材及び前記複数の第２スパッタ部材が、前記スパッタ
   ターゲットプレート上に交互に接するように配置された
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタター
   ゲット。
4. 【請求項４】 前記第１スパッタ部材及び前記第２スパ
   ッタ部材が前記スパッタターゲットプレート上に配置さ
   れる面積比が、前記第１の材料及び前記第２の材料のス
   パッタ率に反比例することを特徴とする請求項１に記載
   のスパッタターゲット。
5. 【請求項５】 前記第１の材料及び／又は前記第２の材
   料が複数の金属元素を含む合金であることを特徴とする
   請求項１に記載のスパッタターゲット。
6. 【請求項６】 前記スパッタターゲットプレートは、前
   記第１の材料及び前記第２の材料のうち、スパッタ率の
   高い方の材料により形成されることを特徴とする請求項
   １に記載のスパッタターゲット。
7. 【請求項７】 前記スパッタターゲットプレートは、前
   記第１の材料及び前記第２の材料のうち、前記スパッタ
   ターゲットを用いて形成する合金膜における組成比が高
   い方の材料により形成されることを特徴とする請求項１
   に記載のスパッタターゲット。
8. 【請求項８】 第１の材料により形成された第１スパッ
   タ部材をスパッタターゲットプレート上に配置するステ
   ップと、 第２の材料により形成された第２スパッタ部材を前記ス
   パッタターゲットプレート上の前記第１スパッタ部材が
   配置された位置とは異なる位置に配置するステップとを
   備えることを特徴とするスパッタターゲットの製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記第１スパッタ部材を配置するステッ
   プ及び前記第２スパッタ部材を配置するステップは、形
   成される前記合金膜の所望の組成比に基づいて、前記第
   １スパッタ部材及び前記第２スパッタ部材が前記スパッ
   タターゲットプレート上に配置される面積を定めるステ
   ップを有することを特徴とする請求項８に記載のスパッ
   タターゲットの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第１スパッタ部材を配置するステ
    ップ及び前記第２スパッタ部材を配置するステップは、
    前記第１の材料及び前記第２の材料のスパッタ率に基づ
    いて、前記第１スパッタ部材及び前記第２スパッタ部材
    が前記スパッタターゲットプレート上に配置される面積
    を定めるステップを有することを特徴とする請求項８又
    は９に記載のスパッタターゲットの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第１の材料を含む略円形の第１基
    材を形成するステップと、 前記第２の材料を含む略円形の第２基材を形成するステ
    ップと、 前記第１スパッタ部材及び前記第２スパッタ部材が前記
    スパッタターゲットプレート上に配置される面積に基づ
    いて、前記第１基板及び前記第２基板から前記第１スパ
    ッタ部材及び前記第２スパッタ部材を切り出すステップ
    とをさらに備えることを特徴とする請求項９又は１０に
    記載のスパッタターゲットの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第１スパッタ部材を配置するステ
    ップ及び前記第２スパッタ部材を配置するステップは、
    前記第１スパッタ部材及び前記第２スパッタ部材を前記
    スパッタターゲットプレートに貼り付けるステップをさ
    らに有することを特徴とする請求項８に記載のスパッタ
    ターゲットの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記スパッタターゲットプレート上に
    配置した前記第１スパッタ部材と前記第２スパッタ部材
    とを焼結するステップをさらに備えることを特徴とする
    請求項８に記載のスパッタターゲットの製造方法。
14. 【請求項１４】 第１の材料と第２の材料とを含む合金
    膜を製造する方法であって、 前記第１の材料により形成された第１スパッタ部材と前
    記第２の材料により形成された第２スパッタ部材とをス
    パッタターゲットプレート上のそれぞれ異なる位置に配
    置したスパッタターゲットを回転させるステップと、 前記スパッタターゲットを回転させながら、スパッタリ
    ングするステップとを備えることを特徴とする合金膜の
    製造方法。
15. 【請求項１５】 第１の材料と第２の材料とを含む合金
    膜により形成されるプローブピンを製造する方法であっ
    て、 前記第１の材料により形成された第１スパッタ部材と前
    記第２の材料により形成された第２スパッタ部材とをス
    パッタターゲットプレート上のそれぞれ異なる位置に配
    置したスパッタターゲットを用いてウェハ基板に所定の
    形状を有する合金膜をスパッタリングするステップと、 前記合金膜と接している前記ウェハ基板の少なくとも一
    部を除去するステップとを備えることを特徴とするプロ
    ーブピンの製造方法。