JP2003008398A - フィルタ回路 - Google Patents
フィルタ回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｇｍＣフィルタを多段縦続接続したフィルタ
回路では、トランジスタの寄生容量により、ｇｍＣフィ
ルタ間の容量値の比に大きな設計誤差が生じるため、所
望の周波数特性が得られないが、これを解消し、所望の
周波数特性を得る。 【解決手段】 ２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣ
フィルタで、フィルタ回路を構成する。各段のｇｍＣフ
ィルタは、入力信号が各ベースに加えられるＮＰＮバイ
ポーラトランジスタ１０４，１０５からなる入力差動対
と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１０４，１０５のコ
レクタにドレインが各々接続されたＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１０２，１０３と、ＮＰＮバイポーラトラン
ジスタ１０４のコレクタに接続されたコンデンサ１０７
とを有する。そして、各段のｇｍＣフィルタのＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１０２の各々のサイズ比が、各段
のｇｍＣフィルタのコンデンサ１０７の各々の容量比と
略等しく設定されている。
回路では、トランジスタの寄生容量により、ｇｍＣフィ
ルタ間の容量値の比に大きな設計誤差が生じるため、所
望の周波数特性が得られないが、これを解消し、所望の
周波数特性を得る。 【解決手段】 ２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣ
フィルタで、フィルタ回路を構成する。各段のｇｍＣフ
ィルタは、入力信号が各ベースに加えられるＮＰＮバイ
ポーラトランジスタ１０４，１０５からなる入力差動対
と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１０４，１０５のコ
レクタにドレインが各々接続されたＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１０２，１０３と、ＮＰＮバイポーラトラン
ジスタ１０４のコレクタに接続されたコンデンサ１０７
とを有する。そして、各段のｇｍＣフィルタのＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１０２の各々のサイズ比が、各段
のｇｍＣフィルタのコンデンサ１０７の各々の容量比と
略等しく設定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｇｍアンプと容量
とからなるｇｍＣフィルタを２以上の多段に縦続接続し
た構造を有するフィルタ回路に関するものである。
とからなるｇｍＣフィルタを２以上の多段に縦続接続し
た構造を有するフィルタ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクの信号処理は、光ディ
スク装置の高速化に伴い、カットオフ周波数を広帯域に
可変することができ、群遅延特性がフラットである特性
のフィルタ回路が求められているとともに、半導体の高
集積化、フィルタ回路の高精度化も同様に求められてい
る。
スク装置の高速化に伴い、カットオフ周波数を広帯域に
可変することができ、群遅延特性がフラットである特性
のフィルタ回路が求められているとともに、半導体の高
集積化、フィルタ回路の高精度化も同様に求められてい
る。
【０００３】以下に、光ディスクの信号処理用のフィル
タ回路について説明する。
タ回路について説明する。
【０００４】従来のフィルタ回路に用いられている、ｇ
ｍＣフィルタは、例えば図６に示すような回路構成とな
っている。図６において、６０１，６０２，６０３はそ
れぞれＰＮＰバイポーラトランジスタであり、電流ミラ
ー回路を構成している。６０４，６０５はそれぞれＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタであり、ＮＰＮバイポーラト
ランジスタ６０４，６０５で比較器（入力差動対）を構
成している。６０７はｇｍＣフィルタの周波数特性を決
めるコンデンサである。６０８，６０９はそれぞれ電流
源である。
ｍＣフィルタは、例えば図６に示すような回路構成とな
っている。図６において、６０１，６０２，６０３はそ
れぞれＰＮＰバイポーラトランジスタであり、電流ミラ
ー回路を構成している。６０４，６０５はそれぞれＮＰ
Ｎバイポーラトランジスタであり、ＮＰＮバイポーラト
ランジスタ６０４，６０５で比較器（入力差動対）を構
成している。６０７はｇｍＣフィルタの周波数特性を決
めるコンデンサである。６０８，６０９はそれぞれ電流
源である。
【０００５】コンデンサ６０７の容量値によって決ま
る、従来のｇｍＣフィルタの周波数特性は、（数１）の
ように表される。
る、従来のｇｍＣフィルタの周波数特性は、（数１）の
ように表される。
【０００６】
【数１】ｆ＝１／（２πＲCＣ） （Ｈｚ）
ここで、ｆはカットオフ周波数（Ｈｚ）、ＲC （Ω）は
ＰＮＰバイポーラトランジスタ６０２のエミッタ抵抗、
Ｃ（μＦ）はコンデンサ６０７の容量値である。
ＰＮＰバイポーラトランジスタ６０２のエミッタ抵抗、
Ｃ（μＦ）はコンデンサ６０７の容量値である。
【０００７】図２は従来のフィルタ回路の一例を示すブ
ロック図である。図２において、２０１，２０２は、例
えば図６に示した回路構成を有するｇｍＣフィルタであ
る。図２のフィルタ回路の周波数特性を図７に示す。縦
軸が利得、横軸が周波数である。なお、図７の特性は図
２の２段のｇｍＣフィルタの合成特性である。
ロック図である。図２において、２０１，２０２は、例
えば図６に示した回路構成を有するｇｍＣフィルタであ
る。図２のフィルタ回路の周波数特性を図７に示す。縦
軸が利得、横軸が周波数である。なお、図７の特性は図
２の２段のｇｍＣフィルタの合成特性である。
【０００８】つぎに、図２に示したものと同様の周波数
特性をもつｇｍＣフィルタを図８のように接続したフィ
ルタ回路の場合について説明する。図９は、図８におけ
るｇｍＣフィルタ８０１とｇｍＣフィルタ８０２とで構
成されるフィルタ８１０の周波数特性、ｇｍＣフィルタ
８０３とｇｍＣフィルタ８０４とで構成されるフィルタ
８１１の周波数特性、およびｇｍＣフィルタ８０５のみ
のフィルタ８１２の周波数特性のそれぞれの一例を示し
ている。この３つのフィルタ８１０，８１１，８１２を
図８のように接続することで、図８のフィルタ回路は図
１０のようにゲインの傾きが大きくなり、高周波成分を
大きく落とすことができる。
特性をもつｇｍＣフィルタを図８のように接続したフィ
ルタ回路の場合について説明する。図９は、図８におけ
るｇｍＣフィルタ８０１とｇｍＣフィルタ８０２とで構
成されるフィルタ８１０の周波数特性、ｇｍＣフィルタ
８０３とｇｍＣフィルタ８０４とで構成されるフィルタ
８１１の周波数特性、およびｇｍＣフィルタ８０５のみ
のフィルタ８１２の周波数特性のそれぞれの一例を示し
ている。この３つのフィルタ８１０，８１１，８１２を
図８のように接続することで、図８のフィルタ回路は図
１０のようにゲインの傾きが大きくなり、高周波成分を
大きく落とすことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の回路構成では、プロセスの微細化と、トランジスタ
が高周波に対応するためには、物理的にＰＮＰバイポー
ラトランジスタの面積がＰチャネルＭＯＳトランジスタ
の面積よりも大きくなってしまう。したがって、ＰＮＰ
バイポーラトランジスタの代わりにＰチャネルＭＯＳト
ランジスタを用いるとよい。
来の回路構成では、プロセスの微細化と、トランジスタ
が高周波に対応するためには、物理的にＰＮＰバイポー
ラトランジスタの面積がＰチャネルＭＯＳトランジスタ
の面積よりも大きくなってしまう。したがって、ＰＮＰ
バイポーラトランジスタの代わりにＰチャネルＭＯＳト
ランジスタを用いるとよい。
【００１０】しかし、バイポーラトランジスタに比較し
てＭＯＳトランジスタの寄生容量は遥かに大きい欠点が
ある。主に遮断周波数が高いこと、それに加えて群遅延
特性が遮断周波数まで（理想は周波数の２倍以上）フラ
ットであることが求められると、(数１)より、ｇｍＣフ
ィルタ内のコンデンサの容量値は小さくしなければなら
ない。ところが、バイポーラトランジスタに比較して、
ＭＯＳトランジスタは寄生容量が大きいので、周波数特
性を決める容量値に影響を与え、設計目標の周波数特性
が得られなくなる。
てＭＯＳトランジスタの寄生容量は遥かに大きい欠点が
ある。主に遮断周波数が高いこと、それに加えて群遅延
特性が遮断周波数まで（理想は周波数の２倍以上）フラ
ットであることが求められると、(数１)より、ｇｍＣフ
ィルタ内のコンデンサの容量値は小さくしなければなら
ない。ところが、バイポーラトランジスタに比較して、
ＭＯＳトランジスタは寄生容量が大きいので、周波数特
性を決める容量値に影響を与え、設計目標の周波数特性
が得られなくなる。
【００１１】図１１は、図８におけるｇｍＣフィルタ８
０１とｇｍＣフィルタ８０２とで構成されるフィルタ８
１０において、容量値が設計値からずれた場合の周波数
特性、ｇｍＣフィルタ８０３とｇｍＣフィルタ８０４と
で構成されるフィルタ８１１の周波数特性、およびｇｍ
Ｃフィルタ８０５のみのフィルタ８１２の周波数特性の
それぞれの一例を示している。点線はｇｍＣフィルタ８
０１とｇｍＣフィルタ８０２とで構成されるフィルタ８
１０において容量値が設計値どおりの場合の周波数特性
の一例を示している。
０１とｇｍＣフィルタ８０２とで構成されるフィルタ８
１０において、容量値が設計値からずれた場合の周波数
特性、ｇｍＣフィルタ８０３とｇｍＣフィルタ８０４と
で構成されるフィルタ８１１の周波数特性、およびｇｍ
Ｃフィルタ８０５のみのフィルタ８１２の周波数特性の
それぞれの一例を示している。点線はｇｍＣフィルタ８
０１とｇｍＣフィルタ８０２とで構成されるフィルタ８
１０において容量値が設計値どおりの場合の周波数特性
の一例を示している。
【００１２】この場合、図８のフィルタ回路の周波数特
性は図１２のようになる。ｇｍＣフィルタ８０１とｇｍ
Ｃフィルタ８０２とで構成されるフィルタ８１０の容量
値に誤差があるため、ｇｍＣフィルタ８０３とｇｍＣフ
ィルタ８０４とで構成されるフィルタ８１１および、ｇ
ｍＣフィルタ８０５で構成されるフィルタ８１２との容
量値の比が崩れ、カットオフ周波数近辺でリンギングが
発生し不安定となっている。
性は図１２のようになる。ｇｍＣフィルタ８０１とｇｍ
Ｃフィルタ８０２とで構成されるフィルタ８１０の容量
値に誤差があるため、ｇｍＣフィルタ８０３とｇｍＣフ
ィルタ８０４とで構成されるフィルタ８１１および、ｇ
ｍＣフィルタ８０５で構成されるフィルタ８１２との容
量値の比が崩れ、カットオフ周波数近辺でリンギングが
発生し不安定となっている。
【００１３】ここで、ｇｍＣフィルタ８０１，８０２で
構成されるフィルタ８１０の容量値の誤差について説明
する。
構成されるフィルタ８１０の容量値の誤差について説明
する。
【００１４】図２のようにｇｍＣフィルタを２段に縦続
接続するフィルタ回路の場合、前段のｇｍＣフィルタ２
０１と後段のｇｍＣフィルタ２０２との容量値比率を精
度良くしなければならないが、ｇｍＣフィルタに用いる
ＭＯＳトランジスタの寄生容量の影響で精度が悪くな
る。ｇｍＣフィルタ２０１，２０２として、図１のｇｍ
Ｃフィルタを用いた場合、各ｇｍＣフィルタ２０１，２
０２の容量値Ｃ201，Ｃ2 02の比率は（数２）で表され
る。なお、図１において、１０１，１０２，１０３はＰ
チャネルＭＯＳトランジスタ、１０４，１０５，１０６
はＮＰＮバイポーラトランジスタ、１０７はコンデン
サ、１０８，１０９，１１０はそれぞれ電流源である。
具体的な構成については後述する。
接続するフィルタ回路の場合、前段のｇｍＣフィルタ２
０１と後段のｇｍＣフィルタ２０２との容量値比率を精
度良くしなければならないが、ｇｍＣフィルタに用いる
ＭＯＳトランジスタの寄生容量の影響で精度が悪くな
る。ｇｍＣフィルタ２０１，２０２として、図１のｇｍ
Ｃフィルタを用いた場合、各ｇｍＣフィルタ２０１，２
０２の容量値Ｃ201，Ｃ2 02の比率は（数２）で表され
る。なお、図１において、１０１，１０２，１０３はＰ
チャネルＭＯＳトランジスタ、１０４，１０５，１０６
はＮＰＮバイポーラトランジスタ、１０７はコンデン
サ、１０８，１０９，１１０はそれぞれ電流源である。
具体的な構成については後述する。
【００１５】
【数２】Ｃ201：Ｃ202＝Ｃ1＋ＣDS1＋ＣCSub1：Ｃ2＋Ｃ
DS2＋ＣCSub2 ここで、Ｃ1，Ｃ2は前段後段のｇｍＣフィルタのそれぞ
れのコンデンサ１０７の容量値、ＣDS1，ＣDS2は前段後
段のｇｍＣフィルタのそれぞれのＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１０２のドレイン−ＳＵＢ（基板）間の寄生容
量値、ＣCSub1，ＣCSub2は前段後段のｇｍＣフィルタの
それぞれのＮＰＮバイポーラトランジスタ１０４のコレ
クタ−ＳＵＢ（基板）間の寄生容量値である。
DS2＋ＣCSub2 ここで、Ｃ1，Ｃ2は前段後段のｇｍＣフィルタのそれぞ
れのコンデンサ１０７の容量値、ＣDS1，ＣDS2は前段後
段のｇｍＣフィルタのそれぞれのＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１０２のドレイン−ＳＵＢ（基板）間の寄生容
量値、ＣCSub1，ＣCSub2は前段後段のｇｍＣフィルタの
それぞれのＮＰＮバイポーラトランジスタ１０４のコレ
クタ−ＳＵＢ（基板）間の寄生容量値である。
【００１６】ここで、ｇｍＣフィルタ２０１，２０２の
容量値Ｃ201，Ｃ202の比を１：２としたいとき、Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタのドレイン−ＳＵＢ（基板）間
の寄生容量値ＣDSは、ＮＰＮバイポーラトランジスタの
コレクタ−ＳＵＢ（基板）間の寄生容量値ＣSubに比較
して大きい値であり、寄生容量が増加する分、容量値Ｃ
201，Ｃ202の比率に誤差が生じるので、フィルタ回路全
体の周波数特性が設計目標からずれてしまう。
容量値Ｃ201，Ｃ202の比を１：２としたいとき、Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタのドレイン−ＳＵＢ（基板）間
の寄生容量値ＣDSは、ＮＰＮバイポーラトランジスタの
コレクタ−ＳＵＢ（基板）間の寄生容量値ＣSubに比較
して大きい値であり、寄生容量が増加する分、容量値Ｃ
201，Ｃ202の比率に誤差が生じるので、フィルタ回路全
体の周波数特性が設計目標からずれてしまう。
【００１７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、寄生容量による各ｇｍＣフィルタの容量値の比の誤
差を小さくして精度を良くし、周波数特性を精度良く設
計できるフィルタ回路を提供することを目的とする。
で、寄生容量による各ｇｍＣフィルタの容量値の比の誤
差を小さくして精度を良くし、周波数特性を精度良く設
計できるフィルタ回路を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載のフィルタ回路は、ＢｉＣＭ
ＯＳプロセスの半導体回路からなるフィルタ回路であっ
て、２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィルタか
らなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力信号が各ベース
に加えられる第１および第２のＮＰＮバイポーラトラン
ジスタからなる入力差動対と、第１および第２のＮＰＮ
バイポーラトランジスタのコレクタにドレインが各々接
続された第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジス
タと、第１のＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタ
に接続されたコンデンサとを有し、各段のｇｍＣフィル
タの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比が、各段のｇｍＣフィルタのコンデンサの各々の容
量比と略等しく設定されている。
に、本発明の請求項１記載のフィルタ回路は、ＢｉＣＭ
ＯＳプロセスの半導体回路からなるフィルタ回路であっ
て、２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィルタか
らなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力信号が各ベース
に加えられる第１および第２のＮＰＮバイポーラトラン
ジスタからなる入力差動対と、第１および第２のＮＰＮ
バイポーラトランジスタのコレクタにドレインが各々接
続された第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジス
タと、第１のＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタ
に接続されたコンデンサとを有し、各段のｇｍＣフィル
タの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比が、各段のｇｍＣフィルタのコンデンサの各々の容
量比と略等しく設定されている。
【００１９】この構成によれば、各段のｇｍＣフィルタ
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比が、各段のｇｍＣフィルタのコンデンサの各々の容量
比と略等しく設定されているので、各段のｇｍＣフィル
タの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量に
よる容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特性
の精度を良くすることができる。
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比が、各段のｇｍＣフィルタのコンデンサの各々の容量
比と略等しく設定されているので、各段のｇｍＣフィル
タの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量に
よる容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特性
の精度を良くすることができる。
【００２０】また、本発明の請求項２記載のフィルタ回
路は、ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなるフィ
ルタ回路であって、２段以上の多段に縦続接続されたｇ
ｍＣフィルタからなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力
信号が各ゲートに加えられる第１および第２のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタからなる入力差動対と、第１およ
び第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインにド
レインが各々接続された第１および第２のＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジ
スタのドレインに接続されたコンデンサとを有し、各段
のｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジス
タの各々のサイズ比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジ
スタの各々のサイズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィ
ルタのコンデンサの各々の容量比と略等しく設定されて
いる。
路は、ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなるフィ
ルタ回路であって、２段以上の多段に縦続接続されたｇ
ｍＣフィルタからなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力
信号が各ゲートに加えられる第１および第２のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタからなる入力差動対と、第１およ
び第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインにド
レインが各々接続された第１および第２のＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジ
スタのドレインに接続されたコンデンサとを有し、各段
のｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジス
タの各々のサイズ比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジ
スタの各々のサイズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィ
ルタのコンデンサの各々の容量比と略等しく設定されて
いる。
【００２１】この構成によれば、各段のｇｍＣフィルタ
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデンサ
の各々の容量比と略等しく設定されているので、各段の
ｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
および第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量
による容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特
性の精度を良くすることができる。
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデンサ
の各々の容量比と略等しく設定されているので、各段の
ｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
および第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量
による容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特
性の精度を良くすることができる。
【００２２】また、本発明の請求項３記載のフィルタ回
路は、ＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなるフィルタ
回路であって、２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣ
フィルタからなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力信号
が各ゲートに加えられる第１および第２のＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタからなる入力差動対と、第１および第
２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインにドレイ
ンが各々接続された第１および第２のＰチャネルＭＯＳ
トランジスタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタ
のドレインに接続されたコンデンサとを有し、各段のｇ
ｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの
各々のサイズ比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタ
の各々のサイズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタ
のコンデンサの各々の容量比と略等しく設定されてい
る。
路は、ＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなるフィルタ
回路であって、２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣ
フィルタからなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力信号
が各ゲートに加えられる第１および第２のＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタからなる入力差動対と、第１および第
２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインにドレイ
ンが各々接続された第１および第２のＰチャネルＭＯＳ
トランジスタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタ
のドレインに接続されたコンデンサとを有し、各段のｇ
ｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの
各々のサイズ比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタ
の各々のサイズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタ
のコンデンサの各々の容量比と略等しく設定されてい
る。
【００２３】この構成によれば、各段のｇｍＣフィルタ
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデンサ
の各々の容量比と略等しく設定されているので、各段の
ｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
および第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量
による容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特
性の精度を良くすることができる。
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデンサ
の各々の容量比と略等しく設定されているので、各段の
ｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
および第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量
による容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特
性の精度を良くすることができる。
【００２４】また、本発明の請求項４記載のフィルタ回
路は、ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなるフィ
ルタ回路であって、２段以上の多段に縦続接続されたｇ
ｍＣフィルタからなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力
信号が各ベースに加えられる第１および第２のＮＰＮバ
イポーラトランジスタからなる入力差動対と、第１およ
び第２のＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタにソ
ースが各々接続されたゲート接地の第１および第２のＮ
チャネルＭＯＳトランジスタと、第１および第２のＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタのドレインにドレインが各々
接続された第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジ
スタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに接続されたコンデンサとを有し、各段のｇｍＣフィ
ルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサ
イズ比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々の
サイズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデ
ンサの各々の容量比と略等しく設定されている。
路は、ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなるフィ
ルタ回路であって、２段以上の多段に縦続接続されたｇ
ｍＣフィルタからなる。各段のｇｍＣフィルタは、入力
信号が各ベースに加えられる第１および第２のＮＰＮバ
イポーラトランジスタからなる入力差動対と、第１およ
び第２のＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタにソ
ースが各々接続されたゲート接地の第１および第２のＮ
チャネルＭＯＳトランジスタと、第１および第２のＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタのドレインにドレインが各々
接続された第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジ
スタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに接続されたコンデンサとを有し、各段のｇｍＣフィ
ルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサ
イズ比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々の
サイズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデ
ンサの各々の容量比と略等しく設定されている。
【００２５】この構成によれば、各段のｇｍＣフィルタ
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデンサ
の各々の容量比と略等しく設定されているので、各段の
ｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
および第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量
による容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特
性の精度を良くすることができる。
の第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ
比と第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの各々のサイ
ズ比とが、それぞれ各段のｇｍＣフィルタのコンデンサ
の各々の容量比と略等しく設定されているので、各段の
ｇｍＣフィルタの第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
および第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタの寄生容量
による容量値の比の誤差をなくし、フィルタの周波数特
性の精度を良くすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００２７】図１は本発明の第１の実施の形態のフィル
タ回路において用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。本発明のフィルタ回路は、上記のｇｍＣ
フィルタを２段以上の多段に縦続接続された構成を有し
ている。図１において、１０１〜１０３はＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタであり、これらは電流ミラー回路を構
成する。１０４，１０５，１０６はＮＰＮバイポーラト
ランジスタであり、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１０
４，１０５は比較器（入力差動対）を構成している。１
０７はｇｍＣフィルタの周波数特性を決めるコンデンサ
である。１０８〜１１０は電流源である。これらは従来
例の構成と図６と基本的に同じである。違いは、電流ミ
ラー回路を構成する符号１０１〜１０３のトランジスタ
が、バイポーラトランジスタからＭＯＳトランジスタと
に変更されている点である。
タ回路において用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。本発明のフィルタ回路は、上記のｇｍＣ
フィルタを２段以上の多段に縦続接続された構成を有し
ている。図１において、１０１〜１０３はＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタであり、これらは電流ミラー回路を構
成する。１０４，１０５，１０６はＮＰＮバイポーラト
ランジスタであり、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１０
４，１０５は比較器（入力差動対）を構成している。１
０７はｇｍＣフィルタの周波数特性を決めるコンデンサ
である。１０８〜１１０は電流源である。これらは従来
例の構成と図６と基本的に同じである。違いは、電流ミ
ラー回路を構成する符号１０１〜１０３のトランジスタ
が、バイポーラトランジスタからＭＯＳトランジスタと
に変更されている点である。
【００２８】図１に示したｇｍＣフィルタを図２のよう
に縦続接続し、前段と後段の容量値の比を１：２とした
い場合、従来は前段および後段のｇｍＣフィルタの各コ
ンデンサ１０７の容量値を１：２としている。このと
き、（数２）よりＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０２
の寄生容量の影響で誤差が生じ１：２とならない。
に縦続接続し、前段と後段の容量値の比を１：２とした
い場合、従来は前段および後段のｇｍＣフィルタの各コ
ンデンサ１０７の容量値を１：２としている。このと
き、（数２）よりＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０２
の寄生容量の影響で誤差が生じ１：２とならない。
【００２９】ＭＯＳトランジスタの寄生容量の大きさは
トランジスタのサイズに比例するので、前段および後段
のｇｍＣフィルタの各コンデンサ１０７の容量値の比に
合わせて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０２のサイ
ズを、同様に前段：後段で１：２とする。こうすること
により、（数２）から寄生容量の比が容量値の比と等し
くなり、誤差を打ち消すことができ、フィルタ回路とし
て前段と後段の容量比の精度が向上するので、周波数特
性の精度を良くすることができる。
トランジスタのサイズに比例するので、前段および後段
のｇｍＣフィルタの各コンデンサ１０７の容量値の比に
合わせて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０２のサイ
ズを、同様に前段：後段で１：２とする。こうすること
により、（数２）から寄生容量の比が容量値の比と等し
くなり、誤差を打ち消すことができ、フィルタ回路とし
て前段と後段の容量比の精度が向上するので、周波数特
性の精度を良くすることができる。
【００３０】ここで、トランジスタのサイズについて説
明する。ＭＯＳトランジスタの場合、ゲートの寄生容量
が大きく影響してくるので、ゲート幅Ｗとゲート長Ｌの
大きさが重要になる。ゲート幅Ｗとゲート長Ｌの大きさ
を変えると、同時にソースとドレインの大きさもそれに
比例して変化するので、トランジスタ全体のサイズもそ
れに比例して変化する。
明する。ＭＯＳトランジスタの場合、ゲートの寄生容量
が大きく影響してくるので、ゲート幅Ｗとゲート長Ｌの
大きさが重要になる。ゲート幅Ｗとゲート長Ｌの大きさ
を変えると、同時にソースとドレインの大きさもそれに
比例して変化するので、トランジスタ全体のサイズもそ
れに比例して変化する。
【００３１】ＭＯＳトランジスタのサイズを１：２とす
ることは、サイズを余分に大きくしていることになる
が、ラテラルＰＮＰバイポーラトランジスタのサイズよ
り小さい。
ることは、サイズを余分に大きくしていることになる
が、ラテラルＰＮＰバイポーラトランジスタのサイズよ
り小さい。
【００３２】図３は本発明の第２の実施の形態における
フィルタ回路に用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。図３において、３０１，３０２，３０３
はＰチャネルＭＯＳトランジスタで電流ミラー回路を構
成している。３０４，３０５はＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタで比較器（入力差動対）を構成している。３０６
はＮＰＮバイポーラトランジスタ、３０７はフィルタの
周波数特性を決めるコンデンサである。３０８，３０
９，３１０は電流源である。
フィルタ回路に用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。図３において、３０１，３０２，３０３
はＰチャネルＭＯＳトランジスタで電流ミラー回路を構
成している。３０４，３０５はＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタで比較器（入力差動対）を構成している。３０６
はＮＰＮバイポーラトランジスタ、３０７はフィルタの
周波数特性を決めるコンデンサである。３０８，３０
９，３１０は電流源である。
【００３３】第１の実施の形態との違いは、第１の実施
の形態において比較器（入力差動対）を構成しているＮ
ＰＮバイポーラトランジスタ１０４，１０５が、第２の
実施の形態ではＮチャネルＭＯＳトランジスタ３０４，
３０５になっている点である。トランジスタをバイポー
ラ型からＭＯＳ型にすることによって、寄生容量が大き
くなるので、第１の実施の形態と同様に図２のようにフ
ィルタ回路を構成する場合、ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ３０２のサイズの比と、比較器を構成するＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ３０４のサイズの比とを、それぞ
れ前段と後段のｇｍＣフィルタで容量値の比と等しくす
ることで、第１の実施の形態と同様に寄生容量による容
量値の比の誤差を打ち消し、フィルタ回路の周波数特性
を精度良く設計できる。
の形態において比較器（入力差動対）を構成しているＮ
ＰＮバイポーラトランジスタ１０４，１０５が、第２の
実施の形態ではＮチャネルＭＯＳトランジスタ３０４，
３０５になっている点である。トランジスタをバイポー
ラ型からＭＯＳ型にすることによって、寄生容量が大き
くなるので、第１の実施の形態と同様に図２のようにフ
ィルタ回路を構成する場合、ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ３０２のサイズの比と、比較器を構成するＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ３０４のサイズの比とを、それぞ
れ前段と後段のｇｍＣフィルタで容量値の比と等しくす
ることで、第１の実施の形態と同様に寄生容量による容
量値の比の誤差を打ち消し、フィルタ回路の周波数特性
を精度良く設計できる。
【００３４】図４は本発明の第３の実施の形態における
フィルタ回路に用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。図４において、４０１，４０２，４０３
はＰチャネルＭＯＳトランジスタであり、電流ミラー回
路を構成している。４０４，４０５，４０６はＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタであり、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ４０４，４０５で比較器（入力差動対）を構成し
ている。４０７はｇｍＣフィルタの周波数特性を決める
コンデンサである。４０８，４０９，４１０は電流源で
ある。
フィルタ回路に用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。図４において、４０１，４０２，４０３
はＰチャネルＭＯＳトランジスタであり、電流ミラー回
路を構成している。４０４，４０５，４０６はＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタであり、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ４０４，４０５で比較器（入力差動対）を構成し
ている。４０７はｇｍＣフィルタの周波数特性を決める
コンデンサである。４０８，４０９，４１０は電流源で
ある。
【００３５】第３の実施の形態におけるトランジスタは
全てＭＯＳ型となる構成であるから、ピュアＣＭＯＳプ
ロセスでの製造が可能である。第２の実施の形態と同様
に、例えば図２のように２つのｇｍＣフィルタを縦続接
続してフィルタ回路を構成する場合、前段および後段の
ｇｍＣフィルタにおける各ＰチャネルＭＯＳトランジス
タ４０２のサイズ比、および各ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ４０４のサイズ比を、それぞれ前段および後段の
ｇｍＣフィルタにおける各コンデンサ４０７の容量の比
と等しくすることで、寄生容量による誤差を打ち消しフ
ィルタ回路の周波数特性を精度良く設計することができ
る。
全てＭＯＳ型となる構成であるから、ピュアＣＭＯＳプ
ロセスでの製造が可能である。第２の実施の形態と同様
に、例えば図２のように２つのｇｍＣフィルタを縦続接
続してフィルタ回路を構成する場合、前段および後段の
ｇｍＣフィルタにおける各ＰチャネルＭＯＳトランジス
タ４０２のサイズ比、および各ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ４０４のサイズ比を、それぞれ前段および後段の
ｇｍＣフィルタにおける各コンデンサ４０７の容量の比
と等しくすることで、寄生容量による誤差を打ち消しフ
ィルタ回路の周波数特性を精度良く設計することができ
る。
【００３６】図５は本発明の第４の実施の形態における
フィルタ回路に用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。図５において、５０１，５０２，５０３
はＰチャネルＭＯＳトランジスタであり、電流ミラー回
路を構成している。５０４，５０５はＮチャネルＭＯＳ
トランジスタでであり、ゲート接地トランジスタとして
働き、ＮＰＮバイポーラトランジスタ５０６，５０７で
構成される比較器（入力差動対）のコレクタ・エミッタ
間電圧Ｖｃｅ電圧を保証している。５０８はＮＰＮバイ
ポーラトランジスタ、５０９はコンデンサ、５１０，５
１１，５１２は電流源、５１３はＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５０４，５０５を導通させる電源である。
フィルタ回路に用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す
回路図である。図５において、５０１，５０２，５０３
はＰチャネルＭＯＳトランジスタであり、電流ミラー回
路を構成している。５０４，５０５はＮチャネルＭＯＳ
トランジスタでであり、ゲート接地トランジスタとして
働き、ＮＰＮバイポーラトランジスタ５０６，５０７で
構成される比較器（入力差動対）のコレクタ・エミッタ
間電圧Ｖｃｅ電圧を保証している。５０８はＮＰＮバイ
ポーラトランジスタ、５０９はコンデンサ、５１０，５
１１，５１２は電流源、５１３はＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５０４，５０５を導通させる電源である。
【００３７】第４の実施の形態は、第１の実施の形態に
対して、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５０４，５０５
を加えた点が特徴である。その他の構成については、第
１の実施の形態と同様である。
対して、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５０４，５０５
を加えた点が特徴である。その他の構成については、第
１の実施の形態と同様である。
【００３８】上記のように、比較器を構成するＮＰＮバ
イポーラトランジスタ５０６，５０７のコレクタ・エミ
ッタ間電圧Ｖｃｅを保証する。このような構成におい
て、図２のように、ｇｍＣフィルタを２段縦続接続する
場合、前段および後段のｇｍＣフィルタの各Ｎチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０２，５０４のトランジスタのサ
イズ比を、前段と後段のｇｍＣフィルタのコンデンサ５
０９の容量値の比と等しくすることにより寄生容量によ
る誤差を打ち消し、フィルタ回路の周波数特性を精度良
く設計することができる。
イポーラトランジスタ５０６，５０７のコレクタ・エミ
ッタ間電圧Ｖｃｅを保証する。このような構成におい
て、図２のように、ｇｍＣフィルタを２段縦続接続する
場合、前段および後段のｇｍＣフィルタの各Ｎチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０２，５０４のトランジスタのサ
イズ比を、前段と後段のｇｍＣフィルタのコンデンサ５
０９の容量値の比と等しくすることにより寄生容量によ
る誤差を打ち消し、フィルタ回路の周波数特性を精度良
く設計することができる。
【００３９】なお、上記各実施の形態では、各段のｇｍ
ＣフィルタのＭＯＳトランジスタのサイズ比とコンデン
サの容量比が等しいと説明したが、略等しい場合でも、
その等しさの程度に応じて周波数特性を精度よく設計で
きるという効果が得られる。
ＣフィルタのＭＯＳトランジスタのサイズ比とコンデン
サの容量比が等しいと説明したが、略等しい場合でも、
その等しさの程度に応じて周波数特性を精度よく設計で
きるという効果が得られる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明のフィルタ回路に
よれば、２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィル
タにおけるコンデンサの容量値の比と各ｇｍＣフィルタ
において寄生容量が周波数特性に影響を与えるＭＯＳト
ランジスタのサイズの比とを等しくすることで、寄生容
量によるフィルタ容量値の比の誤差を小さくすることが
でき、フィルタ回路の周波数特性の精度を良くすること
ができる。
よれば、２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィル
タにおけるコンデンサの容量値の比と各ｇｍＣフィルタ
において寄生容量が周波数特性に影響を与えるＭＯＳト
ランジスタのサイズの比とを等しくすることで、寄生容
量によるフィルタ容量値の比の誤差を小さくすることが
でき、フィルタ回路の周波数特性の精度を良くすること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のフィルタ回路にお
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
【図２】本発明の対象となるフィルタ回路の構成の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のフィルタ回路にお
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
【図４】本発明の第３の実施の形態のフィルタ回路にお
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
【図５】本発明の第４の実施の形態のフィルタ回路にお
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
いて用いられるｇｍＣフィルタの構成を示す回路図であ
る。
【図６】従来のフィルタ回路において用いられるｇｍＣ
フィルタの構成を示す回路図である。
フィルタの構成を示す回路図である。
【図７】図２のフィルタ回路の場合における周波数特性
の一例を示す特性図である。
の一例を示す特性図である。
【図８】５次の等リップルフィルタの一例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図９】図８に示した等リップルフィルタの各段の周波
数特性の一例を示す特性図である。
数特性の一例を示す特性図である。
【図１０】図７のような周波数特性を持つフィルタ回路
を、図８のように接続したフィルタの周波数特性の一例
を示す特性図である。
を、図８のように接続したフィルタの周波数特性の一例
を示す特性図である。
【図１１】図８に示した等リップルフィルタの各段の周
波数特性の一例を示す特性図である。
波数特性の一例を示す特性図である。
【図１２】図７のような周波数特性を持つフィルタ回路
を、図８のように接続したフィルタの周波数特性の一例
を示す特性図である。
を、図８のように接続したフィルタの周波数特性の一例
を示す特性図である。
１０１，１０２，１０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ １０４，１０５，１０６ ＮＰＮバイポーラトランジ
スタ １０７ コンデンサ １０８，１０９，１１０ 電流源 ２０１，２０２ ｇｍＣフィルタ ３０１，３０２，３０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ３０４，３０５ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ３０６ ＮＰＮバイポーラトランジスタ ３０７ コンデンサ ３０８，３０９，３１０ 電流源 ４０１，４０２，４０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ４０４，４０５，４０６ ＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ ４０７ コンデンサ ４０８，４０９，４１０ 電流源 ５０１，５０２，５０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ５０４，５０５ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ５０６，５０７，５０８ ＮＰＮバイポーラトランジ
スタ ５０９ コンデンサ ５１０，５１１，５１２ 電流源 ５１３ 参照電圧源 ６０１，６０２，６０３ ＰＮＰバイポーラトランジ
スタ ６０４，６０５ ＮＰＮバイポーラトランジスタ ６０７ コンデンサ ６０８，６０９ 電流源 ８０１，８０２，８０３，８０４，８０５ ｇｍＣフ
ィルタ ８１０，８１１，８１２ フィルタ
スタ １０４，１０５，１０６ ＮＰＮバイポーラトランジ
スタ １０７ コンデンサ １０８，１０９，１１０ 電流源 ２０１，２０２ ｇｍＣフィルタ ３０１，３０２，３０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ３０４，３０５ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ３０６ ＮＰＮバイポーラトランジスタ ３０７ コンデンサ ３０８，３０９，３１０ 電流源 ４０１，４０２，４０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ４０４，４０５，４０６ ＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ ４０７ コンデンサ ４０８，４０９，４１０ 電流源 ５０１，５０２，５０３ ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ ５０４，５０５ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ５０６，５０７，５０８ ＮＰＮバイポーラトランジ
スタ ５０９ コンデンサ ５１０，５１１，５１２ 電流源 ５１３ 参照電圧源 ６０１，６０２，６０３ ＰＮＰバイポーラトランジ
スタ ６０４，６０５ ＮＰＮバイポーラトランジスタ ６０７ コンデンサ ６０８，６０９ 電流源 ８０１，８０２，８０３，８０４，８０５ ｇｍＣフ
ィルタ ８１０，８１１，８１２ フィルタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 福田 耕一
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5J098 AA02 AA03 AB03 AB13 AD16
AD29
Claims (4)
- 【請求項１】 ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路から
なるフィルタ回路であって、 ２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィルタからな
り、 各段のｇｍＣフィルタは、入力信号が各ベースに加えら
れる第１および第２のＮＰＮバイポーラトランジスタか
らなる入力差動対と、前記第１および第２のＮＰＮバイ
ポーラトランジスタのコレクタにドレインが各々接続さ
れた第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
と、前記第１のＮＰＮバイポーラトランジスタのコレク
タに接続されたコンデンサとを有し、 前記各段のｇｍＣフィルタの前記第１のＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタの各々のサイズ比が、前記各段のｇｍＣ
フィルタの前記コンデンサの各々の容量比と略等しく設
定されていることを特徴とするフィルタ回路。 - 【請求項２】 ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路から
なるフィルタ回路であって、 ２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィルタからな
り、 各段のｇｍＣフィルタは、入力信号が各ゲートに加えら
れる第１および第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタか
らなる入力差動対と、前記第１および第２のＮチャネル
ＭＯＳトランジスタのドレインにドレインが各々接続さ
れた第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
と、前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに接続されたコンデンサとを有し、 前記各段のｇｍＣフィルタの前記第１のＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタの各々のサイズ比と前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ比とが、それぞれ
前記各段のｇｍＣフィルタの前記コンデンサの各々の容
量比と略等しく設定されていることを特徴とするフィル
タ回路。 - 【請求項３】 ＣＭＯＳプロセスの半導体回路からなる
フィルタ回路であって、 ２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィルタからな
り、 各段のｇｍＣフィルタは、入力信号が各ゲートに加えら
れる第１および第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタか
らなる入力差動対と、前記第１および第２のＮチャネル
ＭＯＳトランジスタのドレインにドレインが各々接続さ
れた第１および第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタ
と、前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに接続されたコンデンサとを有し、 前記各段のｇｍＣフィルタの前記第１のＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタの各々のサイズ比と前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ比とが、それぞれ
前記各段のｇｍＣフィルタの前記コンデンサの各々の容
量比と略等しく設定されていることを特徴とするフィル
タ回路。 - 【請求項４】 ＢｉＣＭＯＳプロセスの半導体回路から
なるフィルタ回路であって、 ２段以上の多段に縦続接続されたｇｍＣフィルタからな
り、 各段のｇｍＣフィルタは、入力信号が各ベースに加えら
れる第１および第２のＮＰＮバイポーラトランジスタか
らなる入力差動対と、前記第１および第２のＮＰＮバイ
ポーラトランジスタのコレクタにソースが各々接続され
たゲート接地の第１および第２のＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタと、前記第１および第２のＮチャネルＭＯＳト
ランジスタのドレインにドレインが各々接続された第１
および第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、前記第
１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインに接続さ
れたコンデンサとを有し、 前記各段のｇｍＣフィルタの前記第１のＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタの各々のサイズ比と前記第１のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタの各々のサイズ比とが、それぞれ
前記各段のｇｍＣフィルタの前記コンデンサの各々の容
量比と略等しく設定されていることを特徴とするフィル
タ回路。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191142A JP2003008398A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | フィルタ回路 |
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|---|---|---|---|
| JP2001191142A JP2003008398A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | フィルタ回路 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008398A true JP2003008398A (ja) | 2003-01-10 |
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ID=19029813
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|---|---|---|---|
| JP2001191142A Pending JP2003008398A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | フィルタ回路 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003008398A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019625B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-03-28 | Bosch Automotive Systems Corporation | Vehicle electronic control system with anti-theft capability and method of controlling a vehicle engine |
| EP2023486A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-02-11 | Fujitsu Microelectronics Limited | Cutoff frequency adjusting method, GmC filter circuit and semiconductor device |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001191142A patent/JP2003008398A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019625B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-03-28 | Bosch Automotive Systems Corporation | Vehicle electronic control system with anti-theft capability and method of controlling a vehicle engine |
| EP2023486A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-02-11 | Fujitsu Microelectronics Limited | Cutoff frequency adjusting method, GmC filter circuit and semiconductor device |
| US7764116B2 (en) | 2007-07-25 | 2010-07-27 | Fujitsu Semiconductor Limited | Cutoff frequency adjusting method, GmC filter circuit and semiconductor device |
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