JP2639808B2 - アクテイブフイルタ - Google Patents

アクテイブフイルタ

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JP2639808B2 JP62154820A JP15482087A JP2639808B2 JP 2639808 B2 JP2639808 B2 JP 2639808B2 JP 62154820 A JP62154820 A JP 62154820A JP 15482087 A JP15482087 A JP 15482087A JP 2639808 B2 JP2639808 B2 JP 2639808B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アクティブフィルタに関し、特に、高域遮
断周波数が高くかつ高域特性の調整が可能で高域遮断特
性の急峻なアクティブフィルタに関する。
〔従来の技術〕
第10図は従来のアクティブフィルタとして演算増幅器
を用いた低域通過フィルタの一例を示す回路図である。
この従来例は演算増幅器OA、抵抗器R1、R2およびR3を含
んでいる。図においてINは入力端子、OUTは出力端子、V
1およびV2は電源端子である。この回路の利得Gは抵抗
器R1の抵抗値をR1、抵抗器R2の抵抗値をR2とすると、G
=−R2/R1で与えられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、演算増幅器は高周波遮断周波数が、例えば第
11図に一例を示すように十分には高くないので、現在要
求されているGHz帯域への適用ができない欠点があっ
た。
一方、インダクタとコンデンサの受動素子を組合せた
フィルタでは、高周波領域へ適用しようとする場合、非
常に小さな値のインダクタ、コンデンサが要求され、実
装等により生ずる寄生インダクタンス、浮遊容量などの
影響を受やすくなり、高域遮断周波数が高く、かつ急峻
な特性を実現することが困難になってくる。また急峻な
遮断特性を得るため高次のフィルタを製作した場合、設
計値に近い特性を得るための調整が非常に複雑となる欠
点があった。
本発明の目的は、上記の欠点を除去することにより、
高域遮断周波数が高く容易に急峻な高域遮断特性を得る
ことができるアクティブフィルタを提供することにあ
る。
〔問題を解決するための手段〕
本発明は、制御電極が第一の抵抗器を介して第一の電
源端子に接続されかつコンデンサを介して入力端子に接
続され、入力電極が接地され、出力電極が第二の抵抗器
を介して第二の電極端子に接続されかつコンデンサを介
して出力端子に接続されたトランジスタを含む基本回路
を少なくとも二つ備え、この基本回路の入力および出力
はそれぞれ共通接続され、少なくとも一つの基本回路に
含まれるトランジスタは他の基本回路に含まれるトラン
ジスタとは異なる遮断周波数を有することを特徴とす
る。
〔作用〕
例えば、GaAs形の電界効果トランジスタ(FET)ある
いは超高周波バイポーラトランジスタは、その遮断周波
数はGHz領域にある。
従って、能動素子として、従来の演算増幅器の代わり
に高遮断周波数特性を有する電界効果トランジスタある
いはバイポーラトランジスタを用いることにより、高域
遮断周波数が高くかつ急峻な高域遮断特性を有するアク
ティブフィルタを実現することが可能となる。
さらに、トランジスタのバイアスを変えることにより
高域遮断特性の調整を簡単に行うことが可能となる。
なお、実用的なアクティブフィルタは、基本回路を1
個あるいは複数個段間結合コンデンサを介して並列接続
されたものを単位フィルタとして、この単位フィルタを
1個あるいは複数個接続して構成される。この場合上記
単位フィルタを構成する少なくとも一つのトランジスタ
は異なる遮断周波数を有し、それらの制御電極バイアス
を調節し、その遮断周波数を変化させることにより、フ
ィルタの高域遮断特性を急峻にすることができる。
ここで異なる遮断周波数は2倍以上異なることが望ま
しい。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の第一実施例を示す回路図、第2図は
本発明の第二実施例を示す回路図である。
本第一実施例は、制御電極としてのゲートが第一の抵
抗器3を介して第一の電源端子4と、コンデンサ2を介
して入力端子1とにそれぞれ接続され、入力電極として
のソースが接地され、出力電極としてのドレインが第二
の抵抗器6を介して第二の電源端子5に接続されたGaAs
形の電界効果トランジスタ7と、ゲートが抵抗器14を介
して第三の電源端子15と、コンデンサ13を介して入力端
子1とにそれぞれ接続され、ソースが接地され、ドレイ
ンが抵抗器8を介して第二の電源端子5に接続されたGa
As形の電界効果トランジスタ11とを含み、電界効果トラ
ンジスタ7および11のドレインはそれぞれコンデンサ9
および10を介して出力端子12に接続される。すなわち本
第一実施例は基本回路二つを段間結合用のコンデンサを
介して並列に接続し単位フィルタを構成したものであ
る。
第2図の第二実施例は、この第一実施例の回路に対
し、さらにGaAS形の電界効果トランジスタ18と、抵抗器
16および20と、コンデンサ19とを含む基本回路を段間結
合用のコンデンサ17を介して並列接続し、三段構成とし
たものである。
本発明の特徴は、第1図および第2図において、アク
ティブ素子として、電界効果トランジスタを用い、その
ゲートバイアスを変化させることができるように、ゲー
トをそれぞれ別個の電源端子に接続したことにある。
次に、これら実施例の動作を主として第一実施例につ
いて説明する。
トランジスタの遮断周波数は、第3図のGaAs形の電界
効果トランジスタの例に示すように、ゲート・ソース間
電圧VGSに依存して変化する。これを利用し、さらに遮
断周波数の異なる電界効果トランジスタを用いて、それ
ぞれのゲート・ソース間電圧VGSを電源端子4または15
の電圧により調整することによりさらに高周波特性を大
きく変化させることができる。
第4図に本第一実施例の周波数特性の計算例を示す。
遮断周波数の低い方の電界効果トランジスタをピンチオ
フさせ、他方の電界効果トランジスタのゲート電圧を調
整したときの周波数特性を1点鎖線で、遮断周波数の高
い方の電界効果トランジスタをピンチオフさせ、他方の
電界効果トランジスタのゲート電圧を調整したときの周
波数特性を実線で示す。第4図のB点からA点の間の周
波数領域では主として、遮断周波数の低い方の電界効果
トランジスタのゲート電圧を調整して、遮断特性と利得
のトレードオフにより最適なゲート電圧を決定すること
ができる。同様に、A点よりも高い周波数領域では、主
として遮断周波数の高い方の電界効果トランジスタのゲ
ート電圧を調整して最適なゲート電圧を決定することが
できる。また両方の電界効果トランジスタのゲート電圧
を調整することにより、第4図の点線に示すように、A
点とB点の間に遮断領域をつくることも可能である。
第5図に1段および2段に従続接続したフィルタの特
性例を示す。点線は1段フィルタを、実線は2段フィル
タの周波数特性である。このように従続接続することに
よりより急峻な遮断特性を実現できる。
第6図は本発明の第三実施例を示す回路図である。本
第三実施例は、第1図の第一実施例の回路において、電
界効果トラジスタ7および11を高遮断周波数を有するNP
N形のバイポーラトランジスタ37および41に変たもので
ある。なおここで、バイポーラトンジスタの制御電極は
ベース、入力電極はエミッタ、出力電極はコレクタであ
る。第6図において、31は入力端子、32、39、40および
43はコンデンサ、33、36、38および44は抵抗器、34、35
および45は電源端子、42は出力端子である。
本第三実施例の動作は上記の第一実施例と同様であ
る。第7図は基本回路一つによる1段単位フィルタの周
波数特性図で、ベース電流IBにより遮断周波数が変化す
るので、上記の電界効果トランジスタの場合と同様にア
クティブフィルタを実現することができる。
なお、上記の実施例において、電源の極性を反転する
ことにより、電界効果トランジスタにおいてはNチャン
ネル形およびPチャンネル形の双方を、バイポーラトラ
ンジスタについてはNPN形およびPNP形を用いることがで
きる。
第8図は本発明の第四実施例を示すブロック構成図で
ある。本第四実施例は、本発明によるアクティブフィル
タと誘電体共振器を組合せてタイミング抽出回路を構成
したものである。第8図において、51は等化波形入力端
子、52は誘電体共振器、53は本発明によるアクティブフ
ィルタ、54は同調形増幅器、55はリミッタ増幅器および
56はタイミング出力端子である。
誘電体共振器は、従来タイミング抽出回路に用られて
いる表面弾性波(SAW)フィルタよりも高い共振周波数
が実現されているが、誘電体ブロック内の複数の共振ユ
ニットの高調波成分が共振周波数の約1.4倍以上の周波
数から現れ、無視できないほど大きいため、これを取り
除く必要がある。本第四実施例はこのために本発明によ
るアクティブフィルタ53を誘電体共振器52の出力に接続
したものである。
第9図に高調波成分を抑圧した実測例を示す。点線は
誘電体共振器52のみの特性、実線は誘電体共振器と第4
図B点の特性を有する4段のアクティブフィルタを組合
せた特性である。このようにアクティブフィルタの電界
効果トランジスタのゲート電圧を調整し、要求される遮
断特性に応じて1段フィルタを従続接続することにより
共振周波数での挿入損失がほとんどなく、かつ十分な高
調波抑圧効果を得ることができる。それぞれの電界効果
トランジスタの遮断周波数を選び、ゲート電圧をそれぞ
れ調整することにより、広範囲な周波数領域でのタイミ
ング抽出に適用が可能である。
すなわち、本発明のアクティブフィルタを高速デジタ
ル中継器のタイミング抽出回路として用いれば、誘電体
共振器の共振周波数および高調波抑圧比、挿入損失等の
要求条件に応じてトランジスタの遮断周波数の選択、ゲ
ート電圧またはベース電圧の調整、回路の多段化によ
り、広範囲にわたり常にジッタの少ないタイミング抽出
が実現できる。
〔発明の効果〕
以上、説明したように、本発明は、活性素子として高
遮断周波数を有する電界効果トランジスタあるいはバイ
ポーラトランジスタを用いることにより、高い高域遮断
特性が得られ、さらにトランジスタのバイアス電源によ
り容易に高域特性を調整できる効果がある。また、1段
の単位フィルタを従続接続することにより容易に急峻な
高域遮断特性が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一実施例を示す回路図。 第2図は本発明の第二実施例を示す回路図。 第3図はGaAs形電界効果トランジスタの周波数特性図。 第4図は第一実施例の周波数特性図。 第5図は第一実施例の周波数特性図。 第6図は本発明の第三実施例を示す回路図。 第7図は第三実施例の周波数特性図。 第8図は本発明の第四実施例を示すブロック構成図。 第9図は第四実施例の周波数特性図。 第10図は従来例を示す回路図。 第11図は従来例の周波数特性図。 1、31……入力端子、2、9、10、13、17、19、32、3
9、40、43……コンデンサ、3、6、8、14、16、20、3
3、36、38、44……抵抗器、4、5、15、21、34、35、4
5……電源端子、7、11、18……電界効果トランジス
タ、12、42……出力端子、37、41……バイポーラトラン
ジスタ、51……等化波形入力端子、52……誘電体共振
器、53……アクティブフィルタ、54……同調形増幅器、
55……リミッタ増幅器、56……タイミング出力端子、
A、B……点、IN……入力端子、OA……演算増幅器、OU
T……出力端子、R1、R2、R3……抵抗器、V1、V2……電
源端子。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】制御電極が第一の抵抗器を介して第一の電
    源端子に接続されかつコンデンサを介して入力端子に接
    続され、入力電極が接地され、出力電極が第二の抵抗器
    を介して第二の電源端子に接続されかつコンデンサを介
    して出力端子に接続されたトランジスタを含む基本回路
    を少なくとも二つ備え、 この基本回路の入力端子および出力端子はそれぞれ共通
    接続され、 少なくとも一つの基本回路に含まれるトランジスタは他
    の基本回路に含まれるトランジスタとは異なる遮断周波
    数を有する ことを特徴とするアクティブフィルタ。
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