JP2003008139A - 半導体レーザの光出力制御回路 - Google Patents
半導体レーザの光出力制御回路Info
- Publication number
- JP2003008139A JP2003008139A JP2001184294A JP2001184294A JP2003008139A JP 2003008139 A JP2003008139 A JP 2003008139A JP 2001184294 A JP2001184294 A JP 2001184294A JP 2001184294 A JP2001184294 A JP 2001184294A JP 2003008139 A JP2003008139 A JP 2003008139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical output
- current
- output
- semiconductor laser
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光出力のダイナミックレンジを広く確保し、
光出力を低く設定した場合でも光出力設定値に対するば
らつき量の割合を増大させずに安定した光出力を得られ
るようにした、回路規模の小さい半導体レーザの光出力
制御回路を提供する。 【解決手段】 レーザダイオード６の光出力を検出する
フォトダイオード２と、フォトダイオードの出力電流を
利得切り替え可能に増幅する電流増幅回路７と増幅した
電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路８とからなる光出
力モニタ電圧生成部９と、基準電圧を出力する基準電圧
源３と、光出力モニタ電圧生成部の出力と基準電圧との
差をレーザ駆動源に負帰還する比較整流回路４と、比較
整流回路４の出力を基にレーザダイオードの駆動電流を
生成するレーザ駆動回路５とで半導体レーザの光出力制
御回路を構成する。
光出力を低く設定した場合でも光出力設定値に対するば
らつき量の割合を増大させずに安定した光出力を得られ
るようにした、回路規模の小さい半導体レーザの光出力
制御回路を提供する。 【解決手段】 レーザダイオード６の光出力を検出する
フォトダイオード２と、フォトダイオードの出力電流を
利得切り替え可能に増幅する電流増幅回路７と増幅した
電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路８とからなる光出
力モニタ電圧生成部９と、基準電圧を出力する基準電圧
源３と、光出力モニタ電圧生成部の出力と基準電圧との
差をレーザ駆動源に負帰還する比較整流回路４と、比較
整流回路４の出力を基にレーザダイオードの駆動電流を
生成するレーザ駆動回路５とで半導体レーザの光出力制
御回路を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、トランジスタを
利用した半導体レーザの光出力制御回路に関する。
利用した半導体レーザの光出力制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般的に用いられる半導体レーザ
の光出力制御回路としては、例えば特開平８−２９８３
３７号公報に開示されている、図８に示すような構成の
ものが知られている。図８において、101 は電源、102
は接地電位、103 は光出力を検出するフォトダイオード
（ＰＤ）、104 は抵抗、105 は抵抗104 からなるフォト
ダイオード103 の出力電流を電圧に変換する光出力モニ
タ電圧生成部、106 は光出力を制御する基準電圧源、10
7 は光出力モニタ電圧生成部105 の出力電圧と基準電圧
源106 の基準電圧Ｖref の差をレーザ駆動電流源に負帰
還する比較・整流回路、108 は比較・整流回路107 の出
力をもとにレーザ駆動電流を生成するレーザ駆動回路、
109 はレーザ駆動回路108 のレーザ駆動電流を光出力に
変換するレーザダイオード（ＬＤ）である。
の光出力制御回路としては、例えば特開平８−２９８３
３７号公報に開示されている、図８に示すような構成の
ものが知られている。図８において、101 は電源、102
は接地電位、103 は光出力を検出するフォトダイオード
（ＰＤ）、104 は抵抗、105 は抵抗104 からなるフォト
ダイオード103 の出力電流を電圧に変換する光出力モニ
タ電圧生成部、106 は光出力を制御する基準電圧源、10
7 は光出力モニタ電圧生成部105 の出力電圧と基準電圧
源106 の基準電圧Ｖref の差をレーザ駆動電流源に負帰
還する比較・整流回路、108 は比較・整流回路107 の出
力をもとにレーザ駆動電流を生成するレーザ駆動回路、
109 はレーザ駆動回路108 のレーザ駆動電流を光出力に
変換するレーザダイオード（ＬＤ）である。
【０００３】このように構成されている半導体レーザの
光出力制御回路においては、基準電圧源106 の出力電位
（Ｖref ）を変動させることで光出力を調整しており、
Ｖref と光出力の関係は図９に示すようになる。図９か
らわかるように、光出力のダイナミックレンジは、Ｖre
f の最大値と傾きａによって決まる。ここで、傾きａを
決める要素は、フォトダイオード（ＰＤ）103 が光出力
を電流に変換する電流変換率（ai）及び光出力モニタ電
圧生成部105 でフォトダイオード（ＰＤ）103の出力で
ある光検出電流を電圧に変換する電圧変換率（av）、つ
まり抵抗104 の抵抗値（Ｒ1 ）である。
光出力制御回路においては、基準電圧源106 の出力電位
（Ｖref ）を変動させることで光出力を調整しており、
Ｖref と光出力の関係は図９に示すようになる。図９か
らわかるように、光出力のダイナミックレンジは、Ｖre
f の最大値と傾きａによって決まる。ここで、傾きａを
決める要素は、フォトダイオード（ＰＤ）103 が光出力
を電流に変換する電流変換率（ai）及び光出力モニタ電
圧生成部105 でフォトダイオード（ＰＤ）103の出力で
ある光検出電流を電圧に変換する電圧変換率（av）、つ
まり抵抗104 の抵抗値（Ｒ1 ）である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に構成された半導体レーザの光出力制御回路では、フォ
トダイオード（ＰＤ）103 とレーザダイオード（ＬＤ）
109 は通常同一パッケージに組み込まれており、電流変
換率（ai）を変更するためには別の製品のパッケージに
交換するしかない。したがって、パッケージを交換せず
に広いダイナミックレンジを確保するためには、光出力
モニタ電圧生成部105 を構成する抵抗104の抵抗値（Ｒ1
）を大きな値に設定すればよい。しかし、傾きａを大
きくすると、基準電圧源106 の基準電圧Ｖref の値がば
らついたときの光出力のばらつき量が増大するという別
の問題が生じる。特に、光出力を低く設定した場合に
は、光出力設定値に対するばらつき量の割合が大きくな
るため問題となる。
に構成された半導体レーザの光出力制御回路では、フォ
トダイオード（ＰＤ）103 とレーザダイオード（ＬＤ）
109 は通常同一パッケージに組み込まれており、電流変
換率（ai）を変更するためには別の製品のパッケージに
交換するしかない。したがって、パッケージを交換せず
に広いダイナミックレンジを確保するためには、光出力
モニタ電圧生成部105 を構成する抵抗104の抵抗値（Ｒ1
）を大きな値に設定すればよい。しかし、傾きａを大
きくすると、基準電圧源106 の基準電圧Ｖref の値がば
らついたときの光出力のばらつき量が増大するという別
の問題が生じる。特に、光出力を低く設定した場合に
は、光出力設定値に対するばらつき量の割合が大きくな
るため問題となる。
【０００５】また、前記パッケージは、同一製品におい
ても電流変換率（ai）のばらつきが非常に大きい（約５
倍〜10倍）という特徴を有するため、電流変換率（ai）
以外の要素、つまり電圧変換率（av）による光出力のダ
イナミックレンジを広く確保できなければ、同一製品の
パッケージにおいても、製品によって所定の光出力を確
保できなくなるという問題が生じる。例えば、電流変換
率（ai）が10倍に変更された場合に電圧変換率（av）の
変更ができなければ、同一の光出力を得るために基準電
圧Ｖref も約10倍にしなければならなくなる。
ても電流変換率（ai）のばらつきが非常に大きい（約５
倍〜10倍）という特徴を有するため、電流変換率（ai）
以外の要素、つまり電圧変換率（av）による光出力のダ
イナミックレンジを広く確保できなければ、同一製品の
パッケージにおいても、製品によって所定の光出力を確
保できなくなるという問題が生じる。例えば、電流変換
率（ai）が10倍に変更された場合に電圧変換率（av）の
変更ができなければ、同一の光出力を得るために基準電
圧Ｖref も約10倍にしなければならなくなる。
【０００６】これらの問題を解決するために、従来技術
では、光出力設定値によって光出力モニタ電圧生成部10
5 の抵抗104 の抵抗値Ｒ1 を適当な値のものに入れ替え
たり、光出力モニタ電圧生成部105 の抵抗をボリューム
抵抗にして、製品組み込み前に最適化することで対処し
てきた。しかしこの場合、製品組み込み後の変更は不可
能となる。また、図10に示すように、光出力モニタ電圧
生成部105 を３つの抵抗と切り替え選択スイッチとで構
成したり、あるいは図11に示すように、フォトダイオー
ド103 でモニタ光を変換した電圧を増幅する異なる利得
Ｇv1，Ｇv2，Ｇv3を有する３個の電圧増幅器110 ，111
，112 からの出力を、モニタ出力選択回路113 で選択
して出力するようにし、電圧変換率（av）を電気信号に
よって変更できる構成にすることで、製品組み込み後の
変更を可能とする方式も取られてきたが、図10に示す構
成の場合は抵抗を複数個必要とし、図11に示す構成にお
いても電圧増幅器（オペアンプ）が複数個必要になるな
ど、回路規模が増大するという欠点がある。
では、光出力設定値によって光出力モニタ電圧生成部10
5 の抵抗104 の抵抗値Ｒ1 を適当な値のものに入れ替え
たり、光出力モニタ電圧生成部105 の抵抗をボリューム
抵抗にして、製品組み込み前に最適化することで対処し
てきた。しかしこの場合、製品組み込み後の変更は不可
能となる。また、図10に示すように、光出力モニタ電圧
生成部105 を３つの抵抗と切り替え選択スイッチとで構
成したり、あるいは図11に示すように、フォトダイオー
ド103 でモニタ光を変換した電圧を増幅する異なる利得
Ｇv1，Ｇv2，Ｇv3を有する３個の電圧増幅器110 ，111
，112 からの出力を、モニタ出力選択回路113 で選択
して出力するようにし、電圧変換率（av）を電気信号に
よって変更できる構成にすることで、製品組み込み後の
変更を可能とする方式も取られてきたが、図10に示す構
成の場合は抵抗を複数個必要とし、図11に示す構成にお
いても電圧増幅器（オペアンプ）が複数個必要になるな
ど、回路規模が増大するという欠点がある。
【０００７】本発明は、従来の半導体レーザの光出力制
御回路における上記問題点を解消するためになされたも
ので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、あら
ゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードのパッ
ケージにおいても所定の光出力が得られ、また光出力を
低く設定した場合にも光出力設定値に対するばらつき量
の割合を増大させずに、安定した光出力を得られるよう
にした半導体レーザの光出力制御回路を、容易に且つ回
路規模を小さくして実現することを目的とする。
御回路における上記問題点を解消するためになされたも
ので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、あら
ゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードのパッ
ケージにおいても所定の光出力が得られ、また光出力を
低く設定した場合にも光出力設定値に対するばらつき量
の割合を増大させずに、安定した光出力を得られるよう
にした半導体レーザの光出力制御回路を、容易に且つ回
路規模を小さくして実現することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に係る発明は、半導体レーザの光出力をフ
ォトダイオードによって検出し、当該検出値を処理して
レーザ駆動回路に負帰還することにより光出力を制御す
る半導体レーザの光出力制御回路において、前記半導体
レーザの光出力を検出して処理する光検出値処理回路
は、フォトダイオードの出力である光検出電流を、スイ
ッチによってｎ倍（ｎは正の実数）に切り替え可能に変
換した電流を電圧変換する光出力モニタ電圧生成部を備
えていることを特徴とするものである。
め、請求項１に係る発明は、半導体レーザの光出力をフ
ォトダイオードによって検出し、当該検出値を処理して
レーザ駆動回路に負帰還することにより光出力を制御す
る半導体レーザの光出力制御回路において、前記半導体
レーザの光出力を検出して処理する光検出値処理回路
は、フォトダイオードの出力である光検出電流を、スイ
ッチによってｎ倍（ｎは正の実数）に切り替え可能に変
換した電流を電圧変換する光出力モニタ電圧生成部を備
えていることを特徴とするものである。
【０００９】このように構成した半導体レーザの光出力
制御回路において、フォトダイオードの光検出電流をス
イッチによってｎ倍に切り替え可能にして光出力モニタ
電圧生成部の電圧変換率を切り替え可能な構成にしてい
るので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、あ
らゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードのパ
ッケージにおいても所定の光出力を得ることができ、ま
た低い光出力設定の場合にも光出力設定値に対するばら
つき量を増大させずに安定した光出力を得ることができ
る。また光出力モニタ電圧生成部を、フォトダイオード
の光検出電流をｎ倍に増幅後にＩ／Ｖ変換する構成にし
ているので、回路規模を小さくすることができる。
制御回路において、フォトダイオードの光検出電流をス
イッチによってｎ倍に切り替え可能にして光出力モニタ
電圧生成部の電圧変換率を切り替え可能な構成にしてい
るので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、あ
らゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードのパ
ッケージにおいても所定の光出力を得ることができ、ま
た低い光出力設定の場合にも光出力設定値に対するばら
つき量を増大させずに安定した光出力を得ることができ
る。また光出力モニタ電圧生成部を、フォトダイオード
の光検出電流をｎ倍に増幅後にＩ／Ｖ変換する構成にし
ているので、回路規模を小さくすることができる。
【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１に係る半
導体レーザの光出力制御回路において、前記光出力モニ
タ電圧生成部は、ゲートがドレインに接続され、ソース
が第１の電源に接続された第１のＭＯＳトランジスタ
と、ゲートが第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続
され、ソースが第１のＭＯＳトランジスタのソースに接
続されたＰ個（Ｐは正の整数）の第２のＭＯＳトランジ
スタと、前記Ｐ個の第２のＭＯＳトランジスタの一部又
は全部の個々のドレインに一端が接続されたＱ個（Ｑは
正の整数、Ｑ≦Ｐ）の電流遮断スイッチとから構成さ
れ、前記Ｑ個の電流遮断スイッチの他端と、前記Ｐ個の
第２のＭＯＳトランジスタのうち前記電流遮断スイッチ
が接続されていない第２のＭＯＳトランジスタのドレイ
ンとの接続点より、第１のＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに供給された光検出電流をｎ倍（ｎは正の実数）に切
り替え可能に変換した電流を取り出し、そのｎ倍に変換
後の電流を電圧変換するように構成されていることを特
徴とするものである。
導体レーザの光出力制御回路において、前記光出力モニ
タ電圧生成部は、ゲートがドレインに接続され、ソース
が第１の電源に接続された第１のＭＯＳトランジスタ
と、ゲートが第１のＭＯＳトランジスタのゲートに接続
され、ソースが第１のＭＯＳトランジスタのソースに接
続されたＰ個（Ｐは正の整数）の第２のＭＯＳトランジ
スタと、前記Ｐ個の第２のＭＯＳトランジスタの一部又
は全部の個々のドレインに一端が接続されたＱ個（Ｑは
正の整数、Ｑ≦Ｐ）の電流遮断スイッチとから構成さ
れ、前記Ｑ個の電流遮断スイッチの他端と、前記Ｐ個の
第２のＭＯＳトランジスタのうち前記電流遮断スイッチ
が接続されていない第２のＭＯＳトランジスタのドレイ
ンとの接続点より、第１のＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに供給された光検出電流をｎ倍（ｎは正の実数）に切
り替え可能に変換した電流を取り出し、そのｎ倍に変換
後の電流を電圧変換するように構成されていることを特
徴とするものである。
【００１１】このように構成した半導体レーザの光出力
制御回路において、光出力モニタ電圧生成部の電圧変換
率を電流遮断スイッチを用いて切り替え可能に構成して
いるので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、
あらゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードの
パッケージにおいても所定の光出力を得ることができ、
また低い光出力設定の場合にも光出力設定値に対するば
らつき量を増大させずに安定した光出力を得ることがで
きる。また光出力モニタ電圧生成部において、フォトダ
イオードの光検出電流をｎ倍に増幅する回路を、第１の
ＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタからな
る簡単なカレントミラー回路と、電流遮断スイッチを組
み合わせて構成しているので、回路規模を小さくするこ
とができる。
制御回路において、光出力モニタ電圧生成部の電圧変換
率を電流遮断スイッチを用いて切り替え可能に構成して
いるので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、
あらゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードの
パッケージにおいても所定の光出力を得ることができ、
また低い光出力設定の場合にも光出力設定値に対するば
らつき量を増大させずに安定した光出力を得ることがで
きる。また光出力モニタ電圧生成部において、フォトダ
イオードの光検出電流をｎ倍に増幅する回路を、第１の
ＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタからな
る簡単なカレントミラー回路と、電流遮断スイッチを組
み合わせて構成しているので、回路規模を小さくするこ
とができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係る半導体レーザの光出力制御回
路の第１の実施の形態を示すブロック構成図で、請求項
１に係る発明に対応する実施の形態である。図１におい
て、１は電源、２は光出力を検出するフォトダイオード
（ＰＤ）、３は基準電圧Ｖref を出力する基準電圧源、
４は後述の光出力モニタ電圧生成部の出力と基準電圧Ｖ
ref との差をレーザ駆動源に負帰還する比較整流回路、
５は比較整流回路４の出力をもとにレーザダイオードの
駆動電流を生成するレーザ駆動回路、６はレーザダイオ
ード（ＬＤ）、７は利得切り替え可能な電流増幅回路、
８はＩ／Ｖ変換回路であり、電流増幅回路７とＩ／Ｖ変
換回路８とで光出力モニタ電圧生成部９を構成してい
る。
る。図１は、本発明に係る半導体レーザの光出力制御回
路の第１の実施の形態を示すブロック構成図で、請求項
１に係る発明に対応する実施の形態である。図１におい
て、１は電源、２は光出力を検出するフォトダイオード
（ＰＤ）、３は基準電圧Ｖref を出力する基準電圧源、
４は後述の光出力モニタ電圧生成部の出力と基準電圧Ｖ
ref との差をレーザ駆動源に負帰還する比較整流回路、
５は比較整流回路４の出力をもとにレーザダイオードの
駆動電流を生成するレーザ駆動回路、６はレーザダイオ
ード（ＬＤ）、７は利得切り替え可能な電流増幅回路、
８はＩ／Ｖ変換回路であり、電流増幅回路７とＩ／Ｖ変
換回路８とで光出力モニタ電圧生成部９を構成してい
る。
【００１３】次に、このように構成した第１の実施の形
態の動作について説明する。利得切り替え可能な電流増
幅回路７において、切り替え可能な利得をＧ1 ，Ｇ2 ，
Ｇ3（Ｇ1 ＜Ｇ2 ＜Ｇ3 ）としたときの、基準電圧源３
の出力電位（Ｖref ）と光出力の関係は、図２に示すよ
うになる。この構成の光出力制御回路においては、光出
力モニタ電圧生成部９の電圧変換率が大きい程、光出力
を小さくするように大きな負帰還制御がかかるため、フ
ォトダイオード２の出力電流を大きな電流に変換する利
得Ｇ3 を選択した場合には、小さな電流に変換する利得
Ｇ1 を選択した場合より、Ｉ／Ｖ変換後の負帰還量が増
大し、基準電圧Ｖref を上昇させたときの光出力の上昇
率（図２における傾き）が小さくなる。
態の動作について説明する。利得切り替え可能な電流増
幅回路７において、切り替え可能な利得をＧ1 ，Ｇ2 ，
Ｇ3（Ｇ1 ＜Ｇ2 ＜Ｇ3 ）としたときの、基準電圧源３
の出力電位（Ｖref ）と光出力の関係は、図２に示すよ
うになる。この構成の光出力制御回路においては、光出
力モニタ電圧生成部９の電圧変換率が大きい程、光出力
を小さくするように大きな負帰還制御がかかるため、フ
ォトダイオード２の出力電流を大きな電流に変換する利
得Ｇ3 を選択した場合には、小さな電流に変換する利得
Ｇ1 を選択した場合より、Ｉ／Ｖ変換後の負帰還量が増
大し、基準電圧Ｖref を上昇させたときの光出力の上昇
率（図２における傾き）が小さくなる。
【００１４】このような構成にすることで、光出力を大
きな値に設定するときには利得の小さいＧ1 を選択して
大きな光出力を得、光出力を小さな値に設定するときに
は利得の大きいＧ3 を選択して基準電圧Ｖref の変動に
対する光出力のばらつきを小さくして、安定した光出力
を得ることが可能となる。
きな値に設定するときには利得の小さいＧ1 を選択して
大きな光出力を得、光出力を小さな値に設定するときに
は利得の大きいＧ3 を選択して基準電圧Ｖref の変動に
対する光出力のばらつきを小さくして、安定した光出力
を得ることが可能となる。
【００１５】また、この実施の形態に係る半導体レーザ
の光出力制御回路においては、光出力モニタ電圧生成部
９を、フォトダイオード（ＰＤ）２の出力電流をスイッ
チによってｎ倍（ｎは正の実数）に増幅した後に、Ｉ／
Ｖ変換する構成にしているので、図10，図11に示した従
来例のような抵抗やオペアンプを多用した光出力モニタ
電圧生成部を用いるより、回路規模を小さくすることが
できる。
の光出力制御回路においては、光出力モニタ電圧生成部
９を、フォトダイオード（ＰＤ）２の出力電流をスイッ
チによってｎ倍（ｎは正の実数）に増幅した後に、Ｉ／
Ｖ変換する構成にしているので、図10，図11に示した従
来例のような抵抗やオペアンプを多用した光出力モニタ
電圧生成部を用いるより、回路規模を小さくすることが
できる。
【００１６】次に、第２の実施の形態を図３に基づいて
説明する。この実施の形態は請求項１及び２に係る発明
に対応するもので、図１に示した第１の実施の形態と同
一又は対応する部材には、同一符号を付して示してい
る。図３において、１は電源、２はフォトダイオード
（ＰＤ）、３は基準電圧源、４は比較整流回路、５はレ
ーザ駆動回路、６はレーザダイオード（ＬＤ）、９は光
出力モニタ電圧生成部である。この光出力モニタ電圧生
成部９は、ゲートがドレインに接続され、ソースを接地
電位10に接続したＮＭＯＳトランジスタ11と、ゲートを
前記ＮＭＯＳトランジスタ11のゲートに接続し、ソース
を接地電位10に接続したＮＭＯＳトランジスタ12，13，
14と、ＮＭＯＳトランジスタ12，13のドレインに一端を
接続し、他端をＮＭＯＳトランジスタ14のドレインに接
続した電流遮断スイッチ17，18と、ゲートとドレインと
を前記電流遮断スイッチ17，18とＮＭＯＳトランジスタ
14のドレインとの接続点Ａに接続し、ソースを電源１に
接続したＰＭＯＳトランジスタ15と、ゲートを前記ＰＭ
ＯＳトランジスタ15のゲートに接続し、ソースを電源１
に接続したＰＭＯＳトランジスタ16と、該ＰＭＯＳトラ
ンジスタ16のドレインに一端を接続し、他端を接地電位
10に接続した抵抗19とで構成されており、フォトダイオ
ード２は前記ＮＭＯＳトランジスタ11のソース及びゲー
トに接続され、比較整流回路４は前記ＰＭＯＳトランジ
スタ16のドレインと抵抗19との接続点Ｂに接続されてい
る。
説明する。この実施の形態は請求項１及び２に係る発明
に対応するもので、図１に示した第１の実施の形態と同
一又は対応する部材には、同一符号を付して示してい
る。図３において、１は電源、２はフォトダイオード
（ＰＤ）、３は基準電圧源、４は比較整流回路、５はレ
ーザ駆動回路、６はレーザダイオード（ＬＤ）、９は光
出力モニタ電圧生成部である。この光出力モニタ電圧生
成部９は、ゲートがドレインに接続され、ソースを接地
電位10に接続したＮＭＯＳトランジスタ11と、ゲートを
前記ＮＭＯＳトランジスタ11のゲートに接続し、ソース
を接地電位10に接続したＮＭＯＳトランジスタ12，13，
14と、ＮＭＯＳトランジスタ12，13のドレインに一端を
接続し、他端をＮＭＯＳトランジスタ14のドレインに接
続した電流遮断スイッチ17，18と、ゲートとドレインと
を前記電流遮断スイッチ17，18とＮＭＯＳトランジスタ
14のドレインとの接続点Ａに接続し、ソースを電源１に
接続したＰＭＯＳトランジスタ15と、ゲートを前記ＰＭ
ＯＳトランジスタ15のゲートに接続し、ソースを電源１
に接続したＰＭＯＳトランジスタ16と、該ＰＭＯＳトラ
ンジスタ16のドレインに一端を接続し、他端を接地電位
10に接続した抵抗19とで構成されており、フォトダイオ
ード２は前記ＮＭＯＳトランジスタ11のソース及びゲー
トに接続され、比較整流回路４は前記ＰＭＯＳトランジ
スタ16のドレインと抵抗19との接続点Ｂに接続されてい
る。
【００１７】そして、前記ＮＭＯＳトランジスタ11，1
2，13，14及びＰＭＯＳトランジスタ15，16は、それぞ
れカレントミラー回路を構成しており、接地電位10が請
求項２中の電源、ＮＭＯＳトランジスタ11が請求項２中
の第１のＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ12
〜14が請求項２中のＰ個のＭＯＳトランジスタ、電流遮
断スイッチ17，18が請求項２中のＱ個の電流遮断スイッ
チ、接続点Ａが請求項２中の接続点Ａにそれぞれ対応し
ている。
2，13，14及びＰＭＯＳトランジスタ15，16は、それぞ
れカレントミラー回路を構成しており、接地電位10が請
求項２中の電源、ＮＭＯＳトランジスタ11が請求項２中
の第１のＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ12
〜14が請求項２中のＰ個のＭＯＳトランジスタ、電流遮
断スイッチ17，18が請求項２中のＱ個の電流遮断スイッ
チ、接続点Ａが請求項２中の接続点Ａにそれぞれ対応し
ている。
【００１８】次に、この実施の形態の動作について説明
する。光出力モニタ電圧生成部９において、ＮＭＯＳト
ランジスタ11〜14のゲート長を同一とし、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ11のゲート幅をＷ，ＮＭＯＳトランジスタ12，
14のゲート幅を 0.4×Ｗ，ＮＭＯＳトランジスタ13のゲ
ート幅を 0.8×Ｗとし、ＮＭＯＳトランジスタ11のソー
スに供給されるフォトダイオード（ＰＤ）２の出力電流
値をＩｍとすると、接続点Ａより取り出せる電流値は、
電流遮断スイッチ17，18の開閉の組み合わせにより、次
のように表される。 スイッチ(17)が開、スイッチ(18)が開の場合 0.4×Ｉｍ スイッチ(17)が閉、スイッチ(18)が開の場合 0.8×Ｉｍ スイッチ(17)が開、スイッチ(18)が閉の場合 1.2×Ｉｍ スイッチ(17)が閉、スイッチ(18)が閉の場合 1.6×Ｉｍ
する。光出力モニタ電圧生成部９において、ＮＭＯＳト
ランジスタ11〜14のゲート長を同一とし、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ11のゲート幅をＷ，ＮＭＯＳトランジスタ12，
14のゲート幅を 0.4×Ｗ，ＮＭＯＳトランジスタ13のゲ
ート幅を 0.8×Ｗとし、ＮＭＯＳトランジスタ11のソー
スに供給されるフォトダイオード（ＰＤ）２の出力電流
値をＩｍとすると、接続点Ａより取り出せる電流値は、
電流遮断スイッチ17，18の開閉の組み合わせにより、次
のように表される。 スイッチ(17)が開、スイッチ(18)が開の場合 0.4×Ｉｍ スイッチ(17)が閉、スイッチ(18)が開の場合 0.8×Ｉｍ スイッチ(17)が開、スイッチ(18)が閉の場合 1.2×Ｉｍ スイッチ(17)が閉、スイッチ(18)が閉の場合 1.6×Ｉｍ
【００１９】そして、この接続点Ａより取り出した電流
を抵抗19に供給することでＩ／Ｖ変換し、これにより光
出力モニタ電圧生成部９の電圧変換率を切り替えるよう
にしている。
を抵抗19に供給することでＩ／Ｖ変換し、これにより光
出力モニタ電圧生成部９の電圧変換率を切り替えるよう
にしている。
【００２０】このような構成にすることで、光出力を大
きな値に設定するときには、接続点Ａより取り出せる電
流値が小さくなるように電流遮断スイッチ17，18を切り
替えて大きな光出力を得、光出力を小さな値に設定する
ときには、接続点Ａより取り出せる電流値が大きくなる
ように電流遮断スイッチ17，18を切り替えて、基準電圧
源３の出力電位（Ｖref ）の変動に対する光出力のばら
つきを小さくして、安定した光出力を得ることが可能と
なる。
きな値に設定するときには、接続点Ａより取り出せる電
流値が小さくなるように電流遮断スイッチ17，18を切り
替えて大きな光出力を得、光出力を小さな値に設定する
ときには、接続点Ａより取り出せる電流値が大きくなる
ように電流遮断スイッチ17，18を切り替えて、基準電圧
源３の出力電位（Ｖref ）の変動に対する光出力のばら
つきを小さくして、安定した光出力を得ることが可能と
なる。
【００２１】また、この実施の形態に係る半導体レーザ
の光出力制御回路においては、フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）２の出力電流をスイッチによってｎ倍（ｎは正の実
数）に増幅する電流増幅部を、ＮＭＯＳトランジスタ11
〜14からなる簡単なカレントミラー回路と、電流遮断ス
イッチ17，18とを組み合わせて構成し、その電流増幅部
を用いて光出力モニタ電圧生成部９を構成するようにし
ているので、図10，図11に示した従来例のような、抵抗
やオペアンプを多用した光出力モニタ電圧生成部を用い
るより、回路規模を小さくすることができる。
の光出力制御回路においては、フォトダイオード（Ｐ
Ｄ）２の出力電流をスイッチによってｎ倍（ｎは正の実
数）に増幅する電流増幅部を、ＮＭＯＳトランジスタ11
〜14からなる簡単なカレントミラー回路と、電流遮断ス
イッチ17，18とを組み合わせて構成し、その電流増幅部
を用いて光出力モニタ電圧生成部９を構成するようにし
ているので、図10，図11に示した従来例のような、抵抗
やオペアンプを多用した光出力モニタ電圧生成部を用い
るより、回路規模を小さくすることができる。
【００２２】図４は、図３に示した第２の実施の形態に
おける各構成部材を、更に具体的な回路構成で示した第
３の実施の形態を示す図であり、図３に示した第２の実
施の形態と対応する部分には同一の符号を付して示して
いる。この実施の形態において、20〜23は抵抗、24はオ
ペアンプ、25は容量、26はＮＭＯＳトランジスタ、1
7′，18′はＮＭＯＳトランジスタ、27，28はスイッチ
制御用可変電圧源であり、抵抗20〜22，オペアンプ24，
容量25で比較整流回路４を構成しており、ＰＭＯＳトラ
ンジスタ26，抵抗23でレーザ駆動回路５が構成されてお
り、ＮＭＯＳトランジスタ17′及び18′で電流遮断スイ
ッチが構成されている。
おける各構成部材を、更に具体的な回路構成で示した第
３の実施の形態を示す図であり、図３に示した第２の実
施の形態と対応する部分には同一の符号を付して示して
いる。この実施の形態において、20〜23は抵抗、24はオ
ペアンプ、25は容量、26はＮＭＯＳトランジスタ、1
7′，18′はＮＭＯＳトランジスタ、27，28はスイッチ
制御用可変電圧源であり、抵抗20〜22，オペアンプ24，
容量25で比較整流回路４を構成しており、ＰＭＯＳトラ
ンジスタ26，抵抗23でレーザ駆動回路５が構成されてお
り、ＮＭＯＳトランジスタ17′及び18′で電流遮断スイ
ッチが構成されている。
【００２３】ここで、ＮＭＯＳトランジスタ17′，18′
からなる電流遮断スイッチは、それぞれ可変電圧源27，
28の出力（Ｖswa ，Ｖswb ）が高い時にスイッチ閉、低
い時にスイッチ開となり、スイッチ制御が可変電圧源2
7，28の出力Ｖswa 及びＶswbの高→低、又は低→高電圧
への切り替えで行われるようになっている。
からなる電流遮断スイッチは、それぞれ可変電圧源27，
28の出力（Ｖswa ，Ｖswb ）が高い時にスイッチ閉、低
い時にスイッチ開となり、スイッチ制御が可変電圧源2
7，28の出力Ｖswa 及びＶswbの高→低、又は低→高電圧
への切り替えで行われるようになっている。
【００２４】次に、この実施の形態の動作について説明
する。光出力モニタ電圧生成部９において、ＮＭＯＳト
ランジスタ11〜14のゲート長を同一とし、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ11のゲート幅をＷ，ＮＭＯＳトランジスタ12，
14のゲート幅を 0.4×Ｗ，ＮＭＯＳトランジスタ13のゲ
ート幅を 0.8×Ｗとし、ＰＭＯＳトランジスタ15，16の
サイズを同一とし、ＮＭＯＳトランジスタ11のソースに
供給されるフォトダイオード（ＰＤ）２の出力電流値を
Ｉｍとすると、Ｉｍを増幅して接続点Ａに出力するＮＭ
ＯＳトランジスタ11〜14，ＮＭＯＳトランジスタ17′，
18′からなる電流増幅部の電流増幅率（Ｇi ）は、電流
遮断スイッチ（ＮＭＯＳトランジスタ17′，18′）の開
閉の組み合わせにより、次のように表される。 スイッチ（17′) が開、スイッチ（18′) が開の場合 Ｇi ＝ 0.4 スイッチ（17′) が閉、スイッチ（18′) が開の場合 Ｇi ＝ 0.8 スイッチ（17′) が開、スイッチ（18′) が閉の場合 Ｇi ＝ 1.2 スイッチ（17′) が閉、スイッチ（18′) が閉の場合 Ｇi ＝ 1.6
する。光出力モニタ電圧生成部９において、ＮＭＯＳト
ランジスタ11〜14のゲート長を同一とし、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ11のゲート幅をＷ，ＮＭＯＳトランジスタ12，
14のゲート幅を 0.4×Ｗ，ＮＭＯＳトランジスタ13のゲ
ート幅を 0.8×Ｗとし、ＰＭＯＳトランジスタ15，16の
サイズを同一とし、ＮＭＯＳトランジスタ11のソースに
供給されるフォトダイオード（ＰＤ）２の出力電流値を
Ｉｍとすると、Ｉｍを増幅して接続点Ａに出力するＮＭ
ＯＳトランジスタ11〜14，ＮＭＯＳトランジスタ17′，
18′からなる電流増幅部の電流増幅率（Ｇi ）は、電流
遮断スイッチ（ＮＭＯＳトランジスタ17′，18′）の開
閉の組み合わせにより、次のように表される。 スイッチ（17′) が開、スイッチ（18′) が開の場合 Ｇi ＝ 0.4 スイッチ（17′) が閉、スイッチ（18′) が開の場合 Ｇi ＝ 0.8 スイッチ（17′) が開、スイッチ（18′) が閉の場合 Ｇi ＝ 1.2 スイッチ（17′) が閉、スイッチ（18′) が閉の場合 Ｇi ＝ 1.6
【００２５】ここで、電流増幅率Ｇi を用いて基準電圧
源３の出力（基準電圧）Ｖref と光出力pwの関係式を導
くと、次式（１）のように表される。但し、レーザダイ
オード（ＬＤ）６に流れる電流の光出力への変換率をa
p，光出力のフォトダイオード出力電流値Ｉｍへの変換
率をai，ＰＭＯＳトランジスタ26のゲート−ソース間電
圧をＶgs，抵抗19の抵抗値をＲ1 ，抵抗20の抵抗値をＲ
2 ，抵抗21の抵抗値をＲ3 ，抵抗23の抵抗値をＲ4 と
し、Ｒ3 はＲ1 より非常に大きい値であり、接続点Ｂか
ら抵抗20へ流れる電流Ｉ0 は０Ａとみなせるものとす
る。 pw＝〔｛Ｖref −（pw×ai×Ｇi ×Ｒ1 −Ｖref)／Ｒ2 ×Ｒ3 ｝−Ｖgs〕 ／Ｒ4 ×ap ・・・・・・・・・・・・・・・・・（１）
源３の出力（基準電圧）Ｖref と光出力pwの関係式を導
くと、次式（１）のように表される。但し、レーザダイ
オード（ＬＤ）６に流れる電流の光出力への変換率をa
p，光出力のフォトダイオード出力電流値Ｉｍへの変換
率をai，ＰＭＯＳトランジスタ26のゲート−ソース間電
圧をＶgs，抵抗19の抵抗値をＲ1 ，抵抗20の抵抗値をＲ
2 ，抵抗21の抵抗値をＲ3 ，抵抗23の抵抗値をＲ4 と
し、Ｒ3 はＲ1 より非常に大きい値であり、接続点Ｂか
ら抵抗20へ流れる電流Ｉ0 は０Ａとみなせるものとす
る。 pw＝〔｛Ｖref −（pw×ai×Ｇi ×Ｒ1 −Ｖref)／Ｒ2 ×Ｒ3 ｝−Ｖgs〕 ／Ｒ4 ×ap ・・・・・・・・・・・・・・・・・（１）
【００２６】上記（１）式を整理すると、次式（２）の
ように表される。 pw＝〔｛Ｖref ×（Ｒ2 ×ap＋ap×Ｒ3 ）−Ｒ2 ×ap×Ｖgs｝ ／（Ｒ4 ×Ｒ2 ＋Ｇi ×Ｒ1 ×Ｒ3 ×ai×ap） ・・・・・・・（２）
ように表される。 pw＝〔｛Ｖref ×（Ｒ2 ×ap＋ap×Ｒ3 ）−Ｒ2 ×ap×Ｖgs｝ ／（Ｒ4 ×Ｒ2 ＋Ｇi ×Ｒ1 ×Ｒ3 ×ai×ap） ・・・・・・・（２）
【００２７】ここで、Ｒ3 ≫Ｒ4 ×Ｒ2 ，Ｒ3 ≫Ｒ2 ×
ap×Ｖgs，Ｒ3 ≫Ｒ2 ×apとすると、上記（２）式は次
式（３）のように表される。 pw＝Ｖref ／（Ｇi ×Ｒ1 ×ai） ・・・・・・・・・・（３）
ap×Ｖgs，Ｒ3 ≫Ｒ2 ×apとすると、上記（２）式は次
式（３）のように表される。 pw＝Ｖref ／（Ｇi ×Ｒ1 ×ai） ・・・・・・・・・・（３）
【００２８】上記（３）式からわかるように、光出力pw
のＶref に対する変化率は電流増幅率Ｇi の値に反比例
する関係となる。したがって、Ｖref と光出力の関係は
図５に示すようになる。
のＶref に対する変化率は電流増幅率Ｇi の値に反比例
する関係となる。したがって、Ｖref と光出力の関係は
図５に示すようになる。
【００２９】以上より、この実施の形態では、光出力を
大きい値に設定するときには、電流増幅率Ｇi の値が小
さくなるように電流遮断スイッチ（ＮＭＯＳトランジス
タ17′，18′）を制御して大きな光出力を得、光出力を
小さい値に設定するときには、電流増幅率Ｇi の値が大
きくなるように電流遮断スイッチ（ＮＭＯＳトランジス
タ17′，18′）を制御して、基準電圧Ｖref の変動によ
る光出力のばらつきを抑えることができる。
大きい値に設定するときには、電流増幅率Ｇi の値が小
さくなるように電流遮断スイッチ（ＮＭＯＳトランジス
タ17′，18′）を制御して大きな光出力を得、光出力を
小さい値に設定するときには、電流増幅率Ｇi の値が大
きくなるように電流遮断スイッチ（ＮＭＯＳトランジス
タ17′，18′）を制御して、基準電圧Ｖref の変動によ
る光出力のばらつきを抑えることができる。
【００３０】なお、上記第３の実施の形態の構成は、当
然、各種の変形、変更が可能である。例えば、図６は、
図４に示した第３の実施の形態の構成において、レーザ
ダイオード（ＬＤ）及びフォトダイオード（ＰＤ）を接
地電位側に接続し、図４において11〜14のＮＭＯＳトラ
ンジスタで構成されたカレントミラー部を図６の11〜14
のＰＭＯＳトランジスタで、図４において17，18のＮＭ
ＯＳトランジスタで構成されたスイッチ部を図６の17，
18のＰＭＯＳトランジスタで、図４において15，16のＰ
ＭＯＳトランジスタで構成されたカレントミラー部を図
６の15，16のＮＭＯＳトランジスタで、図４において26
のＮＭＯＳトランジスタで構成されたＬＤ駆動部を図６
の26のＰＭＯＳトランジスタで構成した場合の第３の実
施の形態の変形例の回路構成を示す図であり、対応する
部材には便宜上同一符号を付して示している。この変形
例の動作は図４に示した第３の実施の形態と同様であ
り、同様の効果が得られる。但し、図６に示す変形例に
おいて、電流遮断スイッチ（ＰＭＯＳトランジスタ1
7′，18′）は、それぞれ可変電圧源27，28の出力電圧
（Ｖswa ，Ｖswb ）が低い時にスイッチ閉、高い時にス
イッチ開となる。
然、各種の変形、変更が可能である。例えば、図６は、
図４に示した第３の実施の形態の構成において、レーザ
ダイオード（ＬＤ）及びフォトダイオード（ＰＤ）を接
地電位側に接続し、図４において11〜14のＮＭＯＳトラ
ンジスタで構成されたカレントミラー部を図６の11〜14
のＰＭＯＳトランジスタで、図４において17，18のＮＭ
ＯＳトランジスタで構成されたスイッチ部を図６の17，
18のＰＭＯＳトランジスタで、図４において15，16のＰ
ＭＯＳトランジスタで構成されたカレントミラー部を図
６の15，16のＮＭＯＳトランジスタで、図４において26
のＮＭＯＳトランジスタで構成されたＬＤ駆動部を図６
の26のＰＭＯＳトランジスタで構成した場合の第３の実
施の形態の変形例の回路構成を示す図であり、対応する
部材には便宜上同一符号を付して示している。この変形
例の動作は図４に示した第３の実施の形態と同様であ
り、同様の効果が得られる。但し、図６に示す変形例に
おいて、電流遮断スイッチ（ＰＭＯＳトランジスタ1
7′，18′）は、それぞれ可変電圧源27，28の出力電圧
（Ｖswa ，Ｖswb ）が低い時にスイッチ閉、高い時にス
イッチ開となる。
【００３１】また、図７は、図３に示した第２の実施の
形態において、その光出力モニタ電圧生成部９に対し
て、光出力パワーダウン用のＭＯＳトランジスタを用い
たスイッチ30，31を付加して構成した第２の実施の形態
の変形例を示す図であり、パワーダウン用スイッチがＯ
Ｎ（スイッチ30を構成するＮＭＯＳトランジスタのゲー
ト電位が高電位、スイッチ31を構成するＰＭＯＳトラン
ジスタのゲート電位が低電位）の状態においては、光出
力は低出力に固定される。パワーダウン用スイッチがＯ
ＦＦ（スイッチ30用のＮＭＯＳトランジスタのゲート電
位が低電位、スイッチ31用のＰＭＯＳトランジスタの電
位が高電位）にした後の作用は、図３に示した第２の実
施の形態と同様であり、同様の効果が得られる。
形態において、その光出力モニタ電圧生成部９に対し
て、光出力パワーダウン用のＭＯＳトランジスタを用い
たスイッチ30，31を付加して構成した第２の実施の形態
の変形例を示す図であり、パワーダウン用スイッチがＯ
Ｎ（スイッチ30を構成するＮＭＯＳトランジスタのゲー
ト電位が高電位、スイッチ31を構成するＰＭＯＳトラン
ジスタのゲート電位が低電位）の状態においては、光出
力は低出力に固定される。パワーダウン用スイッチがＯ
ＦＦ（スイッチ30用のＮＭＯＳトランジスタのゲート電
位が低電位、スイッチ31用のＰＭＯＳトランジスタの電
位が高電位）にした後の作用は、図３に示した第２の実
施の形態と同様であり、同様の効果が得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、フォトダイオードの光検出電流を
スイッチによってｎ倍に切り替え可能にして光出力モニ
タ電圧生成部の電圧変換率を切り替え可能な構成にして
いるので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、
あらゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードの
パッケージにおいても所定の光出力を得ることができ、
また低い光出力設定の場合にも光出力設定値に対するば
らつき量を増大させずに安定した光出力を得ることがで
きる。また光出力モニタ電圧生成部を、フォトダイオー
ドの光検出電流をｎ倍に増幅後にＩ／Ｖ変換する構成に
しているので、回路規模を小さくすることができる。
に、本発明によれば、フォトダイオードの光検出電流を
スイッチによってｎ倍に切り替え可能にして光出力モニ
タ電圧生成部の電圧変換率を切り替え可能な構成にして
いるので、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、
あらゆる特性のレーザダイオードとフォトダイオードの
パッケージにおいても所定の光出力を得ることができ、
また低い光出力設定の場合にも光出力設定値に対するば
らつき量を増大させずに安定した光出力を得ることがで
きる。また光出力モニタ電圧生成部を、フォトダイオー
ドの光検出電流をｎ倍に増幅後にＩ／Ｖ変換する構成に
しているので、回路規模を小さくすることができる。
【図１】本発明に係る半導体レーザの光出力制御回路の
第１の実施の形態を示すブロック構成図である。
第１の実施の形態を示すブロック構成図である。
【図２】図１に示した第１の実施の形態における基準電
圧源の出力電位Ｖref と光出力との関係を示す図であ
る。
圧源の出力電位Ｖref と光出力との関係を示す図であ
る。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す回路構成図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示す回路構成図で
ある。
ある。
【図５】第３の実施の形態における基準電圧源の出力電
位Ｖref と光出力との関係を示す図である。
位Ｖref と光出力との関係を示す図である。
【図６】図４に示した第３の実施の形態の変形例を示す
図である。
図である。
【図７】図３に示した第２の実施の形態の変形例を示す
図である。
図である。
【図８】従来の半導体レーザの光出力制御回路の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図９】図８に示した従来例における基準電圧源の出力
電位Ｖref と光出力との関係を示す図である。
電位Ｖref と光出力との関係を示す図である。
【図10】従来の半導体レーザの光出力制御回路の他の構
成例の主要部を示す図である。
成例の主要部を示す図である。
【図11】従来の半導体レーザの光出力制御回路の更に他
の構成例の主要部を示す図である。
の構成例の主要部を示す図である。
１ 電源
２ フォトダイオード
３ 基準電圧源
４ 比較整流回路
５ レーザ駆動回路
６ レーザダイオード
７ 利得切り替え可能な電流増幅回路
８ Ｉ／Ｖ変換回路
９ 光出力モニタ電圧生成部
10 接地電位
11,12,13,14,17',18',26 ＮＭＯＳトランジスタ
15，16 ＰＭＯＳトランジスタ
17，18 電流遮断スイッチ
19,20,21,22,23 抵抗
24 オペアンプ
25 容量
27，28 スイッチ制御用可変電源
30，31 スイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザの光出力をフォトダイオー
ドによって検出し、当該検出値を処理してレーザ駆動回
路に負帰還することにより光出力を制御する半導体レー
ザの光出力制御回路において、前記半導体レーザの光出
力を検出して処理する光検出値処理回路は、フォトダイ
オードの出力である光検出電流を、スイッチによってｎ
倍（ｎは正の実数）に切り替え可能に変換した電流を電
圧変換する光出力モニタ電圧生成部を備えていることを
特徴とする半導体レーザの光出力制御回路。 - 【請求項２】 前記光出力モニタ電圧生成部は、ゲート
がドレインに接続され、ソースが第１の電源に接続され
た第１のＭＯＳトランジスタと、ゲートが第１のＭＯＳ
トランジスタのゲートに接続され、ソースが第１のＭＯ
Ｓトランジスタのソースに接続されたＰ個（Ｐは正の整
数）の第２のＭＯＳトランジスタと、前記Ｐ個の第２の
ＭＯＳトランジスタの一部又は全部の個々のドレインに
一端が接続されたＱ個（Ｑは正の整数、Ｑ≦Ｐ）の電流
遮断スイッチとから構成され、前記Ｑ個の電流遮断スイ
ッチの他端と、前記Ｐ個の第２のＭＯＳトランジスタの
うち前記電流遮断スイッチが接続されていない第２のＭ
ＯＳトランジスタのドレインとの接続点より、第１のＭ
ＯＳトランジスタのドレインに供給された光検出電流を
ｎ倍（ｎは正の実数）に切り替え可能に変換した電流を
取り出し、そのｎ倍に変換後の電流を電圧変換するよう
に構成されていることを特徴とする請求項１に係る半導
体レーザの光出力制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184294A JP2003008139A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 半導体レーザの光出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001184294A JP2003008139A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 半導体レーザの光出力制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008139A true JP2003008139A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19024082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001184294A Withdrawn JP2003008139A (ja) | 2001-06-19 | 2001-06-19 | 半導体レーザの光出力制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008139A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066592A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
| US7986720B2 (en) | 2008-06-27 | 2011-07-26 | Nec Corporation | Circuit and method for driving light-emitting element and optical transmitter |
| CN105842705A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-10 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 光功率控制系统、控制方法及激光多普勒测速仪 |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001184294A patent/JP2003008139A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066592A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
| US7986720B2 (en) | 2008-06-27 | 2011-07-26 | Nec Corporation | Circuit and method for driving light-emitting element and optical transmitter |
| CN105842705A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-10 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 光功率控制系统、控制方法及激光多普勒测速仪 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3782726B2 (ja) | 過電流保護回路 | |
| JP4805699B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7576524B2 (en) | Constant voltage generating apparatus with simple overcurrent/short-circuit protection circuit | |
| US7615973B2 (en) | Adder and current mode switching regulator | |
| JP4834347B2 (ja) | 定電流回路 | |
| US8665020B2 (en) | Differential amplifier circuit that can change current flowing through a constant-current source according to load variation, and series regulator including the same | |
| US7304540B2 (en) | Source follower and current feedback circuit thereof | |
| US20020036536A1 (en) | Constant current generation circuit, constant voltage generation circuit, constant voltage/constant current generation circuit, and amplification circuit | |
| US5933051A (en) | Constant-voltage generating device | |
| KR20060058644A (ko) | 출력 스테이지, 증폭기 제어 루프 및 출력 스테이지의 용도 | |
| JP2001147726A (ja) | ボルテージ・レギュレータ | |
| JP2006351945A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US7304525B2 (en) | Level converter | |
| TWI275919B (en) | Quick-recovery low dropout linear regulator | |
| JP4108321B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2021141587A (ja) | 電流−電圧信号変換器 | |
| JP2006133934A (ja) | 電源装置、及び携帯機器 | |
| JP2003008139A (ja) | 半導体レーザの光出力制御回路 | |
| JP2007233657A (ja) | 増幅器とそれを用いた降圧レギュレータ及び演算増幅器 | |
| US6917322B2 (en) | I/V converter circuit and D/A converter | |
| JP2010258509A (ja) | バイアス安定化機能付き増幅回路 | |
| JP2008085588A (ja) | 受光回路 | |
| JP4251826B2 (ja) | 定電圧回路 | |
| JP2007318723A (ja) | 電力増幅器 | |
| JP4068590B2 (ja) | 電流電圧変換回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080902 |