JP2003008135A - 半導体発光装置、その製造方法及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低出力時においても相対雑音強度が小さい半
導体発光装置を実現できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１１上には、ｎ型半導体部１
２と、活性層１３と、ｐ型半導体部１４とからなるレー
ザ素子構造体が形成されている。ｐ型半導体層１４の最
上層に含まれるｐ型コンタクト層の上には、ストライプ
状のｐ側電極１５が形成されている。ｐ側電極１５は、
活性層１３における出射端面１３ａ側を第１電極部１５
ａと、反射端面１３ｂ側を第１電極部１５ａよりも長手
方向の寸法が小さい第２電極部１５ｂとから構成されて
いる。半導体基板１１における活性層１３が形成された
素子形成面と反対側の面上には、ｎ側電極１６が形成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低出力時における
雑音特性が向上する半導体発光装置、その製造方法及び
その駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１４は倉又他：ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス３７（１９９
８）Ｌ１３７３ (A. Kuramata et al., Jpn. J. Appl.
Phys.37(1998) L1373)等に開示されている、従来の屈折
率導波型の半導体レーザ素子を示している。

【０００３】図１４に示すように、サファイアからなる
基板１０１上には、例えば、それぞれがIII-Ｖ族化合物
半導体からなり、ｎ型コンタクト層を含むｎ型半導体部
１０２、活性層１０３、及びｐ型コンタクト層を含むｐ
型半導体部１０４が結晶成長により形成されている。

【０００４】ｐ型半導体部１０４におけるｐ型コンタク
ト層の上部はストライプ状にパターニングされたリッジ
部を有し、該リッジ部上の全面にｐ側電極１０５が形成
されている。ここで、活性層１０３におけるｐ側電極１
０５の下側の領域がレーザ発振を起こす共振器となる。

【０００５】ｎ型半導体部１０２のｎ型コンタクト層
は、ｐ側電極１０５の一方の側方領域が露出されてお
り、該露出面上にはｎ側電極１０６がほぼ全面に形成さ
れている。

【０００６】ｐ側電極１０５からｎ側電極１０６に向け
て順方向に駆動電流を流し、該駆動電流の値が所定の発
振閾電流値を超えると、活性層１０３の一方の端面から
レーザ光が出射される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１４に示したような
半導体レーザ素子を用いて、光ディスク装置、例えば高
密度デジタルバーサタイル（ビデオ）ディスク（ＨＤ−
ＤＶＤ）装置に対して書き込み動作を行なう際に、紫色
レーザ光を用いる場合には３０ｍＷ以上の出力値が必要
となる。逆に、読み出し動作時の紫色レーザ光の出力値
は１ｍＷ程度と小さくする必要がある。

【０００８】ところが、読み出し動作時において、従来
の半導体レーザ素子は、駆動電流に高周波を重畳したと
しても、出力値を低下するに従って相対雑音強度が増大
してしまうという問題がある。これは、レーザ発振をそ
の発振閾値とほぼ同等の注入電流値で行なわせるため、
レーザ発振の緩和振動の影響によって相対雑音強度が増
大するためである。

【０００９】また、レーザ発振の閾値電流と同程度の注
入電流値で発振させることから、単一モード性が低下し
てしまい、マルチモード成分が生ずることにより、相対
雑音強度が増大することにもなる。

【００１０】相対雑音強度を低減するには、緩和振動周
波数を大きくする必要がある。その方法の１つに微分利
得を増大することが考えられる。レーザ発振の微分利得
を増大するには、光吸収領域を形成することにより、発
振閾値を大きくすれば良い。

【００１１】また、他の方法として、スロープ効率（微
分効率）を低下させて、１ｍＷ程度のレーザ出力に必要
な電流値を増大させることにより、動作電流値を発振閾
値よりも大きく設定するようにすれば良い。

【００１２】なお、半導体レーザ素子の雑音を低減する
には、共振器端面の反射率を増大することによっても実
現することができるが、この場合はレーザ光の出力（光
出力）値も低下してしまう。従って、前述したように、
ＨＤ−ＤＶＤ装置が書き込み動作を行なう際には高出力
な発光光が必要となるため、光出力値が低下してしまう
ような端面反射率を増大させるという手段を採ることは
できない。

【００１３】また、半導体レーザ素子に自励発振を生じ
させる場合には、活性層１０３又はその近傍に半導体か
らなる光吸収層を設ける必要がある。しかしながら、こ
のような光吸収層を半導体レーザ装置自体に設けると、
高出力値を得にくいという問題がある。

【００１４】本発明は、前記従来の問題を解決し、低出
力時においても相対雑音強度が小さい半導体発光装置を
実現できるようにすることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、ｐ側電極又はｎ側電極を分割して、低出
力動作を要求される読み出し時には、分割した電極の一
部にのみ駆動電流を印加する構成とする。

【００１６】具体的に、本発明に係る半導体発光装置
は、基板上にほぼ一様な膜厚に形成された第１導電型の
第１の半導体層と、第１の半導体層の上にほぼ一様な膜
厚に形成された第２導電型の第２の半導体層と、第１の
半導体層と第２の半導体層との間にほぼ一様な膜厚に形
成され、発光光を生成する活性層と、第１の半導体層に
駆動電流を供給する第１の電極と、第２の半導体層に駆
動電流を供給する第２の電極とを備え、第１の電極又は
第２の電極は、互いに間隔をおいた複数の導電性部材か
らなる分割電極である。

【００１７】本発明の半導体発光装置によると、活性層
を挟む第１の半導体層及び第２の半導体層と、第１の半
導体層に駆動電流を供給する第１の電極と、第２の半導
体層に駆動電流を供給する第２の電極とを備えており、
第１の電極又は第２の電極が、互いに間隔をおいた複数
の導電性部材からなる分割電極としている。このため、
高出力動作時には、分割電極の全部に対して駆動電流を
印加する。一方、低出力動作時には、分割電極のうちの
一部に対して駆動電流を印加して、活性層に対して駆動
電流を不均一に注入することにより、活性層に光吸収領
域を形成する。これにより、発振閾電流値が大きくなる
ため、レーザ発振の微分利得が増大して、低出力時の相
対雑音強度を小さくすることができる。

【００１８】本発明の半導体発光装置において、分割電
極が、基板上における活性層が形成されている主面側に
設けられていることが好ましい。

【００１９】本発明の半導体発光装置において、第２の
電極が活性層に共振器を形成するストライプパターンを
有しており、分割電極が共振器における出射端面側と反
射端面側とを分けるように分割されていることが好まし
い。

【００２０】本発明の半導体発光装置において、第１の
電極及び第２の電極が、基板上における活性層が形成さ
れている主面側に設けられていることが好ましい。

【００２１】本発明の半導体発光装置において、分割電
極が、活性層にホールを注入するｐ側電極であることが
好ましい。

【００２２】この場合に、ｐ側電極が第２の半導体層の
上に形成されたストライプパターンを有し、ｐ側電極に
おける複数の導電性部材同士の間隔が約１０μｍ以下で
あることが好ましい。

【００２３】本発明の半導体発光装置において、分割電
極が活性層に電子を注入するｎ側電極であることが好ま
しい。

【００２４】この場合に、ｎ側電極が第１の半導体層に
おけるｐ側電極の一方の側方に露出した領域上に形成さ
れており、ｎ側電極における複数の導電性部材同士の間
隔は約５μｍ以上であることが好ましい。

【００２５】また、この場合に、第２の電極が第２の半
導体層の上に形成されたストライプパターンを持つｐ側
電極であり、ｎ側電極が第１の半導体層におけるｐ側電
極の一方の側方に露出した領域上に形成された第１電極
部及び第２電極部からなり、、第１電極部及び第２電極
部との間に形成される分割領域は、前記ｐ側電極が延び
る方向と基板面内で垂直な方向に対して０°よりも大き
く且つ９０°よりも小さい傾斜角度を持つように設けら
れていることが好ましい。

【００２６】また、この場合に、第２の電極が第２の半
導体層の上に形成されたストライプパターンを持つｐ側
電極であり、第１の半導体層がｐ側電極の両側方に露出
しており、ｎ側電極が、第１の半導体層におけるｐ側電
極の一方の側方の領域上に形成された第１電極部と、第
１の半導体層におけるｐ側電極の他方の側方の領域上に
形成された第２電極部とからなり、第１電極部と第２電
極部とが、ｐ側電極に対して各平面形状が非対称となる
ように形成されていることが好ましい。

【００２７】本発明の半導体発光装置において、基板が
導電性を有しており、分割電極が、基板における活性層
が形成されている主面と反対側の面上に設けられた第１
電極部と、基板における活性層が形成されている主面側
に設けられた第２電極部とから構成されていることが好
ましい。

【００２８】この場合に、分割電極がｎ側電極であっ
て、第１電極部が基板の主面と反対側の面上のほぼ全面
に設けられ、第２電極部がｐ側電極の側方の領域の一部
に設けられており、第２の電極が第２の半導体層の上に
形成されたストライプパターンを持つｐ側電極であるこ
とが好ましい。

【００２９】本発明の半導体発光装置において、活性層
がその組成に窒素を含む化合物半導体からなることが好
ましい。

【００３０】また、本発明の半導体発光装置において、
活性層がその組成にリンを含む化合物半導体からなるこ
とが好ましい。

【００３１】本発明に係る第１の半導体発光装置の製造
方法は、基板上に、第１導電型の第１の半導体層、活性
層及び第２導電型の第２の半導体層を、それぞれがほぼ
一様な膜厚で順次成長する工程と、第１の半導体層の一
部を露出した後、露出した第１の半導体層の上に第１の
電極を形成する工程と、第２の半導体層の上に第２の電
極を形成する工程と、第１の電極又は第２の電極を複数
の電極に絶縁分離することにより分割電極を形成する工
程とを備えている。

【００３２】第１の半導体発光装置の製造方法による
と、第１の半導体層に駆動電流を供給する第１の電極
と、第２の半導体層に駆動電流を供給する第２の電極と
を形成し、その後、第１の電極又は第２の電極を複数の
電極に絶縁分離することにより、分割電極を形成する。
このため、本発明の半導体発光装置を確実に得ることが
できる。

【００３３】第１の半導体発光装置の製造方法におい
て、分割電極を形成する工程はエッチング法を用いるこ
とが好ましい。

【００３４】また、第１の半導体発光装置の製造方法に
おいて、分割電極を形成する工程はリフトオフ法を用い
ることが好ましい。

【００３５】本発明に係る第２の半導体発光装置の製造
方法は、基板上に、第１導電型の第１の半導体層、活性
層及び第２導電型の第２の半導体層を、それぞれがほぼ
一様な膜厚で順次成長する工程と、第１の半導体層の一
部を露出した後、露出した第１の半導体層の上に第１の
ｎ側電極を形成する工程と、基板における活性層と反対
側の面上に第２のｎ側電極を形成する工程と、第２の半
導体層の上にｐ側電極を形成する工程とを備えている。

【００３６】第２の半導体発光装置の製造方法による
と、ｎ側電極を、第１の半導体層上の第１のｎ側電極
と、基板における活性層と反対側の面上に第２のｎ側電
極を形成するため、ｎ側電極が分割電極となる。これに
より、本発明の半導体発光装置を確実に得ることができ
る。

【００３７】第１又は第２の半導体発光装置の製造方法
において、活性層がその組成に窒素を含む化合物半導体
からなることが好ましい。

【００３８】第１又は第２の半導体発光装置の製造方法
において、活性層がその組成にリンを含む化合物半導体
からなることが好ましい。

【００３９】本発明に係る第１の半導体発光装置の駆動
方法は、基板上に形成された第１導電型の第１の半導体
層と、第１の半導体層の上に形成された第２導電型の第
２の半導体層と、第１の半導体層と第２の半導体層との
間に形成され、発光光を生成する活性層と、第１の半導
体層に駆動電流を供給する第１の電極と、第２の半導体
層に駆動電流を供給するストライプ形状を有する第２の
電極とを備え、第１の電極又は第２の電極を第２の電極
が延びる方向に分割された分割電極とする半導体発光装
置を対象とし、分割電極は、出射端面側に位置する第１
電極部と反射端面側に位置する第２電極部とからなり、
レーザ光の発振出力値を相対的に大きくする場合には、
第１電極部及び第２電極部に対して第１駆動電流を印加
し、レーザ光の発振出力値を相対的に小さくする場合に
は、第１電極部に対して第１駆動電流を印加すると共
に、第２電極部に対して第１駆動電流よりも値が小さい
第２駆動電流を印加するか若しくは該第２駆動電流を印
加せず、又は第２電極部に対して第１駆動電流を印加す
ると共に、第１電極部に対して第１駆動電流よりも値が
小さい第２駆動電流を印加するか若しくは該第２駆動電
流を印加しない。

【００４０】第１の半導体発光装置の駆動方法による
と、レーザ光の発振出力値を相対的に大きくする場合に
は、分割電極における第１電極部及び第２電極部に対し
て第１駆動電流を印加し、レーザ光の発振出力値を相対
的に小さくする場合には、第１電極部（又は第２の電極
部）に対して第１駆動電流を印加すると共に、第２電極
部（又は第１電極部）に対して第１駆動電流よりも値が
小さい第２駆動電流を印加するか若しくは該第２駆動電
流を印加しない。これにより、低出力動作時には、活性
層に対して不均一に電流を注入することができるため、
活性層に光吸収領域が形成される。その結果、発振閾値
電流の値が大きくなるので、レーザ発振の微分利得が増
大して、低出力時の相対雑音強度を小さくすることがで
きる。

【００４１】本発明に係る第２の半導体発光装置の駆動
方法は、基板上に形成された第１導電型の第１の半導体
層と、第１の半導体層の上に形成された第２導電型の第
２の半導体層と、第１の半導体層と第２の半導体層との
間に形成され、発光光を生成する活性層と、第１の半導
体層に駆動電流を供給する第１の電極と、第２の半導体
層に駆動電流を供給するストライプ形状を有する第２の
電極とを備え、第１の電極又は第２の電極を基板の表裏
方向に分割された分割電極とする半導体発光装置の駆動
方法を対象とし、分割電極は、基板における活性層と反
対側の面のほぼ全面を覆うように設けられた第１電極部
と、第１の半導体層上における出射端面又は反射端面側
に設けられた第２電極部とからなり、レーザ光の発振出
力値を相対的に大きくする場合には、第１電極部に対し
て第１駆動電流を印加し、レーザ光の発振出力値を相対
的に小さくする場合には、第１電極部に対して第１駆動
電流よりも値が小さい第２駆動電流を印加するか又は該
第２駆動電流を印加せず、且つ、第２電極部に対して第
１駆動電流を印加する。

【００４２】第２の半導体発光装置の制御方法による
と、レーザ光の発振出力値を相対的に小さくする場合に
は、第１電極部に対して第１駆動電流よりも値が小さい
第２駆動電流を印加するか又は該第２駆動電流を印加せ
ず、且つ第２電極部に対して第１駆動電流を印加する。
このため、低出力動作時には、活性層に対して不均一に
電流を注入することができるため、活性層に光吸収領域
が形成される。その結果、発振閾値電流の値が大きくな
るので、レーザ発振の微分利得が増大して、低出力時の
相対雑音強度を小さくすることができる。

【００４３】第１又は第２の半導体発光装置の駆動方法
において、第２駆動電流は第１駆動電流を抵抗可変手段
に通すことにより生成することが好ましい。

【００４４】また、第１又は第２の半導体発光装置の駆
動方法において、第２駆動電流のピーク値が、第１駆動
電流のピーク値のほぼ２分の１以下であることが好まし
い。

【００４５】本発明に係る第３の半導体発光装置の駆動
方法は、基板上に形成された第１導電型の第１の半導体
層と、第１の半導体層の上に形成された第２導電型の第
２の半導体層と、第１の半導体層と第２の半導体層との
間に形成され、発光光を生成する活性層と、第１の半導
体層に駆動電流を供給する第１の電極と、第２の半導体
層に駆動電流を供給するストライプ形状を有する第２の
電極とを備え、第１の電極又は第２の電極を第２の電極
が延びる方向に分割された分割電極とする半導体発光装
置を対象とし、分割電極は、出射端面側に位置する第１
電極部と反射端面側に位置する第２電極部とからなり、
第１電極部と第２電極部とに対して、互いに値が異なる
駆動電流を自励発振が生じるように印加する。

【００４６】第３の半導体発光装置の駆動方法による
と、分割電極における第１電極部と第２電極部とに対し
て、互いに値が異なる駆動電流を自励発振が生じるよう
に印加するため、高周波信号を重畳しなくても相対雑音
強度が低下するので、レーザ素子における駆動回路を簡
略化することができる。

【００４７】第３の半導体発光装置の駆動方法におい
て、自励発振時には、第１電極部及び第２電極部のうち
のいずれか一方に駆動電流を印加しないことが好まし
い。

【００４８】本発明に係る第４の半導体発光装置の駆動
方法は、レーザ光を発振する共振器を持つ半導体発光装
置により出射されるレーザ光の反射光を用いて、記録媒
体に記録された記録情報を読み出す半導体発光装置の駆
動方法を対象とし、記録情報の読み出し時には、共振器
に対して不均一に駆動電流を注入する。

【００４９】第４の半導体発光装置の駆動方法による
と、活性層に対して不均一に電流を注入するため、活性
層に光吸収領域が形成される。その結果、発振閾値電流
の値が大きくなるため、レーザ発振の微分利得が増大し
て、低出力時の相対雑音強度を小さくすることができ
る。

【００５０】第４の半導体発光装置の駆動方法におい
て、半導体発光装置が自励発振することが好ましい。

【００５１】また、第４の半導体発光装置の駆動方法に
おいて、駆動電流が高周波電流であることが好ましい。

【００５２】この場合に、高周波電流の周波数が約１０
０ＭＨｚ以上であることが好ましい。

【００５３】なお、従来の半導体発光装置には、例えば
ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザ素子等の集積レーザ素
子のように、電極が分割されたレーザ素子も存在する
が、分割された各電極に対応する素子は互いに異なる機
能を有しており、発光領域における結晶構造等が電極ご
とに異なっている。

【００５４】また、電極が分離された従来のレーザ素子
に変調電流を印加する場合には、強度、周波数又は位相
等が異なる電流を印加している。さらに、ｐ側電極の両
側にｎ側電極を設けるレーザ構造は公知であるが、ｎ側
電極における共振器の共振方向の長さは同一となってい
る。

【００５５】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００５６】図１は本発明の第１の実施形態に係る半導
体レーザ素子を示している。

【００５７】図１に示すように、例えば窒化ガリウム
（ＧａＮ）からなり、導電性を有する半導体基板１１の
主面上には、ｎ型半導体部１２、活性層（発光層）１３
及びｐ型半導体部１４が、有機金属気相成長（ＭＯＶＰ
Ｅ）法等のエピタキシャル成長法により形成されてい
る。

【００５８】ｎ型半導体部１２は、半導体基板１１側か
ら、ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるｎ型コンタク
ト層、ｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）か
らなるｎ型クラッド層、及びｎ型窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）からなるｎ型ガイド層を含んでいる。なお、ｎ型半
導体部１２の最下層に、窒化ガリウム（ＧａＮ）からな
るバッファ層を設けてもよい。

【００５９】ｐ型半導体部１４は、活性層１３側から、
ｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるｐ型ガイド層、ｐ
型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるｐ
型クラッド層、及びｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からな
るｐ型コンタクト層を含んでいる。

【００６０】活性層１３は、例えば窒化インジウムガリ
ウム（ＩｎＧａＮ）のように、エネルギーギャップがｎ
型ガイド層及びｐ型ガイド層よりも小さいIII −Ｖ族窒
化物半導体を用いる。なお、活性層１３は多重量子井戸
構造を有していてもよい。

【００６１】ｐ型半導体部１４の上には、例えばニッケ
ル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）との積層体からなり、幅が約
１．８μｍ〜２．５μｍのストライプ形状を持つｐ側電
極１５が形成されている。ｐ側電極１５は、活性層１３
における出射端面１３ａ側を第１電極部１５ａとし、反
射端面１３ｂ側を第２電極部１５ｂとする、例えばエッ
チングにより分割されてなる分割電極である。

【００６２】ｐ型半導体部１４のｐ型コンタクト層にお
けるｐ側電極１５の側方部分は、エッチングにより膜厚
を小さくして、活性層１３に導波路（共振器）を形成し
ている。従って、ｐ型コンタクト層における第１電極部
１５ａと第２電極部１５ｂとの間の領域はエッチングさ
れていない。

【００６３】ｐ側電極１５の第１電極部１５ａと第２電
極部１５ｂとの間隔は約１μｍとしている。また、レー
ザ光の閾値電流が高出力動作時の２倍〜３倍となるよう
に、例えば１００ｍＡ程度となるように、第２電極部１
５ｂの長さを調整する。ここでは、導波路の長さを０．
５ｍｍ程度とする場合には、第２電極部１５ｂの長さを
０．１ｍｍ程度とすれば良い。

【００６４】半導体基板１１における活性層１３が形成
されている主面と反対側の面（裏面）上には、例えばチ
タン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層体からな
るｎ側電極１６が形成されている。

【００６５】活性層１３は、導波路の全領域においてほ
ぼ均一な膜厚を有している。窒化物半導体は微分利得が
大きいため、活性層１３の膜厚が不均一であると、ｐ側
電極１５及びｎ側電極１６に電流を注入して高出力動作
を行なう場合に、得られる発光光が不均一となる。その
結果、所望の発光強度を得られなくなるので、活性層１
３の膜厚は均一とする必要がある。

【００６６】また、ｎ型半導体部１２及びｐ型半導体部
１４においても、これらに含まれる各半導体層の膜厚は
導波路が延びる方向（出射方向）において、ほぼ一様と
している。特に、窒化物半導体の場合には、ｐ型半導体
の抵抗値が大きいため、ｐ型半導体部１４の膜厚が出射
方向において不均一であると、駆動電流の注入が不均一
となってしまう。その結果、ｐ側電極１５及びｎ側電極
１６に電流を注入して高出力動作を行なう場合に、所望
の光出力を充分に得られなくなる。これを避けるため
に、ｎ型半導体部１２及びｐ型半導体部１４を構成する
各半導体層の膜厚は、出射方向においてほぼ均一として
いる。

【００６７】ところで、前述したように、ｐ側電極１５
の第１電極部１５ａと第２電極部１５ｂとの間隔は１μ
ｍ程度である。この間隔を１０μｍ以上と大きくした場
合には、高出力時動作に、第１電極部１５ａと第２電極
部１５ｂとに同時に駆動電流を注入したとしても、活性
層１３に駆動電流が注入されない領域が形成されてしま
い、所望のレーザ発振特性を得ることができなくなる。
従って、第１電極部１５ａと第２電極部１５ｂとの間隔
は、大電流を流さない範囲において小さい方が好まし
い。

【００６８】前述したように、ｐ型コンタクト層の第１
電極部１５ａ及び第２電極部１５ｂの間の領域を除去せ
ずに残している。これは、第１電極部１５ａ及び第２電
極部１５ｂの双方に駆動電流を注入する場合に、活性層
１３における第１電極部１５ａと第２電極部１５との間
の下側の領域に非発光領域を形成しないようにするため
である。

【００６９】以下、前記のように構成された半導体レー
ザ素子の動作について図面を参照しながら説明する。

【００７０】（第１の駆動方法）まず、半導体レーザ素
子を、例えばＨＤ−ＤＶＤ装置におけるピックアップ部
に用いるような場合に、その書き込み動作に相当する高
出力動作の駆動方法を説明する。図２（ａ）に示すよう
に、高出力動作時には、ｐ側電極１５の第１電極部１５
ａ及び第２電極部１５ｂとｎ側電極１６とに対してパル
ス状の駆動電流を印加する。これにより、活性層１３に
は駆動電流がほぼ均一に注入される。

【００７１】次に、ＨＤ−ＤＶＤ装置における読み出し
動作に相当する低出力動作の駆動方法を説明する。図２
（ｂ）に示すように、低出力動作時には、ｐ側電極１５
の第１電極部１５ａとｎ側電極１６とに対して、高周波
信号を重畳したパルス状の駆動電流を信号源２０により
印加する。すなわち、ｐ側電極１５の第２電極部１５ｂ
には駆動電流を印加しない。ここで、重畳する高周波信
号の周波数は１００ＭＨｚ以上が好ましく、これは他の
実施形態においても同様である。

【００７２】このような活性層１３に対する不均一な電
流注入によって、活性層１３における第１電極部１５ａ
の下側部分のみが発光する一方、活性層１３における第
２電極部１５ｂの下側部分は光吸収領域として機能す
る。この光吸収領域が形成されることにより、スーパー
ルミネッセンスダイオード素子のように、マルチモード
のスペクトル線幅が広くなり、その結果、発光光の干渉
性が低減して、低雑音化が可能となる。

【００７３】なお、第１の実施形態においては、半導体
結晶に、発振波長が約４００ｎｍのIII −Ｖ族窒化物半
導体を用いたが、これに限られず、発振波長が６７０ｎ
ｍ程度の燐化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）のよう
な、III −Ｖ族燐化物半導体を用いても良い。

【００７４】しかしながら、窒化物半導体を用いたレー
ザ素子の場合には、以下に示すような種々の好ましい特
徴を有している。

【００７５】すなわち、窒化物半導体におけるｐ型結晶
はその抵抗率が大きいため、ｐ型コンタクト層等のｐ型
半導体部１４を絶縁分離しなくても、ｐ側電極１５を分
割するだけで、注入電流を活性層１３に対してその基板
面に垂直な方向に不均一に注入することができる。

【００７６】さらに、燐化物半導体又は砒化物半導体結
晶が閃亜鉛鉱型の結晶構造を採るのに対して、窒化物半
導体結晶は六方晶系の結晶構造を採るため、基板の主面
に対する平行な方向と垂直な方向とでは、互いの電気的
特性が異なる。例えば、キャリアの移動度は、基板の主
面に垂直な方向よりも平行な方向の方が小さくなる。そ
の結果、窒化物半導体結晶の場合は、分割電極である第
１電極部１５ａと第２電極部１５ｂとの間で電流が流れ
にくくなるため、電極分割を行なう効果が大きい。

【００７７】また、窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半
導体は、燐化インジウム（ＩｎＰ）又は砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）を主成分とする化合物半導体と比べて、微
分利得が極めて大きい。これは、窒化ガリウムが六方晶
系に属しており、ホールが縮退していないことによる。
このように、窒化ガリウム系化合物半導体は、微分利得
が大きいことから、電流の分布にわずかな偏りがある
と、結晶が利得を有するか損失となるかが変化する。そ
の結果、窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ素
子においては、活性層１３に対して駆動電流をわずかで
も不均一に注入することにより、導波路における光密度
分布の変化を効果的に誘発させることができる。

【００７８】（第２の駆動方法）次に、本発明の第１の
実施形態に係る半導体レーザ素子の第２の駆動方法を説
明する。

【００７９】図３に示すように、ｐ側電極１５の第２電
極部１５ｂと信号源２０との間に、可変抵抗器２１を接
続し、信号源２０から高周波信号を重畳したパルス状の
駆動電流を、ｐ側電極１５の第１電極部１５ａ及び第２
電極１５ｂとｎ側電極１６に印加する。

【００８０】高出力動作時には、可変抵抗器２１の抵抗
値をほぼ０に設定し、低出力動作時には、可変抵抗器２
１の抵抗値を有限値に設定する。その結果、高出力動作
時には、活性層１３に対して駆動電流が均一に注入さ
れ、低出力動作時には、活性層１３に対して駆動電流が
不均一に注入される。このように、第２電極部１５ｂに
印加する駆動電流量を可変抵抗器２１の抵抗値を調整す
ることによって、活性層１３における発光光の吸収量を
調節することができる。

【００８１】すなわち、第２の電極部１５ｂを適当な長
さに形成し、その後、可変抵抗器２１の抵抗値を調整し
て、レーザ発振の閾値電流を変化させることにより、低
出力動作時の相対強度雑音を低下させることができる。

【００８２】なお、低出力動作時における第２電極部１
５ｂに印加する駆動電流の値は、第１電極部１５ａに印
加する駆動電流の値の２分の１程度以下とすることが好
ましい。

【００８３】また、第２電極部１５ｂに駆動電流を印加
しない第１の駆動方法は、第２の駆動方法における可変
抵抗器２１の抵抗値を無限大に設定したことに相当す
る。

【００８４】また、第１の実施形態においては、可変抵
抗器２１を信号源２０と第２電極部１５ｂとの間に接続
したが、これに代えて、信号源２０と第１電極部１５ａ
との間に接続してもよい。

【００８５】また、ｐ側電極１５の第２電極部１５ｂに
対する駆動電流量を低減する手段を可変抵抗器２１とし
たが、これに限られず、可変抵抗器２１と同等の機能を
有する素子又は回路構成であってもよい。

【００８６】また、直流信号にバイアス電流を印加する
ことによっても、活性層１３における発光光の吸収量を
調整することができる。

【００８７】（第３の駆動方法）次に、本発明の第１の
実施形態に係る半導体レーザ素子の第３の駆動方法を説
明する。

【００８８】図４に示すように、第３の駆動方法は、第
１電極部１５ａに駆動電流を印加する代わりに、第２電
極部１５ｂに対して、高周波信号を重畳した駆動電流を
印加する。これにより、活性層１３における出射端面１
３ａ側の発光光の出力強度が低下するため、出射端面１
３ａの劣化を抑えることができる。

【００８９】その上、反射端面１３ｂにおいて発光光の
強度が大きくなるため、レーザの発振モードが安定す
る。

【００９０】また、燐化インジウムガリウム系赤色半導
体レーザ素子と異なり、窒化ガリウム系青色半導体レー
ザ素子は、基板が透明であるため、基板からの散乱光が
出射光に混ざり、雑音が増大する傾向にある。第３の駆
動方法のように、出射端面１３ａ側から離れた第２電極
部１５ｂに駆動電流を印加して、出射端面１３ａ側の注
入電流を減少することにより、基板からの散乱光を低下
させることができる。その結果、基板からの散乱光が出
射光に混入されにくくなるので、雑音を低減することが
できる。

【００９１】（第４の駆動方法）次に、本発明の第１の
実施形態に係る半導体レーザ素子の第４の駆動方法を説
明する。

【００９２】活性層１３において光吸収層となる第２電
極部１５ｂの下側部分の第１の抵抗値をＲｖとし、第１
電極部１５ａと第２電極部１５ｂとの間の領域の第２の
抵抗値をＲｓとし、さらに素子容量をＣとすると、レー
ザ素子の共振周波数ｆは以下の式（１）で表わされる。

【００９３】 ｆ＝２π／｛（Ｒｖ＋Ｒｓ）Ｃ｝^1/2 …（１） 例えば、第１電極部１５ａと第２電極部１５ｂとの間隔
を１μｍとする場合には、第２の抵抗値Ｒｓが１５Ωと
なり、第２電極部１５ｂの長さが０．１ｍｍの場合に
は、素子容量Ｃが０．８ｆＦとなるため、第１の抵抗値
Ｒｖを２０Ωとし、ｐ側電極１５の第２電極部１５ｂと
ｎ側電極１６とに駆動電流を印加することにより、共振
周波数ｆが３７ＭＨｚとなる自励発振現象が生じる。

【００９４】自励発振現象を生じた場合には、駆動電流
に高周波信号を重畳しなくても、相対雑音強度が低下す
るため、レーザ素子の駆動回路を簡略化することができ
る。

【００９５】この自励発振動作をさせることにより、光
出力を１ｍＷとした場合の相対雑音強度が、−１３５ｄ
Ｂ／Ｈｚ〜−１１０ｄＢ／Ｈｚ以下に低減することを確
認している。

【００９６】なお、従来の自励発振を生じる半導体レー
ザ素子は、光が分布する領域に光を吸収する結晶層を有
しており、駆動電流は本実施形態のような不均一に注入
されていない。

【００９７】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００９８】図５（ａ）〜図５（ｃ）は本発明の第２の
実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の工程順の
構成を示している。

【００９９】まず、図５（ａ）の断面図に示すように、
サファイアからなる基板３１上に、例えばＭＯＶＰＥ法
により、ｎ型半導体部１２、活性層１３及びｐ型半導体
部１４を順次成長する。ここでも、ｎ型半導体部１２
は、下層から順次成膜された、ｎ型窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）からなるｎ型コンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム
ガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるｎ型クラッド層、及び
ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるｎ型ガイド層を含
んでいる。また、ｐ型半導体部１４は、下層から順次成
膜された、ｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるｐ型ガ
イド層、ｐ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）
からなるｐ型クラッド層、及びｐ型窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）からなるｐ型コンタクト層を含んでいる。

【０１００】活性層１３は、例えば窒化インジウムガリ
ウム（ＩｎＧａＮ）、又は各クラッド層よりもアルミニ
ウムの組成が小さい窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧ
ａＮ）を用いる。続いて、例えば蒸着法により、ｐ型半
導体部１４の全面に、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）と
の積層体からなり、膜厚が約１００ｎｍ以下の第１の金
属膜を堆積する。

【０１０１】次に、図５（ｂ）の導波路（共振器）形成
領域に対して平行な方向の断面図に示すように、フォト
リソグラフィ法により、堆積した第１の金属膜上に、幅
が１μｍ程度で且つ導波路形成領域に対してほぼ垂直な
方向に開口部４０ａを持つｐ側電極形成用のレジストパ
ターン４０を形成する。その後、形成したレジストパタ
ーン４０をマスクとして、第１の金属膜に対して塩素を
含むエッチングガスを用いたドライエッチングを行なう
ことにより、第１の金属膜から第１電極部１５ａ及び第
２電極部１５ｂよりなるｐ側電極１５を形成する。

【０１０２】次に、図５（ｃ）の平面図及び左側面図に
示すように、ｐ型半導体部１２に対して塩素を含むエッ
チングガスを用いたドライエッチングにより、ｐ側電極
１５の両側方の領域にｐ型ガイド層を露出することによ
り、ストライプ形状を持つ導波路を形成する。続いて、
塩素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングに
より、ｐ側電極１５の一側方の領域にｎ型半導体部１４
のｎ型コンタクト層を露出する。続いて、蒸着法によ
り、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層体
からなる第２の金属膜を堆積し、堆積した第２の金属膜
にパターニングを行なって、第２の金属膜からｎ側電極
１６を形成する。

【０１０３】このように、第２の実施形態においては、
分割電極であるｐ側電極１５の第１電極部１５ａ及び第
２電極部１５ｂの間隔を約１μｍと比較的小さくする必
要から、エッチングが容易となるように、ｐ側電極１５
の厚さを１００ｎｍ以下としている。従って、第２の実
施形態に係る半導体レーザ素子をマウント部材に実装す
る場合において、はんだ材によるｐ側電極１５の劣化を
抑えるために、ｐ側電極１５上に厚さが１０μｍ程度の
金めっきを施して、ｐ側電極１５とはんだ材とが直接に
接触しないようにしている。

【０１０４】なお、第２の実施形態においては、基板に
絶縁性の基板３１を用いたが、第１の実施形態のよう
に、導電性基板を用いる場合には、ｎ側電極１６を基板
の裏面上に設ければよい。

【０１０５】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１０６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は本発明の第３
の実施形態に係る半導体レーザ素子及びその駆動方法を
模式的に表わしている。図６（ａ）及び図６（ｂ）にお
いて、図１に示す構成部材と同一の構成部材には同一の
符号を付すことにより説明を省略する。

【０１０７】図６（ａ）に示すように、第３の実施形態
に係る半導体レーザ素子は、例えばサファイアからなる
絶縁性を有する基板３１を用いている。該基板３１の主
面上には、第１の実施形態と同様に、ｎ型半導体部１
２、活性層（発光層）１３及びｐ型半導体部１４が、Ｍ
ＯＶＰＥ法により形成されている。

【０１０８】第３の実施形態においては、ストライプ形
状を有するｐ側電極１５は分割されていない。代わり
に、ｎ型半導体部１２におけるｐ側電極１５の一方の領
域をエッチングしてｎ型コンタクト層を露出し、その露
出領域にｎ側電極１６を形成し、該ｎ側電極１６を分割
電極としている。

【０１０９】すなわち、ｎ側電極１６は、活性層１３に
おける出射端面１３ａ側を第１電極部１６ａとし、反射
端面１３ｂ側を第２電極部１６ｂとする分割電極であ
る。

【０１１０】ｎ型半導体部１２の方がｐ型半導体層部１
４よりも抵抗値が小さいため、ｐ側電極１５を分割する
代わりにｎ側電極１６を分割すると、第１電極部１６ａ
と第２電極部１６ｂとの間隔を１０μｍ程度に広げて
も、活性層１３に対して駆動電流を均一に注入すること
ができる。従って、第１の実施形態に係るｐ側電極１５
の第１電極部１５ａ及び第２電極部１５ｂのように、両
電極部１５ａ、１５ｂの間隔寸法を１μｍという極めて
小さい値に設定する必要がない。これにより、レーザ素
子における光学的且つ電気的な特性の劣化が生じにくく
なると共に、分割電極の加工が容易となる。

【０１１１】ここで、ｎ型半導体層１２におけるｎ型コ
ンタクト層の抵抗率を０．０１５Ωｃｍとし、第１電極
部１６ａと第２電極部１６ｂとの間隔をｄ（μｍ）と
し、第１電極部１６ａと第２電極部１６ｂのうちの一方
の電極部への注入電流をＩ（Ａ）としたときの両電極部
１６ａ、１６ｂ間の電圧降下Ｖは以下の式（２）で表わ
される。

【０１１２】Ｖ＝０．６Ｉ・ｄ …（２） これは、ｎ型半導体部１２の厚さが２μｍ程度と小さい
ため、電極部１６ａ、１６ｂ間で適当な電圧降下を生じ
ることによる。従って、例えば、注入電流値が１００ｍ
Ａで且つ電極部１６ａ、１６ｂ同士の間隔が１μｍの場
合は、電圧降下Ｖの値が０．０６Ｖとなり、この程度の
値では低出力動作させるには充分な電圧降下量とはなら
ない。

【０１１３】そこで、ｎ側電極の第１電極部１６ａ及び
第２電極部１６ｂの間隔を５μｍとすると、電圧降下Ｖ
の値が０．３Ｖとなり、電極部１６ａ、１６ｂ同士の間
の領域を流れる電流を制限できる。その結果、駆動電流
を活性層１３に対してその基板面に垂直な方向に不均一
に注入することができる。

【０１１４】さらに、第１電極部１６ａ及び第２電極部
１６ｂの間隔を１０μｍ以上に設定して、電圧降下Ｖの
値を０．６Ｖ以上とすることが好ましい。また、第１電
極部１６ａ及び第２電極部１６ｂのうちの一方に電流を
注入しない場合には、両電極部１６ａ、１６ｂ間の間隔
を２０μｍ以上として、電圧降下Ｖの値を１．２Ｖ以上
に確保する必要がある。

【０１１５】以下、前記のように構成された半導体レー
ザ素子の動作について図面を参照しながら説明する。

【０１１６】まず、半導体レーザ素子の高出力動作時の
駆動方法を説明する。図６（ａ）に示すように、高出力
動作時には、ｐ側電極１５とｎ側電極１６の第１電極部
１６ａ及び第２電極部１６ｂとに対してパルス状の駆動
電流を印加する。これにより、活性層に対して駆動電流
がほぼ均一に注入される。

【０１１７】一方、図６（ｂ）に示すように、低出力動
作時には、ｎ側電極１６の第２電極部１６ｂと信号源２
０との間に、可変抵抗器２１を接続し、信号源２０から
高周波信号を重畳したパルス状の駆動電流を、ｐ側電極
１５とｎ側電極１６の第１電極部１６ａ及び第２電極１
６ｂとに印加する。このとき、可変抵抗器２１の抵抗値
を有限値とし、第２電極部１６ｂに対して、第１の電極
部１６ａに印加する第１駆動電流よりも振幅が小さい第
２駆動電流が印加される。但し、レーザ光の出力強度に
応じて、第２駆動電流の電流量をほぼ０としてもよい。

【０１１８】なお、図６（ａ）に示す構成は、図６
（ｂ）において可変抵抗器２１の抵抗値を０とした場合
に相当する。

【０１１９】この構成により、第１の実施形態と同様
に、低出力動作時における相対雑音強度を低下すること
ができる。

【０１２０】なお、第３の実施形態においても、可変抵
抗器２１を信号源２０と第１電極部１６ａとの間に接続
してもよい。

【０１２１】また、ｎ側電極１６の第２電極部１６ｂと
信号源２０との間に可変抵抗器２１を設けたが、可変抵
抗器２１と同等の機能を有する素子又は回路構成であっ
てもよい。また、駆動電流を交流信号とする代わりに、
直流信号にバイアス電流を印加することによっても、活
性層１３における発光光の吸収量を調整することができ
る。

【０１２２】また、低出力動作時に、第１電極部１６ａ
の代わりに第２電極部１６ｂに駆動電流を印加する、第
１の実施形態に示した第３の駆動方法を用いてもよい。

【０１２３】さらには、第１の実施形態に示した第４の
駆動方法を用いて、自励発振動作を行なってもよい。

【０１２４】（製造方法）以下、前記のように構成され
た半導体レーザ素子の製造方法について図面を参照しな
がら説明する。

【０１２５】図７（ａ）〜図７（ｅ）は本発明の第３の
実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の工程順の
構成を示している。

【０１２６】まず、図７（ａ）の断面図に示すように、
サファイアからなる基板３１上に、例えばＭＯＶＰＥ法
により、ｎ型半導体部１２、活性層１３及びｐ型半導体
部１４を順次成長する。ここでも、ｎ型半導体部１２
は、下層から順次成膜された、ｎ型窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）からなるｎ型コンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム
ガリウム（ＡｌＧａＮ）からなるｎ型クラッド層、及び
ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるｎ型ガイド層を含
んでいる。また、ｐ型半導体部１４は、下層から順次成
膜された、ｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるｐ型ガ
イド層、ｐ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）
からなるｐ型クラッド層、及びｐ型窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）からなるｐ型コンタクト層を含んでいる。

【０１２７】活性層１３は、例えば窒化インジウムガリ
ウム（ＩｎＧａＮ）、又は各クラッド層よりもアルミニ
ウムの組成が小さい窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧ
ａＮ）を用いる。

【０１２８】次に、図７（ｂ）の平面図に示すように、
塩素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングに
より、ｎ型半導体部１２のｎ型コンタクト層を導波路形
成領域に沿って露出する。

【０１２９】次に、図７（ｃ）の平面図及び左側面図に
示すように、例えば蒸着法及びエッチング法を用いて、
ｐ型半導体部１４上の導波路形成領域に、ニッケル（Ｎ
ｉ）と金（Ａｕ）との積層体からなり、幅が約１．８μ
ｍ〜２．５μｍのｐ側電極１５を形成する。なお、ここ
では、ｎ型コンタクト層を露出するエッチング工程の後
に、ｐ側電極形成用の第１の金属膜を蒸着したが、これ
に代えて、ｐ側電極形成用の第１の金属膜を蒸着した
後、ｐ側電極１５のパターニングとｎ型コンタクト層を
露出するエッチングとを順次行なってもよい。

【０１３０】次に、図７（ｄ）の平面図に示すように、
フォトリソグラフィ法により、ｎ型半導体部１２の露出
領域上であって、反射端面１３ａ側に第１の開口部４１
ａを持ち、出射端面１３ｂ側に第２の開口部４１ｂを持
つｎ側電極形成用のレジストパターン４１を形成する。

【０１３１】次に、図７（ｅ）の平面図に示すように、
レジストパターン４１の上に、例えば蒸着法により、チ
タン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層体からな
る第２の金属膜を堆積し、レジストパターン４１をリフ
トオフすることにより、堆積した第２の金属膜から、所
定の間隔をおいて分割された第１電極部１６ａ及び第２
電極部１６ｂよりなるｎ側電極１６を形成する。

【０１３２】このように、第３の実施形態に係る半導体
レーザ素子においては、分割電極の各電極部１６ａ、１
６ｂ同士の間隔が１０μｍ程度と比較的大きいため、製
造が容易なリフトオフ法を用いている。

【０１３３】（第３の実施形態の一変形例）以下、第３
の実施形態の一変形例に係るｎ側電極１６の平面形状を
図面に基づいて説明する。

【０１３４】図８（ａ）は第３の実施形態の一変形例に
係る半導体レーザ素子の平面構成を示している。図８
（ａ）に示すように、ｎ側電極１６の第１電極部１６ａ
と第２電極部１６ｂとの間に位置する分割領域１６ｃ
が、ｐ側電極１５の長手方向（ストライプ方向）に対し
て基板面内で直交する方向、すなわちＡ−Ａ線方向に対
して所定の傾斜角度θ（但し、０＜θ＜９０°）を有す
るように形成されている。

【０１３５】第３の実施形態に係る半導体レーザ素子
は、ｎ側電極１６が導波路（共振器）の側方に設けられ
ているため、図６（ａ）のように、ｎ側電極１６の両電
極部１６ａ、１６ｂ同士の間の分割領域１６ｃを、ｐ側
電極１５が延びる方向に対して直交するように設ける
と、高出力動作時において、ｎ側電極１６の第１電極部
１６ａ及び第２電極部１６ｂの両電極部に駆動電流を印
加する際に、活性層１３（ｎ型コンタクト層）に対して
駆動電流が注入されない領域が生じる虞がある。

【０１３６】そこで、本変形例においては、ｎ側電極１
６の第１及び第２電極部１６ａ、１６ｂ同士の間の分割
領域１６ｃを、ｐ側電極１５の長手方向と基板面内で垂
直な方向に対して０°よりも大きく且つ９０°よりも小
さい傾斜角度θを持つように設ける。これにより、分割
領域１６ｃにおいて、第１電極部１６ａと第２電極部１
６ｂとが、Ａ−Ａ線方向に沿って少なくとも１回ずつ現
われるため、活性層１３に駆動電流が注入されない領域
が生じなくなる。

【０１３７】なお、分割領域１６ｃの形状は、図８
（ｂ）に示すように、例えば傾斜角度θ１〜θ４を持つ
ようなジグザグ状であってもよい。従って、図８（ａ）
の場合をも含めると、分割領域１６ｃの形状を折れ線状
に設ける場合には、複数の傾斜角度θのうちの１つが０
°よりも大きく且つ９０°よりも小さければ良い。さら
には、分割領域１６ｃの形状は曲線状であってもよく、
図８（ａ）及び図８（ｂ）に限られない。

【０１３８】一般に、窒化ガリウム系化合物半導体を用
いたレーザ素子は、半導体の結晶構造が六方晶系である
ため、導波路に一軸性歪が導入された場合に、利得が増
大して発振特性が向上する。

【０１３９】従って、第３の実施形態のように、導波路
の側方に電極を設けることにより、一軸性歪を効果的に
導入することができるため、レーザ素子の光学的特性を
向上することができる。

【０１４０】また、第３の実施形態のように、絶縁性を
持つ基板３１を用いてレーザ構造を形成する場合には、
ｎ型半導体部１２の厚さは２μｍ程度となる。その結
果、導電性基板を用いた場合と比べてｎ型半導体部１２
における注入電流の拡散を抑制することができる。この
ため、ｎ側電極１６を分割することによって、活性層１
３に対してその基板面に垂直な方向に不均一に注入する
ことができる。

【０１４１】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１４２】図９（ａ）、図９（ｂ）及び図１０は本発
明の第４の実施形態に係る半導体レーザ素子及びその駆
動方法を模式的に表わしている。図９（ａ）、図９
（ｂ）及び図１０において、図６（ａ）に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付している。

【０１４３】前述した第３の実施形態においては、ｎ側
電極１６の第１電極部１６ａと第２電極部１６ｂとをｐ
側電極１５の一方の側方の領域に形成している。

【０１４４】第４の実施形態は、ｎ側半導体部１２にお
けるｐ側電極１５の両側方の領域が露出されており、一
方の露出領域にはそのほぼ全面に第１電極部１６ａが形
成され、他方の露出領域にはその一部の領域、例えば反
射端面１３ｂ側に第２電極部１６ｂが形成されている。
すなわち、第１電極部１６ａと第２電極部１６ｂとが、
ｐ側電極１５に対してその各平面形状が非対称となるよ
うに形成されている。

【０１４５】この構成は、基板にサファイア等からなる
絶縁性の基板を用いており、ｐ側電極１５及びｎ側電極
１６が共に基板の同一面上に形成されることから可能と
なる。

【０１４６】さらに、第３の実施形態のように、１つの
露出領域上に成膜された導電膜から、第１電極部１６ａ
と第２電極部１６ｂとからなるｎ側電極１６を形成する
ための、分割領域１６ｃの幅寸法及び形状を決定するパ
ターニングを行なう必要がない。

【０１４７】以下、前記のように構成された半導体レー
ザ素子の動作について図面を参照しながら説明する。

【０１４８】（第１の駆動方法）まず、本発明の第４の
実施形態に係る半導体レーザ素子の第１の駆動方法を説
明する。図９（ａ）に示すように、高出力動作時には、
ｐ側電極１５とｎ側電極１６の第１電極部１６ａとに対
してパルス状の駆動電流を印加する。これにより、活性
層に対して駆動電流が均一に注入される。

【０１４９】一方、図９（ｂ）に示すように、低出力動
作時には、ｐ側電極１５とｎ側電極１６の第２電極部１
６ｂとに対して、高周波信号を重畳したパルス状の駆動
電流を信号源２０により印加する。その結果、活性層に
対して駆動電流が不均一に注入される。

【０１５０】（第２の駆動方法）次に、本発明の第４の
実施形態に係る半導体レーザ素子の第２の駆動方法を説
明する。

【０１５１】図１０に示すように、信号源２０とｎ側電
極１６の第１電極部１６ａとの間に、第１の可変抵抗器
２１を接続し、且つ信号源２０とｎ側電極１６の第２電
極部１６ｂとの間に、第２の可変抵抗器２２を接続す
る。

【０１５２】高出力動作時には、第１の可変抵抗器２１
の抵抗値をほぼ０に設定し、第２の可変抵抗器２２の抵
抗値を第２の電極部１６ｂに電流が流れない程度に設定
して、信号源２０から高周波信号を重畳したパルス状の
駆動電流を流す。その結果、高出力動作時には、活性層
１３に対して駆動電流が均一に注入される。

【０１５３】一方、低出力動作時には、第１の可変抵抗
器２１の抵抗値を第１の電極部１６ａに電流が流れない
程度に設定し、第２の可変抵抗器２２の抵抗値をほぼ０
に設定して、信号源２０から高周波信号を重畳したパル
ス状の駆動電流を流す。その結果、低出力動作時には、
活性層１３に対して駆動電流が不均一に注入される。

【０１５４】このように、第１電極部１６ａに印加する
駆動電流量は第１の可変抵抗器２１により調整し、第２
電極部１６ｂに印加する駆動電流量は第２の可変抵抗器
２２により調整することによって、活性層１３における
発光光の吸収量を調節することができる。これにより、
低出力動作時の相対強度雑音を低下させることができ
る。

【０１５５】なお、第１の駆動方法において、高出力動
作は第２の可変抵抗器２２の抵抗値を無限大とし、低出
力動作は第１の可変抵抗器２１の抵抗値を無限大に設定
したことに相当する。ここで、第１及び第２の可変抵抗
器２１、２２に代えて、それぞれにスイッチ素子を設け
てもよい。

【０１５６】また、駆動電流量を低減する手段に可変抵
抗器を用いたが、可変抵抗器と同等の機能を有する素子
又は回路構成であってもよい。また、駆動電流にパルス
状の交流信号を用いる代わりに、直流信号にバイアス電
流を印加することによっても、活性層における発光光の
吸収量を調整することができる。

【０１５７】また、第１の実施形態に示した第４の駆動
方法を用いて、自励発振動作を行なってもよい。

【０１５８】（第４の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第４の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。

【０１５９】図１１は本発明の第４の実施形態の一変形
例に係る半導体レーザ素子及びその駆動方法を模式的に
表わしている。図１１において、図１０に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付している。

【０１６０】本変形例は、ｎ側電極１６の第１電極部１
６ａを、ｐ側電極１５を挟んで第２電極部１６ｂと対向
する部分には設けない構成としている。

【０１６１】これにより、第２電極部１６ｂと信号源２
０との間には、第２の可変抵抗器２２を設ける必要がな
くなる。

【０１６２】本変形例に係る半導体レーザ素子の駆動方
法は、高出力動作時には可変抵抗器２１の抵抗値をほぼ
０とし、低出力動作時には可変抵抗器２１の抵抗値を有
限値とし、信号源２０から高周波信号を重畳したパルス
状の駆動電流をｐ側電極１５とｎ側電極１６の第１電極
部１６ａ及び第２電極１６ｂとに印加する。

【０１６３】本変形例においても、ｎ側電極１６の第１
電極部１６ａと第２電極部１６ｂとは、ｐ側電極１５に
対してその各平面形状が非対称となるように形成されて
いる。

【０１６４】その上、第１電極部１６ａと第２電極部１
６ｂとは、ｐ側電極１５に対して面内で垂直な方向にお
いてその隣接する端部同士が重なる重なり部１６ｄを持
つように形成されている。これにより、高出力動作時
に、第１電極部１６ａと第２電極部１６ｂとに同時に駆
動電流を印加する場合であっても、活性層に対して駆動
電流が注入されない領域を生じないようにすることがで
きる。これにより、高出力動作時におけるレーザ光の均
一性を確保することができる。

【０１６５】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１６６】図１２は本発明の第５の実施形態に係る半
導体レーザ素子を表わしている。図１２において、図１
に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付し
ている。

【０１６７】第５の実施形態は、基板に、窒化ガリウム
（ＧａＮ）のように導電性を有する半導体基板１１を用
いている。半導体基板１１が導電性を有することから、
活性層１３に対して均一な電流を注入するｎ側電極１６
の第１電極部１６ａを、半導体基板１１の裏面のほぼ全
面に形成している。これにより、第５の実施形態におい
ては、分割電極が、半導体基板１１の主面側に設けられ
た第２電極部１６ｂと、半導体基板１１の裏面上に設け
られた第１電極部１６ａとに分割されている。

【０１６８】これにより、半導体基板１１の主面側に形
成される電極はｐ側電極１５とｎ側電極１６の第２電極
部１６ｂとの１つずつとなるため、図１４に示した従来
の半導体レーザ素子の構成とほぼ同等となる。その結
果、従来のサブマウントを用いて、ｐ側電極１５をサブ
マウントの上面に搭載する、いわゆるｐサイドダウン
（ジャンクションダウン）方式により、半導体レーザ素
子を実装することができる。従って、第５の実施形態に
係る半導体レーザ素子を、ｐサイドダウン方式でサブマ
ウント上に実装した後、半導体基板１１の裏面上のｎ側
電極１６の第１電極部１６ａにも配線を施して、ｎ側電
極１６が分割されてなる電極分割型構造を実現すること
ができる。

【０１６９】（製造方法）以下、前記のように構成され
た半導体レーザ素子の製造方法について図面を参照しな
がら説明する。

【０１７０】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は本発明の第
５の実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法の工程
順の構成を示している。

【０１７１】まず、図１３（ａ）の平面図及び左側面図
に示すように、第３の実施形態と同様に、ｎ型半導体部
１２における導波路形成領域の一側方の領域にｎ型コン
タクト層を露出すると共に、ｐ型半導体部１２の上にｐ
側電極１５を、ストライプ状にパターニングする。

【０１７２】次に、図１３（ｂ）の平面図に示すよう
に、フォトリソグラフィ法により、ｎ型半導体部１２の
露出領域上の反射端面１３ｂ側に開口部４２ａを持つｎ
側電極形成用のレジストパターン４２を形成する。

【０１７３】次に、図１３（ｃ）の平面図に示すよう
に、レジストパターン４２の上に、例えば蒸着法によ
り、ＴｉとＡｌとの積層体からなる金属膜を堆積し、レ
ジストパターン４２をリフトオフすることにより、堆積
した金属膜からｎ側電極１６の第２電極部１６ｂを形成
する。

【０１７４】次に、図１３（ｄ）の平面図に示すよう
に、半導体発光素子１１の裏面を厚さが約１００μｍに
なるまで研磨し、その後、蒸着法等により、裏面上の全
面にわたって、ＴｉとＡｌとの積層体を堆積して、ｎ側
電極１６の第１電極部１６ａを形成する。

【０１７５】なお、第１〜第５の実施形態においては、
半導体レーザ素子を光ディスク装置のピックアップ部に
用いる場合についてその動作を説明したが、これに限ら
れない。すなわち、半導体レーザ素子に対して、発光光
の出力強度が大きい高出力動作と、出力強度が小さい低
出力動作とが必要とされるような用途に用いるとよい。

【０１７６】

【発明の効果】本発明に係る半導体発光装置及びその駆
動方法によると、ｐ側電極又はｎ側電極を分割してなる
分割電極を有しているため、該分割電極のうちの一部に
対して駆動電流を印加して、活性層に対して駆動電流を
不均一に注入することにより、発振閾値が大きくなるた
め、低出力時の相対雑音強度を小さくすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子を示す斜視図である。

【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に
係る半導体レーザ素子における第１の駆動方法を示し、
（ａ）は高出力動作時の模式的な斜視図であり、（ｂ）
は低出力動作時の模式的な斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子における第２の駆動方法を示す模式的な斜視図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子における第３の駆動方法を示す模式的な斜視図であ
る。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
る半導体レーザ素子の製造方法の工程順の構成を示し、
（ａ）及び（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は平面図及び
左側面図である。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に
係る半導体レーザ素子とその駆動方法を示す模式的な斜
視図である。

【図７】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第３の実施形態に係
る半導体レーザ素子の製造方法の工程順の構成を示し、
（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図であり、（ｃ）
は平面図及び左側面図であり、（ｄ）及び（ｅ）は平面
図である。

【図８】本発明の第３の実施形態の一変形例に係る半導
体レーザ素子を示す平面図である。

【図９】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第４の実施形態に
係る半導体レーザ素子とその第１の駆動方法を示し、
（ａ）は高出力動作時の模式的な平面図であり、（ｂ）
は低出力動作時の模式的な平面図である。

【図１０】本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ
素子とその第２の駆動方法を示す模式的な平面図であ
る。

【図１１】本発明の第４の実施形態の一変形例に係る半
導体レーザ素子とその駆動方法を示す模式的な平面図で
ある。

【図１２】本発明の第５の実施形態に係る半導体レーザ
素子を示す斜視図である。

【図１３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第５の実施形態に
係る半導体レーザ素子の製造方法の工程順の構成を示
し、（ａ）は平面図及び左側面図であり、（ｂ）及び
（ｃ）は平面図であり、（ｄ）は左側面図である。

【図１４】従来の半導体レーザ素子を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１１ 半導体基板 １２ ｎ型半導体部（第１の半導体層） １３ 活性層（発光層） １３ａ 出射端面 １３ｂ 反射端面 １４ ｐ型半導体部（第２の半導体層） １５ ｐ側電極 １５ａ 第１電極部（分割電極） １５ｂ 第２電極部（分割電極） １６ ｎ側電極 １６ａ 第１電極部（分割電極） １６ｂ 第２電極部（分割電極） １６ｃ 分割領域 １６ｄ 重なり部 ２０ 信号源 ２１ （第１の）可変抵抗器（抵抗可変手段） ２２ 第２の可変抵抗器（抵抗可変手段） ３１ 基板 ４０ レジストパターン ４０ａ 開口部 ４１ レジストパターン ４１ａ 第１の開口部 ４２ レジストパターン ４２ａ 開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 岳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 川口 靖利 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA61 AA89 BA06 CA07 DA05 DA25 DA30 EA12 EA27

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にほぼ一様な膜厚に形成された第
   １導電型の第１の半導体層と、 前記第１の半導体層の上にほぼ一様な膜厚に形成された
   第２導電型の第２の半導体層と、 前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間にほぼ
   一様な膜厚に形成され、発光光を生成する活性層と、 前記第１の半導体層に駆動電流を供給する第１の電極
   と、 前記第２の半導体層に駆動電流を供給する第２の電極と
   を備え、 前記第１の電極又は前記第２の電極は、互いに間隔をお
   いた複数の導電性部材からなる分割電極であることを特
   徴とする半導体発光装置。
2. 【請求項２】 前記分割電極は、前記基板上における前
   記活性層が形成されている主面側に設けられていること
   を特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 【請求項３】 前記第２の電極は、前記活性層に共振器
   を形成するストライプパターンを有しており、 前記分割電極は、前記共振器における出射端面側と反射
   端面側とを分けるように分割されていることを特徴とす
   る請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 【請求項４】 前記第１の電極及び第２の電極は、前記
   基板上における前記活性層が形成されている主面側に設
   けられていることを特徴とする請求項１〜３のうちのい
   ずれか１項に記載の半導体発光装置。
5. 【請求項５】 前記分割電極は、前記活性層にホールを
   注入するｐ側電極であることを特徴とする請求項１〜４
   のうちのいずれか１項に記載の半導体発光装置。
6. 【請求項６】 前記ｐ側電極は、前記第２の半導体層の
   上に形成されたストライプパターンを有し、 前記ｐ側電極における前記複数の導電性部材同士の間隔
   は約１０μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記
   載の半導体発光装置。
7. 【請求項７】 前記分割電極は、前記活性層に電子を注
   入するｎ側電極であることを特徴とする請求項１〜４の
   うちのいずれか１項に記載の半導体発光装置。
8. 【請求項８】 前記ｎ側電極は、前記第１の半導体層に
   おける前記ｐ側電極の一方の側方に露出した領域上に形
   成されており、 前記ｎ側電極における前記複数の導電性部材同士の間隔
   は約５μｍ以上であることを特徴とする請求項７項に記
   載の半導体発光装置。
9. 【請求項９】 前記第２の電極は、前記第２の半導体層
   の上に形成されたストライプパターンを持つｐ側電極で
   あり、 前記ｎ側電極は、前記第１の半導体層における前記ｐ側
   電極の一方の側方に露出した領域上に形成された第１電
   極部及び第２電極部からなり、 前記第１電極部と前記第２電極部との間に位置する分割
   領域は、前記ｐ側電極が延びる方向と基板面内で垂直な
   方向に対して０°よりも大きく且つ９０°よりも小さい
   傾斜角度を持つように設けられていることを特徴とする
   請求項７又は８に記載の半導体発光装置。
10. 【請求項１０】 前記第２の電極は、前記第２の半導体
    層の上に形成されたストライプパターンを持つｐ側電極
    であり、 前記第１の半導体層は、前記ｐ側電極の両側方に露出し
    ており、 前記ｎ側電極は、前記第１の半導体層における前記ｐ側
    電極の一方の側方の領域上に形成された第１電極部と、
    前記第１の半導体層における前記ｐ側電極の他方の側方
    の領域上に形成された第２電極部とからなり、 前記第１電極部と前記第２電極部とは、前記ｐ側電極に
    対して各平面形状が非対称となるように形成されている
    ことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置。
11. 【請求項１１】 前記基板は導電性を有しており、 前記分割電極は、前記基板における前記活性層が形成さ
    れている主面と反対側の面上に設けられた第１電極部
    と、前記基板における前記活性層が形成されている主面
    側に設けられた第２電極部とから構成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
12. 【請求項１２】 前記分割電極はｎ側電極であって、前
    記第１電極部は前記基板の主面と反対側の面上のほぼ全
    面に設けられ、前記第２電極部は、前記ｐ側電極の側方
    の領域の一部に設けられており、 前記第２の電極は、前記第２の半導体層の上に形成され
    たストライプパターンを持つｐ側電極であることを特徴
    とする請求項１１に記載の半導体発光装置。
13. 【請求項１３】 前記活性層は、その組成に窒素を含む
    化合物半導体からなることを特徴とする請求項１〜１２
    のうちのいずれか１項に記載の半導体発光装置。
14. 【請求項１４】 前記活性層は、その組成にリンを含む
    化合物半導体からなることを特徴とする請求項１〜１２
    のうちのいずれか１項に記載の半導体発光装置。
15. 【請求項１５】 基板上に、第１導電型の第１の半導体
    層、活性層及び第２導電型の第２の半導体層を、それぞ
    れがほぼ一様な膜厚で順次成長する工程と、 前記第１の半導体層の一部を露出した後、露出した第１
    の半導体層の上に第１の電極を形成する工程と、 前記第２の半導体層の上に第２の電極を形成する工程
    と、 前記第１の電極又は第２の電極を複数の電極に絶縁分離
    することにより、分割電極を形成する工程とを備えてい
    ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記分割電極を形成する工程は、エッ
    チング法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の
    半導体発光装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記分割電極を形成する工程は、リフ
    トオフ法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の
    半導体発光装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 基板上に、第１導電型の第１の半導体
    層、活性層及び第２導電型の第２の半導体層を、それぞ
    れがほぼ一様な膜厚で順次成長する工程と、 前記第１の半導体層の一部を露出した後、露出した第１
    の半導体層の上に第１のｎ側電極を形成する工程と、 前記基板における前記活性層と反対側の面上に第２のｎ
    側電極を形成する工程と、 前記第２の半導体層の上にｐ側電極を形成する工程とを
    備えていることを特徴とする半導体発光装置の製造方
    法。
19. 【請求項１９】 前記活性層は、その組成に窒素を含む
    化合物半導体からなることを特徴とする請求項１５〜１
    ８のうちのいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造
    方法。
20. 【請求項２０】 前記活性層は、その組成にリンを含む
    化合物半導体からなることを特徴とする請求項１５〜１
    ８のうちのいずれか１項に記載の半導体発光装置の製造
    方法。
21. 【請求項２１】 基板上に形成された第１導電型の第１
    の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された第
    ２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前
    記第２の半導体層との間に形成され、発光光を生成する
    活性層と、前記第１の半導体層に駆動電流を供給する第
    １の電極と、前記第２の半導体層に駆動電流を供給する
    ストライプ形状を有する第２の電極とを備え、前記第１
    の電極又は第２の電極を前記第２の電極が延びる方向に
    分割された分割電極とする半導体発光装置の駆動方法で
    あって、 前記分割電極は、出射端面側に位置する第１電極部と反
    射端面側に位置する第２電極部とからなり、 レーザ光の発振出力値を相対的に大きくする場合には、
    前記第１電極部及び第２電極部に対して第１駆動電流を
    印加し、 レーザ光の発振出力値を相対的に小さくする場合には、
    前記第１電極部に対して前記第１駆動電流を印加すると
    共に、前記第２電極部に対して前記第１駆動電流よりも
    値が小さい第２駆動電流を印加するか若しくは該第２駆
    動電流を印加せず、又は前記第２電極部に対して前記第
    １駆動電流を印加すると共に、前記第１電極部に対して
    前記第１駆動電流よりも値が小さい第２駆動電流を印加
    するか若しくは該第２駆動電流を印加しないことを特徴
    とする半導体発光装置の駆動方法。
22. 【請求項２２】 基板上に形成された第１導電型の第１
    の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された第
    ２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前
    記第２の半導体層との間に形成され、発光光を生成する
    活性層と、前記第１の半導体層に駆動電流を供給する第
    １の電極と、前記第２の半導体層に駆動電流を供給する
    ストライプ形状を有する第２の電極とを備え、前記第１
    の電極又は第２の電極を前記基板の表裏方向に分割され
    た分割電極とする半導体発光装置の駆動方法であって、 前記分割電極は、前記基板における前記活性層と反対側
    の面のほぼ全面を覆うように設けられた第１電極部と、
    前記第１の半導体層上における出射端面又は反射端面側
    に設けられた第２電極部とからなり、 レーザ光の発振出力値を相対的に大きくする場合には、
    前記第１電極部に対して第１駆動電流を印加し、 レーザ光の発振出力値を相対的に小さくする場合には、
    前記第１電極部に対して前記第１駆動電流よりも値が小
    さい第２駆動電流を印加するか又は該第２駆動電流を印
    加せず、且つ、前記第２電極部に対して前記第１駆動電
    流を印加することを特徴とする半導体発光装置の駆動方
    法。
23. 【請求項２３】 前記第２駆動電流は、前記第１駆動電
    流を抵抗可変手段に通すことにより生成することを特徴
    とする請求項２１又は２２に記載の半導体発光装置の駆
    動方法。
24. 【請求項２４】 前記第２駆動電流のピーク値は、前記
    第１駆動電流のピーク値のほぼ２分の１以下であること
    を特徴とする請求項２１〜２３のうちのいずれか１項に
    記載の半導体発光装置の駆動方法。
25. 【請求項２５】 基板上に形成された第１導電型の第１
    の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された第
    ２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前
    記第２の半導体層との間に形成され、発光光を生成する
    活性層と、前記第１の半導体層に駆動電流を供給する第
    １の電極と、前記第２の半導体層に駆動電流を供給する
    ストライプ形状を有する第２の電極とを備え、前記第１
    の電極又は第２の電極を前記第２の電極が延びる方向に
    分割された分割電極とする半導体発光装置の駆動方法で
    あって、 前記分割電極は、出射端面側に位置する第１電極部と反
    射端面側に位置する第２電極部とからなり、 前記第１電極部と前記第２電極部とに対して、互いに値
    が異なる駆動電流を自励発振が生じるように印加するこ
    とを特徴とする半導体発光装置の駆動方法。
26. 【請求項２６】 自励発振時には、前記第１電極部及び
    第２電極部のうちのいずれか一方に駆動電流を印加しな
    いことを特徴とする請求項２５に記載の半導体発光装置
    の駆動方法。
27. 【請求項２７】 レーザ光を発振する共振器を持つ半導
    体発光装置により出射されるレーザ光の反射光を用い
    て、記録媒体に記録された記録情報を読み出す半導体発
    光装置の駆動方法であって、 記録情報の読み出し時には、前記共振器に対して不均一
    に駆動電流を注入することを特徴とする半導体発光装置
    の駆動方法。
28. 【請求項２８】 前記半導体発光装置は自励発振するこ
    とを特徴とする請求項２７に記載の半導体発光装置の駆
    動方法。
29. 【請求項２９】 前記駆動電流は高周波電流であること
    を特徴とする請求項２７に記載の半導体発光装置の駆動
    方法。
30. 【請求項３０】 前記高周波電流の周波数は約１００Ｍ
    Ｈｚ以上であることを特徴とする請求項２９に記載の半
    導体発光装置の駆動方法。