JP2003007756A - ワイヤボンディングを用いた接続構造 - Google Patents

ワイヤボンディングを用いた接続構造

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wire
bonding
pad
capillary
connection structure
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Shinji Imada
真嗣 今田
Yukihiro Maeda
幸宏 前田
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ａｌパッドを２次側としてＡｕワイヤをワイ
ヤボンディング接合する接続構造において、２次側接合
部におけるＡｕワイヤの破壊を抑制する。 【解決手段】 ２次ボンディング側におけるＡｌパッド
２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚
さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面
６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ａｌ（アルミニウ
ム）よりなるパッドとＡｕ（金）よりなるワイヤとがワ
イヤボンディングによって接合されてなるワイヤボンデ
ィングを用いた接続構造およびそのような接続構造を実
現するのに適したボールボンディング装置に関し、例え
ば、２個の半導体チップ間のＡｌパッド同士をＡｕワイ
ヤにてワイヤボンディングしてなる接続構造に適用する
ことができる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、装置の小型化、低コスト化を
図るべく、パッケージや外部接続素子を減らすために、
２個の半導体チップ（ＩＣチップ）間のＡｌパッド（電
極）同士をＡｕワイヤにてワイヤボンディングした構造
（以下、チップ／チップボンディング構造という）が提
案されている。
【０００３】図１は、チップ／チップボンディング構造
を示す概略断面図である。リードフレームのアイランド
部３０に搭載された２個の半導体チップ１０、２０が、
それぞれリード３１にＡｕワイヤ４０にて結線され、チ
ップ１０、２０同士もＡｕワイヤ４０にて結線されてお
り、さらに、チップ１０、２０及びワイヤ４０が、エポ
キシ樹脂等の樹脂５０にてモールドされている。
【０００４】ここで、チップ（第１の半導体チップ）１
０のＡｌパッドを１次側、チップ（第２の半導体チッ
プ）２０のＡｌパッドを２次側として、これら両Ａｌパ
ッドがボールボンディング法によりワイヤボンドされて
いる。一般的なボールボンディング方法について、図７
の工程説明図を参照して述べる。
【０００５】まず、図７（ａ）に示す様に、ボールボン
ディング装置におけるキャピラリ１００の内部に挿入さ
れたワイヤ４０において、キャピラリ１００の先端から
導出された部分の先端に、放電加工によりボール部（イ
ニシャルボール）４１を形成する。
【０００６】次に、このボール部４１を第１の部材であ
る第１の半導体チップ１０のＡｌパッド１１に押し当て
て、熱及び超音波振動を加えながら接合し、１次ボンデ
ィングを行う（図７（ｂ））。その後、ワイヤ４０を、
キャピラリ１００の先端から繰り出して上記Ａｌパッド
１１との接合部（１次側接合部）から第２の部材である
第２の半導体チップ２０のＡｌパッド２１まで引き回す
（図７（ｃ））。
【０００７】次に、第２の半導体チップ２０のＡｌパッ
ド２１まで引き回されたワイヤ４０を、キャピラリ４０
の先端面にて当該Ａｌパッド２１に押しつけて、熱及び
超音波振動を加えながら接合し、２次ボンディングを行
う（図７（ｄ））。
【０００８】そして、図７（ｅ）の矢印に示す順に、キ
ャピラリ１００を上方へ移動させ、２次ボンディング側
の接合部（２次側接合部）からワイヤ４０を切り離す。
このとき、キャピラリ１００の先端からは、ワイヤ４０
が突出してテール部４２として残り、このテール部４２
に再び上記同様に放電加工を行い、上記ボール部４１を
形成する。こうして、ボールボンディングの１サイクル
が完了し、次のサイクルを行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の検討によれば、２次ボンディング側の接合部（２
次側接合部）において、Ａｌパッド２１とＡｕワイヤ４
０とを接合する場合に、以下に述べるような問題が生じ
ることがわかった。
【００１０】ここで、図１中の２次側接合部の従来の断
面構成を図８に示す。図８において（ａ）は、ボンディ
ング直後の状態、（ｂ）は高温環境下に長時間（例えば
１５０℃で１０００時間）さらした後の状態を示す。
【００１１】図８（ａ）に示す様に、２次側接合部で
は、ボンディング装置のキャピラリによって押さえつけ
られるため、Ａｕワイヤ４０は薄い膜状となって、第２
の半導体チップ２０のＡｌパッド２１に接合されてい
る。
【００１２】このように、Ａｕワイヤ４０とＡｌパッド
２１とがワイヤボンディングされた場合、高温環境下で
ＡｕとＡｌとの相互拡散が急速に進み、接合部において
は、Ａｕワイヤ４０が脆い合金層に変化する。特に、図
８（ｂ）に示す様に、２次側接合部においては、Ａｕワ
イヤ４０が上記キャピラリ１００の先端面にて押し付け
られて薄膜となっているため、この薄膜部全体が脆い合
金層６０に変化する。
【００１３】すると、Ａｕワイヤ４０において合金層６
０とＡｕの部分との界面６５が、Ａｕワイヤ４０におい
て断面積の小さい厚さ方向に延びて、Ａｕワイヤ４０の
表面にまで現れた状態となり、この界面６５を境界とし
てＡｕワイヤ４０は、合金層６０とＡｕの部分とに分断
された形となる。そして、この界面６５からＡｕワイヤ
４０の破壊（破断）が発生することがわかった。
【００１４】なお、このような問題は、上記したチップ
／チップボンディング構造のみならず、Ａｌパッドと相
手側部材とが、相手側部材を１次ボンディング側、Ａｌ
パッドを２次ボンディング側として、Ａｕワイヤを介し
てワイヤボンディングされてなる接続構造において、Ａ
ｕワイヤが薄膜状となる２次側接合部では、共通の問題
と考えられる。
【００１５】ちなみに、図９に示す様に、チップ／チッ
プボンディング構造において、２個の半導体チップ１
０、２０の間に、中継基板７０を介在させ、この中継基
板７０を２次ボンディング側とすれば、このような問題
を回避することができるが、中継基板７０を別途設ける
ことで、部品数及び工程数が増加し、結果的にコストが
増大してしまい、好ましくない。
【００１６】本発明は、上記した本発明者等が新たに見
出した問題に鑑みてなされたものであり、Ａｌパッドを
２次側としてＡｕワイヤをワイヤボンディング接合する
接続構造において、２次側接合部におけるＡｕワイヤの
破壊を抑制することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した２次
側接合部における破壊箇所となる合金層とＡｕとの界面
が、Ａｕワイヤの厚さ方向へ延びて、Ａｕワイヤを、断
面積の小さい厚さ方向にて合金層とＡｕとに完全に２分
してしまうため、上記Ａｕワイヤの破断が発生すること
に着目して、なされたものである。
【００１８】すなわち、請求項１に記載の発明では、Ａ
ｌよりなるパッド（２１）と相手側部材（１１）とが、
相手側部材を１次ボンディング側、パッドを２次ボンデ
ィング側として、Ａｕよりなるワイヤ（４０）を介して
ワイヤボンディングされてなる接続構造であって、パッ
ドとワイヤとの接合部にて、ワイヤの厚さ方向に延びる
Ａｕ−Ａｌの合金層（６０）とＡｕとの界面（６５）
が、ワイヤの内部にとどまっていることを特徴としてい
る。
【００１９】それによれば、Ａｕワイヤの厚さ方向への
上記界面の成長が抑制されて、Ａｕワイヤの表面の少な
くとも一部においてＡｕが連続してつながった状態を実
現できるため、その連続した部分にてワイヤの強度を確
保することができる。よって、本発明によれば、２次側
接合部におけるＡｕワイヤの破壊を抑制することができ
信頼性の高い接続構造を実現することができる。
【００２０】また、請求項２に記載の発明のように、パ
ッド（２１）とワイヤ（４０）との接合部にて、合金層
（６０）を含むワイヤの最大厚さ（Ｔ１）が、パッドの
厚さ（Ｔ２）の１．８倍よりも大きいものであれば、請
求項１に記載の効果を有する接続構造を適切に実現でき
ることが実験的にわかった。
【００２１】また、請求項３に記載の発明では、キャピ
ラリ（１００）の内部に挿入されたワイヤ（４０）にお
いてキャピラリの先端から導出された部分の先端にボー
ル部（４１）を形成し、このボール部を第１の部材（１
１）に押し当てて接合した後、ワイヤを、キャピラリの
先端から繰り出して第１の部材との接合部から第２の部
材（２１）まで引き回し、引き回されたワイヤをキャピ
ラリの先端面にて第２の部材に押しつけて接合させるよ
うにしたボールボンディング装置において、キャピラリ
の先端面（１００ａ）に、ワイヤの延びる方向に沿って
形成されワイヤの少なくとも一部が入り込むことの可能
な筋状の溝（１１０）が形成されていることを特徴とし
ている。
【００２２】本発明のボールボンディング装置によれ
ば、引き回されたワイヤをキャピラリの先端面にて第２
の部材に押しつけて接合させる際に、キャピラリの先端
面に形成された筋状の溝に、ワイヤの少なくとも一部が
入り込んだ状態とすることができる。
【００２３】そして、ワイヤをキャピラリの先端面にて
第２の部材に押しつけた際に、ワイヤのうち当該溝に入
り込んだ部分では、ワイヤは薄膜状にはならず、厚肉部
とすることができる。そのため、この厚肉部において
は、ワイヤの厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層とＡ
ｕとの界面をワイヤの内部にとどめることができる。
【００２４】従って、本発明によれば、請求項１および
請求項２に記載の接続構造を適切に実現することのでき
るボールボンディング装置を提供することができる。
【００２５】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は、本実施形態に係るチップ／
チップボンディング構造であるが、この構造の基本構成
については、上述した如くであるため、説明を省略す
る。
【００２７】本実施形態は、図１に示す構造において、
第１の半導体チップ１０のＡｌパッド（相手側部材）１
１を１次ボンディング側とし、２次ボンディング側の接
合部（２次側接合部）における第２の半導体チップ２０
のＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０の構成に、従来とは
異なる特徴を持たせたものである。以下、本実施形態の
特徴部分について主として説明していく。
【００２８】図２は、本実施形態に係るワイヤボンディ
ングを用いた接続構造の概略断面構成を示す図であり、
上記図１における２次側接合部、すなわち、Ａｕワイヤ
４０と第２の半導体チップ２０のＡｌパッド２１との接
合部の概略断面図である。ここで、図２において、
（ａ）はＡｕワイヤ４０の長さ方向に沿った断面構成、
（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面構成を示す図
である。
【００２９】図２（ｂ）に示す様に、本実施形態では、
２次側接合部におけるＡｕワイヤ４０は、その周辺部が
薄膜部４０ａであるが、全体が薄膜状ではなく、中央部
が厚い厚肉部４０ｂとなっている。
【００３０】この場合も、高温環境下に長時間放置した
ときに、Ａｌパッド２１からＡｕワイヤ４０側へＡｌが
拡散し、一方、Ａｕワイヤ４０からＡｌパッド２１側へ
Ａｕが拡散して、Ａｕ−Ａｌの合金層（図２中、斜線ハ
ッチングにて図示した部分）６０が形成される。
【００３１】しかし、図２に示す様に、本実施形態で
は、薄膜部４０ａでは全体が合金層６０に変化するが、
厚肉部４０ｂでは、合金層６０の進行がワイヤ４０の内
部にとどまっている。つまり、Ａｌパッド２１とＡｕワ
イヤ４０との接合部（２次側接合部）にて、Ａｕワイヤ
４０の厚さ方向に延びる合金層６０とＡｕとの界面６５
が、厚肉部４０ｂにおいては、Ａｕワイヤ４０の内部に
とどまっている。
【００３２】ここで、図２に示す２次側接合部の寸法の
一例を述べておく。Ａｕワイヤ４０の径Ｄはφ２５〜３
２μｍ（本例では３０μｍ）であり、Ａｌパッド２１の
膜厚Ｔ２は０．６〜８．３μｍ（本例では２μｍ）であ
り、合金層６０の長さＬは２６〜５５μｍ（本例では３
４．５μｍ）である。
【００３３】また、２次側接合部における合金層６０を
含むＡｕワイヤ４０の最大厚さ（つまり厚肉部４０ｂの
厚さ）Ｔ１は、ワイヤ４０の径Ｄの約１／２であって、
例えば、１２．５〜１９μｍ（本例では１５μｍ）であ
り、厚肉部４０ｂの幅Ｗは、ワイヤ４０の径Ｄに５μｍ
程度加えた大きさであって、例えば、３０〜３７μｍ
（本例では３５μｍ）である。
【００３４】この図２に示す２次側接合部の構成は、次
の図３に示す様なキャピラリ１００を有するボールボン
ディング装置を用いて形成することができる。図３にお
いて、（ａ）はキャピラリ１００の先端面１００ａを示
す図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ断面図であり、上記図
７（ｄ）に対応した断面を示している。なお、図３
（ｂ）中には、Ａｌパッド２１及びワイヤ４０（破線図
示）も示してある。
【００３５】図３に示すボールボンディング装置を用い
て、基本的には、上記図７に示したボールボンディング
方法により形成することができるが、本実施形態では、
図３に示す様に、キャピラリ１００の先端面１００ａ
に、ワイヤ４０の延びる方向に沿って形成されワイヤ４
０の少なくとも一部が入り込むことの可能な筋状の溝１
１０が形成されていることを特徴としている。
【００３６】この溝１１０は、キャピラリ１００の先端
面１００ａのうちワイヤ４０を押さえる部位に少なくと
も１本あれば良いが、本例では、図３（ａ）に示す様
に、キャピラリ１００の先端面１００ａにおいて、Ａｕ
ワイヤ４０を支持する孔１００ｂを中心として放射状に
複数本の溝１１０が形成されている。
【００３７】ここで、上記した２次側接合部の寸法例を
実現するためのキャピラリ１００の寸法の一例を述べて
おく。キャピラリ１００の先端面１００ａの径Ｄ’は１
００〜２００μｍ（本例では１２５μｍ）であり、溝１
１０の深さＨは、ワイヤ４０の径Ｄの約１／２であっ
て、例えば、１２．５〜１９μｍ（本例では１５μｍ）
であり、溝１１０の幅Ｗ’は、ワイヤ４０の径Ｄに５μ
ｍ程度加えた大きさであって、例えば、３０〜３７μｍ
（本例では３５μｍ）である。
【００３８】このキャピラリ１００を有するボールボン
ディング装置によれば、引き回されたＡｕワイヤ４０を
キャピラリ１００の先端面１００ａにて第２の半導体チ
ップ２０のＡｌパッド（第２の部材）２１に押しつけて
接合させる際に（上記図７（ｄ）参照）、図３（ｂ）に
示す様に、溝１１０に、ワイヤ４０が厚さ方向に１／２
程度入り込んだ状態とすることができる。
【００３９】ここで、ワイヤ４０をキャピラリ１００の
先端面１００ａにてＡｌパッド２１に押しつけた際に、
ワイヤ４０のうち溝１１０に入り込んだ部分では、ワイ
ヤ４０は薄膜状にはならず、厚肉部４０ｂを形成するこ
とができる。そして、キャピラリ１００を上方へ移動さ
せ、２次側接合部からＡｕワイヤ４０を切り離す（上記
図７（ｅ）参照）。
【００４０】なお、本例では、溝１１０が、Ａｕワイヤ
４０を支持する孔１００ｂとは連通しておらず、厚肉部
４０ｂと孔１００ｂとの間に薄膜部を形成できるので、
ワイヤ４０を切り離す際に、この薄膜部にて容易に切り
離すことができる。勿論、溝１１０は、孔１００ｂと連
通した状態にて形成されていても良い。
【００４１】ところで、本実施形態によれば、上記図２
に示した様に、２次側接合部にて、Ａｕワイヤ４０の厚
さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面
６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっていることを特徴
としている。
【００４２】それによれば、Ａｕワイヤ４０の厚さ方向
への上記界面６５の成長が抑制されて、Ａｕワイヤ４０
のうち少なくとも厚肉部４０ｂの表面においては、Ａｕ
が連続してつながった状態を実現できる。そのため、そ
の連続した部分にてワイヤ４０の強度を確保することが
でき、その結果、２次側接合部におけるＡｕワイヤ４０
の破壊を抑制することができ信頼性の高い接続構造を実
現することができる。
【００４３】また、上記図２に示す２次側接合部の接続
構造においては、合金層６０を含むＡｕワイヤ４０の最
大厚さ（厚肉部４０ｂの厚さ）Ｔ１が、Ａｌパッド２１
の厚さＴ２の１．８倍よりも大きくなっていることが好
ましい。つまり、Ａｕ／Ａｌの膜厚比Ｔ１／Ｔ２が１．
８よりも大となっており、上記図２を参照して述べた寸
法例では、７．５程度となっている。
【００４４】このＴ１／Ｔ２＞１．８の関係は、本発明
者等の実験検討の結果、得られたものである。その検討
結果の一例を図４に示す。図４は、１５０℃高温放置試
験（空気中）における上記比Ｔ１／Ｔ２（Ａｕ／Ａｌの
膜厚比）と接合寿命（時間）との関係を示す図である。
【００４５】ここで、上記比Ｔ１／Ｔ２は、Ａｕワイヤ
４０の最大厚さＴ１を２．４μｍの一定とし、Ａｌパッ
ド２１の膜厚Ｔ２を変えていくことでを変えた。また、
接合寿命は、２次側接合部においてＡｕワイヤ４０の破
断が発生した時点の時間とし、実用上、１０００時間以
上であれば問題ないものとした。
【００４６】図４からわかるように、比Ｔ１／Ｔ２が
１．８よりも大であれば、１０００時間経過しても、上
記図２に示した様に、２次側接合部にて、Ａｕワイヤ４
０の厚さ方向に延びる界面６５がワイヤ４０の内部にと
どまっているため、ワイヤ４０は破断しない。
【００４７】ちなみに、比Ｔ１／Ｔ２が１．８である
と、仕様である１０００時間に到達する前に、合金層６
０とＡｕとの界面６５が、Ａｕワイヤ４０の厚さ方向へ
延びて、Ａｕワイヤ４０を、断面積の小さい厚さ方向に
て合金層６０とＡｕとに完全に２分してしまい、ワイヤ
４０が破断してしまう。
【００４８】よって、上記比Ｔ１／Ｔ２が１．８よりも
大であれば、２次側接合部におけるＡｕワイヤ４０の破
壊を抑制することができ信頼性の高い接続構造を、適切
に実現することができる。
【００４９】また、このＴ１／Ｔ２＞１．８の関係が満
足されるならば、２次側接合部におけるＡｕワイヤ４０
は、上記図２に示したような厚肉部４０ｂと薄膜部４０
ａとを持たず、略均一な薄膜形状であっても良い。その
ような変形例を、図５にワイヤ４０の長さ方向に沿った
断面図として示す。
【００５０】この場合、初期的には、図５（ａ）に示す
様に、２次ボンディング側となるＡｌパッド２１の厚さ
Ｔ２を、極力薄くすることで、この厚さＴ２と薄膜状の
Ａｕワイヤ４０の厚さＴ１との比Ｔ１／Ｔ２を１．８よ
りも大とする。例えば、Ａｕワイヤ４０の厚さＴ１を
２．４μｍ、Ａｌパッド２１の厚さＴ２を０．７μｍと
する。なお、薄膜状のＡｕワイヤ４０の厚さＴ１は、薄
膜部分の中の最大厚さである。
【００５１】それにより、高温環境下にあっても、Ａｕ
ワイヤ４０の厚さ方向へのＡｌの拡散を、Ａｕワイヤ４
０の表面に合金層６０が現れる前に飽和させ、合金層６
０の成長を止めることができる。
【００５２】そのため、本変形例においても、図５
（ｂ）に示す様に、２次側接合部にて、Ａｕワイヤ４０
の厚さ方向に延びる界面６５を、Ａｕワイヤ４０の内部
にとどめることができ、上記したＡｕワイヤ４０の破壊
抑制効果を実現することができる。また、本例の構成
は、上記図３に示した特殊なキャピラリ１００を用いず
に、通常のボールボンディングにより形成することがで
きる。
【００５３】また、本実施形態の特徴である、２次側接
合部にてＡｕワイヤ４０の厚さ方向に延びる上記界面６
５がワイヤ４０の内部にとどまっている構成を実現する
ためには、両チップ１０、２０のＡｌパッド１１、２１
をウェッジボンディングにより結線する方法でも良い。
【００５４】図６は、ウェッジボンディング装置に用い
るツール２００を示す図であり、（ａ）は正面図、
（ｂ）は側面図である。図６に示す様に、ツール２００
には、Ａｕワイヤ４０を支持し、超音波振動を印加しな
がらＡｌパッド２１に押さえつけるための溝２１０が形
成されている。
【００５５】そのため、図６（ａ）に示す様に、２次側
接合部におけるＡｕワイヤ４０は、溝２１０に食い込ん
だ部分にて厚さを確保することができ、本実施形態の特
徴構成を容易に実現することができる。ここで、Ａｕワ
イヤ４０としては、径がφ５０ｍｍ〜φ８０ｍｍのもの
を用いることが好ましい。また、溝２１０の深さは、接
合性向上のためにワイヤ径の１０％以上あることが好ま
しく、通常はワイヤ径の３０〜４０％程度である。
【００５６】なお、上記実施形態では、Ａｌパッドと相
手側部材とが、相手側部材を１次ボンディング側、Ａｌ
パッドを２次ボンディング側として、Ａｕワイヤを介し
てワイヤボンディングされてなる接続構造として、チッ
プ／チップボンディング構造を用いたが、Ａｌパッド及
び相手側部材としては、半導体チップのＡｌパッド以外
のものでもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】チップ／チップボンディング構造を示す概略断
面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るワイヤボンディングを
用いた接続構造を示す概略断面図である。
【図３】上記実施形態に係るボールボンディング装置の
キャピラリを示す構成図である。
【図４】Ａｕ／Ａｌの膜厚比と接合寿命との関係を示す
図である。
【図５】上記実施形態の変形例を示す断面図である。
【図６】上記実施形態に係るウェッジボンディング装置
のツールを示す構成図である。
【図７】ボールボンディング方法の工程説明図である。
【図８】２次ボンディング側におけるＡｕワイヤとＡｌ
パッドとの接合部の従来の断面構成図である。
【図９】チップ／チップボンディング構造においてチッ
プ間に中継基板を介在させた例を示す概略断面図であ
る。
【符号の説明】
１１…第１の半導体チップのＡｌパッド、２１…第２の
半導体チップのＡｌパッド、４０…Ａｕワイヤ、４１…
ボール部、６０…ＡｕとＡｌとの合金層、６５…合金層
とＡｕとの界面、１００…キャピラリ、１００ａ…キャ
ピラリの先端面、１１０…溝、Ｔ１…Ａｕワイヤの最大
厚さ、Ｔ２…Ａｌパッドの膜厚。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ａｌよりなるパッド（２１）と相手側部
    材（１１）とが、前記相手側部材を１次ボンディング
    側、前記パッドを２次ボンディング側として、Ａｕより
    なるワイヤ（４０）を介してワイヤボンディングされて
    なる接続構造であって、 前記パッドと前記ワイヤとの接合部にて、前記ワイヤの
    厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層（６０）とＡｕと
    の界面（６５）が、前記ワイヤの内部にとどまっている
    ことを特徴とするワイヤボンディングを用いた接続構
    造。
  2. 【請求項２】 前記パッド（２１）と前記ワイヤ（４
    ０）との接合部にて、前記合金層（６０）を含む前記ワ
    イヤの最大厚さ（Ｔ１）が、前記パッドの厚さ（Ｔ２）
    の１．８倍よりも大きいことを特徴とする請求項１に記
    載のワイヤボンディングを用いた接続構造。
  3. 【請求項３】 キャピラリ（１００）の内部に挿入され
    たワイヤ（４０）において前記キャピラリの先端から導
    出された部分の先端にボール部（４１）を形成し、この
    ボール部を第１の部材（１１）に押し当てて接合した
    後、前記ワイヤを、前記キャピラリの先端から繰り出し
    て前記第１の部材との接合部から第２の部材（２１）ま
    で引き回し、引き回された前記ワイヤを前記キャピラリ
    の先端面にて前記第２の部材に押しつけて接合させるよ
    うにしたボールボンディング装置において、 前記キャピラリの先端面（１００ａ）には、前記ワイヤ
    の延びる方向に沿って形成され前記ワイヤの少なくとも
    一部が入り込むことの可能な筋状の溝（１１０）が形成
    されていることを特徴とするボールボンディング装置。
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