JP2003004660A - ボンディング状態の検査方法 - Google Patents

ボンディング状態の検査方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接着材の濡れ広がり状態を高速かつ安定して
検出することができるボンディング状態の検査方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 基板に接着材を介してボンディングされ
た半導体チップのボンディング状態の検査において、基
板に接着材を介してボンディングされた半導体チップを
撮像した画像において半導体チップのエッジEから1〜
2画素に相当する所定距離Dだけ隔てた位置に半導体チ
ップの周囲を取り囲む検査ラインILを設定する。そし
て検査ラインIL上の輝度分布を検出し、この輝度分布
より、接着材の広がり具合の良否を判定する。これによ
り、輝度検出対象の画素が画面上での明暗境界線上に位
置することによる輝度検出値のばらつきを防止して、高
速かつ安定して接着材の広がり具合を判定することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に接着剤を介
してボンディングされた半導体チップのボンディング状
態を検査するボンディング状態の検査方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造のダイボンディング工程
では、リードフレームなどの基板にエポキシ樹脂などの
接着材を介して半導体チップがボンディングされる。こ
の作業を行うダイボンディング装置は一般に外観検査機
能を備えており、半導体チップのボンディング状態、す
なわち半導体チップが正しい位置に正しい状態でボンデ
ィングされているか否かが、画像認識によって検査され
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このボンディング状態
の検査において、接着材の濡れ広がり状態、すなわち予
め基板上に塗布された接着材が半導体チップによって押
し広げられ、半導体チップの各辺から外側に適切な範囲
で広がっているか否かが検査される。この検査は、ボン
ディング後の画像において接着材に相当する部分の面積
を算出するなどの方法で行われていた。しかしながら、
この濡れ広がり状態の検査については、従来より高い信
頼性の検査結果を効率よく得ることが困難であった。
【0004】そこで本発明は、接着材の濡れ広がり状態
を高速かつ安定して検出することができるボンディング
状態の検査方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載のボンディ
ング状態の検査方法は、基板に接着材を介してボンディ
ングされた半導体チップのボンディング状態を検査する
ボンディング状態の検査方法であって、前記基板に接着
材を介してボンディングされた半導体チップを撮像して
画像を取り込む工程と、前記画像において半導体チップ
のエッジから所定距離隔てた位置に半導体チップの周囲
を取り囲む検査ラインを設定する工程と、前記検査ライ
ン上の輝度分布を検出する工程と、検出した輝度分布よ
り接着材の広がり具合の良否を判定する工程とを含む。
【0006】請求項2記載のボンディング状態の検査方
法は、請求項1記載のボンディング状態の検査方法であ
って、前記画像において半導体チップのエッジを検出
し、このエッジに基づいて検査ラインを設定する。
【0007】請求項3記載のボンディング状態の検査方
法は、請求項1記載のボンディング状態の検査方法であ
って、前記画像において半導体チップのコーナを検出
し、このコーナに基づいて検査ラインを設定する。
【0008】本発明によれば、ボンディングされた半導
体チップを撮像した画像において半導体チップのエッジ
から所定距離隔てた位置で半導体チップの周囲を取り囲
む検査ラインを設定し、この検査ライン上での輝度分布
から接着材を検出することにより、高速かつ安定して接
着材の広がり具合を判定することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の一実施の形態のダイ
ボンディング装置の機能ブロック図、図2は本発明の一
実施の形態のダイボンディング装置のボンディング状態
検査ユニットの構成を示すブロック図、図3は本発明の
一実施の形態のダイボンディング装置のボンディング状
態検査ユニットの機能ブロック図、図4は本発明の一実
施の形態のボンディング状態検査の画像図、図5は本発
明の一実施の形態のボンディング状態検査における位置
ずれ判定処理のフロー図、図6は本発明の一実施の形態
のボンディング状態検査における位置ずれ判定処理方法
の説明図、図7は本発明の一実施の形態のボンディング
状態検査における濡れ性検査処理のフロー図、図8は本
発明の一実施の形態の濡れ性検査の画像図、図9は本発
明の一実施の形態の濡れ性検査の拡大画像図である。
【0010】まず図1を参照してダイボンディング装置
の機能について説明する。図1において、1はコンベア
などの基板搬送機構であり、基板搬送機構1はワークで
ある基板2を以下に説明するペースト塗布部4およびボ
ンディング部5に搬送する。ペースト塗布部4には、デ
ィスペンサ6を備えたペースト塗布機構7が配設されて
おり、ペースト塗布機構7を駆動することにより、ディ
スペンサ6によって接着材であるペースト3が基板2に
塗布される。基板2に塗布された状態のペースト3は第
1のカメラ8によって撮像され、この撮像によって得ら
れた画像データを第1の検査ユニット9によって検査処
理することにより塗布状態の検査が行われる。
【0011】ペースト塗布後の基板2は、ボンディング
部5に搬送される。ボンディング部5は搭載ヘッド11
を備えたチップ搭載機構12が配設されており、チップ
搭載機構12を駆動することにより、搭載ヘッド11に
より半導体チップ10(以下、単に「チップ10」と略
称する。ここでは、チップ10には実装調整用として使
用される調整用ダイを含むものとする)が、基板2のペ
ースト3上に搭載されボンディングされる。基板2にボ
ンディングされたチップ10は、第2のカメラ13によ
って撮像され、この撮像で得られた画像データを第2の
検査ユニット14(ボンディング状態検査ユニット)に
よって検査処理することにより、ボンディング状態の検
査が行われる。
【0012】次に制御系について説明する。基板搬送機
構1、ペースト塗布機構7、第1の検査ユニット9、チ
ップ搭載機構12および第2の検査ユニット14は、制
御部15によって制御される。制御部15は検査結果記
憶部16を内蔵しており、第1の検査ユニット9および
第2の検査ユニット14による検査結果は、検査結果記
憶部16に記憶される。報知部17は、ブザーやシグナ
ルタワーなどの報知装置であり、異常警報などの各種の
報知を行う。表示部18はディスプレイ装置であり、操
作入力時の画面や検査結果の画面表示を行う。外部デー
タ読み・書き装置19は、外部ディスクドライブであ
り、フレキシブルディスクなどに記憶されたデータの読
み取りおよびデータの書き込みを行う。操作・入力部2
0は、キーボードやマウスなどの入力手段であり、制御
コマンドの入力やデータ入力を行う。
【0013】次に図2、図3を参照して、ボンディング
部5において行われるボンディング状態検査の処理機能
について説明する。図2において、第2のカメラ13の
下方には、照明ユニット21が設けられており、照明ユ
ニット21は光源部21aおよびハーフミラー21bを
備えている。光源部21aを点灯することにより照射さ
れた照明光は、ハーフミラー21bによって下方に反射
され、基板2のペースト3上に搭載されたチップ10を
上方から照射する。そしてこの反射光が、ハーフミラー
21bを透過して第2のカメラ13に入射することによ
り、同軸落射照明によるチップ10やペースト3の撮像
が行われる。
【0014】そしてこの撮像により、図4(a)、
(b)に示すような画像が得られる。図4(a)に示す
実生産のチップ10を撮像した画像においては、外部接
続用の電極10aや回路パターン10bが形成された正
方形状のチップ10の各辺から外側に向かってペースト
3がはみ出している。これに対し、図4(b)は装置調
整用に用いられる調整用ダイ10’を撮像した画像を示
している。この画像においては、前述の電極10aや回
路パターン10bが存在しないため、画像には正方形上
の調整用ダイ10’本体と、調整用ダイ10’の各辺か
ら外側に向かってはみ出したペースト3のみが現れる。
このようにして得られた画像データは、第2の検査ユニ
ット14に送られる。
【0015】次に第2の検査ユニット14について説明
する。第2の検査ユニット14は、A/D変換部14
a、画像記憶部14b、演算部14c、データ記憶部1
4d、プログラム記憶部14e、インターフェース14
fを備えており、画像記憶部14b、演算部14c、デ
ータ記憶部14d、プログラム記憶部14e、インター
フェース14fは相互に接続され各部間での信号授受が
可能となっている。
【0016】A/D変換部14aは第2のカメラ13に
よって取得された画像データをA/D変換する。A/D
変換されたデジタルの画像データは、画像記憶部14b
に記憶される。演算部14cは、取得された画像データ
を画像処理することにより、チップ10の位置ずれ判定
処理や濡れ性検査処理などの演算処理を行う。データ記
憶部14dは、チップ10のサイズデータ、基板2にお
ける搭載点の位置を示す位置データ、位置ずれ判定や濡
れ性検査に用いられるしきい値データなどの各種データ
を記憶する。プログラム記憶部14eは、画像処理、位
置ずれ判定処理、濡れ性検査処理などの各種処理を行う
ために必要なプログラムを記憶する。インターフェース
14fは、制御部15との間でのデータ授受を行う。
【0017】図3は、第2の検査ユニット14によって
行われる処理機能を示している。図3に示す各部の処理
機能は、データ記憶部14dに記憶されたデータを用
い、プログラム記憶部14eに記憶された処理プログラ
ムを演算部14cによって実行することにより実現され
る。まず画像記憶部14bに記憶された画像データは、
前処理部22によって二値化、多値化などの画像処理が
行われ、これによりペースト3を撮像した範囲のみが抽
出される。すなわち、図4(a)、(b)に示す画像を
画像処理することにより、図4(c)に示すように、チ
ップ10の各辺からはみ出したペースト3が抽出された
前処理画像が作成される。
【0018】エッジ検出処理部23は、前処理画像にお
いて図4(c)に示すようにペースト3とチップ10の
境界に現れる直線状のエッジEを検出する。位置ずれ判
定処理部24は、検出されたエッジEに基づき、チップ
10が正しい位置に正しい姿勢でボンディングされてい
るか否かを判定する位置ずれ判定処理を行う。濡れ性検
査処理部25は、前処理画像に基づき、ペースト3のは
み出し度合いが適正であるか否かを判定する濡れ性検査
を行う。
【0019】次に図5、図6を参照して、位置ずれ判定
処理について説明する。先ず、ペースト3のみが抽出さ
れた前処理画像において、図6(a)に示すように、直
交する2辺のエッジE1,E2を抽出する(ST1)。
そしてそれぞれのエッジの延長線L1,L2の交点Aの
位置座標(AX,AY)を求める計算を行い(ST
2)、次いで1つのエッジ(ここではE1)の角度を検
出する。ここでは、エッジE1がX軸に平行な直線とな
す角度を求め、この角度を角度ずれ量Δθとして検出す
る(ST3)。
【0020】そして、交点Aの位置座標(AX,AY)
および角度ずれ量Δθより、チップ中心点Cの位置を示
すチップ中心座標(CX,CY)を算出する(ST
4)。この計算には、(数1)に示す計算式が用いられ
る(図6(b)参照)。ここで、Wは正方形状のチップ
10の辺寸法である。
【0021】
【数1】
【0022】次に、位置ずれ計算を行う(ST5)。す
なわち、チップ正規位置Rの位置座標R(RX,RY)
と、求められたチップ中心座標(CX,CY)との差
を、ΔX=RX−CX、ΔY=RY−CYの計算式によ
って求める。そして、求められた位置ずれ量ΔX、ΔY
および角度ずれ量Δθが、それぞれ許容範囲として設定
されたしきい値よりも小さいか否かを判定する位置ずれ
および角度ずれ判定を行う(ST6)。この判定結果を
検査結果記憶部16に記憶して(ST7)、位置ずれ判
定処理を終了する。
【0023】すなわち、上記位置ずれ検出処理において
は、基板2にペーストを介してボンディングされたチッ
プ10を撮像して画像を取り込み、この画像においてペ
ースト3とチップ10の境界に現れる直線状のエッジを
少なくとも直交する2辺について検出する。そして検出
された2つのエッジE1,E2の延長線が交わる交点A
の座標を求めるとともに1つのエッジE1の角度を検出
する。そして求められた交点Aの座標、エッジE1の角
度およびチップ10の寸法Wに基づいて、チップ10の
位置ずれ状態を判定するようにしている。
【0024】この位置ずれ検出処理は、チップ10の上
面の回路パターンの有無に関係なく行われることから、
回路パターンが存在しない調整用ダイを用いる場合にあ
っても、位置ずれを検出することができる。また実生産
において、回路パターンの認識が良好に行えないような
種類のチップを対象とする場合にあっても、同様に位置
ずれ検出を良好に行うことができる。
【0025】次に図7〜図9を参照して、濡れ性検査処
理について説明する。この濡れ性検査は、チップ10を
基板2に搭載した状態で、予め塗布されたペースト3が
チップ10によって適正な範囲で押し広げられているか
否かを検査するものである。図7において、先ず検出し
たエッジに基づいて検査ラインを設定する(ST1
1)。すなわち、図8(a)に示すように、各エッジE
1,E2,E3,E4から所定距離隔Dだけ外側に隔て
た位置に、チップ10を取り囲む検査ラインILを設定
する(ST12)。ここで、所定距離Dは撮像画面を構
成する画素の大きさに基づいて決定され、1〜2画素分
程度の距離が所定距離Dとして用いられる。
【0026】なおこのとき、図8(b)に示すように、
各エッジE1,E2,E3,E4の延長線が互いに交わ
る4つの交点A,B,C,Dを求めることによりチップ
10のコーナを検出し、このコーナに基づいて検査ライ
ンILを設定するようにしてもよい。この場合には、交
点A,B,C,Dによって決定される四辺形の各辺から
所定距離Dだけ外側に隔てた位置に検査ラインILが設
定される。
【0027】次に設定された検査ラインIL上に沿って
輝度分布を検出する(ST12)。この輝度分布検出に
おいては、図9において太線枠を施した階段状の画素列
の輝度が、検査ラインIL上に沿った輝度分布として検
出される。上述のように、検査ラインILは、画像上で
の明部(ペースト3以外の部分)と暗部(ペースト3の
部分)とを区分する明暗境界線であるエッジEから所定
距離Dだけ隔てた位置にあるため、輝度検出対象の画素
が明暗境界線上に位置することがない。したがって検出
対象の個々の画素は明部か暗部のいずれかに位置し、輝
度検出値のばらつきを生じることなく、検査ラインIL
に沿った輝度分布を検出することができる。
【0028】そしてこのようにして検出された輝度分布
に基づき、検査ラインILのうちペースト3に相当する
輝度を有する部分(図9に示す範囲A参照)をペースト
部分として抽出する。そして、ペースト部分が検査ライ
ンの70%以上であるか否かを判定する(ST13)。
ここで、70%以上で有れば、ペースト3がチップ10
の各辺から十分にはみ出しており、濡れ性良好であると
判定する(ST14)。これに対し、70%に満たない
場合には、濡れ性不良と判定する(ST15)。そして
この判定結果を検査結果記憶部16に記憶して(ST1
6)、濡れ性検査処理を終了する。
【0029】すなわち、上記濡れ性検査処理において
は、基板2にペースト3を介してボンディングされたチ
ップ10を撮像して画像を取り込み、この画像において
ペースト3とチップ10の境界に現れる直線状のエッジ
から所定距離隔てた位置にチップ10の周囲を取り囲む
検査ラインILを設定する。そしてこの検査ラインIL
上の輝度分布を検出し、検出した輝度分布より接着材の
広がり具合の良否を判定するようにしている。
【0030】この濡れ性検査処理において、チップ10
の周囲を取り囲んで設定される検査ラインILに沿った
輝度分布を検出するのみでよいことから、高速で検査処
理が行える。しかも輝度分布検出の対象となる検査ライ
ンILは、ペースト3とチップ10の境界から1〜2画
素分だけ外側に隔てた位置に設定されていることから、
輝度分布を安定して検出することができる。したがっ
て、濡れ性検査処理を高速かつ安定した検出精度で行う
ことができ、ボンディング状態検査の効率化を図ること
ができる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディングされた半
導体チップを撮像した画像において半導体チップのエッ
ジから所定距離隔てた位置で半導体チップの周囲を取り
囲む検査ラインを設定し、この検査ライン上での輝度分
布から接着材を検出するようにしたので、高速かつ安定
して接着材の広がり具合を判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態のダイボンディング装置
の機能ブロック図
【図2】本発明の一実施の形態のダイボンディング装置
のボンディング状態検査ユニットの構成を示すブロック
【図3】本発明の一実施の形態のダイボンディング装置
のボンディング状態検査ユニットの機能ブロック図
【図4】本発明の一実施の形態のボンディング状態検査
の画像図
【図5】本発明の一実施の形態のボンディング状態検査
における位置ずれ判定処理のフロー図
【図6】本発明の一実施の形態のボンディング状態検査
における位置ずれ判定処理方法の説明図
【図7】本発明の一実施の形態のボンディング状態検査
における濡れ性検査処理のフロー図
【図8】本発明の一実施の形態の濡れ性検査の画像図
【図9】本発明の一実施の形態の濡れ性検査の拡大画像
【符号の説明】
2 基板 3 ペースト 4 ペースト塗布部 5 ボンディング部 7 ペースト塗布機構 8 第1のカメラ 9 第1の検査ユニット 10 半導体チップ(チップ) 13 第2のカメラ 14 第2の検査ユニット 15 制御部 E1,E2,E3,E4 エッジ IL 検査ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 AA12 AA17 AA20 AA32 AA49 CC26 CC31 DD06 FF42 HH13 JJ03 JJ09 LL00 QQ03 QQ23 QQ24 QQ25 QQ36 RR06 SS09 2G051 AA61 AA65 AB14 BB03 CA04 CA07 DA01 EA11 EA12 EA14 EB01 FA01 FA10 5F047 BA21 BB11 BB13 BB16 FA73 FA77 FA83

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板に接着材を介してボンディングされた
    半導体チップのボンディング状態を検査するボンディン
    グ状態の検査方法であって、前記基板に接着材を介して
    ボンディングされた半導体チップを撮像して画像を取り
    込む工程と、前記画像において半導体チップのエッジか
    ら所定距離隔てた位置に半導体チップの周囲を取り囲む
    検査ラインを設定する工程と、前記検査ライン上の輝度
    分布を検出する工程と、検出した輝度分布より接着材の
    広がり具合の良否を判定する工程とを含むことを特徴と
    するボンディング状態の検査方法。
  2. 【請求項2】前記画像において半導体チップのエッジを
    検出し、このエッジに基づいて検査ラインを設定するこ
    とを特徴とする請求項1記載のボンディング状態の検査
    装置。
  3. 【請求項3】前記画像において半導体チップのコーナを
    検出し、このコーナに基づいて検査ラインを設定するこ
    とを特徴とする請求項1記載のボンディング状態の検査
    装置。
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