JP2002544108A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- TXKRDMUDKYVBLB-UHFFFAOYSA-N methane;titanium Chemical compound C.[Ti] TXKRDMUDKYVBLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 5
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 5
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton(0) Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 5
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon(0) Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon(0) Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XRVIPHKLFRYYCW-UHFFFAOYSA-N [Al].FOF Chemical compound [Al].FOF XRVIPHKLFRYYCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001929 titanium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004018 SiF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N Boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 磁気記録ヘッドであって、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が前記基板の他の部分よりも高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも1つのセンサー要素を有し、電気抵抗率の高い領域に形成された層と、を具えている磁気記録ヘッド。
【請求項2】 前記領域の電気抵抗率は、基板のその他部分の電気抵抗率よりも7桁以上大きい請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項3】 センサー要素は磁極である請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項4】 前記領域の表面の電気抵抗率は、105ohm-cm以上である請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項5】 前記領域の厚さは、約100Å〜約1000Åの範囲である請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項6】 セラミック材料はカーバイド材料を含んでいる請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項7】 セラミック材料は、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化ホウ素からなる群から選択される少なくとも一種の材料を含んでいる請求項6の磁気記録ヘッド。
【請求項8】 セラミック材料は、アルミナと炭化チタンを含んでいる請求項7の磁気記録ヘッド。
【請求項9】 セラミック材料は、アルミナを約60〜約80重量%、炭化チタンを約20〜40重量%含んでいる請求項8の磁気記録ヘッド。
【請求項10】 電気抵抗率の高い領域は、基板のその他部分よりも炭化チタンが少ない請求項8の磁気記録ヘッド。
【請求項11】 電気抵抗率の高い領域は、SiOx(但しx≦2)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びAlF3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項10の磁気記録ヘッド。
【請求項12】 電気抵抗率の高い領域は、イオンを基板に衝突させることにより形成される請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項13】 イオンは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源から得られる請求項12の磁気記録ヘッド。
【請求項14】 磁気記録ヘッドを含む磁気メモリデバイスであって、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が前記基板の他の部分よりも高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも1つの磁極を有し、電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に形成された層と、を具える磁気メモリデバイス。
【請求項15】 前記領域の電気抵抗率は、基板の他の部分の電気抵抗率よりも7桁以上大きい請求項14の磁気メモリデバイス。
【請求項16】 高い電気抵抗率を有する領域は、基板にイオンを衝突させることによって形成される請求項15の磁気メモリデバイス。
【請求項17】 磁気記録媒体をさらに具えており、前記磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体の読出し及び磁気記録媒体への書込みのうちの少なくとも一方を行なう請求項15の磁気メモリデバイス。
【請求項18】 磁気メモリデバイスを具える電子デバイスであって、前記磁気メモリデバイスは磁気記録ヘッドを含んでおり、前記磁気記録ヘッドは、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が他の部分よりも実質的に高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも1つの磁極を有し、電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に形成された層とを具えている、電子デバイス。
【請求項19】 基板の少なくとも一部分の電気抵抗率を大きくする方法であって、
セラミック基板を形成し、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンを用い、前記セラミック基板に対して、イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施すことにより、基板の表面から基板の内部に亘る領域に、基板表面で測定したときの電気抵抗率が105ohm-cm以上である変質領域を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項20】 イオンは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ケイ素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びフルオロシラン(SiF4)からなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンを含んでいる請求項19の方法。
【請求項21】 イオン注入は、約1014〜約1018イオン/cm2の量のイオンを、セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることを含んでいる請求項19の方法。
【請求項22】 変質領域は、セラミック基板の約100Å〜約1000Åの深さまで形成されている請求項19の方法。
【請求項23】 セラミック基板は、アルミナと炭化チタンを含み、変質領域は、基板の他の部分よりも炭化チタンが少ない請求項19の方法。
【請求項24】 イオンは、SiF3 +を含み、変質領域は、SiOx(但しx≦2)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びAlF3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項23の方法。
【請求項25】 セラミック基板は、薄膜磁気記録ヘッドの基板である請求項19の方法。
【請求項26】 基板の電気抵抗率を大きくする方法であって、
アルミナ及び炭化チタンを含むセラミック基板を形成し、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンであって、約1014〜約1018イオン/cm2の量のイオンを、約1〜約150KeVのエネルギーにて、前記セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることにより、基板の表面から基板の内部に亘る領域に、基板表面で測定したときの電気抵抗率が105ohm-cm以上、厚さが約100Å〜約1000Åである変質領域を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項27】 薄膜磁気記録ヘッドを作製する方法であって、
セラミック基板を形成し、
該セラミック基板に、イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施すことにより、電気抵抗率の高い領域を形成し、
電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に少なくとも1つの磁極を含む層を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項28】 前記領域の表面で測定された電気抵抗率は105ohm-cm以上である請求項27の方法。
【請求項29】 イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施す工程は、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、窒素、酸素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンであって、セラミック基板を表面から約100Å以上の深さまで化学的に変質させるのに有効な量のイオンを、前記セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることを含んでいるセラミック28の方法。
【請求項30】 イオンは、エネルギーが約1〜約150KeVの範囲である請求項29の方法。
【請求項31】 セラミック基板は、アルミナ及び炭化チタンを含んでおり、
イオンは、少なくとも一種のフッ素化合物からのイオンを含んでおり、
化学的変質領域は、セラミック基板の他の部分よりも炭化チタンが少ない請求項30の方法。
【請求項32】 化学的変質領域は、SiOx(但しx≦2)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びAlF3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項31の方法。
【請求項1】 磁気記録ヘッドであって、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が前記基板の他の部分よりも高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも1つのセンサー要素を有し、電気抵抗率の高い領域に形成された層と、を具えている磁気記録ヘッド。
【請求項2】 前記領域の電気抵抗率は、基板のその他部分の電気抵抗率よりも7桁以上大きい請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項3】 センサー要素は磁極である請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項4】 前記領域の表面の電気抵抗率は、105ohm-cm以上である請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項5】 前記領域の厚さは、約100Å〜約1000Åの範囲である請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項6】 セラミック材料はカーバイド材料を含んでいる請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項7】 セラミック材料は、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化ホウ素からなる群から選択される少なくとも一種の材料を含んでいる請求項6の磁気記録ヘッド。
【請求項8】 セラミック材料は、アルミナと炭化チタンを含んでいる請求項7の磁気記録ヘッド。
【請求項9】 セラミック材料は、アルミナを約60〜約80重量%、炭化チタンを約20〜40重量%含んでいる請求項8の磁気記録ヘッド。
【請求項10】 電気抵抗率の高い領域は、基板のその他部分よりも炭化チタンが少ない請求項8の磁気記録ヘッド。
【請求項11】 電気抵抗率の高い領域は、SiOx(但しx≦2)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びAlF3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項10の磁気記録ヘッド。
【請求項12】 電気抵抗率の高い領域は、イオンを基板に衝突させることにより形成される請求項1の磁気記録ヘッド。
【請求項13】 イオンは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源から得られる請求項12の磁気記録ヘッド。
【請求項14】 磁気記録ヘッドを含む磁気メモリデバイスであって、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が前記基板の他の部分よりも高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも1つの磁極を有し、電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に形成された層と、を具える磁気メモリデバイス。
【請求項15】 前記領域の電気抵抗率は、基板の他の部分の電気抵抗率よりも7桁以上大きい請求項14の磁気メモリデバイス。
【請求項16】 高い電気抵抗率を有する領域は、基板にイオンを衝突させることによって形成される請求項15の磁気メモリデバイス。
【請求項17】 磁気記録媒体をさらに具えており、前記磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体の読出し及び磁気記録媒体への書込みのうちの少なくとも一方を行なう請求項15の磁気メモリデバイス。
【請求項18】 磁気メモリデバイスを具える電子デバイスであって、前記磁気メモリデバイスは磁気記録ヘッドを含んでおり、前記磁気記録ヘッドは、
セラミック材料からなる基板であって、電気抵抗率が他の部分よりも実質的に高い一体の領域を含む基板と、
少なくとも1つの磁極を有し、電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に形成された層とを具えている、電子デバイス。
【請求項19】 基板の少なくとも一部分の電気抵抗率を大きくする方法であって、
セラミック基板を形成し、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンを用い、前記セラミック基板に対して、イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施すことにより、基板の表面から基板の内部に亘る領域に、基板表面で測定したときの電気抵抗率が105ohm-cm以上である変質領域を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項20】 イオンは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ケイ素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びフルオロシラン(SiF4)からなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンを含んでいる請求項19の方法。
【請求項21】 イオン注入は、約1014〜約1018イオン/cm2の量のイオンを、セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることを含んでいる請求項19の方法。
【請求項22】 変質領域は、セラミック基板の約100Å〜約1000Åの深さまで形成されている請求項19の方法。
【請求項23】 セラミック基板は、アルミナと炭化チタンを含み、変質領域は、基板の他の部分よりも炭化チタンが少ない請求項19の方法。
【請求項24】 イオンは、SiF3 +を含み、変質領域は、SiOx(但しx≦2)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びAlF3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項23の方法。
【請求項25】 セラミック基板は、薄膜磁気記録ヘッドの基板である請求項19の方法。
【請求項26】 基板の電気抵抗率を大きくする方法であって、
アルミナ及び炭化チタンを含むセラミック基板を形成し、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ハロゲン化合物、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、酸素、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンであって、約1014〜約1018イオン/cm2の量のイオンを、約1〜約150KeVのエネルギーにて、前記セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることにより、基板の表面から基板の内部に亘る領域に、基板表面で測定したときの電気抵抗率が105ohm-cm以上、厚さが約100Å〜約1000Åである変質領域を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項27】 薄膜磁気記録ヘッドを作製する方法であって、
セラミック基板を形成し、
該セラミック基板に、イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施すことにより、電気抵抗率の高い領域を形成し、
電気抵抗率の高い領域の少なくとも一部分に少なくとも1つの磁極を含む層を形成する、ことを含んでいる方法。
【請求項28】 前記領域の表面で測定された電気抵抗率は105ohm-cm以上である請求項27の方法。
【請求項29】 イオン注入及びプラズマ浸漬のうちの少なくとも一方を施す工程は、
ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、窒素、酸素、ハロゲン化合物、ケイ素及びアンチモンからなる群から選択される少なくとも一種のイオン源からのイオンであって、セラミック基板を表面から約100Å以上の深さまで化学的に変質させるのに有効な量のイオンを、前記セラミック基板の少なくとも一部分に衝突させることを含んでいるセラミック28の方法。
【請求項30】 イオンは、エネルギーが約1〜約150KeVの範囲である請求項29の方法。
【請求項31】 セラミック基板は、アルミナ及び炭化チタンを含んでおり、
イオンは、少なくとも一種のフッ素化合物からのイオンを含んでおり、
化学的変質領域は、セラミック基板の他の部分よりも炭化チタンが少ない請求項30の方法。
【請求項32】 化学的変質領域は、SiOx(但しx≦2)、オキシフッ化アルミニウム錯体、酸化チタン錯体及びAlF3のうちの少なくとも一種を含んでいる請求項31の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/309,829 US6252741B1 (en) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | Thin film magnetic recording head with treated ceramic substrate |
US09/309,829 | 1999-05-11 | ||
PCT/US2000/011945 WO2000068167A1 (en) | 1999-05-11 | 2000-05-01 | Ceramic substrate treatment method and improved thin film magnetic recording head |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002544108A JP2002544108A (ja) | 2002-12-24 |
JP2002544108A5 true JP2002544108A5 (ja) | 2007-05-24 |
JP4947838B2 JP4947838B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=23199842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000617148A Expired - Fee Related JP4947838B2 (ja) | 1999-05-11 | 2000-05-01 | セラミック基板の処理方法及び改良された薄膜磁気記録ヘッド |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6252741B1 (ja) |
EP (1) | EP1181261B1 (ja) |
JP (1) | JP4947838B2 (ja) |
AT (1) | ATE333443T1 (ja) |
AU (1) | AU4815300A (ja) |
DE (1) | DE60029438T2 (ja) |
DK (1) | DK1181261T3 (ja) |
WO (1) | WO2000068167A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011622A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-16 | Sony Corp | 絶縁物の表面処理方法、プリンタヘッド及び記録媒体用基材 |
CN1158403C (zh) * | 1999-12-23 | 2004-07-21 | 西南交通大学 | 一种人工器官表面改性方法 |
US6747841B1 (en) | 2000-09-06 | 2004-06-08 | Seagate Technology Llc | Optimization of temperature dependent variations in shield and pole recession/protrusion through use of a composite overcoat layer |
US7123448B1 (en) * | 2000-10-13 | 2006-10-17 | Seagate Technology, Llc | Extended alumina basecoat advanced air bearing slider |
JP2002237008A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
FR2821512B1 (fr) * | 2001-02-28 | 2003-05-30 | Thomson Multimedia Sa | Dispositifs de commande de fichiers audio et/ou video et dispositifs, procedes et produits d'emission correspondants |
US6813118B2 (en) | 2002-01-04 | 2004-11-02 | Seagate Technology Llc | Transducing head having improved studs and bond pads to reduce thermal deformation |
US6732421B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-05-11 | Seagate Technology Llc | Method for producing magnetoresistive heads ion bombardment etch to stripe height |
US6876526B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-04-05 | Seagate Technology Llc | Bilayer shared pole extension for reduced thermal pole tip protrusion |
US7082016B2 (en) | 2002-07-22 | 2006-07-25 | Seagate Technology Llc | Multilayer magnetic shields with compensated thermal protrusion |
US20040045671A1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-03-11 | Ed Rejda | Selective etching device |
US6836389B2 (en) * | 2002-09-27 | 2004-12-28 | Seagate Technology Llc | Slider basecoat for thermal PTR reduction |
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- 2000-05-01 AU AU48153/00A patent/AU4815300A/en not_active Abandoned
- 2000-05-01 DK DK00930307T patent/DK1181261T3/da active
- 2000-05-01 WO PCT/US2000/011945 patent/WO2000068167A1/en active IP Right Grant
- 2000-05-01 JP JP2000617148A patent/JP4947838B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-01 EP EP00930307A patent/EP1181261B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-01 AT AT00930307T patent/ATE333443T1/de not_active IP Right Cessation
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