JP2002540642A - エピタキシャル反応装置用反応チャンバ - Google Patents
エピタキシャル反応装置用反応チャンバInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
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Abstract
(57)【要約】
エピタキシャル反応装置用の反応チャンバ（１０）であって、該反応チャンバ（１０）は、絶縁性で透明の化学的に耐性な材料から作製されるベルジャー（１４）、処理される材料のウエハ（３６ａ〜ｎ）を収容するための円板形状のキャビティ（３４ａ〜ｎ）を備え、かつ絶縁性で化学的に耐性なプレート（４０）がその上方に配置されたサセプタ（２４）、およびベルジャー（１４）の上部開口部（５０）に固定されたキャップ（５２）に取り付けられた複数の出口パイプ（１０６ａ〜ｆ）からなるディフューザ（５４）を有する。
Description
【０００１】 本発明は、結晶化材料の基板への化学気相反応による蒸着を行うエピタキシャ
ル反応装置の反応チャンバに対する改善に関する。特に、本発明は、半導体材料
を同じ材料から作製された単結晶基板に蒸着するエピタキシャル反応装置の改善
された反応チャンバに関し、より詳細には、半導体シリコンを同じ材料の基板に
蒸着することによるエピタキシャル成長に関する。
ル反応装置の反応チャンバに対する改善に関する。特に、本発明は、半導体材料
を同じ材料から作製された単結晶基板に蒸着するエピタキシャル反応装置の改善
された反応チャンバに関し、より詳細には、半導体シリコンを同じ材料の基板に
蒸着することによるエピタキシャル成長に関する。
【０００２】 単結晶を同じ材料からなる基板上にエピタキシャル成長させることを含む技術
がこの数十年にわたって知られており、電子半導体デバイスを調製するために、
特に、集積回路チップの製造時に使用されるシリコン基板または「ウエハ」を調
製するために広く使用されている。
がこの数十年にわたって知られており、電子半導体デバイスを調製するために、
特に、集積回路チップの製造時に使用されるシリコン基板または「ウエハ」を調
製するために広く使用されている。
【０００３】 このようなシリコンのエピタキシャル成長のために、シリコン供給源ガスと呼
ばれるシリコンのガス状化合物（シラン（ＳｉＨ４）、モノクロロシラン（Ｓｉ
Ｈ３Ｃｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣ
ｌ３）および四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）など）の水素雰囲気中での熱分解によ
って得られる気相成長法（ＣＶＤ）が幅広く使用されている。このような熱分解
を達成するために、エピタキシャル反応装置が使用されている。この反応装置は
、本質的には、絶縁性で透明な材料から作製された、シリコンウエハの支持体お
よびヒーターを包むベルジャーによって形成され、そして炭化ケイ素で内張りさ
れたグラファイトから作製され、かつシリコンウエハを収容する実質的に円板形
状のキャビティを備え、かつ石英ベルジャーを外側から取り囲むコイルによるそ
の中での誘導電流によって加熱されるサセプタ（susceptor）からなる。サセプ
タは様々な形状を有することができ、例えば、円板形状または角錐台形状にする
ことができる。本明細書では、角錐台形状のサセプタが論じられる。
ばれるシリコンのガス状化合物（シラン（ＳｉＨ４）、モノクロロシラン（Ｓｉ
Ｈ３Ｃｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣ
ｌ３）および四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）など）の水素雰囲気中での熱分解によ
って得られる気相成長法（ＣＶＤ）が幅広く使用されている。このような熱分解
を達成するために、エピタキシャル反応装置が使用されている。この反応装置は
、本質的には、絶縁性で透明な材料から作製された、シリコンウエハの支持体お
よびヒーターを包むベルジャーによって形成され、そして炭化ケイ素で内張りさ
れたグラファイトから作製され、かつシリコンウエハを収容する実質的に円板形
状のキャビティを備え、かつ石英ベルジャーを外側から取り囲むコイルによるそ
の中での誘導電流によって加熱されるサセプタ（susceptor）からなる。サセプ
タは様々な形状を有することができ、例えば、円板形状または角錐台形状にする
ことができる。本明細書では、角錐台形状のサセプタが論じられる。
【０００４】 角錐台形状のサセプタを石英ベルジャーの内部に有する反応装置が長い間知ら
れており、例えば、イタリア国特許第１，２１５，４４４号およびその対応欧州
特許第２９３，０２１号によって開示されている。
れており、例えば、イタリア国特許第１，２１５，４４４号およびその対応欧州
特許第２９３，０２１号によって開示されている。
【０００５】 このようなタイプの反応装置では、基板（これもまたシリコンから作製される
）へのシリコンの蒸着速度が、他の全ての条件が等しい場合、シリコン蒸着物が
形成されるように上記シリコン供給源ガスの熱分解を誘導する温度で維持された
基板表面における上記シリコン供給源ガスの流速に多少なりとも直接依存してい
ることが知られていた。本出願の所有者名義のイタリア国特許第１，２３１，５
４７号および欧州特許第０，４１５，１９１号の対応公開明細書においてコメン
トされているように、半球ドームがその上部に取り付けられている円筒型ベルジ
ャーに包まれる角錐台サセプタにより、シリコン供給源ガスに流速を付与した。
その流速は、側面と近くに位置する円筒型ベルジャーの壁との距離が最大である
サセプタの側面中央部で最小になり、サセプタの隣り合う面を隔てる隅の近くで
最大になり、その際、上記面と上記ベルジャー壁との距離が最小である。蒸着速
度の対応する変動、およびその結果としての蒸着厚の変動を抑えるために、上記
のイタリア国特許第１，２３１，５４７号では、ベルジャー壁の方に向かった突
出部をサセプタの隅に提供し、その突出部により、このような突出部の近くで上
記ガスの流速をゼロまたはゼロ近くにまで減少させ、そして上記突出部とベルジ
ャー壁との間のサセプタの各面を通り抜ける速度を多少なりとも均一にさせるこ
とが考えられた。この目的のために形成された突出部は、上記特許の図８から図
１９に示されている。これらの図には、図８から図９Ｂに示されているようにサ
セプタの隅に挿入され、かつ図１１から図１９に示されているようにサセプタと
同じ材料から形成された突出部が図示されている。このシステムはかなり満足で
きるように作用した。しかし、洗浄する目的で、あるいは重大な欠陥を修復する
ためにベルジャーを新しいものと交換しなければならないときに、実用的には交
換されたものと同一であるように見えたとしても、作用に関するある程度の不規
則性および予測不能性が認められた。さらに、現在は、約１００ｍｍ（４インチ
）から２００ｍｍ（８インチ）の間の直径を有する、より大きなシリコンウエハ
を製造する傾向があるため、より大きなシリコンウエハを製造する際にベルジャ
ーを交換した後でこのような不規則性が深刻化することが認められた。
）へのシリコンの蒸着速度が、他の全ての条件が等しい場合、シリコン蒸着物が
形成されるように上記シリコン供給源ガスの熱分解を誘導する温度で維持された
基板表面における上記シリコン供給源ガスの流速に多少なりとも直接依存してい
ることが知られていた。本出願の所有者名義のイタリア国特許第１，２３１，５
４７号および欧州特許第０，４１５，１９１号の対応公開明細書においてコメン
トされているように、半球ドームがその上部に取り付けられている円筒型ベルジ
ャーに包まれる角錐台サセプタにより、シリコン供給源ガスに流速を付与した。
その流速は、側面と近くに位置する円筒型ベルジャーの壁との距離が最大である
サセプタの側面中央部で最小になり、サセプタの隣り合う面を隔てる隅の近くで
最大になり、その際、上記面と上記ベルジャー壁との距離が最小である。蒸着速
度の対応する変動、およびその結果としての蒸着厚の変動を抑えるために、上記
のイタリア国特許第１，２３１，５４７号では、ベルジャー壁の方に向かった突
出部をサセプタの隅に提供し、その突出部により、このような突出部の近くで上
記ガスの流速をゼロまたはゼロ近くにまで減少させ、そして上記突出部とベルジ
ャー壁との間のサセプタの各面を通り抜ける速度を多少なりとも均一にさせるこ
とが考えられた。この目的のために形成された突出部は、上記特許の図８から図
１９に示されている。これらの図には、図８から図９Ｂに示されているようにサ
セプタの隅に挿入され、かつ図１１から図１９に示されているようにサセプタと
同じ材料から形成された突出部が図示されている。このシステムはかなり満足で
きるように作用した。しかし、洗浄する目的で、あるいは重大な欠陥を修復する
ためにベルジャーを新しいものと交換しなければならないときに、実用的には交
換されたものと同一であるように見えたとしても、作用に関するある程度の不規
則性および予測不能性が認められた。さらに、現在は、約１００ｍｍ（４インチ
）から２００ｍｍ（８インチ）の間の直径を有する、より大きなシリコンウエハ
を製造する傾向があるため、より大きなシリコンウエハを製造する際にベルジャ
ーを交換した後でこのような不規則性が深刻化することが認められた。
【０００６】 これに関連して、ウエハの直径が増大した場合、エピタキシャルウエハの性状
要求がますます厳しくなっていることが既に知られている。したがって、複数の
ウエハを同時に処理する反応装置（バッチ式反応装置）は、製造されたウエハの
量と品質との許容されるバランス（低コスト）を達成しなければならない。
要求がますます厳しくなっていることが既に知られている。したがって、複数の
ウエハを同時に処理する反応装置（バッチ式反応装置）は、製造されたウエハの
量と品質との許容されるバランス（低コスト）を達成しなければならない。
【０００７】 特に重要な定性的パラメータは、蒸着されたエピタキシャル層の厚さの均一性
である。これに関連して、特にバッチ式のエピタキシャル反応装置の場合、厚さ
の均一性は、以下のようないくつかの要因による影響を受ける： −それぞれの個々のウエハにおける種々のポイント間の厚さの差； −同じバッチ内における個々のウエハ間の差； −様々なバッチ間の差。
である。これに関連して、特にバッチ式のエピタキシャル反応装置の場合、厚さ
の均一性は、以下のようないくつかの要因による影響を受ける： −それぞれの個々のウエハにおける種々のポイント間の厚さの差； −同じバッチ内における個々のウエハ間の差； −様々なバッチ間の差。
【０００８】 上記の先行技術の文書から理解できるように、角錐台のサセプタを有する典型
的なエピタキシャル反応装置（これは円筒エピタキシャル反応装置として知られ
ている）の反応チャンバは、本質的には下記の部品から構成される： −狭い円筒状のくびれ部によってベルジャーの閉鎖用ドームに連結されるフラ
ンジを頭部に備える円筒形状のベルジャー； −出て行くガスの流れを均一な様式で分布させる機能を有する２つの平行した
プレートに連結された入口パイプからなる化学的気相蒸着反応で使用されるガス
ディフューザ； −サセプタのカバーに固定される石英板；および −その支持体を備えるサセプタ。
的なエピタキシャル反応装置（これは円筒エピタキシャル反応装置として知られ
ている）の反応チャンバは、本質的には下記の部品から構成される： −狭い円筒状のくびれ部によってベルジャーの閉鎖用ドームに連結されるフラ
ンジを頭部に備える円筒形状のベルジャー； −出て行くガスの流れを均一な様式で分布させる機能を有する２つの平行した
プレートに連結された入口パイプからなる化学的気相蒸着反応で使用されるガス
ディフューザ； −サセプタのカバーに固定される石英板；および −その支持体を備えるサセプタ。
【０００９】 上記に列記された構成要素は、共に反応チャンバの不可欠な部分を形成する。
【００１０】 反応装置のサセプタは、その直径に依存して、例えば、下記の表に従って数多
くのウエハを収容できることが知られている。
くのウエハを収容できることが知られている。
【００１１】
【表１】
【００１２】 一般に、リングの数が大きくなると、列の数は小さくなり、エピタキシャル層
の厚さの均一性における許容されるバランスを達成する際の困難さが大きくなる
。厚さの均一性は、実質的に円筒形のベルジャーの内部に入れられたサセプタの
角錐台形状のために、リング間で、すなわち、垂直方向で大きく変化しやすい。
の厚さの均一性における許容されるバランスを達成する際の困難さが大きくなる
。厚さの均一性は、実質的に円筒形のベルジャーの内部に入れられたサセプタの
角錐台形状のために、リング間で、すなわち、垂直方向で大きく変化しやすい。
【００１３】 上記の先行技術の教示に従って提供される反応チャンバは、その構成要素の全
てが設計仕様通りに製造された場合には満足いく結果を提供する。しかし、構成
要素が仕様通りに作製されない場合、重大な障害が生じることがある。一般に、
サセプタまたは石英板はいずれも、大きなずれが存在していない限り問題を生じ
ない。一方、ベルジャーおよびディストリビュータは極めて重要であり、それら
の重要性は、直径がますます大きくなるウエハの製造とともに増大する。これに
より、許容範囲をますます小さくしなければならない。許容範囲は、あるポイン
トで、満たすことが不可能になり、その結果、同じ設計仕様に従って製造された
場合でさえ、ベルジャーまたはディフューザが交換されたときには、蒸着層の厚
さの均一性に関する結果は良い意味あるいは悪い意味で大きく変化するようにな
る。
てが設計仕様通りに製造された場合には満足いく結果を提供する。しかし、構成
要素が仕様通りに作製されない場合、重大な障害が生じることがある。一般に、
サセプタまたは石英板はいずれも、大きなずれが存在していない限り問題を生じ
ない。一方、ベルジャーおよびディストリビュータは極めて重要であり、それら
の重要性は、直径がますます大きくなるウエハの製造とともに増大する。これに
より、許容範囲をますます小さくしなければならない。許容範囲は、あるポイン
トで、満たすことが不可能になり、その結果、同じ設計仕様に従って製造された
場合でさえ、ベルジャーまたはディフューザが交換されたときには、蒸着層の厚
さの均一性に関する結果は良い意味あるいは悪い意味で大きく変化するようにな
る。
【００１４】 これに関連して行われた研究および試験により、下記のことが明らかにされた
： ａ）ディフューザは、入口パイプでのガス速度が非常に高速に（約１３０ｍ／
秒）、一方、出口ではかなり低速になる（約３ｍ／秒）ために極めて重要である
；したがって、形状に関する最小限のずれまたは個々の部品間の小さな差は、性
能に関して相当のずれを生じる； ｂ）ベルジャーのいわゆる「肩部」の形状、すなわち、ディフューザに連結さ
れた支持プレートが密着して固定されている上部フランジにまで達するくびれ部
にベルジャーの円筒状側壁を連結するドーム形状域は、サセプタに固定されてい
る石英板が、対流ポケットがガス流中に形成されるように上記肩部の湾曲した壁
に非常に接近して置かれているために極めて重要である。この場合、上記ポケッ
トは、上記肩部の曲率半径に依存し（この半径の最小限の変動は、このような対
流ポケットの大きな変動を生じる）、そして手動によるガラス処理技術を使用し
て形成された内面の不規則性に依存して広く変化する形状を有する。良好に作製
されていないドームを備えたベルジャーは、通常、垂直的な均一性の点で好まし
くない結果、すなわち、あるリングと次のリングとの間に相当な差を生じる； ｃ）ベルジャーの内径は極めて重要である：ベルジャーが狭すぎる場合、個々
のウエハのそれぞれに対する均一性が悪くなる傾向がある。
： ａ）ディフューザは、入口パイプでのガス速度が非常に高速に（約１３０ｍ／
秒）、一方、出口ではかなり低速になる（約３ｍ／秒）ために極めて重要である
；したがって、形状に関する最小限のずれまたは個々の部品間の小さな差は、性
能に関して相当のずれを生じる； ｂ）ベルジャーのいわゆる「肩部」の形状、すなわち、ディフューザに連結さ
れた支持プレートが密着して固定されている上部フランジにまで達するくびれ部
にベルジャーの円筒状側壁を連結するドーム形状域は、サセプタに固定されてい
る石英板が、対流ポケットがガス流中に形成されるように上記肩部の湾曲した壁
に非常に接近して置かれているために極めて重要である。この場合、上記ポケッ
トは、上記肩部の曲率半径に依存し（この半径の最小限の変動は、このような対
流ポケットの大きな変動を生じる）、そして手動によるガラス処理技術を使用し
て形成された内面の不規則性に依存して広く変化する形状を有する。良好に作製
されていないドームを備えたベルジャーは、通常、垂直的な均一性の点で好まし
くない結果、すなわち、あるリングと次のリングとの間に相当な差を生じる； ｃ）ベルジャーの内径は極めて重要である：ベルジャーが狭すぎる場合、個々
のウエハのそれぞれに対する均一性が悪くなる傾向がある。
【００１５】 上記の欠点は、本発明によって克服される。すなわち、 −先行技術に従って中央のパイプによって提供され、上部フランジに固定され
ているキャップによって支持される平行した円板を有するディフューザを、中央
のドーム部によって提供され、かつ対称的な環状分布の空間に連結されたキャッ
プによって形成されるディフューザであって、対称的な環状分布の空間は、キャ
ップの上記環状の空間を、上部フランジをドームに連結するくびれ部のすぐ下に
位置するベルジャーのドーム域に連結する同じ長さの複数のパイプを有し、かつ
上記複数のパイプにより、より遅い速度の流れの一様な分布が確保される新しい
ディフューザにより取り替える； −サセプタの上方で支持されている石英板の上方にあるベルジャーの円筒状域
が、プレートと肩部との間でいかなる干渉もなくなるように延長される； −ベルジャーの最小内径が、ベルジャーをサセプタからできる限り離れて保つ
ように固定される；そして −サセプタの隅は、その上部域に、上記サセプタの本体に形成された凹部に挿
入され、長さがサセプタの隅の長さの約半分である突き出たバッフルを備える。
ているキャップによって支持される平行した円板を有するディフューザを、中央
のドーム部によって提供され、かつ対称的な環状分布の空間に連結されたキャッ
プによって形成されるディフューザであって、対称的な環状分布の空間は、キャ
ップの上記環状の空間を、上部フランジをドームに連結するくびれ部のすぐ下に
位置するベルジャーのドーム域に連結する同じ長さの複数のパイプを有し、かつ
上記複数のパイプにより、より遅い速度の流れの一様な分布が確保される新しい
ディフューザにより取り替える； −サセプタの上方で支持されている石英板の上方にあるベルジャーの円筒状域
が、プレートと肩部との間でいかなる干渉もなくなるように延長される； −ベルジャーの最小内径が、ベルジャーをサセプタからできる限り離れて保つ
ように固定される；そして −サセプタの隅は、その上部域に、上記サセプタの本体に形成された凹部に挿
入され、長さがサセプタの隅の長さの約半分である突き出たバッフルを備える。
【００１６】 本発明のこれらの特徴的な構成は、本明細書の結論部を形成する特許請求の範
囲に規定される。しかし、本発明の他の構成および利点は、添付された図面と組
み合わせて、非限定的な例示としてだけ提供されるその実施形態例の下記の詳細
な説明からより明らかになる。
囲に規定される。しかし、本発明の他の構成および利点は、添付された図面と組
み合わせて、非限定的な例示としてだけ提供されるその実施形態例の下記の詳細
な説明からより明らかになる。
【００１７】 図を参照すると、エピタキシャル反応装置の反応チャンバ１０は、ベルジャー
１４に導入される化学試薬に対して反応性を示さない石英などの絶縁性で透明な
材料から作製され、かつ上記のイタリア国特許第１，２１５，４４４号およびそ
の対応欧州特許第２９３，０２１号に図示されている誘導コイルなどの反射式誘
導コイル１６に取り囲まれたベルジャー１４を支える基部１２によって形成され
ていることが理解できる。明らかに、コイル１６は、ベルジャー１４とコイル１
６との間のキャビティに流れ込む空気流２２を分配して、その冷却を行うための
羽根２０を備えた支持体１８に据え置かれている。
１４に導入される化学試薬に対して反応性を示さない石英などの絶縁性で透明な
材料から作製され、かつ上記のイタリア国特許第１，２１５，４４４号およびそ
の対応欧州特許第２９３，０２１号に図示されている誘導コイルなどの反射式誘
導コイル１６に取り囲まれたベルジャー１４を支える基部１２によって形成され
ていることが理解できる。明らかに、コイル１６は、ベルジャー１４とコイル１
６との間のキャビティに流れ込む空気流２２を分配して、その冷却を行うための
羽根２０を備えた支持体１８に据え置かれている。
【００１８】 ベルジャー１４は、その内部に置かれる、角錐台形状のサセプタ２４を有する
。このサセプタは、回転する支持シャフト２６に載せられ、本質的にはグラファ
イトなどの電気伝導性の材料から作製され、かつ炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの化
学的に不活性な材料の薄い層が内張りされた側面シェル２８によって形成される
。そして、第１の平坦なプレート３０により底部が閉じられ、第２の平坦なプレ
ート３２により上部が閉じられている。上述の平坦なプレート３０および３２は
、石英またはセラミック材などの絶縁性で不活性な材料、ならびに炭化ケイ素な
どの不活性な材料で内張りされている場合には、グラファイトなどの伝導性の材
料の両方から作製することができる。グラファイトが特に好ましい。その理由は
、グラファイトは加工が非常に容易であり（モース尺度で２の硬度）、かつ当業
者に長い間知られている方法を使用して炭化ケイ素で容易に内張りすることがで
きるためである。サセプタ２４の側面シェル２８は、集積回路用の半導体チップ
を調製するために必要とされる方法を使用して処理される半導体シリコンウエハ
３６ａ〜ｎを収容できる円板形状のキャビティ３４ａ〜ｎを備える。
。このサセプタは、回転する支持シャフト２６に載せられ、本質的にはグラファ
イトなどの電気伝導性の材料から作製され、かつ炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの化
学的に不活性な材料の薄い層が内張りされた側面シェル２８によって形成される
。そして、第１の平坦なプレート３０により底部が閉じられ、第２の平坦なプレ
ート３２により上部が閉じられている。上述の平坦なプレート３０および３２は
、石英またはセラミック材などの絶縁性で不活性な材料、ならびに炭化ケイ素な
どの不活性な材料で内張りされている場合には、グラファイトなどの伝導性の材
料の両方から作製することができる。グラファイトが特に好ましい。その理由は
、グラファイトは加工が非常に容易であり（モース尺度で２の硬度）、かつ当業
者に長い間知られている方法を使用して炭化ケイ素で容易に内張りすることがで
きるためである。サセプタ２４の側面シェル２８は、集積回路用の半導体チップ
を調製するために必要とされる方法を使用して処理される半導体シリコンウエハ
３６ａ〜ｎを収容できる円板形状のキャビティ３４ａ〜ｎを備える。
【００１９】 サセプタ２４は、プレート４０を支える支柱３８がその上方に突き出ており、
支柱３８およびプレート４０は、ともに石英またはセラミック材などの不活性な
材料から作製される。プレート４０は、シリコン供給源ガスがサセプタ２４に直
接当たることを防止するという明らかな機能を有する。
支柱３８およびプレート４０は、ともに石英またはセラミック材などの不活性な
材料から作製される。プレート４０は、シリコン供給源ガスがサセプタ２４に直
接当たることを防止するという明らかな機能を有する。
【００２０】 本発明により、ベルジャー１４は、先行技術の通常的な半球ドームに端部を有
する代わりに、サセプタ２４およびプレート４０に対して立ち上がっている肩部
４２に端部を有する。その結果、ベルジャー１４とプレート４０との間の空間が
実質的に制限されず、それによりプレート４０と肩部４２との間でいかなる干渉
も避けられる。
する代わりに、サセプタ２４およびプレート４０に対して立ち上がっている肩部
４２に端部を有する。その結果、ベルジャー１４とプレート４０との間の空間が
実質的に制限されず、それによりプレート４０と肩部４２との間でいかなる干渉
も避けられる。
【００２１】 肩部４２の後、ベルジャーの壁は、本発明によるディフューザ５４のキャップ
５２を収容するように設計された開口部５０を規定する肉厚フランジ４８に端部
を有する立ち上がった中央のくびれ部４６につながる平坦域４４と連続する。こ
れらは、図３および図４にさらに詳しく図示されている。
５２を収容するように設計された開口部５０を規定する肉厚フランジ４８に端部
を有する立ち上がった中央のくびれ部４６につながる平坦域４４と連続する。こ
れらは、図３および図４にさらに詳しく図示されている。
【００２２】 ディフューザ５４は、数が少なくとも３つであるバネ入りタイロッド５８ａ〜
ｃによって環状フランジ５６に連結された中空キャップ５２からなり、バネ入り
タイロッド５８ａ〜ｃは、握り部６０ａ〜ｃ、ねじ切られた軸部６２ａ〜ｃ、上
端がひっくり返され（upset）、かつ底部がねじ切られた中空スリーブ６４ａ〜
ｃ、バネ圧座金６６ａ〜ｃ、圧力バネ６８ａ〜ｃ、スリーブ６４ａ〜ｃのねじ切
り領域を受けるねじ切られた穴７０ａ〜ｃ、および穴７０ａ〜ｃ内へのねじ込み
が完了したときに上記スリーブ６４ａ〜ｃを固定するための固定ねじ７２ａ〜ｃ
からなる。最後に、軸部６２ａ〜ｃのねじ切られた端は、環状フランジ５６のね
じ切られた穴とかみ合う。この同じフランジ５６は、ベルジャー１４のくびれ部
４６に取り付けられた肉厚フランジ４８をフランジ５６とともにつかむ２つの半
形の向き合うフランジ８２ａおよび８２ｂのねじ切られた穴８０ａ〜ｆにはめら
れるボルト７８ａ〜ｆを受ける貫通穴７６ａ〜ｆを備える。補償シール８４が、
ねじ切られた穴８０ａ〜ｆ内のボルト７８ａ〜ｆの作用によってつかまれたまま
で、向き合うフランジ８２ａおよび８２ｂの間に挿入される。
ｃによって環状フランジ５６に連結された中空キャップ５２からなり、バネ入り
タイロッド５８ａ〜ｃは、握り部６０ａ〜ｃ、ねじ切られた軸部６２ａ〜ｃ、上
端がひっくり返され（upset）、かつ底部がねじ切られた中空スリーブ６４ａ〜
ｃ、バネ圧座金６６ａ〜ｃ、圧力バネ６８ａ〜ｃ、スリーブ６４ａ〜ｃのねじ切
り領域を受けるねじ切られた穴７０ａ〜ｃ、および穴７０ａ〜ｃ内へのねじ込み
が完了したときに上記スリーブ６４ａ〜ｃを固定するための固定ねじ７２ａ〜ｃ
からなる。最後に、軸部６２ａ〜ｃのねじ切られた端は、環状フランジ５６のね
じ切られた穴とかみ合う。この同じフランジ５６は、ベルジャー１４のくびれ部
４６に取り付けられた肉厚フランジ４８をフランジ５６とともにつかむ２つの半
形の向き合うフランジ８２ａおよび８２ｂのねじ切られた穴８０ａ〜ｆにはめら
れるボルト７８ａ〜ｆを受ける貫通穴７６ａ〜ｆを備える。補償シール８４が、
ねじ切られた穴８０ａ〜ｆ内のボルト７８ａ〜ｆの作用によってつかまれたまま
で、向き合うフランジ８２ａおよび８２ｂの間に挿入される。
【００２３】 キャップ５２は、立ち上がった握り部９４に端部を有するねじ切られた軸部９
２により内側にかみ合うねじ切られたスリーブ９０がその上方に取り付けられて
いる閉じた上部ドーム部８８に端部を有するフランジ８６によって頭部が閉じら
れている。上記ドーム部８８は、反応チャンバ１０の内部で使用されるガスの外
部供給源に連結するためのスリーブ９６と連絡している。ドーム部８８は、フラ
ンジ８６とキャップ５２の上面との間で規定される環状の空間１０４に角度的に
均一な供給をさらなる環状スリット１０２と一緒に提供する環状スリットを規定
する底部１００を有する内部空間９８を有する。この場合、環状の空間１０４は
、ベルジャー１４の内部で、プレート４０の上方に出ている出口パイプ１０６ａ
〜ｆ（この場合には数が６である）と連絡する。Ｏ−リングガスケット１０８は
、図３および図４に示されている１組のボルト１１０ａ〜ｆによってフランジ８
６がキャップ５２に押し付けられたときに、フランジ８６とキャップ５２との間
のシールを確保する。石英またはセラミック材などの化学的に不活性な材料から
作製される出口パイプ１０６ａ〜ｆは、上記キャップ５２の底部を貫通する対応
のねじ切られた穴にねじ止めされるねじ切られたスリーブ１１２ａ〜ｆによって
キャップ５２の底部に連結される。キャップ５２は、連結用スリーブ１１６およ
び１１８からそれぞれ進入および流出する水などの冷却用流体の流れに対する内
部空間１１４を備えている。キャップ５２の底部と肉厚フランジ４８との間でか
み合わせられる２つのガスケット間に規定される空間に連結されるスリーブ１２
０は、これらのガスケットのシール効率に関する目安を提供する。
２により内側にかみ合うねじ切られたスリーブ９０がその上方に取り付けられて
いる閉じた上部ドーム部８８に端部を有するフランジ８６によって頭部が閉じら
れている。上記ドーム部８８は、反応チャンバ１０の内部で使用されるガスの外
部供給源に連結するためのスリーブ９６と連絡している。ドーム部８８は、フラ
ンジ８６とキャップ５２の上面との間で規定される環状の空間１０４に角度的に
均一な供給をさらなる環状スリット１０２と一緒に提供する環状スリットを規定
する底部１００を有する内部空間９８を有する。この場合、環状の空間１０４は
、ベルジャー１４の内部で、プレート４０の上方に出ている出口パイプ１０６ａ
〜ｆ（この場合には数が６である）と連絡する。Ｏ−リングガスケット１０８は
、図３および図４に示されている１組のボルト１１０ａ〜ｆによってフランジ８
６がキャップ５２に押し付けられたときに、フランジ８６とキャップ５２との間
のシールを確保する。石英またはセラミック材などの化学的に不活性な材料から
作製される出口パイプ１０６ａ〜ｆは、上記キャップ５２の底部を貫通する対応
のねじ切られた穴にねじ止めされるねじ切られたスリーブ１１２ａ〜ｆによって
キャップ５２の底部に連結される。キャップ５２は、連結用スリーブ１１６およ
び１１８からそれぞれ進入および流出する水などの冷却用流体の流れに対する内
部空間１１４を備えている。キャップ５２の底部と肉厚フランジ４８との間でか
み合わせられる２つのガスケット間に規定される空間に連結されるスリーブ１２
０は、これらのガスケットのシール効率に関する目安を提供する。
【００２４】 図１および図２を再び参照すると、サセプタ２４のシェル２８および上部の平
坦なプレート３０は、側方の隅領域に、ガラス、石英、セラミック材、または炭
化ケイ素内張りグラファイトなどの化学的に不活性な材料から作製されるバッフ
ル１２２ａ〜ｇを備えていることが理解される。グラファイトが好ましい。これ
は、グラファイトは容易におよび正確に加工を行うことができ、かつ炭化ケイ素
で容易に内張りすることができ、その結果、所望する寸法が達成されると、バッ
フル１２２ａ〜ｇはさらなる修正を多少なりとも必要としないからである。
坦なプレート３０は、側方の隅領域に、ガラス、石英、セラミック材、または炭
化ケイ素内張りグラファイトなどの化学的に不活性な材料から作製されるバッフ
ル１２２ａ〜ｇを備えていることが理解される。グラファイトが好ましい。これ
は、グラファイトは容易におよび正確に加工を行うことができ、かつ炭化ケイ素
で容易に内張りすることができ、その結果、所望する寸法が達成されると、バッ
フル１２２ａ〜ｇはさらなる修正を多少なりとも必要としないからである。
【００２５】 シリコンの供給源ガスは、ディストリビュータ５４の出口パイプ１０６ａ〜ｆ
から出て、不活性なプレート４０の上方で広がり、その後、ベルジャー１４の側
壁とサセプタ２４のシェル２８との間を流れ、熱分解反応が生じ、シリコンのエ
ピタキシャル蒸着がウエハ３６ａ〜ｎに提供される。
から出て、不活性なプレート４０の上方で広がり、その後、ベルジャー１４の側
壁とサセプタ２４のシェル２８との間を流れ、熱分解反応が生じ、シリコンのエ
ピタキシャル蒸着がウエハ３６ａ〜ｎに提供される。
【００２６】 本発明による反応チャンバを使用することの結果を下記に示す： １）個々の部品はもはや重要性がなくなり、その結果、ベルジャー、キャップ
およびパイプを取り替えた場合、その性能は影響を受けない； ２）同じバッチ内における個々のウエハの厚さの均一性が改善される； ３）成長厚の分布に対する典型的な「形状」が各ウエハの内部で得られる。
およびパイプを取り替えた場合、その性能は影響を受けない； ２）同じバッチ内における個々のウエハの厚さの均一性が改善される； ３）成長厚の分布に対する典型的な「形状」が各ウエハの内部で得られる。
【００２７】 特に、結果１および結果３のために、各ウエハ内部の成長厚の変動に対してだ
け努力を集中することが可能である。実際、各ウエハにおける厚さの分布は下記
のように生じる： 直径が１２５ｍｍ（５インチ）であるウエハに対するサセプタで、それぞれが
８枚のウエハからなる３つのリングを有するサセプタの場合： １番目のリングにおいて、ウエハは、左右両側でより薄く、中央部でより厚い
成長層を有する； ２番目のリングにおいて、ウエハは、左右両側でより薄く、中央部でほんのわ
ずかに大きくなった成長層を有する； ３番目のリングにおいて、ウエハは、完全に均一な成長層を有する。
け努力を集中することが可能である。実際、各ウエハにおける厚さの分布は下記
のように生じる： 直径が１２５ｍｍ（５インチ）であるウエハに対するサセプタで、それぞれが
８枚のウエハからなる３つのリングを有するサセプタの場合： １番目のリングにおいて、ウエハは、左右両側でより薄く、中央部でより厚い
成長層を有する； ２番目のリングにおいて、ウエハは、左右両側でより薄く、中央部でほんのわ
ずかに大きくなった成長層を有する； ３番目のリングにおいて、ウエハは、完全に均一な成長層を有する。
【００２８】 直径が１５０ｍｍ（６インチ）であるウエハに対するサセプタで、それぞれが
７枚のウエハからなる２つのリングを有するサセプタの場合： １番目のリングにおいて、ウエハは、左右両側でより薄く、中央部でより厚い
成長層を有する； ２番目のリングにおいて、ウエハは、完全に均一である成長層を有する。
７枚のウエハからなる２つのリングを有するサセプタの場合： １番目のリングにおいて、ウエハは、左右両側でより薄く、中央部でより厚い
成長層を有する； ２番目のリングにおいて、ウエハは、完全に均一である成長層を有する。
【００２９】 このときに行わなければならない課題は、個々のリングにおける成長厚の同一
分布をできる限り確保することである。
分布をできる限り確保することである。
【００３０】 円筒タイプの反応装置の場合、サセプタ２４は、正多角形の基部を有する角錐
台の形状であり、一方、ベルジャー１４は円形形状を有することが知られている
。したがって、サセプタ２４とベルジャー１４との間のガス流路は、水平方向で
変動しやすい断面を有し、ウエハの中央部でより大きな断面を有する（本明細書
中下記の図２を参照のこと）。さらに、ベルジャー１４の壁は完全に垂直である
が、サセプタ２４の側壁はベルジャーおよびサセプタの共通する垂直軸に関して
数度（典型的には３°）傾斜しているために、この同じ流路は垂直方向でも変動
しやすい断面を有する。この傾斜は、サセプタおよびベルジャーの底部に向かう
ガスの流速を増大させる。これは、ガスがサセプタを下に流れるときに生じる、
水素とシリコン化合物との混合物中のシリコンが徐々に消耗されることに対する
補償を行うために必要である。イタリア国特許第１，２３１，５４７号および欧
州特許第０，４１５，１９１号の対応公開明細書において既に説明されているよ
うに、断面が小さくなることは、特定の範囲内で、ガスの流速が大きくなること
に対応し、したがって、シリコンの蒸着速度が大きくなることに対応する。しか
し、状況は、サセプタとベルジャーとの付近の境界層間の相互作用のために一層
複雑になっている。この場合、その相互作用は、それぞれの温度（サセプタ２４
はコイル１６により誘導される電流によって加熱され、一方、ベルジャーは空気
流２２によって冷却されることを思い出さなければならない）に依存し、そして
サセプタとベルジャー内壁との距離に依存する。このため、直径が１５０ｍｍ（
６インチ）であるウエハに対するサセプタの１番目のリング、ならびに直径が１
２５ｍｍ（５インチ）であるウエハに対する１番目および２番目のリングにおい
て、境界層間の距離、したがって、流れの断面は、ガスがウエハの両側で中央部
よりも速く運動するようにされる。一方、底部リングにおいては、境界層間の距
離、したがって、流れの断面は、ウエハの両側および中央部の両方で一様な速度
を有するガスの動きが得られるようにされる。問題が、上記のイタリア国特許第
１，２３１，５４７号および欧州特許第０，４１５，１９１号の対応する公開明
細書に記載され、かつ特許請求されている対策によって解決された。それらの記
載は、参考目的のために本明細書中に組み込まれていると見なされる。このよう
な解決により、サセプタの隅には、底部リングの境界層を変更することなく、上
部リングの境界層を変更するための分割バッフルが備えられている。しかし、本
明細書の導入部で既に述べられているように、この先行技術によって提案された
対策が、ガスの流出速度のかなり均一な分布を確保して、境界層を互いに離れる
ように移動させるために十分であった場合には、ベルジャー、キャップ、および
一対の平行した円板が重ねられているガスディストリビュータなどのサセプタに
無関係の構成要素が取り替えられない限り、問題のない結果が得られるだけであ
った。これらの構成要素の１つが取り替えられるや否や、その結果は、上記の発
明が限界値であると見なされるように極端に悪くなった。一方、プレート４０に
対するベルジャー１４の肩部４２の高さの影響に関する発見、およびこの場合に
は図３および図４に詳しく示されているように行われたディストリビュータ５４
の修正を用いて、上述の先行技術において生じている欠陥を除くことができ、そ
れにより上記発明が完全に利用できるようになる。
台の形状であり、一方、ベルジャー１４は円形形状を有することが知られている
。したがって、サセプタ２４とベルジャー１４との間のガス流路は、水平方向で
変動しやすい断面を有し、ウエハの中央部でより大きな断面を有する（本明細書
中下記の図２を参照のこと）。さらに、ベルジャー１４の壁は完全に垂直である
が、サセプタ２４の側壁はベルジャーおよびサセプタの共通する垂直軸に関して
数度（典型的には３°）傾斜しているために、この同じ流路は垂直方向でも変動
しやすい断面を有する。この傾斜は、サセプタおよびベルジャーの底部に向かう
ガスの流速を増大させる。これは、ガスがサセプタを下に流れるときに生じる、
水素とシリコン化合物との混合物中のシリコンが徐々に消耗されることに対する
補償を行うために必要である。イタリア国特許第１，２３１，５４７号および欧
州特許第０，４１５，１９１号の対応公開明細書において既に説明されているよ
うに、断面が小さくなることは、特定の範囲内で、ガスの流速が大きくなること
に対応し、したがって、シリコンの蒸着速度が大きくなることに対応する。しか
し、状況は、サセプタとベルジャーとの付近の境界層間の相互作用のために一層
複雑になっている。この場合、その相互作用は、それぞれの温度（サセプタ２４
はコイル１６により誘導される電流によって加熱され、一方、ベルジャーは空気
流２２によって冷却されることを思い出さなければならない）に依存し、そして
サセプタとベルジャー内壁との距離に依存する。このため、直径が１５０ｍｍ（
６インチ）であるウエハに対するサセプタの１番目のリング、ならびに直径が１
２５ｍｍ（５インチ）であるウエハに対する１番目および２番目のリングにおい
て、境界層間の距離、したがって、流れの断面は、ガスがウエハの両側で中央部
よりも速く運動するようにされる。一方、底部リングにおいては、境界層間の距
離、したがって、流れの断面は、ウエハの両側および中央部の両方で一様な速度
を有するガスの動きが得られるようにされる。問題が、上記のイタリア国特許第
１，２３１，５４７号および欧州特許第０，４１５，１９１号の対応する公開明
細書に記載され、かつ特許請求されている対策によって解決された。それらの記
載は、参考目的のために本明細書中に組み込まれていると見なされる。このよう
な解決により、サセプタの隅には、底部リングの境界層を変更することなく、上
部リングの境界層を変更するための分割バッフルが備えられている。しかし、本
明細書の導入部で既に述べられているように、この先行技術によって提案された
対策が、ガスの流出速度のかなり均一な分布を確保して、境界層を互いに離れる
ように移動させるために十分であった場合には、ベルジャー、キャップ、および
一対の平行した円板が重ねられているガスディストリビュータなどのサセプタに
無関係の構成要素が取り替えられない限り、問題のない結果が得られるだけであ
った。これらの構成要素の１つが取り替えられるや否や、その結果は、上記の発
明が限界値であると見なされるように極端に悪くなった。一方、プレート４０に
対するベルジャー１４の肩部４２の高さの影響に関する発見、およびこの場合に
は図３および図４に詳しく示されているように行われたディストリビュータ５４
の修正を用いて、上述の先行技術において生じている欠陥を除くことができ、そ
れにより上記発明が完全に利用できるようになる。
【００３１】 本明細書中上記に述べられているように、本発明は、永続的でない、すなわち
、サセプタ２４に存在する隅の凹部に単に挿入されるだけであり、サセプタ２４
に一体的に形成されていない小さなサイズの分割バッフル１２２ａ〜ｇを使用す
ることのさらなる利点とともに、イタリア国特許第１，２３１，５４７号に記載
されている発明を完全に利用できるようにしている。バッフル１２２ａ〜ｇのサ
イズを小さくすることはまた、エピタキシャル層の抵抗率の制御に好ましい作用
を有している。これは、効果的な放熱器であるこれらのバッフルが、抵抗率の均
一性、特に、バッフルに隣接するウエハ上の様々なポイントでの温度に対する感
受性パラメータなどの性能パラメータに影響を及ぼす可能性があるからである。
実際、サイズを小さくしたこれらの上記バッフル１２２ａ〜ｇの場合、抵抗率の
均一性は悪くならず、一方、垂直方向（すなわち、リング間）の厚さの均一性が
改善されるために、イタリア国特許第１，２１５，４４４号およびその対応欧州
特許第０，２９３，０２１号に記載されているように、例えば、二次的な誘導装
置を含む調節システムを使用して、この均一性を最適化することができるサセプ
タに対する温度プロフィルを問題なく達成することが可能である。
、サセプタ２４に存在する隅の凹部に単に挿入されるだけであり、サセプタ２４
に一体的に形成されていない小さなサイズの分割バッフル１２２ａ〜ｇを使用す
ることのさらなる利点とともに、イタリア国特許第１，２３１，５４７号に記載
されている発明を完全に利用できるようにしている。バッフル１２２ａ〜ｇのサ
イズを小さくすることはまた、エピタキシャル層の抵抗率の制御に好ましい作用
を有している。これは、効果的な放熱器であるこれらのバッフルが、抵抗率の均
一性、特に、バッフルに隣接するウエハ上の様々なポイントでの温度に対する感
受性パラメータなどの性能パラメータに影響を及ぼす可能性があるからである。
実際、サイズを小さくしたこれらの上記バッフル１２２ａ〜ｇの場合、抵抗率の
均一性は悪くならず、一方、垂直方向（すなわち、リング間）の厚さの均一性が
改善されるために、イタリア国特許第１，２１５，４４４号およびその対応欧州
特許第０，２９３，０２１号に記載されているように、例えば、二次的な誘導装
置を含む調節システムを使用して、この均一性を最適化することができるサセプ
タに対する温度プロフィルを問題なく達成することが可能である。
【００３２】 上記の記載は、決して限定するものとして見なしてはならない本発明の特定の
実施形態に関する。当業者は、その全てが本明細書中に含まれ、添付された特許
請求の範囲によって規定されていると見なすことができる多くの類似した等価な
解決を考案することができる。
実施形態に関する。当業者は、その全てが本明細書中に含まれ、添付された特許
請求の範囲によって規定されていると見なすことができる多くの類似した等価な
解決を考案することができる。
【図１】 それぞれが７列の２つのリング、すなわち直径が１５０ｍｍ（６インチ）のウ
エハを目的とする７列の２つのリングを含むタイプのサセプタを収容する本発明
によるエピタキシャル反応装置の反応チャンバの断面図である。
エハを目的とする７列の２つのリングを含むタイプのサセプタを収容する本発明
によるエピタキシャル反応装置の反応チャンバの断面図である。
【図２】 図１に示される線Ａ−Ａに沿った同じ反応チャンバの切断平面図である。
【図３】 本発明による反応チャンバのキャップおよびディストリビュータアセンブリの
部分拡大図である。
部分拡大図である。
【図４】 本発明による反応チャンバのキャップおよびディストリビュータアセンブリの
分解斜視図であり、その構成要素の全てが示されている。
分解斜視図であり、その構成要素の全てが示されている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA17 BA29 CA04 EA03 FA10 GA02 KA05 LA15 5F045 AA03 AB02 AF03 BB02 BB03 DP16 DQ05 EF08 EF11 EF13 EJ04 EJ10 EK03 EM02 EM09
Claims (15)
- 【請求項１】 エピタキシャル反応装置用の改善された反応チャンバであっ
て、石英などの絶縁性で透明な材料から作製されるベルジャー（１４）、処理さ
れる材料のウエハ（３６ａ〜ｎ）を収容するための円板形状のキャビティ（３４
ａ〜ｎ）を備え、かつ絶縁性で化学的に耐性なプレート（４０）がその上方に配
置されたサセプタ（２４）を有し、 対称的な環状分布の空間（１０４）に連結された中央のドーム部（８８）によ
って提供されるキャップ（５２）により形成されるディフューザ（５４）であっ
て、環状の空間は、上部フランジ（４８）をドーム（４２、４４）に連結するく
びれ部（４６）のすぐ下部に位置するベルジャーのドーム域（４２、４４）にキ
ャップの前記環状の空間（１０４）を連結する同じ長さの複数のパイプ（１０６
ａ〜ｆ）を有し、かつ前記複数のパイプ（１０６ａ〜ｆ）により、より低い速度
の流れの一様な分布が確保されるディフューザ； プレート（４０）と肩部（４２）との間でいかなる干渉もなくなるように、サ
セプタの上方に支持されたプレート（４０）の上方に広がるベルジャー（１４）
の円筒域； ベルジャー（１４）をサセプタ（２４）からできる限り離れて保つようにする
ベルジャー（１４）の最小内径；および サセプタ（２４）の隅に対し、その上部域における、前記サセプタ（２４）の
本体に形成された凹部に挿入され、長さがサセプタ（２４）の隅の長さのほぼ半
分である突き出たバッフル（１２２ａ〜ｇ） を使用することを特徴とするエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項２】 ディフューザ（５４）のキャップ（５２）は環状フランジ（
５６）に固定され、次に環状フランジは、ベルジャー（１４）の上部フランジ（
４８）に対して環状フランジ（５６）をつかむ一対の２つの半径の向き合うフラ
ンジ（８２ａ、８２ｂ）によりベルジャー（１４）の上部の肉厚フランジ（４８
）に固定されることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル反応装置用反
応チャンバ。 - 【請求項３】 環状フランジ（５６）に対するディフューザ（５４）のキャ
ップ（５２）の固定が、キャップ（５２）を環状フランジ（５６）に弾性的な様
式で押し付ける複数のバネ入りタイロッド（５８ａ〜ｃ）によって行われること
を特徴とする請求項２に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項４】 キャップ（５２）は、同じ反応チャンバにおいて使用できる
ガスの外部供給源に連結するためにスリーブ（９６）と連絡しているドーム部（
８８）に端部を有するフランジ（８６）によって頂部が閉じられ、そのようなド
ーム部は、ベルジャー（１４）内部のディストリビュータ（５４）から出る複数
のパイプ（１０６ａ〜ｆ）を提供する環状の空間（１０４）に対するガスの厳密
に均一な分布を確保する少なくとも１つの円形スリットを規定する底部（１００
）を備えることを特徴とする請求項２または３に記載のエピタキシャル反応装置
用反応チャンバ。 - 【請求項５】 底部（１００）内のスリットに加えて、さらなる環状スリッ
ト（１０２）によって、出口パイプ（１０６ａ〜ｆ）を提供する環状の空間（１
０４）に対するガスの均一な分布を確保することが助けられることを特徴とする
請求項４に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項６】 ディストリビュータ（５４）のキャップ（５２）は、冷却用
流体が流れる内部の空間（１１４）を含むことを特徴とする請求項４または５に
記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項７】 出口パイプ（１０６ａ〜ｆ）は、ベルジャーにおいて使用さ
れるガスに対して化学的に不活性である材料から作製されることを特徴とする請
求項４、５、または６に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項８】 出口パイプ（１０６ａ〜ｆ）は、ガラスから作製されること
を特徴とする請求項７に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項９】 出口パイプ（１０６ａ〜ｆ）は、セラミック材から作製され
ることを特徴とする請求項７に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項１０】 出口パイプ（１０６ａ〜ｆ）は、石英から作製されること
を特徴とする請求項７に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項１１】 サセプタ（２４）に固定されるバッフル（１２２ａ〜ｆ）
は、前記チャンバにおいて使用されるガスに対して化学的に不活性な材料から作
製されることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のエピタキシャル
反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項１２】 サセプタ（２４）に固定されるバッフル（１２２ａ〜ｆ）
は、ガラスから作製されることを特徴とする請求項１１に記載のエピタキシャル
反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項１３】 サセプタ（２４）に固定されるバッフル（１２２ａ〜ｆ）
は、セラミック材から作製されることを特徴とする請求項１１に記載のエピタキ
シャル反応装置用反応チャンバ。 - 【請求項１４】 サセプタ（２４）に固定されるバッフル（１２２ａ〜ｆ）
は、石英から作製されることを特徴とする請求項１１に記載のエピタキシャル反
応装置用反応チャンバ。 - 【請求項１５】 サセプタ（２４）に固定されるバッフル（１２２ａ〜ｆ）
は、炭化ケイ素で内張りされたグラファイトから作製されることを特徴とする請
求項１１に記載のエピタキシャル反応装置用反応チャンバ。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100108 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100608 |