JP2002540619A - ウェハ処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、クリーンルーム（２）中の製造ユニット１の装置並びに製造ユニット１のための原材料の供給及び排出のための供給システムを備えたウェハ処理装置に関する。供給システムは第１の供給導管（７ａ）及び排出導管（８ａ）を有し、その中で周囲の大気よりも重い原材料が上方から下方へ送られ、第２の供給導管（７ｂ）及び排出導管（８ｂ）を有し、その中で軽い原材料が下方から上方へ送られる。
Description
【０００１】 本発明は請求項１の上位概念による半導体製品の製造装置に関する。
【０００２】 この種の装置は、特にウェハの処理装置として構成することができる。
【０００３】 この装置は多数の製造ユニットを有し、この製造ユニットによりウェハの処理
のための多様な製造プロセスが実施される。この製造プロセスは特にエッチング
プロセス、湿式化学プロセス、拡散プロセス並びに多様な洗浄プロセス、例えば
ＣＭＰプロセス（化学機械研磨）である。この各製造プロセス用に１以上の製造
ユニットが設計されている。
のための多様な製造プロセスが実施される。この製造プロセスは特にエッチング
プロセス、湿式化学プロセス、拡散プロセス並びに多様な洗浄プロセス、例えば
ＣＭＰプロセス（化学機械研磨）である。この各製造プロセス用に１以上の製造
ユニットが設計されている。
【０００４】 ウェハの全体の処理プロセスは厳しい清浄度の要求が課せられているため、こ
れらの製造ユニットはクリーンルーム中に又はクリーンルームシステム中に配置
されている。
れらの製造ユニットはクリーンルーム中に又はクリーンルームシステム中に配置
されている。
【０００５】 クリーンルーム又はクリーンルームシステムは通常、建物の１つのフロアに配
置されている。
置されている。
【０００６】 個々の製造ユニットのための原材料の供給及び排出のために供給システムが設
計されている。
計されている。
【０００７】 この種の原材料には、特に液状及びガス状の原材料が属する。液状の原材料と
して特に純水及び超純水が多数の製造プロセス、例えば洗浄プロセス、エッチン
グプロセス及び拡散プロセスのために必要である。さらに、液状の原材料として
、冷却水が個々の製造ユニット中の機械及び装置の冷却のために必要である。最
後に、多様な化学薬品も液体の形で又はガス状で多様な製造プロセスの実施のた
めに必要である。
して特に純水及び超純水が多数の製造プロセス、例えば洗浄プロセス、エッチン
グプロセス及び拡散プロセスのために必要である。さらに、液状の原材料として
、冷却水が個々の製造ユニット中の機械及び装置の冷却のために必要である。最
後に、多様な化学薬品も液体の形で又はガス状で多様な製造プロセスの実施のた
めに必要である。
【０００８】 この供給システムは、製造ユニットに供給すべき原材料を貯蔵する複数の貯蔵
容器を有する。このために、製造ユニットから排出される原材料を供給するため
の複数の貯蔵容器が設けられている。
容器を有する。このために、製造ユニットから排出される原材料を供給するため
の複数の貯蔵容器が設けられている。
【０００９】 供給システムのこれらの貯蔵容器はクリーンルームのフロアの下方にある建物
の１つのフロア又は複数のフロアに分配されてる。
の１つのフロア又は複数のフロアに分配されてる。
【００１０】 液状の原材料を製造ユニットに供給するために、対応する貯蔵容器から供給導
管がそれぞれの製造ユニットに送られる。この供給導管は貯蔵容器から上方へ向
かってクリーンルームのフロアの床に案内され、最終的に床から出て、接続部を
介して製造ユニットに案内されている。
管がそれぞれの製造ユニットに送られる。この供給導管は貯蔵容器から上方へ向
かってクリーンルームのフロアの床に案内され、最終的に床から出て、接続部を
介して製造ユニットに案内されている。
【００１１】 この場合、液状の原材料を製造ユニットに供給するために、前記原材料をポン
プを用いて供給導管中を上方に向かって輸送しなければならないことが欠点であ
る。これは一方でかなりの設備コストにつながる。他方ではそれにより著しいエ
ネルギー消費が生じる。
プを用いて供給導管中を上方に向かって輸送しなければならないことが欠点であ
る。これは一方でかなりの設備コストにつながる。他方ではそれにより著しいエ
ネルギー消費が生じる。
【００１２】 一般に、これらの液体は供給システム中で２メートル〜１０メートルの高低差
を克服しなければならない。液体をポンプで上げるために、この場合、供給シス
テム中の水圧を克服しなければならない。さらに、液体を流動させる際に供給導
管の内部空間での摩擦損失が著しいエネルギー消費を引き起こす。
を克服しなければならない。液体をポンプで上げるために、この場合、供給シス
テム中の水圧を克服しなければならない。さらに、液体を流動させる際に供給導
管の内部空間での摩擦損失が著しいエネルギー消費を引き起こす。
【００１３】 複数の製造ユニット中で、ウェハの処理の間に排気が生じ、この排気は一方で
汚染されており、他方で程度に差はあるが著しく加熱されている。この排気はブ
ロアなどで製造ユニットから吸い出され、供給導管を介して、クリーンルームの
下方にあるフロア中に存在する貯蔵容器中に送られる。
汚染されており、他方で程度に差はあるが著しく加熱されている。この排気はブ
ロアなどで製造ユニットから吸い出され、供給導管を介して、クリーンルームの
下方にあるフロア中に存在する貯蔵容器中に送られる。
【００１４】 製造ユニット内で加熱された空気は対流のために上方へ向かって上昇するため
、この排気を排出導管を介して製造ユニットの下方にある貯蔵容器中へ吸い出す
ために著しいエネルギーコストが必要である。
、この排気を排出導管を介して製造ユニットの下方にある貯蔵容器中へ吸い出す
ために著しいエネルギーコストが必要である。
【００１５】 本発明の根底をなす課題は、装置の製造ユニットに対して原材料をできる限り
エネルギーを節約しかつコストのかけずに供給及び排出することができるような
冒頭に述べた種類の装置のための供給システムを開発することであった。
エネルギーを節約しかつコストのかけずに供給及び排出することができるような
冒頭に述べた種類の装置のための供給システムを開発することであった。
【００１６】 前記課題は、請求項１の特徴部により解決される。本発明の有利な実施態様及
び適切な実施態様は、引用形式請求項に記載されている。
び適切な実施態様は、引用形式請求項に記載されている。
【００１７】 本発明による装置は、周囲の大気よりも重い原材料を上方から下方へ送る第１
の供給導管及び排出導管並びにより軽い原材料を下方から上方へ送る第２の供給
導管及び排出導管を備えた供給システムを有する。
の供給導管及び排出導管並びにより軽い原材料を下方から上方へ送る第２の供給
導管及び排出導管を備えた供給システムを有する。
【００１８】 従って、この供給システムの場合、重力原理に基づく原材料の供給及び排出を
行う。周囲の大気よりも重い原材料は、第１の供給導管中で上方から下方へ送ら
れる。この場合、特に液体の原材料、例えば純水、超純水又は冷却水が、それぞ
れの製造ユニットの上方に配置されている貯蔵容器から製造ユニットに送られる
。有利に、この貯蔵容器は、建物の装置が存在するクリーンルームの上方にある
フロア中に配置されている。同様に、第１の供給導管はクリーンルームの下方の
フロア中の貯蔵容器に送られる。この貯蔵容器中では製造ユニットからの液体を
排出する。
行う。周囲の大気よりも重い原材料は、第１の供給導管中で上方から下方へ送ら
れる。この場合、特に液体の原材料、例えば純水、超純水又は冷却水が、それぞ
れの製造ユニットの上方に配置されている貯蔵容器から製造ユニットに送られる
。有利に、この貯蔵容器は、建物の装置が存在するクリーンルームの上方にある
フロア中に配置されている。同様に、第１の供給導管はクリーンルームの下方の
フロア中の貯蔵容器に送られる。この貯蔵容器中では製造ユニットからの液体を
排出する。
【００１９】 この種の供給及び排出は、最小のエネルギーコストで行われる。液体は周囲の
大気よりも重いため、供給導管及び排出導管中で自重により上方から下方へ向か
う液体の流動運動が促進されるため、液体の供給を実行するためにポンプシステ
ムは必要ないか又はわずかなポンプシステムが必要なだけである。
大気よりも重いため、供給導管及び排出導管中で自重により上方から下方へ向か
う液体の流動運動が促進されるため、液体の供給を実行するためにポンプシステ
ムは必要ないか又はわずかなポンプシステムが必要なだけである。
【００２０】 同様に、周囲の空気よりも軽い原材料は第２の供給導管及び排出導管中で下方
から上方へと送られる。
から上方へと送られる。
【００２１】 例えば、加熱されかつ汚染された排気は第２の排出間を介して製造ユニットか
ら上方に向かって排出される。有利にこの排気は、クリーンルームの上方のフロ
アに存在する貯蔵容器中に捕集される。
ら上方に向かって排出される。有利にこの排気は、クリーンルームの上方のフロ
アに存在する貯蔵容器中に捕集される。
【００２２】 加熱されかつ汚染された排気は対流により製造ユニットの天井の方向へ流動す
るため、この天井から排気を著しいエネルギーコスト及び材料コストをかけずに
製造ユニットから排出導管中へ吸引することができる。
るため、この天井から排気を著しいエネルギーコスト及び材料コストをかけずに
製造ユニットから排出導管中へ吸引することができる。
【００２３】 本発明を次に図面を用いて詳説する。
【００２４】 図１にウェハ処理装置の製造ユニット１の装置を示す。この製造ユニット１は
クリーンルーム２中に配置されており、ウェハの処理の際に行われる製造プロセ
スの実施のために用いられる。この製造プロセスは、特にエッチングプロセス、
湿式化学プロセス、拡散プロセス並びに洗浄プロセスである。全体の製造プロセ
スのために１以上の製造ユニット１が設けられている。
クリーンルーム２中に配置されており、ウェハの処理の際に行われる製造プロセ
スの実施のために用いられる。この製造プロセスは、特にエッチングプロセス、
湿式化学プロセス、拡散プロセス並びに洗浄プロセスである。全体の製造プロセ
スのために１以上の製造ユニット１が設けられている。
【００２５】 この製造ユニット１は搬送システムによって接続されており、この場合、製造
ユニット１にウェハを有するカセット３がこの搬送システムにより供給される。
この搬送システムはコンベアシステム、例えばローラコンベア又は連続コンベア
であり、このコンベア上でカセット３が搬送される。さらに、この搬送システム
はウェハの中間貯蔵のために、図示されていないが所定の数の貯蔵箇所を有する
ことができる。
ユニット１にウェハを有するカセット３がこの搬送システムにより供給される。
この搬送システムはコンベアシステム、例えばローラコンベア又は連続コンベア
であり、このコンベア上でカセット３が搬送される。さらに、この搬送システム
はウェハの中間貯蔵のために、図示されていないが所定の数の貯蔵箇所を有する
ことができる。
【００２６】 図２から明らかなように、製造ユニット１は建物５内に存在し、この場合、建
物５の１つのフロアに製造ユニット１を備えたクリーンルーム２が存在する。
物５の１つのフロアに製造ユニット１を備えたクリーンルーム２が存在する。
【００２７】 この装置はさらに、製造ユニット１中で実施される製造プロセスのために必要
な原材料の供給及び排出のための供給システムを有する。
な原材料の供給及び排出のための供給システムを有する。
【００２８】 この供給システムは複数の貯蔵容器を有し、その貯蔵容器内に原材料が貯蔵さ
れており、この原材料は供給導管７ａ、７ｂを通して製造ユニット１に供給され
る。さらに、原材料を排出導管８ａ、８ｂを通して製造ユニット１から搬出され
る貯蔵容器が設けられている。この貯蔵容器はこの実施例において建物５の２つ
の異なるフロア９、１０に配置されている。この場合、一方のフロア９がクリー
ンルーム２を備えたフロア６の上方に存在し、他方のフロア１０は、クリーンル
ーム２を備えたフロア６の下側に配置されている。
れており、この原材料は供給導管７ａ、７ｂを通して製造ユニット１に供給され
る。さらに、原材料を排出導管８ａ、８ｂを通して製造ユニット１から搬出され
る貯蔵容器が設けられている。この貯蔵容器はこの実施例において建物５の２つ
の異なるフロア９、１０に配置されている。この場合、一方のフロア９がクリー
ンルーム２を備えたフロア６の上方に存在し、他方のフロア１０は、クリーンル
ーム２を備えたフロア６の下側に配置されている。
【００２９】 本発明の場合、個々の貯蔵容器は両方のフロア９、１０中に、周囲の大気より
重い原材料が第１の供給導管７ａを介して供給されるように配置されており、前
記の第１の供給導管７ａはクリーンルーム２の上方にあるフロア９からクリーン
ルーム２の天井１１を通過してそれぞれの製造ユニット１まで案内されている。
同様に、周囲の大気よりも重い原材料は第１の排出導管８ａを介して製造ユニッ
ト１から下方へ排出される。この場合、排出導管８ａはクリーンルーム２の床１
２を通過して延びており、クリーンルーム２の下方のフロア１０中の貯蔵容器に
まで案内される。周囲の大気は、通常室温状態で及び常圧状態で空気から形成さ
れる。
重い原材料が第１の供給導管７ａを介して供給されるように配置されており、前
記の第１の供給導管７ａはクリーンルーム２の上方にあるフロア９からクリーン
ルーム２の天井１１を通過してそれぞれの製造ユニット１まで案内されている。
同様に、周囲の大気よりも重い原材料は第１の排出導管８ａを介して製造ユニッ
ト１から下方へ排出される。この場合、排出導管８ａはクリーンルーム２の床１
２を通過して延びており、クリーンルーム２の下方のフロア１０中の貯蔵容器に
まで案内される。周囲の大気は、通常室温状態で及び常圧状態で空気から形成さ
れる。
【００３０】 それに対して、周囲の大気よりも軽い原材料は、クリーンルーム２の下方のス
テージ１０に配置されている貯蔵容器から第２の供給導管７ｂを介して製造ユニ
ット１に供給される。この場合、第２の供給導管７ｂはクリーンルーム２の床１
２中に区分ごとに延びており、原材料は下方から上方へと製造ユニット１に案内
される。同様に、周囲の大気よりも軽い原材料は第２の排出導管８ｂを介して製
造ユニット１からクリーンルーム２の上方のフロア９中に配置されている貯蔵容
器にまで案内される。区分ごとに上方へ延びる排出導管８ｂはこの場合クリーン
ルーム２の天井１１を通過する。
テージ１０に配置されている貯蔵容器から第２の供給導管７ｂを介して製造ユニ
ット１に供給される。この場合、第２の供給導管７ｂはクリーンルーム２の床１
２中に区分ごとに延びており、原材料は下方から上方へと製造ユニット１に案内
される。同様に、周囲の大気よりも軽い原材料は第２の排出導管８ｂを介して製
造ユニット１からクリーンルーム２の上方のフロア９中に配置されている貯蔵容
器にまで案内される。区分ごとに上方へ延びる排出導管８ｂはこの場合クリーン
ルーム２の天井１１を通過する。
【００３１】 周囲の大気よりも重い原材料は特に液体である。さらに、この原材料は相応す
る密度及び温度でガスから製造することもできる。
る密度及び温度でガスから製造することもできる。
【００３２】 液状の原材料として、一般に純水、超純水及び冷却水が用いられる。超純水及
び純水は多数の製造プロセス、例えば洗浄プロセス及び拡散プロセスに必要であ
る。冷却水は個々の製造ユニット１中の機械及び装置の冷却のために必要である
。さらに多様な製造プロセスのために多様な液体化学薬品が使用される。この液
体化学薬品は例えばエッチングプロセスの実施のためのエッチング溶液、例えば
ＫＯＨ及びＮａＯＨ又はウェハの洗浄のためのアルカリ性又は酸性溶液である。
び純水は多数の製造プロセス、例えば洗浄プロセス及び拡散プロセスに必要であ
る。冷却水は個々の製造ユニット１中の機械及び装置の冷却のために必要である
。さらに多様な製造プロセスのために多様な液体化学薬品が使用される。この液
体化学薬品は例えばエッチングプロセスの実施のためのエッチング溶液、例えば
ＫＯＨ及びＮａＯＨ又はウェハの洗浄のためのアルカリ性又は酸性溶液である。
【００３３】 ガス状の原材料の例はエッチングプロセスの実施のためのエッチングガスであ
る。このエッチングガスは一般にハロゲン化合物から形成することができる。さ
らに、酸素がウェハの洗浄のために、及び熱い窒素がウェハの引き続く乾燥のた
めに使用される。
る。このエッチングガスは一般にハロゲン化合物から形成することができる。さ
らに、酸素がウェハの洗浄のために、及び熱い窒素がウェハの引き続く乾燥のた
めに使用される。
【００３４】 一般にウェハの処理装置は多数の製造ユニット１並びに、製造ユニット１に原
材料を供給するための並びに製造ユニット１から排出された原材料のための多数
の貯蔵容器を有する。
材料を供給するための並びに製造ユニット１から排出された原材料のための多数
の貯蔵容器を有する。
【００３５】 図３にはウェハの処理のためのこの種の装置の小さな部分図が示されている。
【００３６】 図３に図示された建物５の部分図の場合、クリーンルーム２の中央のフロア６
中に３つの製造ユニット１が示されている。
中に３つの製造ユニット１が示されている。
【００３７】 その上のフロア９上に貯水タンク１３として構成された貯蔵容器が設けられて
おり、この中に超純水が貯蔵されている。貯水タンク１３の床の範囲内に第１の
供給導管７ａが接続され、この供給導管７ａは超純水を３つの製造ユニット１に
供給する。
おり、この中に超純水が貯蔵されている。貯水タンク１３の床の範囲内に第１の
供給導管７ａが接続され、この供給導管７ａは超純水を３つの製造ユニット１に
供給する。
【００３８】 供給導管７ａはまずクリーンルーム２の天井１１内で水平方向に延び、次いで
下方へ垂直に延びて製造ユニット１に接続する。この供給導管７ａは図示されて
いない接続部を介して製造ユニット１内へ導かれる。この場合、製造ユニット１
の個々の接続部のための取り付け高さは、超純水がそれぞれの製造ユニット１中
でクリーンルーム２の床１２から必要な高さで提供されるように選択される。供
給導管７ａは超純水を水平方向又は下方に向かって垂直に供給するだけであるた
め、超純水を製造ユニット１に輸送するためにポンプ機能は必要ないかわずかな
ポンプ機能が必要となるだけである。
下方へ垂直に延びて製造ユニット１に接続する。この供給導管７ａは図示されて
いない接続部を介して製造ユニット１内へ導かれる。この場合、製造ユニット１
の個々の接続部のための取り付け高さは、超純水がそれぞれの製造ユニット１中
でクリーンルーム２の床１２から必要な高さで提供されるように選択される。供
給導管７ａは超純水を水平方向又は下方に向かって垂直に供給するだけであるた
め、超純水を製造ユニット１に輸送するためにポンプ機能は必要ないかわずかな
ポンプ機能が必要となるだけである。
【００３９】 一般に、超純水は製造ユニット１中での製造プロセスにより汚染されるため、
所定の時間の後に製造ユニット１から排水として除去しなければならない。この
実施例においては、排水を第１の第１の排出導管８ａを介して製造ユニット１か
ら捕集容器１４として構成された２つの貯蔵容器中に送られる。この捕集容器１
４はクリーンルーム２の下方のフロア１０中に配置されている。排出導管８ａは
製造ユニット１の図示されていない接続部に接続し、区分ごとにクリーンルーム
２の床１２内で平行方向に延び、クリーンルーム２の床１２から捕集容器１４の
方向へ下方へ垂直に延びて接続する。最終的に排出導管８ａは図示されていない
接続部を介して捕集容器１４内へ案内されている。捕集容器１４中の汚染された
排水は、図示されていないリサイクル装置に供給され、そこで排水から再び超純
水が得られる。この場合でも周囲の大気よりも重い排水は排出導管８ａを介して
上方から下方へ案内されるため、排水を捕集容器１４中へ排出するためにポンプ
機能は必要ないか又はわずかなポンプ機能が必要となるだけである。
所定の時間の後に製造ユニット１から排水として除去しなければならない。この
実施例においては、排水を第１の第１の排出導管８ａを介して製造ユニット１か
ら捕集容器１４として構成された２つの貯蔵容器中に送られる。この捕集容器１
４はクリーンルーム２の下方のフロア１０中に配置されている。排出導管８ａは
製造ユニット１の図示されていない接続部に接続し、区分ごとにクリーンルーム
２の床１２内で平行方向に延び、クリーンルーム２の床１２から捕集容器１４の
方向へ下方へ垂直に延びて接続する。最終的に排出導管８ａは図示されていない
接続部を介して捕集容器１４内へ案内されている。捕集容器１４中の汚染された
排水は、図示されていないリサイクル装置に供給され、そこで排水から再び超純
水が得られる。この場合でも周囲の大気よりも重い排水は排出導管８ａを介して
上方から下方へ案内されるため、排水を捕集容器１４中へ排出するためにポンプ
機能は必要ないか又はわずかなポンプ機能が必要となるだけである。
【００４０】 図２の左端の製造ユニット１の天井から第２の排出導管８ｂは上方に向かって
、その上にあるフロア９中に配置され、ガス貯蔵容器１５として構成された貯蔵
容器中に案内される。この排出導管８ａを介して汚染されかつ加熱された空気が
製造ユニット１の内部からガス貯蔵容器１５中へ送られる。そこで汚染された空
気は浄化され、排気シャフト１６を介して建物の外に送られる。加熱され汚染さ
れた空気は周囲空気を形成する雰囲気よりも軽いため、製造ユニット１中で加熱
された空気は上方へ向かって上昇し、そこでわずかなエネルギーコストで吸引す
ることができ、排出導管８ｂに送ることができる。製造ユニット１の壁部中の図
示されていない排出装置を介して、クリーンルーム２から未使用の空気を供給す
ることができる。
、その上にあるフロア９中に配置され、ガス貯蔵容器１５として構成された貯蔵
容器中に案内される。この排出導管８ａを介して汚染されかつ加熱された空気が
製造ユニット１の内部からガス貯蔵容器１５中へ送られる。そこで汚染された空
気は浄化され、排気シャフト１６を介して建物の外に送られる。加熱され汚染さ
れた空気は周囲空気を形成する雰囲気よりも軽いため、製造ユニット１中で加熱
された空気は上方へ向かって上昇し、そこでわずかなエネルギーコストで吸引す
ることができ、排出導管８ｂに送ることができる。製造ユニット１の壁部中の図
示されていない排出装置を介して、クリーンルーム２から未使用の空気を供給す
ることができる。
【００４１】 図２に示された中央の製造ユニット１は特にエッチングプロセスを実施するた
めに使用できる。このために、エッチング溶液は第１のタンク１７から形成され
た貯蔵容器から、第１の供給導管７ａを介して製造ユニット１に案内される。製
造ユニット１中で使用された後に、エッチング溶液は第１の排出導管８ａを介し
て第２のタンク１８中へ排出される。この場合、クリーンルーム２の上方のフロ
ア９に第１のタンク１７が及びクリーンルーム２の下方のフロア１０に第２のタ
ンク１８が配置されているため、エッチング溶液は供給導管７ａ及び排出導管８
ａ中で上方から下方へと送られる。このようにエッチング溶液を製造ユニット１
へ供給すること並びに製造ユニット１から排出することはポンプを使用しないか
又はポンプをほとんど使用せずに可能である。
めに使用できる。このために、エッチング溶液は第１のタンク１７から形成され
た貯蔵容器から、第１の供給導管７ａを介して製造ユニット１に案内される。製
造ユニット１中で使用された後に、エッチング溶液は第１の排出導管８ａを介し
て第２のタンク１８中へ排出される。この場合、クリーンルーム２の上方のフロ
ア９に第１のタンク１７が及びクリーンルーム２の下方のフロア１０に第２のタ
ンク１８が配置されているため、エッチング溶液は供給導管７ａ及び排出導管８
ａ中で上方から下方へと送られる。このようにエッチング溶液を製造ユニット１
へ供給すること並びに製造ユニット１から排出することはポンプを使用しないか
又はポンプをほとんど使用せずに可能である。
【００４２】 図２に示された右端の製造ユニット１は、周囲の空気雰囲気よりも軽い加熱さ
れたガスが供給される製造ユニット１である。ガスを製造ユニット１へ供給する
ためのエネルギーコストをわずかにするために、ガス貯蔵容器１９として構成さ
れたガスを有する貯蔵容器はクリーンルーム２の直下のフロア１０に配置されて
いる。ガス貯蔵容器１９から第２の供給導管７ｂが上方に向かって製造ユニット
１にまで案内され、この場合、クリーンルーム２の床１２を通過する。この場合
、供給導管７ａはほぼ全長にわたり垂直方向に上方へ向かって延びているため、
ガスの対流運動が利用される。
れたガスが供給される製造ユニット１である。ガスを製造ユニット１へ供給する
ためのエネルギーコストをわずかにするために、ガス貯蔵容器１９として構成さ
れたガスを有する貯蔵容器はクリーンルーム２の直下のフロア１０に配置されて
いる。ガス貯蔵容器１９から第２の供給導管７ｂが上方に向かって製造ユニット
１にまで案内され、この場合、クリーンルーム２の床１２を通過する。この場合
、供給導管７ａはほぼ全長にわたり垂直方向に上方へ向かって延びているため、
ガスの対流運動が利用される。
【００４３】 同様に、製造ユニット１の天井から第２の排出導管８ｂが、第２のガス貯蔵容
器２０を形成している貯蔵容器まで案内される。このガス貯蔵容器２０はクリー
ンルーム２の上方にあるフロア９上で、対応する製造ユニット１の真上に配置さ
れているため、この場合も排出導管８ｂは製造ユニット１の接続部から垂直方向
に上方に向かって延び、かつ図示されていない接続部を介してガス貯蔵容器２０
に接続している。
器２０を形成している貯蔵容器まで案内される。このガス貯蔵容器２０はクリー
ンルーム２の上方にあるフロア９上で、対応する製造ユニット１の真上に配置さ
れているため、この場合も排出導管８ｂは製造ユニット１の接続部から垂直方向
に上方に向かって延び、かつ図示されていない接続部を介してガス貯蔵容器２０
に接続している。
【図１】 クリーンルーム中に複数の製造ユニットを備えたウェハの処理装置の略図
【図２】 １つのフロアを備えた図１によるクリーンルーム並びに他のフロアを介して分
配される供給システムを備えた建物の断面図
配される供給システムを備えた建物の断面図
１ 製造ユニット、 ２ クリーンルーム、 ３ カセット、 ４ コンベア
システム、 ５ 建物、 ６ フロア、 ７ａ，７ｂ 供給導管、 ８ａ，８ｂ
排出導管、 ９，１０ フロア、 １１ 天井、 １２ 床、 １３ 貯水タ
ンク、 １４ 捕集溶液、 １５，１９，２０ ガス貯蔵容器、 １６ 排気シ
ャフト、 １７，１８ タンク
システム、 ５ 建物、 ６ フロア、 ７ａ，７ｂ 供給導管、 ８ａ，８ｂ
排出導管、 ９，１０ フロア、 １１ 天井、 １２ 床、 １３ 貯水タ
ンク、 １４ 捕集溶液、 １５，１９，２０ ガス貯蔵容器、 １６ 排気シ
ャフト、 １７，１８ タンク
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年３月２０日（２００１．３．２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】 図２にはウェハの処理のためのこの種の装置の小さな部分図が示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】 図２に図示された建物５の部分図の場合、クリーンルーム２の中央のフロア６
中に３つの製造ユニット１が示されている。
中に３つの製造ユニット１が示されている。
Claims (17)
- 【請求項１】 少なくとも１つのクリーンルーム中に複数の製造ユニットか
らなる装置を有し並びに前記の複数の製造ユニットのための原材料の供給及び排
出のための供給システムを有する半導体製品の製造のための、特にウェハの処理
のための装置において、前記の供給システムが周囲の大気よりも重い原材料を上
方から下方へ送る第１の供給導管（７ａ）及び第１の排出導管（８ａ）及び周囲
の大気よりも軽い原材料を下方から上方へ送る第２の供給導管（７ｂ）及び第２
の排出導管（８ｂ）を有することを特徴とする、ウェハの処理装置。 - 【請求項２】 クリーンルーム（２）が建物（５）の１つのフロア（６）中
に存在し、建物（５）の前記フロアの上方並びに下方にあるフロア（９，１０）
中に少なくとも原材料の収容のための貯蔵容器が存在する、請求項１記載の装置
。 - 【請求項３】 第１の供給導管（７ａ）を介して製造ユニット（１）に供給
可能な周囲の大気よりも重い液状の原材料及びガス状の原材料のための貯蔵容器
は、クリーンルーム（２）の上方のフロア（９）中に配置されている、請求項１
又は２記載の装置。 - 【請求項４】 周囲の大気よりも重い液状又はガス状の原材料を第１の排出
導管（８ａ）を介して供給可能な、前記の原材料を収容するための貯蔵容器は、
クリーンルーム（２）の下方のフロア（１０）中に配置されている、請求項３記
載の装置。 - 【請求項５】 第２の供給導管（７ｂ）を介して製造ユニット（１）に供給
可能な周囲の大気よりも軽いガス状の原材料のための貯蔵容器は、クリーンルー
ム（２）の下方のフロア（１０）中に配置されている、請求項１から４までのい
ずれか１項記載の装置。 - 【請求項６】 周囲の大気よりも軽いガス状の原材料を第２の排出導管（８
ｂ）を介して供給可能な、前記の原材料を収容するための貯蔵容器は、クリーン
ルーム（２）の上方のフロア（９）中に配置されている、請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 製造ユニット（１）から搬出される液状の原材料を収容する
ための貯蔵容器が捕集容器（１４）として構成されている、請求項６記載の装置
。 - 【請求項８】 第１の供給導管（７ａ）及び第２の排出導管（８ｂ）はクリ
ーンルーム（２）の天井（１１）を越えて案内されている、請求項１から７まで
のいずれか１項記載の装置。 - 【請求項９】 第２の供給装置（７ｂ）及び第１の排出導管（８ａ）はクリ
ーンルーム（２）の床（１２）を越えて案内されている、請求項１から８までの
いずれか１項記載の装置。 - 【請求項１０】 液状の原材料として超純水、純水又は冷却水が想定されて
いる、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１１】 液状の原材料として液状化学薬品が想定されている、請求
項５から１０までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１２】 液状化学薬品が、エッチングプロセスの実施のためのエッ
チング溶液、特にＫＯＨ又はＮａＯＨから形成されている、請求項１１記載の装
置。 - 【請求項１３】 液状化学薬品が、ウェハの洗浄のためのアルカリ性又は酸
性の溶液から形成されている、請求項１１又は１２記載の装置。 - 【請求項１４】 ガス状の原材料として加熱されかつ汚染された排気を製造
ユニット（１）の上方の貯蔵容器中へ排出する、請求項１から１３までのいずれ
か１項記載の装置。 - 【請求項１５】 ガス状の原材料としてエッチングプロセスの実施のための
エッチングガスが想定されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の
装置。 - 【請求項１６】 エッチングガスがハロゲン化合物から形成されている、請
求項１５記載の装置。 - 【請求項１７】 ガス状の原材料として、洗浄プロセスにおけるウェハの洗
浄のための酸素及びウェハの乾燥のための窒素が想定されている、請求項１から
１６までのいずれか１項記載の装置。
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