JP2002539086A - 光学活性アミンのラセミ化 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 式Ｉ： 【化１】 [式中、Ｒ^１およびＲ^２は、異なっており、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリールおよびヘテロ環基であり、Ｒ^３は、水素であってもよく、ここで、基は、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノおよびジアルキルアミノから成る群より選択される置換基を有していてよい]のラセミアミンの製法において、その場で、相当の光学活性アミンＩおよび式ＩＩの第２級アルコールおよび／または式ＩＩＩの非対称ケトン 【化２】 および式Ｒ^３ＮＨ_２のアミンを、水素および水素添加触媒または脱水素触媒の存在下に高温で同時に反応させることを特徴とする、ラセミアミンの製法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、式Ｉ：

【０００２】

【化３】

【０００３】 [式中、Ｒ^１およびＲ^２は異なっており、 Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３はアルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アリール、
ヘテロアリールおよびヘテロ環基であり、 Ｒ^３は、水素（Ｈ）であってもよく、ここで 基は、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アル
キルアミノおよびジアルキルアミノから成る群より選択された置換基を有してい
てよい]のラセミアミンの製法に関する。

【０００４】 式Ｉのラセミアミンおよび式Ｉの任意の活性アミンは、例えば医薬品および活
性化合物製造時の中間体として有用である（例えばＤＥ−Ａ−２９０３５８９、
２頁、１７〜２６行参照）。２種のエナンチオマー（Ｉに示される不斉炭素原子
に基づく）の一方のみが活性であるか、一方が他方よりも活性であることが多い
ので、例えば相当のラセミアミンを慣用の方法で分割して得られるより低い活性
を有するエナンチオマーをラセミ化する方法が必要とされ、従ってより高い活性
を有するエナンチオマーは慣用の方法（分割）によりラセミ化アミンから再度単
離できる。

【０００５】 ラセミアミンは、Ulmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Vol. A2
, ４頁および５頁（VCH Verlagsgesellschaft mbH、1985）に従って、水素添加
または脱水素触媒の存在下に高温でアルコールをアミノかするかまたはケトンを
水素添加アミノ化することにより製造できる。

【０００６】 この種のアミノ化法は、例えばＥＰ−Ａ−３８２０４９、ＥＰ−Ａ−５１４６
９２、ＥＰ−Ａ−６９６５７２およびＤＥ−Ａ−１９５３２６３に記載されてい
る。

【０００７】 ＩＮ−Ａ−１６２２１３（Chem,. Abstracts 110: 192247v）には、Ｒｈ／Ａ
ｌ_２Ｏ_３の存在下に１−２−アミノブタノールをアンモニアで処理してラセミ２
−アミノブタノールを製造する方法が記載されている。

【０００８】 ＵＳ−Ａ−４０９６１８６には、光学活性なアミノアルコールのラセミ化法が
記載されており、ここではアミノアルコールを、有利にコバルトを含有する水素
添加触媒の存在下にアンモニアおよび水素と接触させている。

【０００９】 ＵＳ−Ａ−４９９０６６６には、光学活性なアミノアルコールのラセミ化法が
記載されており、ここではアミノアルコールを、水素の存在下にラネーコバルト
と接触させている。この特許は、高温、例えば１６０℃を上回る温度では、ラセ
ミアミンの収量が減じることを示唆している。

【００１０】 ＪＰ−Ａ−０６１３５９０６（Derwent Abstract No. 94-197043/24；Chem. A
bstracts 121：179093ｚ）には、水素および水素添加触媒、例えばラネーニッケ
ルまたはラネーコバルトの存在下に、光学活性でビシナルな第１級ジアミンをラ
セミ化する方法が記載されている。

【００１１】 ＤＥ−Ａ−２８５１０３９には、光学活性な１−アリールアミンのラセミ混合
物の製法が記載されており、ここでは光学活性な１−アリールアミンを、水素添
加触媒、特にラネーコバルトの存在下に水素で処理している。ＤＥ−Ａ−２９０
３５８９には、光学活性なアミンを水素添加触媒、特にラネーコバルトまたはラ
ネーニッケルの存在下に、高温で水素で処理することにより、光学活性なアミン
のラセミ混合物を製造する方法が記載されている。

【００１２】 より以前の１９９８年１２月２３日付けのドイツ特許明細書第１９８５９７７
５.４号は、光学活性なアミンを水素および水素添加触媒または脱水素触媒の存
在下に高温で反応させ、前記反応を気相中で実施することによる、光学活性アミ
ンのラセミ化法に関する。

【００１３】 本発明の課題は、相当の光学活性アミンと相当のアルコールおよび／またはケ
トンを出発材料として開始する、ラセミアミンの経済的な製造方法を開発するこ
とであり、この方法では、出発材料に対して高収量で、使用する光学活性アミン
に対して高時空収量および高度ラセミ化で、生成物を取得できる。

【００１４】 この課題は、式Ｉ：

【００１５】

【化４】

【００１６】 [式中、Ｒ^１およびＲ^２は異なっており、 Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アリール
、ヘテロアリールおよびヘテロ環式基であり、 Ｒ^３は、水素（Ｈ）であってよく、ここで 基は、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アル
キルアミノおよびジアルキルアミノから成る群より選択される置換基を有してい
てよい]のラセミアミンの製法により解決され、前記方法では、相当の光学活性
アミンＩ（Ｉに記載される不斉炭素に基づく）および式ＩＩの第２級アルコール
および／または式ＩＩＩの非対称性ケトンおよび

【００１７】

【化５】

【００１８】 式Ｒ^３ＮＨ_２のアミンを、水素および水素添加触媒または脱水素触媒の存在下に
高温で、その場で、同時に反応させる。

【００１９】 アルコールＩＩおよびケトンＩＩＩ、光学活性アミンＩおよびラセミアミンＩ
の基Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ一致しており、アミンＲ^３ＮＨ_２の基Ｒ^３も光
学活性アミンＩおよびラセミアミンＩのそれとそれぞれ一致している。

【００２０】 本発明の方法を、以下の図で詳細する：

【００２１】

【化６】

【００２２】 本発明の方法は、液相中、または有利には気相中でバッチワイズに、または有
利には連続的に実施され、ついで、触媒を反応器中の固定層として有利に分散さ
せる。

【００２３】 ラセミアミンを製造するための本発明の方法は、式Ｒ^３ＮＨ_２のアミンの存在
下に実施される。Ｒ^３がＨのラセミアミンが製造される場合、アミンＲ^３ＮＨ_２ はアンモニアである。

【００２４】 一般的に、Ｒ^３ＮＨ_２対光学活性アミンＩおよびアルコールＩＩおよび／また
はケトンＩＩＩの総量のモル比は、１：１〜５０：１であり、有利には１.５：
１〜３０：１であり、特に有利には２：１〜２０：１であり、非常に有利には２
：１〜１０：１である。また、モル過剰のＲ^３ＮＨ_２は、光学活性アミンＩおよ
びアルコールＩＩおよび／またはケトンＩＩＩの総量に対して、５０：１を上回
っていてもよい。

【００２５】 光学活性アミンＩ対アルコールＩＩおよび／またはケトンＩＩＩのモル比は重
要ではなく、広範囲に変化してよいが、一般的に１：１００〜１００：１、有利
には１：５０〜５０：１、例えば１：１である。

【００２６】 水素は、光学活性アミンＩおよびアルコールＩＩおよび／またはケトンＩＩＩ
の総モル量に対して、一般的に５〜４００ｌの量で、有利には１０〜２００ｌの
量で反応に導入され、それぞれのリットル値はＳＴＰでのものである。

【００２７】 本発明の方法を気相で実施する場合、光学活性アミンＩおよび相当の第２級ア
ルコールＩＩおよび／または非対称性ケトンＩＩＩから成る混合物を、反応器、
例えば外部加熱管状反応器中に、気体状態で気体流中の触媒上へ、圧力０.１〜
１０ＭＰａ、有利には０.１〜５ＭＰａ、特に有利には０.１〜３ＭＰａの圧力で
通過させ、前記気体流は、水素およびアミンＲ^３ＮＨ_２を含有し、有利には水素
およびアミンＲ^３ＮＨ_２から成り、気化に十分な量を選択されている。

【００２８】 供給流は、上方からまたは下方から触媒の固定床へと流れていてよい。必要な
気体流は、例えば、１ｌの触媒床に対して約５〜１０ｍ^３／ｈ（ＳＴＰでの体積
）の循環気体流および約２５０〜３５０ｌ／ｈの排気流を用いた循環気体法によ
り、有利に得られる。典型的な循環気体組成物は、例えば、約４０〜４５体積％
がＲ^３ＮＨ_２でありかつ剰余部分がＨ_２の組成物である。触媒上の空間速度は、
触媒（床体積）１リットルおよび時間に対する出発材料混合物（アミン＋（アル
コールおよび／またはケトン））の量として、一般的に０.１〜２ｋｇ、有利に
は０.１〜１ｋｇ、特に有利には０.３〜０.８ｋｇである。

【００２９】 気相ラセミ化のために選択される温度は、１００〜３００℃、有利には１５０
℃〜２７０℃、特に有利には１６０℃〜２５０℃、非常に有利には１７０℃〜２
４０℃、大変有利には１８０℃〜２３０℃の範囲である。

【００３０】 本発明の方法を液相で実施する場合、水素およびアミンＲ^３ＮＨ_２の存在下に
、０.１〜３０ＭＰａの圧力で、有利には５〜２５ＭＰａの圧力で、特に有利に
は１０〜２５ＭＰａの圧力で、光学活性アミンＩおよび相当の第２級アルコール
ＩＩおよび／または非対称性ケトンＩＩＩから成る混合物を、液体状態で触媒上
に通過させ、この際、触媒は通常、有利には外部加熱固定床反応器、例えば管状
反応器中に存在する。

【００３１】 方法を管状反応器中で実施する場合、固定触媒床へ通過する流れの方向は、上
方から（例えば細流状態）でも下方から（残液状態）でもよい。循環気体状態で
操作するのが有利であり、この場合、例えば触媒床の体積は１ｌであり、約０.
０１〜１ｍ^３／ｈの気体循環速度（体積を標準温度および圧力に変換）および約
１０〜３００ｌ／ｈの気体排出速度が適用されている。

【００３２】 触媒の空間速度は、触媒（床体積）１リットルおよび時間あたりの出発材料混
合物（アミン＋（アルコールおよび／またはケトン））として、一般的に０.０
５〜２ｋｇの範囲、有利には０.１〜１ｋｇの範囲、特に有利には０.２〜０.６
ｋｇの範囲である。

【００３３】 液相でのラセミ化のために選択される温度は、１００〜３００℃、有利には１
５０〜２７０℃、特に有利には１６０〜２５０℃、非常に有利には１７０〜２４
０℃、大変有利には１８０℃〜２３０℃である。

【００３４】 光学活性アミンＩを不活性溶剤の存在下に液相中でラセミ化でき、前記不活性
溶剤は、選択された反応条件下に液体のものであり、例えばテトラヒドロフラン
、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドンおよび／またはエチレングリコールジメチ
ルエーテルである。

【００３５】 方法を気相および液相のいずれで実施する場合も、前記したものよりも高温、
高圧、およびより高い触媒空間速度を用いてよい。

【００３６】 実質的に、光学活性アミンＩ、アルコールＩＩおよび／またはケトンＩＩＩ、
アミンＲ^３ＮＨ_２、形成されるラセミ化アミンＩおよび存在する溶剤の、各使用
温度での分圧を合計した反応容器中の圧力を、水素を圧縮することにより、所望
の反応圧力にまで適当に上昇させる。

【００３７】 反応後に、放出物を適当に膨張させ、水素、アミンＲ^３ＮＨ_２および使用した
任意の溶剤を除去し（例えば蒸留により）、その際これらを再循環させることが
でき、実質的にラセミアミンＩおよび水から成る冷却粗生成物を周囲圧力または
減圧下に分留することにより精製する。有利には、分留を実施する前に、組成生
物中の水の大部分を約５０％濃度の水酸化ナトリウム水溶液を処理することによ
り除去しておく。

【００３８】 例えば、本発明の方法において、ラセミ１−メトキシ−２−アミノプロパン（
Ｒ,Ｓ）−ＭＯＩＰＡ（Ｒ^１＝−ＣＨ_３、Ｒ^２＝−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、Ｒ^３＝Ｈ）
は、光学活性１−メトキシ−２−アミノプロパン、１−メトキシ−２−プロパノ
ールおよびアンモニアを水素および水素添加触媒または脱水素触媒の存在下に高
温でその場で同時に反応させることにより製造できる。

【００３９】 実質的に（Ｒ,Ｓ）−ＭＯＩＰＡおよび水から成る粗生成物を、例えばＥＰ−
Ａ−８８１２１１に記載されるようにして、放出物への水酸化ナトリウム溶液の
添加、水相の分離、（Ｒ,Ｓ）−ＭＯＩＰＡ−含有層の蒸留により、後処理して
よい。

【００４０】 本発明の方法の利点は、特に、その特別な経済効率にある、というのも、（ａ
）第２級アルコールＩＩまたは非対称性ケトンＩＩＩを式Ｒ^３ＮＨ_２のアミンで
アミノ化し（ｂ）相当の光学活性アミンＩをラセミ化することによりラセミアミ
ンＩを製造する際に、工程（ａ）および（ｂ）をその場で同時に実施できる（こ
の点についての比較は、１頁の２段落に詳細されている）ことから、ラセミアミ
ンＩの製造に別棟の工場を建設する必要がないからである。

【００４１】 意外にも、各方法工程の収量および選択性は、２個の完全に異なる前記方法工
程（ａ）および（ｂ）を単一の工程として組み合わせる本発明の方法の影響を実
質的に受けない。すなわち、例えば式：

【００４２】

【化７】

【００４３】 の対称アミンのような副産物の生成の増加は見られない。

【００４４】 特に好適な水素添加触媒および脱水素触媒は、触媒活性成分として、銅、銀、
金、鉄、コバルト、ニッケル、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、
オスミウム、イリジウム、白金、クロム、モリブデンおよびタングステンから成
る群より選択される元素を、それぞれ金属形（酸化状態０）または酸化物のよう
な化合物の形で含有し、方法条件下に相当の金属へと還元される。

【００４５】 触媒活性成分である、銅、銀、金、鉄、コバルト、ニッケル、レニウム、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、クロム、モリ
ブデンおよび／またはタングステンは、酸化状態０の金属として計算して、０.
１〜８０質量％、有利には０.１〜７０質量％、特に有利には０.１〜６０質量％
の量で、触媒の触媒活性部として存在する。

【００４６】 有利には、触媒は、触媒活性成分として、銅、銀、コバルト、ニッケル、ルテ
ニウム、ロジウム、パラジウム、白金、クロムおよびモリブデンから成る群より
選択される元素、特に、銅、銀、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム
、クロムおよびモリブデンから成る群より選択される元素を、それぞれ金属形（
酸化状態０）または酸化物のような化合物の形で含有し、方法条件下に相当の金
属へと還元される。

【００４７】 より有利には、触媒は、触媒成分としての、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケル
、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび／または
白金ならびに酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、ケイ素の
炭素および／または酸素化合物から成る群より選択される支持材料から成る。

【００４８】 本発明の方法で有利に使用されるこれらの触媒の触媒活性部は、触媒活性成分
である、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム
、オスミウム、イリジウムおよび／または白金を、酸化状態０で計算して、一般
的に０.１〜８０質量％、有利には０.１〜７０質量％、特に有利には０.１〜６
０質量％の総量で含有する。

【００４９】 さらに、有利に使用されるこれらの触媒の触媒活性部は、支持材料である、酸
化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、二酸化チタ
ン（ＴｉＯ_２）、ケイ素の炭素および／または酸素化合物（ＳｉＯ_２として計算
）を、一般的に２０〜９９.９質量％、有利には３０〜９９.９質量％の総量で含
有する。

【００５０】 このような触媒の例は、ＥＰ−Ａ−８３９５７５に記載される触媒であり、触
媒の総質量に対して、コバルト、ニッケルまたはその混合物６〜５０質量％、ル
テニウム０.００１〜２５質量％、銅０〜１０質量％および多孔質酸化物支持体
、例えば酸化アルミニウム、アルミノシリケート、二酸化チタン、二酸化ジルコ
ニウムまたはそれらの混合物上の助触媒０〜５０質量％を含有し、（ａ）支持体
を金属、助触媒またはそれらの化合物へ含浸させ、（ｂ）含浸した支持体を乾燥
および焼成し、（ｃ）焼成した支持体を水素流中で還元することにより製造され
る。

【００５１】 ＥＰ−Ａ−８３９５７４に記載されるような触媒は、触媒の総質量に対して、
コバルト、ニッケルまたはその混合物を０.１〜６質量％、ルテニウム０.００１
〜２５質量％、銅０〜１０質量％および多孔質金属酸化物支持体、例えば酸化ア
ルミニウム、アルミノシリケート、二酸化チタン、二酸化ジルコニウムまたはそ
れらの混合物上の助触媒０〜５質量％を含有し、（ａ）支持体を金属、助触媒ま
たはそれらの化合物へ含浸させ、（ｂ）含浸した支持体を乾燥および焼成し、（
ｃ）焼成した支持体を水素流中で還元することにより製造できる。

【００５２】 本発明の方法に好適な触媒は、触媒活性成分が構造支持体またはモノリスへ適
用された薄層触媒であり、例えばドイツ特許明細書第１９８２７３８５.１号（
１９９８年６月２７日、１頁、１４〜３０行）およびＤＥ−Ａ−３５１３７２６
に記載されている。触媒活性成分は、使用する構造支持体またはモノリス、例え
ば金属線メッシュ、またはＳｉＯ_２−、ＴｉＯ_２−、ＺｒＯ_２−またはＡｌ_２Ｏ _３ ハニカム構造へ、慣用の方法、例えば触媒活性金属（例えば貴金属）の真空メ
ッキにより、ＤＥ−Ａ−３５１３７２６のような減圧下に、またはＤＥ−Ａ−４
１３５０５５、ＤＥ−Ａ−３９１５６８５またはＵＳ−Ａ−４７４６５３７のよ
うに含浸して適用される。

【００５３】 本発明の方法で使用される薄層触媒の例は、ＥＰ−Ａ−６４６５６２に記載さ
れ、実施例１および２の触媒は、材料番号１.４７６７（Kanthal）と真空メッキ
Ｐｄとを含有し、実施例３の触媒は材料番号１.４４０１と真空メッキＰｄとを
含有し、実施例４の触媒は、材料番号１.４３０１と真空メッキｐｄとを含有す
る（材料番号は“Stahleisenliste”に記載される、Verlag Stahleisen mbH 199
0, 8th edition, p. 87ff）。

【００５４】 本発明の方法で使用するのに有利な別の水素添加および脱水素触媒は、シェル
型触媒であり、ここで触媒活性組成物はシェルの形で支持材料のコア上に適用さ
れ、支持材料は一般的に反応条件下に不活性な、例えば石英（ＳｉＯ_２）、ポー
セレン、酸化マグネシウム、二酸化チタン、炭化ケイ素、ルチル、アルミナ（Ａ
ｌ_２Ｏ_３）、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム（ステアタイト）、ケイ
酸ジルコニウムまたはケイ酸セリウムまたはそれらの混合物である。

【００５５】 このようなシェル型触媒は、一般的に、J. F. Le page等、Applied Heterogen
eous Catalysis, Edition Technip Paris, 1987, ＩＳＢＮ２−７１０８−０５
３１−６, 106〜123頁に記載されるような含浸法で製造される。これらの含浸法
は、（ａ）支持材料を過剰の溶剤へ含浸するか（液浸）または（ｂ）支持材料を
含浸用ドラム中で噴霧して含浸し、いずれの場合もその後、乾燥および焼成を行
うことから成る。

【００５６】 このようなシェル型触媒を製造する別の可能な方法は、例えばＤＥ−Ａ−１６
４２９３８およびＤＥ−Ａ−１７６９９９８に記載される。この方法では、触媒
活性組成物および／またはその前駆体化合物から成る成分の溶液または懸濁液を
含有する水性および／または有機溶剤（以下“スラリー”と呼称する）を加熱し
た塗工ドラム中で高温で、全触媒中の触媒活性組成物の質量割合が所望量に達す
るまで噴霧する。ＤＥ−Ａ−２１０６７９６では、例えばＤＥ−Ａ−１２８０７
５６に記載されるような流動床塗布機で塗布することができる。所望であれば、
スラリーは有機結合剤、有利にはＥＰ−Ａ−７４４２１４に記載されるようなビ
ニルアセテート−ビニルラウレートまたはビニルアセテート−エチレンのような
コポリマーを含有してよい。

【００５７】 本発明の方法で使用できるシェル型触媒の例は、アルミナ塊を貴金属塩水溶液
、例えばＰｄ塩溶液で含浸し、次いで乾燥および焼成することにより製造できる
、ＤＥ−Ａ−２０５９９７８の実施例１（ｃａｔ．Ａ）に記載される触媒、およ
び、含浸により製造されかつＡｌ_２Ｏ_３およびＮｉおよび／またはＣｏを含有す
る、J. F. Le Page等の前記文献（Applied Heterogeneous Catalysis,例えば１
１０頁）に記載される触媒である。

【００５８】 一般的に、本発明の方法の触媒は、含浸、沈殿または解膠法により製造され、
完全に触媒活性組成物から成るかまたは触媒が造形品の場合には、所望であれば
成形助剤（例えばグラファイトまたはステアリン酸）を含有する、すなわち更な
る触媒不活性伴行材料を含有しない形の触媒として使用される。

【００５９】 支持体として有利には酸化物、炭化物又は窒化物材料を使用し、特に有利には
酸化物の性質を有する材料を使用する。

【００６０】 ここで触媒支持体として使用される材料は、例えば 二酸化チタン（ＴｉＯ_２；アナターゼ、ルチル）、 酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３；有利にはα−、β−、γ−またはθ−Ａｌ_２Ｏ _３ ；ＢＡＳＦ社製Ｄ１０−１０；少なくとも１つの酸化アルミニウム前駆体を、
液体媒体中の少なくとも１つの構造体成形機へ接触させることにより製造される
広い表面積を有するＡｌ_２Ｏ_３、１９９７年７月１４日付けドイツ特許明細書第
１９７３０１２６.６号に記載）、 二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２；有利には単斜晶形または正方晶形）、 二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２；例えば水ガラスからの沈殿またはゾルゲル法により得
られるＳｉＯ_２または間孔ＳｉＯ_２、例えばＤＥ−Ａ−１９６３９０１６に記載
されるような、少なくとも５００ｍ^２／ｇの間孔比表面積および少なくとも１.
０ｍｌ／ｇの間孔の孔体積を有する間孔ＳｉＯ_２、またはシリカゲル（例えばUl
lmann, Enzykl. Techn. Chem., 4th edition, Volume 21, pp.457〜63, 1982）
またはカオリン、ヘクトライトまたはアルミノシリケート（例えばNature, Volu
me359, pp.710〜12, 1992に記載されるもの、またはアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属アルミノシリケート（ゼオライト）、例えば式Ｍ_２／ｚＯ・Ａｌ_２Ｏ _３ ・ｘＳｉＯ_２・ｙＨ_２Ｏ（Ｍは一価または多価金属、Ｈ、[ＮＨ_４]であり、ｚ
は原子価であり、ｘ＝１.８〜約１２であり、ｙ＝０〜約８である））、ケイ酸
マグネシウム（例えばステアタイト）、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸セリウムま
たはケイ酸カルシウムのようなケイ酸塩の形または少なくとも１つの二酸化ケイ
素前駆体を液体媒体中の少なくとも１つの構造体成形機へ接触させることにより
製造できる広い表面積を有するＳｉＯ_２（１９９７年７月３０日付けドイツ特許
明細書第１９７３２８６５.２号に記載））、 層状ケイ酸塩および／または鎖ケイ酸塩（例えばベントナイトまたはモントモリ
ロナイト）を主に含有するクレー、 軽石、炭化ケイ素、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化
スズ（ＳｎＯ_２）、二酸化セリウム（ＣｅＯ_２）、および／または炭素（例えば
活性炭または押出形またはペレット形グラファイト）、およびこれらの混合物 を、触媒活性組成物の一部と見なす。

【００６１】 例えば触媒活性組成物を粉砕して粉末にしたものを反応器に導入して使用する
か、有利には触媒組成物を微粉砕した後に造形助剤と混合して造形かつ加熱処理
し、触媒造形品、例えばペレット、球体、環状体または押出形として反応器中で
使用する。

【００６２】 これらの触媒は種々の方法で製造可能である。

【００６３】 触媒は、例えば水酸化物、炭化物、酸化物および／または触媒成分と水との塩
から成る粉末混合物の解膠ならびに続く押出およびこのようにして得られた組成
物の熱処理により製造できる。

【００６４】 本発明で使用される触媒は、触媒支持材料（前記参照）あるいは粉末または造
形品、例えば押出物、ペレット、球体または環状体の形をした２種以上の触媒支
持材料混合物の含浸により製造できる。

【００６５】 前記触媒支持材料の造形品は、慣用の方法で製造できる。

【００６６】 触媒支持材料の含浸は、例えばＥＰ−Ａ−５９９１８０、ＥＰ−Ａ−６７３９
１８またはA. B. Stiles, Catalyst Manufacture-Laboratory and Commercial P
reparations, Marcel Dekker, New York（1983）に記載されるような慣用の方法
と同じように実施でき、例えば適当な硝酸塩、酢酸塩または塩化物を金属塩とし
て使用して、１回以上の含浸工程において適当な金属塩溶液を適用することによ
り実施する。含浸後、組成物を乾燥し、必要であれば焼成する。

【００６７】 含浸は、初期湿潤法により実施でき、この場合触媒支持材料はその水吸収能に
応じて、最も飽和な状態まで含浸溶液で湿潤させる。しかし、上澄み溶液中で含
浸させてもよい。

【００６８】 多工程含浸法において、各含浸工程の間で支持材料を乾燥および必要であれば
焼成させることができる。触媒支持材料を比較的多量の金属で負荷する場合、多
工程含浸法を利用するのが特に有利である。

【００６９】 複数の金属成分を触媒支持材料へ適用するために、全ての金属塩を同時にまた
は各金属塩を任意の順序で連続的に含浸させてよい。

【００７０】 本発明の方法で使用する触媒を製造するために沈殿法を利用することもできる
。従って、例えば難溶性触媒材料の微細粉末から成るスラリーまたは懸濁液の存
在下に、ミネラルベースを用いて、金属成分を、これらの元素を含有する水系塩
溶液から同時に沈殿させ、次いで得られた沈殿物を洗浄し、乾燥し、焼成させる
ことにより製造できる。使用される難溶性触媒支持材料は、例えば酸化アルミニ
ウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウムおよび／または酸化ジ
ルコニウム水和物である。

【００７１】 本発明の方法で使用される触媒は、その全ての成分を同時に沈殿させることに
より製造できる。この目的のために、触媒成分を含有する水性塩溶液を、撹拌下
に水性ミネラルベース、特にアルカリ金属ベース、例えば炭酸ナトリウム、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウムと、完全に沈殿するまで加熱
混合するのが有利である。使用する塩の種類は一般的に重要でない：というのも
、この方法においては塩の溶解度が最重要であり、比較的高濃度の塩溶液を製造
するのに必要な高い溶解度を有することが基準となっているからである。個々の
成分の塩を選択する際に、不所望の沈殿を生じたりまたは錯体を形成して沈殿の
妨害または抑制することのない、問題のないアニオンを含有する塩のみを選択す
る。

【００７２】 これらの沈殿反応により得られる沈殿物は、一般的に、化学的に不均質であり
、特に、酸化物、酸化物水和物、水酸化物、炭酸塩および使用する金属の不溶性
で塩基性の塩を含有する。沈殿物の濾過性を向上させるために、それらを寝かせ
るのが有利であることが証明され、すなわち沈殿操作後に、可能であれば高温で
または懸濁液へ空気を通過させながら、ある程度の時間、沈殿物放置する。

【００７３】 これらの沈殿法により得られる沈殿物を慣用の方法でさらに加工して触媒を得
る。洗浄後、これらを一般的に８０〜２００℃、有利には１００〜１５０℃で乾
燥し、次いで焼成させる。焼成は一般的に３００〜８００℃、有利には４００〜
６００℃、特に有利には４５０〜５５０℃で実施する。

【００７４】 焼成後、粉砕により特定の粒度にするかまたは粉砕後に造形助剤、例えばグラ
ファイトまたはステアリン酸と混合し、プレスによりコンパクト（例えばペレッ
ト）に圧縮し加熱処理することにより、触媒を有利に調整する。加熱処理温度は
一般的に焼成温度と一致する。

【００７５】 このようにして製造した触媒において触媒活性金属は、酸素−含有化合物混合
物の形、すなわち特に酸化物および酸化物混合物の形で存在する。

【００７６】 このようにして製造した触媒は、通常、光学活性アミンＩのラセミ化のために
使用する前に、予め還元される。しかし、予め還元せずに使用することも可能で
あり、この場合には、ラセミ化の条件で、反応容器中で、水素の存在下に還元を
実施する。

【００７７】 予め還元する場合、触媒を一般的に最初に窒素／水素雰囲気へ１５０℃〜２０
０℃で１２〜２０時間曝露し、次いで水素雰囲気中で２００〜４００℃で約２４
時間まで処理する。この予還元において、触媒中に存在する酸素−含有金属化合
物の一部を相当の金属に還元し、これらを種々の酸素化合物といっしょにして触
媒の活性形とする。

【００７８】 以下に示す触媒成分の濃度は（質量％）、それぞれ特に記載のない限り、最終
熱処理後かつ水素による還元前の最終触媒の触媒活性成分の量に基づくものであ
る。

【００７９】 最終熱処理後かつ水素による還元前の最終触媒の触媒活性組成物の量は、触媒
活性成分の合計であり、ここで、解膠、含浸または沈殿により製造された前記触
媒において、触媒支持体として使用される材料も触媒活性組成物の一部に含まれ
る。

【００８０】 触媒活性組成物の前記成分の合計は、通常７０〜１００質量％、有利には８０
〜１００質量％、特に有利には９０〜１００質量％、例えば１００質量％である
。

【００８１】 本発明の方法で使用する触媒の触媒活性組成物は、さらに、周期表の族ＩＡ〜
ＶＩＡおよびＩＢ〜ＶＩＩＢから選択される１種以上の元素（酸化状態０）また
はその無機又は有機化合物を含有していてよい。

【００８２】 このような元素およびその化合物の例は： 遷移金属およびその化合物、例えばＭｎ、Ｍｎ_２Ｏ_３およびＭｎＯ_２、Ｖ、酸
化バナジウムおよびバナジルピロホスフェート；Ｎｂ、酸化ニオビウム、ニオビ
ウムオキザレート；Ｔａおよび酸化タンタル；ランタニド、例えばＣｅおよびＣ
ｅＯ_２、ＰｒおよびＰｒ_２Ｏ_３；アルカリ金属酸化物、例えばＮａ_２Ｏ；アルカ
リ金属炭酸塩；アルカリ土類金属酸化物、例えばＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよび
ＢａＯ；アルカリ土類金属炭酸塩、例えばＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３およびＢａＣ
Ｏ_３；酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）である。

【００８３】 本発明の方法において、有利には、最終加熱処理後でありかつ水素による還元
前の触媒活性組成物を有する触媒を使用し、該触媒は酸化アルミニウム（Ａｌ_２ Ｏ_３）および／または二酸化ジルコニウム（Ｚｒ_２Ｏ）および／または二酸化チ
タン（ＴｉＯ_２）および／または炭素（例えば活性炭またはグラファイト）およ
び／またはケイ素の酸素−含有化合物（ＳｉＯ_２として計算）を２０〜８５質量
％、有利には２５〜８０質量％、特に有利には３０〜７５質量％含有し、銅の酸
素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）を１〜７０質量％、有利には２〜６５質量
％、特に有利には４〜６０質量％、非常に有利には２０〜６０質量％含有し、ニ
ッケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）を０〜７０質量％、有利には１
〜７０質量％、特に有利には５〜６６質量％含有し、コバルトの酸素−含有化合
物（ＣｏＯとして計算）、クロムの酸素−含有化合物（Ｃｒ_２Ｏ_３として計算）
、亜鉛の酸素−含有化合物（ＺｎＯとして計算）、モリブデンの酸素−含有化合
物（ＭｏＯ_３として計算）、マンガンの酸素−含有化合物（ＭｎＯ_２として計算
）、マグネシウムの酸素−含有化合物（ＭｇＯとして計算）、カルシウムの酸素
−含有化合物（ＣａＯとして計算）および／またはバリウムの酸素−含有化合物
（ＢａＯとして計算）を０〜５０質量％、有利には０〜３０質量％、特に有利に
は０.１〜２５質量％含有する。

【００８４】 このような触媒の例は、ＤＥ−Ａ−１９５３２６３に記載されており、コバル
ト、ニッケルおよび銅および酸化アルミニウムおよび／または二酸化ケイ素を含
有し、総触媒量の５〜８０質量％の金属含量を有し、ここで触媒は、金属含量に
基づいて計算したところ、コバルトとニッケルの混合物を７０〜９５質量％、銅
を５〜３０質量％含有し、コバルト対ニッケルの質量比は４：１〜１：４であり
、例えば前記引用文献の実施例に記載される触媒は、酸化アルミニウム上に酸化
銅２〜４質量％、酸化コバルト１０質量％、および酸化ニッケル１０質量％を含
有する。

【００８５】 ＥＰ−Ａ−３８２０４９に記載される触媒は、その触媒活性成分が、水素で還
元される前に、ＺｒＯ_２２０〜８５質量％、ＣｕＯ１〜３０質量％およびＣｕＯ
とＮｉＯをそれぞれ１〜４０質量％含有し、例えば前記文献の６頁に記載される
触媒は、Ｚｒ（ＺｒＯ_２として計算）７６質量％、Ｃｕ（ＣｕＯとして計算）４
質量％、Ｃｏ（ＣｏＯとして計算）１０質量％およびＮｉ（ＮｉＯとして計算）
１０質量％から成る組成物を有する。

【００８６】 ＥＰ−Ａ−６９６５７２に記載される触媒は、その触媒活性成分が、水素で還
元される前に、ＺｒＯ_２２０〜８５質量％、銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとし
て計算）１〜３０質量％、ニッケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）３
０〜７０質量％、モリブデンの酸素−含有化合物（ＭｏＯ_３として計算）０.１
〜５質量％およびアルミニウムおよび／またはマンガンの酸素−含有化合物（そ
れぞれ、Ａｌ_２Ｏ_３およびＭｎＯ_２として計算）０〜１０質量％を含有し、例え
ば前記文献中の８頁に記載される触媒は、ＺｒＯ_２３１.５質量％、ＮｉＯ５０
質量％、ＣｕＯ１７質量％およびＭｏＯ_３１.５質量％を含有する。

【００８７】 １９９８年６月１２日付けのドイツ特許明細書第１９８２６３９６.１号に記
載される触媒は、その触媒活性成分が、水素で還元される前に、ＺｒＯ_２２２〜
４０質量％、銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）１〜３０質量％、ニッ
ケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）１５〜５０質量％、１を上回るＮ
ｉ：Ｃｕのモル比、コバルトの酸素−含有化合物（ＣｏＯとして計算）１５〜５
０質量％、アルミニウムおよび／またはマンガンの酸素−含有化合物（それぞれ
Ａｌ_２Ｏ_３およびＭｎＯ_２として計算）０〜１０質量％を含有し、モリブデンの
酸素−含有化合物を含まず、例えば前記引用文献の１７頁の触媒（Ａ）は、Ｚｒ
（ＺｒＯ_２として計算）３３質量％、Ｎｉ（ＮｉＯとして計算）２８質量％、Ｃ
ｕ（ＣｕＯとして計算）１１質量％、Ｃｏ（ＣｏＯとして計算）２８質量％から
成る組成物を有する。

【００８８】 １９９７年９月２９日付けのドイツ特許明細書第１９７４２９１１.４号に記
載される触媒は、その触媒活性組成物が、水素で還元される前に、ＺｒＯ_２２０
〜８５質量％、銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）１〜３０質量％、ニ
ッケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）１４〜７０質量％、１を上回る
Ｎｉ：Ｃｕ比、アルミニウムおよび／マンガンの酸素−含有化合物（それぞれＡ
ｌ_２Ｏ_３およびＭｎＯ_２として計算）０〜１０質量％を含有し、コバルトまたは
モリブデンの酸素−含有化合物を含まず、例えば前記文献の１４〜１５頁に記載
される触媒（Ａ）は、Ｚｒ（ＺｒＯ_２として計算）３２質量％、Ｎｉ（ＮｉＯと
して計算）５１質量％およびＣｕ（ＣｕＯとして計算）１７質量％から成る組成
物を有する。

【００８９】 ＥＰ−Ａ−２８４９１９に記載される触媒は、式Ｍ_ｘＭｇ_ｙ（ＳｉＯ_２）・ｎ
Ｈ_２Ｏ（Ｍは二価であり、Ｃｕ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから成る群より選択され
る還元性の金属原子であり、ｘおよびｙは、合して１.５となるような数値であ
り、ｎは、乾燥後の質量％を示すもので０〜８０である）で示され、例えば、前
記文献の実施例の触媒は、ＣｕＯ３５％、ＭｇＯ９％およびＳｉＯ_２３８％を含
有し、ＥＰ−Ａ−８６３１４０の３頁に記載される触媒は、ＣｕＯ４５〜４７質
量％、ＭｇＯを１５〜１７質量％含有するケイ酸マグネシウムおよびＳｉＯ_２３
５〜３６質量％、Ｃｒ_２Ｏ_３約０.９質量％、ＢａＯ約１質量％およびＺｎＯ約
０.６質量％を含有する。

【００９０】 ＤＥ−Ａ−２４４５３０３に記載される触媒は、Ｃｕ_ｍＡｌ_６（ＣＯ_３）_{０． ５ｍ} Ｏ_３（ＯＨ）_ｍ＋１２（ｍは２〜６の整数でないものも含めた任意の数値で
ある）の組成物の塩基性銅−およびアルミニウム−含有炭酸塩を、３５０〜７０
０℃で加熱処理することにより製造でき、例えば前記引用文献の実施例１に記載
される銅−含有沈殿触媒は、硝酸銅および硝酸アルミニウムの溶液を重炭酸ナト
リウムで処理し、引き続き沈殿物を洗浄、乾燥および加熱処理することにより製
造できる。

【００９１】 ＷＯ９５／３２１７１およびＥＰ−Ａ−８１６３５０に記載される支持触媒は
、それぞれ焼成した触媒の総質量に対して、銅（ＣｕＯとして計算）５〜５０質
量％、有利には１５〜４０質量％、ケイ素（ＳｉＯ_２として計算）５０〜９５質
量％、有利には６０〜８５質量％、マグネシウム（ＭｇＯとして計算）０〜２０
質量％、バリウム（ＢａＯとして計算）０〜５質量％、亜鉛（ＺｎＯとして計算
）０〜５質量％、クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３として計算）０〜５質量％を含有し、例え
ばＥＰ−Ａ−８１６３５０の５頁に記載される触媒は、ＣｕＯ３０質量％および
ＳｉＯ_２７０質量％を含有する。

【００９２】 ＥＰ−Ａ−５１４６９２に記載される触媒は、その触媒活性組成物が、水素で
還元される前に、原子比１：１〜１０：１の銅およびニッケルの酸化物および酸
化ジルコニウムおよび／または酸化アルミニウムを５〜１００質量％で含有し、
特に前記引用文献の３頁の２０〜３０行に記載される触媒は、その触媒活性組成
物が、水素で還元される前に、Ａｌ_２Ｏ_３および／またはＺｒＯ_２２０〜８０質
量％、有利には４０〜７０質量％、ＣｕＯ１〜３０質量％、ＮｉＯ１〜３０質量
％および可能であればＣｏＯ１〜３０質量％を含有し、例えば前記引用文献の実
施例１に記載の触媒は（活性化後）、Ａｌ_２Ｏ_３５５質量％、Ｃｕ３６質量％お
よびＮｉ７質量％を含有する。

【００９３】 ＥＰ−Ａ−６９１１５７に記載の触媒は（Ｈ_２での還元前）、酸化銅および二
酸化ジルコニウム８５〜１００質量％、特に９５〜１００質量％、周期表のＩｂ
〜ＶＩＩｂおよびＶＩＩＩ族の遷移金属の金属酸化物０〜１５質量％、特に０〜
５質量％を含有し、例えば前記引用文献の５〜６頁に記載される触媒は、ＣｕＯ
５２.６質量％およびＺｒＯ_２４７.４質量％を含有する組成物を有する。

【００９４】 １９９８年１２月２３日付けのドイツ特許出願第１９８５９７７６.２号に記
載される触媒は、銅およびチタンの酸素含有化合物を含有し、この触媒は金属性
銅粉末を添加することにより製造された成形体の形で使用され、例えばこの触媒
の触媒活性組成物は、水素で還元される前に、チタンの酸−含有化合物（ＴｉＯ _２ として計算）２０〜８３質量％、銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）
１５〜６０質量％、触媒材料を成形する前に添加された金属性銅２〜２９質量％
を含有する。

【００９５】 本発明の方法において、有利には、コバルト（ＣｏＯとして計算）を２０質量
％下回って、有利には１０質量％を下回って、特に有利には５質量％を下回って
、非常に有利には１質量％を下回って含有する触媒活性組成物を含む触媒を使用
する。特に好ましくは、触媒活性組成物は、コバルトまたはその化合物の触媒活
性量を含まない。

【００９６】 本発明の方法において、有利には、最終加熱後かつ水素による還元前の触媒活
性組成物が、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）および／または二酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ_２）および／または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）および／またはケイ素
の酸素−含有化合物（ＳｉＯ_２）２０〜８５質量％、有利には２５〜８０質量％
、特に有利には３０〜７５質量％を含有する触媒を使用する。

【００９７】 特に、最終加熱後かつ水素による還元前の触媒活性材料が、酸化アルミニウム
（Ａｌ_２Ｏ_３）３５〜７５質量％、 銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）２０〜６０質量％、および ニッケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）５〜４５質量％、有利には５
〜２０質量％を含有する触媒を使用し、その際、これらの成分の合計は、少なく
とも８０質量％、有利には少なくとも９０質量％、特に有利には少なくとも９５
質量％、例えば１００質量％である。このような触媒は、例えば、ＥＰ−Ａ−５
１４６９２、３ページ、２４行〜３０行目に記載されているように製造できる。
例えば、上記引用明細書中、例１には、（活性化の後に）Ａｌ_２Ｏ_３５５質量％
、Ｃｕ３６質量％およびＮｉ７質量％から成る触媒が記載されている。

【００９８】 基Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３において、Ｒ^１およびＲ^２は異なっており、相互に独立し
て、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール
およびヘテロ環基であり、 Ｒ^３は、水素（Ｈ）であってもよく、その際、前記の基は、反応条件下で不活性
な置換基で置換されていてよく、このような置換基はアルキル、シクロアルキル
、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、アルキルアミノおよびジアルキルアミ
ノから成る群より選択される。

【００９９】 Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、有利には： −直鎖または分枝鎖のアルキル基、例えば、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキル、特に有利
には、Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ｎ−ペンチ
ル、イソペンチル、sec−ペンチル、ネオペンチル、１，２−ジメチルプロピル
、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、sec−ヘキシル、シクロペンチルメチル、ｎ−
ヘプチル、イソヘプチル、シクロヘキシルメチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘ
キシル、ｎ−ノニル、イソノニル、ｎ−デシル、イソデシル、ｎ−ウンデシル、
ｎ−ドデシル、イソ−ドデシルであり、 特に有利には、Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル
、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチルおよび
２−エチルヘキシルであり、 −シクロアルキル基、有利には、Ｃ_３〜Ｃ_８−シクロアルキル、例えば、シクロ
プロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルお
よびシクロオクチル、特に有利には、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシ
クロオクチルであり、 特に有利には、シクロペンチルおよびシクロヘキシルであり、 −アリールアルキル基、有利には、Ｃ_７〜Ｃ_２０−アリールアルキル、例えば、
ベンジル、１−フェネチル、２−フェネチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチ
ルメチル、フェナントリルメチル、４−tert−ブチルフェニルメチル、１−フェ
ニルプロピル、２−フェニルプロピル、３−フェニルプロピル、１−フェニルブ
チル、２−フェニルブチル、３−フェニルブチルおよび４−フェニルブチルであ
り、 特に有利には、ベンジル、１−フェネチルおよび２−フェネチルであり、 −芳香族基、有利には、Ｃ_６〜Ｃ_２０−アリール、例えば、フェニル、１−ナフ
チル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリルであり
、 特に有利には、フェニル、１−ナフチルおよび２−ナフチルであり、 非常に有利には、フェニルであり、 −ヘテロ芳香族基、有利には、Ｃ_３〜Ｃ_１５−ヘテロアリール、例えば、２−ピ
リジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル、キノリニル、ピラジニル、ピロー
ル−３−イル、チエニル、イミダゾール−２−イル、２ーフラニルおよび３−フ
ラニルであり、 かつ −複素環式基は、有利には、Ｃ_３〜Ｃ_１５−ヘテロシクロアルキル、例えば、Ｎ
−アルキルピペリジン−３−イル、Ｎ−アルキルピペリジン−４−イル、Ｎ,N’
-ジアルキルピペラジン−２−イル、テトラヒドロフラン−３−イルおよびＮ−
アルキルピロリジン−３−イルであり、その際、 これらの場合に、基Ｒは、相互に独立して、反応条件下で不活性な置換基、例え
ば、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキル、Ｃ_３〜Ｃ_８−シクロアルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０−ア
ルコキシ、Ｃ_６〜Ｃ_２０−アリールオキシ、アミノ、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキルア
ミノおよびＣ_２〜Ｃ_２０−ジアルキルアミノを有していてもよい。

【０１００】 Ｒのこれらの置換基の数は、基の種類に応じて、０〜５、有利には０〜３、特
に有利には０、１または２である。置換基として、特に： −上記に定義したようなＣ_１〜Ｃ_２０−アルキル、 −上記に定義したようなＣ_３〜Ｃ_８−シクロアルキル、 −Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルコキシ、有利にはＣ_１〜Ｃ_８−アルコキシ、例えばメトキ
シ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ
、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、イソペントキシ、sec−ペ
ントキシ、ネオ−ペントキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、ｎ−ヘキソキシ、
イソヘキソキシ、sec−ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキシ、イソヘプトキシ、ｎ−オ
クトキシ、イソオクトキシ、 特に有利には、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルコキシ、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシおよ
びtert−ブトキシ、 −Ｃ_６〜Ｃ_２０−アリールオキシ、例えば、フェノキシ、１−ナフトキシおよび
２−ナフトキシ、有利にはフェノキシ、 −アミノ（−ＮＨ_２）、 −Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキルアミノ、有利にはＣ_１〜Ｃ_１２−アルキルアミノ、特
に有利にはＣ_１〜Ｃ_８−アルキルアミノ、例えばメチルアミノ、エチルアミノ、
ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、イソブチルアミ
ノ、tert−ブチルアミノ、シクロペンチルアミノおよびシクロヘキシルアミノ、
および −Ｃ_２〜Ｃ_２０−ジアルキルアミノ、有利には、Ｃ_２〜Ｃ_１２−ジアルキルアミ
ノ、特に有利には、Ｃ_２〜Ｃ_８−ジアルキルアミノ、例えば、N,N−ジメチルア
ミノ、N,N−ジエチルアミノ、N,N−ジ−ｎ−プロピルアミノ、N,N−ジ−イソプ
ロピルアミノ、N,N−ジ−ｎ−ブチルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ、
Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルアミノ、ジシクロヘキシルアミノが該当する。

【０１０１】 Ｒ^３は、特に有利には水素（Ｈ）である。

【０１０２】 本発明による方法中で使用できるアミンＩの例は： １−メトキシ−２−アミノプロパン（MOIPA）、２−アミノ−３−メチルブタン
、２−アミノ−３，３−ジメチルブタン、１−フェニルエチルアミン、１−ナフ
チルエチルアミン、２−ナフチルエチルアミン、１−フェニルプロピルアミン、
２−アミノ−１−フェニルプロパン、２−アミノ−１−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２−アミノ−１−（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）プロパン
、２−アミノ−１−シクロヘキシルプロパン、２−アミノ−６−メチルヘプタン
、２−アミノヘプタン、２−アミノ−４−メチルヘキサン、１−（４−メチルフ
ェニル）エチルアミン、１−（４−メトキシフェニル）エチルアミン、１−（３
−メトキシフェニル）エチルアミン、１−アミノテトラリン、トランス−１−ア
ミノ−２−ベンジルオキシシクロペンタンおよびトランス−１−アミノ−２−ベ
ンジルオキシシクロヘキサンである。

【０１０３】 特に有利には、１−メトキシ−２−アミノプロパン、２−アミノ−３−メチル
ブタンおよび２−アミノ−３，３−ジメチルブタンである。

【０１０４】 本発明の方法の特に有利な変法では、光学活性アミンに由来するアミドの分解
により得られる光学活性アミンＩを使用するが、ここで、（ａ）ラセミアミンＩ
を、酸成分がカルボニル炭素原子に隣接したフッ素、窒素、リン、酸素または硫
黄原子を有するエステルを用いて、加水分解酵素の存在でエナンチオ選択的にア
シル化し、かつ（ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離する
ことにより、Ｉの１種のエナンチオマー（Ｉで示される不斉炭素原子に対して）
の製造下にアミドを製造する。

【０１０５】 本発明の方法の別の有利な変法では、（ａ）ラセミアミンを、酸成分がカルボ
ニル炭素原子に隣接してフッ素、窒素、リン、酸素または硫黄原子を有するエス
テルを用いて、加水分解酵素の存在下に、エナンチオ選択的にアシル化し、（ｂ
）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離し、かつ（ｃ）アミドの
分解によりＩの別のエナンチオマーを単離することにより、Ｉの１種のエナンチ
オマー（Ｉで示される不斉炭素原子に対して）の製造下に得られる光学活性アミ
ンＩを使用する。

【０１０６】 ａ）ラセミアミンＩを、酸素成分がカルボニル炭素に隣接してフッ素、窒素、
リン、酸素または硫黄原子を有するエステルを用いて、加水分解酵素の存在下に
エナンチオ選択的にアシル化し、ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混
合物を分離し、ｃ）アミドを分解することによりＩの別のエナンチオマーを得る
ことにより、相応するラセミ体から光学活性アミンＩを製造する方法は、ＷＯ９
５／０８６３６およびＷＯ９６／２３８９４に記載されている。

【０１０７】 加水分解酵素は、例えば、リパーゼ、特に微生物のリパーゼである。エステル
は、例えば、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルコキシ酢酸のＣ_１〜Ｃ_１２−アルキルエステル、
例えばエチルメトキシアセテートである。

【０１０８】 キラル中心の立体配置を有する光学活性アミンＩに由来するアミドは、加水分
解により分解され、例えば、ＷＯ９７／１０２０１に記載されているようにポリ
オールまたはアミノアルコールおよびアルカリ金属水酸化物またはアルカリ土類
金属水酸化物の存在下での加水分解により分解できる。

【０１０９】 これらの特に有利な変法は、特に経済的である、それというのも、例えば、Ｗ
Ｏ９５／０８６３６およびＷＯ９６／２３８９４に記載されているように、アミ
ンＩの所望のエナンチオマーを製造した後に残される不所望のＩのエナンチオマ
ーを本発明の方法によりラセミ化し、かつ例えば、ＷＯ９５／０８６３６および
ＷＯ９６／２３８９４に記載されるような、Ｉの所望のエナンチオマーを製造す
る方法へと戻すからである。この方法によれば、ラセミアミンＩに由来する所望
のエナンチオマーを、全部で５０％を上回って製造することができる（本願の１
ページ目、第２段落の記載も参照）。

【０１１０】 実施例 （Ｒ）−１−メトキシイソプロピルアミン（（Ｒ）−ＭＯＩＰＡ）、１−メト
キシイソプロパノールおよびアンモニアを気相中で連続的に反応させることによ
りラセミＭＯＩＰＡを製造する。

【０１１１】 （Ｒ）−１−メトキシイソプロピルアミン（（Ｒ）−ＭＯＩＰＡ）と水の総量
が５質量％であるラセミ１−メトキシイソプロパノールとの１：１モル混合物を
、アンモニアおよび水素といっしょに、予熱器を介して、１５ｂａｒゲージ圧力
で操作される管状反応器へと導入した。反応器は１９０〜２１０℃であり；循環
気体流は、約７標準ｍ^３／（ｌ_ｃａｔ*h）であった。約３００標準ｌ／（ｌ_{ｃａ ｔ} *h）の少量の排出気体を生じた。

【０１１２】 反応器を、ＣｕＯ ４５質量％、ＮｉＯ １０質量％およびγ−Ａｌ_２Ｏ_３−
支持体４５質量％を有する沈降触媒で充填した。反応開始の前に、触媒を水素流
中、２４０℃で還元した。（Ｒ）−ＭＯＩＰＡ対アンモニアのモル比は、１：６
であり、触媒の空間速度は、触媒（床体積）１リットルおよび１時間当たり、（
Ｒ）−ＭＯＩＰＡ０.３ｋｇ、１−メトキシイソプロパノール０.３ｋｇおよびア
ンモニア０．２９ｋｇであった。反応放出物を分離器中で減圧し、かつ蒸留によ
り後処理した。

【０１１３】 ＧＣ面積による生成物（アンモニアおよび水不含）のＧＣ分析（％）；キラル
ＨＰＬＣ分析によりエナンチオマー分布を測定した。

【０１１４】 （Ｒ）−＋（Ｓ）−ＭＯＩＰＡ ９６.４ （（Ｒ）−ＭＯＩＰＡ：（Ｓ）−ＭＯＩＰＡ＝５０.２：４９.８） メタノール ０.２ イソプロピルアミン ０.３ オクチルアミン ０.１ その他 ３.０ ラセミ化率 ：９９.２％ ラセミ体収率 ：９６％ （使用する（Ｒ）−ＭＯＩＰＡおよび１−メトキシイソプロパノールに対して） 例２： （Ｒ）−１−メトキシイソプロピルアミン（（Ｒ）−ＭＯＩＰＡ）、１−メトキ
シイソプロパノールおよびアンモニアを気相中で連続的に反応させて、ラセミ体
ＭＯＩＰＡを製造する。

【０１１５】 実施例１と同様の方法で、（Ｒ）−１−メトキシイソプロピルアミン（（Ｒ）
−ＭＯＩＰＡ）および１−メトキシイソプロパノールの１：１モル混合物を使用
するが、これは２３質量％の総水含量を有した。

【０１１６】 ＧＣ面積による生成物（アンモニアおよび水不含）のＧＣ分析（％）；キラル
ＨＰＬＣ分析によりエナンチオマー分布を測定した。

【０１１７】 （Ｒ）−＋（Ｓ）−ＭＯＩＰＡ ９３.７ （（Ｒ）−ＭＯＩＰＡ：（Ｓ）−ＭＯＩＰＡ＝５０.４：４９.６） メタノール ０.１ イソプロピルアミン ０.５ メトキシイソプロパノール １.７ オクチルアミン １.３ その他 ２.７ ラセミ化率 ：９８.４％ ラセミ体収量 ：９３％ （使用する（Ｒ）−ＭＯＩＰＡおよび１−メトキシイソプロパノールに対して）

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１２年５月２５日（２０００．５．２５）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【化１】 [式中、 Ｒ^１およびＲ^２は、異なっており、 Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アリール
、ヘテロアリールおよびヘテロ環基であり、 Ｒ^３は、水素であってもよく、 ここで、基は、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミ
ノ、アルキルアミノおよびジアルキルアミノから成る群より選択される置換基を
有していてよい]のラセミアミンの製法において、その場で、相当の光学活性ア
ミンＩおよび式ＩＩの第２級アルコールおよび／または式ＩＩＩの非対称性ケト
ン

【化２】 および式Ｒ^３ＮＨ_２のアミンを、水素および水素添加触媒または脱水素触媒の存
在下に１００〜３００℃で同時に反応させることを特徴とする、ラセミアミンの
製法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｂ０１Ｊ 23/74 ３２１Ｚ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ａ，ＺＷ (72)発明者 アルトゥール ヘーン ドイツ連邦共和国 キルヒハイム オーベ ラー ヴァルトヴェーク 17 (72)発明者 アンドレアス クラーマー ドイツ連邦共和国 フラインスハイム ア ム マンデルガルテン 13 (72)発明者 フランク フンケ ドイツ連邦共和国 リンブルガーホーフ フォン−デニス−シュトラーセ ３ (72)発明者 ヴォルフガング ジーゲル ドイツ連邦共和国 リンブルガーホーフ ゲーテシュトラーセ 34ベー (72)発明者 クリストフ ニューブリング ドイツ連邦共和国 ハスロッホ シュレー エンヴェーク ５エフ Ｆターム(参考） 4G069 AA03 BA01A BA01B BA02A BA04A BA05A BA08A BB04A BB04B BC31A BC31B BC32A BC33A BC58A BC59A BC60A BC64A BC66A BC67A BC68A BC68B BC70A BC71A BC72A BC73A BC74A BC75A CB02 CB06 CB07 CB77 4H006 AA02 AC52 AC82 AC83 BA05 BA14 BA19 BA20 BA21 BA22 BA23 BA24 BA25 BA26 BA55 BA61 BC10 BC11 BC13 4H039 CA71 CD30

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式Ｉ： 【化１】 [式中、 Ｒ^１およびＲ^２は、異なっており、 Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アリール
   、ヘテロアリールおよびヘテロ環基であり、 Ｒ^３は、水素であってもよく、 ここで、基は、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミ
   ノ、アルキルアミノおよびジアルキルアミノから成る群より選択される置換基を
   有していてよい]のラセミアミンの製法において、その場で、相当の光学活性ア
   ミンＩおよび式ＩＩの第２級アルコールおよび／または式ＩＩＩの非対称性ケト
   ン 【化２】 および式Ｒ^３ＮＨ_２のアミンを、水素および水素添加触媒または脱水素触媒の存
   在下に高温で同時に反応させることを特徴とする、ラセミアミンの製法。
2. 【請求項２】 触媒活性成分である、銅、銀、金、鉄、コバルト、ニッケル
   、レニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白
   金、クロム、モリブデンおよび／またはタングステンを含む触媒の存在下に反応
   を実施する、請求項１記載の製法。
3. 【請求項３】 触媒活性成分である、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケル、ル
   テニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび／または白金
   ならびに酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、炭素および／
   またはケイ素の酸素−含有化合物から成る群より選択される支持材料とを含有す
   る触媒の存在下に反応を実施する、請求項１記載の製法。
4. 【請求項４】 反応を触媒の存在下に実施する際に、その触媒活性組成物が
   、水素による還元の前に、 酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、二酸化チ
   タン（ＴｉＯ_２）、炭素および／またはケイ素の酸素−含有化合物（ＳｉＯ_２と
   して計算）を２０〜８５質量％、 銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）を１〜７０質量％、 ニッケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）を０〜７０質量％、 コバルトの酸素−含有化合物（ＣｏＯとして計算）、クロムの酸素−含有化合物
   （Ｃｒ_２Ｏ_３として計算）、亜鉛の酸素−含有化合物（ＺｎＯとして計算）、モ
   リブデンの酸素−含有化合物（ＭｏＯ_３として計算）、マンガンの酸素−含有化
   合物（ＭｎＯ_２として計算）、マグネシウムの酸素−含有化合物（ＭｇＯとして
   計算）、カルシウムの酸素−含有化合物（ＣａＯとして計算）、および／または
   バリウムの酸素−含有化合物（ＢａＯとして計算）を０〜５０質量％ 含有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の製法。
5. 【請求項５】 反応を触媒の存在下に実施する際に、その触媒活性組成物が
   、水素による還元の前に、 酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３として計算）を３５〜７５質量％、 銅の酸素−含有化合物（ＣｕＯとして計算）を２０〜６０質量％、 ニッケルの酸素−含有化合物（ＮｉＯとして計算）を５〜４５質量％ 含有し、これらの成分の合計が少なくとも８０質量％である、請求項１から４ま
   でのいずれか１項記載の製法。
6. 【請求項６】 触媒の全質量に対して、コバルト、ニッケルまたはそれらの
   混合物を＞６〜５０質量％、ルテニウムを０.００１〜２５質量％、銅を０〜１
   ０質量％および多孔質金属酸化物支持体上の助触媒を０〜５質量％含有する触媒
   の存在下に反応を実施する、請求項１記載の製法。
7. 【請求項７】 触媒の全質量に対して、コバルト、ニッケルまたはそれらの
   混合物を０.１〜６質量％、ルテニウムを０.００１〜２５質量％、銅を０〜１０
   質量％、多孔質金属酸化物支持体上の助触媒を０〜５質量％含有する触媒の存在
   下に反応を実施する、請求項１記載の製法。
8. 【請求項８】 反応を１５０〜２７０℃で実施する、請求項１から７までの
   いずれか１項記載の製法。
9. 【請求項９】 反応を０.１〜３０ＭＰａの圧力下に実施する、請求項１か
   ら８までのいずれか１項記載の製法。
10. 【請求項１０】 使用する光学活性アミンとして、１−メトキシ−２−アミ
    ノプロパン、２−アミノ−３−メチル−ブタンまたは２−アミノ−３,３−ジメ
    チルブタンを使用する、請求項１から９までのいずれか１項記載の製法。
11. 【請求項１１】 光学活性アミンＩを、この光学活性アミンに由来するアミ
    ドを分割することにより取得し、ここで、 （ａ）ラセミアミンＩを、酸成分がカルボニル炭素原子に隣接したフッ素、窒素
    、リン、酸素または硫黄原子を有するエステルを用いて、加水分解酵素の存在下
    にエナンチオ選択的にアシル化し、 （ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離する ことにより、Ｉの相応するエナンチオマーの製造下にアミドを製造する、請求項
    １から１０までのいずれか１項記載の製法。
12. 【請求項１２】 （ａ）ラセミアミンＩを、酸成分がカルボニル炭素原子に
    隣接したフッ素、窒素、リン、酸素または硫黄原子を有するエステルを用いて、
    加水分解酵素の存在下にエナンチオ選択的にアシル化し、 （ｂ）得られた光学活性アミンＩとアミドとの混合物を分離し、 （ｃ）アミドの分割によりＩの相応するエナンチオマーを単離する ことにより、Ｉの相応するエナンチオマーの製造下に光学活性アミンＩを製造す
    る、請求項１から１１までのいずれか１項記載の製法。