JP2002526931A - 高速前方照明ホトダイオードのための高度にドープされたｐ−型コンタクト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 基体、前記基体の表面に結合されたｎ−層、前記ｎ−層の表面に結合されたｉ−層、及び前記ｉ−層の表面に結合された炭素ドープしたｐ−層、を有する半導体ｐ−ｉ−ｎホトダイオード。好ましくは、ｐ−層は、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを含み、ｉ−層はＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを含み、ｎ−層はＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、ファイバー光通信で用いられる光電素子（optoelectronic device,
光電子装置）に関する。特に、本発明は、ｐ−ｉ−ｎ光検出器の構造を、その
７００〜１６００ｎｍの作動波長範囲に亘る応答時間を向上するために改良する
ことに関する。

【０００２】 インターネット及びデータ通信ネットワークの発達が、益々高速のデータ伝送
の必要性を大きくしている。光学的連結が、それらの超広帯域・低歪みファイバ
ー伝送により、慣用的銅線法よりも益々利用されるようになってきている。光学
的連結は、次の波長の何れかで作動する：７８０、８５０、１３１０、及び１５
５０ｎｍ。１３１０ｎｍ及び１５５０ｎｍは、主に長距離用として用いられ、こ
の場合、単一モード光ファイバーで無歪伝播できることが重要である。企業グル
ープＬＡＮ（企業内通信網）及びキャンパス中枢機関を含めた短距離用の場合、
配備される部品の数はかなり多くなり、それらのコストが重要な因子になってき
ている。短距離ネットワークは、屡々短い７８０ｎｍ及び８５０ｎｍの波長で作
動するように設計されており、この場合、直接変調レーザーは、ＶＣＳＥＬ（垂
直空洞型表面発光レーザー）技術を用いてそれほど高価にならずに製造すること
ができる。多重モード、６２．５μｍ直径ファイバーは、これらのシステムのた
めに選択されるファイバーである。この大きな芯のファイバーは、同じ大面積検
出器が必要であることを意味する。この用途に対し、もし変調速度が１．２５Ｇ
ｂｉｔ／秒（ギガビット イーサネット）より低いならば、Ｓｉ−及びＧａＡｓ
系光検出器を入手することができる。１．２５Ｇｂｉｔ／秒より高いＧａＡｓ検
出器が好ましい。

【０００３】 １．２５Ｇｂｉｔ／秒システムが現在使われるようになってきたので、ネット
ワーク・プロバイダーは、６２．５−μｍ多重モードファイバーも使用した１０
Ｇｂｉｔ／秒連結の開発に向けて動き出している。この動きは研究／開発の段階
にあり、高速診断がそれらの特性認識のため現在必要になっている。一般に１０
Ｇｂｉｔ／秒で作動することができる部品は、８ＧＨｚの帯域幅が有りさえすれ
ばよい。開発するのが困難なことが判明している部品の一つは、７８０ｎｍ及び
８５０ｎｍ光に敏感な８ＧＨｚ光検出器である。ＧａＡｓ系検出器は両方の規格
を満たすことは出来ない。ＧａＡｓの持つ限界は、短波長での吸収係数が低いこ
とにある。実際、ＧａＡｓ系８ＧＨｚ検出器は作られてはいるが、活性領域が厚
さ２μｍ以下のものである。この厚さは、光学的に発生した全ての電子及びホー
ルが、８ＧＨｚ帯域幅を達成するのに充分な速さで掃出されるのを確実にする。
しかし、ＧａＡｓ検出器により１量子効率に近い効率を８５０ｎｍで達成するに
は、４μｍより大きい活性層を必要とする。これは、２μｍ領域を二回通過させ
ることにより可能であるが、製造及びパッケージに費用が掛り採用できない。７
８０ｎｍの光に対してはその状況はいくらか改善される。しかし、２μｍ一回通
過による発光は、依然として１量子効率よりも低くなる結果を与えるであろう。

【０００４】 本願で理想的な半導体は、半絶縁性ＩｎＰ（ＩｎＰ：Ｆｅ）に格子整合成長さ
せたＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓである。Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓは、ＧａＡｓよりも狭
い禁止帯幅を有し、1/4の厚さで８５０ｎｍで同等の吸収を与えることができる
。ＧａＡｓで完全な吸収を与えるために必要な４μｍの厚さは、Ｉｎ_0.53Ｇａ_{0. 47} Ａｓでは１μｍに減少する。この厚さで、検出器の帯域幅は２０ＧＨｚを越え
ることができる。もし２μｍのＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを用いれば、必要な８ＧＨ
ｚを得ることができ、１５５０ｎｍまでの強い吸収を行わせることができる。Ｉ
ｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ系ｐ−ｉ−ｎホトダイオードは、１３００ｎｍ及び１５５０
ｎｍで使用するためには以前から入手できるようになっている。これらのホトダ
イオードは、多量にドープした薄いｐ型とｎ型のＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ領域の間
に比較的厚い非ドープＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ活性領域を挟んだものからなるヘテ
ロ構造体である。これらの殆どは、屡々後方照明検出器である。光は、活性Ｉｎ _0.53 Ｇａ_0.47Ａｓ層によって吸収される前に、基体及び透明ｎ−ドープＩｎ_0.52 Ａｌ_0.48Ａｓ層の両方を通って伝播する。後方照明のカット・オフ波長はＩｎＰ
の吸収端によって決定され、９００ｎｍである。７８０ｎｍ又は８５０ｎｍで検
出するためには、前方設計が必要であり、光を通過させるためｐ−ドープ頂部層
は透明でなければならない。Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓに基づく前方照明ｐ−ｉ−ｎ
ホトダイオードは、原理的には７８０ｎｍ又は８５０ｎｍで量子限界感度を有し
、８ＧＨｚの帯域幅も有する。この帯域幅の実現を妨げているのは、透明ｐ−コ
ンタクトの面積抵抗である。

【０００５】 前に論じた掃出時間の外に、ホトダイオードの呼応は、ＲＣ時定数によって決
定することができる。ＲＣ時定数はホトダイオードの寄生（parasitic）応答で
あり、ダイオードの直列抵抗Ｒと、キャパシタンスＣとの積である。６２．５μ
ｍ芯ファイバー（短距離用として最も一般的径のファイバー）からの光を全てホ
トダイオードが収集するためには、それは少なくとも６２．５μｍの直径を持た
なければならない。活性層の厚さを２μｍにすることは、ホトダイオードに〜０
．２ｐＦのキャパシタンスを生ずる。後方照明検出器の場合、全直列抵抗は、コ
ンタクト抵抗及びｎ−ドープ層の抵抗による寄与分により、２０〜５０Ωの範囲
になる。この検出器の場合、電荷を運ぶのにｎ−ドープ層を通る横の伝導に依存
しなければならないので、ｎ−層の面積抵抗が問題になる。浅いドナーでドープ
した層の抵抗は、ドープ剤濃度を増大することにより減少することができる。ｎ
−型コンタクトのための最も広く用いられている浅いドナーは、錫（Ｓｎ）であ
る。Ｓｎは、拡散が問題になる前に、１０²⁰ｃｍ^-3のレベルまでドープすること
ができる。この濃度で、７００ｎｍの厚さのｎ−ドープ層の抵抗は〜２０Ωであ
る。この層は、比較的厚いが、１３００ｎｍ及び１５５０ｎｍ光に対し透明であ
ることに注意されたい。相対するコンタクトには、ｐ−ドープ層が存在する。後
方照明検出器の場合、このコンタクトは、その外側表面を金属薄膜で覆うことに
よりその面積抵抗を１Ωより小さくすることができる。もしこのホトダイオード
がそのＲＣ寄生によってのみ限定されるならば（即ち、掃出限界がないとすると
）、それは１０ピコ秒（ｐｓ）の応答を示すであろう。２μｍの活性層をもつ典
型的な後方照明検出器では、ＲＣ時定数は、電荷掃出時間（〜３０ｐｓ）より速
い。ガウス形パルス・プロファイルを仮定すると、二つの時定数による総合効果
は、（１０²＋３０²）^1/2＝３２ｐｓになり、これは〜８ＧＨｚ帯域幅に相当す
る。

【０００６】 前方照明ホトダイオードについては状況が変ってくる。この幾何学的形態では
、ｐ−ドープＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓコンタクトは、もはや金属上表面被覆をもつ
ことができない。検出器はｎ−及びｐ−ドープ層の両方から横への伝導に依存し
なければならない。８５０ｎｍで光学的損失を２０％以下に維持するためには、
ｐ−層の厚さを４００ｎｍ以下にする必要がある。この問題は、工業的に標準的
ｐ−ドープ剤であるベリリウム（Ｂｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）を、ｎ−ドープ層でＳ
ｎで行なっているのと同じ１０²⁰ｃｍ^-3の濃度までドープすることができないこ
とによりさらに複雑になる。それは、Ｂｅ及びＺｎがＳｎより遥かに大きな拡散
係数を持つからである。例えば、５×１０¹⁸より高いと、Ｂｅは近くの領域中に
拡散し始め、欠陥チャンネルに沿って極めて速く移動する。これは、ｐ−ｉ−ｎ
ホトダイオードのドープされていないｉ−領域をＢｅによって汚染させることに
なり、その暗電流を著しく増大し、ダイオードを悪化し、ショートする。もしＢ
ｅ濃度を、Ｂｅ拡散が最小限になる安全なレベル（５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下）まで
に限定すると、ｐ−ドープ層の抵抗は５０Ω位に高くなる。この前方検出器の帯
域幅は、８ＧＨｚから５ＧＨｚ未満へ劣化する。

【０００７】 （発明の開示） 本発明は、ホトダイオードの上表面からの光が通過する透明ｐコンタクトを有
するｐ−ｉ−ｎホトダイオードに関する。入射光は、活性ｉ領域へ直接通る。こ
れは、禁止帯幅より上の光（λ≦９００ｎｍ）の減衰を回避する。もし光が基体
を通過しなければならないと、その減衰が起きる。上表面側照明の設計により、
７００ｎｍ位の短い波長を活性領域により検出することができる。本発明の重要
な点は、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓに炭素をドープする新規な適用である。炭素をＩ
ｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓにｐ−型ドープ剤として導入し、高度に伝導性のｐ−層を形
成し、それがホトダイオードのための頂部窓としても働く。この層の電気伝導度
が高いことにより、金属上表面層を必要することなく、高速ホトダイオードを設
計することができ、それにより上表面から光を利用できるようになる。炭素は、
最も一般的な種類のｐ−ドープ剤であるＢｅ及びＺｎよりも、エピタキシャル成
長過程中静止たままであることができる点で優れていることが判明している。成
長及びその後の微細加工後、炭素はＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ領域から拡散してｐ−
ｉ−ｎホトダイオードのｉ領域へ入る兆候を示さない。ダイオードを劣化するこ
となく、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ層中に高濃度（Ｂｅ５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下に対し
１０²⁰ｃｍ^-3）の炭素を導入することができる。ｐ−層のドープ剤レベルを増大
することにより、その直列抵抗を低下することができ、そのことがホトダイオー
ドのＲＣ時定数を低下することができる。ＲＣ時定数が低いと、検出器の応答を
増大する効果を有する。

【０００８】 （好ましい態様についての詳細な説明） 図１及び２に関し、本発明の光検出器１０が平面図及び断面図で示されている
。八角形の領域８がｐ−ｉ−ｎメサであり、そこで光の検出器が行われる。ｐ−
ｉ−ｎは、ＩｎＰ：Ｆｅ基体３４上に格子整合成長されている。このメサは、頂
部層を通ってＩｎＰ基体まで化学的にエッチングすることにより形成する。メサ
は、ＩｎＰ基体３４表面より上に数μｍ立っている。メサの頂部は薄い（公称４
ｎｍの厚さであるが、下の構造を保護することができるどのような厚さでもよい
）Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ層１２を保護し、それはＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ ｐ−層
１４を保護する。Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓキャップ層１２は、５×１０¹⁹までドー
プされ、良好な電気伝導度を与えるが、電気を導く別のレベルまでドープしても
よい。この層は、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ層１４を雰囲気から密封する働きをする
。さもないと、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ ｐ−層１４中のアルミニウムが酸素と反
応し（恐らく微細加工中）、絶縁層を形成する。Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓキャップ
１２は、認め得る吸収を起こさないように薄く成長させる。ｐ−ドープＩｎ_0.52 Ａｌ_0.48Ａｓ頂部層１４は、入射光に対し透明な層である。一方、この層は、他
方で吸収を最小にするのに充分な薄さであるのと同時に、低い直列抵抗を与える
のに充分な厚さを持つ必要がある。この層内で吸収される光は、検出器の応答性
を低下し、その応答時間も遅くする。ｐ−層１４の好ましい厚さは、７００〜１
６００ｎｍの波長を最小の吸収で透過できるように１００ｎｍ〜３００ｎｍであ
る。ｐ−層１４の炭素ドーピングは、Ｂｅ又はＺｎで可能な濃度よりも高いドー
ピング濃度の（５．０×１０¹⁹ｃｍ^-3より大きく、好ましくは１０²⁰ｃｍ^-3以下
）を可能にする。Ｂｅ又はＺｎは、そのような高いドーピングレベルでは層界面
を越えて移動し始め、ダイオードを電気的にショートすることがある。このドー
ピング濃度の増大は、ホトダイオードのｐ−層の抵抗及び付随するＲＣ時定数を
著しく減少し、一層速い活性化速度をもたらす。

【０００９】 Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ層１２の周囲に沿って、狭い金属環２０が存在する。こ
れは金属コンタクトであり、ｐ−層１４をｐ−結合パッド２６へ電気的に接続す
る。金属環２０は、金から作られているのが好ましい。金属環２０は、キャップ
層１２の周囲に沿って形成されているのが好ましく、その結果金属環２０は光検
出器の表面に向けられた光を閉じ込めることはない。Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ ｐ
−層１４の下にはｉ−層１６か、又は光検出器の活性領域が存在する。ｉ−層は
ｐ−層と同じ平面形状を有する。ｉ−層１６は、ドープしてないＩｎ_0.53Ｇａ_{0. 47} Ａｓ１６から形成されている。これは、入射光が吸収され、電場がダイオード
中で最も高くなる場所である。ｉ−層１６が厚くなる程、吸収は大きくなる。ｉ
−層１６を余りにも厚く作ると、その層を通る電荷掃出時間が検出器の速度を限
定する。

【００１０】 ｉ−層１６の下には、ＳｎをドープしたＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓから形成された
ｎ−コンタクト層３２が存在する。好ましいドープ剤濃度は５×１０¹⁹ｃｍ^-3以
上である。この層は、５００〜１０００ｎｍの厚さに成長させるのが好ましい。
ｎ−層３２は、メサを越えて伸び、ｎ−コンタクト電極１８に接触するための大
きな表面積を与える。ｎ−コンタクト電極１８は、ｎ−コンタクト結合パッド２
４に電気的に接続されている。反射防止被覆２２が、全表面上に蒸着されており
、電気的接続のため結合パッドの上に窓が形成されている。反射防止被覆２２は
、広い波長範囲をカバーするように設計することができる。

【００１１】 図３に関し、ｉ−層１６中の光の吸収は、次の式による吸収係数に関する：

【００１２】

【００１３】 式中、Ｉ₀＝入射光強度 α＝吸収係数（ｃｍ^-1） Ｔ＝吸収剤（即ち、ｉ−層）の厚さ（ｃｍ）。

【００１４】 ＧａＡｓ曲線３０について、λ＝８５０ｎｍ、α＝１０⁴ｃｍ^-1である。

【００１５】 Ｔ＝２×１０^-4ｃｍの値の厚さを取ると、Ｉ＝０．１３５×Ｉ₀になり、即ち
、光の〜８６％がｉ−領域によって吸収され（即ち、検出され）、残りがＩｎＰ
基体によって吸収される（損失）。

【００１６】 Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ曲線２８について、λ＝８５０ｎｍ、α＝４×１０⁴ｃ
ｍ^-1である。 同じ厚さの活性層について、Ｉ＝０．０００３×Ｉ₀になり、即ち、本質的に
全ての光が検出される。

【００１７】 ｐ−ｉ−ｎ検出器は、原理的には、逆に成長させることができ、ＩｎＰ：Ｆｅ
基体と接触してｐ−ドープＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓ層から出発し、ｎ−ドープＩｎ _0.52 Ａｌ_0.48Ａｓ層で終わる。この構造では、ｐ−層は７００ｎｍの厚さに成長
させ、ｎ−層は２００ｎｍの厚さに成長させる。ｎ−ドープＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａ
ｓキャップ層が、ｐ−ドープＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓ層の代わりに必要になる。こ
のｎ−ｉ−ｐホトダイオード構造は、両方のｎ−及びｐ−型層が５×１０¹⁹ｃｍ ^-3 より高くドープされるので、可能である。

【００１８】 ｐ−ドープ剤として炭素を用いることができる分子ビームエピタキシ又は他の
エピタキシャル成長技術又は方法の当業者に知られている標準ＩＣ製造技術によ
り検出器を形成する。

【００１９】 本発明は、例示し、上に記載したのと全く同じ構造に限定されるものではなく
、特許請求の範囲に記載した本発明の範囲から離れることなく種々の変更を行う
ことができることは理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のｐ−ｉ−ｎ光検出器の顕微鏡写真である。

【図２】 本発明のｐ−ｉ−ｎ構造のエピタキシャル成長した断面図である。

【図３】 半導体材料の固有の吸収対光の波長をプロットした曲線を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ， ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，Ｃ Ｚ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ， ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，Ｌ Ｒ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ， ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，Ｔ Ｒ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ヘムヤリ、カドヘアー、アル アメリカ合衆国 ミシガン、ディアボー ン、 ケンダル 6946 Ｆターム(参考） 5F049 MA04 MB07 NA03 NA14 NB01 PA08 QA17 SE09 SS04

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ｐ−ｉ−ｎホトダイオードにおいて、 基体、 前記基体の表面に結合されたｎ−層、 前記ｎ−層の表面に結合されたｉ−層、及び 前記ｉ−層の表面に結合された炭素ドープしたｐ−層、 を具えた上記ホトダイオード。
2. 【請求項２】 ドープしたｐ−層の表面に結合されたキャップ層を更に有す
   る、請求項１に記載のホトダイオード。
3. 【請求項３】 キャップ層が光に対し透明である、請求項２に記載のホトダ
   イオード。
4. 【請求項４】 キャップ層が、炭素ドープされてｐ−型コンタクトを形成す
   るようにされたＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを含む、請求項２記載のホトダイオード。
5. 【請求項５】 キャップ層の表面に結合された伝導性環を更に具え、前記伝
   導性環が電極に結合されている、請求項２に記載のホトダイオード。
6. 【請求項６】 炭素ドープしたｐ−層が、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを含む、請
   求項１に記載のホトダイオード。
7. 【請求項７】 ｉ−層がＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを含む、請求項１に記載のホ
   トダイオード。
8. 【請求項８】 ｎ−層がＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを含む、請求項１に記載のホ
   トダイオード。
9. 【請求項９】 炭素ドーピングが、１×１０²⁰ｃｍ^-3以下の濃度を有する、
   請求項１に記載のホトダイオード。
10. 【請求項１０】 ｉ−層が、炭素ドープしたｐ−層とｎ−層との間に挟まれ
    ている、請求項１記載のホトダイオード。
11. 【請求項１１】 ホトダイオードが、７００〜１６００ｎｍの波長範囲の電
    磁波により活性化される、請求項１に記載のホトダイオード。
12. 【請求項１２】 炭素ドープしたｐ−層が、厚さが２００ｎｍに等しいか又
    はそれより薄い、請求項１に記載のホトダイオード。
13. 【請求項１３】 半導体光検出器において、 基体、 前記基体の表面に結合されたｎ−層、 前記ｎ−層の表面に結合されたｉ−層、及び 前記ｉ−層の表面に結合された炭素ドープしたｐ−層、 を具え、然も、前記ｉ−層が、前記ｐ−層と前記ｎ−層との間に挟まれてホトダ
    イオードを形成している、半導体光検出器。
14. 【請求項１４】 ホトダイオードが光学的スイッチングのための通信用途で
    用いられ、入射光によりスイッチされる、請求項１３に記載の半導体光検出器。
15. 【請求項１５】 ホトダイオードの表面に結合された透明キャップ層を更に
    具え、前記キャップ層が入射光に対し透明であり、それにより前記入射光が前記
    ホトダイオードを活性化する、請求項１３に記載の半導体光検出器。
16. 【請求項１６】 キャップ層が、Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを含む、請求項１５
    に記載のホトダイオード。
17. 【請求項１７】 電極に接続するための、前記キャップ層の表面に結合され
    た金属環を更に具えた、請求項１５に記載の半導体光検出器。
18. 【請求項１８】 ｐ−層が、厚さが２００．０ｎｍに等しいか又はそれより
    薄い、請求項１３に記載半導体光検出器。
19. 【請求項１９】 ホトダイオードが、７００〜１６００ｎｍの波長範囲を有
    する入射電磁波に呼応する、請求項１３に記載の半導体光検出器。
20. 【請求項２０】 炭素ドープが、１×１０²⁰ｃｍ^-3以下の濃度を有する、請
    求項１３に記載の半導体光検出器。
21. 【請求項２１】 炭素ドープしたｐ−層が、Ｉｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを含む、
    請求項１３に記載の半導体光検出器。
22. 【請求項２２】 ｉ−層がＩｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓを含む、請求項１３に記載
    のホトダイオード。
23. 【請求項２３】 ｎ−層がＩｎ_0.52Ａｌ_0.48Ａｓを含む、請求項１３に記載
    のホトダイオード。
24. 【請求項２４】 半導体光検出器において、 基体、 前記基体の表面に結合されたｎ−層、 前記ｎ−層の表面に結合されたｉ−層、及び 前記ｉ−層の表面に結合された炭素ドープしたｐ−層、 を具え、然も、前記ｉ−層が、前記ｐ−層と前記ｎ−層との間に挟まれてホトダ
    イオードを形成しており、前記ｎ、ｉ、及びｐ−層がｎ−ｉ−ｐホトダイオード
    を形成するように配列されている、半導体光検出器。
25. 【請求項２５】 ｎ−層が、厚さが２００．０ｎｍに等しいか又はそれより
    薄い、請求項２４に記載半導体光検出器。
26. 【請求項２６】 ｎ−ｉ−ｐホトダイオードが、７００〜１６００ｎｍの波
    長範囲を有する入射電磁波により活性化される、請求項２４に記載の半導体光検
    出器。
27. 【請求項２７】 炭素ドーピングが、１×１０²⁰ｃｍ^-3以下の濃度を有する
    、請求項２４に記載の半導体光検出器。