DE69937406T2 - Hochdotierte p-kontaktschicht für eine auf der vorderseite beleuchtete höchstgeschwindigkeitsfotodiode - Google Patents

Hochdotierte p-kontaktschicht für eine auf der vorderseite beleuchtete höchstgeschwindigkeitsfotodiode Download PDF

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung zur Verwendung in faseroptischen Übertragungsmitteln. Die vorliegende Erfindung betrifft noch spezieller eine Verbesserung bei der Konstruktion eines p-i-n-Photodetektors zur Erhöhung seiner Ansprechzeit über einen Betriebswellenlängenbereich von 700–1600 Nanometer (nm).
  • Die Entwicklung des Internets und anderer Datenübertragungsnetzwerke hat einen zunehmenden Bedarf für die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung geschaffen. Optische Bindeglieder mit ihrer ultraweiten Bandbreite und wenig störanfälligen Faserübertragung werden gegenüber herkömmlichen Lösungen mit Kupferdraht zunehmend bevorzugt. Optische Bindeglieder arbeiten mit einer der nachstehenden Wellenlängen: 780, 850, 1310 und 1550 nm, wobei 1310 nm und 1550 nm vorzugsweise für Langstreckenanwendungen verwendet werden, wohingegen ihre Fähigkeit zur störungsfreien Übertragung in einadrigen optischen Fasern kritisch ist. Für Kurzstreckenanwendungen, welche LANs Arbeitsgruppen (Ortsbereichverbindungen) und Feldverbindungen einschließen, kann die Zahl der realisierten Verbindungen beträchtlich größer sein, wodurch ihre Kosten zur Schlüsselgröße werden. Kurzstreckenverbindungen sind oft auf den Betrieb bei den kürzeren Wellenlängen 780 und 850 nm ausgelegt, wo direkt modulierende Laser bei Verwendung der VCSEL-Technik (vertical-cavity surface-emitting laser) kostengünstiger hergestellt werden können. Ein Multi-mode (faseroptisches Langstreckenkabel) mit einem Faserdurchmesser von 62,5 Mikrometer (μm) ist die Faser der Wahl bei diesen Systemen. Diese Faser mit großem Querschnitt bedeutet, dass Detektoren mit gleich großer Fläche erforderlich sind. Für diese Anwendung sind sowohl Photodetektoren auf Si- als auch auf GaAs-Basis verfügbar, vorausgesetzt die Modulationsgeschwindigkeit liegt unterhalb von 1,25 Gbit/s (Gigabit Ethernet). Oberhalb von 1,25 Gbit/s werden GaAs-Detektoren bevorzugt.
  • Nachdem 1,25 Gbit/s-Systeme nunmehr eingeführt sind, haben sich Netzwerkbetreiber in Richtung auf die Entwicklung eines 10 Gbit/s-Bindeglieds hin bewegt, welche ebenfalls eine 62,5 μm multi-mode Faser verwendet. Diese Arbeiten sind im Forschung-/Entwicklungsstadium und bedürfen nunmehr zu ihrer Charakterisierung einer Hochgeschwindigkeitsdiagnostik. Ganz allgemein brauchen Komponenten, die bei 10 Gbit/s funktionieren lediglich eine Bandbreite von 8 GHz. Eine der Komponenten, von der sich herausgestellt hat, dass sie schwierig zu entwickeln ist, ist ein 8-GHz Photodetektor, welcher auf Licht von 780 nm und 850 nm anspricht. Detektoren auf GaAs-Basis können nicht beide Anforderungen erfüllen. Die Einschränkung bei GaAs beruht auf seinem niedrigen Absorptionskoeffizienten bei kürzeren Wellenlängen. 8 GHz-Detektoren auf GaAs-Basis sind in der Tat gefertigt worden, vorausgesetzt der aktive Bereich weist eine Dicke von nicht mehr als 2 μm auf. Diese Dicke stellt sicher, dass alle optisch erzeugten Elektronen und Löcher schnell genug entfernt werden, um eine Bandbreite von 8 GHz zu erzielen. Um jedoch mit einem GaAs-Detektor eine näherungsweise vollständige Quantenausbeute bei 850 nm zu erhalten, müsste die aktive Schicht > 4 μm sein. Dies ist machbar, indem man den 2 μm Bereich 2-mal durchläuft, was sich aber wegen der Fertigungs- und Verpackungskosten verbietet. Die Situation verbessert sich etwas für Licht von 780 nm. Eine Einwegbelichtung durch 2 μm würde jedoch immer noch zu keiner vollständigen Quantenausbeute führen.
  • Der ideale Halbleiter für diese Anwendung ist ein gewachsenes In0,53Ga0,47As-Gitter, welches mit einem halb isolierenden InP(InP:Fe) verbunden ist. In0,53Ga0,47As weist eine geringere Bandbreite auf als GaAs und kann bei 850 nm bei einem Viertel der Dicke die gleiche Absorption bereit stellen. Die für eine vollständige Absorption erforderliche Dicke von 4 μm bei GaAs verringert sich auf 1 μm bei In0,53Ga0,47As. Bei dieser Dicke kann die Bandbreite des Detektors 20 GHz übersteigen. Wird eine 2 μm In0,53Ga0,47As-Schicht verwendet, kann man die benötigten 8 GHz erhalten und eine starke Absorption bis zu 1550 nm bekommen. P-i-n-Photodioden auf der Basis von In0,53Ga0,47As waren einige Zeit zur Verwendung bei 1300 nm und 1550 nm erhältlich. Diese Photodioden wiesen eine heterogene Struktur auf, bestehend aus einem ungedopten, relativ dicken aktiven Bereich aus In0,53Ga0,47As, Sandwich-artig angeordnet zwischen dünnen, hoch gedopten p- und n-Bereichen aus In0,52Ga0,48As. Diese stellen am häufigsten von der Hinterseite (Substratseite) aus belichtete Detektoren dar. Das Licht geht sowohl durch das Substrat als auch durch die gedopte transparente In0,52Ga0,48As-n-Schicht hindurch, ehe es von der aktiven In0,53Ga0,47As-Schicht absorbiert wird. Die Ausschlusswellenlänge für die Belichtung von hinten wird durch die Absorptionsgrenze von InP bestimmt und beträgt 900 nm.
  • Für die Erfassung bei 780 nm oder 850 nm wird ein Vorderseitenmodell benötigt, und verlangt, dass die p-gedopte Deckschicht transparent ist, um das Licht hindurch zu lassen. Eine von vorne belichtete p-i-n-Photodiode auf der Basis von In0,53Ga0,47As könnte grundsätzlich eine begrenzte Quantenempfindlichkeit bei 780 nm oder 850 nm aufweisen und trotzdem ein Bandbreite von 8 GHz besitzen. Was die Realisierung dieser Bandbreite verhindert, ist der Flächenwiderstand des transparenten p-Kontakts.
  • Was darüber hinaus die vorstehend erörterte Austreibdauer betrifft, kann die Empfindlichkeit einer Photodiode durch ihre RC-Zeitkonstante beschränkt sein. Die RC-Zeitkonstante ist die parasitäre Empfindlichkeit der Photodiode und das Produkt des Reihenwiderstands der Diode R und der Kapazität C. Damit eine Photodiode das gesamte Licht von einem 62,5 μm Kernfaserbereich (die gebräuchlichste Fasergröße für Kurzstreckenanwendungen) erfasst, muss sie einen Durchmesser von mindestens 62,5 μm aufweisen. Nimmt man die Schichtdicke zu 2 μm an, resultiert für eine Photodiode eine Kapazität von ~ 0,2 pF. Im Fall eines von hinten belichteten Detektors kann der gesamte Reihenwiderstand von 20–50 Ω reichen, je nachdem, welchen Beitrag der Kontaktwiderstand und der Widerstand der gedopten n-Schicht liefern. Bei diesem Detektor muss man sich für den Transport der Ladung auf die Seitenleitfähigkeit durch die gedopte n-Schicht verlassen, weswegen der Wert des Flächenwiderstands der n-Schicht kritisch ist. Der Widerstand einer mit einem flachen Donator gedopten Schicht kann durch Erhöhen der Dopingmittelkonzentration verringert werden. Der am häufigsten verwendete flache Donator für Kontakte vom n-Typ ist Zinn (Sn). Mit Zinn kann bis zu einem Gehalt von 1030 cm–3 gedopt werden, ehe die Diffusion zum Problem wird. Bei dieser Konzentration beträgt der Widerstand einer n-gedopten Schicht mit einer Dicke von 700 nm ~ 20 Ω. Man beachte, dass diese Schicht, trotz ihrer verhältnismäßig großen Dicke für Licht von 1300 nm und 1550 nm durchlässig ist. Der Gegenkontakt besteht aus der p-gedopten Schicht. Für einen von hinten belichteten Detektor kann die äußere Oberfläche dieses Kontakts mit einem dünnen Metallfilm bedeckt sein, um seinen Flächenwiderstand auf < 1 Ω zu verringern. Würde diese Photodiode nur durch ihre parasitären RCs beschränkt (d. h. keine Beschränkungen durch Verdrängung), hätte sie eine Ansprechzeit von 10 Picosekunden (ps). Bei einem typischen von hinten belichteten Detektor mit einer aktiven Schicht von 2 μm, ist die RC-Zeitkonstante schneller als die Ladungsaustrei bungskonstante (~ 30 ps). Legt man Gauss'sche Impulsprofile zugrunde, beträgt der gemeinsame Beitrag der beiden Zeitkonstanten (102 + 302)1/2 = 32 ps, was einer Bandbreite von ~ 8 GHz entspricht.
  • Die Situation ändert sich bei einer von vorne belichteten Photodiode. Bei dieser Geometrie darf der p-gedopte In0,52Ga0,48As-Kontakt keine Deckschicht aus Metall mehr besitzen. Der Detektor ist auf die seitliche Leitung sowohl der gedopten n- als auch p-Schicht angewiesen. Um die optischen Verluste bei 850 nm bei ≤ 20% zu halten, muss die Dicke der p-Schicht zudem ≤ 400 nm betragen. Diese Ausführungsform wird weiterhin durch die Tatsache kompliziert, dass Beryllium (Be) und Zink (Zn), die standardmäßigen Dopingmittel der Industrie, nicht bis zur gleichen Konzentration von 1020 cm–3 zum Dopen verwendet werden können, wie dies mit Sn bei der n-gedopten Schicht erfolgt. Dies beruht darauf, dass Be und Zn viel höhere Diffusionskoeffizienten als Sn besitzen. Be beginnt zum Beispiel oberhalb von 5 × 1018 cm–3 in benachbarter Bereiche zu diffundieren, wobei es sich am schnellsten entlang defekter Kanäle bewegt. Hierdurch kontaminiert Be den nicht gedopten i-Bereich unserer p-i-n-Photodiode und erhöht seinen Dunkelstrom stark, oder was noch schlechter ist, verkürzt die Diode. Wenn wir die Be-Konzentration auf ein sicheres Niveau (≤ 5 × 1018 cm–3) beschränken, bei dem die Be-Diffusion minimal ist, könnte der Widerstand der p-gedopten Schicht bis zu 50 Ω betragen. Die Bandbreite dieses Vorderseitendetektors verschlechtert sich von 8 GHz auf < 5 GHz.
  • Die PATENT ABBSTRACTS OF JAPAN, Band 1998, Nr. 313, 30. November 1998; & JP 10-223920 A (SUMITOMO ELECTRIC IND LTD), 21 August 1998, veröffentlichen eine Halbleite p-i-n-Photodiode, umfassend ein Substrat, eine an die Oberfläche des Substrats gekoppelte n-Schicht (n-InP), eine and die Oberfläche der n-Schicht gekoppelte i-Schicht (GaInAs), eine an die i-Schicht gekoppelte, mit Kohlenstoff gedopte p-Schicht (hergestellt aus C-gedoptem p-InP oder p-InGaAsP), und eine an die Oberfläche der p-Schicht gekoppelte Antireflexionsschicht.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung umfasst eine p-i-n-Photodiode mit einem lichtdurchlässigen p-Kontakt, durch den Licht von oben durch die Photodiode fällt. Das einfallende Licht nimmt einen direkten Weg zum aktiven i-Bereich. Dies vermeidet die Dämpfung des Lichts oberhalb des Bandspalts (λ ≤ 900), welche andernfalls erfolgen würde, wenn das Licht durch das Substrat gehen müsste. Die von oben belichtete Ausführungsform ermöglicht es dem aktiven Bereich so kurze Wellenlängen wie 700 nm zu erfassen. Kernpunkt der vorliegenden Erfindung ist eine neuartige Anwendung von Kohlenstoffdoping bei In0,52Al0,48As. Kohlenstoff wird als Dopingmittel vom p-Typ in In0,52Al0,48As inkorporiert, um eine hoch leitfähige p-Schicht zu erzeugen, die auch als Deckfenster für die Photodiode dient. Die hohe elektrische Leitfähigkeit dieser Schicht ermöglicht es eine Hochgeschwindigkeitsphotodiode zu konzipieren, ohne dass eine metallische Deckschicht benötigt wird, indem Licht von der obersten Oberfläche zugänglich gemacht wird. Kohlenstoff hat sich gegenüber Be und Zn als den gebräuchlichsten Typen von p-Dopingmitteln, wegen seiner Fähigkeit sich während des epitaktischen Wachstumsprozesses nicht zu ändern, als überlegen erwiesen. Nach dem Wachstum und der anschließenden Mikrofabrikation zeigt der Kohlenstoff keine Anzeichen von Diffusion aus dem In0,52Al0,48As-Bereich in den i-Bereich der p-i-n-Photodiode. In die In0,52Al0,48As-Schicht können hohe Kohlenstoffkonzentrationen (1030 cm–3 gegenüber ≤ 1018 cm–3 von Be) eingebaut werden ohne die Diode zu verschlechtern. Durch Erhöhung des Dopingmittelgehalts der p-Schicht kann man den Reihenwiderstand verringern und damit die RC-Zeitkonstante der Photodiode. Eine niedrigere RC-Zeitkonstante wirkt sich dahingehend aus, dass sie die Empfindlichkeit des Detektors erhöht.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Bild 1 ist eine Mikrophotographie des erfindungsgemäßen p-i-n-Photodetektors;
  • Bild 2 ist das epitaktische Wachstumsprofil für die p-i-n-Struktur der vorliegenden Erfindung; und
  • Bild 3 ist gibt die Eigenabsorptionskurven von Halbleitermaterialien als Funktion der Wellenlänge des Lichts wieder.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Bezug nehmend auf die Bilder 1 und 2 wird der Photodetektor 10 der vorliegenden Erfindung von vorne und von der Seite gezeigt. Der achteckige Bereich 8 ist der p-i-n-Mesa, wo die Erfassung des Lichts erfolgt. Der p-i-n ist gittergebunden auf dem InP:Fe-Substrat 34 gewachsen. Der Mesa wird durch chemisches Ätzen des InP- Substrats durch die Deckschicht hindurch gebildet. Der Mesa ragt einige Mikrometer über die Oberfläche des InP-Substrats hinaus. Der Mesa besteht oben aus einer dünnen (nominal 4 nm Dicke, kann jedoch jede beliebige Dicke aufweisen, welche die darunter liegende Struktur zu schützen vermag) In0,53Ga0,47As-Schicht 12, welche die In0,52Al0,48As-p-Schicht 14 schützt. Die In0,53Ga0,47As-Oberschicht 12 ist auf 5 × 1019 cm–3 gedopt, um für eine gute elektrische Leitfähigkeit zu sorgen, kann jedoch auf irgendein anderes Elektrizität leitendes Niveau gedopt werden. Diese Schicht dient dazu, die In0,52Al0,48As-p-Schicht 14 gegenüber der Atmosphäre zu versiegeln. Die In0,52Al0,48As-p-Schicht 14 könnte andernfalls (möglicherweise während der Mikrofabrikation) mit Sauerstoff reagieren und eine isolierende Schicht bilden. Die In0,53Ga0,47As-Abdeckung 12 lässt man sich dünn ausbilden, um eine nennenswerte Absorption zu vermeiden. Die p-gedopte In0,52Al0,48As-Oberschicht 12 ist diejenige Schicht, welche für einfallendes Licht durchlässig ist. Einerseits muss diese Schicht ausreichend dick sein, um für einen niedrigen Reihenwiderstand zu sorgen, andererseits dünn genug sein, um die Absorption auf ein Mindestmaß zu beschränken. Licht, das innerhalb dieser Schicht absorbiert wird, erniedrigt die Empfindlichkeit des Detektors und könnte auch seine Ansprechzeit verlangsamen. Die bevorzugte Dicke der p-Schicht 14 liegt zwischen 100 nm und 300 nm, um es Wellenlängen von 700–1600 nm zu erlauben, sie mit minimaler Absorption zu durchdringen. Das Dopen der p-Schicht 14 mit Kohlenstoff erlaubt höhere Dopingkonzentrationen (> 5,0 × 1019 cm–3 und vorzugsweise bis zu 1030 cm–3) als sie mit Be oder Zn möglich sind. Be oder Zn beginnen bei solchen Dopinggehalten über die Grenzschicht der Schicht hinaus zu wandern und die Diode elektrisch kurz schließen. Die Erhöhung der Dopingkonzentration verringert den Widerstand der p-Schicht der Photodiode beträchtlich und die RC-Zeitkonstanten führen in Verbindung damit zu schnelleren Aktivierungsgeschwindigkeiten.
  • Entlang des Umfangs der In0,53Ga0,47As-Schicht 12 befindet sich ein enger Metallring 20. Dieser sorgt für den metallischen Kontakt, der die p-Schicht 14 mit dem p-Bindungskissen 26 elektrisch verbindet. Der Metallring 20 ist vorzugsweise aus Gold hergestellt. Der Metallring 20 ist vorzugsweise um den Umfang der oben liegenden Schicht 12 gelegt, so dass der Metallring 20 kein auf die Oberfläche des Photodetektors gerichtetes Licht ausschließt. Unterhalb der In0,52Al0,48As-Schicht 14 befindet sich die i-Schicht 16 oder der aktive Bereich des Photodetektors. Die i-Schicht weist die gleichen Flächenabmessungen auf wie die p-Schicht. Die i-Schicht 16 ist aus nicht gedoptem In0,53Ga0,47As 16 gebildet. Hier wird das einfallende Licht absorbiert und hier ist das elektrische Feld innerhalb der Diode am stärksten. Je dicker die i-Schicht ist, umso höher ist die Absorption. Wird die i-Schicht 16 zu dick ausgeführt, kann die Ladungsaustrittsdauer durch die Schicht die Geschwindigkeit des Detektors begrenzen.
  • Unterhalb der i-Schicht 16 befindet sich die aus Sn-gedoptem In0,52Al0,48As gebildete Kontaktschicht 32. Die bevorzugte Dopingmittelkonzentration beträgt 5 × 1019 cm–3. Diese Schicht lässt man sich vorzugsweise in einer Dicke von 500–1000 nm ausbilden. Die n-Schicht 12 ragt über die Mesa hinaus, um eine große Oberfläche für den Kontakt mit der n-Kontaktelektrode 18 bereit zu stellen. Die n-Kontaktelektrode 18 ist elektrisch mit dem n-Kontaktband 24 verbunden. Eine Antireflexionsbeschichtung 22 ist auf der gesamten Oberfläche abgeschieden und es sind Fenster auf dem Kontaktband für die elektrische Verbindung vorgesehen. Die Antireflexionsschicht 22 kann darauf ausgelegt sein, einen breiten Wellenlängenbereich zu überdecken.
  • Bezug nehmend auf Bild 3 wird die Lichtabsorption in der i-Schicht 16 mit dem Absorptionskoeffizienten in Beziehung gesetzt durch die nachstehende Gleichung: I = I0e(–αT) worin:
    • I0
    = Niveau des einfallenden Licht;
    α
    = Absorptionskoeffizient in cm–1;
    T
    = Dicke des Absorbers (d. h. der i-Schicht) in cm ist
  • Für die GaAs-Kurve 30 ergibt sich bei λ = 850 nm, α = 104 cm–1 und einem Wert für die Dicke T = 2 × 10–4 cm I zu 0,135 × I0, d. h. ~ 86% des Lichts wird im i-Bereich absorbiert (d. h. wird erfasst) und der Rest wird vom InP-Substrat absorbiert (Verlust).
  • Für die In0,53Ga0,47As-Kurve 28 ergibt sich bei λ = 850 nm, α = 4 × 104 cm–1 und die gleiche Dicke der aktiven Schicht I zu 0,0003 × I0 d. h. es wird im Wesentlichen das gesamte Licht erfasst.
  • Der p-i-n-Detektor kann prinzipiell umgekehrt aufgebaut werden, indem von der p-gedopten In0,52Al0,48As-Schicht ausgegangnen wird, die in Kontakt mit dem InP:Fe-Substrat steht, und mit der gedopten In0,52Al0,48As-n-Schicht abgeschlossen wird. Bei dieser Struktur, welche nicht erfindungsgemäß ist, würde eine p-Schicht mit einer Dicke von 700 nm und eine n-Schicht mit einer Dicke von 200 nm aufgebaut werden. Eine n-gedopte In0,53Ga0,47As-Oberschicht müsste die p-gedopte In0,53Ga0,47As-Schicht ersetzen. Diese n-i-p-Photodiodenstruktur ist möglich, weil sowohl die Schicht vom n-Typ als auch vom p-Typ mit > 5 × 1019 cm–3 gedopt ist.
  • Der Detektor wird nach Standard IC-Fertigungstechnik geformt, wie sie dem Fachmann auf dem Gebiet der Molekularstrahlepitaxy, oder anderer epitaktischer Aufbautechniken oder -verfahren bekannt sind, welche Kohlenstoff als p-Dopingmittel verwenden können.
  • Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf genau die Struktur beschränkt, die vorstehend wiedergegeben und beschrieben worden ist, sondern es können verschiedene Änderungen vorgenommen werden, ohne dass vom Umfang der Erfindung abgewichen wird, wie er in den nachstehenden Ansprüchen definiert ist.

Claims (11)

  1. Halbleiter p-i-n-Photodiode (10), umfassend ein Substrat (34); eine n-Schicht (32), gekoppelt an die Oberfläche des Substrats; eine i-Schicht (16), gekoppelt an die Oberfläche der n-Schicht; eine Kohlenstoff-gedopte InAlAs-p-Schicht (14), gekoppelt an die Oberfläche der i-Schicht, wobei die i-Schicht Sandwich-artig zwischen der n-Schicht und der p-Schicht angeordnet ist; und eine InGaAs-Oberschicht (12), gekoppelt an eine Oberfläche der p-Schicht, wobei die p-Schicht Sandwich-artig zwischen der Oberschicht und der i-Schicht angeordnet ist, wobei die Oberschicht für Licht durchlässig ist und die p-Schicht gegenüber der Atmosphäre versiegelt.
  2. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die InGaAs-Oberschicht (12) In0,53Ga0,47As umfasst, welches Kohlenstoff-gedopt ist, um einen Kontakt vom p-Typ zu bilden.
  3. Photodiode nach Anspruch 1, weiter umfassend einen leitfähigen Ring (20), gekoppelt and die Oberfläche der Oberschicht, wobei der leitfähige Ring an eine Elektrode (26) gekoppelt ist.
  4. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die Kohlenstoff-gedopte InAlAs-p-Schicht (14) In0,52Al0,48As umfasst.
  5. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die i-Schicht (16) In0,53Ga0,47As umfasst.
  6. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die n-Schicht (32) In0,52Al0,48As umfasst.
  7. Photodiode nach Anspruch 1, wobei das Kohlenstoffdoping Konzentrationen bis zu 1 × 1020 cm–3 aufweist.
  8. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die Photodiode durch elektromagnetische Strahlung mit einem Wellenlängenbereich von 700–1600 nm aktiviert wird.
  9. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die Kohlenstoff-gedopte p-Schicht eine Dicke von weniger oder gleich 200 nm aufweist.
  10. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die Photodiode bei Telekommunikationsanwendungen zur optischen Schaltung verwendet wird und die Schaltung durch einfallendes Licht erfolgt.
  11. Photodiode nach Anspruch 1, wobei die InGaAs-Oberschicht (12) In0,53Ga0,47As umfasst.
DE69937406T 1998-09-25 1999-09-24 Hochdotierte p-kontaktschicht für eine auf der vorderseite beleuchtete höchstgeschwindigkeitsfotodiode Expired - Lifetime DE69937406T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

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US161097 1998-09-25
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