JP2002524725A - 延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定 - Google Patents
延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定Info
- Publication number
- JP2002524725A JP2002524725A JP2000569178A JP2000569178A JP2002524725A JP 2002524725 A JP2002524725 A JP 2002524725A JP 2000569178 A JP2000569178 A JP 2000569178A JP 2000569178 A JP2000569178 A JP 2000569178A JP 2002524725 A JP2002524725 A JP 2002524725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- conductors
- segments
- array
- extending
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 9
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 2
- 101710158075 Bucky ball Proteins 0.000 claims 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- -1 For example Substances 0.000 description 1
- 102100023774 Cold-inducible RNA-binding protein Human genes 0.000 description 1
- 241000359025 Equus kiang Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000906744 Homo sapiens Cold-inducible RNA-binding protein Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/14—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
二つの要素の相対的な位置又は変位を測定及び／又は監視するための装置であって、前記それぞれの要素と関連するようになっている一対の長い導電体（１０、１１）と、前記導電体の間に電気的ポテンシャルの差を与えることで、その間に検出可能な量子的トンネル電流が発生するように、前記導電体を相互に離隔させて配置する手段（１２、１３、１８）とを有する。
Description
【０００１】 ＜発明の分野＞ この発明は、例えば、回転または角度の分離または変位、振動、直線的な分離
または移動、位置合わせおよび位置合わせ不良等、細密な相対的位置または変位
の正確な測定およびモニタリングに関する。限定的ではないが、当然、重要なの
は角度の測定である。
または移動、位置合わせおよび位置合わせ不良等、細密な相対的位置または変位
の正確な測定およびモニタリングに関する。限定的ではないが、当然、重要なの
は角度の測定である。
【０００２】 ＜背景技術＞ 角度の超精密測定のために設計された公知の装置としては、オートコリメータ
、回折に基づくシステムおよびギアに基づくシステムが含まれる。オートコリメ
ータは、例えば、直線性、平面度、直角度および平行度を順番に決定するために
、角偏差の測定を用いる。最近の形態のものは、レーザダイオード光源およびビ
ームスプリッタを用い、角変位の正確な測定のために、接眼視認システムにおい
てマイクロメータを取り込んでいる。典型的な最良の精度は、１６０秒（arcsec
ond）の測定範囲について、０．２秒である。
、回折に基づくシステムおよびギアに基づくシステムが含まれる。オートコリメ
ータは、例えば、直線性、平面度、直角度および平行度を順番に決定するために
、角偏差の測定を用いる。最近の形態のものは、レーザダイオード光源およびビ
ームスプリッタを用い、角変位の正確な測定のために、接眼視認システムにおい
てマイクロメータを取り込んでいる。典型的な最良の精度は、１６０秒（arcsec
ond）の測定範囲について、０．２秒である。
【０００３】 公知のゴニオメータ式機器においては、一対の放射状格子が同時に同速度にて
回転し、一対の読み取りヘッドによってスキャンされる。これらのうち一方は固
定され、他方は測定されるべき角度を通じて移動する。結果として生じた二つの
信号の間の相対的な位相変化は、移動可能な読み取りヘッドの、固定ヘッドに対
する回転を指示するものである。達成される精度は、０．１秒であるといわれる
。
回転し、一対の読み取りヘッドによってスキャンされる。これらのうち一方は固
定され、他方は測定されるべき角度を通じて移動する。結果として生じた二つの
信号の間の相対的な位相変化は、移動可能な読み取りヘッドの、固定ヘッドに対
する回転を指示するものである。達成される精度は、０．１秒であるといわれる
。
【０００４】 このような従来の装置は比較的高価であり、典型的に割と大きな機器である。
これらは、しばしば、例えば回折計等の他の科学的な機械の主要な部分を形成し
、ここでは、角度の精密な測定が機器の解像度および品質を決定する。
これらは、しばしば、例えば回折計等の他の科学的な機械の主要な部分を形成し
、ここでは、角度の精密な測定が機器の解像度および品質を決定する。
【０００５】 角測定の精度は、Zhang et al. “Improving the Accuracy of Angle Measure
ment System with Optical Grating”, Annals of the CIRP Vol 43, No.1 (199
4)の主題である。この論文は、正弦関数透過率および他の拡張機能を備えたイン
デクス格子の使用を提唱し、プロトタイプの機器にて０．２秒の精度を報告する
。
ment System with Optical Grating”, Annals of the CIRP Vol 43, No.1 (199
4)の主題である。この論文は、正弦関数透過率および他の拡張機能を備えたイン
デクス格子の使用を提唱し、プロトタイプの機器にて０．２秒の精度を報告する
。
【０００６】 本発明の目的は、公知の機器および技術により達成されるものよりも好ましく
は優れた満足のいく精度におよぶような、角度、直線またはその他の相対的な位
置または変位の細密な測定およびモニタリングを提供することにある。
は優れた満足のいく精度におよぶような、角度、直線またはその他の相対的な位
置または変位の細密な測定およびモニタリングを提供することにある。
【０００７】 ＜発明の概要＞ 本発明は、従来用いられてきたものとはかなり異なるアプローチを提唱するも
のであり、好ましくはナノ単位の寸法の二つの近接した導電体の間の量子的なト
ンネル電流のモニタリングを必要とする。好適な実施形態においては、直線状に
配された導電体の二つのアレイを用いることができ、これらは、好都合には、カ
ーボンナノチューブであってもよい。
のであり、好ましくはナノ単位の寸法の二つの近接した導電体の間の量子的なト
ンネル電流のモニタリングを必要とする。好適な実施形態においては、直線状に
配された導電体の二つのアレイを用いることができ、これらは、好都合には、カ
ーボンナノチューブであってもよい。
【０００８】 したがって、本発明は、第一の態様においては、二つの要素の相対的な位置ま
たは変位を測定および／またはモニタリングする方法を提供するものであり、 延在する導電体のそれぞれに対して要素を関連づけ； 導電体を、好ましくは、相互に分離して、おおよそ直線状とし、検出可能な量
子的トンネル電流がそれらの間に存在するように、電位差を印加し；そして 前記量子的トンネル電流を検出および／または測定することを含む。
たは変位を測定および／またはモニタリングする方法を提供するものであり、 延在する導電体のそれぞれに対して要素を関連づけ； 導電体を、好ましくは、相互に分離して、おおよそ直線状とし、検出可能な量
子的トンネル電流がそれらの間に存在するように、電位差を印加し；そして 前記量子的トンネル電流を検出および／または測定することを含む。
【０００９】 好ましくは、最大の量子的トンネル電流が検出されるような位置を決定するた
めに、導電体の相対的な位置が調整される。
めに、導電体の相対的な位置が調整される。
【００１０】 第二の態様においては、本発明は、二つの要素の相対的な位置または変位を測
定および／またはモニタリングするのに用いるための装置を提供する。装置は、
それぞれの要素と関連づけられるのに適した一対の延在する導電体と、導電体間
に電位差を印加した際に、検出可能な量子的トンネル電流（quantum tunneling
current）がそれらの間に生成されうるように、導電体を、好ましくは相互に平
行な関係にてほぼ直線状に、相互に分離された状態に配置するための手段とを含
む。
定および／またはモニタリングするのに用いるための装置を提供する。装置は、
それぞれの要素と関連づけられるのに適した一対の延在する導電体と、導電体間
に電位差を印加した際に、検出可能な量子的トンネル電流（quantum tunneling
current）がそれらの間に生成されうるように、導電体を、好ましくは相互に平
行な関係にてほぼ直線状に、相互に分離された状態に配置するための手段とを含
む。
【００１１】 装置は、さらに、前記電位差を印加するための手段と、導電体間の量子的トン
ネル電流を検出および／または測定するための手段とを含みうる。
ネル電流を検出および／または測定するための手段とを含みうる。
【００１２】 好ましくは、装置は、さらに、最大の量子的トンネル電流が検出されるような
位置を決定するために、導電体の相対的な位置を調整するための手段を含む。
位置を決定するために、導電体の相対的な位置を調整するための手段を含む。
【００１３】 位置または変位は、回転または角度の分離または変位、振動、直線的な分離ま
たは移動、位置合わせおよび位置合わせ不良の一つまたはそれ以上であってもよ
い。
たは移動、位置合わせおよび位置合わせ不良の一つまたはそれ以上であってもよ
い。
【００１４】 好ましくは、導電体は、幅１ミクロンまたはそれ以下であり、例えば、一また
はそれ以上の実施形態において、ナノオーダーないしサブミクロンの範囲の幅で
ある。後者の場合、導電体は、任意のヘリシティもしくは半径のカーボンナノチ
ューブ、カーボンモノフィラメントの単層または多層のいずれか、またはナノワ
イヤであってもよい。代わりに、導電体は、例えば、ミクロンないしサブミクロ
ン単位の疑似一次元の導電体であってもよい。いくつかの実施形態においては、
導電体は、長さが１ｍｍまたはそれ以下であってもよい。
はそれ以上の実施形態において、ナノオーダーないしサブミクロンの範囲の幅で
ある。後者の場合、導電体は、任意のヘリシティもしくは半径のカーボンナノチ
ューブ、カーボンモノフィラメントの単層または多層のいずれか、またはナノワ
イヤであってもよい。代わりに、導電体は、例えば、ミクロンないしサブミクロ
ン単位の疑似一次元の導電体であってもよい。いくつかの実施形態においては、
導電体は、長さが１ｍｍまたはそれ以下であってもよい。
【００１５】 導電体は、絶縁性または半導体性のサブストレート中にまたはその上に、好ま
しくはサブストレートの表面と同一平面となるように取り付けられることによっ
て、前述の要素と関連づけられうる。サブストレートは、例えば固体または結晶
面であってもよい。導電体は、近接表面上のそれぞれの原子的段差（atomic ste
p）に沿って配置してもよい。
しくはサブストレートの表面と同一平面となるように取り付けられることによっ
て、前述の要素と関連づけられうる。サブストレートは、例えば固体または結晶
面であってもよい。導電体は、近接表面上のそれぞれの原子的段差（atomic ste
p）に沿って配置してもよい。
【００１６】 好都合には、導電体は、それぞれ、好ましくは例えば単一供給のリード線（si
ngle supply lead）を通じて並列に結線されて並べられたグリッド（ordered gr
id）または導電体のセグメントのアレイに配置される。これらのグリッドまたは
アレイは、相補的であり、検出可能な量子的トンネル電流を得るべく導電体セグ
メントを十分な近接に置くために重ねられる。
ngle supply lead）を通じて並列に結線されて並べられたグリッド（ordered gr
id）または導電体のセグメントのアレイに配置される。これらのグリッドまたは
アレイは、相補的であり、検出可能な量子的トンネル電流を得るべく導電体セグ
メントを十分な近接に置くために重ねられる。
【００１７】 ここで、本発明について、添付の図面に関して、例示のみによりさらに説明す
る。 図１の実施形態において、ナノないしサブミクロン寸法の範囲の幅の、ナノ寸
法の延在する電気伝導性のワイヤ１０、１１はそれぞれ、それぞれの絶縁性メジ
ウムのサブストレート１２、１３に、同一平面となるように埋め込まれる。この
場合、導電体間を渡って電位差が電位源２６によって印加されたときに、これら
の間に、適切な検出回路２７において検出可能な量子的トンネル電流１００が存
在するように、ワイヤは、２〜５０オングストロームの範囲内の分離またはギャ
ップ１８にて実質的に直線状且つ平行な関係に重ね合わされる。
る。 図１の実施形態において、ナノないしサブミクロン寸法の範囲の幅の、ナノ寸
法の延在する電気伝導性のワイヤ１０、１１はそれぞれ、それぞれの絶縁性メジ
ウムのサブストレート１２、１３に、同一平面となるように埋め込まれる。この
場合、導電体間を渡って電位差が電位源２６によって印加されたときに、これら
の間に、適切な検出回路２７において検出可能な量子的トンネル電流１００が存
在するように、ワイヤは、２〜５０オングストロームの範囲内の分離またはギャ
ップ１８にて実質的に直線状且つ平行な関係に重ね合わされる。
【００１８】 具体的に実施するための好適な技術は、電子ビームナノリソグラフィーであり
、整列された導電性のワイヤを半導体サブストレート上に描画することができる
。これは、例えば、「微小構造及び微小デバイスの物理と製作（The Physics an
d Fabrication of Microstructures and Microdevices）」（Kelly & Weisbuch
編、Spring-Verlag、１９８６）なるテキストの論文、ウイルキンソンら「電子
ビームナノリソグラフィー」（Wilkinson et al, "Electron Beam Nanolithogra
phy"）に記載されており、半導体サブストレート上にある１組の平行なＧａＡｓ
導線を記載及び図示している。デバイスの実用的な応用にあっては、サブストレ
ート又はプレート１２、１３は、それぞれのエレメントと組み合わされあるいは
結合されており、エレメントの変位又は位置は測定されあるいはモニタされるこ
ととなる。
、整列された導電性のワイヤを半導体サブストレート上に描画することができる
。これは、例えば、「微小構造及び微小デバイスの物理と製作（The Physics an
d Fabrication of Microstructures and Microdevices）」（Kelly & Weisbuch
編、Spring-Verlag、１９８６）なるテキストの論文、ウイルキンソンら「電子
ビームナノリソグラフィー」（Wilkinson et al, "Electron Beam Nanolithogra
phy"）に記載されており、半導体サブストレート上にある１組の平行なＧａＡｓ
導線を記載及び図示している。デバイスの実用的な応用にあっては、サブストレ
ート又はプレート１２、１３は、それぞれのエレメントと組み合わされあるいは
結合されており、エレメントの変位又は位置は測定されあるいはモニタされるこ
ととなる。
【００１９】 一般に、トンネル電流１００は、一対の相隣り合う電極（すなわち導電体）上
の状態の局所密度の積に比例する。あるいは言い換えると、両方の電極上の状態
間におけるトンネル行列要素の自乗の和に比例する。それはまた、トンネルポテ
ンシャルと電極曲線の鋭敏な関数でもある。さらに、量子的トンネル電流は、量
子波動関数が導電体表面の外側では指数関数的に減衰するために、導電体の間の
間隔に極めて大きく依存する。そして、検出電流は一対の交差するナノチューブ
の間の相対角度の関数となるであろう。本発明は前記指数関数的及び角度の関係
を利用しており、トンネル電流１００の検出値は、前記導電体の長手方向に対向
する表面部分が離れて移動して、回転方向の及び／又は並進的な不整合が増大す
ると（あるいは減少しても）急激に変化する。
の状態の局所密度の積に比例する。あるいは言い換えると、両方の電極上の状態
間におけるトンネル行列要素の自乗の和に比例する。それはまた、トンネルポテ
ンシャルと電極曲線の鋭敏な関数でもある。さらに、量子的トンネル電流は、量
子波動関数が導電体表面の外側では指数関数的に減衰するために、導電体の間の
間隔に極めて大きく依存する。そして、検出電流は一対の交差するナノチューブ
の間の相対角度の関数となるであろう。本発明は前記指数関数的及び角度の関係
を利用しており、トンネル電流１００の検出値は、前記導電体の長手方向に対向
する表面部分が離れて移動して、回転方向の及び／又は並進的な不整合が増大す
ると（あるいは減少しても）急激に変化する。
【００２０】 より詳細には、ギャップ１８に好適なシュレーディンガー波動関数は、Kiejna
& Wojciechowski「金属表面の電子物理（Metal Surface Electron Physics）」
（Pergamon、（１９９６））に見られる。波動関数の分析から、量子的トンネル
電流は、量子波動関数が導電体表面の外側では指数関数的に減衰するために、導
電体の間の間隔に極めて大きく依存し、検出電流は一対の交差するナノ導電体の
間の相対角度の関数となるであろうことが証明されている。
& Wojciechowski「金属表面の電子物理（Metal Surface Electron Physics）」
（Pergamon、（１９９６））に見られる。波動関数の分析から、量子的トンネル
電流は、量子波動関数が導電体表面の外側では指数関数的に減衰するために、導
電体の間の間隔に極めて大きく依存し、検出電流は一対の交差するナノ導電体の
間の相対角度の関数となるであろうことが証明されている。
【００２１】 整列され対向している導電体表面セグメントの間のギャップ１８は、２〜５０
オングストロームの範囲にあることが適当と考えられ、より好ましくは２〜２０
オングストロームである。導電体セグメントは、サブストレート上に揃えて配置
することが実用的に可能であればいかなる長さであってもよい点で便宜であり、
例えば１μｍないし１０−２ｍの範囲の導線が取り付けられている。
オングストロームの範囲にあることが適当と考えられ、より好ましくは２〜２０
オングストロームである。導電体セグメントは、サブストレート上に揃えて配置
することが実用的に可能であればいかなる長さであってもよい点で便宜であり、
例えば１μｍないし１０−２ｍの範囲の導線が取り付けられている。
【００２２】 ギャップ１８は部分的に真空であってもよく、あるいは適当な媒体で満たして
もよい。ギャップ１８を正確に維持するのに好適な構成には、バッキーボール（
Ｃ６０）ナノベアリング２０、２２を用いたり、有機媒体の分離フィルム、好ま
しくは例えばシクロヘキサン（以下に詳述する）等の有機潤滑体を介設させたり
する。後者は、平行な微小分離を厳密に維持するのに特に効果的な手法であると
考えられている。
もよい。ギャップ１８を正確に維持するのに好適な構成には、バッキーボール（
Ｃ６０）ナノベアリング２０、２２を用いたり、有機媒体の分離フィルム、好ま
しくは例えばシクロヘキサン（以下に詳述する）等の有機潤滑体を介設させたり
する。後者は、平行な微小分離を厳密に維持するのに特に効果的な手法であると
考えられている。
【００２３】 調整手段としては、既知のタイプの圧電素子保持器があり、ナノレベルの寸法
で調整するのに好適である。
で調整するのに好適である。
【００２４】 前記の効果は、導電体がカーボンナノチューブのように円筒形である場合、さ
らに拡張される。グリッドあるいはアレイの場合、前記導電体セグメントが平行
に結合されていれば、増幅効果が生じ、電流測定が可能となるであろう。しかし
、ラインが独立した接続を有していれば、サンドイッチを形成するグリッドは、
点「キャパシタ」の二次元アレイとして機能することが可能となるであろう。そ
の点キャパシタは、それぞれ独立してオンオフ切換が可能であり、トンネル井戸
の「ピクセル化された」アレイを形成する。
らに拡張される。グリッドあるいはアレイの場合、前記導電体セグメントが平行
に結合されていれば、増幅効果が生じ、電流測定が可能となるであろう。しかし
、ラインが独立した接続を有していれば、サンドイッチを形成するグリッドは、
点「キャパシタ」の二次元アレイとして機能することが可能となるであろう。そ
の点キャパシタは、それぞれ独立してオンオフ切換が可能であり、トンネル井戸
の「ピクセル化された」アレイを形成する。
【００２５】 トンネル電流１００は、アスペクト比（導電体セグメントの間隔に対する長さ
）に応じて１以上の位置で最小値を示し、２つのグリッド／アレイの導電体セグ
メントが完全に整列したときに最大値を示す。
）に応じて１以上の位置で最小値を示し、２つのグリッド／アレイの導電体セグ
メントが完全に整列したときに最大値を示す。
【００２６】 図３は代替実施例を示し、導電体は、絶縁性媒質のサブストレート１２’、１
３’上に堆積された複数の平行なナノチューブ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１１ａ
、１１ｂ、１１ｃを含む。
３’上に堆積された複数の平行なナノチューブ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１１ａ
、１１ｂ、１１ｃを含む。
【００２７】 サブストレート上に１組の整列されたナノチューブを形成する手順は、例えば
、Chauvet et al, Physical Review B52, 52 (1995)、de Heer et al, Science
268, 845 (1995)、及びKiang et al, Carbon 33, 903-914 (1995)に記載されて
いる。
、Chauvet et al, Physical Review B52, 52 (1995)、de Heer et al, Science
268, 845 (1995)、及びKiang et al, Carbon 33, 903-914 (1995)に記載されて
いる。
【００２８】 単一壁ナノチューブの性質は、例えば、Iijima, Nature 354, 56-58 (1991)、
及びIijima et al, Nature 363, 603-605 (1993)に記載されている。種々のタイ
プのカーボンナノチューブは、Ostling et al, Physical Review B, 55, 55 (19
97)に記載されている。
及びIijima et al, Nature 363, 603-605 (1993)に記載されている。種々のタイ
プのカーボンナノチューブは、Ostling et al, Physical Review B, 55, 55 (19
97)に記載されている。
【００２９】 本発明に好適な平行導電体セグメントを有するグリッドの製造手法としては特
に、ナノチューブ又は他のナノオーダーの寸法の導電体を、主面（primary plan
e）に対してある角度で結晶をスライスすることにより作成して形成された近接
表面の原子的な段差上に、エピタキシャル堆積させるものがある。導電体セグメ
ントの分離は規則的であったり不規則であったりしてもよいが、もっとも好まし
いのは平行であることである。図５は、図３の実施例の変形例を示しており、ナ
ノチューブは段差のついた近接表面上に連続する原子的段差１４、１５で図示の
ように堆積されている。
に、ナノチューブ又は他のナノオーダーの寸法の導電体を、主面（primary plan
e）に対してある角度で結晶をスライスすることにより作成して形成された近接
表面の原子的な段差上に、エピタキシャル堆積させるものがある。導電体セグメ
ントの分離は規則的であったり不規則であったりしてもよいが、もっとも好まし
いのは平行であることである。図５は、図３の実施例の変形例を示しており、ナ
ノチューブは段差のついた近接表面上に連続する原子的段差１４、１５で図示の
ように堆積されている。
【００３０】 図２及び４は、ナノチューブでない場合、ミクロン、サブミクロン、又はナノ
オーダーの寸法を有する導電体の配列がそれぞれサブストレート２１２の内部あ
るいはその上にある１つの配列の導電体２１０とともに配置されており、サブス
トレート２１３の内部あるいはその上にある他の配列の導電体２１１に向けほぼ
直角に延在している。直角ではなく、角度の関係としては、他の角度、例えば菱
形又は偏菱形の二次元格子を形成するような角度であってもよい。好ましくは多
数の導電体ラインを利用するこのような構成の一応用例にあっては、交点（cros
s-over point）２５０の組が人工的散乱格子を形成し、サンドイッチ構造に平行
に入射した原子のビームを導電体配列間のスペース２１８の内部へ効果的に散乱
させるであろう。各ラインが独立して電気的に接続されれば、すなわち、それら
が電気的に並列でなければ、原子に対する二次元的な「ピンボールゲーム」の相
似形であるピクセル化された配列が存在することとなり、あらかじめ定義された
散乱中心を持つことであろう。
オーダーの寸法を有する導電体の配列がそれぞれサブストレート２１２の内部あ
るいはその上にある１つの配列の導電体２１０とともに配置されており、サブス
トレート２１３の内部あるいはその上にある他の配列の導電体２１１に向けほぼ
直角に延在している。直角ではなく、角度の関係としては、他の角度、例えば菱
形又は偏菱形の二次元格子を形成するような角度であってもよい。好ましくは多
数の導電体ラインを利用するこのような構成の一応用例にあっては、交点（cros
s-over point）２５０の組が人工的散乱格子を形成し、サンドイッチ構造に平行
に入射した原子のビームを導電体配列間のスペース２１８の内部へ効果的に散乱
させるであろう。各ラインが独立して電気的に接続されれば、すなわち、それら
が電気的に並列でなければ、原子に対する二次元的な「ピンボールゲーム」の相
似形であるピクセル化された配列が存在することとなり、あらかじめ定義された
散乱中心を持つことであろう。
【００３１】 散乱格子の一変形にあっては、格子を形成し前記交点に又は交点の間に一次元
の領域を生成する磁気要素の配列をさらに含んでもよい。
の領域を生成する磁気要素の配列をさらに含んでもよい。
【００３２】 図６は他の実施例であって、各サブストレート３１２、３１３は、原子的に平
滑で劈開したばかりのマイカであり、導電体３１０、３１１は金のオーバーレイ
３３０、３３１をエッチングし、次いでラングミュア−ブロジェット・プロセス
によって単分子層を適用して隙間の溝を充填することにより形成される。２つの
アレイは、以前と同様に、外側の熱収縮ラップ３４０により保持されるシクロヘ
キサン等の好適な有機潤滑膜３１８によって分離することができる。
滑で劈開したばかりのマイカであり、導電体３１０、３１１は金のオーバーレイ
３３０、３３１をエッチングし、次いでラングミュア−ブロジェット・プロセス
によって単分子層を適用して隙間の溝を充填することにより形成される。２つの
アレイは、以前と同様に、外側の熱収縮ラップ３４０により保持されるシクロヘ
キサン等の好適な有機潤滑膜３１８によって分離することができる。
【００３３】 例示されているデバイスは、有効な電気機械的ナノデバイスである。一方では
、これらを応用して、微視的及び巨視的レベルでの角度、回転角度、回転速度、
及び整列又は整列不良を測定することができる。例えば、回転速度は、単位時間
あたりの電流最大値の数を測定して得ることができる。２０度近辺の動作角度域
にわたって、角度にして０．０１秒オーダーの精度は可能であると考えられる。
、これらを応用して、微視的及び巨視的レベルでの角度、回転角度、回転速度、
及び整列又は整列不良を測定することができる。例えば、回転速度は、単位時間
あたりの電流最大値の数を測定して得ることができる。２０度近辺の動作角度域
にわたって、角度にして０．０１秒オーダーの精度は可能であると考えられる。
【００３４】 あるいは、例示されているデバイスは、相対的な直線位置、あるいは平行移動
を測定したり監視したりするのに利用することもできる。図３、５、及び６の実
施例における一方のサブストレートが他方に対して平行移動すれば、トンネル電
流１００には一連の非常にシャープなピークが観察されるであろう。横切った距
離は、観察されたピークの数と、導電体間の間隔との積で与えられることとなる
。分解能は導電体の幅のオーダーであり、現在利用可能なナノリソグラフィーの
技術では約２００オングストロームであるが、ナノチューブを用いると約１０〜
３０オングストロームである。
を測定したり監視したりするのに利用することもできる。図３、５、及び６の実
施例における一方のサブストレートが他方に対して平行移動すれば、トンネル電
流１００には一連の非常にシャープなピークが観察されるであろう。横切った距
離は、観察されたピークの数と、導電体間の間隔との積で与えられることとなる
。分解能は導電体の幅のオーダーであり、現在利用可能なナノリソグラフィーの
技術では約２００オングストロームであるが、ナノチューブを用いると約１０〜
３０オングストロームである。
【００３５】 回転方向の及び並進的な効果は、例えば地震記録計のように、振動の監視と測
定とのいずれにも寄与することとなろう。
定とのいずれにも寄与することとなろう。
【図１】 図１は、本発明にかかるナノ寸法の装置の第一実施形態の一部断
面図であり、それぞれの導電体はおおむね直線状であり、電気接続は模式的に描
かれている。
面図であり、それぞれの導電体はおおむね直線状であり、電気接続は模式的に描
かれている。
【図２】 図２は、図１の実施形態の変更例であり、導電体は実質的に直角
にある。
にある。
【図３】 図３は、複数のナノチューブ導電体を利用した実施形態の、図１
に類似した図である。
に類似した図である。
【図４】 図４は、図３の実施形態の変更例の、図２に類似した図である。
【図５】 図５は、特定の方法にて形成された、図３の実施形態の変形を描
いたものである。
いたものである。
【図６】 図６は、エッチングされた導電性のオーバーレイと、ラングミュ
ア‐ブロジェット技術が適用されたフィルムとを利用した本発明のさらなる実施
形態の、図１および３に類似した図である。
ア‐ブロジェット技術が適用されたフィルムとを利用した本発明のさらなる実施
形態の、図１および３に類似した図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年８月２５日（２０００．８．２５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ， ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，Ｇ Ｂ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
Claims (26)
- 【請求項１】 二つの要素の相対的な位置又は変位を測定及び／又は監視す
るための装置であって、 前記それぞれの要素と関連付けられるようになっている一対の延在する導電体
と、 前記導電体の間に電気的ポテンシャルの差を与えることで、その間に検出可能
な量子的トンネル電流が発生するように、前記導電体を相互に離隔させて配置す
る手段とを有する装置。 - 【請求項２】 前記導電体の相対位置を調整して最大の量子的トンネル電流
が検出される位置を決定する手段をさらに備える請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記調整手段は、１以上の圧電素子保持器を備えている請求
項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記延在する導電体は、実質的に互いに平行となる関係で整
列されている請求項１、２、又は３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記延在する導電体は、導電体セグメントの並べられたグリ
ッド又はアレイにそれぞれ配置されており、そのグリッド又はアレイは相補的に
かつ重ね合わされて前記導電体セグメントが検出可能な量子的トンネル電流を得
るために十分な近さに配置される、先行するいずれかの請求項に記載の装置。 - 【請求項６】 前記各グリッド又はアレイの導電体セグメントは実質的に平
行であるが、その他の一又は複数のグリッド又はアレイの導電体セグメントとは
ある角度をなして配列されている請求項５に記載の装置。 - 【請求項７】 前記各グリッド又はアレイの導電体セグメントは、電気的に
並列に結線されている請求項５又は６に記載の装置。 - 【請求項８】 前記延在する導電体は、ミクロンからナノオーダーの寸法で
ある、先行する請求項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項９】 前記延在する導電体は、カーボンナノチューブ、又はナノワ
イヤ、あるいはミクロンからサブミクロンの疑似一次元導体である請求項８に記
載の装置。 - 【請求項１０】 前記導電体は、それぞれの絶縁性又は半導体性サブストレ
ートの内部又はその上に取り付けられることによって前記要素と関連付けられて
いる、先行する請求項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１１】 前記導電体は、各々のサブストレートの表面と同一平面上
にある請求項９に記載の装置。 - 【請求項１２】 前記各導電体は、サブストレートを与える近接表面上のそ
れぞれの原子的段差に沿って配設される、先行する請求項のいずれかに記載の装
置。 - 【請求項１３】 前記延在する導電体は、絶縁性又は半導体性サブストレー
ト上にある一体的な導電層のそれぞれのセグメントを備えている請求項１から８
までのいずれかに記載の装置。 - 【請求項１４】 前記セグメントは絶縁性媒質の膜又はフィルムによって分
離及び／又は重ね合わされている請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記導電体の対向する表面セグメント相互の分離は２〜５
０オングストロームの範囲にある、先行する請求項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１６】 前記導電体の対向する表面セグメント相互の分離は２〜２
０オングストロームの範囲にある、先行する請求項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１７】 前記導電体は、長さが１０−６〜１０−２ｍの範囲にある
１以上の導電体セグメントの中にある、先行する請求項のいずれかに記載の装置
。 - 【請求項１８】 前記相互に離隔させて前記導体を配設する手段は、介挿フ
ィルム及びそのフィルムを包囲する手段を含む、先行する請求項のいずれかに記
載の装置。 - 【請求項１９】 前記介挿フィルムは、有機媒質のフィルム、例えば有機溶
剤である請求項１８に記載の装置。 - 【請求項２０】 前記導電体を相互に離隔して配設する手段は、ナノチュー
ブ又はバッキーボール（Ｃ６０）ベアリングを備えている、先行する請求項のい
ずれかに記載の装置。 - 【請求項２１】 前記測定及び／又は監視された位置又は変位は、回転の又
は角度の分離された変位、振動、直線的な分離又は平行移動、整列及び整列不良
の一つ以上である、先行する請求項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項２２】 前記延在する導電体は、導電体セグメントの並べられたグ
リッド又はアレイそれぞれに配置され、それにより各アレイの交点が静電的な散
乱井戸を画成している、先行する請求項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項２３】 前記の格子は、そのグリッドを形成するとともに、前記交
点においてあるいはその間に１次元の領域を生成する磁気要素のアレイをさらに
含んでいる請求項２２に記載の装置。 - 【請求項２４】 前記電気的ポテンシャルの差を与える手段と、前記導電体
間の量子的トンネル電流を検出及び／又は測定する手段とをさらに備えている請
求項１〜２３のいずれかに記載の装置。 - 【請求項２５】 二つの要素の相対的な位置又は変位を測定及び／又は監視
する方法であって、 前記要素を延在する導電体にそれぞれ関連付け、 前記導電体を相互に離隔させて配置し、その間に検出可能な量子的トンネル電
流が発生するように、それら導電体の間に電気的ポテンシャルの差を与え、 前記量子的トンネル電流を検出及び／又は測定する方法。 - 【請求項２６】 さらに前記導電体の相対位置を調整して最大の量子的トン
ネル電流が検出される１以上の位置を決定する請求項２５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU5702 | 1984-06-27 | ||
| AUPP5702A AUPP570298A0 (en) | 1998-09-07 | 1998-09-07 | Device for measuring angles, angles of rotation, rotational velocity and alignment at microscopic and macroscopic level |
| AU7709 | 1998-12-14 | ||
| AUPP7709A AUPP770998A0 (en) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | Measurement of fine angles |
| PCT/AU1999/000733 WO2000014476A1 (en) | 1998-09-07 | 1999-09-07 | Measurements using tunnelling current between elongate conductors |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009212005A Division JP4757937B2 (ja) | 1998-09-07 | 2009-09-14 | 延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002524725A true JP2002524725A (ja) | 2002-08-06 |
Family
ID=25645861
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000569178A Pending JP2002524725A (ja) | 1998-09-07 | 1999-09-07 | 延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定 |
| JP2009212005A Expired - Fee Related JP4757937B2 (ja) | 1998-09-07 | 2009-09-14 | 延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009212005A Expired - Fee Related JP4757937B2 (ja) | 1998-09-07 | 2009-09-14 | 延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6707308B1 (ja) |
| EP (1) | EP1135665B1 (ja) |
| JP (2) | JP2002524725A (ja) |
| KR (1) | KR20010073134A (ja) |
| CN (2) | CN100437017C (ja) |
| AT (1) | ATE473942T1 (ja) |
| BR (1) | BR9913502A (ja) |
| CA (1) | CA2343261C (ja) |
| DE (1) | DE69942585D1 (ja) |
| IL (2) | IL141890A0 (ja) |
| RU (1) | RU2224978C2 (ja) |
| WO (1) | WO2000014476A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525473A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | ナノスカレ システムズ、ナノス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ミニチュアばね要素とその製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010073134A (ko) * | 1998-09-07 | 2001-07-31 | 추후제출 | 연장 콘덕터간의 터널링 전류를 이용하는 측정 |
| JP3522261B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2004-04-26 | 日本電気株式会社 | ナノチューブ、近接場光検出装置および近接場光検出方法 |
| JP3969228B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2007-09-05 | 松下電工株式会社 | 機械的変形量検出センサ及びそれを用いた加速度センサ、圧力センサ |
| WO2004065926A1 (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | William Marsh Rice University | Smart materials: strain sensing and stress determination by means of nanotube sensing systems, composites, and devices |
| AU2003901914A0 (en) | 2003-04-22 | 2003-05-08 | Quantum Precision Instruments Pty Ltd | Quantum tunnelling transducer device |
| EP1789973A2 (en) | 2004-09-14 | 2007-05-30 | Quantum Precision Instruments Asia Pte Ltd | Particle optics and waveguide apparatus |
| US8544324B2 (en) | 2007-08-24 | 2013-10-01 | Pilsne Research Co., L.L.C. | Quantum tunnelling sensor device and method |
| US8381601B2 (en) * | 2008-05-05 | 2013-02-26 | John F. Stumpf | Transducer matrix film |
| US8091437B2 (en) * | 2008-05-05 | 2012-01-10 | John Stumpf | Transducer matrix film |
| CN101776434B (zh) * | 2010-03-10 | 2011-12-14 | 南开大学 | 基于隧道电流反馈瞄准的小盲孔测量方法及测量装置 |
| EP2948968B1 (en) | 2013-01-28 | 2018-03-28 | Massachusetts Institute of Technology | Electromechanical device |
| CN105891547A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-08-24 | 扬州思必得仪器设备有限公司 | 一种隧穿纤维 |
| IT202100027005A1 (it) | 2021-10-21 | 2023-04-21 | Milano Politecnico | Supporto antivibrazione con sensore integrato e sistema di monitoraggio di sollecitazioni meccaniche comprendente detto supporto |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0262253A1 (en) * | 1986-10-03 | 1988-04-06 | International Business Machines Corporation | Micromechanical atomic force sensor head |
| DE3856296T2 (de) * | 1987-08-25 | 1999-07-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Tunnelstromkodierer |
| JPS6486002A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-30 | Fujitsu Ltd | Fine displacement meter |
| US5210714A (en) * | 1988-10-14 | 1993-05-11 | International Business Machines Corporation | Distance-controlled tunneling transducer and direct access storage unit employing the transducer |
| JP2996748B2 (ja) * | 1990-02-09 | 2000-01-11 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ検出装置および方法 |
| US5216631A (en) * | 1990-11-02 | 1993-06-01 | Sliwa Jr John W | Microvibratory memory device |
| US5418771A (en) * | 1993-02-25 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Information processing apparatus provided with surface aligning mechanism between probe head substrate and recording medium substrate |
| US5432356A (en) * | 1993-04-02 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor heterojunction floating layer memory device and method for storing information in the same |
| US6021065A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-01 | Nonvolatile Electronics Incorporated | Spin dependent tunneling memory |
| JPH07118270B2 (ja) * | 1993-10-25 | 1995-12-18 | 日本電気株式会社 | カーボンナノチューブトランジスタ |
| US5679888A (en) | 1994-10-05 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dynamic quantity sensor and method for producing the same, distortion resistance element and method for producing the same, and angular velocity sensor |
| GB9426363D0 (en) | 1994-12-29 | 1995-03-01 | Lynxvale Ltd | A micromechanical accelerometer |
| US5703382A (en) * | 1995-11-20 | 1997-12-30 | Xerox Corporation | Array having multiple channel structures with continuously doped interchannel regions |
| US5751156A (en) | 1995-06-07 | 1998-05-12 | Yale University | Mechanically controllable break transducer |
| US5756895A (en) * | 1995-09-01 | 1998-05-26 | Hughes Aircraft Company | Tunneling-based rate gyros with simple drive and sense axis coupling |
| GB9524241D0 (en) | 1995-11-28 | 1996-01-31 | Smiths Industries Plc | Rate sensors |
| JPH10321482A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Casio Comput Co Ltd | 電気二重層コンデンサ |
| KR20010073134A (ko) * | 1998-09-07 | 2001-07-31 | 추후제출 | 연장 콘덕터간의 터널링 전류를 이용하는 측정 |
-
1999
- 1999-09-07 KR KR1020017002955A patent/KR20010073134A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-09-07 CN CNB2004101000861A patent/CN100437017C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-07 DE DE69942585T patent/DE69942585D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-07 WO PCT/AU1999/000733 patent/WO2000014476A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-09-07 US US09/786,641 patent/US6707308B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-07 CA CA002343261A patent/CA2343261C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-07 EP EP99947096A patent/EP1135665B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-07 CN CNB998106658A patent/CN1249398C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-07 RU RU2001110083/28A patent/RU2224978C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-09-07 BR BR9913502-7A patent/BR9913502A/pt not_active IP Right Cessation
- 1999-09-07 JP JP2000569178A patent/JP2002524725A/ja active Pending
- 1999-09-07 AT AT99947096T patent/ATE473942T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-09-07 IL IL14189099A patent/IL141890A0/xx active IP Right Grant
-
2001
- 2001-03-07 IL IL141890A patent/IL141890A/en not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-09-14 JP JP2009212005A patent/JP4757937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525473A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | ナノスカレ システムズ、ナノス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ミニチュアばね要素とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010073134A (ko) | 2001-07-31 |
| CN1673665A (zh) | 2005-09-28 |
| EP1135665B1 (en) | 2010-07-14 |
| CN1249398C (zh) | 2006-04-05 |
| CN100437017C (zh) | 2008-11-26 |
| ATE473942T1 (de) | 2010-07-15 |
| CA2343261A1 (en) | 2000-03-16 |
| US6707308B1 (en) | 2004-03-16 |
| JP4757937B2 (ja) | 2011-08-24 |
| EP1135665A4 (en) | 2002-06-19 |
| EP1135665A1 (en) | 2001-09-26 |
| RU2224978C2 (ru) | 2004-02-27 |
| CN1317083A (zh) | 2001-10-10 |
| CA2343261C (en) | 2007-11-27 |
| IL141890A0 (en) | 2002-03-10 |
| DE69942585D1 (de) | 2010-08-26 |
| IL141890A (en) | 2006-08-20 |
| JP2010060562A (ja) | 2010-03-18 |
| WO2000014476A1 (en) | 2000-03-16 |
| BR9913502A (pt) | 2001-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4757937B2 (ja) | 延在する導電体間のトンネル電流を用いた測定 | |
| Nakayama et al. | Development and application of multiple‐probe scanning probe microscopes | |
| US5235187A (en) | Methods of fabricating integrated, aligned tunneling tip pairs | |
| US8851747B2 (en) | Thermal conductivity measurement apparatus for one-dimensional material | |
| US6507197B1 (en) | Electrostatic force detector with cantilever for an electrostatic force microscope | |
| EP1657539A1 (en) | Nanostructure resonant tunneling with a gate voltage source | |
| Tselev et al. | Scanning near‐field microwave microscopy of VO2 and chemical vapor deposition graphene | |
| DE69514851T2 (de) | Interatomares Messverfahren | |
| RU2001110083A (ru) | Измерения с использованием туннельного тока между удлиненными проводниками | |
| JPH04369418A (ja) | カンチレバー型プローブ及び原子間力顕微鏡、情報記録再生装置 | |
| JP4190582B2 (ja) | 原子間測定技術 | |
| AU762017B2 (en) | Measurements using tunnelling current between elongate conductors | |
| ZA200101914B (en) | Measurements using tunnelling current between elongate conductors. | |
| Leis et al. | Nanoscale tip positioning with a multi-tip scanning tunneling microscope using topography images | |
| KR20070010174A (ko) | 재료의 가로 특성화 장치 및 방법 | |
| Huang | Quantum Transport in Strained Single-wall Carbon Nanotube Transistors | |
| JP2960592B2 (ja) | 形状測定プローブおよびその製造方法 | |
| JP2686651B2 (ja) | 変位量検出装置 | |
| Ren et al. | Experimental evidence for electron-electron interaction and spin-charge separation in graphene quantum dots | |
| RU2244254C2 (ru) | Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа | |
| US7531795B2 (en) | Scanning microscopy using resonant quantum tunneling | |
| Levin et al. | Development of the Atomic Force Microscopy Research Technique for the Nanostructures on the Vertical Edge of Thin Insulating Film | |
| JP2001183282A (ja) | 走査型プローブを有する情報検出装置及び情報検出方法 | |
| Gong et al. | Design and modeling of a MEMS-based tunable optical nanoantenna | |
| JPH08122340A (ja) | 表面形状測定方法及び表面形状測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040922 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060905 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060905 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090811 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090818 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091201 |